JP2009048193A - 液晶ディスプレイのための方法およびシステム - Google Patents

Abstract

【課題】電場線が１つの電極副層から他の電極副層に移動しながら電圧が一定の画素に適用されると、らせん状構造は電場線の影響によって妨げられる。
【解決手段】第１層と第２層は互いにほぼ平行である前記第１層と前記第２層の間に供給される液晶、前記第１層と前記第２層を互いに離れて保持するために、液晶中に供給される１または２以上のスペーサー、および前記ほぼ平行な方向に前記スペーサーが前記液晶中を移動するのを防ぐように機能する１または２以上の構造要素を有する１または２以上の電極層を含む液晶でディスプレイを提供する。
【選択図】図５ｂ

Description

本発明は、ＬＣＤ表示技術に関するものである。

液晶表示ディスプレイ（ＬＣＤディスプレイ）はこの技術分野でよく知られている。ＬＣＤは、それぞれの画素要素が発光するかしないかを個別に制御され、通常、マトリックッス構造に配列される多くの画素要素を有する。それぞれの画素を選択的に制御することにより、動画が生成される。

ＬＣＤディスプレイは、それぞれの層が複数の副層によって形成される２つの層の間に形成される液晶によって形成される。これらの副層の１つは、これら特定の領域に電圧を印加することによって液晶素子の特定の領域（画素）の配列される電極層（インジウム錫酸化物層またはＩＴＯ層）によって制御される液晶素子によって形成される。電圧を印加することにより（多分、０ボルト）、液晶分子の方向は、液晶素子が不透明状態または透明な状態、あるいは半透明な状態になるように制御される。

液晶および電極は２つの偏光板の間に位置する。液晶ディスプレイの堆積の間を通過する光は、各画素の液晶分子の方向（液晶に印加される電圧に応じて）および偏光フィルター方向に応じて遮断または通過される。

例において、偏光フィルターは、偏光方向が互いに垂直な位置に置かれる。液晶は、２つのＩＴＯ層の間に位置する。ＩＴＯ層は、電極を形成し、画素をアドレスし、液晶に目的の電圧を印加する。

ＩＴＯ層は、液晶配列副層、例えば、液晶に面し、液晶分子を一定の方向に配列するためのポリイミド副層を有する。この処理は、一定方向に（綿からなる布）をラビングすることにより適用される。液晶分子の配列の方向は、偏光フィルターの偏光方向に対応するラビングの方向によって規定される。

任意の画素に電圧が印加されない場合、分子はラビング線に沿って配列し、したがって、らせん状またはねじれ状に配列される。第１の偏光フィルターを貫通する光は液晶を通過するときらせん状構造によって回転し、第２の偏光フィルターを通過するのを可能にする。

しかしながら、電場線が１つの電極副層から他の電極副層に移動しながら電圧が一定の画素に適用されると、らせん状構造は電場線の影響によって妨げられる。この結果、光は第２の偏光板によって遮断されるので、光は画素を通過することができない。これは、「通常黒ではない」ＬＣＤディスプレイと呼ばれる。

この例に対する多くの変形が可能であり、実施されるものと理解される。例えば、偏光フィルターの異なる相対的な方向を選ぶことにより、電圧が印加されないとき画素が実質的に黒となるＬＣＤを意味する「通常黒の」ＬＣＤディスプレイ、ＤＩが生成される。

カラーＬＣＤディスプレイを生成するために、それぞれの画素は個々にアドレスされるサブ画素に分割される。それぞれの画素は、当業者に知られるように、赤、緑および青色サブ画素に分割されるように、ＲＧＢ配列に基づいて分割される。独立したカラーフィルター副層を加えることにより、例えば、配向副層の間のどこかで、配列に色が加えられる。カラーフィルター副層は、隣接するカラーフィルターのマトリックスであることができる。

ＬＣＤディスプレイは、より鋭い画像を提供するために、ＬＣＤディスプレイに加えて補償副層が供給されるいわゆる２重層上部ねじれネマチック（ＤＳＴＮ）ディスプレイにも使用される。補償副層は、そこに画素が形成されずに、ＬＣＤディスプレイによって形成され、パッシブディスプレイと呼ばれる（ＤＳＴＮディスプレイにおける補償セルとして知られる）。したがって、このようなパッシブディスプレイにおけるＩＴＯ層は、通常のＬＣＤディスプレイに比較して体系化されておらず、アクティブＬＣＤと呼ばれる。パッシブＬＣＤディスプレイは、１つだけの画素を有するＬＣＤディスプレイと見なされる。

アクティブおよびパッシブＬＣＤディスプレイにおいては、液晶は２つのＩＴＯ層の間に捕獲される。２つのＩＴＯの間には、ＩＴＯが互いに既定の距離を保つようにスペーサーが供給される。スペーサーは、複数の球体、または例えば、４〜６μｍの直径の実質的に丸い要素のような複数の粉または粉末によって形成される。

しかしながら、スペーサーは、例えば、振動の影響でディスプレイを貫通して動くことができる。振動は、製造過程で、超音波クリーニングプロセスによって生じ、超音波バスの振動がスペーサー動かし、あるいはＬＣＤディスプレイの実際の使用時に生じる。例えば、自動車産業の応用においては、振動は車のエンジンによって生じる。

公知の構造において、振動を制限する障壁は、ＩＴＯ層に供給されるラビング線およびギャップである。これは、障壁に沿ってスペーサーのかたまりをもたらす。かたまったスペーサーはＬＣＤディスプレイにおいて見える線をもたらし、観察者の視界を妨げる。ＬＣＤの製造からの産出図は、スペーサーの見えるかたまりが、特に、自動車産業の応用のためのＤＳＴＮ−ディスプレイにおける不良品率の増大の大きな原因となる。

本発明の例示の実施態様は、液晶ディスプレイのためのシステムおよび方法を提供する。このディスプレイは、第１層と第２層の間に供給される液晶を有する。第１層と第２層は互いに実質的に平行である。スペーサーは、第１層および第２層が互いに離れるように液晶に供給される。構造要素を含む電極層は、スペーサーが実質的に平行な方向に液晶を貫通して動くことを防ぐように作動可能である。

ディスプレイは、ディスプレイを制御する電極を有する電極構造を定義する隙間をさらに含む。ディスプレイは、この隙間がディスプレイのセルを規定するパッシブ液晶ディスプレイを有することができる。構造要素は、ディスプレイのセルの長さより実質的に短い。

実施態様において、このディスプレイはアクティブ液晶ディスプレイであり、電極を規定するギャップが画素をアドレスするために使用される。この構造要素は、画素より実質的に短い長さを有する。

実施態様において、この構造要素は電極構造を変えない。実施態様において、この構造は、１または２以上の長く延びた溝によって形成される。この溝はスペーサーの直径より実質的に短い幅を有する。

実施態様において、スペーサーは複数の実質的に丸い要素によって形成される。１または２以上のスペーサーは４〜６μｍの直径を有する。

実施態様において、この構造要素は、無作為抽出配列および準無作為抽出配列のどちらかにより供給される。

実施態様において、このディスプレイの第１層および第２層のどちらか１つは、ラビング線を含む液晶配列副層を含み、この構造要素はラビング線に対してある角度で供給される。

実施態様において、このディスプレイは、２重層超ねじれネマチック（ＤＳＴＮ）ディスプレイを含み、さらに、アクティブ液晶ディスプレイおよびパッシブ液晶ディスプレイの１つまたは両者を含む。

さらに他の実施態様において、前記液晶ディスプレイを製造する方法が提供される。この方法は、ほぼ平坦なインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）層を供給する工程、パターンにマスクを供給する工程、フォトリソグラフィー技術を用いてディスプレイを制御する作動が可能な１または２以上の電極構造を規定する１または２以上の溝を生成する工程であって、ＩＴＯ層にパターンを投影し現像する工程を含み、前記パターンはさらに構造要素を含む工程を含む。

さらに他の実施態様において、システムが供給される。このシステムは、メモリシステム、前記メモリシステム論理的に接続される１または２以上のプロセサー、プロセサーの機能によって前記メモリに情報を入力する作動が可能な１または２以上の出力装置、および前記プロセサーの機能によって前記メモリから情報を出力する作動が可能な１または２以上の出力装置を含む。この出力装置は、前記液晶表示装置にいずれか１つである。

好ましい実施態様の構造および機能だけでなく他の目的および利点は、明細書の記載、図面および実施例を参酌することにより明らかになろう。

１または２以上の実施例のために、図１はＬＣＤディスプレイの断面図の概略を示す。図１からわかるように、ＬＣＤディスプレイは、第１層（Ｌ１）および第２層（Ｌ２）の間に供給される液晶ＬＣを有する。ある実施例において、第１および第２層（Ｌ１、Ｌ２）は、互いにほぼ平行である。第１および第２層（Ｌ１、Ｌ２）は、たがいにそれぞれほぼ平行して位置するガラス板ＧＰを有する。この２つのガラス板、ＧＰは外側に偏光板ＰＦを有する。上述したように、偏光フィルターＰＦの偏光方向は、ＬＣＤディスプレイのタイプに応じて、互いにほぼ平行かほぼ垂直であることができる。

他のガラス板ＧＰに面するそれぞれのガラス板ＧＰの表面には、ＳｉＯ_２副層が供給され、Ｎａ^＋障壁を形成し、ガラスからのＮａイオンによりＬＣの汚染を回避する。

ＳｉＯ_２副層の上面には、インジウム錫酸化物層（本明細書では、今後ＩＴＯ層という）が形成される。このＩＴＯ層は画素をアドレスし、画素に目的の電圧を供給する電極を形成する。パッシブＬＣＤディスプレイの例示の実施例において、ＩＴＯ層は、パッシブＬＣＤディスプレイ全体に電圧を印加するために使用されるディスプレイセル（例えば、３００×４００画素に対応する面積を有する）を形成する連続した（とぎれない）副層である。ディスプレイセルは、ＩＴＯ層における溝ＧＡ（他の図において目印された）によって分離される。例示の実施態様において、ＩＴＯ層という用語が使用されるが、この用語は任意の電極層を包含する。

上述したように、カラーフィルター複層ＣＦがＩＴＯ層上面の偏光副層の間のどこかに供給される。カラーフィルター副層、ＣＦは隣接するカラーフィルターのマトリックスであり得る。このカラーフィルター副層は、オーバーコート副層ＣＦをさらに含む。

アクティブＬＣＤディスプレイにおいて、ＩＴＯ層は、例えば、複数の実質的に平行な電極ＥＬ（図２ａ、２ｂに示される）によって形成され、第１のＩＴＯ層における電極ＥＬ（図２ａ参照）は、第２のＩＴＯ層における同様の電極ＥＬ（図２ｂ参照）に対してほぼ垂直な帯である。帯または電極ＥＬは、溝ＧＡによって互いに離れている。

互いに上面に位置するとき（液晶を囲み）、電極ＥＬは１つの選択された画素をアドレスするために使用される。

上記に基づいて、パッシブおよびアクティブＬＣＤディスプレイにおけるＩＴＯ層は溝ＧＡを含む。パッシブＬＣＤディスプレイにおいて、溝ＧＡは、複数の画素の大きさである独立したおよび／または異なるディスプレイセルに供給される。アクティブＬＣＤディスプレイにおいて、溝ＧＡは画素を規定するために供給される。

例示される実施例には、トップコート副層ＴＣによってＩＴＯ層から分離されたポリイミド副層ＰＩがさらに供給される。ポリイミド副層ＰＩは液晶分子を一定の方向に配列するために処理される。液晶分子の配列方向は、ラビングの方向によって規定される。ラビングはラビング線を残す（図示しない）。トップコート副層ＴＣおよびポリイミド副層ＰＩは、ＩＴＯ層における溝の線に沿う。

図３は、ＩＴＯ層における２つの溝を示す、実施例におけるＬＣＤディスプレイに部分断面図を表す。図３からわかるように、トップコート副層ＴＣおよびポリイミド副層ＰＩはＩＴＯ層における溝ＧＡに沿う。

上記に説明されるように、ある例示のＬＣＤディスプレイの構造において、スペーサーＳＰの大きなかたまりがＩＴＯトラックとラビング線に沿って存在する。パッシブＬＣＤディスプレイだけでなくアクティブディスプレイにおいて、ＰＩ副層はラビングされてＬＣを方向付ける。したがって、スペーサーＳＰは、ラビング線および／または溝ＧＡに沿って集中する。しかしながら、アクティブＬＣＤディスプレイにおいては、ＩＴＯにおけるＧＡＰ層は、パッシブＬＣＤディスプレイより集中が重要である。

図４は、ＬＣＤディスプレイの例示の断面図を示す。この図は、最初の位置（破線）から、スペーサーＳＰが溝ＧＡにはまる第２の位置に動いたスペーサーＳＰを示す。

下記に提供されるように、スペーサーＳＰの眼に見える集中を減らすことがいくつかの実施例に記載されている。スペーサーＳＰのかたまりは、かたまり当りのスペーサーＳＰの量が相対的に少ないならば、平均的な使用者にとって構造的な線として単に見えにくいか全く見えない。

第１の実施例
次に、第１の実施例を示す。パッシブＬＣＤディスプレイにおいて、ＩＴＯ層は溝を含まず（単に、ディスプレオセルを規定するだけ）、スペーサーＳＰはＬＣＤディスプレイのディスプレイ全体を貫通して容易に動く。

上記に説明したように、ラビング線はスペーサーＳＰを制限する障害物であるだけなので、スペーサーＳＰはラビング線に沿って線を形成する傾向にある。

これらの実施態様において、ある種の「無作為抽出」はＩＴＯに構造を付加することにより創造される。ＩＴＯにおけるこの構造は、スペーサーＳＰのための抵抗線となるようなラビング線と同じまたは両立できる方法で機能する。ＩＴＯ層における構造の注意深い選択によって、スペーサーＳＰの眼に見える集中が妨げられるかまたは減少する。

図５ａは、このような実施態様のディスプレイセルのＩＴＯ層の上面図を示している。ＩＴＯ層は、例えば、図５ａに示されるように、トレンチＴＲのような複数の構造要素によって形成された構造が供給される。

図５ｂは、いかに１つのトレンチＴＲがトップコート副層ＴＣおよびポリイミド副層ＰＩによって従うかを示す断面図を示す。

電圧がＩＴＯ層全体に容易に印加されるように、ＩＴＯ層が隔離された部分（例えば、ＩＴＯ層の他の部分に直接電気的接触しない「島」構造）を含まないような方法で、ＴＲは配列される。ＩＴＯ層の一部が他の部分から隔離されるような方法でトレンチＴＲが配列される場合、例えば、ＩＴＯ層の全ての部分に電圧を供給するために、追加のハードウェア（追加の電気接続）がＩＴＯ層全体をアドレスするために供給される。

トレンチＴＲはスペーサーＳＰの直径に基づいて選択される幅を有する。トレンチＴＲはスペーサーＳＰの直径より小さく選択される。１つの例示的な実施態様によれば、ＴＲは約３．４μｍの幅を有する。

トレンチＴＲはＬＣＤディスプレイの機能および／または品質、並びにパネルの大きさの要求に基づいて選択される長さを有することができる。例えば、トレンチの長さは、トレンチＴＲに沿ったスペーサーＳＰのかたまりが眼に見える線にならないように選択される。例示の実施態様によれば、トレンチＴＲは約５０μｍの最大長さを有することができる。

他のタイプの構造要素も提供されるであろう。この構造はノッチまたは突起、またはこのような構造要素の組合せである。１つの例は、スペーサーＳＰの眼に見えるかたまりを防止するに十分に短い伸張した***部である。もちろん、「眼に見える」の定義は、ラップトップスクリーン、携帯電話の画面または鉄道の駅のような公共の場所の情報スクリーンのように、ディスプレイの種類および／または用途の状況による。

構造要素の伸張した形状は、ラビング線、例えば、約４５°の角度に対して特定の角度に位置する。構造要素がラビング線に対してほぼ平行である場合、構造要素は大きな影響を与えない。例示の実施態様において、構造要素がラビング線に対して一定の角度で供給される場合、構造要素は異なるラビング線からのスペーサーＳＰを保持または獲得する。

スペーサーＳＰは、その動きが制限されており、構造要素に沿って蓄積する。構造要素の大きさはディスプレイセル特性全体を妨げるスペーサーの眼に見える集中を防ぐに十分に短い。

例示の実施態様において、ポリイミド副層ＰＩは、トップコート副層ＴＣに類似して、ＩＴＯ層の上面に適用される。例えば、ラビング線はポリイミド副層ＰＩにおけるひっかき傷である。上述した構造を有するＩＴＯ層を提供するとき、ポリイミド副層ＰＩは、図５ｂに関連して示され、記載されるＴＯ構造に従う。

構造要素は、無作為抽出配列または準無作為抽出配列によって供給される。例えば、構造要素は、簡単にまたは眼に見えるスペーサーの集中が生じないように供給される。これにより、再びスペーサーＳＰの眼に見える集中が生じ得る。したがって、構造要素は非対称的に供給され、または構造要素は繰り返詩のないパターンで供給される。本明細書で使用される無作為抽出または準無作為抽出という用語は、構造要素ＴＲの生成は非制御プロセスの結果であることを示す必要がなく、どこに構造要素ＴＲが生成されるのか不確かであるという意味である。

例示の実施例によれば、構造要素を有する２つのＩＴＯ層が供給される。もし、２つのＩＴＯ層が構造要素と共に供給されるならば、前記２つのＩＴＯ層の構造要素は互いに対応するように設計されるか、または互いに対応しないように設計される。この例示の実施例において、アセンブルされるとき１つのＩＴＯ層の構造要素が実質的に他の層の構造要素と向かい合うならば、２つのＩＴＯ層の構造要素は対応するものと考えられる。

構造要素がトレンチの場合、構造要素は非−対応として選ばれ、それぞれのＩＴＯ層の間が大きすぎる距離となるのを防ぐ。対応する構造要素が供給される場合、トレンチＴＲの深さは慎重に選ばれ、前記ＩＴＯ層間の距離が大きくなりすぎるのを防ぐ。

次の図面に示されるように、加えて、単一のＩＴＯ層のみが構造要素と共に供給される。
第２の実施例
次に、第２の実施例を示す。アクティブＬＣＤディスプレイにおいて、前記ＩＴＯ層は図２ａ、２ｂおよび２ｃおよび上記に示されるように、画素に対応する溝ＧＡを有する。

上記に説明したように、溝やラビング線がスペーサーの動きを制限するので、スペーサーＳＰは、画素およびラビング線を規定する溝ＧＡに沿って線を形成する傾向にある。

この例示の実施例によれば、画素内のＩＴＯ層に構造が供給される。ＩＴＯ層におけるこの構造は、ラビング線と同じように、例えば、スペーサーＳＰの抵抗線として働く。ＩＴＯ層における構造の注意深い選択によって、スペーサーＳＰの眼に見える集中が防止されるか減少する。

図６は、例示の実施例の画素ＰＩＸのＩＴＯ層の上面図を示す。ＩＴＯ層は構造と共に供給され、例えば、図６に示されるトレンチＴＲのような複数の構造要素によって形成される。この実施態様のトレンチＴＲは、図５ｂに示されるような同様の断面図をもたらすことがわかる。

この実施例によれば、４つのトレンチＴＲがＩＴＯ層に供給される。このような例示の実施例において、トレンチＴＲは３．４μｍの幅を有し、画素ＰＩＸの長さより短い長さ、例えば、画素ＰＩＸの半分の長さを有することができる。

上記に説明したように、伸張した***のような他のタイプの構造要素も供給される。この構造は、ノッチまたは突起あるいはこれら構造の組合せによって形成される。

構造要素は、スペーサーＳＰの眼に見える集中を防ぐのに十分に短い、もちろん、「眼に見える」の定義は、ラップトップスクリーン、鉄道の駅のような公共の場における情報スクリーンのようなディスプレイのタイプおよび／または用途の状況に依存する。

構造要素の伸張した形状は、ラビング線に対する角度、例えば、第１の実施例を引用して説明したように、約４５°の角度に位置する。

スペーサーＳＰは、その移動の自由度が制限されており、特性を妨げることなくトレンチＴＲに沿って集中する。

上記に類似して、トレンチＴＲは、画素ＰＩＸのＩＴＯ層が隔離された部分（例えば、ＩＴＯ層の他の部分に直接電気的接触をしない「島」構造）を含まず、したがって電圧は画素ＰＩＸにＩＴＯ層全体に容易に印加される。
第３の実施例
次に、第３の実施例を示す。これらの実施例によれば、上記のように少なくとも１つの実施例またはその一部を生成するために、ＬＣＤディスプレイまたはその一部を製造するための方法が提供される。

上記に記載される構造要素は、溝、ＧＡが生成されるのと同じまたは同様の製造工程において、ＬＣＤディスプレイの製造過程で形成される。

このような例示の方法に基づいて、平らなＩＴＯ層が供給される。パターンは、フォトリソグラフィー技術、あるいはプロキシミティ技術を使用してこのＩＴＯ層上に投影される。当業者に知られている他の方法も使用することができる。

次の段階で、ＩＴＯ層がパターニングされたＩＴＯ層に現像される。構造要素を生成するパターン（例えば、トレンチＴＲ）は、溝ＧＡを生成するために使用されるマスクまたはレトリックの追加のパターンとして加えられる。このような例示の実施例によれば、溝ＧＡを生成するのに使用される追加のマスクまたはレトリックは必要とされず、追加のプロセス行為も必要とされない。トレンチＴＲは、例えば、ＩＴＯ層それ自体と同じ深さである。

あるいは、グレースケールと共にレトリックまたはマスクが供給される。このようなグレースケールは、使用される全部の深さに到達しない深さを有するトレンチ（ＴＲ）を提供するために使用される。
結論
上記の実施例の記載は、パッシブＬＣＤディスプレイだけでなくアクティブＬＣＤディスプレイに有益である。

スペーサーＳＰの眼に見える集中を制限し、かつスペーサーＳＰの自由な浮遊をつくるためにＬＣＤディスプレイのＩＴＯ層に構造を追加することが実施例に記載されている。例示の実施例において、スペーサーＳＰの眼に見える集中が防止されるように、構造が形成される。これは、例えば、用途および他のパラメータの状況に応じて、構造要素を十分小さく選ぶことにより、および／または構造要素を非対称または繰り返すことなく提供することにより、なされる。ある実施例によれば、構造要素がある溝ＧＡに追加される。１または２以上の実施態様において、構造要素は、溝ＧＡの幅より狭い幅を有するトレンチＴＲとして供給される。

トレンチはＩＴＯ層と同じ深さである。例示の場合において、トレンチＴＲのパターンは、ＩＴＯ層の電極が完全に切断されないように、電極の離隔された部分が生成するとアドレスが困難になるので離隔部が生成されないように、選択される。これは、パッシブＬＣＤディスプレイにおいて、ディスプレイセルより実質的に狭い、またはアクティブＬＣＤにおける画素の大きさより実質的に狭い数構造要素を提供することによって、達成される。

ある実施態様において、トレンチはＩＴＯ層の厚さより深くなく、電極の隔離部分の生成を防ぐ。

本明細書において例示され検討される実施例は、本発明を製造し使用するために発明者に知られる最も良い方法を当業者に伝えることを意図したものである。本明細書における記載はいずれも本発明の範囲を限定するもの考えるべきではない。全てに実施例は代表であり制限するものではない。本発明の上記の実施例は、本発明の説明により当業者に理解されるように、本発明から逸脱しない限り、改良または変形することができる。したがって、本発明は、特許請求の範囲およびその均等の範囲をはずして、特定して記載されたもの以外にも実施されることが理解されよう。

ＬＣＤディスプレイの断面概略図を示す。 ＩＴＯ層の上面概略図を示す。 ＩＴＯ層の上面概略図を示す。 ＩＴＯ層の上面概略図を示す。 ＬＣＤディスプレイの断面概略図を示す。 スペーサーを含むＬＣＤディスプレイの断面概略図を示す。 本発明の実施例のＬＣＤディスプレイのＩＴＯ層の上面概略図を示す。 図５ａの断面概略図を示す。 本発明の他の実施例のＩＴＯ層の上面概略図を示す。

Claims (17)

1. 第１層と第２層は互いにほぼ平行である前記第１層と前記第２層の間に供給される液晶、
   前記第１層と前記第２層を互いに離れて保持するために、液晶中に供給される１または２以上のスペーサー、および
   前記ほぼ平行な方向に前記スペーサーが前記液晶中を移動するのを防ぐように機能する１または２以上の構造要素を有する１または２以上の電極層を含む液晶ディスプレイ。
2. 前記第１電極層および第２電極層は、前記ディスプレイを制御するための電極を含む電極構造を規定する１または２以上の溝をさらに含む請求項１に記載のディスプレイ。
3. 前記ディスプレイは、前記溝が１または２以上のディスプレイセルを規定するパッシブ液晶ディスプレイから構成される請求項２に記載のディスプレイ。
4. 前記構造要素は、前記ディスプレイの長さより実質的に短い長さを有する請求項３に記載のディスプレイ。
5. 前記ディスプレイはアクティブ液晶ディスプレイであり、前記電極を規定する前記溝は画素をアドレスするために使用される請求項２に記載のディスプレイ。
6. 前記構造要素は、前記画素の長さより実質的に短い長さである請求項５に記載のディスプレイ。
7. 前記構造要素は、前記電極構造を変化させない請求項２に記載のディスプレイ。
8. 前記構造要素は、１または２以上の伸張された***によって形成される請求項２に記載のディスプレイ。
9. 前記スペーサーは、複数のほぼ丸い要素によって形成される請求項２に記載のディスプレイ。
10. 前記スペーサーの１または２以上は、４〜６μｍの直径を有する請求項９に記載のディスプレイ。
11. 前記トレンチは前記スペーサーの直径より実質的に短い長さを有する請求項９に記載のディスプレイ。
12. 前記構造要素は、無作為抽出配列および準無作為抽出配列のどちらかにより供給される請求項２に記載のディスプレイ。
13. 前記ディスプレイの第１層および第２層の１つは、ラビング線を含む液晶配列副層をさらに含み、前記構造要素は前記ラビング線に対して一定の角度で供給される請求項２に記載のディスプレイ。
14. 前記ディスプレイは２重層超ねじれネマチック（ＤＳＴＮ）ディスプレイから構成され、かつアクティブマトリックス液晶ディスプレイおよび請求項３に記載のパッシブ液晶ディスプレイのどちらか１つまたは両者をさらに含む請求項５に記載のディスプレイ。
15. 前記ディスプレイは２重層超ねじれネマチック（ＤＳＴＮ）ディスプレイから構成され、かつ請求項５に記載のアクティブマトリックス液晶ディスプレイおよびパッシブ液晶ディスプレイのどちらか１つまたは両者をさらに含む請求項５に記載のディスプレイ。
16. 液晶ディスプレイの製造方法であって、
    前記液晶ディスプレイは、
    第１層および第２層の間に供給される液晶、
    互いにほぼ平行な方向にある前記第１層および前記第２層、
    前記第１層および前記第２層を互いに隔離して保持するために前記液晶に供給される１または２以上のスペーサー、および
    前記ほぼ平行な方向に前記スペーサーが前記液晶中を移動するのを防ぐように機能する１または２以上の構造要素を有する１または２以上の電極層を含み、
    前記方法は、
    ほぼ平坦なインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）層を供給する工程、
    パターンにマスクを供給する工程、
    フォトリソグラフィー技術を用いてディスプレイを制御する作動が可能な１または２以上の電極構造を規定する１または２以上の溝を生成する工程であって、ＩＴＯ層にパターンを投影し現像する工程を含む工程を含み、
    前記パターンはさらに構造要素を含む液晶ディスプレイの製造方法。
17. システムであって、
    メモリシステム、
    前記メモリシステム論理的に接続される１または２以上のプロセサー、
    プロセサーの機能によって前記メモリに情報を入力する作動が可能な１または２以上の入力装置、および
    前記プロセサーの機能によって前記メモリから情報を出力する作動が可能な１または２以上の出力装置であって、液晶ディスプレイを含む出力装置を含み、
    前記液晶ディスプレイは、
    第１層および第２層の間に供給される液晶、
    互いにほぼ平行な方向にある前記第１層および前記第２層、
    前記第１層および前記第２層を互いに隔離して保持するために前記液晶に供給される１または２以上のスペーサー、および
    前記ほぼ平行な方向に前記スペーサーが前記液晶中を移動するのを防ぐように機能する１または２以上の構造要素を有する１または２以上の電極層を含むシステム。