JP2009038203A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、少なくとも一面に電極及び集積回路が配された半導体基板2と、該半導体基板の一面を覆うように配された第一絶縁樹脂層5と、該第一絶縁樹脂層上に配され、前記電極と電気的に接続された誘導素子8aと、前記半導体基板の一面側に配された容量素子9と、を少なくとも備えた半導体装置1であって、前記誘導素子は、螺旋状に形成された導電部からなり、前記容量素子の一端は、前記導電部の内端部と電気的に接続され、容量素子の他端は、前記集積回路又は外部回路と電気的に接続されていることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
この半導体装置では、半導体基板上に、入力整合用並列インダクタ814と、入力整合用直列インダクタ816と、入力整合用並列キャパシタ815とが、GaAs基板824上に、絶縁膜834を介して形成されている。
この半導体装置100は、半導体基板101上に、第一絶縁樹脂層102と、第一配線層103と、第二絶縁樹脂層104と、誘導素子としてスパイラルインダクタ105aを有する第二配線層105と、キャパシタ106と、封止樹脂層110とが順に配されている。キャパシタ106は、上部電極層107及び下部電極層108と、これらの間に配された誘電体層109とを備える。
(1)インダクタの内部領域において、面積の有効利用がなされていない。
(2)キャパシタを平面的に配置しているので、占有面積を増大させ、素子の小型化の妨げとなる。
(3)キャパシタの作製において複数の工程を得る必要があり、コストの上昇を招いている。
(4)キャパシタの構造において、互いに異なる材質を用いているために信頼性が懸念される。
(5)キャパシタの容量を増すには特殊な誘電材料を用いたり、サイズを大きくする等の処置が必要となるが、特殊な誘電材料を用いるとコストの上昇を招くほか、信頼性の面で不利となる。また、サイズを大きくすると占有面積を増大させ、素子の小型化の妨げとなる。特に占有面積が大きくなることは問題である。
本発明の請求項2に記載の半導体装置は、請求項1において、前記誘導素子を覆うように配された第二絶縁樹脂層を、さらに備え、前記容量素子は、前記第二絶縁樹脂層上に配されており、前記容量素子と前記誘導素子とは、前記第二絶縁樹脂層を貫通して配された配線部を介して電気的に接続されていることを特徴とする。
本発明の半導体装置1は、少なくとも一面に電極3及び集積回路4が配された半導体基板2と、該半導体基板2の一面を覆うように配された第一絶縁樹脂層5と、該第一絶縁樹脂層5上に配された第一配線層6と、該第一配線層6を覆うように配された第二絶縁樹脂層7と、該第二絶縁樹脂層7上に配され前記電極3と電気的に接続された誘導素子(インダクタ8a)と、前記半導体基板2の一面側に配された容量素子(キャパシタ9)と、を備える。
そして本発明の半導体装置1は、前記誘導素子は、螺旋状に形成された第二配線層(導電部)8からなり、前記容量素子の一端は、前記第二配線層8の内端部と電気的に接続され、容量素子の他端は、前記集積回路4又は外部回路と電気的に接続されていることを特徴とする。
すなわち、本発明は、ウエハレベルCSPの再配線を用いて作成したスパイラルインダクタ8aの最内周よりも内側の領域(以下、インダクタ8aの内部領域と称する。)に、容量素子としてキャパシタ9を実装することで、面積を有効利用し、素子の小型化に貢献できる半導体装置を構成するものである。
なお、図1(a)からも明らかなように、本発明は、チップキャパシタ9がインダクタ8aの内部領域に収まる程度の物理的大きさを持つインダクタ8aに関して適用可能となるものである。
図2に、第二配線層8において、チップキャパシタ9が実装される部分付近の拡大図を示す。当然、チップキャパシタ9を実装するためのパッド部10は、バイア部11を避けた第二配線層8上の領域となる。
インダクタ8aの内部領域の面積に余裕があり、かつ、チップキャパシタ9がインダクタ8aに及ぼす影響が気になるのであれば、インダクタ8aの内部領域の端にチップキャパシタ9を配すれば良い。また、スパイラルインダクタ8aをまたぐように、チップキャパシタ9が配されていてもよい。
第一絶縁樹脂層5は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また、開口部は、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
第一配線層6の材料としては、例えばCu等が用いられ、その厚さは例えば1〜20μmである。これにより十分な導電性が得られる。第二配線層8は、例えば、電解銅めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法、または2つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
第二絶縁樹脂層7は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また、開口部は、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
第二配線層8の材料としては、例えばCu等が用いられ、その厚さは例えば1〜20μmである。これにより十分な導電性が得られる。第二配線層8は、例えば、電解銅めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法、または2つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
なお、図1で示す例では、スパイラルインダクタ8aの形状として四角形状のものを示しているが、これに限定されず、円形、八角形等の形状であっても構わない。
キャパシタ9は、Agなどの金属材料からなる複数の電極層と、これらの間に設けられ、チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム等のペロブスカイト酸化物等からなる誘電体層とを備える。
この半導体装置1B(1)は、前記誘導素子を覆うように配された第三絶縁樹脂層12をさらに備え、前記容量素子は、前記第三絶縁樹脂層12上に配されており、前記容量素子と前記誘導素子とは、前記第三絶縁樹脂層12を貫通して配された第三配線層13(配線部)を介して電気的に接続されている。
すなわち、図3に示す半導体装置1Bでは、スパイラルインダクタ8a上に第三絶縁樹脂層12が配され、その上にキャパシタ9が設けられている。すなわち、スパイラルインダクタ8aとキャパシタ9とが第三絶縁樹脂層12によって上下に隔てられている。
第三絶縁樹脂層12は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また、開口部12aは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
前記構造体20は、平坦な頂部を備える突起状の樹脂ポスト21、第四配線層22、及び、前記頂部に載置された半田バンプ23、から構成される。
第四配線層22は、例えば、銅、クロム、アルミニウム、チタン、金、チタン−タングステン合金等が好適に用いられ、その厚みは2〜40μmが好ましく、さらに好ましくは5〜20μmである。これにより十分な導電性が得られる。第四配線層22は、例えば、電解銅めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法、または2つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
第四配線層22は、インダクタ8a及びキャパシタ9或いは半導体基板2内の集積回路4と電気的な接続を有する場合もあるが、特に限定されない。
このような封止樹脂層24は、例えば、感光性ポリイミド樹脂等の感光性樹脂をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることによって、所望の位置に開口部を有する封止樹脂層24を形成することができる。なお、封止樹脂層24の形成方法は、この方法に限定されるものではなく、例えば印刷法によるパターン塗布でもよい。
また、ウエハレベルCSP技術において、厚膜銅めっきによりインダクタを形成しているので、配線抵抗の低抵抗化が可能である。これによりQ値の高い共振器が実現可能である。
例えば、上述した実施形態では、インダクタの上側にキャパシタを配した場合を例に挙げて説明したが、キャパシタの上側にインダクタを配してもよい。すなわち、半導体基板の一面側に配したキャパシタを樹脂層で封止し、該樹脂層上にインダクタを形成してもよい。
また、図1〜図9では、半導体基板上の誘導素子及び容量素子それぞれ1つに対応する部分のみを図示したが、本発明は、複数の誘導素子及び容量素子を備えた半導体装置に適用することもできる。
Claims (2)
- 少なくとも一面に電極及び集積回路が配された半導体基板と、
該半導体基板の一面を覆うように配された第一絶縁樹脂層と、
該第一絶縁樹脂層上に配され、前記電極と電気的に接続された誘導素子と、
前記半導体基板の一面側に配された容量素子と、を少なくとも備えた半導体装置であって、
前記誘導素子は、螺旋状に形成された導電部からなり、
前記容量素子の一端は、前記導電部の内端部と電気的に接続され、容量素子の他端は、前記集積回路又は外部回路と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記誘導素子を覆うように配された第二絶縁樹脂層を、さらに備え、
前記容量素子は、前記第二絶縁樹脂層上に配されており、
前記容量素子と前記誘導素子とは、前記第二絶縁樹脂層を貫通して配された配線部を介して電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
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