JP2009038007A - 有機電界発光表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、複数の行と列を有して配列された発光層と、各発光層の外周縁に形成された画素定義層と、画素定義層上に上部方向に突出され、奇数番目の行方向に配列された奇数発光層と偶数番目の行方向に配列された偶数発光層との間に形成されていると同時に、複数の分離領域を有して行方向に配列された奇数スペーサーと、画素定義層上に上部方向に突出され、偶数発光層と次の行に配列された奇数発光層の間に形成されていると同時に、複数の分離領域を有して行方向に配列された偶数スペーサーとを含み、奇数スペーサーの分離領域と偶数スペーサーの分離領域はお互いに異なる列に形成されている有機電界発光表示装置を開始する。
【選択図】図3
Description
100 走査駆動部
200 データ駆動部
300 有機電界発光表示パネル
301 画素回路
302 画素部
302a メイン画素部
302b ダミー画素部
303 非画素部
304 スペーサー生成部
310 下部基板
320 アノード電極
330 画素定義層
340 スペーサー
341 上面
342 下面
343 第1側面
344 第2側面
345 分離領域
350 有機薄膜層
360 カソード電極
370 高精細マスク
371 スリット
Claims (22)
- 複数の行と列を有して配列された発光層と、
前記各発光層の外周縁に形成された画素定義層と、
前記画素定義層上に上部方向に突出され、奇数番目の行方向に配列された奇数発光層と偶数番目の行方向に配列された偶数発光層との間に形成されていると同時に、複数の分離領域を有して行方向に配列された奇数スペーサーと、
前記画素定義層上に上部方向に突出され、前記偶数発光層と次の行に配列された奇数発光層との間に形成されていると同時に、複数の分離領域を有して行方向に配列された偶数スペーサーとを含み、
前記奇数スペーサーの分離領域と前記偶数スペーサーの分離領域はお互いに異なる列に形成されていることを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記奇数スペーサーの分離領域と前記偶数スペーサーの分離領域は、幅が同一であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記分離領域は、幅が前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーの長さより短いことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、縦の長さが前記偶数発光層と前記奇数発光層の離隔距離より短いことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの下面の縦の長さが前記偶数発光層と前記奇数発光層の離隔距離より短いことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの下面の縦の長さが前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーそれぞれの上面の縦の長さよりも長いことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの横の長さが一つの発光層の横の長さより長く、四つの発光層の横の長さよりは短いことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの下面の横の長さが一つの発光層の横の長さより長く、四つの発光層の横の長さよりは短いことを特徴とする請求項7に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの下面の横の長さがそれぞれの上面の横の長さよりも長いことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの横の長さが一つの発光層の横の長さより長く、二つの発光層の横の長さよりは短いことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの横の長さが二つの発光層の横の長さより長く、三つの発光層の横の長さよりは短いことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは、それぞれの横の長さが三つの発光層の横の長さより長く、四つの発光層の横の長さよりは短いことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーには、前記画素定義層に密着される下面と、前記下面の反対面である上面と、前記下面及び前記上面を傾くように連結する側面とが形成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーにおいて、前記下面と前記側面との間の傾斜角度が30゜ないし60゜であることを特徴とする請求項13に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記発光層は、映像を表示するメイン画素部と、前記メイン画素部の外周縁に形成されて映像を表示しないダミー画素部からなり、前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは前記メイン画素部のみでなく前記ダミー画素部にも形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記発光層の外周縁には、発光層が形成されない非画素部が形成され、前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは前記非画素部にも形成されることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記発光層が形成された領域は、発光領域であり、前記画素定義層とスペーサーが形成された領域は非発光領域であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記発光層は、映像を表示するメイン画素部と前記メイン画素部の外周縁に形成されて映像を表示しないダミー画素部からなり、前記発光層の外周縁には発光層が形成されない非画素部が形成され、前記奇数スペーサーと前記偶数スペーサーは前記メイン画素部のみでなくダミー画素部と非画素部にも形成され、有機電界発光表示装置の外部衝撃に対する耐性が増加して前記発光領域を保護することを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記画素定義層、前記奇数スペーサー及び前記偶数スペーサーが形成された領域は、非発光領域であることを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記発光層の下部の前記発光層に対応する領域に形成されたアノード電極と、
前記発光層、前記画素定義層、奇数スペーサー及び偶数スペーサーの上部に形成されたカソード電極及び、
前記画素定義層の下部の前記画素定義層に対応する領域に形成された画素回路をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記アノード電極と前記発光層との間に形成され、前記画素定義層、奇数スペーサー及び偶数スペーサーの上部に形成された正孔注入層及び、
前記正孔注入層の上部に形成される正孔輸送層をさらに含むことを特徴とする請求項20に記載の有機電界発光表示装置。 - 前記発光層に対応する領域において、前記発光層の上部に形成され、前記発光層に対応する領域以外の領域では、前記正孔輸送層の上部に形成される電子輸送層及び、
前記電子輸送層と前記カソード電極との間に形成される電子注入層をさらに含むことを特徴とする請求項21に記載の有機電界発光表示装置。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101084248B1 (ko) * | 2010-01-20 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
TWI416987B (zh) * | 2009-04-28 | 2013-11-21 | Samsung Display Co Ltd | 有機發光顯示裝置 |
JP2019220483A (ja) * | 2013-04-12 | 2019-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光モジュール |
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Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10013907B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
US9799246B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
US8576217B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-11-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
KR20080032072A (ko) | 2005-06-08 | 2008-04-14 | 이그니스 이노베이션 인크. | 발광 디바이스 디스플레이 구동 방법 및 시스템 |
EP2008264B1 (en) | 2006-04-19 | 2016-11-16 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
CA2556961A1 (en) | 2006-08-15 | 2008-02-15 | Ignis Innovation Inc. | Oled compensation technique based on oled capacitance |
US10319307B2 (en) | 2009-06-16 | 2019-06-11 | Ignis Innovation Inc. | Display system with compensation techniques and/or shared level resources |
US9384698B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
US9311859B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-04-12 | Ignis Innovation Inc. | Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays |
US10089921B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
CA2692097A1 (en) | 2010-02-04 | 2011-08-04 | Ignis Innovation Inc. | Extracting correlation curves for light emitting device |
US10176736B2 (en) * | 2010-02-04 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US20140313111A1 (en) | 2010-02-04 | 2014-10-23 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
US9881532B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-01-30 | Ignis Innovation Inc. | System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
KR101880238B1 (ko) * | 2010-11-24 | 2018-07-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US8907991B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-12-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
US9530349B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-12-27 | Ignis Innovations Inc. | Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays |
US9466240B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-10-11 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
EP3293726B1 (en) | 2011-05-27 | 2019-08-14 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for aging compensation in amoled displays |
US9324268B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Ignis Innovation Inc. | Amoled displays with multiple readout circuits |
US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
US8937632B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-01-20 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
US8922544B2 (en) | 2012-05-23 | 2014-12-30 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
EP3043338A1 (en) | 2013-03-14 | 2016-07-13 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for amoled displays |
KR102080008B1 (ko) | 2013-07-12 | 2020-02-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 및 그 제조방법 |
KR102151639B1 (ko) | 2013-10-16 | 2020-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US9761170B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-09-12 | Ignis Innovation Inc. | Correction for localized phenomena in an image array |
US9502653B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-11-22 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
CN103715368A (zh) * | 2013-12-27 | 2014-04-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发光器件及其制造方法和显示装置 |
KR102118920B1 (ko) | 2014-01-28 | 2020-06-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR20150146059A (ko) * | 2014-06-20 | 2015-12-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
CN105243992B (zh) * | 2014-07-02 | 2020-09-29 | 伊格尼斯创新公司 | 提取有机发光器件的相关曲线的***和方法 |
CA2879462A1 (en) | 2015-01-23 | 2016-07-23 | Ignis Innovation Inc. | Compensation for color variation in emissive devices |
CA2889870A1 (en) | 2015-05-04 | 2016-11-04 | Ignis Innovation Inc. | Optical feedback system |
CA2892714A1 (en) | 2015-05-27 | 2016-11-27 | Ignis Innovation Inc | Memory bandwidth reduction in compensation system |
CA2900170A1 (en) | 2015-08-07 | 2017-02-07 | Gholamreza Chaji | Calibration of pixel based on improved reference values |
KR101945514B1 (ko) | 2017-02-28 | 2019-02-11 | 한국생산기술연구원 | 양자점 인쇄 유기발광 디스플레이 소자 및 그 제조방법 |
KR20180101302A (ko) | 2018-08-31 | 2018-09-12 | 한국생산기술연구원 | 유기발광 디스플레이 소자 및 그 제조방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001089841A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Sony Corp | 表面加工用冶具及び表面加工方法 |
JP2004319118A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置の製造方法及びその製造装置 |
JP2006126817A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
JP2007047423A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器 |
JP2009004359A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6469439B2 (en) * | 1999-06-15 | 2002-10-22 | Toray Industries, Inc. | Process for producing an organic electroluminescent device |
US6520819B1 (en) * | 1999-06-16 | 2003-02-18 | Nec Corporation | Organic EL panel and method for manufacturing the same |
DE10152920A1 (de) * | 2001-10-26 | 2003-05-28 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum großflächigen Aufbringen von mechanisch empfindlichen Schichten auf ein Substrat |
JP2004095482A (ja) * | 2002-09-03 | 2004-03-25 | Chi Mei Electronics Corp | 画像表示装置 |
KR100621865B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-09-13 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법 |
US7132796B2 (en) | 2003-12-30 | 2006-11-07 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd | Organic electroluminescent device and method of fabricating the same |
KR100672650B1 (ko) * | 2004-02-25 | 2007-01-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
KR100755398B1 (ko) * | 2004-05-21 | 2007-09-04 | 엘지전자 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그 제조방법 |
CN100520504C (zh) * | 2004-06-11 | 2009-07-29 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置、其制造方法以及采用其的电子设备 |
KR20050121882A (ko) * | 2004-06-23 | 2005-12-28 | 삼성전자주식회사 | 색 필터 표시판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정표시 장치 |
KR100741968B1 (ko) * | 2004-11-23 | 2007-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
KR100995066B1 (ko) * | 2009-01-07 | 2010-11-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2007
- 2007-08-03 KR KR1020070078157A patent/KR100833775B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-05-02 US US12/151,075 patent/US8049409B2/en active Active
- 2008-05-14 CN CN2008101078031A patent/CN101359679B/zh active Active
- 2008-05-28 EP EP08157089.7A patent/EP2020685A3/en not_active Withdrawn
- 2008-06-03 JP JP2008146210A patent/JP4555363B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001089841A (ja) * | 1999-09-22 | 2001-04-03 | Sony Corp | 表面加工用冶具及び表面加工方法 |
JP2004319118A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置の製造方法及びその製造装置 |
JP2006126817A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置、及び表示装置の作製方法 |
JP2007047423A (ja) * | 2005-08-09 | 2007-02-22 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、電子機器 |
JP2009004359A (ja) * | 2007-06-19 | 2009-01-08 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光表示装置及びその製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI416987B (zh) * | 2009-04-28 | 2013-11-21 | Samsung Display Co Ltd | 有機發光顯示裝置 |
KR101084248B1 (ko) * | 2010-01-20 | 2011-11-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
JP2021073672A (ja) * | 2011-02-25 | 2021-05-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
JP2019220483A (ja) * | 2013-04-12 | 2019-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光モジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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