JP2009032799A - Tape for wafer processing - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a tape for wafer processing capable of preventing ring frame contamination when peeling off a dicing tape from the ring frame no matter what kind of the dicing tape is used and suppressing surfacing and peeling in a dicing process. <P>SOLUTION: The tape 100 for wafer processing comprises the dicing tape for which an adhesive layer 102 is laminated on a base material 101 and a ring-like adhesive tape 106 for contamination prevention for which an adhesive layer 105 is laminated on a base material film 104. The base material 101 of the dicing tape and the adhesive layer 105 of the adhesive tape 106 for contamination prevention are stuck so as to cover a cavity 107 in the adhesive tape 106 for contamination prevention, and the adhesive layer 105 is provided with a part 108 exposed so as to be fixed to a ring frame without being covered with the dicing tape 103. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、ウェハ加工用テープに関する。より詳しくは、本発明は、基材上に接着剤層が積層されたダイシングテープと、基材フィルム上に粘着剤層が積層されたリング状の汚染防止用粘着テープとからなるウェハ加工用テープに関する。   The present invention relates to a wafer processing tape. More specifically, the present invention relates to a wafer processing tape comprising a dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material and a ring-shaped antifouling adhesive tape in which an adhesive layer is laminated on a base film. About.

半導体装置の製造工程の一つに、所要の前処理を経て回路が形成された半導体ウェハを複数個のチップに切断分離するダイシング工程がある。この工程では、リングフレームと呼ばれる円形または方形の枠にウェハ固定用のダイシングテープを貼着し、このダイシングテープに半導体ウェハを貼付した後、回路毎にダイシングして半導体チップが得られる。   One of the manufacturing processes of a semiconductor device is a dicing process of cutting and separating a semiconductor wafer on which a circuit is formed through a required pretreatment into a plurality of chips. In this step, a wafer fixing dicing tape is attached to a circular or rectangular frame called a ring frame, a semiconductor wafer is attached to the dicing tape, and then a semiconductor chip is obtained by dicing for each circuit.

ダイシングテープは、ウェハが貼付されてからチップをピックアップするまでリングフレームに固定されているが、ピックアップが終了するとリングフレームから人手により剥離される。ダイシングテープが剥離されたリングフレームは必要に応じて洗浄され再使用されている。   The dicing tape is fixed to the ring frame until the chip is picked up after the wafer is attached, but when the pickup is completed, the dicing tape is manually peeled off from the ring frame. The ring frame from which the dicing tape has been peeled is cleaned and reused as necessary.

従来のダイシングテープにおいては、ピックアップを容易に行うため、低粘着力の接着剤層を用いたテープが使用されていた。したがって、人手により簡単にダイシングテープをリングフレームから剥離することができた。   In a conventional dicing tape, a tape using an adhesive layer having a low adhesive strength has been used in order to easily pick up. Therefore, the dicing tape could be easily peeled off from the ring frame manually.

ところが、近年半導体素子の高集積化・大チップ化により、従来の低粘着力の接着剤層を用いたダイシングテープよりも高度なダイシング性能を有するテープが必要とされてきている。   However, in recent years, due to the high integration of semiconductor elements and the increase in size of chips, a tape having higher dicing performance than a conventional dicing tape using an adhesive layer having a low adhesive strength has been required.

たとえば、ダイシング工程においては高粘着力でウェハ（チップ）を保持できるとともに、ピックアップの前に紫外線を照射することにより粘着力が低減され、チップを容易にピックアップできるダイシングテープが開発されている（たとえば特許文献１および特許文献２参照）。   For example, a dicing tape has been developed that can hold a wafer (chip) with a high adhesive force in a dicing process, reduce the adhesive force by irradiating ultraviolet rays before picking up, and can easily pick up a chip (for example, (See Patent Document 1 and Patent Document 2).

しかしながら、この紫外線硬化型のダイシングテープの場合、紫外線が照射された部分の粘着力は低下するが、リングフレームに貼付されている部分（糊代部分）の接着剤には通常紫外線が照射されない。したがって、糊代部分の接着剤層は、高い粘着力を維持し、また凝集力も小さいため、所要の工程後にリングフレームからダイシングテープを剥離することは困難であり、剥離できたとしてもリングフレームに接着剤層が残存（糊残り）するという問題があった。   However, in the case of this ultraviolet curable dicing tape, the adhesive strength of the portion irradiated with ultraviolet light is reduced, but the ultraviolet light is not normally irradiated to the adhesive (the adhesive margin portion) attached to the ring frame. Therefore, the adhesive layer at the adhesive margin maintains a high adhesive force and has a low cohesive force. Therefore, it is difficult to peel the dicing tape from the ring frame after the required process. There was a problem that the adhesive layer remained (adhesive residue).

また、従来チップをダイボンドする際に、チップ裏面にエポキシ樹脂等の液状のダイボンド用接着剤を塗布していたが、この作業は極めて煩雑であった。このため、近年ダイシング加工（ウェハの固定）およびダイボンディング加工の機能を発揮する接着剤層を備えたダイシングテープが開発されている（たとえば特許文献３および特許文献４参照）。   In addition, when die-bonding a conventional chip, a liquid die-bonding adhesive such as an epoxy resin is applied to the back surface of the chip, but this operation is extremely complicated. For this reason, dicing tapes having an adhesive layer that exhibits dicing (wafer fixation) and die bonding functions have been developed in recent years (see, for example, Patent Document 3 and Patent Document 4).

しかしながら、このようなダイシングテープでは、チップマウントの際に接着剤層をチップに転写させるために、基材と接着剤層との界面の粘着力は通常小さく設定されている。このため、リングフレームからダイシングテープを剥離するときに、ダイシングテープの基材と接着剤層との界面で剥離し、基材のみが除去され、リングフレームに接着剤層が残留するという問題があった。   However, in such a dicing tape, the adhesive force at the interface between the substrate and the adhesive layer is usually set to be small in order to transfer the adhesive layer to the chip during chip mounting. For this reason, when the dicing tape is peeled from the ring frame, it is peeled off at the interface between the base material and the adhesive layer of the dicing tape, only the base material is removed, and the adhesive layer remains on the ring frame. It was.

このリングフレーム汚染を防ぐために、上記ダイボンドシート上に、感圧接着剤層（粘着剤層）と基材フィルムとからなる付着防止用粘着シートが積層されたウェハ加工用シートが開発されている（特許文献５参照）。このウェハ加工用シートでは、付着防止用粘着シートの基材フィルムを介して付着防止用粘着シートがダイボンドシートに積層されており、該ウェハ加工用シートを使用する際には、付着防止用粘着シートの感圧接着剤層がリングフレームに貼付される。
特開昭６０−１９６９５６号公報 特開昭６１−２８５７２号公報 特開昭６０−３５５３１号公報 特開平２−３２１８１号公報 特許第３５２１０９９号公報 In order to prevent this ring frame contamination, a wafer processing sheet has been developed in which a pressure-sensitive adhesive layer (adhesive layer) and an adhesion-preventing adhesive sheet composed of a base film are laminated on the die bond sheet ( (See Patent Document 5). In this wafer processing sheet, the adhesion preventing adhesive sheet is laminated on the die bond sheet through the base film of the adhesion preventing adhesive sheet, and when using the wafer processing sheet, the adhesion preventing adhesive sheet is used. The pressure sensitive adhesive layer is affixed to the ring frame.
JP-A-60-196956 JP-A 61-28572 JP 60-35531 A JP-A-2-32181 Japanese Patent No. 3521099

しかしながら、上記のようなウェハ加工用シートでは、ダイシングテープの接着剤層は、付着防止用粘着シートと積層させるためには粘着性を有する必要があるが、チップマウント工程での所要の接着性能を発揮させるために、粘着性を有さない場合も多い。その場合は、付着防止用粘着シートの基材フィルムとダイシングテープの接着剤層との粘着力が不十分であり、ダイシング工程時に、付着防止用粘着シートとダイボンドシートとの界面に浮き・剥がれが生じたり、洗浄水がこの界面に入り込んだりするなどの不具合が起こりやすい。   However, in the wafer processing sheet as described above, the adhesive layer of the dicing tape needs to have adhesiveness in order to be laminated with the adhesion preventing adhesive sheet. In order to exert it, it often does not have adhesiveness. In that case, the adhesive force between the base film of the adhesive sheet for adhesion prevention and the adhesive layer of the dicing tape is insufficient, and at the dicing process, it floats or peels off at the interface between the adhesive sheet for adhesion prevention and the die bond sheet. Inconveniences such as the occurrence of cleaning water and the entry of cleaning water into this interface are likely to occur.

さらに、近年ダイシングテープを貼付するマウンターは加熱制御可能なタイプが一般的となってきている。これにより、タックが小さく、加熱によってウェハに貼付できるダイシングテープも多く使用されるようになった。このようなダイシングテープとしては、ダイシング加工のみの機能を発揮する接着剤層を備えたダイシングテープに限られず、ダイシング加工およびダイボンディング加工の機能を発揮する接着剤層を備えたダイシングテープも開発されている。そして、上記ダイシングテープを用いるときは上記不具合が生じる可能性がより高い。   Further, in recent years, a mounter to which a dicing tape is attached is generally of a type that can be controlled by heating. As a result, dicing tape that has a small tack and can be attached to a wafer by heating has come to be used. Such a dicing tape is not limited to a dicing tape having an adhesive layer that performs only a dicing process, and a dicing tape having an adhesive layer that performs a dicing and die bonding function has also been developed. ing. And when using the said dicing tape, possibility that the said malfunction will arise is higher.

そこで、本発明の目的は、上述したようなダイシングテープのいずれを用いても、リングフレームからダイシングテープを剥離するときにリングフレームが汚染されず、かつ、上記不具合が発生し難いウェハ加工用テープを提供することにある。すなわち、本発明の目的は、タックや粘着力に関係なく、リングフレームが汚染されず、かつ、上記不具合が発生し難いウェハ加工用テープを提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer processing tape in which the ring frame is not contaminated when the dicing tape is peeled from the ring frame and any of the above-mentioned problems are unlikely to occur. Is to provide. That is, an object of the present invention is to provide a wafer processing tape in which the ring frame is not contaminated and the above-described problems are hardly caused regardless of tack or adhesive force.

本発明者らは鋭意研究した結果、特定の構造を有するウェハ加工用テープによって上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明に係るウェハ加工用テープは、
基材上に接着剤層が積層されたダイシングテープと、基材フィルム上に粘着剤層が積層されたリング状の汚染防止用粘着テープとからなるウェハ加工用テープであって、
上記汚染防止用粘着テープにおける空洞部を覆うように、上記ダイシングテープの基材と上記汚染防止用粘着テープの粘着剤層とが粘着しており、
上記粘着剤層が、上記ダイシングテープに覆われずリングフレームに固定可能に表出される部分を有することを特徴とする。 As a result of intensive studies, the present inventors have found that the above problems can be solved by a wafer processing tape having a specific structure, and have completed the present invention.
That is, the wafer processing tape according to the present invention,
A wafer processing tape comprising a dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material, and a ring-shaped antifouling adhesive tape in which an adhesive layer is laminated on a base film,
The base material of the dicing tape and the adhesive layer of the anti-contamination adhesive tape are adhered so as to cover the cavity in the anti-contamination adhesive tape,
The pressure-sensitive adhesive layer has a portion that is not covered with the dicing tape and is exposed to be fixed to a ring frame.

上記ダイシングテープの接着剤層は、ダイシング加工およびダイボンディング加工の機能を発揮するように形成されていることが好ましい。   The adhesive layer of the dicing tape is preferably formed so as to exhibit the functions of dicing and die bonding.

本発明のウェハ加工用テープによれば、上述したようなダイシングテープのいずれを用いて構成されていても、リングフレームからダイシングテープを剥離するときにリングフレームが汚染されず、かつ、上記不具合が発生し難い。すなわち、本発明のウェハ加工用テープによれば、たとえば、タックが大きいまたは粘着力が高いダイシングテープ、あるいはタックが小さいまたは粘着力が低いダイシングテープを用いて構成されていても、リングフレームが汚染されず、かつ、上記不具合が発生し難い。   According to the wafer processing tape of the present invention, the ring frame is not contaminated when the dicing tape is peeled off from the ring frame, regardless of whether the dicing tape is configured as described above. Hard to occur. That is, according to the wafer processing tape of the present invention, for example, even if the dicing tape having a large tack or a high adhesive force or a dicing tape having a small tack or a low adhesive force is used, the ring frame is contaminated. In addition, the above problems are unlikely to occur.

以下、本発明について、図面を参照しながら具体的に説明する。
本発明のウェハ加工用テープの斜視図を図１に、そのＸ−Ｘ線断面図を図２に示す。図１および図２に示すように、本発明のウェハ加工用テープ１００は、基材１０１上に接着剤層１０２が積層されたダイシングテープ１０３と、基材フィルム１０４上に粘着剤層１０５が積層されたリング状の汚染防止用粘着テープ１０６とからなるウェハ加工用テープであって、上記汚染防止用粘着テープにおける空洞部１０７を覆うように、上記ダイシングテープの基材１０１と上記汚染防止用粘着テープの粘着剤層１０５とが粘着しており、粘着剤層１０５が、ダイシングテープ１０３に覆われずリングフレームに固定可能に表出される部分１０８を有する。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to the drawings.
The perspective view of the tape for wafer processing of this invention is shown in FIG. 1, and the XX sectional view is shown in FIG. As shown in FIGS. 1 and 2, a wafer processing tape 100 according to the present invention includes a dicing tape 103 in which an adhesive layer 102 is laminated on a base material 101, and an adhesive layer 105 on a base film 104. A wafer processing tape comprising the ring-shaped antifouling adhesive tape 106, and the substrate 101 of the dicing tape and the antifouling adhesive so as to cover the cavity 107 in the antifouling adhesive tape. The adhesive layer 105 of the tape is adhered, and the adhesive layer 105 has a portion 108 that is not covered with the dicing tape 103 and is exposed so as to be fixed to the ring frame.

本発明のウェハ加工用テープにおいては、ダイシングテープ１０３の接着剤層１０２は、ダイシング加工およびダイボンディング加工の機能を発揮するように形成されている。すなわち、ダイシングテープ１０３としては、ダイシング加工およびダイボンディング加工の機能を発揮するダイシングテープ（本明細書において「ダイシング・ダイボンディングテープ」ともいう。）が用いられる。まず、このようなダイシングテープ１０３について説明する。ダイシングテープ１０３では、基材１０１上に接着剤層１０２が剥離可能に積層されている。具体的には、ダイシングテープ１０３としては、特開昭６０−３５５３１号公報、特開平２−３２１８１号公報に記載のダイシングテープが挙げられる。   In the wafer processing tape of the present invention, the adhesive layer 102 of the dicing tape 103 is formed so as to exhibit the functions of dicing and die bonding. That is, as the dicing tape 103, a dicing tape that exhibits dicing and die bonding functions (also referred to as “dicing / die bonding tape” in this specification) is used. First, such a dicing tape 103 will be described. In the dicing tape 103, the adhesive layer 102 is detachably laminated on the substrate 101. Specifically, examples of the dicing tape 103 include dicing tapes described in JP-A-60-35531 and JP-A-2-32181.

基材１０１は、通常従来のダイシング加工専用のダイシングテープの基材と同じ基材が使用できる。
また、基材１０１の表面張力は、好ましくは４０ｄｙｎ／ｃｍ以下、さらに好ましくは３５ｄｙｎ／ｃｍ以下であることが望ましい。表面張力が上記範囲にあると、接着剤層１０２との剥離性が向上し、接着剤層付きチップのピックアップ適性が向上できる。このような表面張力の低い基材は、材質を適宜選択して得ることもでき、または基材１０１の表面にシリコーン樹脂などを塗布する離型処理を施して得ることもできる。 As the base material 101, the same base material as that of a conventional dicing tape dedicated to dicing can be used.
The surface tension of the substrate 101 is preferably 40 dyn / cm or less, more preferably 35 dyn / cm or less. When the surface tension is in the above range, the peelability from the adhesive layer 102 is improved, and the pickup suitability of the chip with the adhesive layer can be improved. Such a base material having a low surface tension can be obtained by appropriately selecting a material, or can be obtained by performing a mold release treatment by applying a silicone resin or the like on the surface of the base material 101.

接着剤層１０２は、常温で粘着性を有するか、または加熱により粘着性を有するようになるため、ダイシング工程の際に半導体ウェハに貼着できるとともに、チップマウント工程の際にチップとリードフレームとを接着できる。さらに、その後の加熱硬化により強固に接着固定化できる。   Since the adhesive layer 102 is sticky at room temperature or becomes sticky by heating, it can be attached to a semiconductor wafer during the dicing process, and the chip and lead frame can be attached to the chip mounting process. Can be glued. Further, it can be firmly fixed by subsequent heat curing.

接着剤層１０２は、Ｂステージ（半硬化状）の熱硬化型接着成分からなっていても、低分子量の熱硬化性接着成分とポリマー成分とからなっていてもよい。
また、接着剤層１０２の構成成分として、紫外線硬化性成分がさらに配合されていてもよい。このような接着剤層１０２は、紫外線照射により基材１０１との剥離性が向上するため、ダイシング工程後のピックアップ時に、接着剤層付きチップがピックアップしやすくなる。 The adhesive layer 102 may be composed of a B-stage (semi-cured) thermosetting adhesive component, or may be composed of a low molecular weight thermosetting adhesive component and a polymer component.
Further, an ultraviolet curable component may be further blended as a constituent component of the adhesive layer 102. Since such an adhesive layer 102 has improved peelability from the base material 101 by ultraviolet irradiation, the chip with the adhesive layer is easily picked up at the time of picking up after the dicing process.

接着剤層１０２の厚さは、通常５〜２００μｍであり、好ましくは１０〜１００μｍで
ある。
ところで、ある種の条件によるダイボンド性能を充たすために、常温での粘着性が乏しいダイシングテープが必要とされる場合がある。この場合、本発明において使用される接着剤層１０２は、常温における粘着力が０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。ここで、接着剤層１０２の粘着力は、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠して測定できる。接着剤層１０２は基材１０１とは剥離可能のため、通常接着剤層１０２としての粘着力は測定不能である。しかし、接着剤層１０２がこのレベルの粘着力である場合は、基材１０１と接着剤層１０２との剥離力よりも小さいため、常温における粘着力測定が可能となる。このような接着剤層１０２のウェハへの貼着は、通常、常温では困難であるが、加熱下では可能であり、貼着後の工程に必要な粘着力が得られる。 The thickness of the adhesive layer 102 is usually 5 to 200 μm, preferably 10 to 100 μm.
By the way, in order to satisfy the die-bonding performance under certain conditions, a dicing tape having poor adhesiveness at room temperature may be required. In this case, the adhesive layer 102 used in the present invention preferably has an adhesive strength at room temperature of 0.5 N / 25 mm or less. Here, the adhesive strength of the adhesive layer 102 can be measured according to JIS Z 0237. Since the adhesive layer 102 can be peeled off from the base material 101, the adhesive strength as the adhesive layer 102 cannot usually be measured. However, when the adhesive layer 102 has this level of adhesive strength, it is smaller than the peeling force between the base material 101 and the adhesive layer 102, and thus the adhesive strength can be measured at room temperature. Adhesion of such an adhesive layer 102 to a wafer is usually difficult at room temperature, but can be performed under heating, and an adhesive force necessary for a process after the adhesion can be obtained.

また、ある種の条件によるダイボンド性能を充たすために、タックが小さいダイシングテープが必要とされる場合がある。この場合、本発明において使用される接着剤層１０２は、ポリエチレン板に対するループタック値が０．１Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。このループタック値は、後述する評価方法に記載の方法で求められる。このような接着剤層１０２のウェハへの貼着は、通常、常温では困難であるが、加熱下では可能であり、貼着後の工程に必要な粘着力が得られる。   In addition, a dicing tape with a small tack may be required to satisfy die bonding performance under certain conditions. In this case, the adhesive layer 102 used in the present invention preferably has a loop tack value of 0.1 N / 25 mm or less with respect to the polyethylene plate. This loop tack value is obtained by the method described in the evaluation method described later. Adhesion of such an adhesive layer 102 to a wafer is usually difficult at room temperature, but can be performed under heating, and an adhesive force necessary for a process after the adhesion can be obtained.

本発明のウェハ加工テープでは、上記のような常温での粘着性が乏しいダイシングテープやタックが小さいダイシングテープによって構成されていても、後述するように、リングフレームからダイシングテープを剥離するときにリングフレームが汚染されず、かつ、ダイシング工程において浮き・剥がれの発生が抑制できる。   In the wafer processing tape of the present invention, as described later, even when the wafer processing tape is constituted by a dicing tape with poor adhesion at room temperature or a dicing tape with a small tack, the ring is removed when the dicing tape is peeled off from the ring frame as described later. The frame is not contaminated, and the occurrence of floating / peeling can be suppressed in the dicing process.

次に、本発明のウェハ加工用テープを構成するリング状の汚染防止用粘着テープ１０６について説明する。汚染防止用粘着テープ１０６は、基材フィルム１０４上に粘着剤層１０５が積層されてなる。   Next, the ring-shaped anti-contamination adhesive tape 106 constituting the wafer processing tape of the present invention will be described. The anti-contamination adhesive tape 106 is formed by laminating an adhesive layer 105 on a base film 104.

汚染防止用粘着テープ１０６は、リング状であり、空洞部（内部開口）を有する。この汚染防止用粘着テープにおける空洞部１０７の大きさは、ダイシングテープ１０３により覆われるような大きさである。また、汚染防止用粘着テープ１０６の大きさは、ダイシングテープ１０３の基材１０１と汚染防止用粘着テープ１０６の粘着剤層１０５とが粘着したときに、粘着剤層１０５が、ダイシングテープ１０３に覆われずリングフレームに固定可能に表出される部分１０８が存在する大きさである。すなわち、図１および図２のウェハ加工用テープ１００においては、ダイシングテープ１０３の外径よりも、汚染防止用粘着テープ１０６の外径が大きく内部開口の径が小さければよい。また、ウェハ加工用テープが後述するようなリングフレームで固定できるように、リングフレームの内部開口の径よりも汚染防止用粘着テープ１０６の外径が大きければよい。   The anti-contamination adhesive tape 106 is ring-shaped and has a cavity (internal opening). The size of the cavity 107 in this anti-contamination adhesive tape is such that it is covered with the dicing tape 103. The size of the contamination-preventing adhesive tape 106 is such that the adhesive layer 105 covers the dicing tape 103 when the base material 101 of the dicing tape 103 and the adhesive layer 105 of the contamination-preventing adhesive tape 106 are adhered. The size is such that there is a portion 108 that can be fixed to the ring frame. That is, in the wafer processing tape 100 of FIGS. 1 and 2, it is sufficient that the outer diameter of the anti-contamination adhesive tape 106 is larger and the diameter of the inner opening is smaller than the outer diameter of the dicing tape 103. Further, the outer diameter of the contamination-preventing adhesive tape 106 only needs to be larger than the diameter of the inner opening of the ring frame so that the wafer processing tape can be fixed by a ring frame as will be described later.

基材フィルム１０４としては、特に制限されないが、たとえばポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体フィルム、アイオノマー樹脂フィルムなどが挙げられる。これらのうちで、エキスパンド性を考慮すると、ポリエチレンフィルム、ポリ塩化ビニルフィルムが好ましい。   Although it does not restrict | limit especially as the base film 104, For example, a polyethylene film, a polypropylene film, a polyvinyl chloride film, a polyethylene terephthalate film, an ethylene-vinyl acetate copolymer film, an ionomer resin film etc. are mentioned. Among these, in consideration of expandability, a polyethylene film and a polyvinyl chloride film are preferable.

その厚さは３０〜２００μｍが好ましく、３５〜１００μｍがより好ましく、４０〜８０μｍがさらに好ましい。３０μｍ未満のときは、ダイシングテープ１０３と貼り合わせた際に変形して形状を保持できないことがある。３００μｍ以上のときは、得られたウェハ加工用テープをロール状にしたときに段差が大きいため巻跡がつくことがある。   The thickness is preferably 30 to 200 μm, more preferably 35 to 100 μm, and still more preferably 40 to 80 μm. If the thickness is less than 30 μm, the shape may not be maintained due to deformation when bonded to the dicing tape 103. When the thickness is 300 μm or more, when the obtained wafer processing tape is formed into a roll shape, there is a case where a winding mark is formed due to a large step.

粘着剤層１０５は、特に制限されないが、たとえばアクリル、ゴム、またはシリコーン
粘着剤からなることが好ましい。これらのうちで、リングフレームからの再剥離性を考慮するとアクリル粘着剤が好ましい。また、粘着剤層１０５を形成する粘着剤は、単独で用いても、２種以上混合して用いてもよい。 The pressure-sensitive adhesive layer 105 is not particularly limited, but is preferably made of, for example, acrylic, rubber, or silicone pressure-sensitive adhesive. Among these, an acrylic pressure-sensitive adhesive is preferable in consideration of removability from the ring frame. Moreover, the adhesive which forms the adhesive layer 105 may be used independently, or 2 or more types may be mixed and used for it.

その厚さは２〜２０μｍが好ましく、３〜１５μｍがより好ましく、４〜１０μｍがさらに好ましい。２μｍ未満のときは、十分な密着性が発現しないことがある。２０μｍを超えるときは、リングフレームから剥離する際に、リングフレームに粘着剤の残渣物が残り、リングフレームを汚染することがある。   The thickness is preferably 2 to 20 μm, more preferably 3 to 15 μm, still more preferably 4 to 10 μm. When it is less than 2 μm, sufficient adhesion may not be exhibited. When the thickness exceeds 20 μm, an adhesive residue may remain on the ring frame when it is peeled from the ring frame, which may contaminate the ring frame.

図１および図２に示す本発明のウェハ加工用テープは、たとえば以下のようにして作製されるが、加工の順番などは適宜変更してもよい。所定の形状とする前のダイシングテープおよび汚染防止用粘着テープは、それぞれ公知の塗工方法に基づき製造される。ダイシングテープの接着剤層の表面および汚染防止用粘着テープの粘着剤層の表面には、層の保護のためにそれぞれ剥離フィルムを積層しておくことが好ましい。まず、汚染防止用粘着テープを胴部（内部開口部）を設けるために、剥離フィルムとともに打ち抜く。また、ダイシングテープの径がこの胴部の径よりも大きくなるように、ダイシングテープを打ち抜く。次に、汚染防止用粘着テープの剥離フィルムを剥離しながら、該汚染防止用粘着テープの粘着剤層を、打ち抜かれたダイシングテープの基材に貼付する。このとき、汚染防止用粘着テープにおける空洞部を覆うように、上記ダイシングテープを貼付するが、好ましくは、空洞部の円とダイシングテープの円とが同心円となるように貼付する。最後に、汚染防止用粘着テープを打ち抜く。このとき、汚染防止用粘着テープの粘着剤層が、上記ダイシングテープに覆われずリングフレームに固定可能に表出される部分を有するように、すなわち、汚染防止用粘着テープの外径がダイシングテープの径よりも大きくなるように、汚染防止用粘着テープを打ち抜く。なお、ここで、汚染防止用粘着テープの円とダイシングテープの円とが同心円となるように打ち抜くことが好ましい。このようにして、図１および図２に示されるウェハ加工用テープが得られる。   The wafer processing tape of the present invention shown in FIGS. 1 and 2 is manufactured as follows, for example, but the processing order may be changed as appropriate. The dicing tape and the contamination-preventing adhesive tape before being formed into a predetermined shape are each produced based on a known coating method. A release film is preferably laminated on the surface of the adhesive layer of the dicing tape and the surface of the pressure-sensitive adhesive layer of the anti-contamination pressure-sensitive adhesive tape to protect the layers. First, the anti-contamination adhesive tape is punched out together with a release film in order to provide a body (internal opening). Further, the dicing tape is punched out so that the diameter of the dicing tape is larger than the diameter of the body portion. Next, the adhesive layer of the anti-contamination adhesive tape is affixed to the punched substrate of the dicing tape while peeling off the release film of the anti-contamination adhesive tape. At this time, the dicing tape is affixed so as to cover the cavity in the contamination-preventing pressure-sensitive adhesive tape, but it is preferably affixed so that the circle of the cavity and the circle of the dicing tape are concentric. Finally, the anti-contamination adhesive tape is punched out. At this time, the pressure-sensitive adhesive layer of the anti-contamination tape has a portion that is not covered with the dicing tape and can be fixed to the ring frame. The anti-contamination adhesive tape is punched out so that it is larger than the diameter. Here, it is preferable that the anti-contamination adhesive tape circle and the dicing tape circle are punched out so as to be concentric. In this way, the wafer processing tape shown in FIGS. 1 and 2 is obtained.

また、本発明のウェハ加工用テープ１００において、ダイシングテープ１０３の基材１０１と汚染防止用粘着テープ１０６の粘着剤層１０５との粘着力Ａは、常温で０．１〜１０Ｎ／２５ｍｍであることが好ましい。粘着力Ａがこの範囲にあると、ダイシング工程において、本発明のウェハ加工用テープを介してリングフレームにウェハを安定して固定できる。また、リングフレームと粘着剤層１０５との粘着力Ｂは、常温で０．１〜１０Ｎ／２５ｍｍ以下であることが好ましい。粘着力Ｂがこの範囲にあると、後述するように、ダイシング工程後にリングフレームからウェハ加工用テープ１００を剥離するときに、リングフレームへの糊残りが抑制される。ここで、粘着力ＡおよびＢは、ＪＩＳ Ｚ ０２３７に準拠して測定できる。   Further, in the wafer processing tape 100 of the present invention, the adhesive force A between the base material 101 of the dicing tape 103 and the adhesive layer 105 of the anti-contamination adhesive tape 106 is 0.1 to 10 N / 25 mm at room temperature. Is preferred. When the adhesive strength A is within this range, the wafer can be stably fixed to the ring frame via the wafer processing tape of the present invention in the dicing process. Moreover, it is preferable that the adhesive force B of a ring frame and the adhesive layer 105 is 0.1-10 N / 25mm or less at normal temperature. If the adhesive force B is within this range, as will be described later, when the wafer processing tape 100 is peeled from the ring frame after the dicing step, adhesive residue on the ring frame is suppressed. Here, the adhesive forces A and B can be measured in accordance with JIS Z 0237.

なお、粘着力Ａが粘着力Ｂよりも小さいと、ダイシング工程後にリングフレームからウェハ加工用テープ１００を剥離するときに、最初にウェハ加工用テープ１００のダイシングテープ１０３部分のみが剥がれることがあるが、次いでリングフレームに残った汚染防止用粘着テープ１０６を剥離すればよい。このとき、粘着力Ｂが上記範囲にあれば、リングフレームに糊残りは見られない。また、粘着力Ａが粘着力Ｂよりも大きいと、ウェハ加工用テープ１００を剥離するときに、一度にウェハ加工用テープ１００全体が剥離される利点がある。   If the adhesive strength A is smaller than the adhesive strength B, only the dicing tape 103 portion of the wafer processing tape 100 may be peeled off first when the wafer processing tape 100 is peeled from the ring frame after the dicing process. Then, the contamination-preventing adhesive tape 106 remaining on the ring frame may be peeled off. At this time, if the adhesive force B is in the above range, no adhesive residue is seen on the ring frame. Moreover, when the adhesive force A is larger than the adhesive force B, there is an advantage that when the wafer processing tape 100 is peeled off, the entire wafer processing tape 100 is peeled off at once.

ところで、本発明のウェハ加工テープでは、上述したように、汚染防止用粘着テープ１０６の粘着剤層１０５とダイシングテープ１０３の基材１０１とが積層された構成を有しているため、用いるダイシングテープの粘着性またはタックに依存せず、リングフレームからダイシングテープを剥離するときにリングフレームは汚染されず、かつ、ダイシング工程などにおいて浮き・剥がれの発生が抑制できる。特に、本発明のウェハ加工テープが、上記のような常温での粘着性が乏しいダイシングテープやタックが小さいダイシングテープによって構成されていても、上記リングフレームの汚染、およびダイシング工程などでの浮き・剥がれの発生が抑制できる。すなわち、常温における粘着力が０．５Ｎ／２５ｍｍ以下であるか、または、ポリエチレン板に対するループタック値が０．１Ｎ／２５ｍｍ以下であるダイシングテープを用いても、上記不具合が起こりにくい。このように、従来のウェハ加工用テープ（後述する参考例および図５参照）において、粘着性が乏しいダイシングテープやタックが小さいダイシングテープを用いたときに起こる不具合が発生し難い。   Incidentally, as described above, the wafer processing tape of the present invention has a configuration in which the adhesive layer 105 of the contamination-preventing adhesive tape 106 and the base material 101 of the dicing tape 103 are laminated. The ring frame is not contaminated when the dicing tape is peeled off from the ring frame, and the occurrence of floating / peeling can be suppressed in the dicing process. In particular, even if the wafer processing tape of the present invention is composed of a dicing tape with poor adhesiveness at room temperature as described above or a dicing tape with a small tack, the ring frame is contaminated and floated in the dicing process, etc. The occurrence of peeling can be suppressed. That is, even when a dicing tape having an adhesive strength at room temperature of 0.5 N / 25 mm or less or a loop tack value with respect to a polyethylene plate of 0.1 N / 25 mm or less is used, the above-described problems are unlikely to occur. As described above, in the conventional wafer processing tape (see Reference Example and FIG. 5 described later), it is difficult to cause a problem that occurs when a dicing tape with poor adhesion or a dicing tape with a small tack is used.

さらに、同じ大きさのリングフレームを用いるならば、従来のウェハ加工用テープに比較して、ダイシングテープ部分の面積が小さくできるため、コストも抑えられる利点がある（図２および図５参照）。   Furthermore, if ring frames of the same size are used, the area of the dicing tape portion can be reduced compared to conventional wafer processing tapes, so there is an advantage that costs can be suppressed (see FIGS. 2 and 5).

また、本発明のウェハ加工用テープ１００は、ダイシング工程において、たとえば以下のように使用される（図４参照）。まず、ダイシングテープ１０３の接着剤層１０２を、加工すべきウェハ４０１に常温下での加圧、好ましくは加熱下での加圧により貼着する。これと同時に、ウェハ４０１をリングフレーム３００にウェハ加工用テープ１００を介して固定した状態とする。ここで使用されるリングフレーム３００は、通常金属製またはプラスチック製の成形体である（図３参照）。リングフレーム３００の内部開口３０１の内径はダイシングするウェハ４０１の径よりも大きく、また、外周の一部にはガイド用の平坦切欠部３０２が形成されている。このようなリングフレーム３００は、一般には下面をダイシングテープに貼付して使用されるが、本発明のウェハ加工用テープ１００を用いるときは、下面を汚染防止用粘着テープ１０６の粘着剤層１０５に貼付して使用される（本明細書において、この粘着剤層１０５に貼付される下面を「ウェハ加工用テープ接着予定面３０３」ともいう。）。すなわち、リングフレーム３００のウェハ加工用テープ接着予定面３０３に、ウェハ加工用テープ１００の粘着剤層１０５を貼着することにより、ウェハ４０１がリングフレーム３００にウェハ加工用テープ１００を介して固定される（図４参照）。粘着剤層１０５の貼着条件は、接着剤層１０２の貼着条件と同じであってもよく、異なっていてもよい。   Further, the wafer processing tape 100 of the present invention is used, for example, as follows in the dicing process (see FIG. 4). First, the adhesive layer 102 of the dicing tape 103 is attached to the wafer 401 to be processed by pressurization at normal temperature, preferably pressurization under heating. At the same time, the wafer 401 is fixed to the ring frame 300 via the wafer processing tape 100. The ring frame 300 used here is usually a molded body made of metal or plastic (see FIG. 3). The inner diameter of the inner opening 301 of the ring frame 300 is larger than the diameter of the wafer 401 to be diced, and a flat cutout 302 for guide is formed on a part of the outer periphery. Such a ring frame 300 is generally used with its lower surface affixed to a dicing tape. However, when the wafer processing tape 100 of the present invention is used, the lower surface is attached to the adhesive layer 105 of the contamination-preventing adhesive tape 106. Affixed and used (in this specification, the lower surface to be affixed to the pressure-sensitive adhesive layer 105 is also referred to as “wafer processing tape adhesion planned surface 303”). That is, the wafer 401 is fixed to the ring frame 300 via the wafer processing tape 100 by sticking the adhesive layer 105 of the wafer processing tape 100 to the wafer processing tape bonding planned surface 303 of the ring frame 300. (See FIG. 4). The sticking condition of the pressure-sensitive adhesive layer 105 may be the same as or different from the sticking condition of the adhesive layer 102.

次に、この状態でウェハ４０１を所定のサイズのチップにダイシング（切断分離）して、さらに洗浄、乾燥の諸工程を行う。このとき、本発明のウェハ加工用テープ１００によれば、ウェハがリングフレームに安定して固定できるため、ダイシングや洗浄、乾燥の際に浮き・剥がれが起こりにくい利点がある。なお、接着剤層１０２が紫外線硬化性成分を含むときは、ダイシング工程の前またはチップのピックアップの前に紫外線を照射してもよい。これによりダイシング工程によるチップ飛散が抑えられ、また、チップのピックアップを行うための剥離性が向上する。   Next, in this state, the wafer 401 is diced (cut and separated) into chips of a predetermined size, and further washing and drying processes are performed. At this time, according to the wafer processing tape 100 of the present invention, since the wafer can be stably fixed to the ring frame, there is an advantage that floating / peeling hardly occurs during dicing, cleaning, and drying. When the adhesive layer 102 includes an ultraviolet curable component, the ultraviolet ray may be irradiated before the dicing process or before the chip pickup. Thereby, chip scattering due to the dicing process is suppressed, and the peelability for picking up the chip is improved.

続いて、接着剤層１０２付きのチップがピックアップされる。なお、このピックアップされた接着剤層１０２付きのチップは、チップマウント工程などの次工程で用いられる。具体的には、たとえば、このチップを所定の基板上にダイボンドし、加熱硬化することにより、チップとリードフレームとが強固に接着固定される。   Subsequently, the chip with the adhesive layer 102 is picked up. The picked-up chip with the adhesive layer 102 is used in the next process such as a chip mounting process. Specifically, for example, the chip and the lead frame are firmly bonded and fixed by die-bonding the chip onto a predetermined substrate and heat-curing.

ダイシングおよびチップのピックアップ後に、リングフレーム３００からウェハ加工用テープ１００を剥離するが、本発明のウェハ加工用テープ１００は、上述のような構成および特性を有するため、リングフレームへの糊残りが抑制される。   After dicing and chip pick-up, the wafer processing tape 100 is peeled from the ring frame 300. However, since the wafer processing tape 100 of the present invention has the above-described configuration and characteristics, adhesive residue on the ring frame is suppressed. Is done.

なお、本発明のウェハ加工用テープにおいて、ダイシングテープとして、ダイシング加工のみの機能を発揮するダイシングテープ（本明細書において「ダイシング加工専用のダイシングテープ」ともいう。）を用いてもよい。ダイシング加工専用のダイシングテープ
の接着剤層としては、常に低粘着力を示す低粘着力型の粘着剤、ピックアップの前に紫外線照射により粘着力が低下する紫外線硬化型の粘着剤が挙げられる。 In the wafer processing tape of the present invention, as the dicing tape, a dicing tape that exhibits only the function of dicing (also referred to as “dicing tape dedicated to dicing” in this specification) may be used. Examples of the adhesive layer of the dicing tape dedicated to the dicing process include a low adhesive strength adhesive that always exhibits low adhesive strength, and an ultraviolet curable adhesive that decreases in adhesive strength by ultraviolet irradiation before pick-up.

上記低粘着力型の粘着剤は、低粘着力に調整された粘着剤であり、アクリル系、ゴム系、シリコーン系などの粘着性を発現しうるポリマーを構成成分とする。本発明においては、汎用性、粘着特性の制御の容易性などを考慮すると、アクリル系粘着剤が好適に用いられる。   The low pressure-sensitive adhesive is a pressure-sensitive adhesive adjusted to have a low adhesive strength, and has a constituent component such as an acrylic, rubber-based, or silicone-based polymer. In the present invention, an acrylic pressure-sensitive adhesive is suitably used in consideration of versatility, ease of control of pressure-sensitive adhesive properties, and the like.

本発明のウェハ加工テープでは、上記のようなダイシング加工専用のダイシングテープによって構成されていても、上記リングフレームの汚染、およびダイシング工程などでの浮き・剥がれの発生が抑制できる。   Even if the wafer processing tape of the present invention is constituted by the dicing tape dedicated to the dicing as described above, the ring frame can be prevented from being contaminated and the occurrence of floating / peeling in the dicing process.

また、本発明のウェハ加工用テープにおいて、汚染防止用粘着テープにおける空洞部を覆うように、ダイシングテープの基材と汚染防止用粘着テープの粘着剤層とが粘着しており、汚染防止用粘着テープの粘着剤層が、ダイシングテープに覆われずリングフレームに固定可能に表出される部分を有していれば、ウェハ加工用テープの形状は特に限定されない。具体的には、汚染防止用粘着テープの形状、汚染防止用粘着テープにおける空洞部またはダイシングテープの形状は、図１および図２に示すような円以外の形状であってもよく、具体的には、楕円、四角形等の多角形などであってもよい。リングフレームおよびその内部開口の形状としては、図３に示す円以外の形状（楕円、四角形等の多角形など）も採用されうるため、これにあわせてウェハ加工用テープの形状を適宜選択すればよい。   Further, in the wafer processing tape of the present invention, the base material of the dicing tape and the adhesive layer of the anti-contamination tape are adhered so as to cover the cavity in the anti-contamination adhesive tape, and the anti-contamination adhesive The shape of the wafer processing tape is not particularly limited as long as the adhesive layer of the tape has a portion that is not covered with the dicing tape and can be fixed to the ring frame. Specifically, the shape of the contamination-preventing adhesive tape, the shape of the cavity or the dicing tape in the contamination-preventing adhesive tape may be a shape other than a circle as shown in FIG. 1 and FIG. May be a polygon such as an ellipse or a rectangle. As the shape of the ring frame and its internal opening, shapes other than the circle shown in FIG. 3 (such as an ellipse or a polygon such as a quadrangle) can be adopted. Therefore, if the shape of the wafer processing tape is appropriately selected according to this shape Good.

以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例］
［汚染防止用粘着テープ］
まず、アクリル粘着剤（主成分がブチルアクリレートであるアクリル共重合体（綜研化学株式会社製、ＳＫダイン１８１１Ｌ）１００質量部に対して、芳香族性ポリイソシアナート（日本ポリウレタン工業株式会社製、コロネートＬ）を３質量部およびトルエンを５０質量部加えた粘着剤溶液）を準備した。 EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further more concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples.
[Example]
[Adhesive tape for contamination prevention]
First, with respect to 100 parts by mass of an acrylic adhesive (acrylic copolymer whose main component is butyl acrylate (manufactured by Soken Chemical Co., Ltd., SK Dyne 1811L)), an aromatic polyisocyanate (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., coronate A pressure-sensitive adhesive solution in which 3 parts by mass of L) and 50 parts by mass of toluene were added was prepared.

次いで、シリコーン処理された剥離フィルム（リンテック株式会社製、ＳＰ-ＰＥＴ３
８１１(Ｓ)）上に、上記粘着剤溶液を塗布し、オーブンにて１００℃で１分間乾燥して、剥離フィルム上に粘着剤層を形成させた。乾燥後、得られた粘着剤層を基材フィルム（ＰＶＣ、厚み５０μｍ、オカモト株式会社製、ＰＶＣ５０ ＯＳＧＰ４２Ｂ）に貼り合せて、粘着剤層を基材フィルム上に転写することで、粘着剤層の厚みが１０μｍの汚染防止用粘着テープを得た。 Next, a release film treated with silicone (manufactured by Lintec Corporation, SP-PET3
811 (S)), the pressure-sensitive adhesive solution was applied and dried in an oven at 100 ° C. for 1 minute to form a pressure-sensitive adhesive layer on the release film. After drying, the obtained pressure-sensitive adhesive layer was bonded to a base film (PVC, thickness 50 μm, manufactured by Okamoto Co., Ltd., PVC50 OSGP42B), and the pressure-sensitive adhesive layer was transferred onto the base film, thereby An anti-contamination adhesive tape having a thickness of 10 μm was obtained.

なお、このテープは、後述する図４〜５において、基材フィルム１０４上に粘着剤層１０５が積層されたリング状の汚染防止用粘着テープ１０６を構成する。
［ダイシングテープ］
次の市販品を用いた。
（ａ−１）ダイシング・ダイボンディングテープ：リンテック株式会社製、ＡＤＷＩＬＬ
ＬＥ４７６４
（ａ−２）ダイシング・ダイボンディングテープ：リンテック株式会社製、ＡＤＷＩＬＬ
ＬＥ５０００
なお、これらのテープは、基材上に接着剤層が積層されており、後述する図４〜６において、基材１０１上に接着剤層１０２が積層されたダイシングテープ１０３を構成する。 In addition, this tape comprises the ring-shaped antifouling adhesive tape 106 by which the adhesive layer 105 was laminated | stacked on the base film 104 in FIGS. 4-5 mentioned later.
[Dicing tape]
The following commercial products were used.
(A-1) Dicing die bonding tape: manufactured by Lintec Corporation, ADWILL
LE4764
(A-2) Dicing die bonding tape: manufactured by Lintec Corporation, ADWILL
LE5000
These tapes have an adhesive layer laminated on a base material, and constitute a dicing tape 103 in which an adhesive layer 102 is laminated on a base material 101 in FIGS.

［実施例１］
（Ａ）汚染防止用粘着テープを直径１６５ｍｍに型抜きし、汚染防止用粘着テープの剥離フィルムを剥離しながら、直径１８０ｍｍに型抜きしておいたダイシング・ダイボンディングテープ（ａ−１）の基材側に貼付した（表１参照）。このとき位置合わせを、直径１６５ｍｍの円および直径１８０ｍｍの円が同心円となるように行って、ウェハ加工用テープを得た。 [Example 1]
(A) The base of the dicing die bonding tape (a-1) which was die-cut to a diameter of 180 mm while the anti-contamination adhesive tape was die-cut to a diameter of 165 mm and the release film of the anti-contamination tape was peeled off. Affixed to the material side (see Table 1). At this time, alignment was performed such that a circle having a diameter of 165 mm and a circle having a diameter of 180 mm were concentric, thereby obtaining a wafer processing tape.

次に、♯2000研磨したシリコンウェハ４０１（１５０ｍｍ径、厚さ１５０μｍ）の研磨面に、剥離フィルムを剥がした上記ウェハ加工用テープのダイシング・ダイボンディングテープ部分を貼付し、ウェハダイシング用リングフレーム３００(ＤＩＳＣＯ社製、商品
名:ＭＯＤＴＦ ２−６−１)に固定した（図４参照）。その後、外周部の不要部を切り取って、リングフレームに固定されており、かつ図１および図２の構成を有する直径２２７ｍｍの大きさのウェハ加工用テープ１００を得た（図４参照）。 Next, the dicing die bonding tape portion of the wafer processing tape with the release film peeled off is attached to the polished surface of a # 2000 polished silicon wafer 401 (150 mm diameter, 150 μm thick), and the wafer dicing ring frame 300 is attached. It was fixed to (manufactured by DISCO, trade name: MODTF 2-6-1) (see FIG. 4). Thereafter, an unnecessary portion of the outer peripheral portion was cut out, and a wafer processing tape 100 having a diameter of 227 mm and having the configuration shown in FIGS. 1 and 2 was obtained (see FIG. 4).

下記評価を行った結果を表２に示す。
（Ｂ）ダイシング・ダイボンディングテープ（ａ−１）の代わりにダイシング・ダイボンディングテープ（ａ−２）を用いた他は、上記（Ａ）と同様にしてウェハ加工用テープを作製した。 The results of the following evaluation are shown in Table 2.
(B) A wafer processing tape was prepared in the same manner as in the above (A) except that the dicing die bonding tape (a-2) was used instead of the dicing die bonding tape (a-1).

下記評価を行った結果を表２に示す。
［比較例１］
（Ａ）汚染防止用粘着テープを使用せず、直径２２７ｍｍのダイシング・ダイボンディングテープ（ａ−１）をウェハ加工用テープとして使用した（表１、図６参照）。 The results of the following evaluation are shown in Table 2.
[Comparative Example 1]
(A) Dicing / die bonding tape (a-1) having a diameter of 227 mm was used as a wafer processing tape without using a contamination-preventing adhesive tape (see Table 1 and FIG. 6).

次に、♯2000研磨したシリコンウェハ４０１（１５０ｍｍ径、厚さ１５０μｍ）の研磨面に、上記ウェハ加工用テープ６００を貼付し、ウェハダイシング用リングフレーム３００(ＤＩＳＣＯ社製、商品名:ＭＯＤＴＦ ２−６−１)に固定した（図６参照）。   Next, the wafer processing tape 600 is affixed to the polished surface of a # 2000 polished silicon wafer 401 (150 mm diameter, 150 μm thick), and a wafer dicing ring frame 300 (trade name: MODTF 2- 6-1) (see FIG. 6).

下記評価を行った結果を表２に示す。
（Ｂ）上記（Ａ）と同様に、汚染防止用粘着テープを使用せず、直径２２７ｍｍのダイシング・ダイボンディングテープ（ａ−２）をウェハ加工用テープとして使用した（図６参照）。 The results of the following evaluation are shown in Table 2.
(B) As in the case of (A), a dicing die bonding tape (a-2) having a diameter of 227 mm was used as a wafer processing tape without using a contamination-preventing adhesive tape (see FIG. 6).

下記評価を行った結果を表２に示す。
［比較例２］
（Ａ）汚染防止用粘着テープを直径１６５ｍｍに型抜きした後、ダイシング・ダイボンディングテープ（ａ−１）の剥離フィルムを剥離しながら、型抜きした汚染防止用粘着テープの基材フィルム側に積層して（表１参照）、ウェハ加工用テープを作製した。 The results of the following evaluation are shown in Table 2.
[Comparative Example 2]
(A) After the anti-contamination adhesive tape is die-cut to a diameter of 165 mm, the release film of the dicing die bonding tape (a-1) is peeled off and laminated on the base film side of the anti-contamination adhesive tape that has been die-cut. Then (see Table 1), a wafer processing tape was produced.

次に、♯2000研磨したシリコンウェハ４０１（１５０ｍｍ径、厚さ１５０μｍ）の研磨面に、上記ウェハ加工用テープのダイシング・ダイボンディングテープ部分を貼付し、ウェハダイシング用リングフレーム３００(ＤＩＳＣＯ社製、商品名:ＭＯＤＴＦ ２−６−１)に固定した（図５参照）。その後、外周部の不要部を切り取って、直径２２７ｍｍの大きさのウェハ加工用テープ５００とした（図５参照）。このとき、直径１６５ｍｍの円、直径２２７ｍｍの円が同心円となるように加工を行った。   Next, the dicing die bonding tape portion of the wafer processing tape is pasted on the polished surface of a # 2000 polished silicon wafer 401 (150 mm diameter, 150 μm thick), and a wafer dicing ring frame 300 (manufactured by DISCO, Product name: MODTF 2-6-1) (see FIG. 5). Then, the unnecessary part of the outer peripheral part was cut out to obtain a wafer processing tape 500 having a diameter of 227 mm (see FIG. 5). At this time, processing was performed so that a circle having a diameter of 165 mm and a circle having a diameter of 227 mm were concentric.

下記評価を行った結果を表２に示す。
（Ｂ）ダイシング・ダイボンディングテープ（ａ−１）の代わりにダイシング・ダイボンディングテープ（ａ−２）を用いた他は、上記（Ａ）と同様にしてウェハ加工用テープを作製した。 The results of the following evaluation are shown in Table 2.
(B) A wafer processing tape was prepared in the same manner as in the above (A) except that the dicing die bonding tape (a-2) was used instead of the dicing die bonding tape (a-1).

下記評価を行った結果を表２に示す。
［評価方法］
＜粘着力の測定方法＞
粘着力の測定においては、汚染防止用粘着テープおよびダイシングテープの間の粘着力をＪＩＳ Ｚ−０２３７に準じて測定した。なお、実施例１のウェハ加工用テープにおいては、汚染防止用粘着テープの粘着剤層およびダイシングテープの基材の間（図２、粘着剤層１０５／基材１０１間）での粘着力を測定し、比較例２のウェハ加工用テープにおいては、汚染防止用粘着テープの基材フィルムおよびダイシングテープの接着剤層の間（図５、基材フィルム１０４／接着剤層１０２間）での粘着力を測定した。 The results of the following evaluation are shown in Table 2.
[Evaluation methods]
<Measurement method of adhesive strength>
In measuring the adhesive strength, the adhesive strength between the contamination-preventing adhesive tape and the dicing tape was measured according to JIS Z-0237. In the wafer processing tape of Example 1, the adhesive strength between the adhesive layer of the anti-contamination adhesive tape and the base material of the dicing tape (FIG. 2, between the adhesive layer 105 / base material 101) was measured. In the wafer processing tape of Comparative Example 2, the adhesive strength between the base film of the contamination-preventing adhesive tape and the adhesive layer of the dicing tape (FIG. 5, between the base film 104 / adhesive layer 102). Was measured.

＜ループタック値の測定方法＞
ダイシングテープのループタック値を以下のように測定した。２５ｍｍ×３００ｍｍの試験片を作製し、接着剤層が外側になるように長辺の両端から１０ｍｍを基材同士重ねてループを作り、重ねた部分を引張り試験機のヘッドに挟み試験片を吊り下げた。次に、被着体であるポリエチレン板をヘッド部からの距離が６０ｍｍになるまで試験片に接触させ、１５秒後に被着体を３００ｍｍ／ｍｉｎで引き下げ、そのときの引き剥がし強度のピーク値を測定した。 <Measurement method of loop tack value>
The loop tack value of the dicing tape was measured as follows. A test piece of 25 mm x 300 mm is prepared, and a loop is made by overlapping 10 mm of substrates from both ends of the long side so that the adhesive layer is on the outside. The overlapped portion is pulled between the tension tester heads and the test piece is suspended. Lowered. Next, the polyethylene plate as the adherend was brought into contact with the test piece until the distance from the head portion reached 60 mm, and after 15 seconds, the adherend was pulled down at 300 mm / min, and the peak value of the peel strength at that time was measured. It was measured.

＜リングフレーム汚染防止性の評価方法＞
上述のウェハ固定用テープを介してリングフレームに固定されたシリコンウェハついて、以下の評価を行った。 <Ring frame contamination prevention evaluation method>
The following evaluation was performed on the silicon wafer fixed to the ring frame via the wafer fixing tape described above.

紫外線を照射し(リンテック社製、製品名：ＲＡＤ２０００)、ダイシング装置(株式会
社ディスコ製、ＤＦＤ６５１)を使用して８ｍｍ×８ｍｍのチップサイズにダイシングし
た。ダイシングの際の切り込み量は、基材を２０μｍ切り込むようにした。その後、３０℃、３０日間放置した後に、リングフレームからウェハ加工用テープを剥離し、粘着剤（接着剤）の残渣物がリングフレームに付着しているか否かを光学顕微鏡で観察した。リングフレームにおいてウェハ加工用テープが貼付されていた総面積の内、何％に残渣物が付着していたかで評価した。 Ultraviolet rays were irradiated (product of Lintec, product name: RAD2000), and dicing was performed using a dicing apparatus (manufactured by DISCO Corporation, DFD651) to a chip size of 8 mm × 8 mm. The amount of cut during dicing was such that the substrate was cut by 20 μm. Then, after leaving it to stand at 30 ° C. for 30 days, the wafer processing tape was peeled off from the ring frame, and whether or not the adhesive (adhesive) residue was adhered to the ring frame was observed with an optical microscope. It was evaluated how much residue was attached to the total area where the wafer processing tape was stuck on the ring frame.

＜ダイシング適性の評価方法＞
上記リングフレーム汚染防止性の評価方法と同様にして、ダイシングを行った後、汚染防止用粘着テープおよびダイシングテープの間に洗浄水浸入および浮き・剥がれが生じていないかを観察した。 <Evaluation method for dicing aptitude>
In the same manner as the evaluation method of the ring frame contamination prevention property, after dicing, it was observed whether or not cleaning water intrusion and floating / peeling occurred between the contamination prevention adhesive tape and the dicing tape.

実施例１の構成のウェハ加工用テープは、粘着力やタックに依存せず良好な評価が得られた。比較例１の構成のウェハ加工用テープは、粘着力やタックに関係なく良好な評価が得られなかった。比較例２の構成のウェハ加工用テープは、粘着力やタックに依存する評価が得られた。   The wafer processing tape having the configuration of Example 1 was evaluated well without depending on the adhesive strength and tack. The wafer processing tape having the configuration of Comparative Example 1 was not evaluated well regardless of the adhesive strength or tack. The wafer processing tape having the configuration of Comparative Example 2 was evaluated depending on adhesive strength and tack.

図１は、本発明のウェハ加工用テープの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a wafer processing tape according to the present invention. 図２は、図１のＸ−Ｘ線断面図である。2 is a cross-sectional view taken along line XX of FIG. 図３は、リングフレームの斜視図である。FIG. 3 is a perspective view of the ring frame. 図４は、本発明のウェハ加工用テープの使用方法を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining a method of using the wafer processing tape of the present invention. 図５は、従来のウェハ加工用テープの使用方法を説明するための図である。FIG. 5 is a view for explaining a method of using a conventional wafer processing tape. 図６は、従来のウェハ加工用テープの使用方法を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a method of using a conventional wafer processing tape.

符号の説明Explanation of symbols

１００： ウェハ加工用テープ
１０１： 基材
１０２： 接着剤層
１０３： ダイシングテープ
１０４： 基材フィルム
１０５： 粘着剤層
１０６： 汚染防止用粘着テープ
１０７： 汚染防止用粘着テープにおける空洞部
１０８： ダイシングテープに覆われずリングフレームに固定可能に表出される部分
３００： リングフレーム
３０１： 内部開口
３０２： 平坦切欠部
３０３： ウェハ加工用テープ接着予定面
４０１： ウェハ
５００： 従来のウェハ加工用テープ
６００： 従来のウェハ加工用テープ DESCRIPTION OF SYMBOLS 100: Wafer processing tape 101: Base material 102: Adhesive layer 103: Dicing tape 104: Base film 105: Adhesive layer 106: Anti-contamination adhesive tape 107: Cavity part in anti-contamination adhesive tape 108: Dicing tape 300: Ring frame 301: Internal opening 302: Flat cutout 303: Plane surface for bonding wafer processing tape 401: Wafer 500: Conventional wafer processing tape 600: Conventional Wafer processing tape

Claims (2)

基材上に接着剤層が積層されたダイシングテープと、基材フィルム上に粘着剤層が積層されたリング状の汚染防止用粘着テープとからなるウェハ加工用テープであって、
前記汚染防止用粘着テープにおける空洞部を覆うように、前記ダイシングテープの基材と前記汚染防止用粘着テープの粘着剤層とが粘着しており、
前記粘着剤層が、前記ダイシングテープに覆われずリングフレームに固定可能に表出される部分を有することを特徴とするウェハ加工用テープ。 A wafer processing tape comprising a dicing tape in which an adhesive layer is laminated on a base material, and a ring-shaped antifouling adhesive tape in which an adhesive layer is laminated on a base film,
The base material of the dicing tape and the adhesive layer of the anti-contamination adhesive tape are adhered so as to cover the cavity in the anti-contamination adhesive tape,
The tape for wafer processing, wherein the pressure-sensitive adhesive layer has a portion that is not covered with the dicing tape and is exposed to be fixed to a ring frame. 前記ダイシングテープの接着剤層が、ダイシング加工およびダイボンディング加工の機能を発揮するように形成されていることを特徴とする請求項１に記載のウェハ加工用テープ。   2. The wafer processing tape according to claim 1, wherein the adhesive layer of the dicing tape is formed so as to exhibit dicing and die bonding functions.

Images