JP2009026852A - 酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ、およびそれらの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】新しい金属酸化物半導体またその製造方法による、off電流等のばらつきを改善しTFT素子の安定化をもたらす生産効率の向上した酸化物半導体薄膜そして、薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】金属微粒子の分散物を含む薄膜を設けた後、該薄膜を酸化することにより得ることを特徴とする酸化物半導体薄膜。
【選択図】なし
【解決手段】金属微粒子の分散物を含む薄膜を設けた後、該薄膜を酸化することにより得ることを特徴とする酸化物半導体薄膜。
【選択図】なし
Description
本発明は、金属微粒子を含む薄膜を設け、該薄膜を酸化することにより得られる酸化物半導体薄膜及びその製造方法に関し、該酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに関する。
ガラス基板上にアモルファスシリコン等の薄膜を形成しこれを活性層として用いる電界効果型薄膜トランジスタ(TFT)のアクティブマトリクス回路等の、より一層の薄型化、軽量化等のためガラス基板の代わりに軽量で可撓性のある樹脂基板を用いる試みも行われている。
シリコン薄膜を用いるトランジスタの製造は、比較的高温の熱工程を要するため耐熱性の低い樹脂基板上に直接形成することは難しい。また、安価な基板で低温で作製できる酸化物半導体薄膜の開発が活発に行われている。
例えば、基板上に形成したCu,Zn,Al等の金属膜を、熱酸化やプラズマ酸化等により酸化し金属酸化物半導体膜に変換する試みもされている(例えば特許文献1)。
また、蒸着法、スパッタ法等により形成した非晶質酸化物を含む活性層を用いた電界効果トランジスタ等が知られている(例えば特許文献2)。
しかしながら、いずれの方法においても薄膜の成膜に蒸着法、パルスレーザー堆積法やスパッタ法などを用いており、生産効率が低い。金属膜の酸化による方法は、酸化反応の効率が低く、形成したTFTのoff電流の上昇を招く問題がある。また、非晶質酸化物のスパッタ法やパルスレーザー堆積法による製造についても酸素の組成比のコントロールが難しく、性能バラツキが発生しやすい問題がある。
特開平8−264794号公報
特開2006−165527号公報
新しい金属酸化物半導体またその製造方法による、off電流等のばらつきを改善しTFT素子の安定化をもたらす生産効率の向上した酸化物半導体薄膜そして、薄膜トランジスタを提供することにある。
本発明の上記課題は以下の手段により達成される。
1.金属微粒子の分散物を含む薄膜を設けた後、該薄膜を酸化することにより得ることを特徴とする酸化物半導体薄膜。
2.前記金属微粒子の平均粒子径が1〜300nmであることを特徴とする前記1に記載の酸化物半導体薄膜。
3.前記金属微粒子がIn、Zn、Snのいずれかを含むことを特徴とする前記1または2に記載の酸化物半導体薄膜。
4.前記金属微粒子がGa、Alのいずれかを含むことを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の酸化物半導体薄膜。
5.前記酸化がプラズマ酸化によることを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の酸化物半導体薄膜。
6.前記酸化において、酸化時の基板温度が50℃〜250℃であることを特徴とする前記4に記載の酸化物半導体薄膜。
7.前記酸化が熱酸化によることを特徴とする前記1〜3のいずれか1項に記載の酸化物半導体薄膜。
8.金属微粒子の分散物を含む薄膜を設けた後、金属微粒子を融着し形成された薄膜を酸化することを特徴とする前記1〜7のいずれか1項に記載の酸化物半導体薄膜。
9.前記1〜8のいずれか1項に記載の酸化物半導体薄膜を活性層に用いたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
10.金属微粒子の分散物を含む薄膜を設けた後、該薄膜を酸化することを特徴とする酸化物半導体薄膜の製造方法。
本発明による酸化物半導体薄膜によって、off電流等のばらつきが少なく性能の安定した生産効率が向上したTFT素子を得ることができる。
以下本発明を実施するための最良の形態について説明するが本発明はこれにより限定されるものではない。
本発明は、金属酸化物半導体の薄膜を、金属微粒子の分散物を含む薄膜を設けた後、該薄膜を酸化することにより得るものである。
金属微粒子の材料としては、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、亜鉛、ガリウム等を用いることができる。
このうち、インジウム、亜鉛、錫のいずれかを含むことが好ましく、さらにガリウムを含むことが好ましい。
これらの金属からなる微粒子を、主に有機材料からなる分散安定剤を用いて、水や任意の有機溶剤である分散媒中に分散した分散物を用いて電極を形成するのが好ましい。
このような金属微粒子の分散物の作製方法として、ガス中蒸発法、スパッタリング法、金属蒸気合成法などの物理的生成法や、コロイド法、共沈法などの、液相で金属イオンを還元して金属微粒子を生成する化学的生成法が挙げられるが、好ましくは、特開平11−76800号公報、同11−80647号公報、同11−319538号公報、特開2000−239853号公報等に示されたコロイド法、特開2001−254185号公報、同2001−53028号公報、同2001−35255号公報、同2000−124157号公報、同2000−123634号公報、特許第2561537号などに記載されたガス中蒸発法により製造された金属微粒子の分散物である。
金属微粒子の平均粒子径は1〜300nmであることが好ましく、後述の融着を促進し、酸化処理を行ったときに非晶質酸化物半導体への転化を容易にすることができる。
(金属の組成比)
金属としては、In、Zn、Snのいずれかを含むことが好ましく、さらにGaまたはAlを含むことが好ましいが、金属がInを含む場合、金属の組成比としては、Inを1とした時に、ZnySn1-y(ここにおいてyは0〜1の正数)は0.2〜5が好ましく、さらに好ましくは0.5〜2である。また、Inを1とした時に、Ga及びAlの組成比は各々0〜5が好ましく、さらに好ましくは0.5〜2である。
金属としては、In、Zn、Snのいずれかを含むことが好ましく、さらにGaまたはAlを含むことが好ましいが、金属がInを含む場合、金属の組成比としては、Inを1とした時に、ZnySn1-y(ここにおいてyは0〜1の正数)は0.2〜5が好ましく、さらに好ましくは0.5〜2である。また、Inを1とした時に、Ga及びAlの組成比は各々0〜5が好ましく、さらに好ましくは0.5〜2である。
(成膜方法、パターン化方法)
金属微粒子を含む薄膜の形成方法としては、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法など、分散液を塗布する方法、また、凸版、凹版、平版、スクリーン印刷、インクジェットなどの印刷法でパターン化する方法などが挙げられる。塗布膜からフォトリソグラフ法、レーザーアブレーションなどによりパターン化してもよい。金属微粒子を含む薄膜の成膜、パターン化には従来の公知な方法が適用できる。
金属微粒子を含む薄膜の形成方法としては、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法など、分散液を塗布する方法、また、凸版、凹版、平版、スクリーン印刷、インクジェットなどの印刷法でパターン化する方法などが挙げられる。塗布膜からフォトリソグラフ法、レーザーアブレーションなどによりパターン化してもよい。金属微粒子を含む薄膜の成膜、パターン化には従来の公知な方法が適用できる。
また、金属微粒子の分散物を、例えばインクジェットなどで滴下し、分散媒を揮発させて薄膜が形成される。また、更にこの金属微粒子からなる薄膜を加熱することにより、微粒子を融着させ金属の薄膜を得ることもできる。
形成される金属薄膜の膜厚は、1〜200nm、より好ましくは5〜100nmである。
また、金属微粒子から形成された金属薄膜は、酸化工程の前に、加熱処理を行うことができる。加熱処理によって金属微粒子同士を融着させてもよい。融着の程度は任意に調整することができいずれの融着状態からでも、薄膜を酸化することができる。
図1に金属微粒子を含有する薄膜が加熱により融着が進行する過程を模式的に示したが、融着の有無、程度は任意に調整することができ、図1(A),(B),(C)のいずれの状態からでも、酸化することができる。
融着温度は粒径が300nm以下の金属微粒子の場合、400℃以下の低温で行うことができる。
金属微粒子は、分散安定性の観点で、分散剤を用いて分散媒に分散されている形態が好ましいが、金属微粒子を含む薄膜は、形成後、前記融着前、また酸化工程の前に、例えば、酸素プラズマ、UVオゾン洗浄などのドライ洗浄プロセスによって洗浄し、分散剤など薄膜中に含まれる有機物を分解、洗浄して、金属成分以外の有機物を排除しておくことが好ましい(図2)。
(薄膜酸化工程)
金属微粒子から形成された金属薄膜を酸化して酸化物半導体とする方法としては、酸素プラズマ法、熱酸化法、UVオゾン法等が挙げられる。酸素プラズマ法としては、大気圧プラズマ法が好ましい。また酸素プラズマ法、UVオゾン法においては、基板を50℃〜400℃、好ましくは100℃〜250℃の範囲で加熱させることが好ましい。
金属微粒子から形成された金属薄膜を酸化して酸化物半導体とする方法としては、酸素プラズマ法、熱酸化法、UVオゾン法等が挙げられる。酸素プラズマ法としては、大気圧プラズマ法が好ましい。また酸素プラズマ法、UVオゾン法においては、基板を50℃〜400℃、好ましくは100℃〜250℃の範囲で加熱させることが好ましい。
大気圧プラズマ法では、大気圧下で、アルゴンガス等の不活性ガスを放電ガスとして、これと共に反応ガス(酸素を含むガス)を放電空間に導入して、高周波電界を印加して、放電ガスを励起させ、プラズマ発生させ、反応ガスと接触させて酸素を含むプラズマを発生させ、基体表面をこれに晒すことで酸素プラズマ処理を行う。大気圧下とは、20〜110kPaの圧力を表すが、好ましくは93〜104kPaである。
大気圧プラズマ法を用いて、酸素含むガスを反応性ガスとして、酸素プラズマを発生させ、金属微粒子から形成した金属薄膜を、プラズマ空間に晒すことで、残余の有機物は揮散して、金属薄膜はプラズマ酸化を受け表面層中に金属酸化物を形成する。
高周波電源として0.5kHz以上、2.45GHz以下、また、対向電極間に供給する電力は、好ましくは0.1W/cm2以上、50W/cm2以下である。
使用するガスは、基体上に設けたい薄膜の種類によって異なるが、基本的に、放電ガス(不活性ガス)と、反応ガスの混合ガスである。反応ガス(酸素ガス)は、混合ガスに対し、0.01〜10体積%含有させることが好ましい。0.1〜10体積%であることがより好ましいが、さらに好ましくは、0.1〜5体積%である。
上記不活性ガスとしては、周期表の第18属元素、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドンや、窒素ガス等が挙げられるが、本発明に記載の効果を得るためには、ヘリウム、アルゴン、窒素ガスが好ましく用いられる。
また、反応ガスを放電空間である電極間に導入するには、常温常圧で構わない。
大気圧下でのプラズマ法については特開平11−61406、同11−133205、特開2000−121804、同2000−147209、同2000−185362等に記載されている。
このような処理によって、非晶質酸化物半導体の薄膜を形成することが出来る。
UVオゾン法は、酸素の存在下で、紫外光を照射し、酸化反応を進行させる方法である。紫外光の波長は、100nm〜450nm、特に好ましくは150〜300nm程度の所謂、真空紫外光を照射することが好ましい。光源は、低圧水銀灯、重水素ランプ、キセノンエキシマーランプ、メタルハライドランプ、エキシマーレーザーなどを用いることができる。
(非晶質酸化物)
本発明に係る金属酸化物である非晶質酸化物のキャリア電子密度1018/cm3未満が実現されていればよい。電子キャリア濃度は、室温で測定する場合の値である。室温とは、例えば25℃であり、具体的には0℃〜40℃程度の範囲から適宜選択されるある温度である。なお、本発明に係る非晶質酸化物の電子キャリア濃度は、0℃から40℃の範囲全てにおいて、1018/cm3未満を充足する必要はない。例えば、25℃において、キャリア電子密度1018/cm3未満が実現されていればよい。また、電子キャリア濃度を更に下げ、1017/cm3以下、より好ましくは1016/cm3以下にするとノーマリーオフのTFTが歩留まり良く得られる。
本発明に係る金属酸化物である非晶質酸化物のキャリア電子密度1018/cm3未満が実現されていればよい。電子キャリア濃度は、室温で測定する場合の値である。室温とは、例えば25℃であり、具体的には0℃〜40℃程度の範囲から適宜選択されるある温度である。なお、本発明に係る非晶質酸化物の電子キャリア濃度は、0℃から40℃の範囲全てにおいて、1018/cm3未満を充足する必要はない。例えば、25℃において、キャリア電子密度1018/cm3未満が実現されていればよい。また、電子キャリア濃度を更に下げ、1017/cm3以下、より好ましくは1016/cm3以下にするとノーマリーオフのTFTが歩留まり良く得られる。
電子キャリア濃度の測定は、ホール効果測定により求めることが出来る。
金属酸化物である半導体の膜厚としては、特に制限はないが、得られたトランジスタの特性は、半導体膜の膜厚に大きく左右される場合が多く、その膜厚は、半導体により異なるが、一般に1μm以下、特に10〜300nmが好ましい。
本発明においては、材料、組成比、また、製造条件などを制御して、例えば、電子キャリア濃度を、1012/cm3以上1018/cm3未満とする。より好ましくは1013/cm3以上1017/cm3以下、更には1015/cm3以上1016/cm3以下の範囲にすることが好ましいものである。
図2に、金属微粒子を含有する薄膜をドライ洗浄およびこれを加熱することで融着させ更に薄膜酸化工程により酸化物半導体薄膜の形成過程を模式的に示した。
本発明に係る酸化物半導体薄膜は、電界効果型薄膜トランジスタ(TFT)に用いることができる。
(電極)
本発明において、TFT素子を構成する(ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極)等の電極に用いられる導電性材料としては、電極として、実用可能なレベルでの導電性があればよく、特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ(ITO)、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム混合物、リチウム/アルミニウム混合物等が用いられる。
本発明において、TFT素子を構成する(ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極)等の電極に用いられる導電性材料としては、電極として、実用可能なレベルでの導電性があればよく、特に限定されず、白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、錫、アンチモン鉛、タンタル、インジウム、パラジウム、テルル、レニウム、イリジウム、アルミニウム、ルテニウム、ゲルマニウム、モリブデン、タングステン、酸化スズ・アンチモン、酸化インジウム・スズ(ITO)、フッ素ドープ酸化亜鉛、亜鉛、炭素、グラファイト、グラッシーカーボン、銀ペーストおよびカーボンペースト、リチウム、ベリリウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、スカンジウム、チタン、マンガン、ジルコニウム、ガリウム、ニオブ、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、アルミニウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム混合物、リチウム/アルミニウム混合物等が用いられる。
また、導電性材料としては、導電性ポリマーや金属微粒子などを好適に用いることができる。金属微粒子を含有する分散物としては、たとえば公知の導電性ペーストなどを用いても良いが、好ましくは、粒子径が1nm〜50nm、好ましくは1nm〜10nmの金属微粒子を含有する分散物である。金属微粒子から電極を形成するには、前述の方法を同様に用いることができ、金属微粒子の材料としては上記の金属を用いることができる。
(電極等の形成方法)
電極の形成方法としては、上記を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、インクジェット等により、レジストを形成しエッチングする方法がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、金属微粒子を含有する分散液等を直接インクジェット法によりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。さらに導電性ポリマーや金属微粒子を含有する導電性インク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
電極の形成方法としては、上記を原料として蒸着やスパッタリング等の方法を用いて形成した導電性薄膜を、公知のフォトリソグラフ法やリフトオフ法を用いて電極形成する方法、アルミニウムや銅などの金属箔上に熱転写、インクジェット等により、レジストを形成しエッチングする方法がある。また導電性ポリマーの溶液あるいは分散液、金属微粒子を含有する分散液等を直接インクジェット法によりパターニングしてもよいし、塗工膜からリソグラフやレーザーアブレーションなどにより形成してもよい。さらに導電性ポリマーや金属微粒子を含有する導電性インク、導電性ペーストなどを凸版、凹版、平版、スクリーン印刷などの印刷法でパターニングする方法も用いることができる。
ソース、ドレイン、或いはゲート電極等の電極、またゲート、或いはソースバスライン等を、エッチング又はリフトオフ等感光性樹脂等を用いた金属薄膜のパターニングなしに形成する方法として、無電解メッキ法による方法が知られている。
無電解メッキ法による電極の形成方法に関しては、特開2004−158805にも記載されたように、電極を設ける部分に、メッキ剤と作用して無電解メッキを生じさせるメッキ触媒を含有する液体を、例えば印刷法(インクジェット印刷含む。)によって、パターニングした後に、メッキ剤を、電極を設ける部分に接触させる。そうすると、前記触媒とメッキ剤との接触により前記部分に無電解メッキが施されて、電極パターンが形成されるというものである。
無電解メッキの触媒と、メッキ剤の適用を逆にしてもよく、またパターン形成をどちらで行ってもよいが、メッキ触媒パターンを形成し、これにメッキ剤を適用する方法が好ましい。
印刷法としては、例えば、スクリーン印刷、平版、凸版、凹版又インクジェット法による印刷などが用いられる。
(素子構成)
図3に、本発明に係わる酸化物半導体薄膜を用いた、薄膜トランジスタ素子の代表的な素子構成を示す図である。
図3に、本発明に係わる酸化物半導体薄膜を用いた、薄膜トランジスタ素子の代表的な素子構成を示す図である。
本発明に係わる酸化物半導体薄膜の製造方法により製造した半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタの構成例を幾つか断面図にて図2(a)〜(f)に示す。図2において、半導体薄膜は、ソース電極、ドレイン電極が、これをチャネルとして連結するよう構成されることが好ましい。
同図(a)は、支持体6上に金属箔等によりソース電極2、ドレイン電極3を形成し、これを基材(基板)として、本発明の方法により、両電極間に本発明の酸化物半導体薄膜からなるの半導体層1を形成し、その上に絶縁層5を形成し、更にその上にゲート電極4を形成して電界効果薄膜トランジスタを形成したものである。同図(b)は、半導体層1を、(a)では電極間に形成したものを、コート法等を用いて電極及び支持体表面全体を覆うように形成したものを表す。(c)は、支持体6上に先ず本発明の方法を用いて、半導体層1を形成し、その後ソース電極2、ドレイン電極3、絶縁層5、ゲート電極4を形成したものを表す。
同図(d)は、支持体6上にゲート電極4を金属箔等で形成した後、絶縁層5を形成し、その上に金属箔等で、ソース電極2及びドレイン電極3を形成し、該電極間に本発明の酸化物半導体薄膜により形成された半導体層1を形成する。その他同図(e)、(f)に示すような構成を取ることもできる。
図4は、本発明に係る薄膜トランジスタ素子が複数配置される薄膜トランジスタシート20の1例の概略の等価回路図である。
薄膜トランジスタシート20はマトリクス配置された多数の薄膜トランジスタ素子24を有する。21は各薄膜トランジスタ素子24のゲート電極のゲートバスラインであり、22は各薄膜トランジスタ素子24のソース電極のソースバスラインである。各薄膜トランジスタ素子24のドレイン電極には、出力素子26が接続され、この出力素子26は例えば液晶、電気泳動素子等であり、表示装置における画素を構成する。図示の例では、出力素子26として液晶が、抵抗とコンデンサからなる等価回路で示されている。25は蓄積コンデンサ、27は垂直駆動回路、28は水平駆動回路である。
この様な、支持体上にTFT素子を2次元的に配列した薄膜トランジスタシートの作製に本発明を用いることができる。
(ゲート絶縁膜)
本発明に係る薄膜トランジスタのゲート絶縁膜としては種々の絶縁膜を用いることができるが、特に、比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
本発明に係る薄膜トランジスタのゲート絶縁膜としては種々の絶縁膜を用いることができるが、特に、比誘電率の高い無機酸化物皮膜が好ましい。無機酸化物としては、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタン、酸化スズ、酸化バナジウム、チタン酸バリウムストロンチウム、ジルコニウム酸チタン酸バリウム、ジルコニウム酸チタン酸鉛、チタン酸鉛ランタン、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、フッ化バリウムマグネシウム、チタン酸ビスマス、チタン酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ストロンチウムビスマス、タンタル酸ニオブ酸ビスマス、トリオキサイドイットリウムなどが挙げられる。それらのうち好ましいのは、酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化チタンである。窒化ケイ素、窒化アルミニウム等の無機窒化物も好適に用いることができる。
上記皮膜の形成方法としては、真空蒸着法、分子線エピタキシャル成長法、イオンクラスタービーム法、低エネルギーイオンビーム法、イオンプレーティング法、CVD法、スパッタリング法、大気圧プラズマ法などのドライプロセスや、スプレーコート法、スピンコート法、ブレードコート法、ディップコート法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法などの塗布による方法、印刷やインクジェットなどのパターニングによる方法などのウェットプロセスが挙げられ、材料に応じて使用できる。
ウェットプロセスは、無機酸化物の微粒子を、任意の有機溶剤あるいは水に必要に応じて界面活性剤などの分散補助剤を用いて分散した液を塗布、乾燥する方法や、酸化物前駆体、例えばアルコキシド体の溶液を塗布、乾燥する、いわゆるゾルゲル法が用いられる。
これらのうち好ましいのは、上述した大気圧プラズマ法によるものである。
ゲート絶縁膜(層)が陽極酸化膜又は該陽極酸化膜と絶縁膜とで構成されることも好ましい。陽極酸化膜は封孔処理されることが望ましい。陽極酸化膜は、陽極酸化が可能な金属を公知の方法により陽極酸化することにより形成される。
陽極酸化処理可能な金属としては、アルミニウム又はタンタルを挙げることができ、陽極酸化処理の方法には特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。
また有機化合物皮膜としては、ポリイミド、ポリアミド、ポリエステル、ポリアクリレート、光ラジカル重合系、光カチオン重合系の光硬化性樹脂、あるいはアクリロニトリル成分を含有する共重合体、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコール、ノボラック樹脂等を用いることもできる。
無機酸化物皮膜と有機酸化物皮膜は積層して併用することができる。またこれら絶縁膜の膜厚としては、一般に50nm〜3μm、好ましくは、100nm〜1μmである。
(基板)
基板を構成する支持体材料としては、種々の材料が利用可能であり、例えば、ガラス、石英、酸化アルミニウム、サファイア、チッ化珪素、炭化珪素などのセラミック基板、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素など半導体基板、紙、不織布などを用いることができるが、本発明において支持体は樹脂からなることが好ましく、例えばプラスチックフィルムシートを用いることができる。プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げられる。プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。
基板を構成する支持体材料としては、種々の材料が利用可能であり、例えば、ガラス、石英、酸化アルミニウム、サファイア、チッ化珪素、炭化珪素などのセラミック基板、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素など半導体基板、紙、不織布などを用いることができるが、本発明において支持体は樹脂からなることが好ましく、例えばプラスチックフィルムシートを用いることができる。プラスチックフィルムとしては、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリアリレート、ポリイミド、ボリカーボネート(PC)、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)等からなるフィルム等が挙げられる。プラスチックフィルムを用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて軽量化を図ることができ、可搬性を高めることができるとともに、衝撃に対する耐性を向上できる。
また本発明の薄膜トランジスタ素子上には素子保護層を設けることも可能である。保護層としては前述した無機酸化物又は無機窒化物等が挙げられ、上述した大気圧プラズマ法で形成するのが好ましい。
以下本発明に係る金属微粒子の分散物を含む薄膜を酸化することにより得た酸化物半導体薄膜を用いた薄膜トランジスタについて実施例を説明する。
図5の薄膜トランジスタ作製工程の模式図を用いて説明する。
樹脂支持体11として、ポリエーテルスルホン樹脂フィルム(200μm)を用い、この上に、先ず、50W/m2/minの条件でコロナ放電処理を施した。その後以下のように接着性向上のため下引き層を形成した。
(下引き層の形成)
下記組成の塗布液を乾燥膜厚2μmになるように塗布し、90℃で5分間乾燥した後、60W/cmの高圧水銀灯下10cmの距離から4秒間硬化させた。
下記組成の塗布液を乾燥膜厚2μmになるように塗布し、90℃で5分間乾燥した後、60W/cmの高圧水銀灯下10cmの距離から4秒間硬化させた。
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート単量体 60g
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート2量体 20g
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート3量体以上の成分 20g
ジエトキシベンゾフェノンUV開始剤 2g
シリコーン系界面活性剤 1g
メチルエチルケトン 75g
メチルプロピレングリコール 75g
さらにその層の上に下記条件で連続的に大気圧プラズマ処理して厚さ50nmの酸化ケイ素膜を設け、これらの層を下引き層18とした(図4(1))。
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート2量体 20g
ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート3量体以上の成分 20g
ジエトキシベンゾフェノンUV開始剤 2g
シリコーン系界面活性剤 1g
メチルエチルケトン 75g
メチルプロピレングリコール 75g
さらにその層の上に下記条件で連続的に大気圧プラズマ処理して厚さ50nmの酸化ケイ素膜を設け、これらの層を下引き層18とした(図4(1))。
(使用ガス)
不活性ガス:ヘリウム98.25体積%
反応性ガス:酸素ガス1.5体積%
反応性ガス:テトラエトキシシラン蒸気(ヘリウムガスにてバブリング)0.25体積%
(放電条件)
放電出力:10W/cm2
(電極条件)
電極は、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材に対して、セラミック溶射によるアルミナを1mm被覆し、その後、テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により封孔処理を行い、表面を平滑にしてRmax5μmとした誘電体(比誘電率10)を有するロール電極であり、アースされている。一方、印加電極としては、中空の角型のステンレスパイプに対し、上記同様の誘電体を同条件にて被覆した。
不活性ガス:ヘリウム98.25体積%
反応性ガス:酸素ガス1.5体積%
反応性ガス:テトラエトキシシラン蒸気(ヘリウムガスにてバブリング)0.25体積%
(放電条件)
放電出力:10W/cm2
(電極条件)
電極は、冷却水による冷却手段を有するステンレス製ジャケットロール母材に対して、セラミック溶射によるアルミナを1mm被覆し、その後、テトラメトキシシランを酢酸エチルで希釈した溶液を塗布乾燥後、紫外線照射により封孔処理を行い、表面を平滑にしてRmax5μmとした誘電体(比誘電率10)を有するロール電極であり、アースされている。一方、印加電極としては、中空の角型のステンレスパイプに対し、上記同様の誘電体を同条件にて被覆した。
次いで、ゲート電極を形成する。スパッタ法により、厚さ300nmのアルミニウム皮膜を一面に成膜した後、フォトリソグラフ法により、エッチングしてゲート電極12を形成した。(図5(2))
(陽極酸化被膜形成工程)
ゲート電極を形成したのち基板をよく洗浄し、30質量%燐酸アンモニウム水溶液中で、2分間、30Vの定電圧電源から供給される直流を用いて、陽極酸化皮膜の厚さが120nmになるまで陽極酸化をおこなった。
(陽極酸化被膜形成工程)
ゲート電極を形成したのち基板をよく洗浄し、30質量%燐酸アンモニウム水溶液中で、2分間、30Vの定電圧電源から供給される直流を用いて、陽極酸化皮膜の厚さが120nmになるまで陽極酸化をおこなった。
次いで、さらにフィルム温度200℃にて、上述した大気圧プラズマ法により厚さ30nmの酸化珪素膜を設け、前記した陽極酸化アルミニウム層を併せて、厚さ150nmのゲート絶縁膜13を形成した。(図5(3))
次に、In,Znの組成比1:1の合金からなる平均粒子径が8nmの微粒子をトルエンに分散した分散液(特許第2561537号に記載の方法により作製した)を、インクジェット装置を用いて、ゲート電極の配置されたゲート絶縁膜上に吐出し、分散媒をキャストさせて、金属微粒子を含有する薄膜を成膜した。平均膜厚は30nmであった(図5(4))。さらに、大気中で50Wの低圧水銀灯を、膜面からの距離30mmにて2分照射し、ドライ洗浄を行った。さらに大気圧プラズマ法による酸素プラズマを用いて、下記条件でフィルム温度200℃にて酸化処理を施した。合金の薄膜は透明に変化し、厚さ約60nmの金属酸化物の薄膜14に変換された。
次に、In,Znの組成比1:1の合金からなる平均粒子径が8nmの微粒子をトルエンに分散した分散液(特許第2561537号に記載の方法により作製した)を、インクジェット装置を用いて、ゲート電極の配置されたゲート絶縁膜上に吐出し、分散媒をキャストさせて、金属微粒子を含有する薄膜を成膜した。平均膜厚は30nmであった(図5(4))。さらに、大気中で50Wの低圧水銀灯を、膜面からの距離30mmにて2分照射し、ドライ洗浄を行った。さらに大気圧プラズマ法による酸素プラズマを用いて、下記条件でフィルム温度200℃にて酸化処理を施した。合金の薄膜は透明に変化し、厚さ約60nmの金属酸化物の薄膜14に変換された。
酸素プラズマは、前記と同様の装置を用いて下記条件で処理した。
(使用ガス)
不活性ガス:窒素ガス 98体積%
反応性ガス:酸素ガス 2体積%
(放電条件)
放電出力:10W/cm2
次いで、マスクを用いて金を蒸着し、ソース電極15およびドレイン電極16を形成した(図5(5))。それぞれのサイズは、幅10μm、長さ50μm(チャネル幅)厚さ50nmであり、ソース電極15、ドレイン電極16の距離(チャネル長)は15μmとした。
不活性ガス:窒素ガス 98体積%
反応性ガス:酸素ガス 2体積%
(放電条件)
放電出力:10W/cm2
次いで、マスクを用いて金を蒸着し、ソース電極15およびドレイン電極16を形成した(図5(5))。それぞれのサイズは、幅10μm、長さ50μm(チャネル幅)厚さ50nmであり、ソース電極15、ドレイン電極16の距離(チャネル長)は15μmとした。
以上の方法により作製した薄膜トランジスタは良好に駆動し、n型のエンハンスメント動作を示した。ドレインバイアスを10Vとし、ゲートバイアスを−10Vから+20Vまで掃引した時のドレイン電流の増加(伝達特性)が観測された。その飽和領域から見積もられた移動度は8.5cm2/Vs、on/off比は6桁であった。
1 半導体層
2 ソース電極
3 ドレイン電極
4 ゲート電極
5 絶縁層
20 薄膜トランジスタシート
21 ゲートバスライン
22 ソースバスライン
24 薄膜トランジスタ素子
25 蓄積コンデンサ
26 出力素子
27 垂直駆動回路
28 水平駆動回路
2 ソース電極
3 ドレイン電極
4 ゲート電極
5 絶縁層
20 薄膜トランジスタシート
21 ゲートバスライン
22 ソースバスライン
24 薄膜トランジスタ素子
25 蓄積コンデンサ
26 出力素子
27 垂直駆動回路
28 水平駆動回路
Claims (10)
- 金属微粒子の分散物を含む薄膜を設けた後、該薄膜を酸化することにより得ることを特徴とする酸化物半導体薄膜。
- 前記金属微粒子の平均粒子径が1〜300nmであることを特徴とする請求項1に記載の酸化物半導体薄膜。
- 前記金属微粒子がIn、Zn、Snのいずれかを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の酸化物半導体薄膜。
- 前記金属微粒子がGa、Alのいずれかを含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の酸化物半導体薄膜。
- 前記酸化がプラズマ酸化によることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の酸化物半導体薄膜。
- 前記酸化において、酸化時の基板温度が50℃〜250℃であることを特徴とする請求項4に記載の酸化物半導体薄膜。
- 前記酸化が熱酸化によることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の酸化物半導体薄膜。
- 金属微粒子の分散物を含む薄膜を設けた後、金属微粒子を融着し形成された薄膜を酸化することを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の酸化物半導体薄膜。
- 請求項1〜8のいずれか1項に記載の酸化物半導体薄膜を活性層に用いたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
- 金属微粒子の分散物を含む薄膜を設けた後、該薄膜を酸化することを特徴とする酸化物半導体薄膜の製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007186769A JP2009026852A (ja) | 2007-07-18 | 2007-07-18 | 酸化物半導体薄膜、薄膜トランジスタ、およびそれらの製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2009026852A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8460985B2 (en) | 2009-11-20 | 2013-06-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing semiconductor for transistor and method of manufacturing the transistor |
US9722086B2 (en) | 2009-10-30 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device |
-
2007
- 2007-07-18 JP JP2007186769A patent/JP2009026852A/ja active Pending
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US9722086B2 (en) | 2009-10-30 | 2017-08-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Logic circuit and semiconductor device |
KR101770981B1 (ko) * | 2009-10-30 | 2017-08-24 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 논리 회로 및 반도체 장치 |
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