JP2009016715A - シールド及び放熱性を有する高周波モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板の主面上にグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配し、その上に樹脂モールド及びシールド層を設けた高周波モジュールであって、シールド層を導電性樹脂とし、その下端がグランドパターンに接続されるように構成するので、シールド性と放熱性がよく、小型・薄型化が容易である。製造方法としては複数の単位区画を有する大面積基板を用い、予め各単位区画に回路を形成し、樹脂のモールドと導電性ペーストの印刷工程を経た後切り分けるので、高周波モジュールを安価に製造できる。
【選択図】 図1
Description
しかし、キャップは、金属製であるため、小型化薄型化には限界があった。
これによれば、シールド用金属層は5〜15μmとなり、金属キャップより厚みを薄くすることが可能となる。しかし、この金属層は、無電解めっきと電気めっきにより厚み5〜15μmのCu導体からなるものであり、薄厚に形成できるが、めっき工程によるため手間がかかり、高価になる。
基板の主面上に配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配し、その上に樹脂モールド及びシールド層を設け、裏面には、主面上の電子部品から基板を通して設けた外部入出力用端子を有する高周波モジュールにおいて、
前記シールド層は、導電性樹脂層からなり、
前記導電性樹脂層は、前記樹脂モールドを覆い、その下端は前記グランドパターンに接続してなることを特徴とする。
所定数の単位区画を有する大面積基板の主面上の各単位区画内に所定の配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配設する回路形成工程と、
前記主面上の各単位区画間端に設けられ、グランドパターンを配設されたダイシング部を除いて、樹脂モールドを施すモールド工程と、
前記樹脂モールド上に導電性ペーストを印刷する印刷工程と、
前記ダイシング部で各単位区画に切り分けるダイシング工程とを有し、
前記印刷工程は、前記導電性ペーストが各単位区画の樹脂モールド間に充填され、各単位区画端のダイシング部に露出したグランドパターンに接続され、樹脂モールドを覆うように印刷し、
前記ダイシング工程は、前記樹脂モールド間に充填された導電性樹脂層とそれに接属されたグランドパターンからなるダイシング部で所定数の単位区画に切り分けることを特徴とする。
図1は、本発明のシールド及び放熱性を有する高周波モジュール1の模式図、図2乃至4はシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法の説明図である。
図1において、高周波モジュール1は、基板2の主面2a上にグランドパターン3aや図示しない信号線などの配線を含む回路パターン3及び集積回路チップ5やコンデンサー、インダクタンスなどの受動部品6(6a、6b,6c)などを含む電子部品4で高周波回路が形成されている。また、その上には、これらの電子部品4を封入する樹脂モールド7が施されている。さらに、8は、その上を覆うシールド層であり、下端はグランドパターン3aに接続されている。
また、熱伝導率が5W/m・K以上の高熱伝導性を有するものであるから、集積回路チップ5などからの発熱を樹脂モールドと、シールド層を介してグランドパターン3aに効率よく伝導し、放熱する。
金属フィラーの形状には、特に制限が無いが、樹脂状
球状、りん片状等が例示される。また、粒径は1〜50μmが好ましく、2〜16μmがより好ましい。
金属フィラーは1種のみもちい2種以上混合してもよい。
イミダゾール系硬化剤の例としては、イミダゾール、2-ウンデシルイミダゾール、2-ヘプタデシルイミダゾール、2-エチルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2-エチル-4-メチルイミダゾール、1-シアノエチル-2-ウンデシルイミダゾール、2-フェニルイミダゾール、2,4-ジアミノ-6-[2’-メチルイミダゾーリル-(1’)-エチル-S-トリアジンが挙げられる。
最小20μmとすることができるので、シールド層が特開平10−125830のメタルキャップに比べて厚さを薄くできる。また、導電性樹脂層自体を接着性樹脂で形成すれば、メタルキャップや金属メッキ層のようにグランドパターンとの接着剤を別に設ける必要もない。
一方、特開2005−251827のように金属メッキによるもので薄くすることはできるが、メッキに手間がかかり、高価になるのに対し本発明品では後述するように簡単に製造でき、安価に形成できる。また、半導体素子等から発生する熱の放散が良くなるので、電子部品等の寿命が長くなる。
図2は、回路形成工程の説明図であり、図2(a)は正面図、図2(b)は平面図である。
所定数(ここでは、簡単のため4区画とする)の単位区画を有する大面積基板12の主面上の各単位区画11(11a、11b、11c、11d)内に、所定のグランドパターン3aや図示しない信号線などを含む回路パターン3を形成し、その上の所定位置に各電子部品4を表面実装する。
次いで、大面積基板12の図示しないスルーホールを通して裏面に露出する電子部品4の外部入出力端子の先端に、公知の方法で半田ボール9を形成する。
大面積基板12が多層の場合には、最上層の基板上に所定のグランドパターン3aを形成しても良いし、多層部分の内層に形成おされたグランドパターンがあるところまで、ダイシング装置で切削し、切削部に導電性ペーストを印刷して、該グランドパターン端面とシールド層とを接続してもよい。
前記主面上の各単位区画11a、11b、11c、11d間及び周縁のグランドパターン3a上に、各単位区画をかたどる型枠を設け、電子部品4上を覆うように、例えばエポキシ系樹脂を流し込み、放置して硬化させ、樹脂モールド7を形成する。
導電性ペーストは、樹脂モールド表層と溝部にコーティングする必要があるが、一般のスクリーン印刷により形成することができる。実際の印刷は、1回の印刷で樹脂モールドすることも可能であるが、予め溝部だけを埋めておいて、次に表層部全体をコーティング印刷する2段階印刷により形成することも可能である。
2 基板
3 回路パターン
3a グランドパターン
4 電子部品
7 樹脂モールド
8 シールド層(導電性樹脂層)
9 半田ボール
11 単位区画
12 大面積基板
13 ダイシング部
Claims (3)
- 基板の主面上に配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配し、その上に樹脂モールド及びシールド層を設け、裏面には、主面上の電子部品から基板を通して設けた外部入出力用端子を有する高周波モジュールにおいて、
前記シールド層は、導電性樹脂層からなり、
前記導電性樹脂層は、前記樹脂モールドを覆い、その下端は前記グランドパターンに接続してなることを特徴とするシールド及び放熱性を有する高周波モジュール。 - 前記導電性樹脂層を形成する導電性ペーストは、金属粉と熱硬化性樹脂を含有し、前記金属粉は、銀、銅、銀コート銅粉からなる群から選択された1種類又は2種類以上からなり、前記導電性樹脂層の体積抵抗率が1×10-4Ω・cm以下、熱伝導率が5W/m・K以上の高導電性、高熱伝導性を有することを特徴とする請求項1記載のシールド及び放熱性を有する高周波モジュール。
- 所定数の単位区画を有する大面積基板の主面上の各単位区画内に所定の配線及びグランドパターンを含む回路パターン及び電子部品を配設する回路形成工程と、
前記主面上の各単位区画間端に設けられ、グランドパターンを配設されたダイシング部を除いて、樹脂モールドを施すモールド工程と、
前記樹脂モールド上に導電性ペーストを印刷する印刷工程と、
前記ダイシング部で各単位区画に切り分けるダイシング工程とを有し、
前記印刷工程は、前記導電性ペーストが各単位区画の樹脂モールド間に充填され、加熱硬化されて、各単位区画端のダイシング部に露出したグランドパターンに接続され、樹脂モールドを覆うように印刷され、
前記ダイシング工程は、前記樹脂モールド間に充填された導電性樹脂層とそれに接続されたグランドパターンからなるダイシング部で所定数の単位区画に切り分けることを特徴とするシールド及び放熱性を有する高周波モジュールの製造方法。
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