JP2009016575A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ダマシン配線構造を有する半導体装置において、
前記半導体装置の配線層は配線銅および配線間絶縁膜を具備し、
前記配線間絶縁膜は、
エッチングレートが異なる複数の絶縁膜による積層構造で構成され、
少なくとも一つの絶縁膜が銅拡散耐性を持つ樹脂で構成され、
前記複数の絶縁膜は、ビア部分の導体に圧縮応力が作用する組み合わせからなる。
【選択図】図1
Description
M. Tada , et al., 2001Symp. VLSI Technol. Dig. (2001) P13〜14 高分子学会編 (2004) 「マイクロエレクトロニクスにおける高分子材料」P67〜68
前記半導体装置の配線層は、配線銅および配線間絶縁膜を具備し、
前記半導体装置のビア層は、前記上層配線層の配線銅と前記下層配線層の配線銅とを電気的に接続する接続銅および該接続銅用絶縁膜を具備してなり、
前記配線間絶縁膜と前記接続銅用絶縁膜とは、
積層して設けられたものであり、
かつ、前記ビア層の接続銅に対して前記下層配線層側に向けての応力が作用するような絶縁膜材料が選択されて構成された
ことを特徴とする半導体装置によって解決される。
前記半導体装置の配線層は、配線銅および配線間絶縁膜を具備し、
前記半導体装置のビア層は、前記上層配線層の配線銅と前記下層配線層の配線銅とを電気的に接続する接続銅および該接続銅用絶縁膜を具備してなり、
前記配線間絶縁膜と前記接続銅用絶縁膜とは、
積層して設けられたものであり、
かつ、(該配線間絶縁膜の熱膨張係数(膜厚方向の熱膨張係数))−(該接続銅用絶縁膜の熱膨張係数(膜厚方向の熱膨張係数))が10〜100ppm/℃であるように選択されて構成されてなる
ことを特徴とする半導体装置によって解決される。
前記半導体装置の配線層は、配線銅および配線間絶縁膜を具備し、
前記半導体装置のビア層は、前記上層配線層の配線銅と前記下層配線層の配線銅とを電気的に接続する接続銅および該接続銅用絶縁膜を具備してなり、
前記配線間絶縁膜と前記接続銅用絶縁膜とは、
積層して設けられたものであり、
該配線間絶縁膜は、銅拡散耐性を持つ樹脂で構成され、
かつ、該接続銅用絶縁膜は、前記ビア層の接続銅に対して前記下層配線層側に向けての応力が作用するような絶縁膜材料が選択されて構成された
ことを特徴とする半導体装置によって解決される。
前記半導体装置の配線層は、配線銅および配線間絶縁膜を具備し、
前記半導体装置のビア層は、前記上層配線層の配線銅と前記下層配線層の配線銅とを電気的に接続する接続銅および該接続銅用絶縁膜を具備してなり、
前記配線間絶縁膜と前記接続銅用絶縁膜とは、
積層して設けられたものであり、
該配線間絶縁膜は、銅拡散耐性を持つ樹脂で構成され、
かつ、(該配線間絶縁膜の熱膨張係数(膜厚方向の熱膨張係数))−(該接続銅用絶縁膜の熱膨張係数(膜厚方向の熱膨張係数))が10〜100ppm/℃であるように選択されて構成されてなる
ことを特徴とする半導体装置によって解決される。
前記半導体装置の配線層は、配線銅および配線間絶縁膜を具備し、
前記半導体装置のビア層は、前記上層配線層の配線銅と前記下層配線層の配線銅とを電気的に接続する接続銅および該接続銅用絶縁膜を具備してなり、
前記配線間絶縁膜と前記接続銅用絶縁膜とは積層して設けられ、
前記配線間絶縁膜は銅拡散耐性を持つ樹脂で構成され、
前記接続銅用絶縁膜は前記配線間絶縁膜のエッチングレートとは異なるエッチングレートのもので構成されてなる
ことを特徴とする半導体装置によって解決される。
前記半導体装置の配線層は、配線銅および配線間絶縁膜を具備し、
前記半導体装置のビア層は、前記上層配線層の配線銅と前記下層配線層の配線銅とを電気的に接続する接続銅および該接続銅用絶縁膜を具備してなり、
前記配線間絶縁膜と前記接続銅用絶縁膜とは、
積層して設けられ、
更に、(該配線間絶縁膜の熱膨張係数(膜厚方向の熱膨張係数))−(該接続銅用絶縁膜の熱膨張係数(膜厚方向の熱膨張係数))が10〜100ppm/℃であるように選択されて構成され、
しかも、前記配線間絶縁膜は銅拡散耐性を持つ樹脂で構成され、
かつ、該接続銅用絶縁膜は該配線間絶縁膜のエッチングレートとは異なるエッチングレートのもので構成されてなる
ことを特徴とする半導体装置によって解決される。
前記半導体装置の配線層は、配線銅および配線間絶縁膜を具備し、
前記半導体装置のビア層は、前記上層配線層の配線銅と前記下層配線層の配線銅とを電気的に接続する接続銅および該接続銅用絶縁膜を具備してなり、
前記配線間絶縁膜と前記接続銅用絶縁膜とは積層して設けられたものであり、
前記配線間絶縁膜が銅拡散耐性を持つ樹脂で構成され、
前記接続銅用絶縁膜はSiC,SiCNの群の中から選ばれる少なくとも一つで構成されてなる
ことを特徴とする半導体装置によって解決される。
前記半導体装置の配線層は、配線銅および配線間絶縁膜を具備し、
前記半導体装置のビア層は、前記上層配線層の配線銅と前記下層配線層の配線銅とを電気的に接続する接続銅および該接続銅用絶縁膜を具備してなり、
前記配線間絶縁膜と前記接続銅用絶縁膜とは積層して設けられたものであり、
前記配線間絶縁膜が銅拡散耐性を持つ樹脂で構成され、
前記接続銅用絶縁膜はSiC,SiCNの群の中から選ばれる少なくとも一つで構成され、
前記銅拡散耐性を持つ樹脂は、そのエッチングレートが前記接続銅用絶縁膜のエッチングレートと異なるものであり、かつ、その熱膨張係数(膜厚方向の熱膨張係数)が前記接続銅用絶縁膜の熱膨張係数(膜厚方向の熱膨張係数)より10〜100ppm/℃大きいものである
ことを特徴とする半導体装置によって解決される。
3 配線間絶縁膜(PBO)
4 下層配線銅(Cu)
5 キャップ膜(SiC,SiCN)
6 バリア絶縁膜(SiC,SiCN)
7 配線間絶縁膜(PBO)
8 上層配線銅(Cu)
9 接続銅
特許出願人 次世代半導体材料技術研究組合
代 理 人 宇 高 克 己
Claims (7)
- 上層配線層、下層配線層、及び前記上層配線層と前記下層配線層との間に設けられたビア層を具備するダマシン配線構造を有する半導体装置において、
前記半導体装置の配線層は、配線銅および配線間絶縁膜を具備し、
前記半導体装置のビア層は、前記上層配線層の配線銅と前記下層配線層の配線銅とを電気的に接続する接続銅および該接続銅用絶縁膜を具備してなり、
前記配線間絶縁膜と前記接続銅用絶縁膜とは、
積層して設けられたものであり、
かつ、前記ビア層の接続銅に対して前記下層配線層側に向けての応力が作用するような絶縁膜材料が選択されて構成された
ことを特徴とする半導体装置。 - 配線間絶縁膜が銅拡散耐性を持つ樹脂で構成されてなる
ことを特徴とする請求項1の半導体装置。 - 上層配線層、下層配線層、及び前記上層配線層と前記下層配線層との間に設けられたビア層を具備するダマシン配線構造を有する半導体装置において、
前記半導体装置の配線層は、配線銅および配線間絶縁膜を具備し、
前記半導体装置のビア層は、前記上層配線層の配線銅と前記下層配線層の配線銅とを電気的に接続する接続銅および該接続銅用絶縁膜を具備してなり、
前記配線間絶縁膜と前記接続銅用絶縁膜とは積層して設けられ、
前記配線間絶縁膜は銅拡散耐性を持つ樹脂で構成され、
前記接続銅用絶縁膜は前記配線間絶縁膜のエッチングレートとは異なるエッチングレートのもので構成されてなる
ことを特徴とする半導体装置。 - 銅拡散耐性を持つ樹脂は、耐熱温度が400℃以上、誘電率が3.0以下のN原子を持つ有機樹脂である
ことを特徴とする請求項2又は請求項3の半導体装置。 - 銅拡散耐性を持つ樹脂がポリベンゾオキサゾールである
ことを特徴とする請求項2〜請求項4いずれかの半導体装置。 - 接続銅用絶縁膜がSiC,SiCNの群の中から選ばれる少なくとも一つで構成されてなる
ことを特徴とする請求項1〜請求項5いずれかの半導体装置。 - 銅と絶縁膜との界面にTiが設けられてなる
ことを特徴とする請求項1〜請求項6いずれかの半導体装置。
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