JP2009010017A - Focus ring for plasma etching apparatus generating fewer particles - Google Patents

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Shuji Fujimori
周司 藤森
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a focus ring for a plasma etching apparatus which generates fewer particles. <P>SOLUTION: In a focus ring 1 having a mirror surface whose center line surface roughness Ra is 1 μm or less, at least the external sidewall 14 of the focus ring 1 is set to have center line surface roughness Ra which is from over 1 μm to 1.6 μm. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は、プラズマエッチング装置内のウエハの周囲に設置してプラズマエッチング時にウエハ周囲のプラズマの形状を調整し、ウエハのエッチングを均一に行う役割を果たすパーティクル発生の少ないプラズマエッチング装置用フォーカスリングに関するものである。   The present invention relates to a focus ring for a plasma etching apparatus with less generation of particles, which is installed around a wafer in a plasma etching apparatus, adjusts the shape of plasma around the wafer during plasma etching, and plays a role of uniformly etching the wafer. Is.

一般に、半導体集積回路を製造する工程の中にウエハをエッチングする工程があり、このウエハをエッチングするにはプラズマエッチング装置が用いられている。このプラズマエッチング装置は、図５の断面概略説明図に示されるように、真空チャンバー８内にシリコン電極板２および上下動可能な架台３が間隔をおいて設けられており、シリコン電極板２は絶縁体１３により真空チャンバー８と絶縁されて設けられており、さらに前記架台３の上には静電チャック９およびフォーカスリング１が設置されている構造を有している。
かかるプラズマエッチング装置内の静電チャック９の上でかつフォーカスリング１の内側にウエハ４を載置したのち、エッチングガス７を拡散部材１１を通しさらにシリコン電極板２に設けられた貫通細孔５を通してウエハ４に向って流しながら高周波電源６によりシリコン電極板２と架台３の間に高周波電圧を印加してプラズマ１０を発生させ、この発生したプラズマ１０がウエハ４に当ってウエハ４の表面がエッチングされるようになっている。 Generally, there is a process of etching a wafer in the process of manufacturing a semiconductor integrated circuit, and a plasma etching apparatus is used to etch the wafer. In this plasma etching apparatus, as shown in a schematic cross-sectional explanatory view of FIG. 5, a silicon electrode plate 2 and a vertically movable base 3 are provided in a vacuum chamber 8 with an interval therebetween. The insulator 13 is provided so as to be insulated from the vacuum chamber 8. Further, the electrostatic chuck 9 and the focus ring 1 are installed on the mount 3.
After the wafer 4 is placed on the electrostatic chuck 9 in the plasma etching apparatus and inside the focus ring 1, the etching gas 7 is passed through the diffusion member 11 and the through-hole 5 provided in the silicon electrode plate 2. The plasma 10 is generated by applying a high-frequency voltage between the silicon electrode plate 2 and the gantry 3 by the high-frequency power source 6 while flowing toward the wafer 4 through the wafer 4. Etched.

前記発生したプラズマ１０がウエハ４の中心部に集中したり、外周部への拡散するのを阻止して、シリコン電極板２とウエハ４との間に均一なプラズマを発生させ、ウエハの均一なエッチングを行うために、通常、プラズマ発生領域をシールド支持電極１２で囲っている。   The generated plasma 10 is prevented from concentrating on the center portion of the wafer 4 or diffusing to the outer peripheral portion, and a uniform plasma is generated between the silicon electrode plate 2 and the wafer 4 so that the wafer is uniform. In order to perform etching, the plasma generation region is usually surrounded by the shield support electrode 12.

また、図５に示されるフォーカスリング１はウエハ４を支持固定すると同時にウエハ周囲のプラズマの形状を調整してウエハのエッチングを均一に行う役割を果たしている。前記フォーカスリング１は、一般に、石英などの絶縁材で構成されており、その構造は図３の断面図に示されているように平面部１８を有するリングで構成されており、この前記フォーカスリング１は表面全体が中心線表面粗さＲａ：１μｍ以下に鏡面仕上げされている。しかし、近年、図３の断面図に示されているように、平面部１８の内側領域ｆ１を鏡面仕上し、外側領域ｆ２を中心線表面粗さＲａ：３．２μｍ以下に砂ずり仕上げしたものが提案されており、内側領域ｆ１を鏡面仕上げとすることによりパーティクルの発生を抑え、一方、外側領域ｆ２の表面平均粗さを粗くすることにより反応性生物の捕捉堆積を促進して反応性生物がプラズマ領域へ飛散することを阻止し、それによってパーティクルの発生を抑えることができるとされている（特許文献１参照）。 The focus ring 1 shown in FIG. 5 plays a role of uniformly etching the wafer by supporting and fixing the wafer 4 and simultaneously adjusting the shape of plasma around the wafer. The focus ring 1 is generally composed of an insulating material such as quartz, and the structure is composed of a ring having a flat portion 18 as shown in the cross-sectional view of FIG. In the case of No. 1, the entire surface is mirror-finished with a centerline surface roughness Ra of 1 μm or less. However, in recent years, as shown in the cross-sectional view of FIG. 3, the inner region f1 of the flat portion 18 is mirror-finished and the outer region f2 is sand-polished to a center line surface roughness Ra: 3.2 μm or less. Has been proposed, and the generation of particles is suppressed by making the inner region f1 into a mirror finish, while the surface average roughness of the outer region f2 is increased to promote the trapping and deposition of reactive organisms to react with the reactive organisms. Is prevented from scattering into the plasma region, thereby suppressing generation of particles (see Patent Document 1).

さらに、図４に示されるように、フォーカスリング１の外周側壁１４に鍔１７を形成したフォーカスリングも提案されており、プラズマエッチング時にこの鍔１７を押え治具１６によって押えて使用している。
特開２００６−１４０４２３号公報 Furthermore, as shown in FIG. 4, a focus ring in which a flange 17 is formed on the outer peripheral side wall 14 of the focus ring 1 has also been proposed, and the flange 17 is used by being pressed by a pressing jig 16 during plasma etching.
JP 2006-140423 A

しかし、フォーカスリング１の平面の内側領域ｆ１を鏡面仕上げの平滑にし、一方、外側領域ｆ２を粗くしたフォーカスリングを使用してウエハをプラズマエッチングしても、パーティクルの発生を十分に抑えることができず、さらに一層パーティクル発生の少ないフォーカスリングが求められていた。   However, even if the wafer is plasma etched using a focus ring in which the inner region f1 of the plane of the focus ring 1 is mirror-finished and the outer region f2 is roughened, the generation of particles can be sufficiently suppressed. In addition, there has been a demand for a focus ring with even less particle generation.

そこで、本発明者等は、さらに一層パーティクルの発生の少ないプラズマエッチング装置用フォーカスリングを得るべく研究を行った。その結果、
（イ）プラズマエッチングに際して発生する反応性生物は、フォーカスリングの外周側壁１４にも付着し、この付着した反応生成物が剥離してパーティクルとなること、
（ロ）したがって、図１に示されるように、フォーカスリング１の外周側壁１４の表面を粗くしてフォーカスリングの外周側壁１４に付着した反応生成物を捕捉確保して飛散しないようにすることによりウエハに付着するパーティクルの数を一層少なくすることができること、
（ハ）フォーカスリングの外周側壁１４の中心線表面粗さは、Ｒａ：１μｍを越え１．６μｍの範囲内にあることが好ましいこと、などの知見を得たのである。 Accordingly, the present inventors have conducted research to obtain a focus ring for a plasma etching apparatus that generates even less particles. as a result,
(A) Reactive organisms generated during plasma etching adhere to the outer peripheral side wall 14 of the focus ring, and the attached reaction product peels to become particles.
(B) Therefore, as shown in FIG. 1, by roughening the surface of the outer peripheral side wall 14 of the focus ring 1 to ensure that the reaction products adhering to the outer peripheral side wall 14 of the focus ring are captured and prevented from scattering. The number of particles adhering to the wafer can be further reduced;
(C) The center line surface roughness of the outer peripheral side wall 14 of the focus ring is preferably in the range of Ra: more than 1 μm and 1.6 μm.

この発明は、かかる知見に基づいてなされたものであって、
（１）表面の中心線表面粗さＲａが１μｍ以下の鏡面を有するフォーカスリングにおいて、前記フォーカスリングの少なくとも外周側壁を中心線表面粗さＲａ：１μｍ越え〜１．６μｍの粗面にしたパーティクル発生の少ないプラズマエッチング装置用フォーカスリング、
（２）前記フォーカスリングの少なくとも外周側壁は、フォーカスリングの平面部の一部および外周側壁である前記（１）記載のパーティクル発生の少ないプラズマエッチング装置用フォーカスリング、に特徴を有するものである。 This invention has been made based on such knowledge,
(1) In a focus ring having a mirror surface with a centerline surface roughness Ra of 1 μm or less on the surface, particles are generated in which at least the outer peripheral side wall of the focus ring has a centerline surface roughness Ra of 1 μm to 1.6 μm. Focus ring for plasma etching equipment with less
(2) At least the outer peripheral side wall of the focus ring is characterized by the focus ring for a plasma etching apparatus with less particle generation described in (1), which is a part of a flat portion of the focus ring and the outer peripheral side wall.

図２に示されるフォーカスリング１の外周側壁１４にさらに鍔１７を形成したフォーカスリングもすでに知られているが、このフォーカスリングでは外周側壁１４およびに鍔の平面部１５を粗面とすることが好ましく、その粗面は中心線表面粗さＲａ：１μｍ越え〜１．６μｍの範囲内にあることが一層好ましい。したがって、この発明は、
（３）前記フォーカスリングの少なくとも外周側壁は、フォーカスリングの平面部の一部、外周側壁および鍔の平面部である前記（１）または（２）記載のパーティクル発生の少ないプラズマエッチング装置用フォーカスリング、に特徴を有するものである。 A focus ring in which a flange 17 is further formed on the outer peripheral side wall 14 of the focus ring 1 shown in FIG. 2 is already known. In this focus ring, the outer peripheral side wall 14 and the flat surface portion 15 of the flange are roughened. The rough surface is more preferably in the range of the center line surface roughness Ra: more than 1 μm to 1.6 μm. Therefore, the present invention
(3) The focus ring for a plasma etching apparatus with less generation of particles according to (1) or (2), wherein at least the outer peripheral side wall of the focus ring is a part of the flat part of the focus ring, the outer peripheral side wall, and the flat part of the flange. , Has characteristics.

この発明のプラズマエッチング装置用フォーカスリングを図面に基づいて詳細に説明する。図１は、この発明のフォーカスリングの一部断面説明図である。この発明は、図３に示される従来のフォーカスリングにおいて、外周側壁１４の表面を中心線表面粗さＲａ：１μｍ越え〜１．６μｍの粗面にしたことを特徴とするものである。 A focus ring for a plasma etching apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a partial cross-sectional explanatory view of the focus ring of the present invention. The present invention is characterized in that, in the conventional focus ring shown in FIG. 3, the surface of the outer peripheral side wall 14 has a rough surface with a center line surface roughness Ra of more than 1 μm to 1.6 μm.

図２は、この発明の別の実施形態のフォーカスリングの一部断面説明図であり、図４に示される従来のフォーカスリングにおいて、外周側壁１４の表面を中心線表面粗さＲａ：１μｍ越え〜１．６μｍの粗面にし、さらにフォーカスリング１の外周側壁１４に形成されている鍔１７の平面部１５の表面を中心線表面粗さＲａ：１μｍ越え〜１．６μｍの粗面に形成したものである。この鍔の平面部１５の表面を中心線表面粗さＲａ：１μｍ越え〜１．６μｍの粗面にすることにより外周側壁１４と押え治具１６の内側壁面とで形成された溝の中に溜まった反応生成物が飛散することがないように捕獲堆積させることができる。
外周側壁１４の表面および鍔の平面部１５の表面における中心線表面粗さＲａの上限をいずれも１．６μｍにしたのは、１．６μｍを越えて粗くするとかえってパーティクルの発生が多くなるので好ましくないからである。 FIG. 2 is a partial cross-sectional explanatory view of a focus ring of another embodiment of the present invention. In the conventional focus ring shown in FIG. 4, the surface of the outer peripheral side wall 14 has a center line surface roughness Ra exceeding 1 μm. The surface of the flat portion 15 of the flange 17 formed on the outer peripheral side wall 14 of the focus ring 1 is formed into a rough surface having a center line surface roughness Ra of more than 1 μm to 1.6 μm. It is. By making the surface of the flat surface portion 15 of the ridge into a rough surface with a center line surface roughness Ra of more than 1 μm to 1.6 μm, the surface is accumulated in a groove formed by the outer peripheral side wall 14 and the inner wall surface of the holding jig 16. The trapped reaction product can be trapped and deposited so as not to be scattered.
It is preferable that the upper limit of the center line surface roughness Ra on the surface of the outer peripheral side wall 14 and the surface of the ridge flat portion 15 is 1.6 μm because if the roughness exceeds 1.6 μm, the generation of particles increases. Because there is no.

この発明のプラズマエッチング装置用フォーカスリングを使用すると、パーティクル発生が一層少なくなり、コスト削減することができると共にプラズマエッチングによる半導体集積回路の不良品発生を大幅に減らすことができ、半導体装置産業の発展に大いに貢献しうるものである。   When the focus ring for a plasma etching apparatus of the present invention is used, the generation of particles can be further reduced, the cost can be reduced, and the generation of defective products of the semiconductor integrated circuit due to the plasma etching can be greatly reduced. It can greatly contribute to.

実施例１
市販のプラズマエッチング装置を用意した。さらに、外径：３５０ｍｍ、内径：２９５ｍｍ、厚さ：５ｍｍの寸法を有し、全表面が中心線表面粗さＲａ：０．１μｍに鏡面仕上げされた石英からなる市販のフォーカスリングを用意した。
この市販のフォーカスリングの平面部１８の外径から内径に向かって幅：１０ｍｍに亘り砂ずり加工して表１に示される中心線表面粗さＲａに仕上げることにより粗面の外側領域ｆ２を形成し、従来フォーカスリング１を作製した。
この従来フォーカスリング１の外周側壁１４の表面をさらに表１に示される中心線表面粗さＲａとなるように砂ずり加工することにより本発明フォーカスリング１〜３および比較フォーカスリング１〜２を作製した。 Example 1
A commercially available plasma etching apparatus was prepared. Further, a commercially available focus ring made of quartz having dimensions of an outer diameter of 350 mm, an inner diameter of 295 mm, and a thickness of 5 mm and having a mirror-finished entire surface with a centerline surface roughness Ra of 0.1 μm was prepared.
An outside region f2 of the rough surface is formed by sand-grinding the width: 10 mm from the outer diameter to the inner diameter of the flat portion 18 of this commercially available focus ring to finish the center line surface roughness Ra shown in Table 1. Thus, a conventional focus ring 1 was produced.
By subjecting the surface of the outer peripheral side wall 14 of the conventional focus ring 1 to a sand-slipping process so as to have the centerline surface roughness Ra shown in Table 1, the present focus rings 1 to 3 and comparative focus rings 1 to 2 are produced. did.

この本発明フォーカスリング１〜３を、図５に示されるようにセットし、さらにＳｉウエハを載置し、
チャンバー内圧力：１０−１Ｔｏｒｒ、
エッチングガス組成：９０sccmＣＨＦ３＋４sccmＯ２ ＋１５０sccmＨｅ、
高周波電力：２ｋＷ、
周波数：２０ｋＨｚ、
の条件で、５００時間プラズマエッチングを行ない、エッチング開始から１５０時間、２００時間、２５０時間、３００時間、４００時間、４５０時間、５００時間経過した時点でのウエハ上のパーティクル数を測定し、その結果を表１に示した。前記パーティクル数の測定は、トプコン製のパーティクルカウンター（ＷＭ−３０００）を使用し、ウエハ表面をレーザ光により走査し、付着したパーティクルからの光散乱強度を測定することによりパーティクルの位置と大きさを認識することにより行った。 Set the focus rings 1 to 3 of the present invention as shown in FIG.
Chamber internal pressure: 10 −1 Torr,
Etching gas composition: 90 sccm CHF 3 +4 sccm O 2 +150 sccm He,
High frequency power: 2kW
Frequency: 20kHz,
The plasma etching is performed for 500 hours under the conditions, and the number of particles on the wafer is measured when 150 hours, 200 hours, 250 hours, 300 hours, 400 hours, 450 hours, and 500 hours have elapsed from the start of etching. Are shown in Table 1. The number of particles is measured by using a particle counter (WM-3000) manufactured by Topcon, scanning the wafer surface with laser light, and measuring the light scattering intensity from the adhered particles to determine the position and size of the particles. Done by recognizing.

Figure 2009010017
Figure 2009010017

表１に示される結果から、従来フォーカスリング１および表面粗さがこの発明の範囲から外れている比較フォーカスリング１〜２は、３００時間の使用でパーティクル数が１００個を越えているのに対し、本発明フォーカスリング１〜３は４００時間までパーティクル数は低いことから、本発明フォーカスリング１〜３は従来フォーカスリング１および比較フォーカスリング１〜２に比べてパーティクルを発生させることなく長時間使用できることが分かる。 From the results shown in Table 1, the conventional focus ring 1 and comparative focus rings 1 and 2 whose surface roughness is out of the scope of the present invention have more than 100 particles after 300 hours of use. Since the focus rings 1 to 3 of the present invention have a low number of particles up to 400 hours, the focus rings 1 to 3 of the present invention can be used for a long time without generating particles compared to the conventional focus ring 1 and the comparative focus rings 1 and 2 I understand that I can do it.

実施例２
図２に示されるように、外径：３６０ｍｍ、内径：２９５ｍｍ、厚さ：５ｍｍを有し、さらに外周側壁１４の周囲に鍔１７を有する全表面が中心線表面粗さＲａ：０．１μｍに鏡面仕上げされた石英からなる市販のフォーカスリングを用意した。
このフォーカスリングの外径から内径に向かって幅：１０ｍｍを砂ずり加工して表２に示される中心線表面粗さＲａを有する粗面の外側領域ｆ２を形成し、従来フォーカスリング２を作製した。この従来フォーカスリング２の外周側壁１４および鍔１７の平面部１５の表面をさらに表２に示される中心線表面粗さＲａの粗面に仕上げることにより本発明フォーカスリング４〜６および比較フォーカスリング１〜２を作製した。 Example 2
As shown in FIG. 2, the entire surface having an outer diameter: 360 mm, an inner diameter: 295 mm, a thickness: 5 mm, and further having ridges 17 around the outer peripheral side wall 14 has a centerline surface roughness Ra: 0.1 μm. A commercially available focus ring made of quartz with a mirror finish was prepared.
A conventional focus ring 2 was manufactured by sanding a width of 10 mm from the outer diameter to the inner diameter of the focus ring to form a rough outer region f2 having a centerline surface roughness Ra shown in Table 2. . By further finishing the surfaces of the outer peripheral side wall 14 and the flat portion 15 of the flange 17 of the conventional focus ring 2 to a rough surface having a centerline surface roughness Ra shown in Table 2, the focus rings 4 to 6 of the present invention and the comparative focus ring 1 are used. ~ 2 were made.

この本発明フォーカスリング４〜６の鍔１７を押え治具１６により押えてフォーカスリング１をセットし、さらにＳｉウエハを載置し、
チャンバー内圧力：１０−１Ｔｏｒｒ、
エッチングガス組成：９０sccmＣＨＦ３＋４sccmＯ２ ＋１５０sccmＨｅ、
高周波電力：２ｋＷ、
周波数：２０ｋＨｚ、
の条件で、５００時間プラズマエッチングを行ない、エッチング開始から１５０時間、２５０時間、３００時間、４００時間、４５０時間、５００時間経過した時点でのウエハ上のパーティクル数を実施例１と同様にして測定し、その結果を表２に示した。 The focus ring 1 is set by pressing the flanges 17 of the focus rings 4 to 6 of the present invention with the pressing jig 16, and a Si wafer is placed thereon.
Chamber internal pressure: 10 −1 Torr,
Etching gas composition: 90 sccm CHF 3 +4 sccm O 2 +150 sccm He,
High frequency power: 2kW
Frequency: 20kHz,
Plasma etching is performed for 500 hours under the conditions described above, and the number of particles on the wafer when 150 hours, 250 hours, 300 hours, 400 hours, 450 hours, and 500 hours have elapsed from the start of etching is measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2.

Figure 2009010017
Figure 2009010017

表２に示される結果から、従来フォーカスリング２および表面粗さがこの発明の範囲から越えている比較フォーカスリング３〜４は、３００時間の使用でパーティクル数が１００個を越えているのに対し、本発明フォーカスリング４〜６は４００時間までパーティクル数は低いことから、本発明フォーカスリング４〜６は従来フォーカスリング２および比較にフォーカスリング３〜４に比べてパーティクルを発生させることなく長時間使用できることが分かる。 From the results shown in Table 2, the conventional focus ring 2 and the comparative focus rings 3 to 4 whose surface roughness exceeds the range of the present invention have more than 100 particles after 300 hours of use. Since the focus rings 4 to 6 of the present invention have a low number of particles up to 400 hours, the focus rings 4 to 6 of the present invention are longer than the conventional focus ring 2 and the comparison with the focus rings 3 to 4 without generating particles. It turns out that it can be used.

この発明のフォーカスリングの一部断面説明図である。It is a partial cross section explanatory view of the focus ring of this invention. この発明の別のフォーカスリングの一部断面説明図である。It is a partial cross section explanatory view of another focus ring of this invention. 従来のフォーカスリングを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the conventional focus ring. 従来の別のフォーカスリングを示す断面図である。It is sectional drawing which shows another conventional focus ring. 通常のプラズマエッチング装置の断面概略説明図である。It is a cross-sectional schematic explanatory drawing of a normal plasma etching apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１：フォーカスリング、２：シリコン電極板、３：架台、４：ウエハ、５：貫通細孔、６：高周波電源、７：プラズマエッチングガス、８：真空チャンバー、９：静電チャック、１０：ブラズマ、１１：拡散部材、１２：シールド支持電極、１３：絶縁体、１４：外周側壁、１５：鍔の平面部、１６：押え治具、１７：鍔、１８：平面部 1: focus ring, 2: silicon electrode plate, 3: mount, 4: wafer, 5: through-hole, 6: high frequency power supply, 7: plasma etching gas, 8: vacuum chamber, 9: electrostatic chuck, 10: plasma 11: Diffusion member, 12: Shield support electrode, 13: Insulator, 14: Outer peripheral side wall, 15: Plane portion of ridge, 16: Holding jig, 17: ridge, 18: Plane portion

Claims (3)

表面の中心線表面粗さＲａが１μｍ以下の鏡面を有するフォーカスリングにおいて、前記フォーカスリングの少なくとも外周側壁を中心線表面粗さＲａ：１μｍ越え〜１．６μｍの粗面にしたことを特徴とするパーティクル発生の少ないプラズマエッチング装置用フォーカスリング。 In the focus ring having a mirror surface with a centerline surface roughness Ra of 1 μm or less, at least the outer peripheral side wall of the focus ring is a rough surface having a centerline surface roughness Ra of more than 1 μm to 1.6 μm. Focus ring for plasma etching equipment that generates less particles. 前記フォーカスリングの少なくとも外周側壁は、フォーカスリングの平面部の一部および外周側壁であることを特徴とする請求項１記載のパーティクル発生の少ないプラズマエッチング装置用フォーカスリング。 The focus ring for a plasma etching apparatus with less generation of particles according to claim 1, wherein at least the outer peripheral side wall of the focus ring is a part of a flat portion of the focus ring and the outer peripheral side wall. 前記フォーカスリングの少なくとも外周側壁は、フォーカスリングの平面部の一部、外周側壁および外周側壁の周囲に設けられた押え鍔の平面部であることを特徴とする請求項１または２記載のパーティクル発生の少ないプラズマエッチング装置用フォーカスリング。 3. The particle generation according to claim 1, wherein at least an outer peripheral side wall of the focus ring is a part of a flat part of the focus ring, an outer peripheral side wall, and a flat part of a presser bar provided around the outer peripheral side wall. A focus ring for plasma etching equipment with less noise.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI476831B (en) * 2012-03-28 2015-03-11 Tgl tio2/sio2/nitride dry etch
CN108074788A (en) * 2016-11-14 2018-05-25 台湾积体电路制造股份有限公司 The manufacturing method of semiconductor manufacturing equipment and semiconductor device
WO2024040526A1 (en) * 2022-08-25 2024-02-29 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. Multi-layer focus ring for plasma semiconductor processing

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1161451A (en) * 1997-08-25 1999-03-05 Hitachi Chem Co Ltd Focus ring of plasma etching equipment and plasma etching equipment
JP2002016126A (en) * 2000-04-25 2002-01-18 Tokyo Electron Ltd Mounting device for object
JP2006140423A (en) * 2004-11-15 2006-06-01 Tokyo Electron Ltd Focus ring, plasma etcher and plasma etching method

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1161451A (en) * 1997-08-25 1999-03-05 Hitachi Chem Co Ltd Focus ring of plasma etching equipment and plasma etching equipment
JP2002016126A (en) * 2000-04-25 2002-01-18 Tokyo Electron Ltd Mounting device for object
JP2006140423A (en) * 2004-11-15 2006-06-01 Tokyo Electron Ltd Focus ring, plasma etcher and plasma etching method

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI476831B (en) * 2012-03-28 2015-03-11 Tgl tio2/sio2/nitride dry etch
CN108074788A (en) * 2016-11-14 2018-05-25 台湾积体电路制造股份有限公司 The manufacturing method of semiconductor manufacturing equipment and semiconductor device
CN108074788B (en) * 2016-11-14 2021-07-23 台湾积体电路制造股份有限公司 Semiconductor processing equipment and manufacturing method of semiconductor device
WO2024040526A1 (en) * 2022-08-25 2024-02-29 Beijing Naura Microelectronics Equipment Co., Ltd. Multi-layer focus ring for plasma semiconductor processing

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