JP2009004238A - 電極、電極組立体及びその製造方法 - Google Patents

電極、電極組立体及びその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】冷陰極放電管のカップ形状の電極とリードとを強固に溶着する。
【解決手段】 環状の側壁(4)及び側壁(4)の一端を閉鎖する底壁(5)を有する電極(2)と、側壁(4)に同軸上で電極(2)の凹部(6)内に固定されたリード(3)とを電極組立体に設け、中心部が最大厚さとなる突起(7)を底壁(5)に設けることにより、ガウシアン分布と相補的な形状に近づく厚さで底壁(5)を形成できるため、リード(3)及び底壁(5)の溶接部の局部的な過熱を防止しながら、リード(3)及び底壁(5)の溶接部全体をより均一な温度で加熱して溶接することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、冷陰極放電管の電極にリードを強固に溶接できる電極及び電極組立体及びその製造方法に関するものである。
希ガス及び水銀蒸気が充填されたガラス管の内部に一対の電極が対向して配置され且つガラス管の内壁に蛍光膜が被覆された冷陰極放電管は、従来から液晶ディスプレイのバックライト用光源等として広く使用されている。冷陰極放電管の一対の電極には導入線（リード）の一端が接続され、導入線の他端はガラス管の両端から外部に導出される。一対の電極間に電圧を印加すると、一方の電極から電子が放出され、ガラス管内の水銀原子に電子が衝突して紫外線を発生する。この紫外線は、ガラス管の内壁に形成された蛍光膜で可視光線に波長変換される。
下記特許文献１は、ガラスバルブの両端部に封入された導入金属体の先端に取り付けられた電極を製造する際に、導入金属体を嵌入可能な穴部を有するホロー金属体を用いて電極を構成し、穴部に前記導入金属体を嵌入した状態で、ホロー金属体の側方部からレーザ光の照射を行い、穴部内にホロー金属体と導入金属体との接合部を形成する。ホロー金属体の内表面に対して直接的にレーザ光を照射せずに、ホロー金属体の側方部からレーザ光を照射して、穴部内に形成される接合部を用いてホロー金属体と導入金属体とが接合されるため、ホロー金属体の内表面の温度上昇を適切に抑えることにより、ホロー金属体内表面上での酸化膜の形成を抑制することができる。
特開２００３−２７２５２０（図２）
一般的にレーザ溶接に使用するレーザ光を導くファイバには、ＧＩファイバ（Graded Index Fiber）とＳＩファイバ（Step Index Fiber）とがある。ＧＩファイバは、コアの中心軸から離れた外層に向かって徐々に屈折率を低下させて、モード分散を減少させる構造を有し、光は進行につれて中央に収斂するので、中央部分のエネルギ密度が外側より高い特性を有する。ＳＩファイバは、コアとクラッドの屈折率が鋭いステップ状に分布する構造を有し、異なる入射角を有する入射光の場合、入射端から出口端までの通過距離が異なり出射光は分散するので、光のエネルギは分散してより均一化する。よって、入射角の異なるレーザ光を入射させて溶接する場合、ＳＩファイバはＧＩファイバよりもエネルギ分布が均一となり、広い面積を浅く溶接する溶接法に適する。
しかしながら、ＧＩファイバよりエネルギ分布が均一に近いＳＩファイバを用いても、レーザ光の焦点（中央）部分と外側（周辺）部分との断面上のエネルギ分布（到達深さ）に相違が発生する欠陥が生ずる。
一方、強固な機械的溶接強度を保持して、電極の底部とリードとを接するほぼ全面に溶着領域を設けることが好ましい。しかしながら、カップ形状の電極の内側からレーザ光を照射して、電極とリードとを溶接する際に、図７に示すようにレーザ光の出力が弱いと、電極(2)の底壁(5)を通じて吸収されるエネルギでは、リード(3)の端部(3a)の全面を電極(2)に溶接するのに十分な温度に加熱できない。特に、前記のように、レーザ光の焦点部分とレーザ光の外側部分とにエネルギの到達深さが相違するため、リード(3)の外周壁(3b)側は、溶接温度に達せず、リード(3)と電極(2)との溶接が不十分となる。逆に、図８に示すように、レーザ光の出力を強化して高融点金属（例えばタングステン）を燒結して作成したリード(3)を使用する場合、リード(3)の端部(3a)のほぼ全領域を溶接温度以上に上昇させると、レーザ光の径方向のエネルギ分布が不均一なため、リード(3)の中心部は、溶融温度を越えてタングステンの再結晶温度に達する。その結果、タングステンの再結晶が深部まで広がり、リード(3)の機械的強度が低下し、例えば、再結晶部分を起点としてリード(3)が破断する。つまり、レーザ光の強度が強いと、再結晶化によりリード(3)の機械的強度が低下する反面、レーザ光の強度が低いと溶接が不十分となり十分な溶接強度が得られない二律背反の問題が生ずる。また、深さ方向だけでなく幅（横幅）にもレーザ光のエネルギ分布が変化するため、特許文献１に示すように、電極の側方からレーザ光を照射しても、上記と同様の問題を生ずる。
そこで、本発明は、電極にリードをより強固に溶着し、リードの機械的強度を比較的高く保つ事ができる電極及び電極組立体及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明による電極は、環状の側壁(4)及び側壁(4)の内面の一端(4b)を閉鎖する底壁(5)を有する電極(2)において、中心軸(A)が通過する底壁(5)の中心部(5c)を包囲する周辺部(5d)での底壁(5)の厚み(t1)より底壁(5)の中心部(5c)での厚み(t0)を大きく形成する突起(7)を底壁(5)に設ける。溶接時のレーザ光のエネルギは、電極(2)に吸収されて熱エネルギに変換されるが、本発明による電極では、中心軸(A)が通過する底壁(5)の中心部(5c)を包囲する周辺部(5d)での厚み(t1)より底壁(5)の中心部(5c)での厚み(t0)を大きく形成するので、リード(3)の端部(3a)の中心部(3c)には周辺部(3d)より熱エネルギが伝達され難い。このため、リード(3)の端部(3a)の中心部(3c)では、温度上昇が抑制され又は遅延され、リード(3)の周辺部(3d)では、中心部(3c)と比べて温度上昇が抑制されないので、リード(3)の端部(3a)の温度分布を径方向（リード(3)の幅方向）に均一化することができる。従って、リード(3)の端部(3a)の外周壁(3b)側の温度が再結晶化温度以上となるレベルにレーザ光の出力を上昇しても、リード(3)の中心部(3c)の温度は、従来と比べて外周壁(3b)の温度により等しいか又はそれ未満に緩和されるから、従来の電極組立体(1)とは異なり、リード(3)の中心部(3c)での端部(3a)から深部まで再結晶化し網目状組織化することを抑制して、粒界破断によるリード(3)の機械的強度の低下を抑制することができる。
本発明の実施の形態による電極は、環状の側壁(4)及び側壁(4)の内面(4a)の一端(4b)を閉鎖する底壁(5)を有する。底壁(5)の外面(5b)に凹部(6)を形成し、凹部(6)の側壁(4)側に相対する底壁(5)の厚み(t1)より凹部(6)の中心に相対する底壁(5)の厚み(t0)を大きく形成した突起(7)を底壁(5)に設ける。
本発明による電極組立体は、環状の側壁(4)及び側壁(4)の内面(4a)の一端(4b)を閉鎖する底壁(5)を有する電極(2)と、電極(2)の底壁(5)に固定されたリード(3)とを備える電極組立体において、中心軸(A)が通過する底壁(5)の中心部(5c)を包囲する周辺部(5d)での厚み(t1)より底壁(5)の中心部(5c)での厚み(t0)を大きく形成する突起(7)を底壁(5)に設ける。
本発明による電極組立体の製造方法は、環状の側壁(4)と側壁(4)の内面(4a)の一端(4b)を閉鎖する底壁(5)とを有し且つ中心軸(A)が通過する底壁(5)の中心部(5c)を包囲する周辺部(5d)での厚み(t1)より底壁(5)の中心部(5c)での厚み(t0)の大きい突起(7)を形成した電極(2)と、リード(3)とを準備する工程と、リード(3)の端部(3a)を底壁(5)の外面(5b)に当接する工程と、側壁(4)の内面(4a)の他端(4c)側の開口部(8)から底壁(5)の内面(5a)に向かってレーザ光を照射し、リード(3)の端部(3a)を電極(2)の底壁(5)の外面(5b)に溶接する工程とを含む。
本発明の実施の形態による電極組立体の製造方法は、環状の側壁(4)及び側壁(4)の内面(4a)の一端(4b)を閉鎖する底壁(5)と、底壁(5)の外面(5b)に形成された凹部(6)とを有し、凹部(6)の側壁(4)側に相対する底壁(5)の厚み(t1)より凹部(6)の中心に相対する底壁(5)の厚み(t0)を大きく形成した突起(7)を底壁(5)に設けた電極(2)と、リード(3)とを準備する工程と、リード(3)の端部(3a)を底壁(5)の外面(5b)に当接する工程と、側壁(4)の内面(4a)の他端(4c)側の開口部(8)から底壁(5)の内面(5a)に向かってレーザ光を照射し、リード(3)の端部(3a)を電極(2)の底壁(5)の外面(5b)に溶接する工程とを含む。
本発明によれば、電極にリードをより強固に溶着し、リードの機械的強度を比較的高く保つ事ができる。
以下、本発明による電極及び電極組立体及びその製造方法の実施の形態を図１〜図６について説明する。
［第１の実施の形態］
本発明の電極は、環状の側壁(4)及び側壁(4)の内面の一端(4b)を閉鎖する底壁(5)を有する。中心軸(A)が通過する底壁(5)の中心部(5c)を包囲する周辺部(5d)での厚み(t1)より底壁(5)の中心部(5c)での厚み(t0)が大きく形成される突起(7)が設けられる。底壁(5)に突起(7)を設けることにより、凹部(6)の側壁(4)側に相対する底壁(5)の厚み(t1)より大きい厚み(t0)が凹部(6)の中心に相対する底壁(5)に形成される。図１〜図５に示すように、中心部(5c)を最大高さとする緩慢な曲線状又は図６に示すように、階段状の突起(7)が底壁(5)の内面(5a)又は外面(5b)に形成される。電極(2)の中心軸(A)に中心が整合する凹部(6)が底壁(5)の外面(5b)に形成される。
電極組立体(1)を製造する際に、まず、図１及び図２に示すように、環状の側壁(4)及び側壁(4)の内面(4a)の一端(4b)を閉鎖する底壁(5)を有し且つ底壁(5)の内面(5a)と側壁(4)で囲まれた第１の空間(10)と第１の空間(10)とは反対側に開口して底壁(5)の外面(5b)に形成された凹部(6)によって形成された第２の空間(11)を有する電極(2)と、リード(3)とを準備する。底壁(5)の大きい厚み(t0)の突起(7)の中心部(5c)の直径は、リード(3)の直径と同一であり又はこれより小さい。
電極(2)は、例えばニッケル、ニオブ、モリブデン、タングステン、タンタルから選択される金属又はこれらの金属の少なくとも１つを含む合金によって構成される。しかしながら、例えば、ニオブ、モリブデン、タングステン、タンタルから選択される耐スパッタ性の金属粒子で電極(2)を形成することが望ましい。また、耐スパッタ性の金属粒子の担体を担持する結着材としてニッケル等の低融点金属により基材を形成して、基材中に耐スパッタ性の多数の金属粒子を分散させる金属材料組織でも良い。
図２に示すように、電極(2)の凹部(6)は、リード(3)の直径より大きい直径の円形断面に形成され、第２の空間(11)を形成する電極(2)の凹部(6)の長さ方向（縦方向）の中心軸は、第１の空間(10)を形成する電極(2)の環状の側壁(4)の中心軸(A)に重なり整合する。これにより、リード(3)の端部(3a)を電極(2)の凹部(6)に嵌合して、電極(2)の中心軸とリード(3)の端部(3a)の中心軸とを同一直線上に整合させて、電極(2)の底壁(5)の中心部(5c)とリード(3)の端部(3a)の中心部(3c)とを同一直線上に配置できる。
中心軸(A)が通過する底壁(5)の中心部(5c)を包囲する周辺部(5d)での厚み(t1)より底壁(5)の中心部(5c)での厚み(t0)が大きいため、電極(2)の底壁(5)は、溶接によってリード(3)の端部(3a)の中心部(3c)に接する（又は対向する）部分の厚み(t0)は、リード(3)の外周壁(3b)に接する（又は対向する）部分の厚み(t1)よりも大きい。電極(2)の底壁(5)では、第２の空間(11)を形成する凹部(6)の底面は、平坦であり、第１の空間(10)を形成する底壁(5)の内面(5a)では、リード(3)の端部(3a)に対応する中心部(5c)を包囲する周辺部(5d)からリード(3)の端部(3a)の中心部(3c)に対応する中心部(5c)に向かい徐々に厚く形成される。従って、電極(2)の底壁(5)の中心部(5c)とリード(3)の端部(3a)の中心部(3c)とを同一直線上に配置すると、電極(2)の底壁(5)の内面(5a)では、中心部(5c)に最も高く厚い突起(7)が形成される。
また、電極(2)の側壁(4)の直径を２.７mm、電極(2)の側壁(4)の厚みを０.２mm、電極(2)の凹部(6)の直径を０.９〜１.０mmとし、レーザ光による電極(2)の内面(4a)で発生する熱エネルギをリード(3)の端部(3a)に伝達し易くするため凹部(6)より小さい、例えば０.４〜０.６mmの直径で電極(2)の突起(7)を形成することが望ましい。また、底壁(5)の凹部(6)より外側の厚み(t2)を２.０mm、底壁(5)の凹部(6)及び突起(7)を有する底壁(5)の箇所の厚みを１.５mm（ｔ1：側壁側）〜１.８mm（ｔ0：中央部）とし、図２のように緩慢な正規分布曲線的に厚みを変化させるとよい。
略円柱形のリード(3)の直径は、凹部(6)の直径以下、例えば０.９mmである。リード(3)は、電極(2)と同一の又は異なる金属材料で形成される。但し、電極組立体(1)を使用中に電極(2)の底壁(5)にスパッタで穴が開き、リード(3)の端部(3a)が露出しても、電極組立体(1)のスパッタ性を高く保持するように、ニオブ、モリブデン、タングステン又はこれらの合金の粉末によりリード(3)を形成することが望ましい。融点の高い前記粉末金属は、粉末金属を加圧下で加熱して燒結して形成される。しかしながら、燒結したリード(3)を溶接等により再結晶化すると、結晶構造が網目状組織になり、粒界破断してリード(3)が破断する恐れがあった。
そこで、本発明の第１の実施の形態の電極(2)とリード(3)とをレーザ溶接して電極組立体(1)を形成する製造方法について説明する。
リード(3)の端部(3a)を電極(2)の凹部(6)に嵌合して、リード(3)の端部(3a)を底壁(5)の外面(5b)に当接させて、電極(2)に対しリード(3)を押圧する。次に、開口部(8)を通じて第１の空間(10)から電極(2)の底壁(5)の内面(5a)に向かってレーザ光を照射してリード(3)が電極(2)の底壁(5)に溶接される。この場合、レーザ溶接にはＳＩファイバを通じたレーザ光を導入することが望ましい。この場合に、ＳＩファイバを用いても、出射光のエネルギ分布は、中心部が尖るガウシアン分布となるので、本発明の第１の実施の形態の電極(2)では、レーザ溶接によってリード(3)の端部(3a)の中心部(3c)と対向する部分の厚み(t0)、つまり、凹部(16)の中心に相対する底壁(5)の厚みをレーザ溶接によってリード(3)の端部(3a)の外周壁(3b)側と対向する部分の厚み(t1)、つまり凹部(6)の側壁に相対する厚みより厚い突起(7)を形成する。突起(7)を形成するため、電極(2)の底壁(5)の中心部(5c)ほど電極(3)の底壁(5)が厚くなり、底壁(5)の中心部(5c)は、リード(3)の端部ほど熱エネルギが伝達され難い。従って、電極(2)の底壁(5)の中心部(5c)に向かって電極(3)の底壁(5)の厚みを増加するガウシアン分布のエネルギ分布を反転した形状に相似する形状で突起(7)を形成して、リード(3)の端部(3a)側の温度上昇を抑制し又は遅延させて、リード(3)の端部(3a)の温度上昇（加熱）を径方向に均一化することができる。このため、リード(3)の外周壁(3b)側のリード(3)の端部(3a)の温度が再結晶化温度以上のレベルにレーザ光の出力を上昇しても、リード(3)の端部(3a)の中心部(3c)は、従来の電極組立体(1)のように、リード(3)の端部(3a)からリード(3)のより深部まで再結晶化されない。このように、リード(3)の端部(3a)の深部まで再結晶して、組織が網目状化することを抑制し、粒界破断によるリード(3)の部分的機械強度の低下を抑制することができる。従って、本発明では、カップ形状の電極にリードをより強固に溶着し、リードの機械的強度を比較的保つ事ができる電極組立体(1)を提供することができる。
更に、第２の空間(11)では、溶融する電極(2)を構成する十分量の金属材料がリード(3)と凹部(6)によって薄くなった底壁(5)とを従来より低いエネルギで溶接し且つ凹部(6)を形成する円筒壁面とリード(3)の外周壁(3b)との間に充填されて、底壁(5)の凹部(6)が形成された箇所の底壁(5)の厚みをレーザ溶接前に比べてレーザ溶接後に厚くする事ができ、電極組立体(1)の耐スパッタ性を向上することができる。なお、レーザ溶接前に電極(2)に形成される突起(7)の高さが、レーザ溶接後に減少し、平坦にゼロとなり又は逆に窪んで凹状となっても良い。
［第2の実施の形態］
図４は、第２の実施の形態による電極組立体を示す。なお、図４〜図６では、図１と実質的に同一の部分には同一の参照符号を付してその説明を省略する。
図４に示す実施の形態の電極(2)は、突起(7)の代わりに変形された突起(7)を設けるが、他の構成は、図１と同一である。図３の電極(2)は、第２の空間(11)を形成する電極(2)の底壁(5)の外面(5b)の凹部(6a)に突起(7)を形成し、第１の空間(10)を形成する電極(2)の底壁(5)の内面(5a)を平坦面とする。図３の電極(2)は、図１に示す本発明の第1の実施の形態の電極と同様に、リード(3)の端部(3a)の中心部(3c)と対向する部分の厚み(t0)がリード(3)の端部(3a)の外周壁(3b)側と対向する部分の厚み(t1)よりも厚いので、図１の本発明の第1の実施の形態の電極(2)と同様な効果を有する。同様に、図５の第2の実施の形態に示す電極(2)とリード(3)を組合わせる電極組立体(1a)も図１の本発明の第1の実施の形態の電極組立体(1)と同様な効果を有する。電極(2)の底壁(5)の凹部(6a)の側方から中心部(5c)に向かって周辺部(5d)の厚み(t1)から徐々に増加する厚みで突起(7)を形成し、中心部(5c)を最大厚さ(t0)とすることができる。
［第３の実施の形態］
図５に示す実施の形態の電極(2)では、底壁(5)の内面(5a)と外面(5b)からそれぞれ突起(7)を突出させるが、他の構成は、図１と同一である。図５の電極(2)は、第１の空間(10)を形成する電極(2)の底壁(5)の内面(5a)に突出する突起(7)と、第２の空間(11)を形成する電極(2)の底壁(5)の外面(5b)の凹部(6a)に突出する突起(7)が形成される。図１に示す本発明の第1の実施の形態の電極(2)と同様に、図５の電極(2)は、リード(3)の中心部(3c)と対向する中心部(5c)の電極(2)の底壁(5)の厚み(t0)は、リード(3)の外周壁(3b)側と対向する周辺部(5d)の電極(2)の底壁(5)の厚み(t1)より大きいので、図１の本発明の第1の実施の形態の電極(2)と同様の効果を生ずる。同様に、図５の第３の実施の形態に示す電極(2)とリード(3)を溶接した電極組立体(1b)も、図１の本発明の第1の実施の形態の電極組立体(1)と同様な効果を有する。電極(2)の底壁(5)の側方の周辺部(5d)の厚さ(t1)から中心部(5c)に向かって徐々に増加する厚みで突起(7)を形成し、中心部(5c)に最大厚さ(t0)を設けることができる。
［第４の実施の形態］
図６に示す第４の実施の形態の電極(2)では、変形された突起(7)を設け、他の構成を図１と同一にしたものである。図６の電極(2)は、図１〜図５に示すように、緩慢な曲線状ではなく、階段状の突起(7)に形成される。図６の電極(2)は、図１に示す本発明の第1の実施の形態の電極(2)と同様にリード(3)の中心部(3c)と対向する部分での電極(2)の底壁(5)の厚み(t0)がリード(3)の外周壁(3b)側と対向する部分での電極(2)の底壁(5)の厚み(t1)より厚いので、図１に示す本発明の第１の実施の形態の電極(2)と同様な効果を有する。同様に、図6の第４の実施の形態に示す電極(2)とリード(3)を溶接した電極組立体(1c)も図１の本発明の第1の実施の形態の電極組立体(1)と同様な効果を有する。電極(2)の底壁(5)の側方の厚さ(t1)から中心部(5c)に向かって徐々に増加する厚みで突起(7)を形成し、中心部(5c)に最大厚さ(t0)が付与される。
本発明は、前記実施の形態に限定されず、更に変更が可能である。例えば、例えば、高さ０.０１mm〜２.００mm、直径０.２０mm〜２.００mmの範囲で突起(7)を形成することができる。また、電極組立体(1)を製造する際に、側壁(4)に同軸上に底壁(5)の外面(5b)に凹部(6)を形成せずに電極(2)を準備し、底壁(5)の凹部(6)にリード(3)を嵌合せず、リード(3)を電極(2)の底壁(5)に溶接してもよい。レーザ溶接法を適用する例を説明したが、レーザ溶接法の代わりに、抵抗溶接法により電極(2)とリード(3)とを溶接しても本発明の効果を得る事ができる。
本発明は、冷陰極放電管の電極にリードを強固に溶接する電極組立体に適用できる。
本発明による第１の実施の形態を示す電極組立体の断面図 図１に示す電極組立体の底壁の一部を示す部分拡大断面図 図１に示す電極組立体の分解断面図 本発明による第２の実施の形態を示す電極組立体の分解断面図 本発明による第３の実施の形態を示す電極組立体の分解断面図 本発明による第４の実施の形態を示す電極組立体の分解断面図 レーザ光により電極にリードを溶接する従来の一方法を示す電極組立体の断面図 レーザ光により電極にリードを溶接する従来の他の方法を示す電極組立体の断面図
符号の説明
(1)・・電極組立体、 (2)・・電極、 (3)・・リード、 (4)・・側壁、 (4b)・・一端、 (5)・・底壁、 (5a)・・内面、 (5b)・・外面、 (5c)・・中心部、 (5d)・・周辺部、 (6)・・凹部、 (7)・・突起、 (8)・・開口部、

Claims (12)

  1. 環状の側壁及び該側壁の内面の一端を閉鎖する底壁を有する電極において、
    中心軸が通過する前記底壁の中心部を包囲する周辺部での前記底壁の厚みより前記底壁の中心部での厚みを大きく形成した突起を前記底壁に設けたことを特徴とする電極。
  2. 中心部を最大高さとする緩慢な曲線状又は階段状の前記突起を前記底壁の内面に形成した請求項１に記載の電極。
  3. 環状の側壁及び該側壁の内面の一端を閉鎖する底壁を有する電極において、
    前記底壁の外面に凹部を形成し、
    該凹部の側壁側に相対する前記底壁の厚みより前記凹部の中心に相対する前記底壁の厚みを大きく形成した突起を前記底壁に設けたことを特徴とする電極。
  4. 前記電極の中心軸に中心が整合する前記凹部を前記底壁の外面に形成した請求項１〜３の何れか１項に記載の電極。
  5. 環状の側壁及び該側壁の内面の一端を閉鎖する底壁を有する電極と、該電極の底壁に固定されたリードとを備える電極組立体において、
    中心軸が通過する前記底壁の中心部を包囲する周辺部での厚みより前記底壁の中心部での厚みを大きく形成した突起を前記底壁に設けたことを特徴とする電極組立体。
  6. 前記リードの中心部の中心は、前記電極の中心軸上に整合し、前記突起の直径は、前記リードの直径と同一であり又はこれより小さい請求項５に記載の電極組立体。
  7. 中心部を最大高さとする緩慢な曲線状又は階段状の前記突起を前記底壁の内面に形成した請求項５又は６に記載の電極組立体。
  8. 環状の側壁と該側壁の内面の一端を閉鎖する底壁とを有し且つ中心軸が通過する前記底壁の中心部を包囲する周辺部での厚みより前記底壁の中心部での厚みの大きい突起を形成した電極と、リードとを準備する工程と、
    該リードの端部を前記底壁の外面に当接する工程と、
    前記側壁の内面の他端側の開口部から前記底壁の内面に向かってレーザ光を照射し、前記リードの端部を前記電極の底壁の外面に溶接する工程とを含むことを特徴とする電極組立体の製造方法。
  9. 前記底壁の中心部から側方に向かって緩慢な曲線状又は階段状の前記突起を前記底壁の内面又は外面の少なくとも一方に形成することにより、前記周辺部での厚みより前記底壁の中心部での厚みを大きく形成した請求項８に記載の電極組立体の製造方法。
  10. 前記電極の中心軸に中心が整合する凹部を前記底壁の外面に形成し、
    前記リードの端部を前記凹部内に嵌合して、前記リードの端部を前記底壁の外面に当接する請求項８又は９に記載の電極組立体の製造方法。
  11. 環状の側壁及び該側壁の内面の一端を閉鎖する底壁と、該底壁の外面に形成された凹部とを有し、該凹部の側壁側に相対する前記底壁の厚みより前記凹部の中心に相対する前記底壁の厚みを大きく形成した突起を前記底壁に設けた電極と、リードとを準備する工程と、
    該リードの端部を前記底壁の外面に当接する工程と、
    前記側壁の内面の他端側の開口部から前記底壁の内面に向かってレーザ光を照射し、前記リードの端部を前記電極の底壁の外面に溶接する工程とを含むことを特徴とする電極組立体の製造方法。
  12. 前記リードの端部の中心部を通る直線上に焦点を置いて前記レーザ光を照射する請求項８〜１１の何れか１項に記載の電極組立体の製造方法。
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WO2012110154A1 (de) * 2011-02-15 2012-08-23 Robert Bosch Gmbh Verfahren zum verbinden zweier fügepartner mittels laserstrahlung und mechanischen druckes, verwendung des verfahrens sowie fügepartner

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