JP2008544263A - 電磁波検出用装置及びそのような装置製造のための方法 - Google Patents
電磁波検出用装置及びそのような装置製造のための方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008544263A JP2008544263A JP2008517333A JP2008517333A JP2008544263A JP 2008544263 A JP2008544263 A JP 2008544263A JP 2008517333 A JP2008517333 A JP 2008517333A JP 2008517333 A JP2008517333 A JP 2008517333A JP 2008544263 A JP2008544263 A JP 2008544263A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plate
- detector structure
- membrane
- partially
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 3
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
Description
− 膜及びその膜に少なくとも部分的に固定された検出器構造体を含む第一プレート、
− 第一プレートに取付けられた第二プレート、
− 第一及び(又は)第二のプレートの上での表面実装技術のための少なくとも1個所の接触点、
それにより、検出器構造体と接触点の間の接続ライン(line)が少なくとも部分的に第一及び(又は)第二のプレートを通過し、又、この接続ラインが少なくとも部分的に膜蒸着及び(又は)めっきにより作成されている。
− 膜及びその膜に少なくとも部分的に固定された検出器構造体を含む第一プレート、
− 第一プレートとその第一プレートに取付けられた第二プレートの中の第一閉鎖空洞に少なくとも部分的に接した膜、その第二プレートが第二閉鎖空洞を有し、その膜が少なくとも部分的に第二空洞に接している。
しながら、その空洞は、プレート内に切り込み部又は隙間として作られることがあり、その切り込み部又は隙間は、膜により、一方の側で閉じられる、又、例えば、第一プレート上に配置された下記の第三プレートのように、隙間のあるプレート上に配置された別のプレートにより他の側で閉じられる。
しない。例えば、検出器構造体には抵抗器(例えば、ボロメーター(Bolometer)を含めることができ、又は、例えば、熱膨張(例えば、Golay−Cells)に基づくこともできる。さらに、検出器構造体をバンド・ギャップ(band gap)検出器として装置を使用できるように設計できる。
アルミニウムのような反射材で被覆される。好ましくは、この反射材は、検出すべき電磁波が浸透可能になっていて、そのような浸透可能な部分を予測できる各プレートの部分を囲むように配置されている。反射材料の使用により、浸透可能部分を通過せず、それゆえ、検出すべき波の束の部分ではない電磁波により影響を受けない構造体の残りを可能にしている。
Claims (26)
- 電磁波の検出のための装置で、
− 膜及びその膜に少なくとも部分的に固定された検出器構造体を含む第一プレート、
− 第一プレートに取付けられた第二プレート、
− 第一及び(又は)第二のプレートの上での表面実装技術のための少なくとも1個所の接触点、
を有し、検出器構造体と接触点の間の接続ラインが少なくとも部分的に第一及び(又は)第二のプレートを通っていて、かつ、この接続ラインが少なくとも部分的に膜蒸着及び(又は)めっきで作成されることを特徴とする装置。 - 電磁波の検出のための装置で、
− 膜及びその膜に少なくとも部分的に固定された検出器構造体を含む第一プレート、
− その膜が第一プレート内の第一閉鎖空洞に少なくとも部分的に接すること、及び、
第二プレートが第一プレートに取付けられ、その第二プレートが第二閉鎖空洞を有し、その膜が少なくとも部分的にその第二空洞に接することを特徴とする装置。 - 第一及び(又は)第二のプレート上での表面実装技術のために検出器構造体と接触点の間の接続ラインが少なくとも部分的に第一及び(又は)第二のプレートを通ること、及び、この接続ラインが少なくとも部分的に膜蒸着及び(又は)めっきにより作成されることを特徴とする請求項2に基づく装置。
- 膜が少なくとも部分的に第一プレートの裏側に配置されていること、及び、検出器構造体が少なくとも部分的に第一プレートの裏側上で膜に固定されていることを特徴とする請求項3に基づく装置。
- プレートがその向き合った面でお互いに取付けられることを特徴とする請求項1から4のひとつに基づく装置。
- 検出器構造体が少なくとも1個の熱電対を含むことを特徴とする請求項1から5のひとつに基づく装置。
- 検出器構造体が、少なくとも2個の検出器のアレーから成っていて、それにより、各チップが少なくとも1個の熱電対を含むことを特徴とする請求項6に基づく装置。
- 検出器構造体が表面実装装置(SMD)の構造体として構成されていることを特徴とする請求項1から7のひとつに基づく装置。
- 第三プレートが第一及び第二の空洞を閉鎖することを特徴とする請求項2から8のひとつに基づく装置。
- 第一及び(又は)第二のプレートが半導体基板を含むことを特徴とする請求項1から9のひとつに基づく装置。
- 第三プレートが半導体基板を含むことを特徴とする請求項2から10のひとつに基づく装置。
- 第一プレート、第二プレート及び(又は)第三プレートが半導体の層を含むことを特徴とする請求項2から11のひとつに基づく装置。
- 第一プレート、第二プレート及び第三プレートが同じ半導体基板を含むことを特徴とする請求項11から12に基づく装置。
- 第一プレート、第二プレート及び(又は)第三プレートがシリコンを含むことを特徴とする請求項13に基づく装置。
- 第一プレート及び(又は)第三プレートを、測定すべき電磁波が浸透可能であることを特徴とする請求項2から14のひとつに基づく装置。
- 第二プレートを、測定すべき電磁波が浸透可能であることを特徴とする請求項1から15のひとつに基づく装置。
- その浸透可能なプレートが電磁波の波の経路に影響することに対する手段を含むことを特徴とする請求項15又は16のひとつに基づく装置。
- 装置の外向きの側が電磁波に対する反射材料で少なくとも部分的に被覆されていることを特徴とする請求項1から17のひとつに基づく装置。
- 装置の外向きの側が電磁波に対する金属吸収材で少なくとも部分的に被覆されていることを特徴とする請求項1から18のひとつに基づく装置。
- 装置が電場及び(又は)磁場から検出器構造体を遮蔽するように設計されたことを特徴とする請求項1から19のひとつに基づく装置。
- 第一空洞と第二空洞の間を流体により接続していることを特徴とする請求項2から20のひとつに基づく装置。
- 特定用途向け集積回路(ASIC)が第一プレート、第二プレート又は第三プレートの少なくともひとつと接続していることを特徴とする請求項1から21のひとつに基づく装置。
- 第一プレートが、検出器構造体から別に配置された温度センサーを含むことを特徴とする請求項1から22のひとつに基づく装置。
- − 第一プレート及び第二プレートの少なくとも一方が第一及び第二のウエハーの部分として最初に製造されること。
− その後、第一ウエハー及び第二ウエハーがお互いに取付けられて、ウエハー・サンドウイッチを形成すること、及び、
− 装置がそのウエハー・サンドイッチから別々に離されること、
を特徴とする請求項1から23のひとつに基づく装置を製造する方法。 - − 第一プレート及び第二プレート及び第三プレートの少なくともひとつがウエハーの部分として最初に製造されること。
− その後、第一プレート、第二プレート及び第三プレートがお互いに取付けられること、及び、
− 装置がそのウエハーから別々に離されること、
を特徴とする請求項9から23のひとつに基づく装置を製造する方法。 - 2枚のウエハーが、シリコン・ボンディング、陽極ボンディング、共晶ボンディング又はポリマーによるボンディングによりお互いに接合されることを特徴とする請求項24又
は25に基づく方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2005/006898 WO2007000172A1 (en) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | Device for the detection of electromagnetic waves and method for producing such a device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008544263A true JP2008544263A (ja) | 2008-12-04 |
Family
ID=35064646
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008517333A Pending JP2008544263A (ja) | 2005-06-27 | 2005-06-27 | 電磁波検出用装置及びそのような装置製造のための方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7994599B2 (ja) |
EP (1) | EP1907807B1 (ja) |
JP (1) | JP2008544263A (ja) |
CN (1) | CN101213429B (ja) |
DE (1) | DE202006010085U1 (ja) |
WO (1) | WO2007000172A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010528300A (ja) * | 2007-05-29 | 2010-08-19 | ピレオス エルテーデー | 膜構造体を有する熱放射検出用デバイス、このデバイスの製造方法および使用方法 |
JP2015534642A (ja) * | 2012-09-18 | 2015-12-03 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh | 電磁波を検出するための少なくとも2つのウェハを有する装置、および、当該装置の製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007024903B4 (de) * | 2007-05-29 | 2009-05-07 | Pyreos Ltd. | Vorrichtung mit Sandwichstruktur zur Detektion von Wärmestrahlung, Verfahren zum Herstellen und Verwendung der Vorrichtung |
EP2172755A1 (en) * | 2008-10-06 | 2010-04-07 | Sensirion AG | Infrared sensor with front side bandpass filter and vacuum cavity |
FR2936868B1 (fr) * | 2008-10-07 | 2011-02-18 | Ulis | Detecteur thermique a micro-encapsulation. |
US8169045B2 (en) | 2009-04-28 | 2012-05-01 | Infineon Technologies Ag | System and method for constructing shielded seebeck temperature difference sensor |
US8905635B2 (en) | 2011-09-30 | 2014-12-09 | Honeywell International Inc. | Temperature sensor attachment facilitating thermal conductivity to a measurement point and insulation from a surrounding environment |
US8901432B2 (en) | 2011-09-30 | 2014-12-02 | Honeywell International Inc. | Mitigation of block bending in a ring laser gyroscope caused by thermal expansion or compression of a circuit board |
CN102593133B (zh) * | 2012-03-29 | 2014-09-24 | 江苏物联网研究发展中心 | 一种用于红外焦平面阵列器件的微结构及其制造方法 |
DE102017102833A1 (de) * | 2017-01-18 | 2018-07-19 | Heimann Sensor Gmbh | Hochauflösendes Thermopile Infrarot Sensorarray |
DE102020119246A1 (de) * | 2019-07-23 | 2021-01-28 | Elmos Semiconductor Se | Als Kragarm realisiertes, metalllagenfreies Thermopile in einem Regelkreis |
JP2022089432A (ja) * | 2020-12-04 | 2022-06-16 | Tdk株式会社 | 電磁波センサ |
Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6220330U (ja) * | 1985-07-22 | 1987-02-06 | ||
JPS6420656A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Fujitsu Ltd | Cold shield for infrared ray detector |
JPH04158228A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-01 | Murata Mfg Co Ltd | 表面実装可能な熱感知センサ |
JPH05157622A (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-25 | Murata Mfg Co Ltd | 熱型赤外線センサ |
JPH0566529U (ja) * | 1992-02-18 | 1993-09-03 | シチズン時計株式会社 | サーモパイル |
JPH0634661Y2 (ja) * | 1989-11-30 | 1994-09-07 | 新日本無線株式会社 | サーモパイル素子 |
JPH0743780U (ja) * | 1991-10-04 | 1995-09-12 | 株式会社大真空 | 表面実装型赤外線検出器 |
JPH09329499A (ja) * | 1996-06-12 | 1997-12-22 | Ishizuka Denshi Kk | 赤外線センサ及び赤外線検出器 |
JP2000298063A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Tdk Corp | 赤外線検出器 |
JP2001174324A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Tdk Corp | 赤外線検出器および赤外線検出装置 |
JP2001174323A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Tdk Corp | 赤外線検出装置 |
JP2002122497A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Denso Corp | 薄膜センシング部を有する半導体装置及びその製造方法 |
US20030141455A1 (en) * | 2002-01-31 | 2003-07-31 | Lambert David K. | Integrated light concentrator |
JP2003532122A (ja) * | 2000-04-28 | 2003-10-28 | セーエスウーエム、サントル、スイス、デレクトロニック、エ、ド、ミクロテクニック、ソシエテ、アノニム | 変調された電磁波を空間的に分解して光検出し復調するための装置及び方法 |
US20040077154A1 (en) * | 2002-10-17 | 2004-04-22 | Ranganathan Nagarajan | Wafer-level package for micro-electro-mechanical systems |
US20040229398A1 (en) * | 2001-05-31 | 2004-11-18 | International Business Machines Corporation | Method of manufacture of silicon based package and devices manufactured thereby |
WO2004102139A1 (de) * | 2003-05-13 | 2004-11-25 | Heimann Sensor Gmbh | Infrarotsensor mit verbesserter strahlungsausbeute |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4102524C2 (de) | 1990-01-30 | 2000-05-25 | Citizen Watch Co Ltd | Infrarotsensor |
JPH10318829A (ja) | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Ishizuka Denshi Kk | 赤外線センサ |
US5962854A (en) * | 1996-06-12 | 1999-10-05 | Ishizuka Electronics Corporation | Infrared sensor and infrared detector |
DE19710946A1 (de) | 1997-03-15 | 1998-09-24 | Braun Ag | Thermopile-Sensor und Strahlungsthermometer mit einem Thermopile-Sensor |
DE19923606A1 (de) | 1998-06-30 | 2000-01-13 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung zur Erfassung elektromagnetischer Strahlung |
DE19913672A1 (de) | 1999-03-25 | 2000-11-02 | Braun Gmbh | Infrarot-Thermometer mit einer beheizbaren Meßspitze und Schutzkappe |
US6627892B2 (en) * | 2000-12-29 | 2003-09-30 | Honeywell International Inc. | Infrared detector packaged with improved antireflection element |
TW503538B (en) * | 2000-12-30 | 2002-09-21 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | BGA semiconductor package piece with vertically integrated passive elements |
US6878608B2 (en) * | 2001-05-31 | 2005-04-12 | International Business Machines Corporation | Method of manufacture of silicon based package |
US6962834B2 (en) * | 2002-03-22 | 2005-11-08 | Stark David H | Wafer-level hermetic micro-device packages |
JP3743394B2 (ja) * | 2002-05-31 | 2006-02-08 | 株式会社村田製作所 | 赤外線センサおよびそれを用いた電子装置 |
JP4013140B2 (ja) * | 2003-01-15 | 2007-11-28 | ソニー株式会社 | 磁気メモリ装置 |
TWI221343B (en) * | 2003-10-21 | 2004-09-21 | Advanced Semiconductor Eng | Wafer structure for preventing contamination of bond pads during SMT process and process for the same |
US20060245308A1 (en) * | 2005-02-15 | 2006-11-02 | William Macropoulos | Three dimensional packaging optimized for high frequency circuitry |
-
2005
- 2005-06-27 WO PCT/EP2005/006898 patent/WO2007000172A1/en active Application Filing
- 2005-06-27 EP EP05769971.2A patent/EP1907807B1/en active Active
- 2005-06-27 JP JP2008517333A patent/JP2008544263A/ja active Pending
- 2005-06-27 CN CN2005800502914A patent/CN101213429B/zh active Active
- 2005-06-27 US US11/993,888 patent/US7994599B2/en active Active
-
2006
- 2006-06-27 DE DE202006010085U patent/DE202006010085U1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6220330U (ja) * | 1985-07-22 | 1987-02-06 | ||
JPS6420656A (en) * | 1987-07-15 | 1989-01-24 | Fujitsu Ltd | Cold shield for infrared ray detector |
JPH0634661Y2 (ja) * | 1989-11-30 | 1994-09-07 | 新日本無線株式会社 | サーモパイル素子 |
JPH04158228A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-06-01 | Murata Mfg Co Ltd | 表面実装可能な熱感知センサ |
JPH0743780U (ja) * | 1991-10-04 | 1995-09-12 | 株式会社大真空 | 表面実装型赤外線検出器 |
JPH05157622A (ja) * | 1991-12-02 | 1993-06-25 | Murata Mfg Co Ltd | 熱型赤外線センサ |
JPH0566529U (ja) * | 1992-02-18 | 1993-09-03 | シチズン時計株式会社 | サーモパイル |
JPH09329499A (ja) * | 1996-06-12 | 1997-12-22 | Ishizuka Denshi Kk | 赤外線センサ及び赤外線検出器 |
JP2000298063A (ja) * | 1999-04-14 | 2000-10-24 | Tdk Corp | 赤外線検出器 |
JP2001174324A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Tdk Corp | 赤外線検出器および赤外線検出装置 |
JP2001174323A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-29 | Tdk Corp | 赤外線検出装置 |
JP2003532122A (ja) * | 2000-04-28 | 2003-10-28 | セーエスウーエム、サントル、スイス、デレクトロニック、エ、ド、ミクロテクニック、ソシエテ、アノニム | 変調された電磁波を空間的に分解して光検出し復調するための装置及び方法 |
JP2002122497A (ja) * | 2000-10-13 | 2002-04-26 | Denso Corp | 薄膜センシング部を有する半導体装置及びその製造方法 |
US20040229398A1 (en) * | 2001-05-31 | 2004-11-18 | International Business Machines Corporation | Method of manufacture of silicon based package and devices manufactured thereby |
US20030141455A1 (en) * | 2002-01-31 | 2003-07-31 | Lambert David K. | Integrated light concentrator |
US20040077154A1 (en) * | 2002-10-17 | 2004-04-22 | Ranganathan Nagarajan | Wafer-level package for micro-electro-mechanical systems |
WO2004102139A1 (de) * | 2003-05-13 | 2004-11-25 | Heimann Sensor Gmbh | Infrarotsensor mit verbesserter strahlungsausbeute |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010528300A (ja) * | 2007-05-29 | 2010-08-19 | ピレオス エルテーデー | 膜構造体を有する熱放射検出用デバイス、このデバイスの製造方法および使用方法 |
JP2015534642A (ja) * | 2012-09-18 | 2015-12-03 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh | 電磁波を検出するための少なくとも2つのウェハを有する装置、および、当該装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1907807A1 (en) | 2008-04-09 |
US20110024860A1 (en) | 2011-02-03 |
US7994599B2 (en) | 2011-08-09 |
CN101213429B (zh) | 2012-02-08 |
DE202006010085U1 (de) | 2006-12-28 |
WO2007000172A1 (en) | 2007-01-04 |
EP1907807B1 (en) | 2020-09-16 |
CN101213429A (zh) | 2008-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008544263A (ja) | 電磁波検出用装置及びそのような装置製造のための方法 | |
US8770034B2 (en) | Packaged sensor with multiple sensors elements | |
US8061212B2 (en) | Method of flip chip mounting pressure sensor dies to substrates and pressure sensors formed thereby | |
JP2021009152A (ja) | ウェハレベルパッケージ内の熱赤外線センサアレイ | |
JP5832007B2 (ja) | 赤外線センサ及びその製造方法 | |
US20070209433A1 (en) | Thermal mass gas flow sensor and method of forming same | |
JP5748257B2 (ja) | エンジン内部の圧力などを計測するための高温用圧力センサ・エレメント、その製造方法、及びエンジンの部品 | |
JP6297856B2 (ja) | 原子層堆積で被覆された入力ポートを有する統合基準真空圧力センサ | |
EP2120029B1 (en) | Asic compensated pressure sensor with soldered sense die attach | |
JPS5817421B2 (ja) | 半導体圧力センサ | |
TW201003054A (en) | Optical interferometric pressure sensor | |
JP5001007B2 (ja) | 最適化された表面を活用する赤外線センサー | |
JPH06229821A (ja) | 赤外線センサおよびその製造方法 | |
JPH07209089A (ja) | 赤外線センサ | |
EP2169369A1 (en) | Miniature thermopile sensor | |
JP2011058929A (ja) | 赤外線センサ | |
US20030098771A1 (en) | Robust fluid and property microsensor assembly made of optimal material | |
JPH02196938A (ja) | 圧力センサ | |
KR20080020644A (ko) | 전자기파들의 검출을 위한 장치 및 이와 같은 장치를제조하는 방법 | |
JP3882645B2 (ja) | 赤外線センサ | |
JPH08184514A (ja) | 圧力センサ | |
JPH1137847A (ja) | 狭視野サーミスタボロメータ | |
JPH09264784A (ja) | 熱形赤外線センサ | |
JPH03194432A (ja) | 半導体圧力センサ | |
JPH0342540A (ja) | 圧力検出器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090330 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110118 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110413 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110420 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110719 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120803 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120810 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121005 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121015 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130115 |