JP2008527636A - 電子デバイスを形成するためのプロセス、およびそのようなプロセスによって形成された電子デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
以下で説明される実施形態の詳細を扱う前、いくつかの用語を定義または明確化する。
「アレイ」、「周辺回路」、および「遠隔回路」という用語は、電子デバイスの異なった領域または構成要素を意味することが意図される。たとえば、アレイは、規則的な配列(通常、列および行によって示される)内のピクセル、セル、または他の構造を含むことができる。アレイ内のピクセル、セル、または他の構造は、アレイと同じ基板上であるがアレイ自体の外側にあることができる周辺回路によって、局所的に制御することができる。遠隔回路は、典型的には、周辺回路から離れてあり、かつ、アレイに信号を送るか、アレイから信号を受けることができる(典型的には、周辺回路を介して)。遠隔回路は、また、アレイに無関係の機能を行うことができる。遠隔回路はアレイを有する基板上に載置されてもよいし、されなくてもよい。
ここで、注意を、電子デバイスを形成するためのプロセスに向ける。図3は、ワークピース30の一部の図を含む。ワークピース30は、剛性または可撓性であることができ、かつ、有機材料、無機材料、または有機材料および無機材料の両方の1つまたは複数の層を含有することができる基板31を含む。一実施形態において、電子デバイスは、ボトムエミッションディスプレイを含み、基板31は、基板31に入射する放射線の少なくとも70%がそれを透過されることを可能にする透明な材料を含む。示されていないが、基板31は、電子デバイスを動作させるための回路を含むことができる。そのような回路は従来のものである。示されていない位置において、回路のためのコンタクトへの開口部が、その後形成された導電層、導電性部材、または導電性構造が、それらの回路に電気的に接続されることを可能にする。
上で説明された電子デバイスは、OLEDなどの放射線放出構成要素を有するディスプレイ(パッシブマトリックスまたはアクティブマトリックス)を含むことができる。他の実施形態が、無機層が有機層の上に形成される必要がある1つまたは複数の有機層を有する他の電子デバイスを含むことができる。それらの他の電子デバイスは、センサアレイ、光起電力セル、他の同様の電子構成要素、またはそれらの任意の組合せなどの放射線応答構成要素を有することができる。これらの概念を、また、有機層が電子構成要素の一部を形成する別の電子デバイス、たとえば、有機抵抗器を有する液晶ディスプレイにおける使用のために広げることができる。
上で説明された実施形態は、従来の技術と比較して利益を有する。著しいプラズマ損傷、または有機層に達する帯電粒子からの他の損傷を引起すことなく、有機層がワークピース内に存在する間、無機層をワークピースの上にスパッタリングすることができる。ワークピースは、マグネトロンスパッタリングにおけるように、プラズマと直接接触しない。また、ワークピースは、従来のS銃構成で行われるように、高エネルギー電子に近い位置でない。
(図1)マグネトロンスパッタリング装置の一部の図を含む。(先行技術)。
(図2)スパッタリング装置に使用されるS銃の一部の図を含む。(先行技術)。
(図3)第1の電極層および有機層を基板の上に形成した後のワークピースの一部の断面図の図を含む。
(図4)堆積チャンバ内に配置されたワークピースを含む堆積装置の図を含む。
(図5)イオンビームスパッタリングを用いて第2の電極層を形成した後の有機層を含むワークピースの断面図の図を含む。
(図6)実質的に完成された電子デバイスの断面図の図を含む。
(図7)放射線放出構成要素について、電圧の関数としての効率のプロットを含む。
Claims (20)
- 電子デバイスを形成するための方法であって、
第1の層を基板の上に形成する工程であって、前記第1の層が有機層を含む工程と、
前記第1の層を形成した後、第2の層を前記基板の上に堆積させる工程であって、前記第2の層を堆積させる工程が、イオンビームスパッタリングを用いて行われる工程とを含むことを特徴とする方法。 - 前記有機層が有機活性層を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1の層が、バッファ層、電荷阻止層、電荷注入層、電荷輸送層、またはそれらの組合せをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記第2の層が無機層を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2の層が導電層を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記電子デバイスが、アノードと、カソードとを有するLEDを含み、
前記第2の層が、前記アノードまたは前記カソードの少なくとも一部であることを特徴とする請求項5に記載の方法。 - 前記第2の層を堆積させる工程が、前記第2の層を前記有機層上に直接堆積させる工程を含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記第2の層が絶縁層を含むことを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 前記有機層が、前記電子デバイス内の電子構成要素の少なくとも一部であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法によって形成されることを特徴とする電子デバイス。
- 電子デバイスを形成するための方法であって、
ワークピースを堆積装置の堆積チャンバ内に配置する工程であって、前記ワークピースが、前記ワークピースの上にある基板および有機層を含む工程と、
前記堆積装置のプラズマ発生チャンバ内でプラズマを発生させる工程であって、前記プラズマが前記ワークピースと直接接触しない工程と、
イオンビームを前記プラズマ発生チャンバから前記堆積チャンバ内のターゲットの方に送る工程であって、前記ターゲットが材料を含む工程と、
前記材料の層を前記有機層の上に堆積させる工程とを含むことを特徴とする方法。 - 前記イオンビームを送る工程が、前記プラズマからイオンを抽出して、イオンビームを形成する工程を含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記イオンビームを送る工程が、前記イオンビーム内のイオンを加速する工程を含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記ワークピースを配置する工程が、前記ワークピースが、主偏向角度によって規定された線に沿っていないように、前記ワークピースを配置する工程を含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記有機層が有機活性層を含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。
- 前記有機層が、バッファ層、電荷阻止層、電荷注入層、電荷輸送層、またはそれらの組合せをさらに含むことを特徴とする請求項15に記載の方法。
- 前記材料の層が導電層を含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 前記電子デバイスが、アノードと、カソードとを有するLEDを含み、
前記材料の層が、前記アノードまたは前記カソードの少なくとも一部であることを特徴とする請求項17に記載の方法。 - 前記材料の層が絶縁層を含むことを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 請求項11に記載の方法によって形成されることを特徴とする電子デバイス。
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