JP2008311507A - 気相成長装置および気相成長方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】気相成長装置10は、反応室11と、反応室11に設置されるサセプタ22と、複数種類のガスを導入するガス導入管13とを備える。サセプタ22は、複数の基板25を保持する周辺部と、周辺部に取り囲まれた中心部とを含む。ガス導入管13は、複数種類のガスを互いに分離して流す多重管構造を有する。ガス導入管13は、中心部22tに向けてガスを流す中間多重管16と、中間多重管16に流れるガスを方向転換させ、サセプタ22の中心部から周辺部に向かう方向に流すガス方向転換部17とを含む。ガスは、中間多重管16におけるガスの流れ方向とは異なる方向から中間多重管16に流入する。気相成長装置10は、中間多重管16に配置される整流板41をさらに備える。
【選択図】図1
Description
図1は、この発明の実施の形態1における気相成長装置を示す断面図である。図1を参照して、気相成長装置10では、反応室11に導入された原料ガスAおよび原料ガスBの気相反応により、基板25上に結晶薄膜を形成する。押さえガスCは、反応室11において原料ガスAおよび原料ガスBをサセプタ22上に留める役割を果たす。同時に、押さえガスCは、サセプタ22に対向する反応室11の壁面11cに、生成物が付着することを防ぐ役割を果たす。
図5は、この発明の実施の形態2における気相成長装置のガス導入管を示す分解組み立て図である。本実施の形態における気相成長装置は、実施の形態1における気相成長装置10と比較して、基本的には同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
本実施の形態では、図3中の整流板41の各種変形例について説明を行なう。なお、本実施の形態で参照する図では、説明を簡単にするため、ガス流路31〜33のうちガス流路31のみが示されている。
図14は、この発明の実施の形態4における気相成長装置のガス導入管を示す断面図である。図15は、図14中のXV−XV線上に沿ったガス導入管の断面図である。図15中では、説明を簡単にするため、ガス流路31〜33のうちガス流路32の断面のみが示されている。本実施の形態における気相成長装置は、実施の形態1における気相成長装置10と比較して、基本的には同様の構造を備える。以下、重複する構造については説明を繰り返さない。
Claims (7)
- 反応室と、
複数の基板を保持する周辺部と、前記周辺部に取り囲まれた中心部とを含み、前記反応室に設置されるサセプタと、
複数種類のガスを互いに分離して流す多重管構造を有し、前記反応室にガスを導入するガス導入管とを備え、
前記ガス導入管は、
前記中心部に向けてガスを流すガス流通部と、
前記ガス流通部に流れるガスを方向転換させ、前記中心部から前記周辺部に向かう方向に流すガス方向転換部とを含み、
ガスは、前記ガス流通部におけるガスの流れ方向とは異なる方向から前記ガス流通部に流入し、さらに、
前記ガス流通部に配置される整流部材を備える、気相成長装置。 - 前記整流部材は、ガス流れに直交する平面内のガスの流量分布の偏りを緩和するように設けられる、請求項1に記載の気相成長装置。
- ガスが、前記中心部を中心とする第1位相から前記ガス流通部に流入し、前記第1位相の反対側の第2位相から流入しない場合に、
前記整流部材は、前記第1位相で相対的に小さく、前記第2位相で相対的に大きくなるガスの流量分布の偏りを緩和するように設けられる、請求項2に記載の気相成長装置。 - ガスが、前記中心部を中心とする第1位相から前記ガス流通部に流入し、前記第1位相の反対側の第2位相から前記ガス流通部に流入する場合に、
前記整流部材は、前記第1位相および前記第2位相で相対的に小さく、前記第1位相および前記第2位相からずれた位相で相対的に大きくなるガスの流量分布の偏りを緩和するように設けられる、請求項2に記載の気相成長装置。 - 前記整流部材は、ガスの流路面積、ガスの流れ方向およびガス流れが受ける抵抗の大きさの少なくともいずれか1つを制御することによって、ガスの流量分布の偏りを緩和する、請求項2から4のいずれか1項に記載の気相成長装置。
- 前記ガス流通部は、ガスが流入する第1部分と、前記第1部分に接続され、前記ガス方向転換部に連なる第2部分とを含み、
前記第1部分と前記第2部分との接続部分に、前記整流部材が固定されている、請求項1から5のいずれか1項に記載の気相成長装置。 - 請求項1から6のいずれか1項に記載の気相成長装置を用いて、前記複数の基板上に薄膜を成長させる、気相成長方法。
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