JP2008311212A - Organic electroluminescence display device - Google Patents

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充宏 柏原
Jiro Yamada
二郎 山田
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宏史 藤巻
Hirofumi Fujioka
弘文 藤岡
Tamao Asaki
玲生 浅木
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescence display device which can prevent surely a deterioration of a portion of an upper electrode which connects a portion of the upper electrode on a laminated structural body with a portion of the upper electrode on an auxiliary cable. <P>SOLUTION: The organic electroluminescence display device is provided with (A) a lower electrode 21, (B) an insulation layer 24 which has an open mouth portion 26 and the lower electrode exposed in a bottom of the open mouth portion 26, (C) an auxiliary cable 25, (D) a laminated structural body 23 which is arranged from a portion of the lower electrode 21 exposed in the bottom of the open mouth portion 26 through a portion 24' of the insulation layer 24 surrounding the open mouth portion 26 and is composed of an organic light emitting material, and (E) a plurality of organic EL elements provided with an upper electrode 22. The laminated structural body 23 has a portion 23' contacting with an auxiliary cable 25, and the insulation layer 24 and the auxiliary cable 25 are provided commonly for the plurality of organic EL elements, and the upper electrode 22 covers an entire surface of the laminated structural body 23 and the auxiliary cable 25 composing the plurality of organic EL elements. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。   The present invention relates to an organic electroluminescence display device.

有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electroluminescence：以下、ＥＬと略称する）を利用した有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置と略称する）を構成する有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子と略称する）においては、有機正孔輸送層や有機発光層を積層させて成る積層構造体が、下部電極と上部電極との間に設けられており、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子として注目されている。   In an organic electroluminescence device (abbreviated as an organic EL device) that constitutes an organic electroluminescence display device (abbreviated as an organic EL display device) utilizing electroluminescence (hereinafter abbreviated as EL) of an organic material, A laminated structure made by laminating an organic hole transport layer and an organic light emitting layer is provided between the lower electrode and the upper electrode, and has attracted attention as a light emitting device capable of high luminance emission by low voltage direct current drive. Yes.

このような有機ＥＬ素子は、応答速度が１マイクロ秒以下であるので、有機ＥＬ表示装置にあっては、単純マトリックス方式によるデューティー駆動が可能である。しかしながら、画素数の増加に伴い高デューティー化が進んだ場合、十分な輝度を確保するためには有機ＥＬ素子に瞬間的に大電流を供給する必要があり、有機ＥＬ素子にダメージが生じ易くなる。   Since such an organic EL element has a response speed of 1 microsecond or less, the organic EL display device can be duty driven by a simple matrix system. However, when the duty increases as the number of pixels increases, it is necessary to instantaneously supply a large current to the organic EL element in order to ensure sufficient luminance, and the organic EL element is likely to be damaged. .

一方、アクティブマトリックス駆動方式では、副画素毎に、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下、ＴＦＴと略称する）と共に保持容量を形成することで、信号電圧が保持される。それ故、１表示フレームにおける所望の期間の間、常に、信号電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子に供給することができる。従って、単純マトリックス方式のように瞬間的に大電流を有機ＥＬ素子に供給する必要がなく、有機ＥＬ素子に対するダメージを少なくすることができる。尚、１画素は、通常、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。   On the other hand, in the active matrix driving method, a signal voltage is held by forming a holding capacitor together with a thin film transistor (hereinafter abbreviated as TFT) for each sub-pixel. Therefore, a drive current corresponding to the signal voltage can be always supplied to the organic EL element during a desired period in one display frame. Accordingly, it is not necessary to instantaneously supply a large current to the organic EL element as in the simple matrix system, and damage to the organic EL element can be reduced. One pixel is usually composed of three types of subpixels: a red light emitting subpixel that emits red light, a green light emitting subpixel that emits green light, and a blue light emitting subpixel that emits blue light.

このようなアクティブマトリックス駆動方式の有機ＥＬ表示装置にあっては、図１３に模式的な一部断面図を示し、図１４に模式的な一部平面図を示すように、各副画素に対応して第１基板１１上にＴＦＴが設けられており、これらのＴＦＴが層間絶縁層１６（下層層間絶縁層１６Ａ及び上層層間絶縁層１６Ｂ）で覆われている。そして、この上層層間絶縁層１６Ｂ上に、ＴＦＴに電気的に接続された下部電極１２１が副画素毎に設けられている。更には、下部電極１２１を含む上層層間絶縁層１６Ｂの上には絶縁層１２４が形成され、この絶縁層１２４には、底部に下部電極１２１が露出した開口部１２６が設けられている。そして、開口部１２６の底部に露出した下部電極１２１の部分の上から、開口部１２６を取り囲む絶縁層１２４の部分１２４’に亙り、有機発光材料から成る発光層を備えた積層構造体１２３が設けられている。また、積層構造体１２３を含む絶縁層１２４上に、共通電極としての上部電極１２２が形成されている。尚、参照番号１２はＴＦＴを構成するゲート電極、参照番号１３はＴＦＴを構成するゲート絶縁膜、参照番号１４はＴＦＴを構成するソース／ドレイン領域、参照番号１５はＴＦＴを構成するチャネル形成領域、参照番号１７は配線、参照番号３１は保護膜、参照番号３２は接着層、参照番号３３は第２基板であり、これらについては、実施例１において、詳しく説明する。   In such an active matrix driving type organic EL display device, as shown in a schematic partial cross-sectional view in FIG. 13 and a schematic partial plan view in FIG. Then, TFTs are provided on the first substrate 11, and these TFTs are covered with an interlayer insulating layer 16 (lower interlayer insulating layer 16A and upper interlayer insulating layer 16B). A lower electrode 121 electrically connected to the TFT is provided for each subpixel on the upper interlayer insulating layer 16B. Further, an insulating layer 124 is formed on the upper interlayer insulating layer 16B including the lower electrode 121, and the insulating layer 124 has an opening 126 where the lower electrode 121 is exposed at the bottom. A laminated structure 123 having a light emitting layer made of an organic light emitting material is provided from above the portion of the lower electrode 121 exposed at the bottom of the opening 126 to the portion 124 ′ of the insulating layer 124 surrounding the opening 126. It has been. Further, an upper electrode 122 as a common electrode is formed on the insulating layer 124 including the stacked structure 123. Reference numeral 12 is a gate electrode constituting the TFT, reference numeral 13 is a gate insulating film constituting the TFT, reference numeral 14 is a source / drain region constituting the TFT, reference numeral 15 is a channel forming region constituting the TFT, Reference numeral 17 is a wiring, reference numeral 31 is a protective film, reference numeral 32 is an adhesive layer, and reference numeral 33 is a second substrate. These will be described in detail in the first embodiment.

ところで、ＴＦＴが形成された第１基板１１上に層間絶縁層１６を介して積層構造体１２３が形成されているため、積層構造体１２３で発生した発光光を第１基板側から取り出す、所謂下面発光型の有機ＥＬ表示装置とした場合、ＴＦＴによって発光光の取り出し領域が狭められてしまう。そこで、第１基板１１とは反対側の第２基板３３から発光光を取り出す、所謂上面発光型の有機ＥＬ表示装置を採用することが望ましい。   By the way, since the laminated structure 123 is formed on the first substrate 11 on which the TFT is formed via the interlayer insulating layer 16, a so-called lower surface that takes out emitted light generated in the laminated structure 123 from the first substrate side. In the case of a light-emitting organic EL display device, a region from which emitted light is extracted is narrowed by the TFT. Therefore, it is desirable to employ a so-called top emission type organic EL display device that extracts emitted light from the second substrate 33 opposite to the first substrate 11.

上面発光型の有機ＥＬ表示装置を採用した場合、通常、下部電極１２１を反射材料から構成し、上部電極１２２を透明導電材料や半透明導電材料から構成する。然るに、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の透明導電材料や薄膜の金属から成る半透明導電材料は、金属等と比較して電気抵抗値が高い。それ故、共通電極としての上部電極１２２内において電圧勾配が発生する結果、電圧降下が生じ易い。そして、このような電圧降下が生じると、各副画素を構成する積層構造体１２３に印加される電圧が不均一となり、有機ＥＬ表示装置の表示領域の、例えば、中央部分での発光強度が低下する等、表示性能が著しく低下してしまう。   When a top emission type organic EL display device is employed, the lower electrode 121 is usually made of a reflective material, and the upper electrode 122 is made of a transparent conductive material or a translucent conductive material. However, a transparent conductive material such as an oxide of indium and tin (ITO) or an oxide of indium and zinc (IZO) or a translucent conductive material made of a thin metal has a higher electric resistance value than that of a metal or the like. Therefore, a voltage drop is likely to occur as a result of the occurrence of a voltage gradient in the upper electrode 122 as a common electrode. When such a voltage drop occurs, the voltage applied to the laminated structure 123 constituting each subpixel becomes non-uniform, and the light emission intensity in the display area of the organic EL display device, for example, in the central portion decreases. Display performance is significantly reduced.

このような問題を解決するための手段が、例えば、特開２００１−１９５００８や特開２００４−２０７２１７から周知である。これらの特許公開公報に開示された技術にあっては、積層構造体１２３とは絶縁層１２４によって隔てられた補助配線１２５が設けられており、上部電極１２２は、積層構造体１２３上から絶縁層１２４上を経て補助配線１２５上にまで亙り形成されている。補助配線１２５は、金属等の低電気抵抗値を有する導電材料から形成されている。   Means for solving such a problem are known from, for example, Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 2001-195008 and 2004-207217. In the techniques disclosed in these patent publications, an auxiliary wiring 125 separated from the stacked structure 123 by an insulating layer 124 is provided, and the upper electrode 122 is formed on the stacked structure 123 from the insulating layer. It is formed over the auxiliary wiring 125 via 124. The auxiliary wiring 125 is made of a conductive material having a low electrical resistance value such as metal.

特開２００１−１９５００８JP2001-195008 特開２００４−２０７２１７JP 2004-207217 A

絶縁層１２４は、屡々、有機材料から構成されている。そして、開口部１２６を有する絶縁層１２４を層間絶縁層１６上に形成した後、開口部１２６の底部に露出した下部電極１２１の表面の清浄化を図るために、酸素ラジカル等を用いたプラズマ処理が施される。このようなプラズマ処理を行うことで、開口部１２６の底部に露出した下部電極１２１の表面の有機物等が除去される。然るに、このようなプラズマ処理を行うと、絶縁層１２４の表面も活性化されてしまう。例えば、絶縁層１２４をポリイミド樹脂から構成した場合、酸素プラズマ処理を施さない場合の絶縁層１２４と水との接触角は約７８°であったものが、酸素プラズマ処理を施した後の絶縁層１２４と水との接触角は約２２°となった。   The insulating layer 124 is often made of an organic material. Then, after the insulating layer 124 having the opening 126 is formed on the interlayer insulating layer 16, plasma treatment using oxygen radicals or the like is performed in order to clean the surface of the lower electrode 121 exposed at the bottom of the opening 126. Is given. By performing such plasma treatment, organic substances and the like on the surface of the lower electrode 121 exposed at the bottom of the opening 126 are removed. However, when such plasma treatment is performed, the surface of the insulating layer 124 is also activated. For example, when the insulating layer 124 is made of a polyimide resin, the contact angle between the insulating layer 124 and water when the oxygen plasma treatment is not performed is about 78 °, but the insulating layer after the oxygen plasma treatment is performed. The contact angle between 124 and water was about 22 °.

補助配線１２５を設けることは、上部電極１２２の電圧降下による画質低下防止に非常に優れており、有用である。しかしながら、絶縁層１２４が、上述したように、活性な状態にあると、特に上部電極が薄膜の金属から成る半透明導電材料である場合には、積層構造体１２３を形成した後、上部電極１２２を形成したとき、積層構造体１２３上の上部電極１２２の部分と補助配線１２５上の上部電極１２２の部分とを結ぶ絶縁層１２４上の上部電極１２２の部分（非重複部分１２２’）が変質してしまい、導電性が著しく低下する。そして、その結果、画質の低下が発生するといった問題が生じる。   Providing the auxiliary wiring 125 is very excellent in preventing image quality deterioration due to a voltage drop of the upper electrode 122 and is useful. However, when the insulating layer 124 is in an active state as described above, particularly when the upper electrode is a translucent conductive material made of a thin film metal, the upper electrode 122 is formed after the laminated structure 123 is formed. Is formed, the portion of the upper electrode 122 on the insulating layer 124 (the non-overlapping portion 122 ′) that connects the portion of the upper electrode 122 on the stacked structure 123 and the portion of the upper electrode 122 on the auxiliary wiring 125 changes in quality. As a result, the conductivity is significantly reduced. As a result, there arises a problem that image quality deteriorates.

従って、本発明の目的は、積層構造体上の上部電極の部分と補助配線上の上部電極の部分とを結ぶ上部電極の部分の変質を確実に防止することができる構成、構造を有する、表示性能に優れた有機ＥＬ表示装置を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a structure and structure that can reliably prevent the deterioration of the upper electrode portion connecting the upper electrode portion on the laminated structure and the upper electrode portion on the auxiliary wiring. The object is to provide an organic EL display device having excellent performance.

上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置（本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置と略称する）は、
（Ａ）下部電極、
（Ｂ）開口部を有し、開口部の底部に下部電極が露出した絶縁層、
（Ｃ）補助配線、
（Ｄ）開口部の底部に露出した下部電極の部分の上から、開口部を取り囲む絶縁層の部分に亙り設けられ、有機発光材料から成る発光層を備えた積層構造体、及び、
（Ｅ）上部電極、
を具備した有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子と略称する）を、複数、有しており、
積層構造体を構成する複数の層の内、少なくとも１層は、補助配線と接する部分を有しており、
絶縁層及び補助配線は、複数の有機ＥＬ素子において共通して設けられており、
上部電極は、複数の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体及び補助配線の全面を覆っていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, an organic electroluminescence display device according to the first aspect of the present invention (abbreviated as an organic EL display device according to the first aspect of the present invention),
(A) Lower electrode,
(B) an insulating layer having an opening, with the lower electrode exposed at the bottom of the opening;
(C) Auxiliary wiring,
(D) a laminated structure including a light emitting layer made of an organic light emitting material, provided over a portion of an insulating layer surrounding the opening from above the portion of the lower electrode exposed at the bottom of the opening; and
(E) Upper electrode,
A plurality of organic electroluminescence elements (abbreviated as organic EL elements),
Of the plurality of layers constituting the laminated structure, at least one layer has a portion in contact with the auxiliary wiring,
The insulating layer and the auxiliary wiring are provided in common in the plurality of organic EL elements,
The upper electrode is characterized in that it covers the entire surface of the laminated structure and auxiliary wiring constituting the plurality of organic EL elements.

本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置において、積層構造体を構成する複数の層の内の少なくとも１層の補助配線と接する部分（重複部分）は、補助配線の上（より具体的には、補助配線の縁部の上）に形成されている形態とすることができる。また、このような好ましい形態を含む本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置にあっては、限定するものではないが、積層構造体は、２本の補助配線と接している形態（具体的には、積層構造体を挟んで平行に延びる２本の補助配線の縁部と重複している形態）とすることができる。   In the organic EL display device according to the first aspect of the present invention, a portion (overlapping portion) in contact with at least one of the auxiliary wirings of the plurality of layers constituting the laminated structure is above the auxiliary wiring (more specifically, May be formed on the edge of the auxiliary wiring. In addition, the organic EL display device according to the first aspect of the present invention including such a preferable form is not limited, but the laminated structure is in contact with two auxiliary wirings ( Specifically, it can be configured to overlap with the edge portions of two auxiliary wirings extending in parallel across the laminated structure.

上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置（本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置と略称する）は、
（Ａ）下部電極、
（Ｂ）開口部を有し、開口部の底部に下部電極が露出した絶縁層、
（Ｃ）補助配線、
（Ｄ）開口部の底部に露出した下部電極の部分の上から、開口部を取り囲む絶縁層の部分に亙り設けられ、有機発光材料から成る発光層を備えた積層構造体、及び、
（Ｅ）上部電極、
を具備した有機ＥＬ素子を、複数、有しており、
補助配線の上方に位置する上部電極の部分は、下から電荷注入層及び電荷輸送層から成る２層構造層を介して、補助配線と電気的に接続されており、
絶縁層及び補助配線は、複数の有機ＥＬ素子において共通して設けられており、
上部電極は、絶縁層と接すること無く、複数の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体及び２層構造層を覆っていることを特徴とする。 In order to achieve the above object, an organic electroluminescence display device according to the second aspect of the present invention (abbreviated as an organic EL display device according to the second aspect of the present invention),
(A) Lower electrode,
(B) an insulating layer having an opening, with the lower electrode exposed at the bottom of the opening;
(C) Auxiliary wiring,
(D) a laminated structure including a light emitting layer made of an organic light emitting material, provided over a portion of an insulating layer surrounding the opening from above the portion of the lower electrode exposed at the bottom of the opening; and
(E) Upper electrode,
Having a plurality of organic EL elements comprising
The portion of the upper electrode located above the auxiliary wiring is electrically connected to the auxiliary wiring from below through a two-layer structure layer composed of a charge injection layer and a charge transport layer,
The insulating layer and the auxiliary wiring are provided in common in the plurality of organic EL elements,
The upper electrode is characterized by covering the laminated structure and the two-layer structure layer constituting the plurality of organic EL elements without being in contact with the insulating layer.

本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、補助配線の上方に位置する上部電極の部分と積層構造体を覆っている上部電極の部分との間に位置する上部電極の部分と、絶縁層との間には、２層構造層が延在している形態とすることができ、更には、２層構造層は、下部電極の上に位置する積層構造体の部分と上部電極との間にまで延在している形態とすることができる。２層構造層が下部電極の上に位置する積層構造体の部分と上部電極との間にまで延在している形態である場合、具体的には、２層構造層及びその上に形成された上部電極が、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する積層構造体を覆っている。この場合、２層構造層及びその上に形成された上部電極を同じプロセスにて形成することができ、製造工程の簡素化、使用するマスク数の低減を図ることができる。あるいは又、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、積層構造体を構成する複数の層の内、少なくとも１層は、補助配線と接する部分を有している形態とすることができる。   In the organic EL display device according to the second aspect of the present invention, the upper electrode portion positioned between the upper electrode portion located above the auxiliary wiring and the upper electrode portion covering the laminated structure, The two-layer structure layer may extend between the insulating layer and the two-layer structure layer. The two-layer structure layer may include a portion of the laminated structure positioned on the lower electrode and the upper electrode. It can be set as the form extended to between. In the case where the two-layer structure layer is in a form extending to the upper electrode between the portion of the laminated structure positioned on the lower electrode, specifically, the two-layer structure layer is formed on the two-layer structure layer and the upper layer electrode. The upper electrode covers the laminated structure constituting the plurality of organic electroluminescence elements. In this case, the two-layer structure layer and the upper electrode formed thereon can be formed by the same process, and the manufacturing process can be simplified and the number of masks to be used can be reduced. Alternatively, in the organic EL display device according to the second aspect of the present invention, at least one of the plurality of layers constituting the laminated structure has a portion in contact with the auxiliary wiring. Can do.

また、上記の好ましい形態を含む本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、補助配線と上部電極とのコンタクト部分を流れる電流の電流密度が１０Ａ／ｃｍ2以下のとき、補助配線と上部電極との間における電圧降下が５ボルト以下であることが好ましい。このような好ましい形態は、２層構造層を構成する材料の適切なる選択、上部電極と補助配線とを電気的に接続する２層構造層の部分の面積の最適化を図ることによって達成することができる。 In addition, in the organic EL display device according to the second aspect of the present invention including the above preferred embodiment, when the current density of the current flowing through the contact portion between the auxiliary wiring and the upper electrode is 10 A / cm 2 or less, the auxiliary wiring The voltage drop between the upper electrode and the upper electrode is preferably 5 volts or less. Such a preferable form is achieved by appropriately selecting the material constituting the two-layer structure layer and optimizing the area of the two-layer structure layer portion that electrically connects the upper electrode and the auxiliary wiring. Can do.

更には、以上に説明した好ましい形態を含む本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置にあっては、上部電極は、マグネシウム（Ｍｇ）を含む導電材料、例えば、Ｍｇ−Ａｇ合金から成り、上部電極の厚さは、４ｎｍ乃至２０ｎｍ、好ましくは、６ｎｍ乃至１２ｎｍである構成とすることができる。   Furthermore, in the organic EL display device according to the first aspect or the second aspect of the present invention including the preferred embodiments described above, the upper electrode is made of a conductive material containing magnesium (Mg), for example, Mg. The upper electrode may be 4 nm to 20 nm, preferably 6 nm to 12 nm.

以上に説明した好ましい構成、形態を含む本発明の第１の態様あるいは第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置（以下、単に、本発明と呼ぶ場合がある）において、有機ＥＬ表示装置をカラー表示の有機ＥＬ表示装置としたとき、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子のそれぞれによって、副画素が構成される。ここで、１画素は、例えば、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。従って、この場合、有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ素子の数をＮ×Ｍ個とした場合、画素数は（Ｎ×Ｍ）／３である。   In the organic EL display device according to the first aspect or the second aspect of the present invention including the preferred configurations and modes described above (hereinafter, may be simply referred to as the present invention), the organic EL display device is color-displayed. When the organic EL display device is used, each of the organic EL elements constituting the organic EL display device constitutes a subpixel. Here, one pixel is composed of, for example, three types of subpixels: a red light emitting subpixel that emits red light, a green light emitting subpixel that emits green light, and a blue light emitting subpixel that emits blue light. Therefore, in this case, when the number of organic EL elements constituting the organic EL display device is N × M, the number of pixels is (N × M) / 3.

本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置において、上部電極は、複数の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体及び補助配線の全面を覆っているが、具体的には、限定するものではないが、Ｎ×Ｍ個の（即ち、全ての）有機ＥＬ素子を構成する積層構造体及び補助配線が、１枚の上部電極によって覆われている構成とすることが好ましい。また、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置において、上部電極は、複数の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体を覆っているが、具体的には、限定するものではないが、Ｎ×Ｍ個の（即ち、全ての）有機ＥＬ素子を構成する積層構造体が、１枚の上部電極によって覆われている構成とすることが好ましい。そして、この場合、Ｎ×Ｍ個の（即ち、全ての）有機ＥＬ素子を構成する積層構造体が１枚の２層構造層によって覆われている構成とすることが、一層好ましい。   In the organic EL display device according to the first aspect of the present invention, the upper electrode covers the entire surface of the laminated structure and the auxiliary wiring constituting the plurality of organic EL elements, but is not specifically limited. However, it is preferable that the laminated structure and the auxiliary wiring constituting the N × M (that is, all) organic EL elements are covered with one upper electrode. Further, in the organic EL display device according to the second aspect of the present invention, the upper electrode covers the laminated structure constituting the plurality of organic EL elements, but it is not specifically limited. It is preferable that the laminated structure constituting N × M (that is, all) organic EL elements is covered with one upper electrode. In this case, it is more preferable that the laminated structure constituting the N × M (that is, all) organic EL elements is covered with one two-layer structure layer.

本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置において、下部電極をアノード電極として用い、上部電極をカソード電極として用いる場合、２層構造層を構成する電荷注入層は電子注入層から成り、電荷輸送層は電子輸送層から成る。一方、下部電極をカソード電極として用い、上部電極をアノード電極として用いる場合、２層構造層を構成する電荷注入層は正孔注入層から成り、電荷輸送層は正孔輸送層から成る。これらの各層を構成する材料は、有機ＥＬ素子において、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層を構成する周知の材料と同じとすればよく、一例として、電子注入層を構成する材料として、ＬｉＦを挙げることができるし、電子輸送層を構成する材料として、バソフェナントロリン、バソクプロイン（ＢＣＰ）、アントラセン系電子輸送材料を挙げることができる。これらの各層を構成する材料は、積層構造体における同じ機能を有する層を構成する材料と、同じであってもよいし、異なっていてもよい。２層構造層は、積層構造体に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法に基づき形成することが好ましい。   In the organic EL display device according to the second aspect of the present invention, when the lower electrode is used as an anode electrode and the upper electrode is used as a cathode electrode, the charge injection layer constituting the two-layer structure layer is composed of an electron injection layer, The transport layer is composed of an electron transport layer. On the other hand, when the lower electrode is used as a cathode electrode and the upper electrode is used as an anode electrode, the charge injection layer constituting the two-layer structure layer is composed of a hole injection layer, and the charge transport layer is composed of a hole transport layer. The material constituting each of these layers may be the same as the known material constituting the electron injection layer, the electron transport layer, the hole injection layer, and the hole transport layer in the organic EL element. LiF can be exemplified as a material constituting the material, and bathophenanthroline, bathocuproine (BCP), and an anthracene electron transport material can be exemplified as the material constituting the electron transport layer. The material constituting each of these layers may be the same as or different from the material constituting the layer having the same function in the laminated structure. The two-layer structure layer is preferably formed on the basis of a vacuum deposition method, which is a film formation method in which the energy of film formation particles is small enough not to affect the laminated structure.

本発明において、有機ＥＬ表示装置が上面発光型であり、下部電極をアノード電極として用いる場合、下部電極は、クロム（Ｃｒ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）といった、仕事関数の値が大きく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましい。更に、アルミニウム（Ａｌ）及びアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料の場合には、適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることで、下部電極をアノード電極として用いることができる。また、光反射性の高い導電材料上にインジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。一方、下部電極をカソード電極として用いる場合、下部電極は、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましいが、アノード電極として用いられる光反射率の高い導電材料に適切な電子注入層を設けるなどして電子注入性を向上させることで、下部電極をカソード電極として用いることができる。下部電極の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。   In the present invention, when the organic EL display device is a top emission type and the lower electrode is used as an anode electrode, the lower electrode is made of chromium (Cr), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), copper ( It is desirable to use a conductive material having a high work function value and high light reflectance such as Cu), tantalum (Ta), tungsten (W), platinum (Pt), and gold (Au). Furthermore, in the case of a conductive material having a low work function value such as aluminum (Al) and an alloy containing aluminum and having a high light reflectance, an appropriate hole injection layer is provided to improve hole injection properties. By improving, the lower electrode can be used as the anode electrode. Alternatively, a transparent conductive material having excellent hole injection characteristics such as indium and tin oxide (ITO) or indium and zinc oxide (IZO) may be laminated on a highly light reflective conductive material. it can. On the other hand, when the lower electrode is used as a cathode electrode, the lower electrode is preferably made of a conductive material having a low work function value and high light reflectivity. The lower electrode can be used as a cathode electrode by improving the electron injection property by providing an appropriate electron injection layer in the material. As a method of forming the lower electrode, for example, an evaporation method such as an electron beam evaporation method or a hot filament evaporation method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method (CVD method), a combination of an ion plating method and an etching method; a screen printing method And various printing methods such as inkjet printing method and metal mask printing method; plating method (electroplating method and electroless plating method); lift-off method; laser ablation method; sol-gel method and the like.

一方、有機ＥＬ表示装置が上面発光型であり、上部電極をカソード電極として用いる場合、上部電極は、発光光を透過し、しかも、積層構造体に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数の値の小さな導電材料から構成することが望ましい。具体的には、上述したとおり、Ｍｇ−Ａｇ合金薄膜のような光透過率の高い導電膜（例えば、光透過率が３０％以上の金属あるいは合金材料）を上部電極として用いることが好ましい。尚、Ｍｇ−Ａｇ合金から成る上部電極の厚さが４ｎｍ以上でないと、電極として十分に機能しなくなる虞がある。一方、厚さが２０ｎｍを越えると、光透過率が低下するため、上部電極としては不適当となる虞がある。また、上部電極をアノード電極として用いる場合、上部電極は、発光光を透過し、しかも、仕事関数の値の大きな導電材料から構成することが望ましい。上部電極は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さな成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、積層構造体のダメージ発生を防止するといった観点から好ましい。積層構造体にダメージが発生すると、リーク電流の発生による「滅点」と呼ばれる非発光画素（あるいは非発光副画素）が生じる虞がある。また、積層構造体の形成から上部電極の形成までを大気に暴露することなく実行することが、大気中の水分による積層構造体の劣化を防止するといった観点から好ましい。上部電極をカソード電極として用いる場合、上部電極の直下に、上部電極と同じパターンを有する電子注入層（例えば、厚さ０．３ｎｍといった極薄のＬｉＦから成る）を形成してもよく、これによって、電子注入性を高めて、有機ＥＬ素子の低駆動電圧化と高効率、長寿命化を図ることができる。   On the other hand, when the organic EL display device is of a top emission type and the upper electrode is used as a cathode electrode, the upper electrode transmits light and works so as to efficiently inject electrons into the laminated structure. It is desirable that the conductive material has a small function value. Specifically, as described above, it is preferable to use, as the upper electrode, a conductive film having a high light transmittance such as a Mg—Ag alloy thin film (for example, a metal or alloy material having a light transmittance of 30% or more). In addition, if the thickness of the upper electrode made of Mg—Ag alloy is not 4 nm or more, there is a possibility that the electrode does not function sufficiently. On the other hand, if the thickness exceeds 20 nm, the light transmittance is lowered, which may be inappropriate for the upper electrode. When the upper electrode is used as an anode electrode, it is desirable that the upper electrode is made of a conductive material that transmits emitted light and has a large work function value. From the viewpoint of preventing the occurrence of damage to the laminated structure, the upper electrode is formed based on a film forming method in which the energy of film forming particles is small, such as a vacuum evaporation method, or a film forming method such as an MOCVD method. preferable. When damage is generated in the laminated structure, there is a possibility that non-light-emitting pixels (or non-light-emitting sub-pixels) called “dark spots” are generated due to generation of leakage current. Moreover, it is preferable from the viewpoint of preventing deterioration of the laminated structure due to moisture in the atmosphere, from the formation of the laminated structure to the formation of the upper electrode without being exposed to the atmosphere. When the upper electrode is used as a cathode electrode, an electron injection layer having the same pattern as the upper electrode (for example, made of extremely thin LiF having a thickness of 0.3 nm) may be formed immediately below the upper electrode. The electron injecting property can be improved, and the organic EL element can be driven at a low driving voltage, with high efficiency, and with a long life.

本発明において、絶縁層は、平坦性に優れ、しかも、積層構造体の水分による劣化を防止して発光輝度を維持するために、吸水率の低い絶縁材料から構成することが好ましく、具体的には、ポリイミド樹脂やフォトレジスト材料等の有機絶縁材料を挙げることができる。   In the present invention, the insulating layer is preferably made of an insulating material having a low water absorption rate in order to maintain flat emission and to maintain the light emission luminance by preventing the laminated structure from being deteriorated by moisture. Can include organic insulating materials such as polyimide resins and photoresist materials.

本発明において、補助配線は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、鉄（Ｆｅ）、白金（Ｐｔ）、亜鉛（Ｚｎ）等の金属；これらの金属元素を含む合金（例えばＡｌ−Ｃｕ）といった低抵抗の導電材料から構成することが好ましく、これらの材料を、単層、又は、積層させることで（例えば、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜やＣｒ／Ａｌ／Ｃｒ積層膜）、補助配線を構成することができる。補助配線の形成方法として、例えば、電子ビーム蒸着法や熱フィラメント蒸着法といった蒸着法、スパッタリング法、ＣＶＤ法やイオンプレーティング法とエッチング法との組合せ；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、メタルマスク印刷法といった各種印刷法；メッキ法（電気メッキ法や無電解メッキ法）；リフトオフ法；レーザアブレーション法；ゾル−ゲル法等を挙げることができる。各種印刷法やメッキ法によれば、直接、例えば帯状あるいは井桁状の補助配線を形成することが可能である。   In the present invention, the auxiliary wiring includes aluminum (Al), silver (Ag), nickel (Ni), copper (Cu), chromium (Cr), tungsten (W), niobium (Nb), tantalum (Ta), molybdenum ( Metals such as Mo), gold (Au), titanium (Ti), cobalt (Co), zirconium (Zr), iron (Fe), platinum (Pt), zinc (Zn); alloys containing these metal elements (for example, It is preferable to be composed of a low-resistance conductive material such as (Al—Cu), and by laminating these materials as a single layer or a laminated layer (for example, a Cr / Cu / Cr laminated film or a Cr / Al / Cr laminated film) Auxiliary wiring can be configured. Auxiliary wiring formation methods include, for example, evaporation methods such as electron beam evaporation method and hot filament evaporation method, sputtering method, combination of CVD method, ion plating method and etching method; screen printing method, inkjet printing method, metal mask printing Examples thereof include various printing methods such as a plating method; a plating method (electroplating method and electroless plating method); a lift-off method; a laser ablation method; a sol-gel method. According to various printing methods and plating methods, it is possible to directly form, for example, strip-shaped or cross-shaped auxiliary wiring.

本発明において、積層構造体は、有機発光材料から成る発光層を備えているが、具体的には、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造から構成することができる。   In the present invention, the laminated structure includes a light emitting layer made of an organic light emitting material. Specifically, for example, a laminated structure of a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, a hole transport layer, and It can be comprised from the laminated structure with the light emitting layer which served as the electron carrying layer, and the laminated structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron carrying layer, and the electron injection layer.

ここで、本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置にあっては、積層構造体を構成する複数の層の内、少なくとも１層は、補助配線と接する部分を有しているが、補助配線と接する部分（より具体的には、補助配線の縁部と重複する部分）を有する層（便宜上、『補助配線接触層』と呼ぶ）を、上述した積層構造体を構成する層の少なくとも１層とすればよい。即ち、積層構造体を、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造から構成する場合、補助配線接触層を、正孔輸送層とすることもできるし、発光層とすることもできるし、電子輸送層とすることもできるし、（正孔輸送層＋発光層）とすることもできるし、（発光層＋電子輸送層）とすることもできるし、（正孔輸送層＋電子輸送層）とすることもできるし、（正孔輸送層＋発光層＋電子輸送層）とすることもできる。また、積層構造体を、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造とする場合、補助配線接触層を、正孔輸送層とすることもできるし、電子輸送層を兼ねた発光層とすることもできるし、（正孔輸送層＋電子輸送層を兼ねた発光層）とすることもできる。更には、積層構造体を、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造から構成する場合、補助配線接触層を、これらの５層の内の１層とすることもできるし、これらの５層の内の任意の２層の組合せとすることもできるし、これらの５層の内の任意の３層の組合せとすることもできるし、これらの５層の内の任意の４層の組合せとすることもできるし、これらの５層全体とすることもできる。あるいは又、一般に、積層構造体をＬ層の積層構造から構成する場合、補助配線接触層を、これらのＬ層の内の１層とすることもできるし、これらのＬ層全体とすることもできるし、Ｌ層の内の任意の２層以上の層の任意の組合せとすることもできる。   Here, in the organic EL display device according to the first aspect of the present invention, at least one of the plurality of layers constituting the laminated structure has a portion in contact with the auxiliary wiring. A layer having a portion in contact with the auxiliary wiring (more specifically, a portion overlapping with the edge of the auxiliary wiring) (referred to as an “auxiliary wiring contact layer” for convenience) is at least one of the layers constituting the above-described stacked structure. One layer may be used. That is, when the laminated structure is composed of a laminated structure of a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, the auxiliary wiring contact layer can be a hole transport layer or a light emitting layer. Or an electron transport layer, (hole transport layer + light emitting layer), (light emitting layer + electron transport layer), (hole transport layer + Electron transport layer) or (hole transport layer + light emitting layer + electron transport layer). In addition, when the laminated structure has a laminated structure of a light-emitting layer that also serves as a hole transport layer and an electron transport layer, the auxiliary wiring contact layer can be a hole transport layer or can serve as an electron transport layer. A light emitting layer, or (a light emitting layer that also serves as a hole transport layer + electron transport layer). Furthermore, when the laminated structure is composed of a laminated structure of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, the auxiliary wiring contact layer is formed of the five layers. It can be a single layer, a combination of any two of these five layers, a combination of any three of these five layers, or these A combination of any four of the five layers can be used, or the entire five layers can be combined. Alternatively, in general, when the laminated structure is composed of a laminated structure of L layers, the auxiliary wiring contact layer can be one of these L layers, or the whole of these L layers. Or any combination of two or more of the L layers.

本発明において、積層構造体や２層構造層の形成方法として、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法；転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と積層構造体や２層構造層との積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の積層構造体や２層構造層を分離して、積層構造体や２層構造層を転写するといったレーザ転写法、各種の塗布法を例示することができる。積層構造体や２層構造層を真空蒸着法に基づき形成する場合、例えば、所謂メタルマスクを用い、係るメタルマスクに設けられた開口を通過した材料を堆積させることで積層構造体や２層構造層を得ることができる。そして、本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置にあっては、たとえ、メタルマスクの位置合わせずれが発生したとしても、積層構造体の補助配線と接する部分が確実に形成されるように、例えば、積層構造体の２箇所が補助配線と接する場合、補助配線の積層構造体と接する部分の間隔よりもメタルマスクに設けられた開口の長さの方が長いことが望ましい。   In the present invention, as a method of forming a laminated structure or a two-layer structure layer, a physical vapor deposition method (PVD method) such as a vacuum deposition method; a printing method such as a screen printing method or an ink jet printing method; By irradiating the laminated structure of the laser absorption layer and the laminated structure or the two-layer structure layer with laser, the laminated structure or the two-layer structure layer on the laser absorption layer is separated, and the laminated structure or 2 Examples thereof include a laser transfer method of transferring the layer structure layer and various coating methods. When a laminated structure or a two-layer structure layer is formed based on a vacuum deposition method, for example, a so-called metal mask is used, and a layer structure or a two-layer structure is deposited by depositing a material that has passed through an opening provided in the metal mask. A layer can be obtained. In the organic EL display device according to the first aspect of the present invention, even if the misalignment of the metal mask occurs, the portion in contact with the auxiliary wiring of the laminated structure is surely formed. In addition, for example, when two portions of the laminated structure are in contact with the auxiliary wiring, it is desirable that the length of the opening provided in the metal mask is longer than the interval between the portions of the auxiliary wiring that are in contact with the laminated structure.

有機ＥＬ素子を構成する下部電極は、例えば、層間絶縁層上に設けられている。そして、この層間絶縁層は、第１基板上に形成された有機ＥＬ素子駆動部を覆っている。有機ＥＬ素子駆動部は、１又は複数の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から構成されており、ＴＦＴと下部電極とは、層間絶縁層に設けられたコンタクトプラグを介して電気的に接続されている。層間絶縁層の構成材料として、ＳｉＯ2、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、ガラスペーストといったＳｉＯ2系材料；ＳｉＮ系材料；ポリイミド等の絶縁性樹脂を、単独、あるいは、適宜、組み合わせて使用することができる。層間絶縁層の形成には、ＣＶＤ法、塗布法、スパッタリング法、各種印刷法等の公知のプロセスが利用できる。 The lower electrode constituting the organic EL element is provided, for example, on an interlayer insulating layer. The interlayer insulating layer covers the organic EL element driving unit formed on the first substrate. The organic EL element driving unit is composed of one or a plurality of thin film transistors (TFTs), and the TFT and the lower electrode are electrically connected via a contact plug provided in an interlayer insulating layer. As a constituent material of the interlayer insulating layer, SiO 2, BPSG, PSG, BSG, AsSG, PbSG, SiON, SOG ( spin on glass), low-melting glass, SiO 2 based materials such glass paste; SiN-based materials; insulation, such as polyimide The resins can be used alone or in appropriate combination. For the formation of the interlayer insulating layer, known processes such as a CVD method, a coating method, a sputtering method, and various printing methods can be used.

上部電極の上には、積層構造体への水分の到達防止を目的として、絶縁性あるいは導電性の保護膜を設けることが好ましい。保護膜は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、あるいは又、ＭＯＣＶＤ法といった成膜方法に基づき形成することが、下地に対して及ぼす影響を小さくすることができるので好ましい。あるいは又、積層構造体の劣化による輝度の低下を防止するために、成膜温度を常温に設定し、更には、保護膜の剥がれを防止するために保護膜のストレスを最小になる条件で保護膜を成膜することが望ましい。また、保護膜の形成は、上部電極を大気に暴露することなく形成することが好ましく、これによって、大気中の水分や酸素による積層構造体の劣化を防止することができる。更には、有機ＥＬ表示装置が上面発光型である場合、保護膜は、積層構造体で発生した光を例えば８０％以上、透過する材料から構成することが望ましく、具体的には、無機アモルファス性の絶縁性材料、例えば、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ）、アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ）、アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-xＮx）、アモルファス酸化シリコン（α−Ｓｉ1-yＯy）、アモルファスカーボン（α−Ｃ）を例示することができる。このような無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを生成しないため、透水性が低く、良好な保護膜を構成する。尚、保護膜を導電材料から構成する場合、保護膜を、ＩＴＯやＩＺＯのような透明導電材料から構成すればよい。保護膜の上には第２基板を配するが、保護膜と第２基板とは、例えば、紫外線硬化型接着剤や熱硬化型接着剤を用いて接着すればよい。 It is preferable to provide an insulating or conductive protective film on the upper electrode for the purpose of preventing moisture from reaching the laminated structure. Forming the protective film based on a film forming method having a low energy of film forming particles, such as a vacuum deposition method, or a film forming method, such as an MOCVD method, can reduce the influence on the base. Therefore, it is preferable. Alternatively, the film-forming temperature is set to room temperature to prevent a decrease in luminance due to deterioration of the laminated structure, and further, protection is performed under conditions that minimize the stress of the protective film in order to prevent the protective film from peeling off. It is desirable to form a film. In addition, the protective film is preferably formed without exposing the upper electrode to the atmosphere, which can prevent deterioration of the laminated structure due to moisture and oxygen in the atmosphere. Further, when the organic EL display device is a top emission type, it is desirable that the protective film is made of a material that transmits, for example, 80% or more of the light generated in the laminated structure. Insulating materials such as amorphous silicon (α-Si), amorphous silicon carbide (α-SiC), amorphous silicon nitride (α-Si 1-x N x ), amorphous silicon oxide (α-Si 1-y O y) ) And amorphous carbon (α-C). Since such an inorganic amorphous insulating material does not generate grains, it has low water permeability and constitutes a good protective film. When the protective film is made of a conductive material, the protective film may be made of a transparent conductive material such as ITO or IZO. The second substrate is disposed on the protective film, and the protective film and the second substrate may be bonded using, for example, an ultraviolet curable adhesive or a thermosetting adhesive.

第１基板や第２基板の構成材料として、高歪点ガラス、ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2）、硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2）、フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）、鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）、各種プラスチック基板を例示することができる。第１基板と第２基板の構成材料は、同じであっても異なっていてもよい。 As a constituent material of the first substrate and the second substrate, high strain point glass, soda glass (Na 2 O · CaO · SiO 2 ), borosilicate glass (Na 2 O · B 2 O 3 · SiO 2 ), forsterite ( 2MgO · SiO 2 ), lead glass (Na 2 O · PbO · SiO 2 ), and various plastic substrates. The constituent materials of the first substrate and the second substrate may be the same or different.

本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置において、積層構造体は補助配線と接する部分（重複する部分）を有しており、上部電極は、複数の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体及び補助配線の全面を覆っている。従って、積層構造体上の上部電極の部分と補助配線上の上部電極の部分とを結ぶ上部電極の部分には、その直下に絶縁層が存在しないことが保証されている。即ち、積層構造体上の上部電極の部分と補助配線上の上部電極の部分とを結ぶ上部電極の部分は、積層構造体を構成する複数の層の内、少なくとも１層の上に形成されている。また、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置において、上部電極は、絶縁層と接すること無く、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する積層構造体及び２層構造層を覆っている。それ故、積層構造体上の上部電極の部分と補助配線上の上部電極の部分とを結ぶ上部電極の部分が変質することが無く、表示性能に優れた有機ＥＬ表示装置を提供することができる。更には、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置においては、上部電極と補助配線とは、下から電荷注入層及び電荷輸送層から成る２層構造層を介して電気的に接続されているので、電荷（電子あるいは正孔）は、補助配線から電荷注入層及び電荷輸送層を介して上部電極へと大きな電圧損失することなく輸送される結果、上部電極と補助配線との電気的接続部分における電圧上昇を抑制することができるし、２層構造層の形態に依っては、製造プロセスの簡素化を図ることができる。   In the organic EL display device according to the first aspect of the present invention, the laminated structure has a portion (overlapping portion) in contact with the auxiliary wiring, and the upper electrode is a laminated structure constituting a plurality of organic EL elements. And covers the entire surface of the auxiliary wiring. Therefore, it is ensured that there is no insulating layer immediately below the upper electrode portion connecting the upper electrode portion on the laminated structure and the upper electrode portion on the auxiliary wiring. That is, the upper electrode portion connecting the upper electrode portion on the laminated structure and the upper electrode portion on the auxiliary wiring is formed on at least one of the plurality of layers constituting the laminated structure. Yes. In the organic EL display device according to the second aspect of the present invention, the upper electrode covers the laminated structure and the two-layer structure layer constituting the plurality of organic electroluminescence elements without being in contact with the insulating layer. Therefore, the upper electrode portion connecting the upper electrode portion on the laminated structure and the upper electrode portion on the auxiliary wiring is not altered, and an organic EL display device excellent in display performance can be provided. . Furthermore, in the organic EL display device according to the second aspect of the present invention, the upper electrode and the auxiliary wiring are electrically connected from below through a two-layer structure layer including a charge injection layer and a charge transport layer. As a result, electric charges (electrons or holes) are transported from the auxiliary wiring to the upper electrode via the charge injection layer and the charge transport layer without a large voltage loss. An increase in voltage at the connection portion can be suppressed, and the manufacturing process can be simplified depending on the form of the two-layer structure layer.

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。   Hereinafter, the present invention will be described based on examples with reference to the drawings.

実施例１は、本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置に関する。実施例１の有機ＥＬ表示装置の模式的な一部断面図を図１に示し、実施例１の有機ＥＬ表示装置における積層構造体、補助配線、絶縁層等の配置を、模式的に、図２、図３及び図４の一部平面図に示す。実施例１、あるいは、後述する実施例２の有機ＥＬ表示装置は、アクティブマトリックス型のカラー表示の有機ＥＬ表示装置であり、上面発光型である。即ち、上部電極を通して光が出射される。   Example 1 relates to an organic EL display device according to the first aspect of the present invention. A schematic partial cross-sectional view of the organic EL display device of Example 1 is shown in FIG. 1, and the arrangement of the laminated structure, auxiliary wiring, insulating layer, etc. in the organic EL display device of Example 1 is schematically shown in FIG. 2, a partial plan view of FIG. 3 and FIG. The organic EL display device of Example 1 or Example 2 described later is an active matrix color display organic EL display device, and is a top emission type. That is, light is emitted through the upper electrode.

実施例１、あるいは、後述する実施例２の有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子１０，１０Ａを、複数（例えば、Ｎ×Ｍ＝２８８０×５４０）、有する。尚、１つの有機ＥＬ素子１０，１０Ａは、１つの副画素を構成する。従って、有機ＥＬ表示装置は、（Ｎ×Ｍ）／３の画素を有する。ここで、１画素は、赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、及び、青色を発光する青色発光副画素の３種類の副画素から構成されている。   The organic EL display device of Example 1 or Example 2 described later has a plurality of organic EL elements 10 and 10A (for example, N × M = 2880 × 540). One organic EL element 10, 10A constitutes one subpixel. Accordingly, the organic EL display device has (N × M) / 3 pixels. Here, one pixel includes three types of sub-pixels: a red light-emitting subpixel that emits red light, a green light-emitting subpixel that emits green light, and a blue light-emitting subpixel that emits blue light.

実施例１、あるいは、後述する実施例２の有機ＥＬ表示装置における各有機ＥＬ素子１０，１０Ａは、
（Ａ）下部電極２１、
（Ｂ）開口部２６を有し、開口部２６の底部に下部電極２１が露出した絶縁層２４、
（Ｃ）補助配線２５，４５、
（Ｄ）開口部２６の底部に露出した下部電極２１の部分の上から、開口部２６を取り囲む絶縁層２４の部分２４’に亙り設けられ、有機発光材料から成る発光層を備えた積層構造体２３，４３、及び、
（Ｅ）上部電極２２，４２、
を具備している。 The organic EL elements 10 and 10A in the organic EL display device of Example 1 or Example 2 described later are as follows.
(A) Lower electrode 21,
(B) an insulating layer 24 having an opening 26 and the lower electrode 21 exposed at the bottom of the opening 26;
(C) Auxiliary wiring 25, 45,
(D) A laminated structure provided with a light emitting layer made of an organic light emitting material provided over the portion 24 'of the insulating layer 24 surrounding the opening 26 from above the portion of the lower electrode 21 exposed at the bottom of the opening 26 23, 43 and
(E) Upper electrodes 22, 42,
It has.

そして、実施例１の有機ＥＬ表示装置にあっては、積層構造体２３を構成する複数の層の内、少なくとも１層は（実施例１にあっては、より具体的には、積層構造体２３を構成する複数の層の全体が）、補助配線２５と接する部分（補助配線２５の縁部と重複する部分）を有しており、絶縁層２４及び補助配線２５は、複数の有機ＥＬ素子１０において共通して設けられており、上部電極２２は、絶縁層２４と接すること無く、複数（具体的には、Ｎ×Ｍ個）の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体２３及び補助配線２５の全面を覆っている。ここで、積層構造体２３を構成する複数の層の内の少なくとも１層（実施例１にあっては、より具体的には、積層構造体２３を構成する複数の層の全体）の補助配線２５と接する部分（重複部分２３’）は、補助配線２５の縁部の上に形成されている。また、積層構造体２３は、積層構造体２３を挟んで平行に延びる２本の補助配線２５と接している。より具体的には、積層構造体２３は、積層構造体２３を挟んで平行に延びる２本の補助配線２５の縁部と重複している。   In the organic EL display device according to the first embodiment, at least one of the plurality of layers constituting the multilayer structure 23 (more specifically, in the first embodiment, the multilayer structure 23 as a whole, and has a portion in contact with the auxiliary wiring 25 (a portion overlapping the edge of the auxiliary wiring 25). The insulating layer 24 and the auxiliary wiring 25 are formed of a plurality of organic EL elements. 10, the upper electrode 22 is not in contact with the insulating layer 24, and is not in contact with the insulating layer 24, and the laminated structure 23 and the auxiliary wiring 25 constituting a plurality (specifically, N × M) organic EL elements. Covering the entire surface. Here, the auxiliary wiring of at least one of the plurality of layers constituting the laminated structure 23 (more specifically, the whole of the plurality of layers constituting the laminated structure 23 in the first embodiment). A portion in contact with 25 (overlapping portion 23 ′) is formed on the edge of auxiliary wiring 25. The laminated structure 23 is in contact with two auxiliary wirings 25 extending in parallel with the laminated structure 23 interposed therebetween. More specifically, the laminated structure 23 overlaps with the edges of the two auxiliary wirings 25 that extend in parallel with the laminated structure 23 interposed therebetween.

実施例１、あるいは、後述する実施例２においては、下部電極２１をアノード電極として用い、上部電極２２をカソード電極として用いる。下部電極２１はクロム（Ｃｒ）から成り、上部電極２２は、マグネシウム（Ｍｇ）を含む導電材料、具体的には、厚さ１０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金から成る。尚、上部電極２２の波長４５０ｎｍから６５０ｎｍにおける平均光透過率は５０．３％である。補助配線２５，４５は、アルミニウム（Ａｌ）といった低抵抗の導電材料から構成されている。そして、下部電極２１及び補助配線２５，４５は、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき形成されている。また、上部電極２２，４２は、特に真空蒸着法のような成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法によって成膜されている。   In Example 1 or Example 2 described later, the lower electrode 21 is used as an anode electrode, and the upper electrode 22 is used as a cathode electrode. The lower electrode 21 is made of chromium (Cr), and the upper electrode 22 is made of a conductive material containing magnesium (Mg), specifically, a Mg-Ag alloy having a thickness of 10 nm. The average light transmittance of the upper electrode 22 at a wavelength of 450 nm to 650 nm is 50.3%. The auxiliary wirings 25 and 45 are made of a low resistance conductive material such as aluminum (Al). The lower electrode 21 and the auxiliary wirings 25 and 45 are formed based on a combination of a vacuum deposition method and an etching method. Further, the upper electrodes 22 and 42 are formed by a film forming method in which the energy of film forming particles is small, such as a vacuum vapor deposition method.

また、実施例１、あるいは、後述する実施例２において、絶縁層２４は、平坦性に優れ、しかも、積層構造体２３の水分による劣化を防止して発光輝度を維持するために吸水率の低い絶縁材料、具体的には、ポリイミド樹脂から構成されている。更には、積層構造体２３，４３は、例えば、正孔輸送層、及び、電子輸送層を兼ねた発光層の積層構造、あるいは又、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層の積層構造から構成されているが、図面では１層で表した。   In Example 1 or Example 2 to be described later, the insulating layer 24 is excellent in flatness and has a low water absorption rate in order to prevent deterioration of the laminated structure 23 due to moisture and maintain light emission luminance. It is made of an insulating material, specifically, a polyimide resin. Furthermore, the stacked structures 23 and 43 are, for example, a stacked structure of a light emitting layer that also serves as a hole transport layer and an electron transport layer, or a stacked structure of a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer. Although it is composed of a structure, it is represented by one layer in the drawing.

実施例１、あるいは、後述する実施例２において、有機ＥＬ素子を構成する下部電極２１は、ＣＶＤ法に基づき形成されたＳｉＯ2から成る層間絶縁層１６（より具体的には、上層層間絶縁層１６Ｂ）上に設けられている。そして、この層間絶縁層１６は、第１基板１１上に形成された有機ＥＬ素子駆動部を覆っている。有機ＥＬ素子駆動部は、複数のＴＦＴから構成されており、ＴＦＴと下部電極２１とは、層間絶縁層（より具体的には、上層層間絶縁層１６Ｂ）に設けられたコンタクトプラグ１８、配線１７、コンタクトプラグ１７Ａを介して電気的に接続されている。尚、図面においては、１つの有機ＥＬ素子駆動部につき、１つのＴＦＴを図示した。 In Example 1 or Example 2 to be described later, the lower electrode 21 constituting the organic EL element is formed of an interlayer insulating layer 16 (more specifically, an upper interlayer insulating layer made of SiO 2 formed based on a CVD method). 16B). The interlayer insulating layer 16 covers the organic EL element driving unit formed on the first substrate 11. The organic EL element driving unit is composed of a plurality of TFTs, and the TFT and the lower electrode 21 are made of a contact plug 18 and a wiring 17 provided in an interlayer insulating layer (more specifically, an upper interlayer insulating layer 16B). Are electrically connected via a contact plug 17A. In the drawing, one TFT is shown for one organic EL element driving unit.

実施例１、あるいは、後述する実施例２において、上部電極２２，４２上には、積層構造体２３，４３への水分の到達防止を目的として、真空蒸着法に基づき、窒化シリコン（Ｓｉ1-xＮx）から成る絶縁性の保護膜３１が設けられている。保護膜３１の上には第２基板３３が配されているが、保護膜３１と第２基板３３とは、紫外線硬化型接着剤から成る接着層３２によって接着されている。 In Example 1 or Example 2 to be described later, silicon nitride (Si 1−) is formed on the upper electrodes 22 and 42 on the basis of a vacuum deposition method for the purpose of preventing moisture from reaching the laminated structures 23 and 43. An insulating protective film 31 made of xNx ) is provided. The second substrate 33 is disposed on the protective film 31. The protective film 31 and the second substrate 33 are bonded to each other by an adhesive layer 32 made of an ultraviolet curable adhesive.

実施例１、あるいは、後述する実施例２において、第１基板１１や第２基板３３は、ソーダガラスから構成されている。   In Example 1 or Example 2 described later, the first substrate 11 and the second substrate 33 are made of soda glass.

実施例１、あるいは、後述する実施例２において、各積層構造体２３，４３は、具体的には、赤色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体２３Ｒ、緑色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体２３Ｇ、及び、青色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体２３Ｂから構成されている。   In Example 1 or Example 2 described later, each of the stacked structures 23 and 43 specifically configures a stacked structure 23R and a green light emitting subpixel in an organic EL element that configures a red light emitting subpixel. It is comprised from the laminated structure 23G in an organic EL element, and the laminated structure 23B in the organic EL element which comprises a blue light emission subpixel.

実施例１の有機ＥＬ表示装置の製造方法の概要を、以下、図２〜図４、図５の（Ａ）〜（Ｃ）、図６の（Ａ）〜（Ｂ）、及び、図７の（Ａ）〜（Ｂ）を参照して説明する。   The outline of the manufacturing method of the organic EL display device of Example 1 will be described below with reference to FIGS. 2 to 4, (A) to (C) in FIG. 5, (A) to (B) in FIG. A description will be given with reference to (A) to (B).

［工程−１００］
先ず、第１基板１１上に、副画素毎にＴＦＴを、周知の方法で作製する。ＴＦＴは、第１基板１１上に形成されたゲート電極１２、第１基板１１及びゲート電極１２上に形成されたゲート絶縁膜１３、ゲート絶縁膜１３上に形成された半導体層に設けられたソース／ドレイン領域１４、並びに、ソース／ドレイン領域１４の間であって、ゲート電極１２の上方に位置する半導体層の部分が相当するチャネル形成領域１５から構成されている。尚、図示した例にあっては、ＴＦＴをボトムゲート型としたが、トップゲート型であってもよい。ＴＦＴのゲート電極１２は、走査回路（図示せず）に接続されている。次に、第１基板１１上に、ＴＦＴを覆うように、ＳｉＯ2から成る下層層間絶縁層１６ＡをＣＶＤ法にて成膜した後、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、下層層間絶縁層１６Ａに開口１６’を形成する（図５の（Ａ）参照）。 [Step-100]
First, a TFT for each subpixel is formed on the first substrate 11 by a known method. The TFT includes a gate electrode 12 formed on the first substrate 11, a gate insulating film 13 formed on the first substrate 11 and the gate electrode 12, and a source provided on a semiconductor layer formed on the gate insulating film 13. The portion of the semiconductor layer located between the / drain region 14 and the source / drain region 14 and above the gate electrode 12 is constituted by a corresponding channel forming region 15. In the illustrated example, the TFT is a bottom gate type, but may be a top gate type. The gate electrode 12 of the TFT is connected to a scanning circuit (not shown). Next, a lower interlayer insulating layer 16A made of SiO 2 is formed on the first substrate 11 so as to cover the TFT by the CVD method, and then the lower interlayer insulating layer 16A is formed based on the photolithography technique and the etching technique. An opening 16 ′ is formed (see FIG. 5A).

［工程−１１０］
次いで、下層層間絶縁層１６Ａ上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、アルミニウムから成る配線１７を形成する。尚、配線１７は、開口１６’内に設けられたコンタクトプラグ１７Ａを介して、ＴＦＴのソース／ドレイン領域１４に電気的に接続されている。配線１７は、信号供給回路（図示せず）に接続されている。そして、全面にＳｉＯ2から成る上層層間絶縁層１６ＢをＣＶＤ法にて成膜する。次いで、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、上層層間絶縁層１６Ｂ上に開口１８’を形成する（図５の（Ｂ）参照）。 [Step-110]
Next, a wiring 17 made of aluminum is formed on the lower interlayer insulating layer 16A based on a combination of a vacuum deposition method and an etching method. The wiring 17 is electrically connected to the source / drain region 14 of the TFT via a contact plug 17A provided in the opening 16 ′. The wiring 17 is connected to a signal supply circuit (not shown). Then, an upper interlayer insulating layer 16B made of SiO 2 is formed on the entire surface by the CVD method. Next, an opening 18 ′ is formed on the upper interlayer insulating layer 16B based on the photolithography technique and the etching technique (see FIG. 5B).

［工程−１２０］
その後、上層層間絶縁層１６Ｂ上に、真空蒸着法とエッチング法との組合せに基づき、クロムから成る下部電極２１を形成する（図５の（Ｃ）及び図４参照）。尚、下部電極２１は、開口１８’内に設けられたコンタクトプラグ１８を介して、配線１７に電気的に接続されている。 [Step-120]
Thereafter, a lower electrode 21 made of chromium is formed on the upper interlayer insulating layer 16B based on a combination of a vacuum deposition method and an etching method (see FIG. 5C and FIG. 4). The lower electrode 21 is electrically connected to the wiring 17 via a contact plug 18 provided in the opening 18 ′.

［工程−１３０］
次いで、開口部２６を有し、開口部２６の底部に下部電極２１が露出した絶縁層２４を、下部電極２１を含む層間絶縁層１６上に形成する（図６の（Ａ）及び図３参照）。具体的には、スピンコーティング法及びエッチング法に基づき、厚さ１μｍのポリイミド樹脂から成る絶縁層２４を、層間絶縁層１６の上、及び、下部電極２１の周辺部の上に形成する。尚、開口部２６を囲む絶縁層２４の部分２４’は、なだらかな斜面を構成していることが好ましい。 [Step-130]
Next, an insulating layer 24 having an opening 26 and having the lower electrode 21 exposed at the bottom of the opening 26 is formed on the interlayer insulating layer 16 including the lower electrode 21 (see FIG. 6A and FIG. 3). ). Specifically, an insulating layer 24 made of polyimide resin having a thickness of 1 μm is formed on the interlayer insulating layer 16 and on the peripheral portion of the lower electrode 21 based on a spin coating method and an etching method. In addition, it is preferable that part 24 'of the insulating layer 24 surrounding the opening part 26 comprises the gentle slope.

［工程−１４０］
その後、真空蒸着法及びエッチング技術に基づき、絶縁層２４上に補助配線２５を形成する（図６の（Ｂ）参照）。絶縁層２４及び補助配線２５は、Ｎ×Ｍ個の有機ＥＬ素子において共通して設けられている。また、補助配線２５は、積層構造体２３を取り囲む絶縁層２４の一種の突起部の部分の対向する２辺の上に形成されている。 [Step-140]
Thereafter, an auxiliary wiring 25 is formed on the insulating layer 24 based on a vacuum deposition method and an etching technique (see FIG. 6B). The insulating layer 24 and the auxiliary wiring 25 are provided in common in N × M organic EL elements. Further, the auxiliary wiring 25 is formed on two opposing sides of a kind of protruding portion of the insulating layer 24 surrounding the laminated structure 23.

［工程−１５０］
次に、開口部２６の底部に露出した下部電極２１の部分の上から、開口部２６を取り囲む絶縁層２４の部分２４’に亙り、積層構造体２３を形成する（図７の（Ａ）及び図２参照）。尚、積層構造体２３は、例えば、有機材料から成る正孔輸送層、電子輸送層を兼ねた発光層が順次積層されている。あるいは又、積層構造体２３は、例えば、有機材料から成る正孔輸送層、発光層、電子輸送層が順次積層されている。ここで、積層構造体２３は、全体として、補助配線２５と接しているが、この積層構造体２３の補助配線２５と接する部分は、補助配線２５の縁部の上に形成されている。また、積層構造体２３は、２本の補助配線２５と接している。 [Step-150]
Next, the laminated structure 23 is formed over the portion 24 ′ of the insulating layer 24 surrounding the opening 26 from the portion of the lower electrode 21 exposed at the bottom of the opening 26 (see FIGS. 7A and 7B). (See FIG. 2). Note that, in the laminated structure 23, for example, a hole transport layer made of an organic material and a light emitting layer that also serves as an electron transport layer are sequentially laminated. Alternatively, in the laminated structure 23, for example, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer made of an organic material are sequentially laminated. Here, the laminated structure 23 is in contact with the auxiliary wiring 25 as a whole, but the portion of the laminated structure 23 that is in contact with the auxiliary wiring 25 is formed on the edge of the auxiliary wiring 25. In addition, the laminated structure 23 is in contact with the two auxiliary wirings 25.

具体的には、下部電極２１の表面の有機付着物の除去、正孔注入性の向上のために、プラズマ処理を行う。導入するガスとして、酸素ガス、窒素ガス、アルゴンガスを挙げることができるが、実施例１にあっては、具体的には、処理パワー１００Ｗ、処理時間１８０秒の酸素プラズマ処理を行う。絶縁層２４の表面は、酸素プラズマ処理によって化学的に活性な状態となる。   Specifically, plasma treatment is performed in order to remove organic deposits on the surface of the lower electrode 21 and improve hole injection properties. Examples of the gas to be introduced include oxygen gas, nitrogen gas, and argon gas. In Example 1, specifically, an oxygen plasma treatment with a treatment power of 100 W and a treatment time of 180 seconds is performed. The surface of the insulating layer 24 becomes chemically active by the oxygen plasma treatment.

次いで、絶縁層２４を一種のスペーサとし、各副画素を構成する積層構造体２３を形成するためのメタルマスク（図示せず）を絶縁層２４の突起部（補助配線２５が設けられている）の上に載置した状態で、抵抗加熱に基づき、有機材料を真空蒸着する。有機材料は、メタルマスクに設けられた開口を通過し、副画素を構成する開口部２６の底部に露出した下部電極２１の部分の上から、開口部２６を取り囲む絶縁層２４の部分２４’、更には、補助配線２５の一部の上に亙り堆積する。   Next, the insulating layer 24 is used as a kind of spacer, and a metal mask (not shown) for forming the laminated structure 23 constituting each sub-pixel is used as a protrusion of the insulating layer 24 (the auxiliary wiring 25 is provided). The organic material is vacuum-deposited based on resistance heating in a state of being placed on the substrate. The organic material passes through the opening provided in the metal mask, and from above the portion of the lower electrode 21 exposed at the bottom of the opening 26 constituting the subpixel, the portion 24 ′ of the insulating layer 24 surrounding the opening 26, Furthermore, it accumulates over a part of the auxiliary wiring 25.

緑色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体（有機層）２３Ｇにあっては、正孔注入層として、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［4,4',4"-tris(3-methylphenylphenylamino)triphenylamine］を２５ｎｍの膜厚で蒸着させる。次に、正孔輸送層として、例えば、α−ＮＰＤ［4,4-bis(N-1-naphthyl-N-phenylamino)biphenyl］を３０ｎｍの膜厚で蒸着する。次いで、電子輸送層を兼ねる発光層として、例えば、Ａｌｑ３［tris(8-quinolinolato)aluminum(III)］を５０ｎｍの膜厚で蒸着する。これらの層は、同一の真空蒸着装置内で連続して蒸着する。   In the stacked structure (organic layer) 23G in the organic EL element constituting the green light emitting subpixel, for example, m-MTDATA [4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) is used as the hole injection layer. Next, as a hole transport layer, for example, α-NPD [4,4-bis (N-1-naphthyl-N-phenylamino) biphenyl] is deposited to a thickness of 30 nm. Next, for example, Alq3 [tris (8-quinolinolato) aluminum (III)] is deposited with a film thickness of 50 nm as a light emitting layer that also serves as an electron transport layer, and these layers are formed in the same vacuum deposition apparatus. Evaporate continuously.

また、青色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体（有機層）２３Ｂにあっては、正孔注入層として、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡを１８ｎｍの膜厚で蒸着する。次いで、正孔輸送層を兼ねる発光層として、例えば、α−ＮＰＤを３０ｎｍの膜厚で蒸着する。更に、正孔ブロック層として、例えば、バソクプロイン［Bathocuproine：2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10phenanthroline］を１４ｎｍの膜厚で蒸着した後、電子輸送層として、例えば、Ａｌｑ３を例えば３０ｎｍの膜厚で蒸着する。これらの層は、同一の真空蒸着装置内で連続して蒸着する。   Further, in the laminated structure (organic layer) 23B in the organic EL element constituting the blue light emitting subpixel, for example, m-MTDATA is vapor-deposited with a film thickness of 18 nm as the hole injection layer. Next, for example, α-NPD is vapor-deposited with a thickness of 30 nm as a light-emitting layer that also serves as a hole transport layer. Furthermore, as a hole blocking layer, for example, bathocuproine [2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10phenanthroline] is deposited with a film thickness of 14 nm, and then an electron transporting layer, for example, Alq3 is used. Vapor deposition with a film thickness of 30 nm. These layers are successively deposited in the same vacuum deposition apparatus.

更には、赤色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体（有機層）２３Ｒにあっては、正孔注入層として、例えば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡを５５ｎｍの膜厚で蒸着する。次いで、正孔輸送層として、例えば、α−ＮＰＤを３０ｎｍの膜厚で蒸着する。更には、発光層として、例えば、ＢＳＢ−ＢＣＮ［2,5-bis{4-(N-methoxyphenyl-N-phenylamino)styryl}benzene-1,4-dicarbonitrile］を蒸着した後、電子輸送層として、例えば、Ａｌｑ３を３０ｎｍの膜厚で蒸着する。これらの層は、同一の真空蒸着装置内で連続して蒸着する。   Furthermore, in the laminated structure (organic layer) 23R in the organic EL element constituting the red light emitting subpixel, for example, m-MTDATA is vapor-deposited with a film thickness of 55 nm as the hole injection layer. Next, for example, α-NPD is deposited in a thickness of 30 nm as the hole transport layer. Furthermore, as a light emitting layer, for example, after depositing BSB-BCN [2,5-bis {4- (N-methoxyphenyl-N-phenylamino) styryl} benzene-1,4-dicarbonitrile], as an electron transporting layer, For example, Alq3 is deposited with a film thickness of 30 nm. These layers are successively deposited in the same vacuum deposition apparatus.

［工程−１６０］
その後、表示領域の全面に上部電極２２を形成する（図７の（Ｂ）参照）。上部電極２２は、Ｎ×Ｍ個の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体２３及び補助配線２５の全面を覆っている。但し、上部電極２２は、積層構造体２３及び絶縁層２４によって下部電極２１とは絶縁されている。上部電極２２は、積層構造体２３に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法に基づき形成されている。尚、積層構造体２３及び補助配線２５と上部電極２２との間に、積層構造体２３への電子注入性を高めるため電子注入層（例えば、厚さ０．３ｎｍのＬｉＦから成る）を形成してもよい。また、積層構造体２３を大気に暴露することなく、積層構造体２３の形成と同一の真空蒸着装置内において連続して上部電極２２の形成を行うことで、大気中の水分や酸素による積層構造体２３の劣化を防止することができる。具体的には、Ｍｇ−Ａｇ（体積比１０：１）の共蒸着膜を厚さ１０ｎｍ成膜することで、上部電極２２を得ることができる。 [Step-160]
Thereafter, the upper electrode 22 is formed on the entire surface of the display region (see FIG. 7B). The upper electrode 22 covers the entire surface of the laminated structure 23 and the auxiliary wiring 25 constituting the N × M organic EL elements. However, the upper electrode 22 is insulated from the lower electrode 21 by the laminated structure 23 and the insulating layer 24. The upper electrode 22 is formed on the basis of a vacuum deposition method, which is a film forming method in which the energy of the film forming particles is small enough not to affect the laminated structure 23. An electron injection layer (for example, made of LiF having a thickness of 0.3 nm) is formed between the stacked structure 23 and the auxiliary wiring 25 and the upper electrode 22 in order to improve the electron injection property to the stacked structure 23. May be. In addition, the upper electrode 22 is continuously formed in the same vacuum deposition apparatus as the formation of the multilayer structure 23 without exposing the multilayer structure 23 to the atmosphere, so that the multilayer structure with moisture and oxygen in the atmosphere is formed. Deterioration of the body 23 can be prevented. Specifically, the upper electrode 22 can be obtained by forming a co-deposited film of Mg—Ag (volume ratio 10: 1) to a thickness of 10 nm.

［工程−１７０］
次いで、上部電極２２上に、窒化シリコン（Ｓｉ1-xＮx）から成る絶縁性の保護膜３１を真空蒸着法に基づき形成する。保護膜３１の形成は、上部電極２２を大気に暴露することなく、上部電極２２の形成と同一の真空蒸着装置内において連続して行うことで、大気中の水分や酸素による積層構造体２３の劣化を防止することができる。その後、保護膜３１と第２基板３３とを、紫外線硬化型接着剤から成る接着層３２によって接着する。最後に、外部回路との接続を行うことで、実施例１の有機ＥＬ表示装置を完成させることができる。 [Step-170]
Next, an insulating protective film 31 made of silicon nitride (Si 1-x N x ) is formed on the upper electrode 22 based on a vacuum deposition method. The formation of the protective film 31 is performed continuously in the same vacuum deposition apparatus as the formation of the upper electrode 22 without exposing the upper electrode 22 to the atmosphere, so that the laminated structure 23 due to moisture and oxygen in the atmosphere is formed. Deterioration can be prevented. Thereafter, the protective film 31 and the second substrate 33 are bonded by an adhesive layer 32 made of an ultraviolet curable adhesive. Finally, by connecting to an external circuit, the organic EL display device of Example 1 can be completed.

実施例１の有機ＥＬ表示装置にあっては、補助配線２５を設けることで、上部電極２２のシート抵抗値が高くとも、表示領域の全面を覆う状態で形成された上部電極２２の表示領域内における電圧降下の発生を抑制することができる。その結果、表示領域内における有機ＥＬ素子の発光強度の均一化を図ることが可能となる。しかも、積層構造体２３が補助配線２５と接する部分（重複部分２３’）は、補助配線２５の縁部の上に形成されているので、即ち、上部電極２２が絶縁層２４と、直接、接することがないので、上部電極２２が絶縁層２４によって変質されることを抑制することができる。従って、画質の低下が発生するといった問題の発生を確実に防止することができる。また、補助配線２５を設けることで、消費電力の低減を図ることもできる。   In the organic EL display device according to the first embodiment, by providing the auxiliary wiring 25, the display area of the upper electrode 22 formed so as to cover the entire surface of the display area even if the sheet resistance value of the upper electrode 22 is high. It is possible to suppress the occurrence of a voltage drop at. As a result, the light emission intensity of the organic EL element in the display area can be made uniform. Moreover, the portion (overlapping portion 23 ′) where the laminated structure 23 is in contact with the auxiliary wiring 25 is formed on the edge of the auxiliary wiring 25, that is, the upper electrode 22 is in direct contact with the insulating layer 24. Therefore, the upper electrode 22 can be prevented from being altered by the insulating layer 24. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of a problem such as a deterioration in image quality. Further, by providing the auxiliary wiring 25, power consumption can be reduced.

具体的には、実施例１の有機ＥＬ表示装置にあっては、正常発光確率９９．９％であり、良好な発光特性が得られた。一方、図１３に模式的な一部断面図を示し、図１４に模式的な一部平面図を示したように、積層構造体１２３が補助配線１２５と接する部分を有しておらず、積層構造体１２３上の上部電極１２２の部分と補助配線１２５上の上部電極１２２の部分とを結ぶ上部電極１２２の部分が、全て、絶縁層１２４上に形成されている、従来の構成、構造を有する有機ＥＬ表示装置を比較例として作製し、正常発光確率を調べたところ、７８．４％となり、異常が発生する頻度が高かった。このような発光異常の原因は、絶縁層１２４上の上部電極１２２が化学的な変質（変性）を受けた結果、高抵抗化したことにあった。   Specifically, the organic EL display device of Example 1 had a normal light emission probability of 99.9%, and good light emission characteristics were obtained. On the other hand, as shown in a schematic partial cross-sectional view in FIG. 13 and a schematic partial plan view in FIG. 14, the laminated structure 123 does not have a portion in contact with the auxiliary wiring 125, and The portion of the upper electrode 122 that connects the portion of the upper electrode 122 on the structure 123 and the portion of the upper electrode 122 on the auxiliary wiring 125 is formed on the insulating layer 124 and has a conventional configuration and structure. When an organic EL display device was produced as a comparative example and the normal light emission probability was examined, it was 78.4%, and the frequency of occurrence of abnormality was high. The cause of such a light emission abnormality is that the upper electrode 122 on the insulating layer 124 has been subjected to chemical alteration (denaturation), resulting in an increase in resistance.

実施例２は、本発明の第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置に関する。実施例２の有機ＥＬ表示装置の模式的な一部断面図を図８に示す。   Example 2 relates to an organic EL display device according to the second aspect of the present invention. A schematic partial cross-sectional view of the organic EL display device of Example 2 is shown in FIG.

実施例２の有機ＥＬ表示装置にあっては、補助配線４５の上方に位置する上部電極４２の部分４２Ａは、下から電荷注入層及び電荷輸送層から成る２層構造層６１（図面では１層で示す）を介して、補助配線４５と電気的に接続されている。絶縁層２４及び補助配線４５は、複数の有機ＥＬ素子１０Ａにおいて共通して設けられており、上部電極４２は、絶縁層２４と接すること無く、複数の有機ＥＬ素子１０Ａを構成する積層構造体４３及び２層構造層６１を覆っている。ここで、実施例２の有機ＥＬ表示装置においては、下部電極２１をアノード電極として用い、上部電極４２をカソード電極として用いているので、２層構造層６１を構成する電荷注入層は、電子注入層、より具体的には、厚さ０．３ｎｍのＬｉＦから成り、電荷輸送層は、電子輸送層、より具体的には、厚さ５ｎｍのバソクプロイン（ＢＣＰ）から成る。   In the organic EL display device of Example 2, the portion 42A of the upper electrode 42 located above the auxiliary wiring 45 has a two-layer structure layer 61 (one layer in the drawing) composed of a charge injection layer and a charge transport layer from the bottom. And electrically connected to the auxiliary wiring 45. The insulating layer 24 and the auxiliary wiring 45 are provided in common in the plurality of organic EL elements 10 </ b> A, and the upper electrode 42 is not in contact with the insulating layer 24, and the laminated structure 43 constituting the plurality of organic EL elements 10 </ b> A. And the two-layer structure layer 61 are covered. Here, in the organic EL display device of Example 2, since the lower electrode 21 is used as an anode electrode and the upper electrode 42 is used as a cathode electrode, the charge injection layer constituting the two-layer structure layer 61 is an electron injection. The layer, more specifically, LiF with a thickness of 0.3 nm, and the charge transport layer is made with an electron transport layer, more specifically, bathocuproine (BCP) with a thickness of 5 nm.

そして、補助配線４５の上方に位置する上部電極４２の部分４２Ａと積層構造体４３を覆っている上部電極４２の部分４２Ｃとの間に位置する上部電極４２の部分４２Ｂと、絶縁層２４との間には、２層構造層６１が延在し、更には、この２層構造層６１は、下部電極２１の上に位置する積層構造体４３の部分と上部電極４２との間にまで延在している。具体的には、２層構造層６１及びその上に形成された上部電極４２は、複数の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体４３及び補助配線４５の全面を覆っており、更には、絶縁層２４を覆っている。   The insulating layer 24 includes a portion 42B of the upper electrode 42 positioned between the portion 42A of the upper electrode 42 positioned above the auxiliary wiring 45 and a portion 42C of the upper electrode 42 covering the laminated structure 43. A two-layer structure layer 61 extends between them, and the two-layer structure layer 61 extends between the portion of the laminated structure 43 located on the lower electrode 21 and the upper electrode 42. is doing. Specifically, the two-layer structure layer 61 and the upper electrode 42 formed on the two-layer structure layer 61 cover the entire surface of the laminated structure 43 and the auxiliary wiring 45 constituting the plurality of organic EL elements, and further, an insulating layer. 24 is covered.

実施例２の有機ＥＬ表示装置の製造方法の概要を、以下、図９の（Ａ）〜（Ｂ）を参照して説明する。   An outline of a method for manufacturing the organic EL display device of Example 2 will be described below with reference to FIGS.

［工程−２００］
先ず、第１基板１１上に、実施例１の［工程−１００］と同様にして、副画素毎にＴＦＴを、周知の方法で作製する。次いで、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、下層層間絶縁層１６Ａ上に配線１７を形成し、全面にＳｉＯ2から成る上層層間絶縁層１６ＢをＣＶＤ法にて成膜し、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術に基づき、上層層間絶縁層１６Ｂ上に開口１８’を形成する。その後、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、上層層間絶縁層１６Ｂ上にクロムから成る下部電極２１を形成する。次いで、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、開口部２６を有し、開口部２６の底部に下部電極２１が露出した絶縁層２４を、下部電極２１を含む層間絶縁層１６上に形成する。その後、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、絶縁層２４上に補助配線４５を形成する。こうして、図６の（Ｂ）に示したと同様の構造を得ることができる。 [Step-200]
First, in the same manner as in [Step-100] of the first embodiment, a TFT for each subpixel is formed on the first substrate 11 by a known method. Next, in the same manner as in [Step-110] in Example 1, the wiring 17 is formed on the lower interlayer insulating layer 16A, and the upper interlayer insulating layer 16B made of SiO 2 is formed on the entire surface by the CVD method. An opening 18 ′ is formed on the upper interlayer insulating layer 16B based on the lithography technique and the etching technique. Thereafter, in the same manner as in [Step-120] in Example 1, the lower electrode 21 made of chromium is formed on the upper interlayer insulating layer 16B. Next, in the same manner as in [Step-130] of Example 1, the insulating layer 24 having the opening 26 and the lower electrode 21 exposed at the bottom of the opening 26 is formed on the interlayer insulating layer 16 including the lower electrode 21. To form. Thereafter, the auxiliary wiring 45 is formed on the insulating layer 24 in the same manner as in [Step-140] of the first embodiment. Thus, a structure similar to that shown in FIG. 6B can be obtained.

［工程−２１０］
次に、実施例１の［工程−１５０］と実質的に同様にして、開口部２６の底部に露出した下部電極２１の部分の上から、開口部２６を取り囲む絶縁層２４の部分２４’に亙り、積層構造体４３を形成する（図９の（Ａ）参照）。尚、積層構造体４３は、実施例１と同様に、例えば、有機材料から成る正孔輸送層、電子輸送層を兼ねた発光層が順次積層されている。あるいは又、積層構造体４３は、例えば、有機材料から成る正孔輸送層、発光層、電子輸送層が順次積層されている。積層構造体４３は、開口部２６を取り囲む絶縁層２４の部分２４’の上に形成されているが、実施例１と異なり、補助配線４５とは接していない。 [Step-210]
Next, in substantially the same manner as in [Step-150] of the first embodiment, the portion 24 ′ of the insulating layer 24 surrounding the opening 26 is exposed from above the portion of the lower electrode 21 exposed at the bottom of the opening 26. As a result, the laminated structure 43 is formed (see FIG. 9A). Note that, in the laminated structure 43, as in the first embodiment, for example, a hole transport layer made of an organic material and a light emitting layer that also serves as an electron transport layer are sequentially laminated. Alternatively, in the stacked structure 43, for example, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer made of an organic material are sequentially stacked. The laminated structure 43 is formed on the portion 24 ′ of the insulating layer 24 surrounding the opening 26, but is not in contact with the auxiliary wiring 45 unlike the first embodiment.

具体的には、実施例１と同様に、先ず、下部電極２１の表面の有機付着物の除去、正孔注入性の向上のために、プラズマ処理を行う。   Specifically, as in Example 1, first, plasma treatment is performed in order to remove organic deposits on the surface of the lower electrode 21 and to improve hole injection properties.

次いで、絶縁層２４を一種のスペーサとし、各副画素を構成する積層構造体４３を形成するためのメタルマスク（図示せず）を絶縁層２４の突起部（補助配線４５が設けられている）の上に載置した状態で、抵抗加熱に基づき、有機材料を真空蒸着する。有機材料は、メタルマスクに設けられた開口を通過し、副画素を構成する開口部２６の底部に露出した下部電極２１の部分の上から、開口部２６を取り囲む絶縁層２４の部分２４’の上に亙り堆積する。   Next, the insulating layer 24 is used as a kind of spacer, and a metal mask (not shown) for forming the stacked structure 43 constituting each sub-pixel is used as a protruding portion of the insulating layer 24 (the auxiliary wiring 45 is provided). The organic material is vacuum-deposited based on resistance heating in a state of being placed on the substrate. The organic material passes through the opening provided in the metal mask, and from above the portion of the lower electrode 21 exposed at the bottom of the opening 26 constituting the subpixel, the portion 24 ′ of the insulating layer 24 surrounding the opening 26. Accumulate on top.

緑色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体（有機層）の構成、青色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体（有機層）の構成、及び、赤色発光副画素を構成する有機ＥＬ素子における積層構造体（有機層）の構成は、実施例１と同様とすることができる。   The structure of the laminated structure (organic layer) in the organic EL element that constitutes the green light emitting subpixel, the structure of the laminated structure (organic layer) in the organic EL element that constitutes the blue light emitting subpixel, and the red light emitting subpixel The structure of the laminated structure (organic layer) in the organic EL element to be performed can be the same as that of the first embodiment.

［工程−２２０］
その後、表示領域の全面に、下から電荷注入層及び電荷輸送層から成る２層構造層６１を、抵抗加熱に基づき有機材料を真空蒸着することで形成する（図９の（Ｂ）参照）。２層構造層６１を全面に形成すればよいので、２層構造層６１を形成するためのマスク等は不要であり、製造工程の簡素化、使用するマスク数の低減を図ることができる。また、２層構造層６１は、積層構造体４３に対して影響を及ぼすことのない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法である真空蒸着法に基づき形成されている。 [Step-220]
Thereafter, a two-layer structure layer 61 composed of a charge injection layer and a charge transport layer is formed on the entire surface of the display region from the bottom by vacuum evaporation of an organic material based on resistance heating (see FIG. 9B). Since the two-layer structure layer 61 may be formed on the entire surface, a mask or the like for forming the two-layer structure layer 61 is not necessary, and the manufacturing process can be simplified and the number of masks to be used can be reduced. The two-layer structure layer 61 is formed on the basis of a vacuum deposition method, which is a film formation method in which the energy of the film formation particles is small enough not to affect the laminated structure 43.

［工程−２３０］
その後、実施例１の［工程−１６０］と同様にして、表示領域の全面に上部電極４２を形成する。上部電極４２は、Ｎ×Ｍ個の有機ＥＬ素子を構成する積層構造体４３及び補助配線４５の全面を覆っている。尚、実施例１と同様に、２層構造層６１の上に、積層構造体２３への電子注入性を高めるため電子注入層（例えば、厚さ０．３ｎｍのＬｉＦから成る）を形成してもよい。 [Step-230]
Thereafter, the upper electrode 42 is formed on the entire surface of the display area in the same manner as in [Step-160] of the first embodiment. The upper electrode 42 covers the entire surface of the laminated structure 43 and the auxiliary wiring 45 constituting the N × M organic EL elements. As in Example 1, an electron injection layer (for example, made of LiF having a thickness of 0.3 nm) is formed on the two-layer structure layer 61 in order to improve the electron injection property into the laminated structure 23. Also good.

［工程−２４０］
次いで、実施例１の［工程−１７０］と同様にして、上部電極４２上に、窒化シリコン（Ｓｉ1-xＮx）から成る絶縁性の保護膜３１を真空蒸着法に基づき形成した後、保護膜３１と第２基板３３とを、紫外線硬化型接着剤から成る接着層３２によって接着する。最後に、外部回路との接続を行うことで、実施例２の有機ＥＬ表示装置を完成させることができる。 [Step-240]
Next, in the same manner as in [Step-170] in Example 1, an insulating protective film 31 made of silicon nitride (Si 1-x N x ) is formed on the upper electrode 42 based on a vacuum deposition method. The protective film 31 and the second substrate 33 are bonded by an adhesive layer 32 made of an ultraviolet curable adhesive. Finally, by connecting to an external circuit, the organic EL display device of Example 2 can be completed.

補助配線４５と上部電極４２とは、２層構造層６１を介して電気的に接続されているが、電圧降下は、出来る限り小さい方が、有機ＥＬ表示装置の消費電力、発熱を抑えるといった観点から望ましい。通常、補助配線４５と上部電極４２との電気的接続部分（以下、『コンタクト部分』と呼ぶ）の面積は、上部電極４２と積層構造体４３との電気的接続部分の面積の約１／１００から約１／１０００程度であるので、コンタクト部分を流れる電流の電流密度は、上部電極４２と積層構造体４３との電気的接続部分を流れる電流の電流密度の約１００倍から約１０００倍にもなる。そして、このような条件にあっても、十分に電荷移動を行うことができるようにすることが必要であり、具体的には、補助配線４５と上部電極４２との間を流れる電流の電流密度がコンタクト部分において１０Ａ／ｃｍ2以下のとき、補助配線４５と上部電極４２との間における電圧降下が５ボルト以下であることが望ましい。 Although the auxiliary wiring 45 and the upper electrode 42 are electrically connected via the two-layer structure layer 61, the voltage drop is as small as possible to reduce power consumption and heat generation of the organic EL display device. Desirable from. Usually, the area of the electrical connection portion (hereinafter referred to as “contact portion”) between the auxiliary wiring 45 and the upper electrode 42 is about 1/100 of the area of the electrical connection portion between the upper electrode 42 and the laminated structure 43. Therefore, the current density of the current flowing through the contact portion is about 100 times to about 1000 times the current density of the current flowing through the electrical connection portion between the upper electrode 42 and the laminated structure 43. Become. Even under such conditions, it is necessary to sufficiently perform charge transfer. Specifically, the current density of the current flowing between the auxiliary wiring 45 and the upper electrode 42 is required. Is 10 A / cm 2 or less at the contact portion, the voltage drop between the auxiliary wiring 45 and the upper electrode 42 is preferably 5 volts or less.

そして、このような条件を得るために、２層構造層６１を構成する電荷輸送層（電子輸送層）には、電子移動度が高く、補助配線４５から電荷注入層（電子注入層）を介して上部電極４２への電子注入が行われ易いことが求められる。また、電子は上部電極４２から２層構造層６１を経て積層構造体４３に注入され、その結果、積層構造体４３が発光するので、電荷輸送層（電子輸送層）は、有機ＥＬ素子の特性を良好に保つ材料から成り、しかも、有機ＥＬ素子の特性を良好に保ち得るような成膜方法によって成膜されることが好ましく、具体的には、例えば、バソクプロイン（ＢＣＰ）、バソフェナントロリン、アントラセン系電子輸送材料等を挙げることができる。   In order to obtain such conditions, the charge transport layer (electron transport layer) constituting the two-layer structure layer 61 has high electron mobility, and the auxiliary wiring 45 passes through the charge injection layer (electron injection layer). Therefore, it is required that electrons are easily injected into the upper electrode 42. Further, electrons are injected from the upper electrode 42 through the two-layer structure layer 61 into the multilayer structure 43, and as a result, the multilayer structure 43 emits light. Therefore, the charge transport layer (electron transport layer) is a characteristic of the organic EL element. It is preferable that the film be formed by a film forming method that can maintain the characteristics of the organic EL element, and specifically, for example, bathocuproin (BCP), bathophenanthroline, anthracene And electron transport materials.

実施例２にあっては、２層構造層６１を構成する電荷輸送層（具体的には、電子輸送層）をバソクプロイン（ＢＣＰ）から構成したので、同一輝度を達成するのに必要な駆動電圧は、前述した比較例の有機ＥＬ表示装置に比べて、約２．５Ｖの上昇に抑えられていた。   In Example 2, since the charge transport layer (specifically, the electron transport layer) constituting the two-layer structure layer 61 is composed of bathocuproine (BCP), the driving voltage required to achieve the same luminance is achieved. Was suppressed to about 2.5 V as compared with the organic EL display device of the comparative example described above.

また、実施例２の有機ＥＬ表示装置にあっても、補助配線４５を設けることで、しかも、補助配線４５と上部電極４２とを２層構造層６１を介して電気的に接続するので、上部電極４２のシート抵抗値が高くとも、表示領域の全面を覆う状態で形成された上部電極４２の表示領域内における電圧降下の発生を抑制することができる。その結果、表示領域内における有機ＥＬ素子の発光強度の均一化を図ることが可能となる。しかも、絶縁層２４と上部電極４２との間には２層構造層６１が存在し、上部電極４２は絶縁層２４と直接、接することがないので、上部電極４２が絶縁層２４によって変質されることを抑制することができる。従って、画質の低下が発生するといった問題の発生を確実に防止することができる。しかも、補助配線４５を設けることで、消費電力の低減を図ることもできる。   Even in the organic EL display device of Example 2, the auxiliary wiring 45 is provided, and the auxiliary wiring 45 and the upper electrode 42 are electrically connected through the two-layer structure layer 61. Even if the sheet resistance value of the electrode 42 is high, the occurrence of a voltage drop in the display region of the upper electrode 42 formed so as to cover the entire surface of the display region can be suppressed. As a result, the light emission intensity of the organic EL element in the display area can be made uniform. In addition, since the two-layer structure layer 61 exists between the insulating layer 24 and the upper electrode 42 and the upper electrode 42 does not directly contact the insulating layer 24, the upper electrode 42 is altered by the insulating layer 24. This can be suppressed. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of a problem such as a deterioration in image quality. Moreover, the power consumption can be reduced by providing the auxiliary wiring 45.

２層構造層６１の構成、構造は、図８に示した構成、構造に限定されない。図１０の（Ａ）に図示するように、補助配線４５の上方に位置する上部電極４２の部分４２Ａと積層構造体４３を覆っている上部電極４２の部分４２Ｃとの間に位置する上部電極４２の部分４２Ｂと、絶縁層２４との間には、積層構造体４３を構成する複数の層の内の少なくとも１層（図示した例では、積層構造体４３を構成する複数の層の全て）が延在していてもよい。ここで、図示した例では、積層構造体４３は、補助配線４５と接する部分（補助配線４５の縁部と重複する部分）を有している。あるいは又、図１０の（Ｂ）に図示する例では、２層構造層６１が、補助配線４５及びその近傍にのみ形成されている点が、図１０の（Ａ）に図示した例と異なっている。即ち、絶縁層２４の部分２４’と上部電極４２との間には、積層構造体４３が形成されており、上部電極４２は絶縁層２４と、直接、接してはいない。尚、これらの例にあっては、図示しないが、２層構造層６１を形成した後に、積層構造体４３を形成してもよく、この場合には、２層構造層６１の上に積層構造体４３が形成される。   The configuration and structure of the two-layer structure layer 61 are not limited to the configuration and structure shown in FIG. As shown in FIG. 10A, the upper electrode 42 located between the portion 42 </ b> A of the upper electrode 42 located above the auxiliary wiring 45 and the portion 42 </ b> C of the upper electrode 42 covering the laminated structure 43. Between the portion 42B and the insulating layer 24, at least one of a plurality of layers constituting the laminated structure 43 (in the illustrated example, all of the plurality of layers constituting the laminated structure 43) is present. It may be extended. Here, in the illustrated example, the laminated structure 43 has a portion in contact with the auxiliary wiring 45 (a portion overlapping the edge of the auxiliary wiring 45). Alternatively, the example illustrated in FIG. 10B is different from the example illustrated in FIG. 10A in that the two-layer structure layer 61 is formed only in the auxiliary wiring 45 and the vicinity thereof. Yes. That is, a laminated structure 43 is formed between the portion 24 ′ of the insulating layer 24 and the upper electrode 42, and the upper electrode 42 is not in direct contact with the insulating layer 24. In these examples, although not shown, the laminated structure 43 may be formed after the two-layer structure layer 61 is formed. In this case, the laminated structure is formed on the two-layer structure layer 61. A body 43 is formed.

以上、好ましい実施例に基づき本発明を説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例における有機ＥＬ表示装置や有機ＥＬ素子の構成、構造、有機ＥＬ表示装置や有機ＥＬ素子を構成する材料等は例示であり、適宜、変更することができる。   As mentioned above, although this invention was demonstrated based on the preferable Example, this invention is not limited to these Examples. The configurations and structures of the organic EL display device and the organic EL element and the materials constituting the organic EL display device and the organic EL element in the examples are examples, and can be appropriately changed.

実施例にあっては、図２に示したように、補助配線２５の縁部に一種の突出部を設け、この突出部の上に積層構造体の重複部分２３’を設けたが、場合によっては、補助配線の直線状の縁部の上に、補助配線の長さ方向全体に亙って積層構造体の重複部分を設けてもよい。また、補助配線を１つの副画素の四方を囲むように形成し、積層構造体の重複部分を、１つの副画素の四方を囲むように形成された補助配線の縁部全体に亙って設けてもよい。更には、場合によっては、積層構造体は１本の補助配線と接している形態としてもよい。実施例においては、絶縁層２４の形状を突起部を有する形状としたが、絶縁層２４の形状はこれに限定するものではなく、絶縁層２４の頂面が積層構造体２３の頂面と略同じレベルにある構成とすることもできる。   In the embodiment, as shown in FIG. 2, a kind of protrusion is provided on the edge of the auxiliary wiring 25, and the overlapping portion 23 ′ of the laminated structure is provided on the protrusion. The overlapping portion of the laminated structure may be provided on the linear edge of the auxiliary wiring over the entire length of the auxiliary wiring. Further, the auxiliary wiring is formed so as to surround the four sides of one subpixel, and the overlapping portion of the stacked structure is provided over the entire edge of the auxiliary wiring formed so as to surround the four sides of the one subpixel. May be. Further, in some cases, the laminated structure may be in contact with one auxiliary wiring. In the embodiment, the shape of the insulating layer 24 is a shape having protrusions, but the shape of the insulating layer 24 is not limited to this, and the top surface of the insulating layer 24 is substantially the same as the top surface of the laminated structure 23. It can also be configured at the same level.

また、実施例にあっては、補助配線２５，４５を絶縁層２４の上に形成したが、場合によっては、下部電極２１を設けるとき、同時に補助配線２５，４５を層間絶縁層１６上に設け、補助配線２５，４５の上方の絶縁層２４に開口を設け、積層構造体２３，４３を、絶縁層２４上から補助配線２５，４５まで延在させてもよい（図１１の（Ａ）の模式的な一部断面図参照）。あるいは又、配線１７の形成時、併せて、補助配線２５，４５を設けてもよい（図１１の（Ｂ）の模式的な一部断面図参照）。尚、これらの変形例の構成、構造を、実施例２の変形例において説明した有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。   In the embodiment, the auxiliary wirings 25 and 45 are formed on the insulating layer 24. However, in some cases, when the lower electrode 21 is provided, the auxiliary wirings 25 and 45 are provided on the interlayer insulating layer 16 at the same time. In addition, an opening may be provided in the insulating layer 24 above the auxiliary wirings 25 and 45, and the laminated structures 23 and 43 may be extended from the insulating layer 24 to the auxiliary wirings 25 and 45 (in FIG. 11A). (Refer to the schematic partial sectional view). Alternatively, auxiliary wirings 25 and 45 may be provided at the time of forming the wiring 17 (see the schematic partial sectional view of FIG. 11B). Note that the configurations and structures of these modified examples can also be applied to the organic EL display device described in the modified example of the second embodiment.

有機ＥＬ表示装置を透過型とすることもできる。そして、下部電極をアノード電極として用いる場合、下部電極は、ＩＴＯやＩＺＯのように、仕事関数の値が大きく、且つ、光透過率の高い導電材料から構成することが望ましい。一方、下部電極をカソード電極として用いる場合、下部電極は、仕事関数の値が小さく、且つ、光透過率の高い導電材料から構成することが望ましい。更には、上部電極をカソード電極として用いる場合、上部電極は、仕事関数の値が小さく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましい。一方、上部電極をアノード電極として用いる場合、上部電極は、仕事関数の値が大きく、且つ、光反射率の高い導電材料から構成することが望ましい。   The organic EL display device can also be a transmissive type. When the lower electrode is used as the anode electrode, the lower electrode is preferably made of a conductive material having a large work function value and high light transmittance, such as ITO or IZO. On the other hand, when the lower electrode is used as the cathode electrode, the lower electrode is preferably made of a conductive material having a small work function value and high light transmittance. Furthermore, when the upper electrode is used as a cathode electrode, it is desirable that the upper electrode is made of a conductive material having a small work function value and high light reflectance. On the other hand, when the upper electrode is used as the anode electrode, the upper electrode is preferably made of a conductive material having a large work function value and high light reflectance.

実施例１においては、積層構造体を副画素毎に形成したが、場合によっては、赤色を発光する赤色発光副画素、及び、緑色を発光する緑色発光副画素のそれぞれについては、副画素を規定する領域毎に積層構造体を形成し、青色を発光する青色発光副画素については、表示領域全面に青色を発光する積層構造体を形成する形態とすることもできる。尚、上部電極は、係る青色を発光する積層構造体の上に、青色を発光する積層構造体の全面を覆うように形成する。この場合、赤色発光副画素に関しては、赤色を発光する積層構造体と青色を発光する積層構造体の積層構造となるが、下部電極と上部電極との間で電流を流すと赤色を発光する。同様に、緑色発光副画素に関しては、緑色を発光する積層構造体と青色を発光する積層構造体の積層構造となるが、下部電極と上部電極との間で電流を流すと緑色を発光する。このような構成の有機ＥＬ表示装置にあっては、全面に形成された上部電極を外部に接続するための接続部（接続端子部あるいは接続用配線）が有機ＥＬ表示装置の周縁部の層間絶縁層上に形成されている。そして、このような構成にあっても、上部電極が接続部に接続される領域において、上部電極が絶縁層によって変質されることを抑制するために、上部電極と絶縁層との間に青色を発光する積層構造体を存在させることが好ましい。即ち、上部電極が接続部に接続される領域においては、層間絶縁層、絶縁層、青色を発光する積層構造体、上部電極の積層構造を有し、接続部の一部分においては、層間絶縁層、接続部、青色を発光する積層構造体、上部電極の積層構造を有し、接続部の他の部分においては、層間絶縁層、接続部、上部電極の積層構造を有する。   In the first embodiment, the stacked structure is formed for each subpixel. However, in some cases, a subpixel is defined for each of the red light emitting subpixel that emits red light and the green light emitting subpixel that emits green light. For each blue light emitting subpixel that emits blue light, a laminated structure that emits blue light may be formed over the entire display region. The upper electrode is formed on the laminated structure that emits blue light so as to cover the entire surface of the laminated structure that emits blue light. In this case, the red light emitting subpixel has a laminated structure of a laminated structure that emits red light and a laminated structure that emits blue light, but emits red light when a current is passed between the lower electrode and the upper electrode. Similarly, the green light emitting sub-pixel has a stacked structure of a stacked structure that emits green light and a stacked structure that emits blue light, but emits green light when a current is passed between the lower electrode and the upper electrode. In the organic EL display device having such a configuration, the connection portion (connection terminal portion or connection wiring) for connecting the upper electrode formed on the entire surface to the outside has an interlayer insulation at the peripheral portion of the organic EL display device. Formed on the layer. Even in such a configuration, in order to prevent the upper electrode from being altered by the insulating layer in the region where the upper electrode is connected to the connection portion, a blue color is provided between the upper electrode and the insulating layer. It is preferable to have a laminated structure that emits light. That is, in a region where the upper electrode is connected to the connection portion, the interlayer insulating layer, the insulating layer, a laminated structure that emits blue light, a laminated structure of the upper electrode, and in a part of the connecting portion, an interlayer insulating layer, The connecting portion has a laminated structure that emits blue light and a laminated structure of the upper electrode, and the other portion of the connecting portion has a laminated structure of an interlayer insulating layer, a connecting portion, and an upper electrode.

実施例にあっては、例えば、絶縁層２４の一部分の上の重複部分２３’の構造を、補助配線２５、積層構造体２３、上部電極２２が、順次、積層された積層構造としたが、場合によっては、代替的に、図１２に模式的な一部端面図を示すように、絶縁層２４の一部分の上に、下から、積層構造体２３、補助配線２５、上部電極２２が、順次、積層された積層構造とすることもできる。尚、図１２に示した構成、構造を、実施例２あるいはその変形例において説明した有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。   In the embodiment, for example, the structure of the overlapping portion 23 ′ on a part of the insulating layer 24 has a laminated structure in which the auxiliary wiring 25, the laminated structure 23, and the upper electrode 22 are sequentially laminated. In some cases, alternatively, as shown in a schematic partial end view in FIG. 12, the laminated structure 23, the auxiliary wiring 25, and the upper electrode 22 are sequentially formed on a part of the insulating layer 24 from below. Alternatively, a laminated structure in which layers are stacked can be used. The configuration and structure shown in FIG. 12 can also be applied to the organic EL display device described in the second embodiment or its modification.

図１は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。FIG. 1 is a schematic partial cross-sectional view of the organic electroluminescence display device according to the first embodiment. 図２は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置における積層構造体、補助配線、絶縁層等の配置を模式的に示す一部平面図である。FIG. 2 is a partial plan view schematically showing the arrangement of the laminated structure, the auxiliary wiring, the insulating layer, and the like in the organic electroluminescence display device of Example 1. 図３は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置における下部電極、開口部、絶縁層等の配置を模式的に示す一部平面図である。FIG. 3 is a partial plan view schematically showing the arrangement of the lower electrode, the opening, the insulating layer, and the like in the organic electroluminescence display device of Example 1. 図４は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置における下部電極、層間絶縁層等の配置を模式的に示す一部平面図である。4 is a partial plan view schematically showing the arrangement of the lower electrode, the interlayer insulating layer, and the like in the organic electroluminescence display device of Example 1. FIG. 図５の（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。5A, 5 </ b> B, and 5 </ b> C are schematic partial end views of the first substrate and the like for explaining the outline of the manufacturing method of the organic electroluminescence display device of Example 1. FIG. 図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、図５の（Ｃ）に引き続き、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。6A and 6B are schematic partial views of the first substrate and the like for explaining the outline of the manufacturing method of the organic electroluminescence display device of Example 1 following FIG. 5C. It is an end view. 図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、図６の（Ｂ）に引き続き、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。7A and 7B are schematic partial views of the first substrate and the like for explaining the outline of the manufacturing method of the organic electroluminescence display device of Example 1 following FIG. 6B. It is an end view. 図８は、実施例２の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。FIG. 8 is a schematic partial cross-sectional view of the organic electroluminescence display device of Example 2. 図９の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法の概要を説明するための第１基板等の模式的な一部端面図である。FIGS. 9A and 9B are schematic partial end views of the first substrate and the like for explaining the outline of the method for manufacturing the organic electroluminescence display device of Example 2. FIGS. 図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例２の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例の模式的な一部断面図である。10A and 10B are schematic partial cross-sectional views of a modification of the organic electroluminescence display device of Example 2. FIG. 図１１の（Ａ）及び（Ｂ）は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の変形例の模式的な一部断面図である。11A and 11B are schematic partial cross-sectional views of a modification of the organic electroluminescence display device of Example 1. FIG. 図１２は、絶縁層の一部分の上の重複部分の構造の変形例を示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。FIG. 12 is a schematic partial cross-sectional view of an organic electroluminescence display device showing a modification of the structure of the overlapping portion on a part of the insulating layer. 図１３は、従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。FIG. 13 is a schematic partial cross-sectional view of a conventional organic electroluminescence display device. 図１４は、従来の有機エレクトロルミネッセンス表示装置における積層構造体、補助配線、絶縁層等の配置を模式的に示す一部平面図である。FIG. 14 is a partial plan view schematically showing the arrangement of laminated structures, auxiliary wirings, insulating layers, etc. in a conventional organic electroluminescence display device.

符号の説明Explanation of symbols

１０・・・有機エレクトロルミネッセンス素子、１１・・・第１基板、１２・・・ゲート電極、１３・・・ゲート絶縁膜、１４・・・ソース／ドレイン領域、１５・・・チャネル形成領域、１６・・・層間絶縁層、１６Ａ・・・下層層間絶縁層、１６’，１８’・・・開口、１６Ｂ・・・上層層間絶縁層、１７・・・配線、１７Ａ，１８・・・コンタクトプラグ、２１・・・下部電極、２２，４２，４２Ａ，４２Ｂ，４２Ｃ・・・上部電極、２３，２３Ｒ，２３Ｂ，２３Ｇ，４３・・・積層構造体、２３’・・・積層構造体の補助配線と接する部分（重複部分）、２４・・・絶縁層、２４’・・・開口部を取り囲む絶縁層の部分、２５，４５・・・補助配線、２６・・・開口部、３１・・・保護膜、３２・・・接着層、３３・・・第２基板、６１・・・２層構造層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Organic electroluminescent element, 11 ... 1st board | substrate, 12 ... Gate electrode, 13 ... Gate insulating film, 14 ... Source / drain region, 15 ... Channel formation region, 16 ... Interlayer insulating layer, 16A ... Lower interlayer insulating layer, 16 ', 18' ... Opening, 16B ... Upper interlayer insulating layer, 17 ... Wiring, 17A, 18 ... Contact plug, 21 ... Lower electrode, 22, 42, 42A, 42B, 42C ... Upper electrode, 23, 23R, 23B, 23G, 43 ... Laminated structure, 23 '... Auxiliary wiring of laminated structure Touching part (overlapping part), 24 ... insulating layer, 24 '... insulating layer surrounding the opening, 25, 45 ... auxiliary wiring, 26 ... opening, 31 ... protective film 32 ... Adhesive layer, 33 ... Second substrate, 1 ... 2-layer structure layer

Claims (9)

（Ａ）下部電極、
（Ｂ）開口部を有し、開口部の底部に下部電極が露出した絶縁層、
（Ｃ）補助配線、
（Ｄ）開口部の底部に露出した下部電極の部分の上から、開口部を取り囲む絶縁層の部分に亙り設けられ、有機発光材料から成る発光層を備えた積層構造体、及び、
（Ｅ）上部電極、
を具備した有機エレクトロルミネッセンス素子を、複数、有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
積層構造体を構成する複数の層の内、少なくとも１層は、補助配線と接する部分を有しており、
絶縁層及び補助配線は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子において共通して設けられており、
上部電極は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する積層構造体及び補助配線の全面を覆っていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 (A) Lower electrode,
(B) an insulating layer having an opening, with the lower electrode exposed at the bottom of the opening;
(C) Auxiliary wiring,
(D) a laminated structure including a light emitting layer made of an organic light emitting material, provided over a portion of an insulating layer surrounding the opening from above the portion of the lower electrode exposed at the bottom of the opening; and
(E) Upper electrode,
An organic electroluminescence display device having a plurality of organic electroluminescence elements comprising:
Of the plurality of layers constituting the laminated structure, at least one layer has a portion in contact with the auxiliary wiring,
The insulating layer and the auxiliary wiring are provided in common in the plurality of organic electroluminescence elements,
The organic electroluminescence display device, wherein the upper electrode covers the entire surface of the laminated structure and auxiliary wiring constituting the plurality of organic electroluminescence elements. 積層構造体を構成する複数の層の内の少なくとも１層の補助配線と接する部分は、補助配線の上に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   2. The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein a portion in contact with at least one auxiliary wiring of the plurality of layers constituting the laminated structure is formed on the auxiliary wiring. 3. 上部電極はマグネシウムを含む導電材料から成り、上部電極の厚さは４ｎｍ乃至２０ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence display device according to claim 1, wherein the upper electrode is made of a conductive material containing magnesium, and the thickness of the upper electrode is 4 nm to 20 nm. （Ａ）下部電極、
（Ｂ）開口部を有し、開口部の底部に下部電極が露出した絶縁層、
（Ｃ）補助配線、
（Ｄ）開口部の底部に露出した下部電極の部分の上から、開口部を取り囲む絶縁層の部分に亙り設けられ、有機発光材料から成る発光層を備えた積層構造体、及び、
（Ｅ）上部電極、
を具備した有機エレクトロルミネッセンス素子を、複数、有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
補助配線の上方に位置する上部電極の部分は、下から電荷注入層及び電荷輸送層から成る２層構造層を介して、補助配線と電気的に接続されており、
絶縁層及び補助配線は、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子において共通して設けられており、
上部電極は、絶縁層と接すること無く、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する積層構造体及び２層構造層を覆っていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 (A) Lower electrode,
(B) an insulating layer having an opening, with the lower electrode exposed at the bottom of the opening;
(C) Auxiliary wiring,
(D) a laminated structure including a light emitting layer made of an organic light emitting material, provided over a portion of an insulating layer surrounding the opening from above the portion of the lower electrode exposed at the bottom of the opening; and
(E) Upper electrode,
An organic electroluminescence display device having a plurality of organic electroluminescence elements comprising:
The portion of the upper electrode located above the auxiliary wiring is electrically connected to the auxiliary wiring from below through a two-layer structure layer composed of a charge injection layer and a charge transport layer,
The insulating layer and the auxiliary wiring are provided in common in the plurality of organic electroluminescence elements,
The organic electroluminescence display device, wherein the upper electrode covers the laminated structure and the two-layer structure layer constituting the plurality of organic electroluminescence elements without being in contact with the insulating layer. 補助配線の上方に位置する上部電極の部分と積層構造体を覆っている上部電極の部分との間に位置する上部電極の部分と、絶縁層との間には、２層構造層が延在していることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   A two-layer structure layer extends between the upper electrode portion located above the auxiliary wiring and the upper electrode portion covering the laminated structure and the insulating layer. The organic electroluminescence display device according to claim 4, wherein the organic electroluminescence display device is provided. ２層構造層は、下部電極の上に位置する積層構造体の部分と上部電極との間にまで延在していることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   6. The organic electroluminescence display device according to claim 5, wherein the two-layer structure layer extends to a position between the upper electrode and the portion of the laminated structure positioned on the lower electrode. 積層構造体を構成する複数の層の内、少なくとも１層は、補助配線と接する部分を有していることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   5. The organic electroluminescence display device according to claim 4, wherein at least one of the plurality of layers constituting the laminated structure has a portion in contact with the auxiliary wiring. 補助配線と上部電極との間を流れる電流の電流密度が１０Ａ／ｃｍ2以下のとき、補助配線と上部電極との間における電圧降下が５ボルト以下であることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 The voltage drop between the auxiliary wiring and the upper electrode is 5 volts or less when the current density of the current flowing between the auxiliary wiring and the upper electrode is 10 A / cm 2 or less. Organic electroluminescence display device. 上部電極はマグネシウムを含む導電材料から成り、上部電極の厚さは４ｎｍ乃至２０ｎｍであることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。   The organic electroluminescence display device according to claim 4, wherein the upper electrode is made of a conductive material containing magnesium, and the thickness of the upper electrode is 4 nm to 20 nm.
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