JP2008306032A - Semiconductor package - Google Patents

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    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a means for sufficient contact between a semiconductor device and a heat slag formed at a lid even if deflection of a substrate and adhesive state of a stiffener change, for sufficient heat radiation of the semiconductor device. <P>SOLUTION: The semiconductor package comprises a semiconductor device 11, a wiring substrate 10, a stiffer 12 arranged on the wiring substrate, and a lid 13 for protecting the semiconductor device. The cross-sectional structure of the stiffener shows recessed form, and the protruding part of the lid enters the recessed portion. A projection for fixing is provided on the inside surface at the tip of recess of the stiffener as well as on the side of the protruding part of the lid, with the protruding parts engaging with each other to be fixed. A heat slag 17 for heat radiation arranged separately at the lid contacts to the semiconductor device with sure. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体デバイスをプリント配線板に実装するための半導体パッケージに関し、特に半導体デバイスを保護するための改良された蓋と、スティフナー(補強板)及びヒートスプレッダ(放熱板)を有する半導体パッケージに関するものである。   The present invention relates to a semiconductor package for mounting a semiconductor device on a printed wiring board, and more particularly to a semiconductor package having an improved lid for protecting the semiconductor device, a stiffener (reinforcing plate), and a heat spreader (heat radiating plate). It is.

搭載する半導体デバイスの高速化、高集積化、多機能化にともなって、半導体パッケージにも高耐湿性、高耐熱性、高放熱性などの高機能化が要求されてきた。半導体デバイスの高機能化は発熱増加に結びつく。動画等画像処理速度を上げるために演算速度も高速化し、動作周波数が高くなることで消費電力が上昇する。機能の安定作動には熱の放散が必要であり、放熱板を備えるなど放熱特性をもつ製品が求められている。   As the semiconductor devices to be mounted are increased in speed, integration, and functionality, semiconductor packages have been required to have high functions such as high moisture resistance, high heat resistance, and high heat dissipation. Increased functionality of semiconductor devices leads to increased heat generation. In order to increase the image processing speed such as moving images, the calculation speed is also increased, and the power consumption is increased by increasing the operating frequency. Heat dissipation is required for stable function operation, and products with heat dissipation characteristics such as a heat sink are required.

また、近年の半導体デバイスの変化は著しく、製品のライフサイクルもどんどん短くなってきて、半導体パッケージに対しても、チップ厚みの変化等、頻繁な設計変更、形態変更が求められている。   In addition, changes in semiconductor devices in recent years are remarkable, and the life cycle of products is becoming shorter and shorter, and frequent design changes and form changes such as changes in chip thickness are required for semiconductor packages.

プリント配線板に半導体デバイスを実装する半導体パッケージにおいて、半導体デバイスを実装する場合に、インターポーザ(中継基板:以下配線基板と称する)の反りが問題となる。また、半導体パッケージをプリント配線板に実装する場合も反りの発生が問題となる。この反りを防止するために、配線基板に金属のフレームを貼り付けて反りの防止を行う。その金属フレームをスティフナーと呼んでいる。スティフナーは、配線基板が反りやすい場合に多く使用され、配線基板の薄い場合や配線基板のサイズの比較的大きな場合に使用されることが多い。   In a semiconductor package in which a semiconductor device is mounted on a printed wiring board, warpage of an interposer (relay substrate: hereinafter referred to as a wiring substrate) becomes a problem when the semiconductor device is mounted. Further, when a semiconductor package is mounted on a printed wiring board, the occurrence of warpage becomes a problem. In order to prevent this warpage, a metal frame is attached to the wiring board to prevent warpage. The metal frame is called a stiffener. Stiffeners are often used when the wiring board tends to warp, and are often used when the wiring board is thin or when the size of the wiring board is relatively large.

スティフナーは、半導体デバイスを保護するための蓋の支持や放熱板の支持にも使用され、スティフナー上に蓋ならびに放熱板が貼り付けられる。図1の(a)〜(d)に従来のスティフナーを有した半導体パッケージの一例の模式的構造を示す。配線基板10に半導体デバイス11が実装され、その周辺部にスティフナー15が配置されている。半導体デバイスを保護し、かつ、発生した熱を放熱するため、半導体デバイスならびにスティフナー上に蓋16が配置され、さらにその上に放熱板14が配置された構造となっている。   The stiffener is also used to support a lid and a heat sink for protecting a semiconductor device, and the lid and the heat sink are pasted on the stiffener. 1A to 1D show schematic structures of an example of a semiconductor package having a conventional stiffener. A semiconductor device 11 is mounted on the wiring board 10, and a stiffener 15 is disposed on the periphery thereof. In order to protect the semiconductor device and dissipate the generated heat, a lid 16 is disposed on the semiconductor device and the stiffener, and a heat dissipation plate 14 is disposed thereon.

ここで、封止の際に、蓋が半導体デバイスに圧力を及ぼして半導体デバイスを破壊することがあってはならず、かつ、蓋と半導体デバイスが放熱のために確実に接触している必要がある。これを達成する為に、特許文献1では、半導体チップを配線基板に対してはアンダーフィルで支持し、蓋に対しては銀ペーストで支持し、蓋とスティフナーの間隔を規定するための複数の隔離体を用い、封止用樹脂の有する表面張力と合わせて接合・封止している。
特開2000−216296号公報
Here, at the time of sealing, the lid must not exert pressure on the semiconductor device to destroy the semiconductor device, and the lid and the semiconductor device must be in reliable contact for heat dissipation. is there. In order to achieve this, in Patent Document 1, a semiconductor chip is supported by an underfill with respect to a wiring board, a silver paste is supported with respect to a lid, and a plurality of gaps for defining the distance between the lid and the stiffener are defined. The separator is used for bonding and sealing together with the surface tension of the sealing resin.
JP 2000-216296 A

従来の半導体パッケージでは、設計毎にスティフナーの厚みを半導体デバイスに合わせて設計し、蓋および基板との間隔を規定する部材等もそろえなければならず、工程が複雑となっていた。またスティフナーを配置した後に、工程中での加熱により配線基板に反りが発生することがあり、その場合、半導体デバイスと蓋の接触が不十分となり、半導体デバイスの熱を放熱できず、半導体デバイスの動作が不安定になることや、スティフナーと
蓋の接合が不十分になり耐湿性が劣化する等の問題もあった。本発明の目的は、改良されたスティフナーと蓋の構造を採ることにより上記問題を解決することにある。
In the conventional semiconductor package, the thickness of the stiffener must be designed according to the semiconductor device for each design, and the members that define the distance between the lid and the substrate must be aligned, which complicates the process. In addition, after placing the stiffener, the wiring board may be warped due to heating in the process, in which case the contact between the semiconductor device and the lid becomes insufficient, the heat of the semiconductor device cannot be dissipated, and the semiconductor device There were also problems such as unstable operation and insufficient bonding between the stiffener and the lid, resulting in deterioration of moisture resistance. An object of the present invention is to solve the above problem by adopting an improved stiffener and lid structure.

本発明は、上記課題を解決するためのものであり、本発明の請求項1に係る発明は、配線基板と、配線基板に実装された半導体デバイスと、配線基板に配置したスティフナーと、スティフナー上に設けた半導体デバイスを保護するための蓋を有する半導体パッケージにおいて、スティフナーの蓋を貼り付ける面側に断面構造が凹型をなした部位が設けられ、その窪みの部分に蓋に設けられた凸部が入り込む形であって、スティフナーの凹部内側面ならびに蓋の凸部側面に固定用の突起が設けられており、その突起同士が嵌合して固定され、さらに蓋に半導体デバイスに接触するヒートスラグが配置されていることを特徴とする半導体パッケージである。   The present invention is for solving the above-mentioned problems. The invention according to claim 1 of the present invention includes a wiring board, a semiconductor device mounted on the wiring board, a stiffener disposed on the wiring board, and a stiffener top. In a semiconductor package having a lid for protecting the semiconductor device provided on the surface, a portion having a concave cross-sectional structure is provided on the surface side where the stiffener lid is attached, and a convex portion provided on the lid at the recessed portion The protrusions for fixing are provided on the inner surface of the concave portion of the stiffener and the side surface of the convex portion of the lid, the protrusions are fitted and fixed, and the heat slug that contacts the semiconductor device on the lid Is a semiconductor package characterized by being arranged.

本発明の請求項2に係る発明は、配線基板と、配線基板に実装された半導体デバイスと、配線基板に配置したスティフナーと、スティフナー上に設けた半導体デバイスを保護するための蓋を有する半導体パッケージにおいて、スティフナーの外側面に固定用の突起が形成されており、蓋のスティフナー上に貼り付ける面側に断面構造が凹型をなした部位が設けられ、その内側面に固定用の突起が設けられており、その突起同士が嵌合して固定され、さらに蓋に半導体デバイスに接触するヒートスラグが配置されていることを特徴とする半導体パッケージである。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a semiconductor package having a wiring board, a semiconductor device mounted on the wiring board, a stiffener disposed on the wiring board, and a lid for protecting the semiconductor device provided on the stiffener. , A fixing projection is formed on the outer side surface of the stiffener, a portion having a concave cross-sectional structure is provided on the surface side to be affixed on the stiffener of the lid, and a fixing projection is provided on the inner side surface thereof. The semiconductor package is characterized in that the protrusions are fitted and fixed, and a heat slug that contacts the semiconductor device is disposed on the lid.

また、本発明の請求項3に係る発明は、半導体デバイスを保護するための蓋に放熱用のヒートスプレッタが一体となっていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体パッケージである。   The invention according to claim 3 of the present invention is the semiconductor package according to claim 1 or 2, wherein a heat spreader for heat dissipation is integrated with a lid for protecting the semiconductor device. .

本発明の半導体パッケージは、スティフナー凹部に蓋の凸部が入り込むだけでなく、その部分の突起同士が合わさり、容易に外れないように固定される構造となっている。また、蓋の部分に別に配置された半導体デバイスに接触する放熱用の凸部が確実に半導体デバイスに接触するようにスティフナーの凹部と蓋の凸部で高さ調整できる構造となっている。   The semiconductor package of the present invention has a structure in which not only the convex part of the lid enters the stiffener concave part but also the protrusions of the part are joined together and fixed so as not to be easily detached. In addition, the height can be adjusted by the concave portion of the stiffener and the convex portion of the lid so that the heat-radiating convex portion that contacts the semiconductor device separately disposed on the lid portion can be surely contacted with the semiconductor device.

本発明の半導体パッケージは、別の形として、スティフナーの側面に突起が形成されており、その突起部分に蓋に設けられた突起が合わさり込んで固定されるとともに、蓋に配置された半導体デバイスに接触する放熱用の凸部が確実に半導体デバイスに接触する構造としている。この方法でも上記と同様に高さ調整できる構造となっている。   As another form, the semiconductor package of the present invention has projections formed on the side surfaces of the stiffener, and the projections provided on the lid are fitted and fixed to the projection portions, and the semiconductor package disposed on the lid is fixed. The projecting portion for heat dissipation that comes into contact with the semiconductor device is surely contacted. In this method, the height can be adjusted in the same manner as described above.

さらにまた、蓋と放熱板が一体の場合でも同様の効果が得られる。   Furthermore, the same effect can be obtained even when the lid and the heat sink are integrated.

本発明の半導体パッケージは、半導体デバイスの厚みが変化しても高さの調整が可能であり、同様のスティフナーと蓋が使用できることから、各半導体パッケージ毎にオリジナルのスティフナーと蓋を製造する必要が少なくなり、生産性の向上につながる。   Since the semiconductor package of the present invention can be adjusted in height even if the thickness of the semiconductor device changes, and the same stiffener and lid can be used, it is necessary to manufacture the original stiffener and lid for each semiconductor package. This will lead to improved productivity.

本発明の半導体パッケージの一実施形態について、図面(図2)に基づいて以下説明する。   An embodiment of a semiconductor package of the present invention will be described below with reference to the drawing (FIG. 2).

多層配線基板に半導体デバイスと実装用のハンダボールを有したBGA(BallGrid Array)基板において、図2(b)のような断面構造を持つスティフナー12を熱硬化型の接着剤を用いて配線基板10に貼り付ける。貼り付けた後に接着剤を硬化さ
せてスティフナー12を固定する。スティフナーの凹部と凹部に形成された突起を利用して、半導体集積回路を保護するための蓋13を取り付ける。蓋の中央には、半導体集積回路で発生する熱を放熱するためにヒートスラグ17と呼ばれる金属の柱を形成してある。このヒートスラグが確実に半導体集積回路に接触するように蓋をスティフナー12の凹部に押し込む。スティフナーの凹部に固定されるように蓋にはスティフナーの凹部と合わさる箇所に凸部が形成されており、図2(c)のように凸部の側面には蓋が外れないように突起が形成されている。なお、半導体集積回路とヒートスラグの接触部には熱伝導性のペーストが塗られ、スティフナーと蓋の固定部分には熱硬化型の接着剤が使用される。
In a BGA (Ball Grid Array) substrate having a semiconductor device and a solder ball for mounting on a multilayer wiring substrate, a stiffener 12 having a cross-sectional structure as shown in FIG. 2B is connected to the wiring substrate 10 using a thermosetting adhesive. Paste to. After pasting, the adhesive is cured to fix the stiffener 12. A lid 13 for protecting the semiconductor integrated circuit is attached using the recess of the stiffener and the protrusion formed in the recess. In the center of the lid, a metal column called a heat slug 17 is formed in order to dissipate heat generated in the semiconductor integrated circuit. The lid is pushed into the recess of the stiffener 12 so that the heat slug reliably contacts the semiconductor integrated circuit. A convex part is formed on the lid so as to be fixed to the concave part of the stiffener, and a protrusion is formed on the side surface of the convex part so that the lid does not come off as shown in FIG. Has been. Note that a heat conductive paste is applied to the contact portion between the semiconductor integrated circuit and the heat slug, and a thermosetting adhesive is used for a fixing portion between the stiffener and the lid.

図2(c)に示すように、スティフナーに取り付けられた蓋が半導体集積回路の厚みや基板の反りが発生していても、蓋のヒートスラグと半導体デバイスが接触するように固定されるのが本発明の特徴である。蓋を固定した後、図2(d)のように蓋の上にさらにヒートスプレッタを取り付けることで半導体集積回路の熱を効率よく放熱することが可能となる。また、蓋とヒートスプレッタを一体とした場合も、同様な構造を採ることで、同じ効果が得られる。   As shown in FIG. 2C, the lid attached to the stiffener is fixed so that the heat slug of the lid and the semiconductor device are in contact with each other even when the thickness of the semiconductor integrated circuit or the warp of the substrate occurs. This is a feature of the present invention. After the lid is fixed, the heat of the semiconductor integrated circuit can be efficiently radiated by attaching a heat spreader on the lid as shown in FIG. Further, when the lid and the heat spreader are integrated, the same effect can be obtained by adopting the same structure.

以下に本発明の具体的実施例を、実施例1では図2及び、実施例2では図3を用いて説明する。   A specific embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG. 2 in Embodiment 1 and FIG. 3 in Embodiment 2.

<実施例1>
配線基板10として、多層配線基板(コア2層、ビルドアップ層2層、トータル6層)の板厚1mmを使用した。基板のサイズは,40mm×40mmで、中央に6mm×6mmサイズの半導体デバイスを実装した。スティフナー12は、図2(b)に示す断面形状を持っており、打ち抜き加工ならびにプレス加工、絞り加工で形成した物とした。材質は、一般に用いられているスティフナーと同様の銅合金を用いた。スティフナー12の厚みは、従来であれば半導体デバイス11と同様の厚みで形成するが、本発明では高さ調整機能を持たせるため、1.5mmの厚みを使用し、1mmの凹部を形成した。凹部の先端には、突起を形成し、蓋13を固定するために使用した。スティフナー12と配線基板10の固定は、熱硬化型の耐熱性の高いエポキシ系の接着剤を使用した。接着剤の硬化には、150℃、30分の熱硬化を実施した。
<Example 1>
As the wiring board 10, a multilayer wiring board (2 core layers, 2 build-up layers, 6 layers in total) having a thickness of 1 mm was used. The size of the substrate was 40 mm × 40 mm, and a 6 mm × 6 mm size semiconductor device was mounted in the center. The stiffener 12 has a cross-sectional shape shown in FIG. 2B and is formed by punching, pressing, and drawing. The material used was a copper alloy similar to a commonly used stiffener. The thickness of the stiffener 12 is conventionally the same as that of the semiconductor device 11, but in the present invention, a thickness of 1.5 mm is used and a 1 mm recess is formed in order to provide a height adjusting function. A protrusion was formed at the tip of the recess and used to fix the lid 13. The stiffener 12 and the wiring substrate 10 were fixed using a thermosetting epoxy adhesive having high heat resistance. For curing the adhesive, thermal curing at 150 ° C. for 30 minutes was performed.

スティフナー12の接着後、図2(c)のように10mm×10mmのヒートスラグ17を形成した蓋13を取り付けた。半導体デバイス11の表面に熱伝導の良い銀ペーストを塗布し、またスティフナー12の凹部には貼り付け時と同様にエポキシ系の接着剤を封入した。接着剤を封入後、蓋13をスティフナー12の上部から挿入し、半導体デバイス11にヒートスラグが接触する位置までプレスした。プレスされるとスティフナー13の凹部先端に形成された突起と蓋の凸部に形成された溝とで蓋がその位置で固定された。これは、チップの厚みが異なる場合でも同じスティフナーと蓋が使用できることを意味している。   After the stiffener 12 was adhered, a lid 13 on which a heat slug 17 of 10 mm × 10 mm was formed was attached as shown in FIG. A silver paste having good thermal conductivity was applied to the surface of the semiconductor device 11, and an epoxy adhesive was sealed in the concave portion of the stiffener 12 in the same manner as in the pasting. After sealing the adhesive, the lid 13 was inserted from the top of the stiffener 12 and pressed to a position where the heat slug was in contact with the semiconductor device 11. When pressed, the lid was fixed at that position by the protrusion formed at the tip of the concave portion of the stiffener 13 and the groove formed at the convex portion of the lid. This means that the same stiffener and lid can be used even when the chip thickness is different.

プレス後、接着剤を硬化させるため、150℃、30分のベーキングを行った。さらに図2(d)のように蓋の上部にヒートスプレッタ14を貼り付け、半導体デバイスの熱を放熱させるようにした。   After pressing, baking was performed at 150 ° C. for 30 minutes in order to cure the adhesive. Further, as shown in FIG. 2D, a heat spreader 14 is attached to the upper part of the lid so as to dissipate the heat of the semiconductor device.

本発明の蓋とスティフナー構造を持たせることで、確実に半導体デバイスにヒートスラグを接触させることが可能となり、チップ厚みが変更になっても同じスティフナーと蓋の使用が行えた。また、スティフナーを貼り付けた後に接着剤硬化時の熱の影響で、配線基板に反りが発生する場合があったが、同様にヒートスラグが半導体デバイスに接触することが可能であった。ヒートスラグが半導体デバイスに接触することで、放熱効果が安定して得られ、半導体デバイスの動作も安定させることが可能となった。   By providing the lid and the stiffener structure of the present invention, the heat slug can be reliably brought into contact with the semiconductor device, and the same stiffener and lid can be used even if the chip thickness is changed. Further, although the wiring board may be warped due to the influence of heat at the time of curing the adhesive after the stiffener is attached, the heat slug can contact the semiconductor device in the same manner. When the heat slug contacts the semiconductor device, the heat dissipation effect can be stably obtained, and the operation of the semiconductor device can be stabilized.

<実施例2>
図3(c)に示すように、スティフナー12の側面に突起を形成し、その部分と蓋13の内側面に形成された突起部が合わり込むようにプレスすることで、実施例1と同様に確実に半導体デバイスにヒートスラグ17を接触させることが可能となった。チップ厚みが変更になっても同じスティフナーと蓋が使用可能であった。また、スティフナーを貼り付けた後に基板に反りがあっても、同様にヒートスラグが半導体デバイスに接触することが可能であった。ヒートスラグが半導体集積回路に接触することで、放熱効果が安定して得られ、半導体デバイスの動作も安定させることが可能となった。
<Example 2>
As shown in FIG. 3C, a protrusion is formed on the side surface of the stiffener 12, and pressing is performed so that the protrusion and the protrusion formed on the inner surface of the lid 13 are aligned. Thus, the heat slug 17 can be reliably brought into contact with the semiconductor device. The same stiffener and lid could be used even when the chip thickness was changed. Further, even if the substrate is warped after the stiffener is attached, the heat slug can contact the semiconductor device in the same manner. By contacting the heat slug with the semiconductor integrated circuit, a heat dissipation effect can be stably obtained, and the operation of the semiconductor device can be stabilized.

従来技術による半導体パッケージの一例の断面構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross-section of an example of the semiconductor package by a prior art. 本発明の一実施形態ならびに実施例1の断面構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross-sectional structure of one Embodiment and Example 1 of this invention. 本発明の他の実施形態ならびに実施例2の断面構造を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross-section of other embodiment and Example 2 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10・・・多層配線基板、BGA基板、配線基板
11・・・半導体デバイス、半導体集積回路、ICチップ
12・・・スティフナー、補強版
13・・・蓋、キャップ
14・・・ヒートスプレッタ、放熱板
15・・・従来のスティフナー
16・・・従来の蓋、キャップ
17・・・ヒートスラグ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Multilayer wiring board, BGA board, wiring board 11 ... Semiconductor device, semiconductor integrated circuit, IC chip 12 ... Stiffener, reinforcement plate 13 ... Lid, cap 14 ... Heat spreader, Heat sink 15 ... Conventional stiffener 16 ... Conventional lid, cap 17 ... Heat slag

Claims (3)

配線基板と、配線基板に実装された半導体デバイスと、配線基板に配置したスティフナーと、スティフナー上に設けた半導体デバイスを保護するための蓋を有する半導体パッケージにおいて、スティフナーの蓋を貼り付ける面側に断面構造が凹型をなした部位が設けられ、その窪みの部分に蓋に設けられた凸部が入り込む形であって、スティフナーの凹部内側面ならびに蓋の凸部側面に固定用の突起が設けられており、その突起同士が嵌合して固定され、さらに蓋に半導体デバイスに接触するヒートスラグが配置されていることを特徴とする半導体パッケージ。 In a semiconductor package having a wiring board, a semiconductor device mounted on the wiring board, a stiffener disposed on the wiring board, and a lid for protecting the semiconductor device provided on the stiffener, on the surface side to which the stiffener lid is attached A section having a concave shape in the cross-sectional structure is provided, and a convex portion provided in the lid enters the concave portion, and a fixing projection is provided on the inner surface of the stiffener concave portion and the convex side surface of the lid. A semiconductor package, wherein the protrusions are fitted and fixed, and a heat slug that contacts the semiconductor device is disposed on the lid. 配線基板と、配線基板に実装された半導体デバイスと、配線基板に配置したスティフナーと、スティフナー上に設けた半導体デバイスを保護するための蓋を有する半導体パッケージにおいて、スティフナーの外側面に固定用の突起が形成されており、蓋のスティフナー上に貼り付ける面側に断面構造が凹型をなした部位が設けられ、その内側面に固定用の突起が設けられており、その突起同士が嵌合して固定され、さらに蓋に半導体デバイスに接触するヒートスラグが配置されていることを特徴とする半導体パッケージ。 In a semiconductor package having a wiring board, a semiconductor device mounted on the wiring board, a stiffener disposed on the wiring board, and a lid for protecting the semiconductor device provided on the stiffener, a fixing protrusion on the outer surface of the stiffener Is formed on the side of the lid to be affixed on the stiffener of the lid, and a portion having a concave cross-sectional structure is provided, and a fixing protrusion is provided on the inner surface thereof, and the protrusions are fitted to each other. A semiconductor package characterized in that a heat slug that is fixed and in contact with a semiconductor device is disposed on a lid. 半導体デバイスを保護するための蓋に放熱用のヒートスプレッタが一体となっていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体パッケージ。 3. A semiconductor package according to claim 1, wherein a heat spreader for heat dissipation is integrated with a lid for protecting the semiconductor device.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2012029526A1 (en) * 2010-08-30 2012-03-08 住友ベークライト株式会社 Semiconductor package and semiconductor device

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