JP2008294396A - 接続方法、接続装置及び接続方法を用いて得られる接続構造体 - Google Patents
接続方法、接続装置及び接続方法を用いて得られる接続構造体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008294396A JP2008294396A JP2007325118A JP2007325118A JP2008294396A JP 2008294396 A JP2008294396 A JP 2008294396A JP 2007325118 A JP2007325118 A JP 2007325118A JP 2007325118 A JP2007325118 A JP 2007325118A JP 2008294396 A JP2008294396 A JP 2008294396A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor element
- substrate
- wiring
- connection
- support member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体素子2と、配線を有する基板1との間に配線接続材料を介在させ、半導体素子2側から配線接続材料3を加熱及び加圧し、半導体素子2と基板1とを、電気的導通を得るように接続する接続方法であって、配線接続材料3を加熱及び加圧する前に、基板1のうち配線接続材料3が接触する面と反対側の第1面に、25℃における熱伝導率が1W・m−1・K−1以下の支持部材7を設け、支持部材7のうち半導体素子2側の第2面の面積が、半導体素子2のうち配線接続材料3と接触する第3面の面積より大きく、半導体素子2を半導体素子2から基板1に向かう方向に見た場合に半導体素子1が支持部材7の外周の内側に配置される接続方法。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明に係る接続構造体の第1実施形態を示す図である。図1に示したように、本実施形態の接続構造体100は、配線(図示せず)を有する基板1と、基板1に対向して配置される半導体素子2と、基板1と半導体素子2とによって挟まれる配線接続材料の硬化物13とを備えている。そして、配線接続材料の硬化物13は、基板1にも半導体素子2にも密着している。
次に、上記接続構造体100の製造方法、即ち基板1と半導体素子2との接続方法について説明する。
図2に示すように、接続装置200は、面6aを有するブロック状のステージ6と、半導体素子2を加熱及び加圧する圧着装置とを備えている。圧着装置は、加熱加圧面4aを有しステージ6に対向して配置されるツール4と、ツール4を移動させ、ツール4の加熱加圧面4aとステージ6の面6aとの間の距離を自在に調整する移動機構(図示せず)と、ツール4に熱を付与する熱源(図示せず)とを備えている。
熱伝導率=熱拡散率×比熱容量×密度・・・(1)
配線接続材料(A)異方導電ペースト
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名:YD−127)、硬化剤(四国化成工業株式会社製、品名:2E4MZ)、添加剤(東レダウコーニングシリコーン製、商品名:SH6040)及び導電粒子(積水化学株式会社製、商品名:AU−203A)を質量比100:10:2:40の割合で混合し、異方導電性ペーストを作製した。
配線接続材料(B)絶縁樹脂フィルム
フェノキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名:PKHC、40質量%トルエン溶液)、エポキシ樹脂(ジャパンエポキシレジン製、商品名:EP1032H60)、潜在性硬化剤(旭化成工業株式会社製、商品名:HX3941)及び添加剤(東レダウコーニングシリコーン製、商品名:SH6040)を質量比40:20:30:2の割合で混合した後に、ナイフコーター(康井精機社製、商品名:)で厚み25μmの絶縁樹脂フィルムに加工した。
配線接続材料(C)絶縁樹脂ペースト
ビスフェノールA型エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、商品名:YD−127)、硬化剤(四国化成工業株式会社製、品名:2E4MZ)及び添加剤(東レダウコーニングシリコーン製、商品名:SH6040)を質量比100:10:2の割合で混合し、絶縁樹脂ペーストを作製した。
まず基板1として、ガラス基板(コーニング#1737、外形38mm×28mm、厚さ0.7mm)の表面にITO(Indium Tin Oxide)からなる配線パターン(パターン幅50μm、電極間スペース50μm)を有するものを、半導体素子2として、ICチップ(外形17mm×1.7mm、厚さ0.55mm、バンプの大きさ50μm×50μm、バンプ間スペース50μm)を用意した。
配線接続材料として、表2に示すものを用いたこと以外は実施例1と同様にして接続構造体を得た。表2は、厚み30μmのPETシートを支持部材として用い、各種配線接続材料を用いた場合の反り量及び平均接続抵抗を示すものである。表2において、「A」、「B」及び「C」はそれぞれ製造例1〜3で得られた配線接続材料を示す。
支持部材7の表面の寸法及び厚みを表3に示す値としたこと以外は、実施例1と同様にして接続構造体を得た。表3は支持部材としてPETシートを用い、その厚みと寸法との組合せを変更した実施例を示すものである。特に、実施例9及び10では、支持部材としてのPETシートとステージの表面寸法とが同一であり、PETシートがステージの表面を完全に覆う例が示されている。
実施例1〜11及び比較例1〜7の接続構造体を図5に示すように平坦面上に載置した。そして、半導体素子の中心から、その中心と半導体素子の最も遠い外側とを結ぶ線に沿ってその線の長さが12.5mmのところ(4箇所)での、平坦面から基板裏面までの高さを測定し、その平均値Lを「反り量」とし、半導体素子の反りの指標とした。結果を表1〜表3のそれぞれに示す。
実施例1〜11及び比較例1〜7の接続構造体について、マルチメータTR6848(商品名、株式会社アドバンテスト製)を用いて、回路の抵抗値を1mAの定電流で測定した。結果を表1〜3のそれぞれに示す。なお、表1〜3において、接続抵抗値は、四端子法で測定した隣接回路間の14点における接続抵抗の平均値で示した。表1〜3に示す結果より、実施例1〜11の接続構造体については、接続抵抗は十分に低く、信頼性は良好であった。
2 半導体素子
3 配線接続材料(回路接続材料)
4 ツール
5 フィルム
6 ステージ
7 支持部材
L 反り量
100 接続構造体
200 接続装置
Claims (8)
- 半導体素子と、配線を有する基板との間に配線接続材料を介在させ、前記半導体素子側から前記配線接続材料を加熱及び加圧し、前記半導体素子と前記基板とを、電気的導通を得るように接続する接続方法であって、
前記配線接続材料を加熱及び加圧する前に、前記基板のうち前記配線接続材料が接触する面と反対側の第1面に、25℃における熱伝導率が1W・m−1・K−1以下の支持部材を設け、前記支持部材のうち前記半導体素子側の第2面の面積が、前記半導体素子のうち前記配線接続材料と接触する第3面の面積より大きく、前記半導体素子を前記半導体素子から前記基板に向かう方向に見た場合に前記半導体素子が前記支持部材の外周の内側に配置されることを特徴とする接続方法。 - 半導体素子と、配線を有する基板との間に配線接続材料を介在させ、前記半導体素子側から前記配線接続材料を加熱及び加圧し、前記半導体素子と前記基板とを、電気的導通を得るように接続する接続方法であって、
前記配線接続材料を加熱及び加圧する前に、前記基板のうち前記配線接続材料が接触する面と反対側の第1面に、25℃における熱伝導率が1W・m−1・K−1以下の支持部材を設け、前記支持部材のうち前記半導体素子側の第2面の面積が、前記半導体素子のうち前記配線接続材料と接触する第3面の面積より大きく、前記支持部材を前記基板から前記半導体素子に向かう方向に見た場合に前記半導体素子が前記支持部材に覆われるように配置されることを特徴とする接続方法。 - 前記配線接続材料が、導電粒子を有する異方導電フィルム又は異方導電ペーストであり、前記半導体素子の電極バンプと前記基板の電極とを、前記導電粒子を介して電気的に接続させる請求項1または2記載の接続方法。
- 前記配線接続材料が、絶縁樹脂フィルム又は絶縁樹脂ペーストであり、前記半導体素子の電極バンプと前記基板の電極とを直接接触させて電気的に接続させる請求項1または2記載の接続方法。
- 半導体素子と、配線を有する基板との間に配線接続材料を介在させ、前記半導体素子側から前記配線接続材料を加圧し、前記半導体素子と前記基板とを電気的導通を得るように接続する接続装置であって、
前記基板が置かれるステージと、
前記半導体素子を加熱及び加圧する圧着装置とを備えており、
前記ステージの表面材料の25℃における熱伝導率が、1W・m−1・K−1以下であることを特徴とする接続装置。 - 前記配線接続材料が、導電粒子を有する異方導電フィルム又は異方導電ペーストであり、前記半導体素子の電極バンプと前記基板の電極とを、前記導電粒子を介して電気的に接続させる請求項5記載の接続装置。
- 前記配線接続材料が、絶縁樹脂フィルム又は絶縁樹脂ペーストであり、前記半導体素子の電極バンプと前記基板の電極とを直接接触させて電気的に接続させる請求項5記載の接続装置。
- 請求項1〜4のいずれか1項記載の接続方法により、前記半導体素子と、前記配線を有する前記基板との間に前記配線接続材料を介在させ、前記半導体素子側から前記配線接続材料を加熱及び加圧し、前記半導体素子と前記基板とを電気的導通を得るように接続することによって得られる接続構造体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007325118A JP2008294396A (ja) | 2007-04-23 | 2007-12-17 | 接続方法、接続装置及び接続方法を用いて得られる接続構造体 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007112879 | 2007-04-23 | ||
JP2007325118A JP2008294396A (ja) | 2007-04-23 | 2007-12-17 | 接続方法、接続装置及び接続方法を用いて得られる接続構造体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008294396A true JP2008294396A (ja) | 2008-12-04 |
Family
ID=40168772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007325118A Pending JP2008294396A (ja) | 2007-04-23 | 2007-12-17 | 接続方法、接続装置及び接続方法を用いて得られる接続構造体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008294396A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160130768A (ko) | 2014-03-07 | 2016-11-14 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 이방성 도전 필름 및 그의 제조 방법 |
JPWO2015105149A1 (ja) * | 2014-01-08 | 2017-03-23 | 東レエンジニアリング株式会社 | 半導体装置の実装方法および実装装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03215950A (ja) * | 1990-01-20 | 1991-09-20 | Toshiba Corp | アウタリードボンダ |
JPH08274130A (ja) * | 1995-03-29 | 1996-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の熱圧着装置 |
JPH11186338A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Casio Comput Co Ltd | ボンディング装置 |
JP2005307169A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2006066566A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Casio Comput Co Ltd | ボンディング装置 |
-
2007
- 2007-12-17 JP JP2007325118A patent/JP2008294396A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03215950A (ja) * | 1990-01-20 | 1991-09-20 | Toshiba Corp | アウタリードボンダ |
JPH08274130A (ja) * | 1995-03-29 | 1996-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の熱圧着装置 |
JPH11186338A (ja) * | 1997-12-24 | 1999-07-09 | Casio Comput Co Ltd | ボンディング装置 |
JP2005307169A (ja) * | 2004-03-22 | 2005-11-04 | Hitachi Chem Co Ltd | フィルム状接着剤およびこれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2006066566A (ja) * | 2004-08-26 | 2006-03-09 | Casio Comput Co Ltd | ボンディング装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2015105149A1 (ja) * | 2014-01-08 | 2017-03-23 | 東レエンジニアリング株式会社 | 半導体装置の実装方法および実装装置 |
KR20160130768A (ko) | 2014-03-07 | 2016-11-14 | 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 | 이방성 도전 필름 및 그의 제조 방법 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW398163B (en) | The plate for heat transfer substrate and manufacturing method thereof, the heat-transfer substrate using such plate and manufacturing method thereof | |
US7808788B2 (en) | Multi-layer electrically isolated thermal conduction structure for a circuit board assembly | |
US7326633B2 (en) | Anisotropic conductive film | |
US8278565B2 (en) | Three-dimensional wiring board | |
TWI388258B (zh) | 撓性印刷電路板及其製造方法 | |
JP2005183880A (ja) | 多層配線板用基材、両面配線板およびそれらの製造方法 | |
KR101380320B1 (ko) | 열 전도성 적층체 | |
JP5127315B2 (ja) | 部品内蔵モジュール | |
US8963017B2 (en) | Multilayer board | |
JP2018147934A (ja) | 絶縁回路基板の製造方法 | |
EP4131356A1 (en) | Insulated circuit board manufacturing method | |
JP4879276B2 (ja) | 3次元電子回路装置 | |
JP2004274035A (ja) | 電子部品内蔵モジュールとその製造方法 | |
JP5184335B2 (ja) | プリント配線板およびその製造方法、プリント配線板の接続方法 | |
US20220051963A1 (en) | Packaging stacked substrates and an integrated circuit die using a lid and a stiffening structure | |
EP1148540A2 (en) | Method and device for attaching a semiconductor chip to a chip carrier | |
JP2008294396A (ja) | 接続方法、接続装置及び接続方法を用いて得られる接続構造体 | |
JP7456479B2 (ja) | 絶縁回路基板 | |
JPWO2010041621A1 (ja) | 機能素子内蔵基板及びその製造方法、並びに電子機器 | |
JP2003209201A (ja) | 半導体ユニット、半導体ユニット製造方法及び半導体装置 | |
JP6007566B2 (ja) | 部品内蔵配線基板、及び部品内蔵配線基板の放熱方法 | |
JP6548964B2 (ja) | 基板装置 | |
JP2007190802A (ja) | 複合シート | |
CN102802347A (zh) | 定向导热pcb板及电子设备 | |
JP2012174710A (ja) | 多層配線板及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20101125 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111028 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20120221 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20120223 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20120619 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |