JP2008288171A - Thin-film pattern forming method, thin film, light-emitting device, image display device, and electronic equipment - Google Patents

Thin-film pattern forming method, thin film, light-emitting device, image display device, and electronic equipment Download PDF

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Hiroshi Takiguchi
宏志 瀧口
Hiroshi Kiguchi
浩史 木口
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image display device having a wide color reproduction region, and superior durability which provides a light-emitting device capable of stably emitting light of a desired color tone over a long period, provides an electronic equipment equipped with the image display device, as well as, provide a thin-film pattern forming method capable of suitably applying to the image display device, the light-emitting device, or the like, and to provide a thin film. <P>SOLUTION: The thin film pattern forming method includes a process spewing out dispersion solution containing a dispersion medium and particulate-like quantum dots which are dispersed into a dispersion medium by an ink-jet method, and making it adhered to a receiving surface with a given pattern, and a process of removing at least a part of the dispersion medium from the dispersion solution adhered to the receiving surface. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、薄膜パターン形成方法、薄膜、発光素子、画像表示装置、および、電子機器に関するものである。   The present invention relates to a thin film pattern forming method, a thin film, a light emitting element, an image display device, and an electronic apparatus.

液晶表示装置に比べて、視野角特性等に優れるため、近年、無機エレクトロルミネッセンス（無機ＥＬ）、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）のような、発光（自発光）材料を用いた表示装置が、注目を集めている。
しかしながら、無機エレクトロルミネセンスでは、材料的な制約から、発光輝度、発光効率、色純度等に問題があり、十分に広い色再現域を確保するのが困難であるという問題がある。このような問題を解決する目的で、着色フィルターを付加したり、発光材料の探索が試みられている（例えば、特許文献１参照）が、着色フィルターを用いた場合には、製造工程が複雑になるばかりか、表示される画像の輝度が著しく低下する。また、各種文献で提案されている物質も、上記のような問題を十分に解決していなかったり、化学的安定性が乏しい等の問題点がある。例えば、特許文献１では、青色発光層をＢａＳ：Ｅｕ材料とＡｌＳ材料の共蒸着により作製することを開示しているが、得られた膜に対してかなりの高温（８００℃以上）で熱処理を施さないと十分な発光特性が得られず、また、共蒸着を行う上で、ＡｌＳ材料の化学的な安定性が非常に乏しいことから、成膜プロセスでの生産性に問題がある。
また、有機エレクトロルミネセンスでは、発光材料に有機化合物を用いるため、耐久性等に問題がある。また、有機エレクトロルミネセンスでは、無機エレクトロルミネセンスに比べると色再現域を広くすることができるが、それでもなお、十分な色再現域を確保しているとは言えない。 In recent years, display devices using light emitting (self-luminous) materials such as inorganic electroluminescence (inorganic EL) and organic electroluminescence (organic EL) have been attracting attention because they have better viewing angle characteristics than liquid crystal display devices. Collecting.
However, inorganic electroluminescence has problems in light emission luminance, light emission efficiency, color purity, and the like due to material limitations, and it is difficult to ensure a sufficiently wide color reproduction range. For the purpose of solving such problems, attempts have been made to add a colored filter or search for a luminescent material (see, for example, Patent Document 1). However, when a colored filter is used, the manufacturing process is complicated. In addition, the brightness of the displayed image is significantly reduced. In addition, substances proposed in various literatures also have problems such as insufficient resolution of the above problems and poor chemical stability. For example, Patent Document 1 discloses that a blue light-emitting layer is produced by co-evaporation of a BaS: Eu material and an AlS material, but the obtained film is subjected to heat treatment at a considerably high temperature (800 ° C. or higher). If it is not applied, sufficient light emission characteristics cannot be obtained, and the chemical stability of the AlS material is very poor in performing co-evaporation, so there is a problem in productivity in the film forming process.
Moreover, in organic electroluminescence, since an organic compound is used for the light emitting material, there is a problem in durability and the like. Moreover, in organic electroluminescence, the color reproduction range can be widened compared to inorganic electroluminescence, but it cannot be said that a sufficient color reproduction range is still secured.

特開２００２−１８００３８号公報JP 2002-180038 A

本発明の目的は、色再現域が広く、耐久性に優れる画像表示装置を提供すること、所望の色調の光を長期間にわたって安定的に発光することができる発光素子を提供すること、前記画像表示装置を備えた電子機器を提供すること、また、上記画像表示装置、発光素子等に好適に適用することができる薄膜パターン形成方法、薄膜を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an image display device having a wide color reproduction range and excellent durability, a light emitting element capable of stably emitting light of a desired color tone over a long period of time, and the image An object of the present invention is to provide an electronic device including a display device, and to provide a thin film pattern forming method and a thin film that can be suitably applied to the image display device, the light emitting element, and the like.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の薄膜パターン形成方法は、ノズル孔から間欠的に液滴を吐出する液滴吐出法により、分散媒と微粒子状の量子ドットとを含み、前記量子ドットが前記分散媒中に分散してなる分散液を吐出し、受け面に所定パターンで付着させる吐出工程と、
前記受け面に付着した前記分散液から前記分散媒の少なくとも一部を除去する分散媒除去工程とを有することを特徴とする。 Such an object is achieved by the present invention described below.
The thin film pattern forming method of the present invention includes a dispersion medium and fine quantum dots by a droplet discharge method in which droplets are intermittently discharged from nozzle holes, and the quantum dots are dispersed in the dispersion medium. A discharge step of discharging the dispersion liquid to be adhered in a predetermined pattern to the receiving surface;
A dispersion medium removing step of removing at least a part of the dispersion medium from the dispersion liquid adhered to the receiving surface.

これにより、色再現域が広く、耐久性に優れる画像表示装置、所望の色調の光を長期間にわたって安定的に発光することができる発光素子等に好適に適用することができる薄膜パターン形成方法を提供することができる。
また、ノズル孔から分散液の液滴を吐出する際に、低濃度で互いに干渉しあうことなく均一に分散した微粒子としての量子ドットの分散液は粘弾性を低く抑えることが可能であり、量子ドットと分散媒との界面付近での分離が好適に起こるため、ノズル孔からの液切れがよく、吐出される液適量のばらつきを防止することができ、また、液滴の飛行曲がりを確実に防止することができ、ノズル孔から液切れした液滴が速やかに球形状となる。このため、受け面の所望の部位に、所望の量の分散液を付着させることができる。その結果、形成される薄膜の各部位での量子ドットの付着量の不本意なばらつきを防止することができる。したがって、薄膜パターン形成方法を発光素子、画像表示装置に適用した場合に、発光時における各部位での不本意な輝度のばらつきが発生してしまうのを好適に防止することができる。 Accordingly, a thin film pattern forming method that can be suitably applied to an image display device having a wide color reproduction range and excellent durability, a light emitting element capable of stably emitting light of a desired color tone for a long period of time, and the like. Can be provided.
In addition, when discharging droplets of a dispersion liquid from a nozzle hole, the dispersion liquid of quantum dots as fine particles uniformly dispersed without interfering with each other at a low concentration can keep viscoelasticity low. Separation near the interface between the dot and the dispersion medium occurs favorably, so that the liquid from the nozzle hole is well-off, variation in the appropriate amount of liquid to be discharged can be prevented, and the flight curve of the droplets can be ensured. The liquid droplets that have run out of the nozzle holes can quickly become spherical. For this reason, a desired amount of the dispersion liquid can be adhered to a desired portion of the receiving surface. As a result, it is possible to prevent unintentional variation in the amount of attached quantum dots at each portion of the thin film to be formed. Therefore, when the thin film pattern forming method is applied to a light emitting element and an image display device, it is possible to suitably prevent unintentional luminance variations from occurring at each part during light emission.

本発明の薄膜パターン形成方法では、前記液滴吐出法は、インクジェット法であることが好ましい。
これにより、ノズル孔からの液切れを特に優れたものとすることができるとともに、飛行曲がりの発生をより確実に防止することができる。その結果、受け面への分散液の付着量、付着位置の制御をより精確に行うことができる。
本発明の薄膜パターン形成方法では、前記量子ドットは、ＧａＮ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、Ｇａ２Ｏ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｓ３、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、またはこれらの混合物で構成されたものであることが好ましい。
これにより、耐環境汚染性や生物への安全性が特に優れたものとなり、また、可視光領域で純粋なスペクトルを安定して得ることができるので、発光素子の形成に有利である。 In the thin film pattern forming method of the present invention, the droplet discharge method is preferably an inkjet method.
As a result, it is possible to make the liquid breakage from the nozzle hole particularly excellent, and it is possible to more reliably prevent the occurrence of flight bending. As a result, it is possible to more accurately control the amount and position of the dispersion attached to the receiving surface.
In the thin film pattern forming method of the present invention, the quantum dots are GaN, GaP, InN, InP, Ga 2 O 3 , Ga 2 S 3 , In 2 O 3 , In 2 S 3 , ZnO, ZnS, CdO, CdS, Or it is preferable that it was comprised with these mixtures.
As a result, the resistance to environmental pollution and the safety to living things are particularly excellent, and a pure spectrum can be stably obtained in the visible light region, which is advantageous for the formation of a light emitting element.

本発明の薄膜パターン成形方法では、前記分散液に含まれる前記量子ドットは、不活性な無機物の被覆層または有機配位子で構成された被膜で被覆されたものであることが好ましい。
これにより、分散中における量子ドットの凝集を効果的に防止することができ、量子ドットの分散性を向上させることができる。また、量子ドットの表面付近に分散剤を確実に担持させることができる。 In the thin film pattern forming method of the present invention, the quantum dots contained in the dispersion liquid are preferably coated with an inert inorganic coating layer or a coating composed of an organic ligand.
Thereby, aggregation of the quantum dots during dispersion can be effectively prevented, and the dispersibility of the quantum dots can be improved. In addition, the dispersant can be reliably supported near the surface of the quantum dot.

本発明の薄膜パターン形成方法では、前記分散液中において、前記量子ドットの表面付近には分散剤が付着していることが好ましい。
これにより、分散液中における量子ドットの分散性を特に優れたものとすることができる。また、量子ドットの製造時において量子ドットの表面に分散剤を付着させることにより、形成される量子ドットの形状を真球度の高いものとし、また、量子ドットの粒度分布をシャープなものとすることができるため、例えば、分散液を画像表示装置の発光素子、表示素子の形成に適用した場合において、画像表示装置に表示される画像の画質を特に優れたものとすることができる。 In the thin film pattern forming method of the present invention, it is preferable that a dispersant is attached in the vicinity of the surface of the quantum dots in the dispersion.
Thereby, the dispersibility of the quantum dots in the dispersion can be made particularly excellent. In addition, by attaching a dispersant to the surface of the quantum dots during the manufacture of the quantum dots, the shape of the formed quantum dots is made highly spherical, and the quantum dot particle size distribution is sharpened. Therefore, for example, when the dispersion is applied to the formation of a light emitting element and a display element of an image display device, the image quality of an image displayed on the image display device can be made particularly excellent.

本発明の薄膜パターン形成方法では、前記分散液を、複数個の微小単位が行列状に配置するように吐出することが好ましい。
このように、液滴吐出法により、液体を、複数個の微小単位が行列状に配置するように吐出する場合、一般には、複数個の微小単位が結合し、比較的大きな液溜りを形成してしまったり、吐出した液滴が、目的とする微小単位を形成すべき部位ではなく、隣接する微小単位を形成すべき部位に付着してしまう等の問題を生じやすいが、量子ドットを含む分散液では、このような問題を生じにくい。すなわち、分散液を複数個の微小単位が行列状に配置するように吐出する方法に本発明を適用した場合、本発明による効果がより顕著に発揮される。 In the thin film pattern forming method of the present invention, it is preferable that the dispersion is discharged so that a plurality of minute units are arranged in a matrix.
As described above, when a liquid is discharged by a droplet discharge method so that a plurality of minute units are arranged in a matrix, generally, a plurality of minute units are combined to form a relatively large liquid reservoir. However, it is easy to cause problems such as adhering to the site where the adjacent minute unit should be formed instead of the site where the target minute unit should be formed. Liquids are unlikely to cause such problems. That is, when the present invention is applied to a method of discharging a dispersion liquid so that a plurality of minute units are arranged in a matrix, the effect of the present invention is more remarkably exhibited.

本発明の薄膜パターン形成方法では、前記分散媒除去工程において、前記受け面に付着させた前記分散液の頂部付近と底部付近とで温度差を生じさせることにより、前記分散液中において、対流を生じさせることが好ましい。
これにより、形成される薄膜パターンの厚さの制御をより好適に行うことができる。
本発明の薄膜パターン形成方法では、前記吐出工程において、互いに大きさの異なる前記量子ドットを含む複数種の前記分散液を、それぞれ、前記受け面に所定パターンで付着させることが好ましい。
これにより、例えば、色再現域が特に広く、耐久性に優れる発光素子を好適に形成することができる。 In the thin film pattern forming method of the present invention, in the dispersion medium removing step, a convection is generated in the dispersion by generating a temperature difference between the vicinity of the top and the bottom of the dispersion adhered to the receiving surface. It is preferable to make it occur.
Thereby, control of the thickness of the thin film pattern formed can be performed more suitably.
In the thin film pattern forming method of the present invention, it is preferable that, in the discharging step, a plurality of types of the dispersion liquids including the quantum dots having different sizes are attached to the receiving surface in a predetermined pattern.
Thereby, for example, a light emitting element having a particularly wide color reproduction range and excellent durability can be suitably formed.

本発明の薄膜は、ノズル孔から間欠的に液滴を吐出する液滴吐出法により、分散媒と微粒子状の量子ドットとを含み、前記量子ドットが前記分散媒中に分散してなる分散液を吐出して、受け面に所定のパターンで付着させ、前記受け面に付着した前記分散液から前記分散媒の少なくとも一部を除去して得られたことを特徴とする。
これにより、色再現域が広く、耐久性に優れる画像表示装置、所望の色調の光を長期間にわたって安定的に発光することができる発光素子等に好適に適用することができる薄膜を提供することができる。 The thin film of the present invention contains a dispersion medium and fine-particle quantum dots by a droplet discharge method in which droplets are intermittently discharged from nozzle holes, and a dispersion liquid in which the quantum dots are dispersed in the dispersion medium And is attached to the receiving surface in a predetermined pattern, and is obtained by removing at least a part of the dispersion medium from the dispersion liquid attached to the receiving surface.
Accordingly, a thin film that can be suitably applied to an image display device having a wide color reproduction range and excellent durability, a light emitting element capable of stably emitting light of a desired color tone over a long period of time, and the like. Can do.

本発明の発光素子では、ノズル孔から間欠的に液滴を吐出する液滴吐出法により、分散媒と微粒子状の量子ドットとを含み、前記量子ドットが前記分散媒中に分散してなる分散液を吐出して、受け面に所定のパターンで付着させ、前記受け面に付着した前記分散液から前記分散媒の少なくとも一部を除去して得られた発光層を有することを特徴とする。
これにより、所望の色調の光を長期間にわたって安定的に発光することができる発光素子を提供することができる。 The light emitting device of the present invention includes a dispersion medium and fine quantum dots dispersed by a droplet ejection method in which droplets are intermittently ejected from nozzle holes, and the quantum dots are dispersed in the dispersion medium. It has a light emitting layer obtained by discharging a liquid, adhering to a receiving surface in a predetermined pattern, and removing at least a part of the dispersion medium from the dispersion liquid adhering to the receiving surface.
Thereby, a light emitting element capable of stably emitting light having a desired color tone over a long period of time can be provided.

本発明の画像表示装置は、本発明の発光素子を備えたことを特徴とする。
これにより、色再現域が広く、耐久性に優れる画像表示装置を提供することができる。
本発明の画像表示装置では、前記発光層に通電する電極を有するものであることが好ましい。
これにより、色再現域が広く、さらに、輝度が非常に高い画像を好適に表示することができる。 The image display device of the present invention includes the light emitting element of the present invention.
Thereby, it is possible to provide an image display device having a wide color reproduction range and excellent durability.
In the image display device of the present invention, it is preferable to have an electrode for energizing the light emitting layer.
As a result, an image having a wide color reproduction range and a very high luminance can be suitably displayed.

本発明の画像表示装置では、異なる色に発光する複数種の前記発光層を備え、これら複数種の発光層は、互いに異なる粒子径の量子ドットを含むものであることが好ましい。
これにより、色再現域が特に広く、耐久性に優れる画像表示装置を提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の画像表示装置を備えたことを特徴とする。
これにより、色再現域の広い画像を、長期間にわたって安定的に表示することができる電子機器を提供することができる。 The image display device of the present invention preferably includes a plurality of types of light emitting layers that emit light of different colors, and the plurality of types of light emitting layers include quantum dots having different particle diameters.
Thereby, it is possible to provide an image display device having a particularly wide color reproduction range and excellent durability.
An electronic apparatus according to the present invention includes the image display device according to the present invention.
As a result, it is possible to provide an electronic device that can stably display an image with a wide color reproduction range over a long period of time.

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
《吐出液（分散液）》
まず、薄膜パターンの形成に用いられる吐出液（分散液）について説明する。
本発明において、吐出液（分散液）は、分散媒と微粒子状の量子ドットとを含み、量子ドットが分散媒中に分散してなるものであり、特に、ノズル孔から間欠的に液滴を吐出する液滴吐出法に供されるものである。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail.
<Discharge liquid (dispersion liquid)>
First, the discharge liquid (dispersion liquid) used for forming the thin film pattern will be described.
In the present invention, the discharge liquid (dispersion liquid) includes a dispersion medium and fine quantum dots, and the quantum dots are dispersed in the dispersion medium. In particular, the liquid droplets are intermittently discharged from the nozzle holes. The present invention is used for a droplet discharge method.

＜量子ドット（微粒子）＞
量子ドットは、半導体材料の結晶で構成され、その粒径が数ｎｍ〜数十ｎｍ程度（より具体的には、２〜２０ｎｍ）の微粒子である。
このような微粒子のエネルギー準位Ｅは、一般に、プランク定数をｈ、電子の有効質量をｍ、微粒子の半径をＲとしたとき、下記式（Ｉ）で表現することができる。
Ｅ∝ｈ２／ｍＲ２・・・（Ｉ） <Quantum dots (fine particles)>
Quantum dots are fine particles having a particle size of several nanometers to several tens of nanometers (more specifically, 2 to 20 nm).
In general, the energy level E of such fine particles can be expressed by the following formula (I) where the Planck constant is h, the effective mass of electrons is m, and the radius of the fine particles is R.
E∝h 2 / mR 2 (I)

上記式で示されるように、微粒子のバンドギャップは、Ｒ−２に比例して大きくなる（いわゆる、量子ドット効果）。このように、微粒子（量子ドット）の粒径を制御、規定することによって、微粒子（量子ドット）のバンドギャップの値を制御することができる。すなわち、微粒子の粒径を制御、規定することにより、微粒子を擬似的な半導体原子（人工原子、デザイナー原子）として機能させることができるとともに、通常の原子には無い多様性を持たせることができる。このようなことから、量子ドット（微粒子）に対して、電気的なエネルギーを付与することにより所望の波長で発光させたり、入射した光（例えば、紫外線）を、所望の波長の光に変調して出射させたりすることができる。また、量子ドット（微粒子）に所定の波長の光を入射することにより、電気エネルギーを取り出すこともできる。したがって、量子ドットを含む吐出液（分散液）を用いて形成されるパターン（薄膜パターン）は、例えば、画像表示装置の発光素子や、太陽電池等の用途に好適に適用することができる。 As shown by the above formula, the band gap of the fine particles increases in proportion to R −2 (so-called quantum dot effect). Thus, the value of the band gap of the fine particles (quantum dots) can be controlled by controlling and defining the particle size of the fine particles (quantum dots). In other words, by controlling and defining the particle size of the fine particles, the fine particles can function as pseudo semiconductor atoms (artificial atoms, designer atoms), and can have diversity not found in ordinary atoms. . For this reason, the quantum dots (fine particles) are made to emit light at a desired wavelength by applying electrical energy, or incident light (for example, ultraviolet rays) is modulated into light of the desired wavelength. Can be emitted. Further, electric energy can be taken out by making light of a predetermined wavelength incident on the quantum dots (fine particles). Therefore, a pattern (thin film pattern) formed using a discharge liquid (dispersion liquid) containing quantum dots can be suitably applied to, for example, a light emitting element of an image display device or a solar cell.

上記のように、量子ドットは、一般に、その粒径が数ｎｍ〜数十ｎｍ程度（より具体的には、２〜２０ｎｍ）の微粒子であるが、本発明者は、このような微粒子を含む分散液（特に、後述するような分散媒に、量子ドットが分散した分散液）を、ノズル孔から間欠的に液滴を吐出する液滴吐出法に適用した場合に、低濃度で互いに干渉しあうことなく均一に分散した微粒子としての量子ドットの分散液は粘弾性を低く抑えることが可能であり、量子ドットと分散媒と界面付近での分離が好適に起こることを見出した。そして、さらに、液滴吐出時におけるノズル孔からの液切れがよくなり、吐出される液適量のばらつきを防止することができ、また、液滴の飛行曲がりを確実に防止することができることができ、ノズル孔から液切れした液滴が速やかに球形状となるため、液滴が付着する受け面への付着位置精度が優れたものになることを見出した。このような効果は、上記のような量子ドットを含まない液体を用いた場合には得られない。すなわち、液滴吐出法に供される液体が、分散質を含まない溶液である場合には、ノズル孔から吐出される液滴の液切れが不均一になりやすいため、各液滴での重量のばらつきが大きくなりやすく、また、液滴の付着位置精度も低いものとなる。一方、液滴吐出法に供される液体が上記以上の大きさの分散質が分散した分散液である場合には、ノズル孔から吐出される各液滴での重量のばらつきが特に大きくなりやすい。   As described above, the quantum dots are generally fine particles having a particle size of about several nanometers to several tens of nanometers (more specifically, 2 to 20 nm), but the present inventor includes such fine particles. When a dispersion (particularly a dispersion in which quantum dots are dispersed in a dispersion medium as described later) is applied to a droplet ejection method in which droplets are intermittently ejected from nozzle holes, they interfere with each other at a low concentration. It has been found that a dispersion of quantum dots as finely dispersed fine particles without matching can keep viscoelasticity low, and that separation in the vicinity of the interface between the quantum dots and the dispersion medium occurs favorably. In addition, the liquid from the nozzle holes can be better when the liquid droplets are discharged, so that variations in the appropriate amount of liquid can be prevented, and the flight of the liquid droplets can be reliably prevented. The present inventors have found that since the liquid droplets that have run out of the nozzle holes quickly become spherical, the adhesion position accuracy on the receiving surface to which the liquid droplets adhere is excellent. Such an effect cannot be obtained when a liquid that does not contain quantum dots as described above is used. In other words, when the liquid used for the droplet discharge method is a solution that does not contain dispersoids, liquid droplets discharged from the nozzle holes are likely to be non-uniform, so the weight of each droplet Variation tends to be large, and the accuracy of the droplet attachment position is low. On the other hand, when the liquid used for the droplet discharge method is a dispersion in which a dispersoid having a size larger than the above is dispersed, variation in the weight of each droplet discharged from the nozzle hole is particularly likely to be large. .

量子ドットの粒径は、上述したように、数ｎｍ〜数十ｎｍ程度であるが、吐出液（分散液）を、後述するような発光素子、表示部を有する画像表示装置に用いる場合、目的とする表示色に対応する粒径とする。例えば、吐出液（分散液）を赤色表示を行う発光素子、表示部に適用する場合、量子ドットの粒径は、０．５〜２０ｎｍであるのが好ましく、吐出液（分散液）を緑色表示を行う発光素子、表示部に適用する場合、量子ドットの粒径は、１〜１０ｎｍであるのが好ましく、吐出液（分散液）を青色表示を行う発光素子、表示部に適用する場合、量子ドットの粒径は、１〜３ｎｍであるのが好ましい。   As described above, the quantum dot has a particle size of about several nanometers to several tens of nanometers. The particle size corresponds to the display color. For example, when the discharge liquid (dispersion) is applied to a light emitting element or a display unit that displays red, the particle size of the quantum dots is preferably 0.5 to 20 nm, and the discharge liquid (dispersion) is displayed in green. When applied to a light-emitting element or display unit that performs the display, the particle size of the quantum dots is preferably 1 to 10 nm. When the discharge liquid (dispersion) is applied to a light-emitting element or display unit that performs blue display, The particle size of the dots is preferably 1 to 3 nm.

量子ドットの構成材料としては、例えば、炭素、ケイ素、ゲルマニウム、錫等の周期表第１４族元素の単体、リン（黒リン）等の周期表第１５族元素の単体、セレン、テルル等の周期表第１６族元素の単体、炭化ケイ素（ＳｉＣ）等の複数の周期表第１４族元素からなる化合物、酸化錫（IV）（ＳｎＯ２）、硫化錫（II，IV）（Ｓｎ（II）Ｓｎ（IV）Ｓ３）、硫化錫（IV）（ＳｎＳ２）、硫化錫（II）（ＳｎＳ）、セレン化錫（II）（ＳｎＳｅ）、テルル化錫（II）（ＳｎＴｅ）、硫化鉛（II）（ＰｂＳ）、セレン化鉛（II）（ＰｂＳｅ）、テルル化鉛（II）（ＰｂＴｅ）等の周期表第１４族元素と周期表第１６族元素との化合物、窒化ホウ素（ＢＮ）、リン化ホウ素（ＢＰ）、砒化ホウ素（ＢＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、アンチモン化アルミニウム（ＡｌＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、砒化インジウム（ＩｎＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）等の周期表第１３族元素と周期表第１５族元素との化合物（あるいはIII−Ｖ族化合物半導体）、硫化アルミニウム（Ａｌ２Ｓ３）、セレン化アルミニウム（Ａｌ２Ｓｅ３）、硫化ガリウム（Ｇａ２Ｓ３）、セレン化ガリウム（Ｇａ２Ｓｅ３）、テルル化ガリウム（Ｇａ２Ｔｅ３）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、硫化インジウム（Ｉｎ２Ｓ３）、セレン化インジウム（Ｉｎ２Ｓｅ３）、テルル化インジウム（Ｉｎ２Ｔｅ３）等の周期表第１３族元素と周期表第１６族元素との化合物、塩化タリウム（Ｉ）（ＴｌＣｌ）、臭化タリウム（Ｉ）（ＴｌＢｒ）、ヨウ化タリウム（Ｉ）（ＴｌＩ）等の周期表第１３族元素と周期表第１７族元素との化合物、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、テルル化水銀（ＨｇＴｅ）等の周期表第１２族元素と周期表第１６族元素との化合物（あるいはII−VI族化合物半導体）、硫化砒素（III）（Ａｓ２Ｓ３）、セレン化砒素（III）（Ａｓ２Ｓｅ３）、テルル化砒素（III）（Ａｓ２Ｔｅ３）、硫化アンチモン（III）（Ｓｂ２Ｓ３）、セレン化アンチモン（III）（Ｓｂ２Ｓｅ３）、テルル化アンチモン（III）（Ｓｂ２Ｔｅ３）、硫化ビスマス（III）（Ｂｉ２Ｓ３）、セレン化ビスマス（III）（Ｂｉ２Ｓｅ３）、テルル化ビスマス（III）（Ｂｉ２Ｔｅ３）等の周期表第１５族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｏ）、セレン化銅（Ｉ）（Ｃｕ２Ｓｅ）等の周期表第１１族元素と周期表第１６族元素との化合物、塩化銅（Ｉ）（ＣｕＣｌ）、臭化銅（Ｉ）（ＣｕＢｒ）、ヨウ化銅（Ｉ）（ＣｕＩ）、塩化銀（ＡｇＣｌ）、臭化銀（ＡｇＢｒ）等の周期表第１１族元素と周期表第１７族元素との化合物、酸化ニッケル（II）（ＮｉＯ）等の周期表第１０族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化コバルト（II）（ＣｏＯ）、硫化コバルト（II）（ＣｏＳ）等の周期表第９族元素と周期表第１６族元素との化合物、四酸化三鉄（Ｆｅ３Ｏ４）、硫化鉄（II）（ＦｅＳ）等の周期表第８族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化マンガン（II）（ＭｎＯ）等の周期表第７族元素と周期表第１６族元素との化合物、硫化モリブデン（IV）（ＭｏＳ２）、酸化タングステン（IV）（ＷＯ２）等の周期表第６族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化バナジウム（II）（ＶＯ）、酸化バナジウム（IV）（ＶＯ２）、酸化タンタル（Ｖ）（Ｔａ２Ｏ５）等の周期表第５族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化チタン（ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ５、Ｔｉ２Ｏ３、Ｔｉ５Ｏ９等）等の周期表第４族元素と周期表第１６族元素との化合物、硫化マグネシウム（ＭｇＳ）、セレン化マグネシウム（ＭｇＳｅ）等の周期表第２族元素と周期表第１６族元素との化合物、酸化カドミウム（II）クロム（III）（ＣｄＣｒ２Ｏ４）、セレン化カドミウム（II）クロム（III）（ＣｄＣｒ２Ｓｅ４）、硫化銅（II）クロム（III）（ＣｕＣｒ２Ｓ４）、セレン化水銀（II）クロム（III）（ＨｇＣｒ２Ｓｅ４）等のカルコゲンスピネル類、バリウムチタネート（ＢａＴｉＯ３）等が挙げられるが、ＳｎＳ２、ＳｎＳ、ＳｎＳｅ、ＳｎＴｅ、ＰｂＳ、ＰｂＳｅ、ＰｂＴｅ等の周期表第１４族元素と周期表第１６族元素との化合物、ＧａＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ等のIII−Ｖ族化合物半導体、Ｇａ２Ｏ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓｅ３、Ｇａ２Ｔｅ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｓｅ３、Ｉｎ２Ｔｅ３等の周期表第１３族元素と周期表第１６族元素との化合物、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＨｇＯ、ＨｇＳ、ＨｇＳｅ、ＨｇＴｅ等のII−VI族化合物半導体、Ａｓ２Ｏ３、Ａｓ２Ｓ３、Ａｓ２Ｓｅ３、Ａｓ２Ｔｅ３、Ｓｂ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｓ３、Ｓｂ２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｔｅ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｓ３、Ｂｉ２Ｓｅ３、Ｂｉ２Ｔｅ３等の周期表第１５族元素と周期表第１６族元素との化合物、ＭｇＳ、ＭｇＳｅ等の周期表第２族元素と周期表第１６族元素との化合物が好ましく、中でも、ＧａＮ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、Ｇａ２Ｏ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｓ３、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＣｄＯ、ＣｄＳがより好ましい。これらの物質は、毒性の高い陰性元素を含まないので耐環境汚染性や生物への安全性に優れている。耐環境汚染性や生物への安全性等の観点からは、ＺｎＯ、ＺｎＳがさらに好ましく、さらに、高屈折率、安全性、原料の経済性等の点で優れていることから、ＺｎＳが最も好ましい。また、ＣｄＳｅとＺｎＳｅは、発光の安定性の点で好ましい。また、上述した材料は、１種で用いるものであってもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。 Examples of the constituent material of the quantum dot include a simple substance of a periodic table group 14 element such as carbon, silicon, germanium, and tin, a simple substance of a periodic table group 15 element such as phosphorus (black phosphorus), and a periodicity of selenium, tellurium, and the like. Table 16 group element simple substance, compound consisting of a plurality of periodic table group 14 elements such as silicon carbide (SiC), tin oxide (IV) (SnO 2 ), tin sulfide (II, IV) (Sn (II) Sn (IV) S 3 ), tin sulfide (IV) (SnS 2 ), tin (II) sulfide (SnS), tin (II) selenide (SnSe), tin telluride (II) (SnTe), lead sulfide (II) ) (PbS), lead selenide (II) (PbSe), lead telluride (II) (PbTe) periodic table group 14 element and periodic table group 16 element compound, boron nitride (BN), phosphorus Boron halide (BP), Boron arsenide (BAs), Aluminum nitride (AlN), Al phosphide Ni (AlP), aluminum arsenide (AlAs), aluminum antimonide (AlSb), gallium nitride (GaN), gallium phosphide (GaP), gallium arsenide (GaAs), gallium antimonide (GaSb), indium nitride (InN), Compound (or III-V group compound semiconductor) of periodic table group 13 element and periodic table group 15 element such as indium phosphide (InP), indium arsenide (InAs), indium antimonide (InSb), aluminum sulfide ( Al 2 S 3 ), aluminum selenide (Al 2 Se 3 ), gallium sulfide (Ga 2 S 3 ), gallium selenide (Ga 2 Se 3 ), gallium telluride (Ga 2 Te 3 ), indium oxide (In 2) O 3), indium sulfide (In 2 S 3), indium selenide (I 2 Se 3), compounds of tellurium indium (In 2 Te 3) periodic table group 13 elements and the periodic table group 16 element such as, thallium chloride (I) (TlCl), thallium bromide (I) (TlBr ), Compounds of group 13 elements of the periodic table and elements of group 17 of the periodic table such as thallium (I) iodide (TlI), zinc oxide (ZnO), zinc sulfide (ZnS), zinc selenide (ZnSe), tellurium Zinc fluoride (ZnTe), cadmium oxide (CdO), cadmium sulfide (CdS), cadmium selenide (CdSe), cadmium telluride (CdTe), mercury sulfide (HgS), mercury selenide (HgSe), mercury telluride (HgTe) ) periodic table group 12 element and the periodic table compound of group 16 element such as (or II-VI compound semiconductor), arsenic sulfide (III) (as 2 S 3), selenium arsenic (III (As 2 Se 3), telluride arsenic (III) (As 2 Te 3 ), antimony sulfide (III) (Sb 2 S 3 ), selenium antimony (III) (Sb 2 Se 3 ), antimony telluride (III ) (Sb 2 Te 3 ), bismuth sulfide (III) (Bi 2 S 3 ), bismuth selenide (III) (Bi 2 Se 3 ), bismuth telluride (III) (Bi 2 Te 3 ), etc. Compounds of Group 15 elements and Group 16 elements of the periodic table, Group 11 elements of the periodic table and Group 16 of the periodic table such as copper (I) (Cu 2 O), copper selenide (Cu 2 Se), etc. Periodic tables of compounds with elements, copper chloride (I) (CuCl), copper bromide (I) (CuBr), copper iodide (I) (CuI), silver chloride (AgCl), silver bromide (AgBr), etc. Compounds of Group 11 elements and Periodic Table Group 17 elements, nickel oxide (II) (N compounds of periodic table group 10 elements such as iO) and periodic table group 16 elements, periodic table group 9 elements such as cobalt (II) oxide (CoO), cobalt sulfide (II) (CoS) and periodic table Compounds with Group 16 elements, compounds of Group 8 elements of the periodic table such as triiron tetroxide (Fe 3 O 4 ), iron (II) sulfide (FeS), and Group 16 elements of the periodic table, manganese (II) oxide A compound of a periodic table group 7 element such as (MnO) and a periodic table group 16 element, a periodic table group 6 element such as molybdenum sulfide (IV) (MoS 2 ), tungsten oxide (IV) (WO 2 ), etc. Compounds with Group 16 elements of the Periodic Table, Periodic Table Group 5 elements such as vanadium (II) oxide (VO), vanadium oxide (IV) (VO 2 ), tantalum oxide (V) (Ta 2 O 5 ) and the period Table compound of group 16 element, a titanium oxide (TiO 2, Ti 2 O 5 , Ti 2 O , A compound of Group 4 of the periodic table element and Periodic Table Group 16 element of Ti 5 O 9, etc.) and the like, magnesium sulfide (MgS), the second group elements and the periodic table periodic table such as magnesium selenide (MgSe) Compounds with group 16 elements, cadmium (II) chromium (III) (CdCr 2 O 4 ), cadmium selenide (II) chromium (III) (CdCr 2 Se 4 ), copper sulfide (II) chromium (III) ( Examples thereof include chalcogen spinels such as CuCr 2 S 4 ), mercury (II) selenide, chromium (III) (HgCr 2 Se 4 ), barium titanate (BaTiO 3 ), etc., but SnS 2 , SnS, SnSe, SnTe, PbS , PbSe, PbTe, etc. compounds of periodic table group 14 elements and periodic table group 16 elements, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, etc. III-V group compound semiconductors, Ga 2 O 3 , Ga 2 S 3 , Ga 2 Se 3 , Ga 2 Te 3 , In 2 O 3 , In 2 S 3 , In 2 Se 3 , In 2 Te 3, etc. Compounds of Group 13 elements and Group 16 elements of periodic table, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe and other II-VI group compound semiconductors, As 2 O 3 , As 2 S 3 , As 2 Se 3 , As 2 Te 3 , Sb 2 O 3 , Sb 2 S 3 , Sb 2 Se 3 , Sb 2 Te 3 , Bi 2 O 3 , Bi 2 S 3 , Bi 2 A compound of a periodic table group 15 element such as Se 3 or Bi 2 Te 3 and a group 16 element of the periodic table, a compound of periodic table group 2 element such as MgS or MgSe, and a group 16 element of the periodic table are preferable, Among them, GaN, G aP, InN, InP, Ga 2 O 3 , Ga 2 S 3 , In 2 O 3 , In 2 S 3 , ZnO, ZnS, CdO, and CdS are more preferable. Since these substances do not contain highly toxic negative elements, they are excellent in environmental pollution resistance and biological safety. ZnO and ZnS are more preferable from the viewpoint of environmental pollution resistance and safety to living organisms, and ZnS is most preferable because it is excellent in terms of high refractive index, safety, raw material economy, and the like. . CdSe and ZnSe are preferable in terms of light emission stability. Moreover, the material mentioned above may be used by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

吐出液（分散液）中における量子ドットの含有率は、特に限定されないが、０．００５〜５．０ｗｔ％であるのが好ましく、０．０５〜１．０ｗｔ％であるのがより好ましい。量子ドットの含有率が前記範囲内の値であると、吐出液（分散液）の吐出時における吐出安定性、液切れを特に優れたものとしつつ、薄膜パターンの形成効率を優れたものとすることができる。   Although the content rate of the quantum dot in a discharge liquid (dispersion liquid) is not specifically limited, It is preferable that it is 0.005-5.0 wt%, and it is more preferable that it is 0.05-1.0 wt%. When the content rate of the quantum dots is a value within the above range, the discharge stability (liquid dispersion) during discharge of the discharge liquid (dispersion) is particularly excellent, and the formation efficiency of the thin film pattern is excellent. be able to.

＜被膜＞
吐出液（分散液）中において、量子ドットの表面は、不活性な無機物の被覆層または有機配位子で構成された被膜で被覆されたものであるのが好ましい。すなわち、分散液に含まれる分散質が、量子ドットで構成されたコア領域と、不活性な無機物の被覆層または有機配位子で構成されたシェル領域とを有するものであるのが好ましい。これにより、吐出液（分散液）中における量子ドットの凝集を効果的に防止することができ、量子ドットの分散性を向上させることができるとともに、液滴吐出時における液切れが特に優れたものとなる。また、被覆層の存在により安定的に光吸収や発光特性が得られる。
また、量子ドットの表面が被膜で被覆されていると、後述するような分散剤を量子ドットの表面付近に確実に担持させることができる。これに対し、量子ドットが被膜で被覆されていないと、分散剤を量子ドットの表面に確実に付着させるのが困難となる。 <Coating>
In the discharge liquid (dispersion liquid), the surface of the quantum dots is preferably coated with an inactive inorganic coating layer or a film composed of an organic ligand. That is, the dispersoid contained in the dispersion preferably has a core region composed of quantum dots and a shell region composed of an inert inorganic coating layer or an organic ligand. This effectively prevents the aggregation of quantum dots in the discharge liquid (dispersion liquid), improves the dispersibility of the quantum dots, and is particularly excellent in liquid breakage during droplet discharge. It becomes. Moreover, light absorption and light emission characteristics can be stably obtained by the presence of the coating layer.
In addition, when the surface of the quantum dots is covered with a coating, a dispersant as described later can be reliably supported in the vicinity of the surface of the quantum dots. On the other hand, if the quantum dots are not covered with a coating, it is difficult to reliably attach the dispersant to the surface of the quantum dots.

被膜の厚さは、特に限定されないが、０．１〜５０ｎｍであるのが好ましく、０．５〜１０ｎｍであるのがより好ましい。一般に、量子ドットのサイズにより発光色が制御でき、膜の厚さが前記範囲内の値であると、被膜の厚みが量子ドット１個分から数個分の範囲内であり、薄膜パターン形成時における欠陥（抜け等）を防ぎつつ十分な発光量が得られる。   Although the thickness of a film is not specifically limited, It is preferable that it is 0.1-50 nm, and it is more preferable that it is 0.5-10 nm. In general, the emission color can be controlled by the size of the quantum dots, and when the film thickness is within the above range, the thickness of the coating is within the range of one quantum dot to several, and when forming a thin film pattern A sufficient amount of light emission can be obtained while preventing defects (such as omission).

＜分散剤＞
吐出液（分散液）中において、量子ドットの表面付近には、分散剤が付着しているのが好ましい。これにより、吐出液（分散液）中における量子ドットの分散性を特に優れたものとすることができるとともに、液滴吐出時における液切れが特に優れたものとなる。また、量子ドット（微粒子）の製造時において量子ドットの表面に分散剤を付着させることにより、形成される量子ドットの形状を真球度の高いものとし、また、量子ドットの粒度分布をシャープなものとすることができるため、例えば、吐出液（分散液）を画像表示装置の発光素子、表示素子の形成に適用した場合において、画像表示装置に表示される画像の画質を特に優れたものとすることができる。 <Dispersant>
In the discharge liquid (dispersion liquid), it is preferable that a dispersant adheres near the surface of the quantum dots. Thereby, the dispersibility of the quantum dots in the discharge liquid (dispersion liquid) can be made particularly excellent, and the liquid breakage at the time of droplet discharge becomes particularly excellent. In addition, when a quantum dot (fine particle) is produced, a dispersant is attached to the surface of the quantum dot, so that the shape of the formed quantum dot has a high sphericity and the particle size distribution of the quantum dot is sharp. For example, when the discharge liquid (dispersion) is applied to the formation of a light emitting element and a display element of an image display device, the image quality displayed on the image display device is particularly excellent. can do.

分散剤は、量子ドットの表面に直接付着したものであってもよいし、被膜を介して付着したもの（分散剤が直接付着するのは被膜で、量子ドットには接触していないもの）であってもよい。
分散剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類；トリプロピルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリヘキシルホスフィン、トリオクチルホスフィン等のトリアルキルホスフィン類；ポリオキシエチレンｎ−オクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンｎ−ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル類；トリ（ｎ−ヘキシル）アミン、トリ（ｎ−オクチル）アミン、トリ（ｎ−デシル）アミン等の第３級アミン類；トリプロピルホスフィンオキシド、トリブチルホスフィンオキシド、トリヘキシルホスフィンオキシド、トリオクチルホスフィンオキシド（ＴＯＰＯ）、トリデシルホスフィンオキシド等の有機リン化合物；ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジエステル類；ピリジン、ルチジン、コリジン、キノリン類の含窒素芳香族化合物等の有機窒素化合物；ヘキシルアミン、オクチルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、テトラデシルアミン、ヘキサデシルアミン、オクタデシルアミン等のアミノアルカン類；ジブチルスルフィド等のジアルキルスルフィド類；ジメチルスルホキシドやジブチルスルホキシド等のジアルキルスルホキシド類；チオフェン等の含硫黄芳香族化合物等の有機硫黄化合物；パルミチン酸、ステアリン酸、オレイン酸等の高級脂肪酸；アルコール類；ソルビタン脂肪酸エステル類；脂肪酸変性ポリエステル類；３級アミン変性ポリウレタン類；ポリエチレンイミン類等が挙げられるが、量子ドットが後述するような方法で調製されるものである場合、分散剤は、高温液相において微粒子に配位して安定化する物質であるのが好ましく、具体的には、トリアルキルホスフィン類、有機リン化合物、アミノアルカン類、第３級アミン類、有機窒素化合物、ジアルキルスルフィド類、ジアルキルスルホキシド類、有機硫黄化合物、高級脂肪酸、アルコール類が好ましい。このような分散剤を用いることにより、吐出液（分散液）中における量子ドットの分散性を特に優れたものとしたり、吐出液（分散液）の吐出安定性を特に優れたものとすることができたり、量子ドットの製造時において形成される量子ドットの形状をより真球度の高いものとし、量子ドットの粒度分布をよりシャープなものとすることができる。 The dispersant may be directly attached to the surface of the quantum dot, or may be attached via a coating (the dispersant is directly attached to the coating but not in contact with the quantum dot). There may be.
Examples of the dispersant include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; tripropyl phosphine, tributyl phosphine, trihexyl phosphine, trioctyl phosphine, and the like. Alkyl phosphines; polyoxyethylene alkylphenyl ethers such as polyoxyethylene n-octylphenyl ether and polyoxyethylene n-nonylphenyl ether; tri (n-hexyl) amine, tri (n-octyl) amine, tri (n Tertiary amines such as -decyl) amine; tripropylphosphine oxide, tributylphosphine oxide, trihexylphosphine oxide, trioctylphosphine oxide (T PO), organic phosphorus compounds such as tridecylphosphine oxide; polyethylene glycol diesters such as polyethylene glycol dilaurate and polyethylene glycol distearate; organic nitrogen compounds such as nitrogen-containing aromatic compounds such as pyridine, lutidine, collidine and quinolines; hexyl Aminoalkanes such as amine, octylamine, decylamine, dodecylamine, tetradecylamine, hexadecylamine, octadecylamine; dialkyl sulfides such as dibutyl sulfide; dialkyl sulfoxides such as dimethyl sulfoxide and dibutyl sulfoxide; sulfur containing thiophene Organic sulfur compounds such as aromatic compounds; higher fatty acids such as palmitic acid, stearic acid and oleic acid; alcohols; sorbitan fatty acid esters; Polyesters; tertiary amine-modified polyurethanes; polyethyleneimines, and the like. In the case where the quantum dots are prepared by the method described later, the dispersant is coordinated to fine particles in the high-temperature liquid phase. Preferably, it is a substance to be stabilized, specifically, trialkylphosphines, organic phosphorus compounds, aminoalkanes, tertiary amines, organic nitrogen compounds, dialkyl sulfides, dialkyl sulfoxides, organic sulfur compounds, Higher fatty acids and alcohols are preferred. By using such a dispersant, the dispersibility of the quantum dots in the discharge liquid (dispersion) is particularly excellent, and the discharge stability of the discharge liquid (dispersion) is particularly excellent. In addition, the shape of the quantum dots formed during the manufacture of the quantum dots can be made more highly spherical, and the particle size distribution of the quantum dots can be made sharper.

＜分散媒＞
上述したように、吐出液（分散液）中において、量子ドット（より好適には、被膜により被覆され、さらに被膜の表面付近に分散剤が付着した量子ドット）は、分散媒中に分散している。
通常、分散媒は、後述するような薄膜を製造する過程において、その大部分が除去されるものである。 <Dispersion medium>
As described above, in the discharge liquid (dispersion liquid), the quantum dots (more preferably, the quantum dots coated with a film and having a dispersant attached near the surface of the film) are dispersed in the dispersion medium. Yes.
Usually, most of the dispersion medium is removed in the process of manufacturing a thin film as described later.

分散媒としては、例えば、エステル化合物、エーテル化合物、ヒドロキシケトン、炭酸ジエステル、環状アミド化合物等を用いることができ、中でも、（１）多価アルコール（例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、グリセリン等）の縮合物としてのエーテル（多価アルコールエーテル）や、多価アルコールまたは多価アルコールエーテルのアルキルエーテル（例えば、メチルエーテル、エチルエーテル、ブチルエーテル、ヘキシルエーテル等）、エステル（例えば、ホルメート、アセテート、プロピオネート等）、（２）多価カルボン酸（例えば、こはく酸、グルタル酸等）のエステル（例えば、メチルエステル等）、（３）分子内に少なくとも１つの水酸基と少なくとも１つのカルボキシル基とを有する化合物（ヒドロキシ酸）のエーテル、エステル等、（４）多価アルコールとホスゲンとの反応で得られるような化学構造を有する炭酸ジエステル、（５）炭素数が１２以上の炭化水素が好ましい。分散媒として用いることのできる具体的な化合物としては、例えば、２−（２−メトキシ−１−メチルエトキシ）−１−メチルエチルアセテート、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、４−メチル−１，３−ジオキソラン−２−オン、ビス（２−ブトキシエチル）エーテル、グルタル酸ジメチル、エチレングリコールジｎ−ブチレート、１，３−ブチレングリコールジアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、１，６−ジアセトキシヘキサン、メチルプロピレントリグリコール、ブトキシプロパノール、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、３−エトキシプロピオン酸エチル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、３−メトキシブチルアセテート、ジエチレングリコールジエチルエーテル、オクタン酸エチル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、酢酸シクロヘキシル、こはく酸ジエチル、エチレングリコールジアセテート、プロピレングリコールジアセテート、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン、こはく酸ジメチル、１−ブトキシ−２−プロパノール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、３−メトキシ−ｎ−ブチルアセテート、ジアセチン、ジプロピレングリコールｎ−プロピルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ブチルグリコレート、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールｎ−ブチルエーテル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、テトラデカン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン（デカヒドロナフタレン）、テトラリン、ブトキシエタノール等が挙げられ、これらから選択される１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、分散媒としては、テトラデカン、シクロヘキシルベンゼン、デカリン、ブトキシエタノール、オクタン酸エチル、４−メチル−１，３−ジオキソラン−２−オン、ビス（２−ブトキシエチル）エーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、および、１，３−ブチレングリコールジアセテートよりなる群から選択される１種または２種以上を含むものであるのが好ましい。分散媒がこのような材料で構成されたものであると、分散液としての粘度を低く抑えられ、ノズル孔から吐出液（分散液）を吐出する際に、微粒子としての量子ドットと分散媒との界面付近での分離がより好適に起こり、ノズル孔からの液切れを特に優れたものとすることができるとともに、液滴の飛行曲がりをより確実に防止することができ、液滴の受け面への付着位置精度を特に優れたものとすることができる。また、吐出液（分散液）中における、上記のような量子ドット（特に、上記のような被膜で被覆され、さらに分散剤が付着した量子ドット）の分散安定性を特に優れたものとすることができる。また、工業用途（産業用）に求められる長期安定吐出性を、特に優れたものとすることができる。   As the dispersion medium, for example, ester compounds, ether compounds, hydroxy ketones, carbonic acid diesters, cyclic amide compounds, and the like can be used. Among them, (1) polyhydric alcohols (for example, ethylene glycol, propylene glycol, butylene glycol, glycerin) Ethers (polyhydric alcohol ethers) as condensates of polyhydric alcohols or alkyl ethers of polyhydric alcohol ethers (eg methyl ether, ethyl ether, butyl ether, hexyl ether), esters (eg, formate, acetate) , Propionate, etc.), (2) esters of polyvalent carboxylic acids (eg, succinic acid, glutaric acid, etc.) (eg, methyl esters), (3) at least one hydroxyl group and at least one carboxyl group in the molecule Yes That ether compounds (hydroxy acid), esters and the like, (4) a polyhydric alcohol and a carbonic acid diester having a chemical structure such as obtained by reaction with phosgene, (5) is preferably 12 or more hydrocarbon carbon atoms. Specific compounds that can be used as the dispersion medium include, for example, 2- (2-methoxy-1-methylethoxy) -1-methylethyl acetate, triethylene glycol dimethyl ether, triethylene glycol diacetate, diethylene glycol monoethyl ether. Acetate, 4-methyl-1,3-dioxolan-2-one, bis (2-butoxyethyl) ether, dimethyl glutarate, ethylene glycol di-n-butylate, 1,3-butylene glycol diacetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, Tetraethylene glycol dimethyl ether, 1,6-diacetoxyhexane, methylpropylene triglycol, butoxypropanol, dipropylene glycol dimethyl ether, diethyleneglycol Dimethyl ether, ethyl 3-ethoxypropionate, diethylene glycol ethyl methyl ether, 3-methoxybutyl acetate, diethylene glycol diethyl ether, ethyl octoate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, cyclohexyl acetate, diethyl succinate, ethylene glycol diacetate, propylene glycol di Acetate, 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone, dimethyl succinate, 1-butoxy-2-propanol, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, 3-methoxy-n-butyl acetate, Diacetin, dipropylene glycol n-propyl ether, polyethylene glycol Examples include methyl ether, butyl glycolate, ethylene glycol monohexyl ether, dipropylene glycol n-butyl ether, N-methyl-2-pyrrolidone, tetradecane, cyclohexylbenzene, decalin (decahydronaphthalene), tetralin, butoxyethanol, etc. One or two or more selected from can be used in combination. Among these, as the dispersion medium, tetradecane, cyclohexylbenzene, decalin, butoxyethanol, ethyl octoate, 4-methyl-1,3-dioxolan-2-one, bis (2-butoxyethyl) ether, diethylene glycol monobutyl ether acetate, and It is preferable that 1 type or 2 types or more selected from the group which consists of 1, 3- butylene glycol diacetates are included. When the dispersion medium is composed of such a material, the viscosity of the dispersion liquid can be kept low, and when discharging the discharge liquid (dispersion liquid) from the nozzle holes, the quantum dots and the dispersion medium as fine particles Separation in the vicinity of the interface of the liquid occurs more favorably, it is possible to make the liquid breakage from the nozzle hole particularly excellent, and it is possible to more reliably prevent the flying curve of the liquid droplet, and the liquid droplet receiving surface The adhesion position accuracy to can be made particularly excellent. In addition, the dispersion stability of the above-described quantum dots (particularly, quantum dots coated with the above-described coating and further attached with a dispersant) in the discharge liquid (dispersion) should be particularly excellent. Can do. Moreover, the long-term stable ejection required for industrial use (industrial use) can be made particularly excellent.

分散媒の大気圧（１気圧）下における沸点は、１５０〜２８０℃であるのが好ましく、１７０〜２７０℃であるのがより好ましく、１８０〜２６０℃であるのがさらに好ましい。分散媒の大気圧下における沸点が前記範囲内の値であると、吐出液（分散液）を吐出する液滴吐出ヘッドにおける目詰まり等をより効果的に防止することができ、薄膜パターンの形成の効率を特に優れたものとすることができる。   The boiling point of the dispersion medium under atmospheric pressure (1 atm) is preferably 150 to 280 ° C, more preferably 170 to 270 ° C, and further preferably 180 to 260 ° C. When the boiling point of the dispersion medium under atmospheric pressure is within the above range, clogging or the like in the droplet discharge head that discharges the discharge liquid (dispersion liquid) can be more effectively prevented, thereby forming a thin film pattern. The efficiency can be made particularly excellent.

また、分散媒の２５℃における蒸気圧は、０．１ｍｍＨｇ以下であるのが好ましく、０．０５ｍｍＨｇ以下であるのがより好ましい。分散媒の蒸気圧が前記範囲内と値であると、吐出液（分散液）を吐出する液滴吐出ヘッドにおける目詰まり等をより効果的に防止することができ、薄膜パターンの形成の効率を特に優れたものとすることができる。
吐出液（分散液）中における分散媒の含有率は、特に限定されないが、７０〜９８ｗｔ％であるのが好ましく、８０〜９５ｗｔ％であるのがより好ましい。分散媒の含有率が前記範囲内の値であると、吐出液（分散液）の吐出時における吐出安定性、液切れを特に優れたものとしつつ、薄膜パターンの形成効率を優れたものとすることができる。 Further, the vapor pressure at 25 ° C. of the dispersion medium is preferably 0.1 mmHg or less, and more preferably 0.05 mmHg or less. When the vapor pressure of the dispersion medium is within the above range, clogging or the like in the droplet discharge head that discharges the discharge liquid (dispersion liquid) can be more effectively prevented, and the efficiency of forming the thin film pattern can be improved. It can be made particularly excellent.
Although the content rate of the dispersion medium in a discharge liquid (dispersion liquid) is not specifically limited, It is preferable that it is 70-98 wt%, and it is more preferable that it is 80-95 wt%. When the content of the dispersion medium is a value within the above range, the discharge stability (liquid dispersion) during discharge of the discharge liquid (dispersion) is particularly excellent, and the formation efficiency of the thin film pattern is excellent. be able to.

＜その他の成分＞
吐出液（分散液）は、必要に応じて、種々の他の成分を含むものであってもよい。このような成分（他の添加剤）としては、例えば、各種架橋剤；各種重合開始剤；銅フタロシアニン誘導体等の青色顔料誘導体や黄色顔料誘導体等の分散助剤；ガラス、アルミナ等の充填剤；ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコールモノアルキルエーテル、ポリフロロアルキルアクリレート等の高分子化合物；ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス（２−メトキシエトキシ）シラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等の密着促進剤；２，２−チオビス（４−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール等の酸化防止剤；ポリアクリル酸ナトリウム等の凝集防止剤；メタノール、エタノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、グリセリン等の吐出性能安定化剤；以下商品名で、エフトップＥＦ３０１、同ＥＦ３０３、同ＥＦ３５２（以上、新秋田化成（株）製）、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１７８Ｋ（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１（以上、住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ−１０６（以上、旭硝子（株）製）、ＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、ポリフローＮｏ．７５、同Ｎｏ．９５（以上、共栄社油脂化学工業（株）製）等の界面活性剤等が挙げられる。 <Other ingredients>
The discharge liquid (dispersion liquid) may contain various other components as necessary. Examples of such components (other additives) include various crosslinking agents; various polymerization initiators; dispersion aids such as blue pigment derivatives and yellow pigment derivatives such as copper phthalocyanine derivatives; fillers such as glass and alumina; Polymer compounds such as polyvinyl alcohol, polyethylene glycol monoalkyl ether, polyfluoroalkyl acrylate; vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (2-methoxyethoxy) silane, N- (2-aminoethyl) -3-amino Propylmethyldimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 2- (3,4-epoxy Chlohexyl) adhesion promoter such as ethyltrimethoxysilane, 3-chloropropylmethyldimethoxysilane, 3-chloropropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane; 2,2-thiobis Antioxidants such as (4-methyl-6-tert-butylphenol) and 2,6-di-tert-butylphenol; anti-aggregating agents such as sodium polyacrylate; methanol, ethanol, i-propanol, n-butanol, glycerin Discharge performance stabilizers such as Ftop EF301, EF303, EF352 (made by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Megafuck F171, F172, F173, F178K (above, large) Nippon Ink Chemical Co., Ltd.), Florard FC4 0, FC 431 (above, manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC-105, SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), Polyflow No. 75, no. 95 (above, manufactured by Kyoeisha Yushi Chemical Co., Ltd.) and the like.

上記のような吐出液（分散液）の２５℃における粘度（振動式粘度計を用いて測定される粘度）は、特に限定されないが、３〜１５ｍＰａ・ｓであるのが好ましく、５〜１０ｍＰａ・ｓであるのがより好ましい。吐出液（分散液）の粘度が前記範囲内の値であると、後述するような液滴吐出において、吐出される吐出液（分散液）の液適量のばらつきを特に小さいものとしつつ、液滴吐出ヘッドにおける目詰まりの発生等をより確実に防止することができる。なお、吐出液（分散液）の粘度の測定は、例えば、振動式粘度計を用いて行うことができ、特に、ＪＩＳ Ｚ８８０９に準拠して行うことができる。   The viscosity at 25 ° C. (viscosity measured using a vibration viscometer) of the above discharge liquid (dispersion) is not particularly limited, but is preferably 3 to 15 mPa · s, and preferably 5 to 10 mPa · s. More preferably, it is s. When the viscosity of the discharge liquid (dispersion) is within the above range, in the liquid drop discharge as will be described later, the dispersion of the appropriate amount of the discharged discharge liquid (dispersion) is made particularly small. The occurrence of clogging in the discharge head can be prevented more reliably. The viscosity of the discharge liquid (dispersion liquid) can be measured using, for example, a vibration viscometer, and can be particularly performed in accordance with JIS Z8809.

上記のような吐出液（分散液）は、例えば、以下のようにして調製することができる。
まず、量子ドットの前駆体（前駆物質）を用意する。
この前駆体を、上述したような分散剤と混合する。この際、必要に応じて、さらに、溶媒を用いてもよい。溶媒としては、分散媒の好適な材料として例示したものや、化学反応において溶媒として利用されている材料を用いることができる。 The above discharge liquid (dispersion liquid) can be prepared as follows, for example.
First, a quantum dot precursor (precursor) is prepared.
This precursor is mixed with a dispersant as described above. At this time, if necessary, a solvent may be further used. As a solvent, what was illustrated as a suitable material of a dispersion medium and the material utilized as a solvent in a chemical reaction can be used.

前駆体と、分散剤とを含む液相中にて、前駆体を反応させることにより、量子ドットの構成材料で構成された微粒子を析出させる。この際、液相中には、分散剤が含まれているため、形成される微粒子は、液相中に分散した状態を保持することができ、また、析出する微粒子の形状も真球度が高いものとなる。前駆体の反応は、通常、加熱条件下で行う。
その後、さらに、反応を進行させ、微粒子を粒成長させ、微粒子が所望の大きさ（粒径）となった時点で、反応を終了させる。前駆体の反応は、例えば、反応系（反応液）を冷却することにより、終了させることができる。
その後、必要に応じて、希釈溶媒での希釈や、未反応の前駆体の除去等の処理を行う。 By reacting the precursor in a liquid phase containing the precursor and the dispersant, fine particles composed of the constituent material of the quantum dots are precipitated. At this time, since the liquid phase contains a dispersant, the formed fine particles can maintain a dispersed state in the liquid phase, and the shape of the precipitated fine particles has a sphericity. It will be expensive. The reaction of the precursor is usually performed under heating conditions.
Thereafter, the reaction is further advanced, the fine particles are grown, and the reaction is terminated when the fine particles have a desired size (particle diameter). The reaction of the precursor can be terminated, for example, by cooling the reaction system (reaction solution).
Thereafter, treatments such as dilution with a diluting solvent and removal of unreacted precursor are performed as necessary.

また、上記のような反応に用いた溶媒は、そのまま、吐出液（分散液）の分散媒として用いてもよいし、前記溶媒を、分散媒として例示した材料で置換してもよい。溶媒と分散媒との置換は、例えば、これらの沸点、蒸気圧の差を利用して行うことができる。より具体的には、目的とする量子ドットが形成された反応液を分散媒と混合し、その後、この混合液を加熱したり、減圧雰囲気下に置くことにより、溶媒を選択的に除去し、目的とする吐出液（分散液）を得ることができる。   Further, the solvent used in the reaction as described above may be used as it is as a dispersion medium of the discharge liquid (dispersion liquid), or the solvent may be replaced with the material exemplified as the dispersion medium. The substitution of the solvent and the dispersion medium can be performed using, for example, the difference between the boiling points and the vapor pressure. More specifically, the reaction liquid in which the target quantum dots are formed is mixed with a dispersion medium, and then the solvent is selectively removed by heating or placing the liquid mixture in a reduced-pressure atmosphere, A target discharge liquid (dispersion) can be obtained.

《吐出液セット》
次に、上述したような吐出液を、複数種備える吐出液セット（分散液セット）について説明する。吐出液セットを構成する各吐出液（分散液）に含まれる量子ドットは、互いに異なる粒径を有するものである。より具体的には、吐出液セットとしては、例えば、所定の粒径の第１の量子ドットを含む第１の吐出液（第１の分散液）と、第１の量子ドットよりも大きい粒径の第２の量子ドットを含む第２の吐出液（第２の分散液）と、第１の量子ドットよりも大きく、第２の量子ドットよりも小さい粒径の第３の量子ドットを含む第３の吐出液（第３の分散液）とを備えるものとすることができる。このような場合、例えば、第１の量子ドットは、電圧の印加（電子と正孔との結合）や紫外線の照射等により青色に発光するものであり、第２の量子ドットは、電圧の印加（電子と正孔との結合）や紫外線の照射等により赤色に発光するものであり、第３の量子ドットは、電圧の印加（電子と正孔との結合）や紫外線の照射等により緑色に発光するものである。 <Discharge liquid set>
Next, a discharge liquid set (dispersion liquid set) including a plurality of discharge liquids as described above will be described. Quantum dots included in each discharge liquid (dispersion liquid) constituting the discharge liquid set have different particle sizes. More specifically, as the discharge liquid set, for example, a first discharge liquid (first dispersion liquid) including a first quantum dot having a predetermined particle diameter and a particle diameter larger than that of the first quantum dot. A second discharge liquid (second dispersion liquid) containing the second quantum dots and a third quantum dot having a particle diameter larger than the first quantum dots and smaller than the second quantum dots. 3 discharge liquids (third dispersion liquid). In such a case, for example, the first quantum dot emits blue light by application of voltage (bonding of electrons and holes) or irradiation of ultraviolet rays, and the second quantum dot applies voltage. It emits red light when irradiated with (electrons and holes) or ultraviolet light. The third quantum dot turns green when voltage is applied (bonding between electrons and holes) or ultraviolet light is irradiated. It emits light.

このような吐出液セットを用いることにより、色再現域が特に広く、高輝度な画像を表示することができる画像表示装置等に好適に適用することができる。
なお、吐出液セットを構成する各吐出液（分散液）は、量子ドットの粒径以外の条件は、互いに、同一であってもよいし、異なるものであってもよい。より具体的には、吐出液セットを構成する各吐出液（分散液）は、量子ドットの含有率や、分散媒の含有率、組成等が同一であってもよいし、異なるものであってもよい。 By using such a discharge liquid set, the present invention can be suitably applied to an image display device that can display a high-luminance image with a particularly wide color reproduction range.
In addition, each discharge liquid (dispersion liquid) which comprises a discharge liquid set may mutually be the same as conditions other than the particle size of a quantum dot, and may differ. More specifically, each discharge liquid (dispersion liquid) constituting the discharge liquid set may have the same or different quantum dot content, dispersion medium content, composition, and the like. Also good.

《薄膜パターン形成方法》
次に、上述したような吐出液（吐出液セット）を用いた薄膜パターン形成方法について説明する。
本発明の薄膜パターン形成方法は、ノズル孔から間欠的に液滴を吐出する液滴吐出法により、上記のような吐出液（分散液）を吐出し、受け面に所定パターンで付着させる工程（吐出工程）と、受け面に付着した吐出液（分散液）から分散媒の少なくとも一部を除去する工程（分散媒除去工程）とを有する。 << Thin film pattern forming method >>
Next, a thin film pattern forming method using the above-described discharge liquid (discharge liquid set) will be described.
The thin film pattern forming method of the present invention is a step of discharging a discharge liquid (dispersion liquid) as described above by a droplet discharge method in which droplets are intermittently discharged from a nozzle hole, and depositing it on a receiving surface in a predetermined pattern ( And a step of removing at least a part of the dispersion medium from the discharge liquid (dispersion) adhering to the receiving surface (dispersion medium removal step).

＜吐出工程＞
液滴吐出法としては、ノズル孔から吐出液（分散液）の液滴を間欠的に吐出することができる方法であれば、特に限定されないが、例えば、「圧電パルスによりヘッド部のノズル孔から分散液を間欠的に吐出する方法（いわゆる「インクジェット法」）」や、「気体の体積変化によりヘッド部のノズル孔から分散液を間欠的に吐出する方法（いわゆる「バブルジェット法（「バブルジェット」は登録商標）」）」等が挙げられる。中でも、液滴吐出法としては、インクジェット法が好ましい。液滴吐出法としてインクジェット法を用いることにより、液滴吐出時におけるノズル孔からの吐出液（分散液）の液切れを特に優れたものとすることができるとともに、飛行曲がりの発生をより確実に防止することができる。その結果、受け面への分散液の付着量、付着位置の制御をより精確に行うことができる。 <Discharge process>
The droplet discharge method is not particularly limited as long as it is a method capable of intermittently discharging droplets of the discharge liquid (dispersion liquid) from the nozzle holes. A method of intermittently discharging the dispersion (so-called “inkjet method”) or a method of intermittently discharging the dispersion from the nozzle hole of the head portion due to a change in gas volume (so-called “bubble jet method (“ bubble jet method ” "Is a registered trademark)") "and the like. Among these, the inkjet method is preferable as the droplet discharge method. By using the ink jet method as a droplet discharge method, it is possible to make the discharge liquid (dispersion) from the nozzle hole particularly excellent when the droplet is discharged, and to ensure the occurrence of flight bending more reliably. Can be prevented. As a result, it is possible to more accurately control the amount and position of the dispersion attached to the receiving surface.

吐出液（分散液）の液滴吐出は、シリコン材料で構成された液滴吐出ヘッドを用いて行うのが好ましい。これにより、量子ドットのヘッド内部への付着を低く抑えることが可能である。
本工程においては、吐出液（分散液）を、形成すべき薄膜に対応するパターンで吐出するが、複数個の微小単位が行列状に配置するように吐出するのが好ましい。 The droplet discharge of the discharge liquid (dispersion) is preferably performed using a droplet discharge head made of a silicon material. Thereby, it is possible to suppress adhesion of the quantum dots to the inside of the head.
In this step, the discharge liquid (dispersion liquid) is discharged in a pattern corresponding to the thin film to be formed, but it is preferable to discharge the liquid so that a plurality of minute units are arranged in a matrix.

このように、液滴吐出法により、液体を、複数個の微小単位が行列状に配置するように吐出する場合、一般には、複数個の微小単位が結合し、比較的大きな液溜りを形成してしまったり、吐出した液滴が、目的とする微小単位を形成すべき部位ではなく、隣接する微小単位を形成すべき部位に付着してしまう等の問題を生じやすく、目的のパターンを形成するのが困難であるが、量子ドットを含む分散液では、このような問題を生じにくい。すなわち、分散液を複数個の微小単位が行列状に配置するように吐出する方法に、本発明を適用した場合、本発明による効果がより顕著に発揮される。   As described above, when a liquid is discharged by a droplet discharge method so that a plurality of minute units are arranged in a matrix, generally, a plurality of minute units are combined to form a relatively large liquid reservoir. Or the discharged droplets are likely to adhere not to the portion where the target minute unit is to be formed, but to the portion where the adjacent minute unit is to be formed, thereby forming the desired pattern. However, such a problem is hardly caused in a dispersion liquid containing quantum dots. That is, when the present invention is applied to a method of discharging a dispersion liquid so that a plurality of minute units are arranged in a matrix, the effect of the present invention is more remarkably exhibited.

＜分散媒除去工程＞
受け面に付着した吐出液（分散媒）から、分散媒の少なくとも一部を除去する方法は、特に限定されないが、例えば、吐出液（分散液）が付着したワークを加熱する方法、吐出液（分散液）が付着したワークを減圧雰囲気下に置く方法、これらを組み合わせた方法（例えば、第１の温度で、減圧雰囲気下に吐出液（分散液）が付着したワークを減圧雰囲気下に置いた後、雰囲気を大気圧に戻し、大気圧下で加熱する方法等）等が挙げられる。 <Dispersion medium removal process>
A method for removing at least a part of the dispersion medium from the discharge liquid (dispersion medium) attached to the receiving surface is not particularly limited. For example, a method of heating a work to which the discharge liquid (dispersion liquid) is attached, a discharge liquid ( A method in which the work with the dispersion liquid attached is placed in a reduced-pressure atmosphere, or a combination of these methods (for example, at a first temperature, the work with the discharge liquid (dispersion) attached in a reduced-pressure atmosphere is placed in a reduced-pressure atmosphere. Thereafter, the atmosphere is returned to atmospheric pressure and heated under atmospheric pressure, etc.).

本工程での処理温度（加熱温度）は、分散媒の組成等にもよるが、５０〜３００℃であるのが好ましく、１００〜２００℃であるのがより好ましい。
分散媒除去工程を行うことにより、目的とする薄膜パターンが得られる。すなわち、本発明では、上記のように液滴吐出を行うため、分散媒除去工程後に、形成された薄膜に対するパターニング等の後処理を行う必要がない。 The treatment temperature (heating temperature) in this step depends on the composition of the dispersion medium and the like, but is preferably 50 to 300 ° C, and more preferably 100 to 200 ° C.
By carrying out the dispersion medium removing step, a target thin film pattern can be obtained. That is, in the present invention, since the droplets are discharged as described above, it is not necessary to perform post-processing such as patterning on the formed thin film after the dispersion medium removing step.

《薄膜》
このような工程を経て、本発明の薄膜が得られる。このようにして得られる薄膜は、液滴の吐出パターンに対応する形状を有するものである。
本発明の薄膜は、その用途により異なるが、一般に、その厚さが、１０〜７００ｎｍであるのが好ましく、２０〜５００ｎｍであるのがより好ましい。
本発明の薄膜は、いかなる用途のものであってもよく、例えば、発光素子、画像表示装置を構成する発光層や、太陽電池、照明装置等に好適に適用することができる。
以下、本発明の薄膜、薄膜パターン形成方法を、発光素子、画像表示装置を構成する発光層に適用した場合の一例について、より詳細に説明する。 <Thin film>
Through such a process, the thin film of the present invention is obtained. The thin film thus obtained has a shape corresponding to the droplet discharge pattern.
The thickness of the thin film of the present invention varies depending on the application, but generally the thickness is preferably 10 to 700 nm, more preferably 20 to 500 nm.
The thin film of the present invention may be used for any purpose, and can be suitably applied to, for example, a light emitting element, a light emitting layer constituting an image display device, a solar cell, a lighting device, and the like.
Hereinafter, an example in which the thin film and thin film pattern forming method of the present invention is applied to a light emitting element and a light emitting layer constituting an image display device will be described in more detail.

《画像表示装置》
以下では、本発明の画像表示装置の一例として、アクティブマトリックス型表示装置について説明する。
図１は、本発明の画像表示装置としてのアクティブマトリックス型表示装置の一例を示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図１、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。 <Image display device>
Hereinafter, an active matrix display device will be described as an example of the image display device of the present invention.
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an example of an active matrix display device as an image display device of the present invention. In the following description, the upper side in FIGS. 1 and 2 is referred to as “upper” and the lower side is referred to as “lower”.

図１に示すアクティブマトリックス型表示装置（以下、単に「表示装置」と言う。）１０は、ＴＦＴ回路基板（対向基板）２０と、この基体２０上に設けられた発光素子１と、ＴＦＴ回路基板２０に対向する上基板９とを有している。
ＴＦＴ回路基板２０は、基板２１と、この基板２１上に形成された回路部２２とを有している。 An active matrix display device (hereinafter simply referred to as “display device”) 10 shown in FIG. 1 includes a TFT circuit substrate (counter substrate) 20, a light emitting element 1 provided on the base 20, and a TFT circuit substrate. 20 and an upper substrate 9 facing to each other.
The TFT circuit substrate 20 includes a substrate 21 and a circuit unit 22 formed on the substrate 21.

基板２１は、表示装置１０を構成する各部の支持体となるものであり、上基板９は、例えば、発光素子１を保護する保護膜等として機能するものである。
また、本実施形態の表示装置１０は、上基板９（後述する陽極８）側から光を取り出す構成（トップエミッション型）であるため、上基板９は、実質的に透明（無色透明、着色透明、半透明）とされ、一方、基板２１は、特に、透明性は要求されない。
このような基板２１には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち比較的硬度の高いものが好適に用いられる。 The substrate 21 serves as a support for each part constituting the display device 10, and the upper substrate 9 functions as, for example, a protective film for protecting the light emitting element 1.
In addition, since the display device 10 of the present embodiment is configured to extract light from the upper substrate 9 (anode 8 described later) side (top emission type), the upper substrate 9 is substantially transparent (colorless and transparent, colored and transparent). On the other hand, the substrate 21 is not particularly required to be transparent.
As such a substrate 21, a substrate having a relatively high hardness among various glass material substrates and various resin substrates is suitably used.

一方、上基板９には、各種ガラス材料基板および各種樹脂基板のうち透明なものが選択され、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリエーテルサルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリアリレートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板を用いることができる。   On the other hand, as the upper substrate 9, a transparent one of various glass material substrates and various resin substrates is selected. For example, glass materials such as quartz glass and soda glass, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, cycloolefin A substrate composed mainly of a resin material such as polymer, polyamide, polyethersulfone, polymethyl methacrylate, polycarbonate, or polyarylate can be used.

基板２１の平均厚さは、特に限定されないが、１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、５〜２０ｍｍ程度であるのがより好ましい。一方、上基板９の平均厚さも、特に限定されないが、０．１〜３０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜１０ｍｍ程度であるのがより好ましい。
回路部２２は、基板２１上に形成された下地保護層２３と、下地保護層２３上に形成された駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）２４と、第１層間絶縁層２５と、第２層間絶縁層２６とを有している。 Although the average thickness of the board | substrate 21 is not specifically limited, It is preferable that it is about 1-30 mm, and it is more preferable that it is about 5-20 mm. On the other hand, the average thickness of the upper substrate 9 is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 30 mm, and more preferably about 0.1 to 10 mm.
The circuit unit 22 includes a base protective layer 23 formed on the substrate 21, a driving TFT (switching element) 24 formed on the base protective layer 23, a first interlayer insulating layer 25, and a second interlayer insulating layer. 26.

駆動用ＴＦＴ２４は、半導体層２４１と、半導体層２４１上に形成されたゲート絶縁層２４２と、ゲート絶縁層２４２上に形成されたゲート電極２４３と、ソース電極２４４と、ドレイン電極２４５とを有している。
このような回路部２２上に、各駆動用ＴＦＴ２４に対応して、それぞれ、発光素子１が設けられている。また、隣接する発光素子１同士は、第１隔壁部３１および第２隔壁部３２により構成される隔壁部（バンク）３５により区画されている。 The driving TFT 24 includes a semiconductor layer 241, a gate insulating layer 242 formed on the semiconductor layer 241, a gate electrode 243 formed on the gate insulating layer 242, a source electrode 244, and a drain electrode 245. ing.
On such a circuit portion 22, the light emitting element 1 is provided corresponding to each driving TFT 24. Adjacent light emitting elements 1 are partitioned by a partition wall (bank) 35 including a first partition wall portion 31 and a second partition wall portion 32.

本実施形態では、各発光素子１の陰極３は、画素電極を構成し、各駆動用ＴＦＴ２４のドレイン電極２４５に配線２７により電気的に接続されている。また、電子輸送層５と、発光層６と、正孔輸送層７とは、各発光素子１に対して個別に形成されており、陽極８は、共通電極とされている。
表示装置１０は、単色表示でも、カラー表示でもよい。表示装置１０が、互いに異なる粒子径の量子ドットを含む複数種の発光素子１を有するものとすることにより、カラー表示を実現することができる。特に、粒径が制御された量子ドットを用いることにより、各発光素子１を、確実に所望の色調を呈するものとすることができるため、所望の画質の画像を表示することができ、また、色再現域を広いものとすることができる。 In the present embodiment, the cathode 3 of each light emitting element 1 constitutes a pixel electrode and is electrically connected to the drain electrode 245 of each driving TFT 24 by the wiring 27. Further, the electron transport layer 5, the light emitting layer 6, and the hole transport layer 7 are individually formed for each light emitting element 1, and the anode 8 is a common electrode.
The display device 10 may be a single color display or a color display. When the display device 10 includes a plurality of types of light-emitting elements 1 including quantum dots having different particle sizes, color display can be realized. In particular, by using quantum dots having a controlled particle size, each light emitting element 1 can surely exhibit a desired color tone, so that an image with a desired image quality can be displayed. The color gamut can be widened.

以下、この発光素子１について詳述する。
図１に示すように、発光素子１は、陰極３と、陽極８とを有し、さらに、陰極３と陽極８との間に、陰極３側から順に、電子輸送層５と、発光層６と、正孔輸送層７とを有している。
陰極３は、電子輸送層５に電子を注入する電極である。
陰極３の構成材料としては、例えば、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｓ、Ｒｂまたはこれらを含む合金等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて（例えば、複数層の積層体等）用いることができる。
特に、陰極３の構成材料として合金を用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｕ等の安定な金属元素を含む合金、具体的には、ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ、ＣｕＬｉ等の合金を用いるのが好ましい。かかる合金を陰極３の構成材料として用いることにより、陰極３の電子注入効率および安定性の向上を図ることができる。 Hereinafter, the light emitting element 1 will be described in detail.
As shown in FIG. 1, the light-emitting element 1 includes a cathode 3 and an anode 8, and further, between the cathode 3 and the anode 8, an electron transport layer 5 and a light-emitting layer 6 in order from the cathode 3 side. And a hole transport layer 7.
The cathode 3 is an electrode that injects electrons into the electron transport layer 5.
Examples of the constituent material of the cathode 3 include Li, Mg, Ca, Sr, La, Ce, Er, Eu, Sc, Y, Yb, Ag, Cu, Al, Cs, Rb, and alloys containing these. These can be used alone or in combination of two or more thereof (for example, a multi-layer laminate).
In particular, when an alloy is used as the constituent material of the cathode 3, it is preferable to use an alloy containing a stable metal element such as Ag, Al, or Cu, specifically an alloy such as MgAg, AlLi, or CuLi. By using such an alloy as the constituent material of the cathode 3, the electron injection efficiency and stability of the cathode 3 can be improved.

このような陰極３の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１００００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陰極３の厚さが前記下限値未満であると、陰極３の機能が十分に発揮されなくなる可能性があり、一方、陰極３の厚さが前記上限値を超えると、発光素子１の発光効率等の特性が低下するおそれがある。
また、陰極３の表面抵抗は低い程好ましく、具体的には、５０Ω／□以下であるのが好ましく、２０Ω／□以下であるのがより好ましい。表面抵抗の下限値は、特に限定されないが、通常０．１Ω／□程度であるのが好ましい。 Although the average thickness of such a cathode 3 is not specifically limited, It is preferable that it is about 10-10000 nm, and it is more preferable that it is about 50-500 nm. If the thickness of the cathode 3 is less than the lower limit value, the function of the cathode 3 may not be sufficiently exhibited. On the other hand, if the thickness of the cathode 3 exceeds the upper limit value, the light emission efficiency of the light-emitting element 1 is achieved. There is a risk that the characteristics such as
The surface resistance of the cathode 3 is preferably as low as possible. Specifically, it is preferably 50Ω / □ or less, and more preferably 20Ω / □ or less. The lower limit value of the surface resistance is not particularly limited, but is usually preferably about 0.1Ω / □.

一方、陽極８は、正孔輸送層７に正孔を注入する電極である。
この陽極８の構成材料（陽極材料）としては、表示装置１０が陽極８側から光を取り出すトップエミッション構造であるため透光性を有する導電性材料が選択され、特に、仕事関数が大きく（陰極３の構成材料よりも仕事関数が大きく）、優れた導電性を有するものが好適に用いられる。 On the other hand, the anode 8 is an electrode for injecting holes into the hole transport layer 7.
As the constituent material of the anode 8 (anode material), a conductive material having translucency is selected because the display device 10 has a top emission structure in which light is extracted from the anode 8 side. A material having a larger work function than the constituent material 3) and having excellent conductivity is preferably used.

このような陽極８の構成材料としては、インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）、フッ素含有インジウムティンオキサイド（ＦＩＴＯ）、アンチモンティンオキサイド（ＡＴＯ）、インジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）、アルミニウムジンクオキサイド（ＡＺＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、フッ素含有酸化スズ（ＦＴＯ）、フッ素含有インジウムオキサイド（ＦＩＯ）、インジウムオキサイド（ＩＯ）、等の透明導電性材料が挙げられ、これらのうちの少なくとも１種を用いることができる。 Examples of the constituent material of the anode 8 include indium tin oxide (ITO), fluorine-containing indium tin oxide (FITO), antimony tin oxide (ATO), indium zinc oxide (IZO), aluminum zinc oxide (AZO), and tin oxide. Examples include transparent conductive materials such as (SnO 2 ), zinc oxide (ZnO), fluorine-containing tin oxide (FTO), fluorine-containing indium oxide (FIO), and indium oxide (IO), and at least one of these materials Can be used.

陽極８の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜２０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。陽極８の厚さが前記下限値未満であると、陽極８としての機能が十分に発揮されなくなる可能性があり、一方、陽極８の厚さが前記上限値を超えると、陽極８の構成材料等によっては、光の透過率が低下して、トップエミッション型の構造を有する発光素子１として、実用に適さなくなるおそれがある。   The average thickness of the anode 8 is not particularly limited, but is preferably about 10 to 2000 nm, and more preferably about 50 to 1000 nm. When the thickness of the anode 8 is less than the lower limit value, the function as the anode 8 may not be sufficiently exhibited. On the other hand, when the thickness of the anode 8 exceeds the upper limit value, the constituent material of the anode 8 Depending on the above, the light transmittance may decrease, and the light emitting element 1 having a top emission type structure may not be suitable for practical use.

また、陽極８の表面抵抗も低い程好ましく、具体的には、１００Ω／□以下であるのが好ましく、５０Ω／□以下であるのがより好ましい。表面抵抗の下限値は、特に限定されないが、通常０．１Ω／□程度であるのが好ましい。
このような陽極８は、その光（可視光領域）の透過率が好ましくは６０％以上、より好ましくは８０％以上となっている。これにより、光を効率よく陽極８側から取り出すことができる。 Further, the surface resistance of the anode 8 is preferably as low as possible. Specifically, it is preferably 100Ω / □ or less, and more preferably 50Ω / □ or less. The lower limit value of the surface resistance is not particularly limited, but is usually preferably about 0.1Ω / □.
Such an anode 8 has a light transmittance (visible light region) of preferably 60% or more, more preferably 80% or more. Thereby, light can be efficiently extracted from the anode 8 side.

電子輸送層５は、陰極３から注入された電子を、発光層６まで輸送する機能を有するものである。
電子輸送層５は、各種ｎ型の無機半導体材料、各種ｎ型の有機半導体材料で構成されたものとすることができるが、無機半導体材料を主材料として構成するのが好ましい。無機半導体材料は、化学的に安定であることから、電子輸送層５が無機半導体材料を主材料として構成されたものであることにより、発光素子１の耐久性をより向上させることができる。 The electron transport layer 5 has a function of transporting electrons injected from the cathode 3 to the light emitting layer 6.
The electron transport layer 5 may be composed of various n-type inorganic semiconductor materials and various n-type organic semiconductor materials, but is preferably composed of an inorganic semiconductor material as a main material. Since the inorganic semiconductor material is chemically stable, the durability of the light-emitting element 1 can be further improved by forming the electron transport layer 5 using the inorganic semiconductor material as a main material.

無機半導体材料としては、例えば、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ２）、ＳｃＶＯ４、ＹＶＯ４、ＬａＶＯ４、ＮｄＶＯ４、ＥｕＶＯ４、ＧｄＶＯ４、ＳｃＮｂＯ４、ＳｃＴａＯ４、ＹＮｂＯ４、ＹＴａＯ４、ＳｃＰＯ４、ＳｃＡｓＯ４、ＳｃＳｂＯ４、ＳｃＢｉＯ４、ＹＰＯ４、ＹＳｂＯ４、ＢＶＯ４、ＡｌＶＯ４、ＧａＶＯ４、ＩｎＶＯ４、ＴｌＶＯ４、ＩｎＮｂＯ４、ＩｎＴａＯ４のような金属酸化物、ＺｎＳ、ＣｄＳのような金属硫化物、ＣｄＳｅのような金属セレン化物、ＴｉＣ、ＳｉＣのような金属または半導体炭化物、ＢＮ、Ｂ４Ｎのような半導体窒化物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 Examples of the inorganic semiconductor material include titanium oxide (TiO 2 ), zirconium oxide (ZrO 2 ), zinc oxide (ZnO), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), tin oxide (SnO 2 ), ScVO 4 , YVO 4 , LaVO 4, NdVO 4, EuVO 4 , GdVO 4, ScNbO 4, ScTaO 4, YNbO 4, YTaO 4, ScPO 4, ScAsO 4, ScSbO 4, ScBiO 4, YPO 4, YSbO 4, BVO 4, AlVO 4, GaVO 4 , InVO 4 , TlVO 4 , InNbO 4 , InTaO 4 , metal oxides such as ZnS and CdS, metal selenides such as CdSe, metals or semiconductor carbides such as TiC and SiC, BN, semiconductor nitrides and the like, such as B 4 N, these It can be used in combination of at least Chino one or.

これらの中でも、無機半導体材料としては、金属酸化物、特に、酸化チタンおよび酸化ジルコニウムのうちの少なくとも一方を主成分とするものが好ましい。金属酸化物（特に、酸化チタンや酸化ジルコニウム）は、電子輸送能に特に優れることから好ましい。
なお、有機半導体材料としては、例えば、１，３，５−トリス［（３−フェニル−６−トリ−フルオロメチル）キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ１）、１，３，５−トリス［｛３−（４−ｔ−ブチルフェニル）−６−トリスフルオロメチル｝キノキサリン−２−イル］ベンゼン（ＴＰＱ２）のようなベンゼン系化合物、ナフタレン系化合物、フェナントレン系化合物、クリセン系化合物、ペリレン系化合物、アントラセン系化合物、ピレン系化合物、アクリジン系化合物、スチルベン系化合物、ＢＢＯＴのようなチオフェン系化合物、ブタジエン系化合物、クマリン系化合物、キノリン系化合物、ビスチリル系化合物、ジスチリルピラジンのようなピラジン系化合物、キノキサリン系化合物、２，５−ジフェニル−パラ−ベンゾキノンのようなベンゾキノン系化合物、ナフトキノン系化合物、アントラキノン系化合物、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＰＢＤ）のようなオキサジアゾール系化合物、３，４，５−トリフェニル−１，２，４−トリアゾールのようなトリアゾール系化合物、オキサゾール系化合物、アントロン系化合物、１，３，８−トリニトロ−フルオレノン（ＴＮＦ）のようなフルオレノン系化合物、ＭＢＤＱのようなジフェノキノン系化合物、ＭＢＳＱのようなスチルベンキノン系化合物、アントラキノジメタン系化合物、チオピランジオキシド系化合物、フルオレニリデンメタン系化合物、ジフェニルジシアノエチレン系化合物、フローレン系化合物、８−ヒドロキシキノリン アルミニウム（Ａｌｑ３）、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする錯体のような各種金属錯体、フタロシアニン、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、鉄フタロシアニンのような金属または無金属のフタロシアニン系化合物、トリス（８−ヒドロキシキノリノレート）アルミニウム（Ａｌｑ３）のような低分子系のものや、オキサジアゾール系高分子、トリアゾール系高分子のような高分子系のものが挙げられる。 Among these, as the inorganic semiconductor material, a metal oxide, particularly, a material mainly containing at least one of titanium oxide and zirconium oxide is preferable. Metal oxides (especially titanium oxide and zirconium oxide) are preferred because they are particularly excellent in electron transport ability.
Examples of organic semiconductor materials include 1,3,5-tris [(3-phenyl-6-tri-fluoromethyl) quinoxalin-2-yl] benzene (TPQ1), 1,3,5-tris [{ Benzene compounds such as 3- (4-t-butylphenyl) -6-trisfluoromethyl} quinoxalin-2-yl] benzene (TPQ2), naphthalene compounds, phenanthrene compounds, chrysene compounds, perylene compounds, Anthracene compounds, pyrene compounds, acridine compounds, stilbene compounds, thiophene compounds such as BBOT, butadiene compounds, coumarin compounds, quinoline compounds, bistyryl compounds, pyrazine compounds such as distyrylpyrazine, Quinoxaline compounds, 2,5-diphenyl-para-benzoyl Such as benzoquinone compounds, naphthoquinone compounds, anthraquinone compounds, 2- (4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (PBD) Oxadiazole compounds, triazole compounds such as 3,4,5-triphenyl-1,2,4-triazole, oxazole compounds, anthrone compounds, 1,3,8-trinitro-fluorenone (TNF) Such as fluorenone compound, diphenoquinone compound such as MBDQ, stilbenequinone compound such as MBSQ, anthraquinodimethane compound, thiopyran dioxide compound, fluorenylidenemethane compound, diphenyldicyanoethylene compound, Florene compounds, 8-hydroxyquinoline aluminum Um (Alq 3), various metal complexes such as complexes that benzoxazole or benzothiazole as a ligand, phthalocyanine, copper phthalocyanine (CuPc), metal or phthalocyanine compound free metals such as iron phthalocyanine, tris (8 -Hydroxyquinolinolate) Low molecular weight materials such as aluminum (Alq 3 ), and high molecular weight materials such as oxadiazole polymers and triazole polymers.

このような電子輸送層５の平均厚さは、特に限定されないが、１〜５０μｍであるのが好ましく、５〜３０μｍであるのがより好ましい。これにより、電子輸送層５の機械的強度（膜強度）が低下するのを防止しつつ、発光素子１の薄型化を図ることができる。
なお、陰極３と電子輸送層５との間には、例えば、陰極３からの電子注入効率を向上させる電子注入層を設けるようにしてもよい。
また、電子注入層の構成材料（電子注入材料）としては、例えば、８−ヒドロキシキノリン、オキサジアゾール、または、これらの誘導体（例えば、８−ヒドロキシキノリンを含む金属キレートオキシノイド化合物）等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上組み合わせて用いることができる。 Although the average thickness of such an electron carrying layer 5 is not specifically limited, It is preferable that it is 1-50 micrometers, and it is more preferable that it is 5-30 micrometers. Thereby, it is possible to reduce the thickness of the light emitting element 1 while preventing the mechanical strength (film strength) of the electron transport layer 5 from being lowered.
In addition, you may make it provide the electron injection layer which improves the electron injection efficiency from the cathode 3, for example between the cathode 3 and the electron carrying layer 5. FIG.
Examples of the constituent material (electron injection material) of the electron injection layer include 8-hydroxyquinoline, oxadiazole, or derivatives thereof (for example, metal chelate oxinoid compounds containing 8-hydroxyquinoline). These can be used alone or in combination of two or more.

正孔輸送層７は、陽極８から注入された正孔を発光層６まで輸送する機能を有するものである。
この正孔輸送層７の構成材料（正孔輸送材料）としては、例えば、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリアルキルチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂またはその誘導体等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。 The hole transport layer 7 has a function of transporting holes injected from the anode 8 to the light emitting layer 6.
Examples of the constituent material (hole transport material) of the hole transport layer 7 include polyarylamine, fluorene-arylamine copolymer, fluorene-bithiophene copolymer, poly (N-vinylcarbazole), polyvinylpyrene, Polyvinylanthracene, polythiophene, polyalkylthiophene, polyhexylthiophene, poly (p-phenylene vinylene), polytinylene vinylene, pyrene formaldehyde resin, ethyl carbazole formaldehyde resin or derivatives thereof, and the like, one or two of these A combination of more than one species can be used.

また、前記化合物は、他の化合物との混合物として用いることもできる。一例として、ポリチオフェンを含有する混合物としては、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン／スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
なお、正孔輸送材料としては、上述したような高分子材料や低分子材料のような有機系材料の他、例えば、ＭｏＯ３、Ｖ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｃｕ（II）Ｏ、Ｃｕ（Ｉ）２Ｏ、ＮｉＯ、ＣｏＯのような金属酸化物を用いることもできる。 Moreover, the said compound can also be used as a mixture with another compound. As an example, the polythiophene-containing mixture includes poly (3,4-ethylenedioxythiophene / styrene sulfonic acid) (PEDOT / PSS).
As the hole transport material, in addition to organic materials such as the above-described polymer materials and low molecular materials, for example, MoO 3 , V 2 O 5 , TiO 2 , Cu (II) O, Cu ( I) Metal oxides such as 2 O, NiO and CoO can also be used.

このような正孔輸送層７の平均厚さは、特に限定されないが、０．１〜１００μｍであるのが好ましく、１〜３０μｍであるのがより好ましい。これにより、発光素子１が大型化（特に、厚膜化）するのを防止しつつ、十分な発光効率が得られる。
なお、陽極８と正孔輸送層７との間には、例えば、陽極８からの正孔注入効率を向上させる正孔注入層を設けるようにしてもよい。 Although the average thickness of such a hole transport layer 7 is not specifically limited, It is preferable that it is 0.1-100 micrometers, and it is more preferable that it is 1-30 micrometers. Thereby, sufficient light emission efficiency can be obtained while preventing the light-emitting element 1 from becoming large (in particular, thick).
A hole injection layer that improves the efficiency of hole injection from the anode 8 may be provided between the anode 8 and the hole transport layer 7, for example.

この正孔注入層の構成材料（正孔注入材料）としては、例えば、銅フタロシアニンや、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−フェニル−３−メチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
発光層６は、前述したような吐出液（分散液）を用いて形成されたものであり、主として量子ドットで構成されたものである。 As a constituent material (hole injection material) of this hole injection layer, for example, copper phthalocyanine, 4,4 ′, 4 ″ -tris (N, N-phenyl-3-methylphenylamino) triphenylamine ( m-MTDATA) and the like.
The light emitting layer 6 is formed using the discharge liquid (dispersion liquid) as described above, and is mainly composed of quantum dots.

陰極３と陽極８との間に通電（電圧を印加）すると、陽極８から正孔輸送層７を介して正孔が発光層６に注入され、また、陰極３から電子輸送層５を介して電子が発光層６に注入され、この発光層６において正孔と電子とが再結合する。そして、発光層６ではエキシトン（励起子）が生成し、このエキシトンが基底状態に戻る際にエネルギーを放出（発光）する。このようにして放出されるエネルギーは、発光層６を構成する量子ドットの種類に依存する、特定の波長を有する光である。   When energization (voltage is applied) between the cathode 3 and the anode 8, holes are injected from the anode 8 into the light emitting layer 6 through the hole transport layer 7, and from the cathode 3 through the electron transport layer 5. Electrons are injected into the light emitting layer 6, and holes and electrons are recombined in the light emitting layer 6. And in the light emitting layer 6, an exciton (exciton) produces | generates, and when this exciton returns to a ground state, energy is discharge | released (light emission). The energy released in this way is light having a specific wavelength that depends on the type of quantum dots constituting the light emitting layer 6.

発光層６の平均厚さは、特に限定されないが、１０〜１５０ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
表示装置１０を平面視した際の各発光層６の面積は、１０００〜２０００００μｍ２であるのが好ましく、１００００〜１０００００μｍ２であるのがより好ましい。
なお、上述したような表示装置１０においては、電子輸送層５、正孔輸送層７のうち、一方または両方を省略してもよい。言い換えると、発光素子１は、電子輸送層５および／または正孔輸送層７を有していないものであってもよい。
上述したような表示装置１０は、例えば、以下に述べるような製造方法（本発明の薄膜パターン形成方法を適用した方法）により製造することができる。 Although the average thickness of the light emitting layer 6 is not specifically limited, It is preferable that it is about 10-150 nm, and it is more preferable that it is about 50-100 nm.
The area of each light-emitting layer 6 when viewed in plan display device 10 is preferably a 1000～200000Myuemu 2, and more preferably 10000~100000μm 2.
In the display device 10 as described above, one or both of the electron transport layer 5 and the hole transport layer 7 may be omitted. In other words, the light emitting element 1 may not have the electron transport layer 5 and / or the hole transport layer 7.
The display device 10 as described above can be manufactured by, for example, a manufacturing method as described below (a method to which the thin film pattern forming method of the present invention is applied).

《画像表示装置の製造方法（発光層の形成方法）》
図２は、図１に示すアクティブマトリックス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）、図３は、発光層（薄膜）の形成に用いる液滴吐出装置を示す斜視図、図４は、図３に示す液滴吐出装置における液滴吐出手段をステージ側から観察した図、図５は、図３に示す液滴吐出装置における液滴吐出ヘッドの底面を示す図、図６は、図３に示す液滴吐出装置における液滴吐出ヘッドを示す図であり、（ａ）は断面斜視図、（ｂ）は断面図である。 << Method for Manufacturing Image Display Device (Method for Forming Light-Emitting Layer) >>
FIG. 2 is a view (longitudinal sectional view) for explaining a manufacturing method of the active matrix display device shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a perspective view showing a droplet discharge device used for forming a light emitting layer (thin film). 4 is a view of the droplet discharge means in the droplet discharge apparatus shown in FIG. 3 observed from the stage side, FIG. 5 is a view showing the bottom surface of the droplet discharge head in the droplet discharge apparatus shown in FIG. FIG. 4 is a view showing a droplet discharge head in the droplet discharge apparatus shown in FIG. 3, wherein (a) is a sectional perspective view and (b) is a sectional view.

［１］まず、ＴＦＴ回路基板２０を用意する。
［１−Ａ］まず、基板２１を用意し、基板２１上に、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約２００〜５００ｎｍの酸化シリコンを主材料として構成される下地保護層２３を形成する。 [1] First, the TFT circuit substrate 20 is prepared.
[1-A] First, a substrate 21 is prepared, and an average thickness of about 200 to 500 nm is formed on the substrate 21 by, for example, plasma CVD using TEOS (tetraethoxysilane) or oxygen gas as a source gas. A base protective layer 23 composed of silicon oxide as a main material is formed.

［１−Ｂ］次に、下地保護層２３上に、駆動用ＴＦＴ２４を形成する。
［１−Ｂａ］まず、基板２１を約３５０℃に加熱した状態で、下地保護層２３上に、例えばプラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約３０〜７０ｎｍのアモルファスシリコンを主材料として構成される半導体膜を形成する。
［１−Ｂｂ］次いで、半導体膜に対して、レーザアニールまたは固相成長法等により結晶化処理を行い、アモルファスシリコンをポリシリコンに変化させる。
ここで、レーザアニール法では、例えば、エキシマレーザでビームの長寸が４００ｍｍのラインビームを用い、その出力強度は、例えば２００ｍＪ／ｃｍ２程度に設定される。また、ラインビームについては、その短寸方向におけるレーザー強度のピーク値の９０％に相当する部分が各領域毎に重なるようにラインビームを走査する。 [1-B] Next, the driving TFT 24 is formed on the base protective layer 23.
[1-Ba] First, amorphous silicon having an average thickness of about 30 to 70 nm is mainly formed on the base protective layer 23 by the plasma CVD method or the like with the substrate 21 heated to about 350 ° C. A semiconductor film is formed.
[1-Bb] Next, the semiconductor film is crystallized by laser annealing, solid phase growth, or the like to change the amorphous silicon into polysilicon.
Here, in the laser annealing method, for example, a line beam with a beam length of 400 mm is used with an excimer laser, and the output intensity is set to about 200 mJ / cm 2 , for example. As for the line beam, the line beam is scanned such that a portion corresponding to 90% of the peak value of the laser intensity in the short dimension direction overlaps each region.

［１−Ｂｃ］次いで、半導体膜をパターニングして島状とし、各島状の半導体膜２４１を覆うように、例えば、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）や酸素ガスなどを原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法等により、平均厚さが約６０〜１５０ｎｍの酸化シリコンまたは窒化シリコン等を主材料として構成されるゲート絶縁層２４２を形成する。
［１−Ｂｄ］次いで、ゲート絶縁層２４２上に、例えば、スパッタ法等により、アルミニウム、タンタル、モリブデン、チタン、タングステンなどの金属を主材料として構成される導電膜を形成した後、パターニングし、ゲート電極２４３を形成する。
［１−Ｂｅ］次いで、この状態で、高濃度のリンイオンを打ち込んで、ゲート電極２４３に対して自己整合的にソース・ドレイン領域を形成する。なお、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域となる。 [1-Bc] Next, the semiconductor film is patterned to form islands, and for example, a plasma CVD method using TEOS (tetraethoxysilane) or oxygen gas as a source gas so as to cover each island-shaped semiconductor film 241. Thus, a gate insulating layer 242 composed mainly of silicon oxide or silicon nitride having an average thickness of about 60 to 150 nm is formed.
[1-Bd] Next, a conductive film composed mainly of a metal such as aluminum, tantalum, molybdenum, titanium, or tungsten is formed on the gate insulating layer 242 by, for example, sputtering, and then patterned. A gate electrode 243 is formed.
[1-Be] Next, in this state, high concentration phosphorus ions are implanted to form source / drain regions in a self-aligned manner with respect to the gate electrode 243. Note that a portion where no impurity is introduced becomes a channel region.

［１−Ｃ］次に、駆動用ＴＦＴ２４に電気的に接続されるソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。
［１−Ｃａ］まず、ゲート電極２４３を覆うように、第１層間絶縁層２５を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｃｂ］次いで、コンタクトホール内にソース電極２４４およびドレイン電極２４５を形成する。 [1-C] Next, the source electrode 244 and the drain electrode 245 electrically connected to the driving TFT 24 are formed.
[1-Ca] First, the first interlayer insulating layer 25 is formed so as to cover the gate electrode 243, and then a contact hole is formed.
[1-Cb] Next, the source electrode 244 and the drain electrode 245 are formed in the contact hole.

［１−Ｄ］次に、ドレイン電極２４５と陽極８とを電気的に接続する配線（中継電極）２７を形成する。
［１−Ｄａ］まず、第１層間絶縁層２５上に、第２層間絶縁層２６を形成した後、コンタクトホールを形成する。
［１−Ｄｂ］次いで、コンタクトホール内に配線２７を形成する。
以上のようにして、ＴＦＴ回路基板２０が得られる。 [1-D] Next, a wiring (relay electrode) 27 that electrically connects the drain electrode 245 and the anode 8 is formed.
[1-Da] First, the second interlayer insulating layer 26 is formed on the first interlayer insulating layer 25, and then contact holes are formed.
[1-Db] Next, a wiring 27 is formed in the contact hole.
As described above, the TFT circuit substrate 20 is obtained.

［２］次に、ＴＦＴ回路基板２０上に発光素子１を形成する
［２−Ａ］まず、図２（ａ）に示すように、ＴＦＴ回路基板２０が備える第２層間絶縁層２６上に、配線２７に接触するように、陰極（画素電極）３を形成する。
この陰極３は、第２層間絶縁層２６上に、例えば、真空蒸着法やスパッタ法のような気相成膜法等により、目的とする陰極３の構成材料からなる導電膜を形成した後、パターニングすることにより得ることができる。 [2] Next, the light emitting element 1 is formed on the TFT circuit substrate 20. [2-A] First, as shown in FIG. 2A, on the second interlayer insulating layer 26 included in the TFT circuit substrate 20, A cathode (pixel electrode) 3 is formed so as to be in contact with the wiring 27.
The cathode 3 is formed on the second interlayer insulating layer 26 by, for example, forming a conductive film made of a constituent material of the target cathode 3 by a vapor deposition method such as a vacuum deposition method or a sputtering method. It can be obtained by patterning.

［２−Ｂ］次に、図２（ｂ）に示すように、第２層間絶縁層２６上に、各陰極３を区画するように、隔壁部（バンク）３５を形成する。
隔壁部３５は、第２層間絶縁膜２６上に第１隔壁部３１を形成した後、この第１隔壁部３１上に、第２隔壁部３２を形成することにより得ることができる。
なお、第１隔壁部３１は、陰極３および第２層間絶縁膜２６を覆うように絶縁膜を形成した後、フォトリソグラフィー法等を用いてパターニングすること等により形成することができる。
また、第２隔壁部３２は、陰極３および第１隔壁部３１を覆うように絶縁膜を形成した後、第１隔壁部３１を得たのと同様にして形成することができる。 [2-B] Next, as shown in FIG. 2B, partition walls (banks) 35 are formed on the second interlayer insulating layer 26 so as to partition the cathodes 3.
The partition wall portion 35 can be obtained by forming the first partition wall portion 31 on the second interlayer insulating film 26 and then forming the second partition wall portion 32 on the first partition wall portion 31.
The first partition wall 31 can be formed by forming an insulating film so as to cover the cathode 3 and the second interlayer insulating film 26 and then patterning using a photolithography method or the like.
Further, the second partition wall portion 32 can be formed in the same manner as the first partition wall portion 31 obtained after an insulating film is formed so as to cover the cathode 3 and the first partition wall portion 31.

ここで、第１隔壁部３１および第２隔壁部３２の構成材料は、耐熱性、撥液性、溶剤耐性、下地層との密着性等を考慮して選択される。
具体的には、第１隔壁部３１の構成材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂のような有機材料や、ＳｉＯ２のような無機材料が挙げられる。
また、第２隔壁部３２の構成材料としては、第１の隔壁部３１で挙げたものの他、例えば、フッ素系樹脂等を用いることができる。フッ素系樹脂を用いることにより、第２隔壁部３２の耐吸湿性の向上を図ることができる。 Here, the constituent materials of the first partition wall portion 31 and the second partition wall portion 32 are selected in consideration of heat resistance, liquid repellency, solvent resistance, adhesion to the underlayer, and the like.
Specifically, examples of the constituent material of the first partition wall 31 include an organic material such as an acrylic resin and a polyimide resin, and an inorganic material such as SiO 2 .
Moreover, as a constituent material of the 2nd partition part 32, a fluorine resin etc. can be used other than what was mentioned by the 1st partition part 31, for example. By using the fluorine-based resin, it is possible to improve the moisture absorption resistance of the second partition wall portion 32.

また、隔壁部３５の開口の形状は、例えば、円形、楕円形、四角形、六角形等の多角形等、いかなるものであってもよい。
なお、隔壁部３５の開口の形状を多角形とする場合には、角部は丸みを帯びているのが好ましい。これにより、電子輸送層５、発光層６、正孔輸送層７を形成する際に、電子輸送層５形成用の液状材料、前述した吐出液（分散液）、正孔輸送層７形成用の液状材料を、隔壁部３５の内側の空間の隅々にまで確実に供給することができる。 Further, the shape of the opening of the partition wall portion 35 may be any shape such as a circle, an ellipse, a quadrangle, a polygon such as a hexagon, and the like.
In addition, when making the shape of opening of the partition part 35 into a polygon, it is preferable that the corner | angular part is roundish. Thereby, when forming the electron transport layer 5, the light emitting layer 6, and the hole transport layer 7, the liquid material for forming the electron transport layer 5, the discharge liquid (dispersion liquid) described above, and the hole transport layer 7 are formed. The liquid material can be reliably supplied to every corner of the space inside the partition wall portion 35.

［２−Ｃ］次に、図２（ｃ）に示すように、各陰極３上に、すなわち、各陰極３を覆うように、それぞれ、電子輸送層５、発光層６および正孔輸送層７をこの順で積層するように形成する（第２の工程）。
以下、電子輸送層５、発光層６および正孔輸送層７の形成方法について説明する。
［２−Ｃａ］まず、各陰極３上に、それぞれ、電子輸送層５を形成する。
この電子輸送層５は、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、バブルジェット法等の液滴吐出法等を用いた液相プロセスにより形成することができるが、中でも、液滴吐出法が好ましく、インクジェット法がより好ましい。このような方法を用いることにより、電子輸送層５の薄膜化、画素サイズの微小化を図ることができる。また、電子輸送層形成用の液状材料を、隔壁部３５の内側に選択的に供給することができるため、液状材料のムダを省くことができる。なお、液滴吐出法により電子輸送層５を形成する場合、液滴の吐出方法は、後述する発光層６の形成方法で、詳述するのと同様な方法を採用するのが好ましい。 [2-C] Next, as shown in FIG. 2C, the electron transport layer 5, the light emitting layer 6, and the hole transport layer 7 are formed on each cathode 3, that is, so as to cover each cathode 3. Are stacked in this order (second step).
Hereinafter, the formation method of the electron carrying layer 5, the light emitting layer 6, and the positive hole transport layer 7 is demonstrated.
[2-Ca] First, the electron transport layer 5 is formed on each cathode 3.
The electron transport layer 5 is formed by a vapor phase process using a sputtering method, a vacuum deposition method, a CVD method, a spin coating method (pyrosol method), a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll. It is formed by a liquid phase process using a droplet discharge method such as a coating method, a wire bar coating method, a dip coating method, a spray coating method, a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, an ink jet method, a bubble jet method, etc. Among them, a droplet discharge method is preferable, and an inkjet method is more preferable. By using such a method, the electron transport layer 5 can be made thinner and the pixel size can be reduced. Further, since the liquid material for forming the electron transport layer can be selectively supplied to the inside of the partition wall 35, the waste of the liquid material can be omitted. When the electron transport layer 5 is formed by the droplet discharge method, the droplet discharge method is preferably a method similar to that described in detail in the light-emitting layer 6 formation method described later.

電子輸送層５の形成を液相プロセスにて行う場合、陰極３上に電子輸送層形成用の液状材料を付与した後、付与された電子輸送層形成用の液状材料に含まれる溶媒または分散媒を除去（脱溶媒または脱分散媒）する。
この脱溶媒または脱分散媒は、減圧雰囲気に放置する方法、熱処理による方法、窒素ガスのような不活性ガスのフローによる方法、これらを組み合わせた方法等が挙げられる。 When the electron transport layer 5 is formed by a liquid phase process, a liquid material for forming an electron transport layer is applied onto the cathode 3, and then a solvent or dispersion medium contained in the applied liquid material for forming an electron transport layer. Is removed (desolvent or dedispersion medium).
Examples of the solvent removal or dispersion medium include a method of leaving in a reduced pressure atmosphere, a method by heat treatment, a method by a flow of an inert gas such as nitrogen gas, and a method combining these.

用いる液状材料は、前述したような電子輸送材料を溶媒または分散媒に溶解または分散することにより調製される。
また、液状材料の調製に用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の各種無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。
なお、陰極３上に供給された液状材料は、流動性が高く（粘性が低く）、水平方向（面方向）に広がろうとするが、陰極３が隔壁部３５により囲まれているため、所定の領域以外に広がることが阻止され、電子輸送層５（発光素子１）の輪郭形状が正確に規定される。 The liquid material to be used is prepared by dissolving or dispersing the electron transport material as described above in a solvent or a dispersion medium.
Examples of the solvent or dispersion medium used for preparing the liquid material include various inorganic solvents such as nitric acid, sulfuric acid, ammonia, hydrogen peroxide, water, carbon disulfide, carbon tetrachloride, ethylene carbonate, and methyl ethyl ketone (MEK). , Acetone solvents, diethyl ketone, methyl isobutyl ketone (MIBK), methyl isopropyl ketone (MIPK), ketone solvents such as cyclohexanone, alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropanol, ethylene glycol, diethylene glycol (DEG), glycerin, diethyl ether , Diisopropyl ether, 1,2-dimethoxyethane (DME), 1,4-dioxane, tetrahydrofuran (THF), tetrahydropyran (THP), anisole, diethylene glycol dimethyl ether (di) Rim), ether solvents such as diethylene glycol ethyl ether (carbitol), cellosolve solvents such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, phenyl cellosolve, aliphatic hydrocarbon solvents such as hexane, pentane, heptane, cyclohexane, toluene, xylene, Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene, aromatic heterocyclic solvents such as pyridine, pyrazine, furan, pyrrole, thiophene, methylpyrrolidone, N, N-dimethylformamide (DMF), N, N-dimethylacetamide (DMA Amide solvents such as dichloromethane, chloroform, 1,2-dichloroethane, ester solvents such as ethyl acetate, methyl acetate and ethyl formate, sulfur compound solvents such as dimethyl sulfoxide (DMSO) and sulfolane. , Acetonitrile, propionitrile, nitrile solvents, formic acid such as acrylonitrile, acetic acid, trichloroacetic acid, various organic solvents such as an organic acid solvents such as trifluoroacetic acid, or mixed solvents containing them.
The liquid material supplied onto the cathode 3 has high fluidity (low viscosity) and tends to spread in the horizontal direction (plane direction). However, since the cathode 3 is surrounded by the partition walls 35, the liquid material is predetermined. Spreading outside the region is prevented, and the contour shape of the electron transport layer 5 (light emitting element 1) is accurately defined.

［２−Ｃｂ］次に、各電子輸送層５（受け面）上に、それぞれ、発光層６を形成する。
この発光層６は、前述した吐出液（分散液）を用いた液滴吐出法（ノズル孔から間欠的に液滴を吐出する液滴吐出法）により形成する。このような方法を用いることにより、発光層６の薄膜化、画素サイズの微小化を図ることができる。また、吐出液（分散液）を、隔壁部３５の内側に選択的に供給することができるため、吐出液（分散液）のムダを省くことができる。 [2-Cb] Next, the light emitting layer 6 is formed on each electron transport layer 5 (receiving surface).
The light emitting layer 6 is formed by a droplet discharge method (a droplet discharge method in which droplets are intermittently discharged from nozzle holes) using the above-described discharge liquid (dispersion liquid). By using such a method, the light emitting layer 6 can be made thinner and the pixel size can be reduced. Further, since the discharge liquid (dispersion) can be selectively supplied to the inside of the partition wall 35, waste of the discharge liquid (dispersion) can be omitted.

以下、液滴吐出法による吐出液（分散液）の付与方法について、より詳細に説明する。
吐出液（分散液）の吐出（吐出工程）は、図３〜図６に示すような液滴吐出装置を用いて行う。
図３に示すように、本工程で用いる液滴吐出装置１００は、吐出液（分散液）２を保持するタンク１０１と、タンク１０１内の吐出液（分散液）２を送液するチューブ（送液チューブ）１１０と、チューブ１１０を介してタンク１０１から吐出液（分散液）２が供給される吐出走査部１０２とを備える。吐出走査部１０２は、複数の液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド）１１４をキャリッジ１０５に搭載してなる液滴吐出手段１０３と、液滴吐出手段１０３の位置を制御する第１位置制御装置１０４（移動手段）と、隔壁部３５、陰極３、電子輸送層５が形成されたＴＦＴ回路基板２０（以下、単に「ＴＦＴ回路基板２０」とも言う。）を保持するステージ１０６と、ステージ１０６の位置を制御する第２位置制御装置１０８（移動手段）と、制御手段１１２とを備えている。タンク１０１と、液滴吐出手段１０３における複数の液滴吐出ヘッド１１４とは、チューブ（送液チューブ）１１０で連結されており、チューブ（送液チューブ）１１０を介して、タンク１０１から複数の液滴吐出ヘッド１１４のそれぞれに吐出液（分散液）２が圧縮空気によって供給される。そして、チューブ（送液チューブ）１１０と液滴吐出手段１０３（液滴吐出ヘッド１１４）とは、図示しない接続部材で接続されている。チューブ（送液チューブ）１１０と液滴吐出手段１０３（液滴吐出ヘッド１１４）との接続部には、送液に伴う振動のエネルギーが加わりやすく、また、搬送される吐出液（分散液）２中に、空気等が混入する可能性の高い箇所である。このため、接続部材の構成材料としては、伸縮性に富み、ガス透過率が低く、防振特性、耐水性、耐酸性、耐アルカリ性、耐候性等に優れるという特徴を有するブチルゴムが、一般に用いられている。接続部材を構成する材料として用いられるブチルゴムとしては、例えば、ブチル０６５，２６８,２６９，３６５（ＥＸＸＯＮ ＭＯＢＩＬＥ社）、１０１−３，３０１，４０２（ＬＡＮＸＥＳＳ社）、ＪＳＲブチル（ＪＳＲ社）等が挙げられる。 Hereinafter, a method for applying the discharge liquid (dispersion liquid) by the droplet discharge method will be described in more detail.
The discharge (discharge process) of the discharge liquid (dispersion liquid) is performed using a droplet discharge apparatus as shown in FIGS.
As shown in FIG. 3, a droplet discharge device 100 used in this step includes a tank 101 that holds a discharge liquid (dispersion) 2 and a tube (feed) that discharges the discharge liquid (dispersion) 2 in the tank 101. Liquid tube) 110, and a discharge scanning unit 102 to which the discharge liquid (dispersion liquid) 2 is supplied from the tank 101 via the tube 110. The ejection scanning unit 102 includes a droplet ejection unit 103 in which a plurality of droplet ejection heads (inkjet heads) 114 are mounted on a carriage 105, and a first position control device 104 (movement) that controls the position of the droplet ejection unit 103. Means), a stage 106 for holding the TFT circuit substrate 20 (hereinafter also referred to simply as “TFT circuit substrate 20”) on which the partition wall 35, the cathode 3, and the electron transport layer 5 are formed, and the position of the stage 106 is controlled. A second position control device 108 (moving means) and a control means 112 are provided. The tank 101 and a plurality of droplet discharge heads 114 in the droplet discharge means 103 are connected by a tube (liquid supply tube) 110, and a plurality of liquids are discharged from the tank 101 via the tube (liquid supply tube) 110. A discharge liquid (dispersion liquid) 2 is supplied to each of the droplet discharge heads 114 by compressed air. The tube (liquid feeding tube) 110 and the droplet discharge means 103 (droplet discharge head 114) are connected by a connection member (not shown). The connecting portion between the tube (liquid feeding tube) 110 and the droplet discharge means 103 (droplet discharge head 114) is easily subjected to vibration energy accompanying the liquid supply, and the discharged discharge liquid (dispersion liquid) 2 is conveyed. This is a place where air or the like is likely to be mixed. For this reason, butyl rubber is generally used as a constituent material of the connecting member, which has characteristics such as excellent stretchability, low gas permeability, and excellent vibration resistance, water resistance, acid resistance, alkali resistance, weather resistance, and the like. ing. Examples of the butyl rubber used as a material constituting the connecting member include butyl 065, 268, 269, 365 (EXXON MOBILE), 101-3, 301, 402 (LANXESS), JSR butyl (JSR), and the like. It is done.

第１位置制御装置１０４は、制御手段１１２からの信号に応じて、液滴吐出手段１０３をＸ軸方向、およびＸ軸方向に直交するＺ軸方向に沿って移動させる。さらに、第１位置制御装置１０４は、Ｚ軸に平行な軸の回りで液滴吐出手段１０３を回転させる機能も有する。本実施形態では、Ｚ軸方向は、鉛直方向（つまり重力加速度の方向）に平行な方向である。第２位置制御装置１０８は、制御手段１１２からの信号に応じて、Ｘ軸方向およびＺ軸方向の双方に直交するＹ軸方向に沿ってステージ１０６を移動させる。さらに、第２位置制御装置１０８は、Ｚ軸に平行な軸の回りでステージ１０６を回転させる機能も有する。   The first position control device 104 moves the droplet discharge means 103 along the X-axis direction and the Z-axis direction orthogonal to the X-axis direction in response to a signal from the control means 112. Further, the first position control device 104 also has a function of rotating the droplet discharge means 103 around an axis parallel to the Z axis. In the present embodiment, the Z-axis direction is a direction parallel to the vertical direction (that is, the direction of gravitational acceleration). The second position controller 108 moves the stage 106 along the Y-axis direction orthogonal to both the X-axis direction and the Z-axis direction in response to a signal from the control unit 112. Further, the second position control device 108 also has a function of rotating the stage 106 around an axis parallel to the Z axis.

ステージ１０６は、Ｘ軸方向とＹ軸方向との双方に平行な平面を有する。また、ステージ１０６は、吐出液（分散液）２を付与すべきＴＦＴ回路基板２０をその平面上に固定、または保持できるように構成されている。
上述のように、液滴吐出手段１０３は、第１位置制御装置１０４によってＸ軸方向に移動させられる。一方、ステージ１０６は、第２位置制御装置１０８によってＹ軸方向に移動させられる。つまり、第１位置制御装置１０４および第２位置制御装置１０８によって、ステージ１０６に対する液滴吐出ヘッド１１４の相対位置が変わる（ステージ１０６に保持されたＴＦＴ回路基板２０と、液液滴吐出手段１０３とが相対的に移動する）。 The stage 106 has a plane parallel to both the X-axis direction and the Y-axis direction. The stage 106 is configured so that the TFT circuit substrate 20 to which the discharge liquid (dispersion liquid) 2 is to be applied can be fixed or held on the plane.
As described above, the droplet discharge means 103 is moved in the X-axis direction by the first position control device 104. On the other hand, the stage 106 is moved in the Y-axis direction by the second position control device 108. That is, the relative position of the droplet discharge head 114 with respect to the stage 106 is changed by the first position control device 104 and the second position control device 108 (the TFT circuit substrate 20 held on the stage 106 and the liquid droplet discharge means 103). Move relatively).

制御手段１１２は、吐出液（分散液）２を吐出すべき相対位置を表す吐出データを外部情報処理装置から受け取るように構成されている。
図４に示すように、液滴吐出手段１０３は、それぞれほぼ同じ構造を有する複数の液滴吐出ヘッド１１４と、これらの液滴吐出ヘッド１１４を保持するキャリッジ１０５とを有している。本実施形態では、液滴吐出手段１０３に保持される液滴吐出ヘッド１１４の数は８個である。それぞれの液滴吐出ヘッド１１４は、後述する複数のノズル１１８が設けられた底面を有している。それぞれの液滴吐出ヘッド１１４のこの底面の形状は、２つの長辺と２つの短辺とを有する多角形である。液滴吐出手段１０３に保持された液滴吐出ヘッド１１４の底面はステージ１０６側を向いており、さらに、液滴吐出ヘッド１１４の長辺方向と短辺方向とは、それぞれＸ軸方向とＹ軸方向とに平行である。 The control means 112 is configured to receive discharge data representing a relative position at which the discharge liquid (dispersion) 2 is to be discharged from the external information processing apparatus.
As shown in FIG. 4, the droplet discharge means 103 has a plurality of droplet discharge heads 114 each having substantially the same structure, and a carriage 105 that holds these droplet discharge heads 114. In the present embodiment, the number of droplet discharge heads 114 held by the droplet discharge means 103 is eight. Each droplet discharge head 114 has a bottom surface provided with a plurality of nozzles 118 described later. The shape of the bottom surface of each droplet discharge head 114 is a polygon having two long sides and two short sides. The bottom surface of the droplet discharge head 114 held by the droplet discharge means 103 faces the stage 106 side, and the long side direction and the short side direction of the droplet discharge head 114 are respectively an X-axis direction and a Y-axis direction. Parallel to the direction.

図５に示すように、液滴吐出ヘッド１１４は、Ｘ軸方向に並んだ複数のノズル（ノズル孔）１１８を有する。これら複数のノズル１１８は、液滴吐出ヘッド１１４におけるＸ軸方向のノズルピッチＨＸＰが所定の値となるように配置されている。ノズルピッチＨＸＰの具体的な値は、特に限定されないが、例えば、５０〜９０μｍとすることができる。ここで、「液滴吐出ヘッド１１４におけるＸ軸方向のノズルピッチＨＸＰ」は、液滴吐出ヘッド１１４におけるノズル１１８のすべてをＹ軸方向に沿ってＸ軸上に射像して得られた複数のノズル像間のピッチに相当する。   As shown in FIG. 5, the droplet discharge head 114 has a plurality of nozzles (nozzle holes) 118 arranged in the X-axis direction. The plurality of nozzles 118 are arranged such that the nozzle pitch HXP in the X-axis direction in the droplet discharge head 114 has a predetermined value. Although the specific value of nozzle pitch HXP is not specifically limited, For example, it can be set as 50-90 micrometers. Here, the “nozzle pitch HXP in the X-axis direction of the droplet discharge head 114” is a plurality of images obtained by projecting all the nozzles 118 in the droplet discharge head 114 onto the X-axis along the Y-axis direction. This corresponds to the pitch between nozzle images.

本実施形態では、液滴吐出ヘッド１１４における複数のノズル１１８は、ともにＸ軸方向に延びるノズル列１１６Ａと、ノズル列１１６Ｂとをなす。ノズル列１１６Ａと、ノズル列１１６Ｂとは、間隔を空けて並行に配置されている。そして、本実施形態においては、ノズル列１１６Ａおよびノズル列１１６Ｂのそれぞれにおいて、９０個のノズル１１８が一定間隔ＬＮＰでＸ軸方向に一列に並んでいる。ＬＮＰの具体的な値は、特に限定されないが、１００〜１８０μｍとすることができる。   In the present embodiment, the plurality of nozzles 118 in the droplet discharge head 114 form a nozzle row 116A and a nozzle row 116B that both extend in the X-axis direction. The nozzle row 116A and the nozzle row 116B are arranged in parallel with a space therebetween. In this embodiment, 90 nozzles 118 are arranged in a line in the X-axis direction at a constant interval LNP in each of the nozzle array 116A and the nozzle array 116B. Although the specific value of LNP is not specifically limited, It can be set as 100-180 micrometers.

ノズル列１１６Ｂの位置は、ノズル列１１６Ａの位置に対して、ノズルピッチＬＮＰの半分の長さだけＸ軸方向の正の方向（図５の右方向）にずれている。このため、液滴吐出ヘッド１１４のＸ軸方向のノズルピッチＨＸＰは、ノズル列１１６Ａ（またはノズル列１１６Ｂ）のノズルピッチＬＮＰの半分の長さである。
したがって、液滴吐出ヘッド１１４のＸ軸方向のノズル線密度は、ノズル列１１６Ａ（またはノズル列１１６Ｂ）のノズル線密度の２倍である。なお、本明細書において「Ｘ軸方向のノズル線密度」とは、複数のノズルをＹ軸方向に沿ってＸ軸上に射像して得られた複数のノズル像の単位長さ当たりの数に相当する。もちろん、液滴吐出ヘッド１１４が含むノズル列の数は、２つだけに限定されない。液滴吐出ヘッド１１４はＭ個のノズル列を含んでもよい。ここで、Ｍは１以上の自然数である。この場合には、Ｍ個のノズル列のそれぞれにおいて複数のノズル１１８は、ノズルピッチＨＸＰのＭ倍の長さのピッチで並ぶ。さらに、Ｍが２以上の自然数の場合には、Ｍ個のノズル列のうちの一つに対して、他の（Ｍ−１）個のノズル列は、ノズルピッチＨＸＰのｉ倍の長さだけ重複無くＸ軸方向にずれている。ここで、ｉは１から（Ｍ−１）までの自然数である。 The position of the nozzle row 116B is shifted from the position of the nozzle row 116A by a half length of the nozzle pitch LNP in the positive direction in the X-axis direction (the right direction in FIG. 5). Therefore, the nozzle pitch HXP in the X-axis direction of the droplet discharge head 114 is half the nozzle pitch LNP of the nozzle row 116A (or nozzle row 116B).
Accordingly, the nozzle line density in the X-axis direction of the droplet discharge head 114 is twice the nozzle line density of the nozzle row 116A (or nozzle row 116B). In the present specification, “nozzle line density in the X-axis direction” means the number per unit length of a plurality of nozzle images obtained by projecting a plurality of nozzles on the X-axis along the Y-axis direction. It corresponds to. Of course, the number of nozzle rows included in the droplet discharge head 114 is not limited to two. The droplet discharge head 114 may include M nozzle rows. Here, M is a natural number of 1 or more. In this case, in each of the M nozzle rows, the plurality of nozzles 118 are arranged at a pitch that is M times the nozzle pitch HXP. Further, when M is a natural number of 2 or more, the other (M−1) nozzle rows are only i times as long as the nozzle pitch HXP with respect to one of the M nozzle rows. There is no overlap in the X-axis direction. Here, i is a natural number from 1 to (M−1).

さて、本実施形態では、ノズル列１１６Ａおよびノズル列１１６Ｂのそれぞれが９０個のノズル１１８からなるため、１つの液滴吐出ヘッド１１４は１８０個のノズル１１８を有する。ただし、ノズル列１１６Ａの両端のそれぞれ５ノズルは「休止ノズル」として設定されている。同様に、ノズル列１１６Ｂの両端のそれぞれ５ノズルも「休止ノズル」として設定されている。そして、これら２０個の「休止ノズル」からは吐出液（分散液）２が吐出されない。このため、液滴吐出ヘッド１１４における１８０個のノズル１１８のうち、１６０個のノズル１１８が吐出液（分散液）２を吐出するノズルとして機能する。   In the present embodiment, each of the nozzle row 116 </ b> A and the nozzle row 116 </ b> B includes 90 nozzles 118, and thus one droplet discharge head 114 has 180 nozzles 118. However, 5 nozzles at both ends of the nozzle row 116A are set as “pause nozzles”. Similarly, 5 nozzles at both ends of the nozzle row 116B are also set as “pause nozzles”. The discharge liquid (dispersion liquid) 2 is not discharged from these 20 “pause nozzles”. Therefore, of the 180 nozzles 118 in the droplet discharge head 114, 160 nozzles 118 function as nozzles that discharge the discharge liquid (dispersion liquid) 2.

図４に示すように、液滴吐出手段１０３においては、複数個の上記液滴吐出ヘッド１１４がＸ軸方向に沿って２列に配置されている。一方の列の液滴吐出ヘッド１１４と他方の列の液滴吐出ヘッド１１４とは、休止ノズル分を考慮して、Ｙ軸方向から見て一部重なるように配置されている。これにより、液滴吐出手段１０３においては、ＴＦＴ回路基板２０のＸ軸方向の寸法分の長さに渡り、吐出液（分散液）２を吐出するノズル１１８が前記ノズルピッチＨＸＰでＸ軸方向に連続するように構成されている。   As shown in FIG. 4, in the droplet discharge means 103, a plurality of the droplet discharge heads 114 are arranged in two rows along the X-axis direction. The droplet ejection heads 114 in one row and the droplet ejection heads 114 in the other row are arranged so as to partially overlap when viewed from the Y-axis direction in consideration of the rest nozzles. Thereby, in the droplet discharge means 103, the nozzle 118 that discharges the discharge liquid (dispersion liquid) 2 extends in the X-axis direction at the nozzle pitch HXP over the length of the dimension of the TFT circuit substrate 20 in the X-axis direction. It is configured to be continuous.

本実施形態の液滴吐出手段１０３では、ＴＦＴ回路基板２０のＸ軸方向の寸法分の長さ全体をカバーするように液滴吐出ヘッド１１４を配置しているが、本発明における液滴吐出手段は、ＴＦＴ回路基板２０のＸ軸方向の寸法分の長さの一部をカバーするようなものでもよい。
ノズル（ノズル孔）１１８の孔径は、５〜１００μｍであるのが好ましく、１０〜５０μｍであるのがより好ましい。 In the droplet discharge means 103 of this embodiment, the droplet discharge head 114 is disposed so as to cover the entire length of the TFT circuit substrate 20 in the X-axis direction. May cover a part of the length of the dimension of the TFT circuit substrate 20 in the X-axis direction.
The hole diameter of the nozzle (nozzle hole) 118 is preferably 5 to 100 μm, and more preferably 10 to 50 μm.

図６（ａ）および（ｂ）に示すように、それぞれの液滴吐出ヘッド１１４は、インクジェットヘッドである。より具体的には、それぞれの液滴吐出ヘッド１１４は、振動板１２６と、ノズルプレート１２８とを備えている。振動板１２６と、ノズルプレート１２８との間には、タンク１０１から孔１３１を介して供給される吐出液（分散液）２が常に充填される液たまり１２９が位置している。   As shown in FIGS. 6A and 6B, each droplet discharge head 114 is an inkjet head. More specifically, each droplet discharge head 114 includes a vibration plate 126 and a nozzle plate 128. Between the diaphragm 126 and the nozzle plate 128, a liquid pool 129 that is always filled with the discharge liquid (dispersion liquid) 2 supplied from the tank 101 through the hole 131 is located.

また、振動板１２６と、ノズルプレート１２８との間には、複数の隔壁１２２が位置している。そして、振動板１２６と、ノズルプレート１２８と、１対の隔壁１２２とによって囲まれた部分がキャビティ１２０である。キャビティ１２０はノズル（ノズル孔）１１８に対応して設けられているため、キャビティ１２０の数とノズル１１８の数とは同じである。キャビティ１２０には、１対の隔壁１２２間に位置する供給口１３０を介して、液たまり１２９から吐出液（分散液）２が供給される。   In addition, a plurality of partition walls 122 are located between the diaphragm 126 and the nozzle plate 128. A portion surrounded by the diaphragm 126, the nozzle plate 128, and the pair of partition walls 122 is a cavity 120. Since the cavities 120 are provided corresponding to the nozzles (nozzle holes) 118, the number of the cavities 120 and the number of the nozzles 118 are the same. The discharge liquid (dispersion liquid) 2 is supplied to the cavity 120 from the liquid pool 129 through the supply port 130 positioned between the pair of partition walls 122.

振動板１２６上には、それぞれのキャビティ１２０に対応して、振動子１２４が位置する。振動子１２４は、ピエゾ素子１２４Ｃと、ピエゾ素子１２４Ｃを挟む１対の電極１２４Ａ、１２４Ｂとを含む。この１対の電極１２４Ａ、１２４Ｂとの間に駆動電圧を与えることで、対応するノズル１１８から吐出液（分散液）２が吐出される。なお、ノズル１１８からＺ軸方向に吐出液（分散液）２が吐出されるように、ノズル１１８の形状が調整されている。   On the diaphragm 126, the vibrator 124 is positioned corresponding to each cavity 120. The vibrator 124 includes a piezoelectric element 124C and a pair of electrodes 124A and 124B that sandwich the piezoelectric element 124C. By applying a driving voltage between the pair of electrodes 124A and 124B, the discharge liquid (dispersion liquid) 2 is discharged from the corresponding nozzle 118. The shape of the nozzle 118 is adjusted so that the discharge liquid (dispersion liquid) 2 is discharged from the nozzle 118 in the Z-axis direction.

液滴吐出ヘッド１１４（特に、ノズルプレート１２８の近傍）においては、一般に、吐出液供給部（分散液供給部）とヘッド駆動部分とは、弾性材料としての接続材料で構成されている。吐出液（分散液）供給部とヘッド駆動部分との接続が不十分であると、吐出液（分散液）の液漏れが生じたり、キャビティ１２０内の吐出液（分散液）２に適正な圧力が加わらなくなったり、外部からキャビティ１２０内にガスが混入してしまうなどの問題が発生する可能性がある。このような問題の発生を防止するために、接続材料としては、通常、フロロシリコーンゴムが用いられる。このようなフロロシリコーンゴムとしては、例えば、Ｓｉｌａｓｔｉｃ ＬＳ（ダウコーニング社）、ＦＥ２５１-Ｕ，２６１-Ｕ，２７１-Ｕ，２７３-Ｕ,２８１-Ｕ（信越シリコーン社）、Ｆｌｕｏｒｓｉｌｉｃｏｎｅ ６１４００２（ＥＲＩＫＳ社）等が挙げられる。   In the droplet discharge head 114 (particularly in the vicinity of the nozzle plate 128), generally, the discharge liquid supply section (dispersion liquid supply section) and the head drive section are made of a connecting material as an elastic material. If the connection between the discharge liquid (dispersion) supply part and the head drive part is insufficient, liquid leakage of the discharge liquid (dispersion liquid) may occur, or the pressure appropriate to the discharge liquid (dispersion liquid) 2 in the cavity 120 May not be applied or gas may be mixed into the cavity 120 from the outside. In order to prevent the occurrence of such a problem, fluorosilicone rubber is usually used as the connection material. Examples of such fluorosilicone rubber include Silastic LS (Dow Corning), FE251-U, 261-U, 271-U, 273-U, 281-U (Shin-Etsu Silicone), and Fluorsilicone 614002 (ERIKS). Etc.

制御手段１１２（図３参照）は、複数の振動子１２４のそれぞれに互いに独立に信号を与えるように構成されていてもよい。つまり、ノズル１１８から吐出される吐出液（分散液）２の体積が、制御手段１１２からの信号に応じてノズル１１８毎に制御されてもよい。また、制御手段１１２は、塗布走査の間に吐出動作を行うノズル１１８と、吐出動作を行わないノズル１１８とを設定することでもできる。   The control means 112 (see FIG. 3) may be configured to give a signal to each of the plurality of vibrators 124 independently of each other. That is, the volume of the discharge liquid (dispersion liquid) 2 discharged from the nozzle 118 may be controlled for each nozzle 118 in accordance with a signal from the control unit 112. The control unit 112 can also set the nozzle 118 that performs the ejection operation during the application scan and the nozzle 118 that does not perform the ejection operation.

本明細書では、１つのノズル１１８と、ノズル１１８に対応するキャビティ１２０と、キャビティ１２０に対応する振動子１２４とを含んだ部分を「吐出部１２７」と表記することもある。この表記によれば、１つの液滴吐出ヘッド１１４は、ノズル１１８の数と同じ数の吐出部１２７を有する。
上記のような液滴吐出装置１００を用いて、表示装置１０が有する複数色の発光素子１の発光層６に対応する吐出液（分散液）２を、電子輸送層５上（隔壁部３５で囲まれた領域（セル）内）に付与する。上記のような装置を用いることにより、電子輸送層５上（隔壁部３５で囲まれた領域（セル）内）に、効率よくかつ選択的に吐出液（分散液）２を付与することができる。なお、図示の構成では、液滴吐出装置１００は、吐出液（分散液）２を保持するタンク１０１、チューブ１１０等を１色分しか有していないが、これらの部材を、表示装置１０が有する複数色の発光素子１の発光層６に対応する複数種の吐出液（分散液）分有するものであってもよい。また、表示装置１０の製造においては、複数色の吐出液（分散液）２に対応する複数の液滴吐出装置１００を用いてもよい。 In this specification, a portion including one nozzle 118, a cavity 120 corresponding to the nozzle 118, and a vibrator 124 corresponding to the cavity 120 may be referred to as “ejection unit 127”. According to this notation, one droplet discharge head 114 has the same number of discharge units 127 as the number of nozzles 118.
Using the droplet discharge device 100 as described above, the discharge liquid (dispersion liquid) 2 corresponding to the light emitting layer 6 of the light emitting element 1 of the plurality of colors included in the display device 10 is applied on the electron transport layer 5 (by the partition wall portion 35). To the enclosed area (cell). By using the apparatus as described above, the discharge liquid (dispersion liquid) 2 can be efficiently and selectively applied onto the electron transport layer 5 (inside the region (cell) surrounded by the partition wall 35). . In the configuration shown in the figure, the droplet discharge device 100 has only a tank 101, a tube 110, and the like for holding the discharge liquid (dispersion liquid) 2 for one color. You may have for several types of discharge liquid (dispersion liquid) corresponding to the light emitting layer 6 of the light emitting element 1 of multiple colors to have. In manufacturing the display device 10, a plurality of droplet discharge devices 100 corresponding to a plurality of color discharge liquids (dispersions) 2 may be used.

本工程においてノズル１１８から吐出される吐出液２の温度は、２０〜４０℃であるのが好ましく、２５〜３０℃であるのがより好ましい。
また、本工程においてノズル１１８から吐出される吐出液２の液滴量（１滴あたりの体積）は、１〜１００ｐＬであるのが好ましく、５〜２０ｐＬであるのがより好ましい。
なお、本発明では、液滴吐出ヘッド１１４は、駆動素子として、ピエゾ素子の代わりに静電アクチュエータを用いるものでもよい。また、液滴吐出ヘッド１１４は、駆動素子として電気熱変換素子を用い、この電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用して吐出液（分散液）を吐出する構成（バブルジェット法）であってもよい。 In this step, the temperature of the discharge liquid 2 discharged from the nozzle 118 is preferably 20 to 40 ° C, and more preferably 25 to 30 ° C.
In addition, the droplet amount (volume per droplet) of the discharge liquid 2 discharged from the nozzle 118 in this step is preferably 1 to 100 pL, and more preferably 5 to 20 pL.
In the present invention, the droplet discharge head 114 may use an electrostatic actuator as a driving element instead of a piezoelectric element. Further, the droplet discharge head 114 has a configuration (bubble jet method) that uses an electrothermal conversion element as a drive element and discharges a discharge liquid (dispersion liquid) by utilizing thermal expansion of a material by the electrothermal conversion element. May be.

電子輸送層５上（受け面）に吐出液（分散液）２を付与した後、付与された吐出液（分散液）２に含まれる分散媒の少なくとも一部を除去（脱分散媒）する（分散媒除去工程）。
この脱分散媒の方法は、特に限定されないが、例えば、吐出液（分散液）２が付着したＴＦＴ回路基板２０を加熱する方法、吐出液（分散液）２が付着したＴＦＴ回路基板２０を減圧雰囲気下に置く方法、これらを組み合わせた方法（例えば、第１の温度で、減圧雰囲気下に吐出液（分散液）２が付着したＴＦＴ回路基板２０を減圧雰囲気下に置いた後、雰囲気を大気圧に戻し、大気圧下で加熱する方法等）等が挙げられる。 After applying the discharge liquid (dispersion liquid) 2 on the electron transport layer 5 (receiving surface), at least a part of the dispersion medium contained in the applied discharge liquid (dispersion liquid) 2 is removed (dedispersion medium) ( Dispersion medium removal step).
The method of the dedispersing medium is not particularly limited. For example, a method of heating the TFT circuit board 20 to which the discharge liquid (dispersion) 2 is attached, or a pressure reduction of the TFT circuit board 20 to which the discharge liquid (dispersion) 2 is attached. A method of placing in an atmosphere, or a combination of these methods (for example, at a first temperature, after the TFT circuit substrate 20 to which the discharge liquid (dispersion) 2 is attached in a reduced pressure atmosphere is placed in a reduced pressure atmosphere, the atmosphere is increased. For example, a method of returning to atmospheric pressure and heating under atmospheric pressure).

本工程での処理温度（加熱温度）は、６０〜２８０℃であるのが好ましく、１１０〜１９０℃であるのがより好ましい。
上記のように、本発明では、ノズル孔から間欠的に液滴を吐出する液滴吐出法により、量子ドットを含む分散液を所定パターンで吐出する点に特徴を有するものである。これにより、欠陥のない薄膜パターンを容易かつ確実に形成することができる。特に、発光素子においては、その厚さのばらつきが発光色（輝度等）に大きな影響を与えるため、均一な厚さの薄膜パターンを形成することが求められるが、本発明によれば、微細なパターン、特に、微細でかつ大面積に設けられたパターンであっても、精密に形成することができる。また、発光素子においては、均一な膜厚を有しておらず、例えば、いわゆる抜け等の欠陥が存在すると、電流や電圧の集中により発光素子の寿命が著しく低下するという問題が発生するが、本発明によれば、抜け等の欠陥も確実に防止することができる。上記のようなことから、本発明によれば、所望の色調の光を長期間にわたって安定的に発光することができる発光素子を提供すること、色再現域が広く、耐久性に優れる画像表示装置を提供することができる。 The treatment temperature (heating temperature) in this step is preferably 60 to 280 ° C, and more preferably 110 to 190 ° C.
As described above, the present invention is characterized in that the dispersion liquid containing quantum dots is ejected in a predetermined pattern by the droplet ejection method in which droplets are intermittently ejected from the nozzle holes. Thereby, a thin film pattern without a defect can be formed easily and reliably. In particular, in a light-emitting element, a variation in thickness greatly affects a light emission color (luminance, etc.), and thus it is required to form a thin film pattern having a uniform thickness. Even a pattern, particularly a pattern that is fine and has a large area, can be precisely formed. In addition, the light-emitting element does not have a uniform film thickness.For example, if there is a defect such as a so-called omission, there is a problem that the life of the light-emitting element is significantly reduced due to current and voltage concentration. According to the present invention, defects such as missing can be reliably prevented. As described above, according to the present invention, it is possible to provide a light emitting element capable of stably emitting light of a desired color tone over a long period of time, an image display device having a wide color reproduction range and excellent durability. Can be provided.

また、本発明によれば、成膜時にマスク等を用いたり、成膜後に膜の一部を除去することなく、目的とするパターンを、直接形成することができるため、薄膜の生産性に優れている。また、薄膜パターンを形成すべきワーク（受け面）に対して、非接触で、パターンを形成することができるため、曲面状のワークに対しても、好適に薄膜パターンを形成することができる。また、ワーク（受け面）が凹凸を有する場合であっても、好適に薄膜パターンを形成することができる。また、複数種の液体（分散液）を用いた薄膜パターンの形成を好適に行うことができるため、カラー画像を表示に用いられる発光素子の形成に好適に適用することができる。また、薄膜パターンの形成に用いる液体（分散液）を、無駄なく利用することができる（成膜後にその一部を除去する必要がない）ため、高価な分散液を用いた場合であっても、薄膜パターンの生産コストの上昇を抑制することができる。また、分散媒除去工程における分散媒の除去速度の調整により、形成される膜の形状（厚さの分布）の制御が容易である。また、本発明においては、薄膜パターンを形成する際に、不純物が混入してしまうのを確実に防止することができる。   In addition, according to the present invention, since a desired pattern can be directly formed without using a mask or the like during film formation or removing a part of the film after film formation, the thin film has excellent productivity. ing. Further, since the pattern can be formed in a non-contact manner with respect to the workpiece (receiving surface) on which the thin film pattern is to be formed, the thin film pattern can be suitably formed even on a curved workpiece. Moreover, even if the workpiece (receiving surface) has irregularities, a thin film pattern can be suitably formed. In addition, since a thin film pattern can be suitably formed using a plurality of types of liquids (dispersions), it can be suitably applied to the formation of a light-emitting element used for displaying a color image. In addition, since the liquid (dispersion) used for forming the thin film pattern can be used without waste (there is no need to remove a part thereof after film formation), even when an expensive dispersion is used. In addition, an increase in the production cost of the thin film pattern can be suppressed. Further, the shape (thickness distribution) of the formed film can be easily controlled by adjusting the removal rate of the dispersion medium in the dispersion medium removal step. Moreover, in this invention, when forming a thin film pattern, it can prevent reliably that an impurity mixes.

また、本発明においては、分散媒除去工程において、受け面に付着させた分散液の頂部付近と底部（受け面との接触面）付近とで温度差を生じさせることにより、分散液中において、対流を生じさせることができる。これにより、形成される薄膜パターンの厚さの制御をより好適に行うことができる。また、本発明においては、例えば、所定量の前記分散液の液滴を受け面上に吐出し、その後、この液滴から分散媒を除去することにより、受け面上の液滴が付与された部位において、縁部付近の膜厚が中央部付近の膜厚よりも大きい薄膜を形成し、さらにその後、前記縁部で囲まれた領域（凹部）に、前記分散液の液滴を吐出し、その後、この液滴から分散媒を除去してもよい。これにより、形成される薄膜パターンの厚さの制御をさらに好適に行うことができる。   Further, in the present invention, in the dispersion medium removing step, by causing a temperature difference between the vicinity of the top of the dispersion adhered to the receiving surface and the vicinity of the bottom (contact surface with the receiving surface), in the dispersion, Convection can occur. Thereby, control of the thickness of the thin film pattern formed can be performed more suitably. Further, in the present invention, for example, a droplet on the receiving surface is applied by discharging a predetermined amount of the droplet of the dispersion liquid onto the receiving surface and then removing the dispersion medium from the droplet. In the part, a thin film having a film thickness in the vicinity of the edge part larger than that in the vicinity of the center part is formed, and then the droplet of the dispersion liquid is discharged into a region (concave part) surrounded by the edge part, Thereafter, the dispersion medium may be removed from the droplets. Thereby, control of the thickness of the thin film pattern formed can be performed more suitably.

これに対し、量子ドットを含む分散液を用いたとしても液滴吐出法を適用しない場合や、従来の有機ＥＬ材料を液滴吐出法に適用した場合等には、本発明のような優れた効果は得られない。
すなわち、量子ドットを含む分散液を用いたとしても液滴吐出法を適用しない場合には、一般に、所定のパターンを形成する際には、それに対応するマスクが必要となり、パターン形成の効率が著しく低下するとともに、省資源の観点からも好ましくない。また、形成すべきパターンが大型のものである場合、マスクの位置精度を十分に高いものとするのが困難となるという問題点もある。また、真空蒸着等の気相成膜法によりパターン形成を行う場合、大型のパターン形成には、大型の装置が必要となり、パターンの大型に伴う生産コストの上昇が著しく、近年の画像表示装置の大型化の流れに対応するのも困難である。また、一般的な印刷法を用いた場合、形成されるパターンの形状を精確に制御するのが困難である。特に、画像表示装置が有する発光素子等のように、多数の微小領域が、規則正しく配置し、さらに、各部位での厚さのばらつきが十分に小さいことが求められるようなパターンの形成においては、従来の印刷法を適用するのは極めて困難である。 On the other hand, even when a dispersion liquid containing quantum dots is used, when the droplet discharge method is not applied, or when a conventional organic EL material is applied to the droplet discharge method, it is excellent as in the present invention. There is no effect.
That is, even when a dispersion liquid containing quantum dots is used, when the droplet discharge method is not applied, in general, when a predetermined pattern is formed, a corresponding mask is required, and the pattern formation efficiency is extremely high. This is not preferable from the viewpoint of resource saving. In addition, when the pattern to be formed is large, it is difficult to make the mask position accuracy sufficiently high. In addition, when pattern formation is performed by a vapor deposition method such as vacuum deposition, a large apparatus is required for large-scale pattern formation, and the increase in production cost due to the large pattern is remarkable. It is also difficult to cope with the trend of increasing size. Further, when a general printing method is used, it is difficult to accurately control the shape of the pattern to be formed. In particular, in the formation of a pattern in which a large number of minute regions are regularly arranged, such as a light-emitting element included in an image display device, and further, variation in thickness at each part is required to be sufficiently small. It is very difficult to apply the conventional printing method.

また、従来の有機ＥＬ材料を用いた場合には、形成される薄膜パターン（発光素子）の耐久性に問題がある。また、従来の有機ＥＬ材料等を液滴吐出法に適用した場合には、本発明で得られるような、微小粒子としての量子ドットを含むことによる効果（優れた液切れ、液滴吐出量の安定性等）等の効果は得られない。
以下に、本発明の薄膜パターン形成方法を適用して、上述したような表示装置１０の発光層６を形成した具体的な一例について、より詳細に説明する。 In addition, when a conventional organic EL material is used, there is a problem in durability of a formed thin film pattern (light emitting element). In addition, when a conventional organic EL material or the like is applied to the droplet discharge method, the effect of including quantum dots as fine particles as obtained in the present invention (excellent liquid breakage, droplet discharge amount Effects such as stability) cannot be obtained.
Hereinafter, a specific example in which the light emitting layer 6 of the display device 10 as described above is formed by applying the thin film pattern forming method of the present invention will be described in more detail.

まず、３色（赤色、緑色、青色）分の発光層の形成に用いる３種類の吐出液（分散液）を用意した。
３種の吐出液（赤色発光層形成用吐出液、緑色発光層形成用吐出液、青色発光層形成用吐出液）の構成を表１にまとめて示した。なお、各吐出液中において、分散剤は、量子ドットの表面付近に付着していることが確認された。 First, three types of discharge liquids (dispersions) used for forming light emitting layers for three colors (red, green, and blue) were prepared.
Table 1 summarizes the structures of the three types of discharge liquids (red light-emitting layer forming discharge liquid, green light-emitting layer forming discharge liquid, and blue light-emitting layer forming discharge liquid). In each discharge liquid, it was confirmed that the dispersing agent adhered to the vicinity of the surface of the quantum dot.

Figure 2008288171
Figure 2008288171

次に、上述したような方法により、隔壁部３５、電子輸送層５が形成されたＴＦＴ回路基板２０を用意した。
次に、図３〜図６に示すような液滴吐出装置１００を用いて、３種の吐出液の吐出を行った。液滴吐出装置１００が有する液滴吐出ヘッド１１４のノズル（ノズル孔）１１８の孔径は、２０μｍであった。 Next, the TFT circuit substrate 20 on which the partition walls 35 and the electron transport layer 5 were formed was prepared by the method described above.
Next, three types of discharge liquids were discharged using a droplet discharge apparatus 100 as shown in FIGS. The hole diameter of the nozzle (nozzle hole) 118 of the droplet discharge head 114 included in the droplet discharge apparatus 100 was 20 μm.

液滴吐出時における吐出液の液温は、２５℃となるように調整した。また、吐出液の液滴量（１滴あたりの体積）は、各色に対応する吐出液とも、１２ｐＬであった（吐出工程）。このとき、各セル内において、複数種の吐出液が混ざり合わないように、各セルについて、それぞれ、１種類の吐出液を付与した。
次に、室温（２０℃）下、５０Ｐａまで減圧した雰囲気下で１０分間静置し、その後、雰囲気圧を大気圧まで徐々に戻し、さらに、大気圧下、１５０℃で１０分間の熱処理を施した（分散媒除去工程）。
以上のようにして、電子輸送層５の表面に、発光層６が形成された。形成された発光層６は、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層のいずれも、２０ｎｍであった。
上記のようにして、発光層６が形成される。 The liquid temperature of the discharge liquid at the time of droplet discharge was adjusted to be 25 ° C. In addition, the droplet volume (volume per droplet) of the discharge liquid was 12 pL for the discharge liquid corresponding to each color (discharge process). At this time, one type of discharge liquid was applied to each cell so that a plurality of types of discharge liquids were not mixed in each cell.
Next, it is allowed to stand at room temperature (20 ° C.) for 10 minutes under an atmosphere reduced to 50 Pa, and then the atmospheric pressure is gradually returned to atmospheric pressure, followed by heat treatment at 150 ° C. for 10 minutes under atmospheric pressure. (Dispersion medium removal step).
As described above, the light emitting layer 6 was formed on the surface of the electron transport layer 5. As for the formed light emitting layer 6, all of the red light emitting layer, the green light emitting layer, and the blue light emitting layer were 20 nm.
The light emitting layer 6 is formed as described above.

［２−Ｃｃ］次に、各発光層６上（発光層６の電子輸送層５に対向する側の面とは反対の面側）に、正孔輸送層７を形成する。
この正孔輸送層７も、上述したような電子輸送層５の形成方法で述べたような気相プロセスや液相プロセスにより形成することができるが、前述したのと同様の理由から、液滴吐出法が好ましく、インクジェット法がより好ましい。
このような方法により正孔輸送層７を形成する場合、液状材料の組成を変更する以外は、前述したような電子輸送層５、発光層６の形成と同様な条件とすることができる。 [2-Cc] Next, the hole transport layer 7 is formed on each light emitting layer 6 (on the side of the light emitting layer 6 opposite to the surface facing the electron transport layer 5).
This hole transport layer 7 can also be formed by a gas phase process or a liquid phase process as described in the method for forming the electron transport layer 5 as described above. For the same reason as described above, A discharge method is preferable, and an inkjet method is more preferable.
When the hole transport layer 7 is formed by such a method, the same conditions as the formation of the electron transport layer 5 and the light emitting layer 6 as described above can be used except that the composition of the liquid material is changed.

［２−Ｄ］次に、図２（ｄ）に示すように、各正孔輸送層７上および各隔壁部３５上に、共通電極としての陽極８を形成する（第３の工程）。
この陽極８は、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等を用いた気相プロセスや、スピンコート法（パイロゾル法）、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、バブルジェット法等の液滴吐出法等を用いた液相プロセス等で形成することができる。 [2-D] Next, as shown in FIG. 2D, the anode 8 as a common electrode is formed on each hole transport layer 7 and each partition wall 35 (third step).
The anode 8 is formed by, for example, a vapor phase process using a sputtering method, a vacuum deposition method, a CVD method, a spin coating method (pyrosol method), a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll. Formed by liquid phase process using droplet discharge methods such as coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, screen printing method, flexographic printing method, offset printing method, ink jet method, bubble jet method, etc. can do.

なお、これらの方法は、陽極８の構成材料の熱安定性や、溶媒への溶解性等の物理的特性および／または化学的特性を考慮して選択される。
なお、本実施形態では、正孔輸送層７および隔壁部３５の全面に、陽極８を形成することから、マスクを用いる必要がないため、これらの形成には、スパッタ法、真空蒸着法を用いた気相プロセス等が好適に用いられる。
このような工程を経て、発光素子１を製造することができる。 These methods are selected in consideration of the physical stability and / or chemical characteristics such as thermal stability of the constituent material of the anode 8 and solubility in a solvent.
In the present embodiment, since the anode 8 is formed on the entire surface of the hole transport layer 7 and the partition wall portion 35, it is not necessary to use a mask. For this formation, a sputtering method or a vacuum evaporation method is used. The gas phase process that has been used is preferably used.
The light emitting element 1 can be manufactured through such steps.

［３］ 次に、図２（ｅ）に示すように、上基板９を用意し、この上基板９により陽極８を覆うようにして、陽極８と上基板９とを接合する。
この陽極８と上基板９との接合は、陽極８と上基板９との間に、エポキシ系の接着剤を介在させた状態で、この接着剤を乾燥させること等により行うことができる。
この上基板９は、発光素子１を保護する保護基板としての機能を有する。
以上のような工程を経て、表示装置１０を製造することができる。 [3] Next, as shown in FIG. 2E, the upper substrate 9 is prepared, and the anode 8 and the upper substrate 9 are bonded so that the anode 8 is covered with the upper substrate 9.
The anode 8 and the upper substrate 9 can be joined by drying the adhesive in a state where an epoxy adhesive is interposed between the anode 8 and the upper substrate 9.
The upper substrate 9 has a function as a protective substrate for protecting the light emitting element 1.
The display device 10 can be manufactured through the steps as described above.

＜電子機器＞
上記のような表示装置（本発明の画像表示装置）１０は、各種の電子機器に組み込むことができる。
図７は、本発明の画像表示装置を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータ（電子機器）の構成を示す斜視図である。 <Electronic equipment>
The display device (image display device of the present invention) 10 as described above can be incorporated into various electronic devices.
FIG. 7 is a perspective view showing a configuration of a mobile (or notebook) personal computer (electronic device) to which the image display device of the present invention is applied.

この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１０００を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このパーソナルコンピュータ１１００において、表示ユニット１１０６が備える表示部１０００が前述の表示装置１０で構成されている。 In this figure, a personal computer 1100 includes a main body portion 1104 having a keyboard 1102 and a display unit 1106 having a display portion 1000. The display unit 1106 rotates with respect to the main body portion 1104 via a hinge structure portion. Supported as possible.
In the personal computer 1100, the display unit 1000 included in the display unit 1106 is configured by the display device 10 described above.

図８は、本発明の画像表示装置を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）（電子機器）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部１０００を備えている。
携帯電話機１２００において、この表示部１０００が前述の表示装置１０で構成されている。 FIG. 8 is a perspective view showing a configuration of a mobile phone (including PHS) (electronic device) to which the image display device of the present invention is applied.
In this figure, a cellular phone 1200 includes a display unit 1000 together with a plurality of operation buttons 1202, an earpiece 1204 and a mouthpiece 1206.
In the cellular phone 1200, the display unit 1000 is configured by the display device 10 described above.

図９は、本発明の画像表示装置を適用したディジタルスチルカメラ（電子機器）の構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。 FIG. 9 is a perspective view showing a configuration of a digital still camera (electronic device) to which the image display device of the present invention is applied. In this figure, connection with an external device is also simply shown.
Here, an ordinary camera sensitizes a silver halide photographic film with a light image of a subject, whereas a digital still camera 1300 photoelectrically converts a light image of a subject with an imaging device such as a CCD (Charge Coupled Device). An imaging signal (image signal) is generated.

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１０００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ディジタルスチルカメラ１３００において、この表示部１０００が前述の表示装置１０で構成されている。 A display unit 1000 is provided on the back of a case (body) 1302 in the digital still camera 1300, and is configured to perform display based on an imaging signal from the CCD, and functions as a finder that displays an object as an electronic image.
In the digital still camera 1300, the display unit 1000 includes the display device 10 described above.

ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。
また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１０００に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。 A circuit board 1308 is installed inside the case. The circuit board 1308 is provided with a memory that can store (store) an imaging signal.
A light receiving unit 1304 including an optical lens (imaging optical system), a CCD, and the like is provided on the front side of the case 1302 (on the back side in the illustrated configuration).
When the photographer confirms the subject image displayed on the display unit 1000 and presses the shutter button 1306, the CCD image pickup signal at that time is transferred and stored in the memory of the circuit board 1308.

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。   In the digital still camera 1300, a video signal output terminal 1312 and an input / output terminal 1314 for data communication are provided on the side surface of the case 1302. As shown in the figure, a television monitor 1430 is connected to the video signal output terminal 1312 and a personal computer 1440 is connected to the data communication input / output terminal 1314 as necessary. Further, the imaging signal stored in the memory of the circuit board 1308 is output to the television monitor 1430 or the personal computer 1440 by a predetermined operation.

なお、本発明の電子機器は、上述したパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、携帯電話機（ＰＨＳも含む）、ディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。また、本発明の電子機器は、表示機能を有しない発光機能のみを有するものであってもよい。中でも、テレビは、近年の表示部の大型化の傾向が顕著であり、また、フルハイビジョン対応等の高解像度化も浸透しつつある。このような大型の表示部（例えば、対角線長８０ｃｍ以上の表示部）を有するテレビでは、多数配置された画素間での特性のばらつきが目立ちやすく、また、このような特性のばらつきを十分に抑制するのが困難であった。また、テレビの高解像度化に伴い、上記のような問題はより顕著なものとなっていた。また、近年、カラーフィルターを用いた液晶テレビが普及しつつあるが、自発光型ではなくカラーフィルターを用いたテレビにおいては、十分な輝度を得るためには、消費電力が大きくなる傾向が顕著であり、また、十分な視野角を確保するのが困難である等の問題があった。また、有機ＥＬや無機ＥＬを採用した自発光型の表示素子を有するテレビ等においては、耐久性や、発光効率、色純度、発光輝度等に問題があった。これに対し、本発明をテレビに適用した場合、上記のような問題の発生を確実に防止することができる。すなわち、上記のような大型の表示部を有するテレビに適用した場合に、本発明の効果は、より顕著に発揮される。   In addition to the above-described personal computer (mobile personal computer), mobile phone (including PHS), and digital still camera, the electronic apparatus according to the present invention may be a television, a video camera, a viewfinder type, a monitor direct view, for example. Type video tape recorder, laptop personal computer, car navigation system, pager, electronic notebook (including communication function), electronic dictionary, calculator, electronic game machine, word processor, workstation, video phone, security TV monitor, Electronic binoculars, POS terminals, devices equipped with a touch panel (for example, cash dispensers and automatic ticket vending machines for financial institutions), medical devices (for example, electronic thermometers, blood pressure monitors, blood glucose meters, electrocardiographs, ultrasonic diagnostic devices, endoscopes) Display device), fish detector, various measurements Vessels, instruments (e.g., gages for vehicles, aircraft, and ships), a flight simulator, various monitors, and a projection display such as a projector. The electronic device of the present invention may have only a light emitting function that does not have a display function. Above all, the trend of enlargement of the display unit in recent years is remarkable in the television, and high resolution such as full high-definition compatibility is also penetrating. In a television having such a large display portion (for example, a display portion having a diagonal length of 80 cm or more), characteristic variations among a large number of arranged pixels are easily noticeable, and such characteristic variations are sufficiently suppressed. It was difficult to do. In addition, with the increase in the resolution of televisions, the above problems have become more prominent. In recent years, liquid crystal televisions using color filters are becoming widespread. However, televisions using color filters rather than self-luminous type tend to have a large power consumption in order to obtain sufficient luminance. In addition, there is a problem that it is difficult to secure a sufficient viewing angle. In addition, televisions and the like having self-luminous display elements that employ organic EL or inorganic EL have problems in durability, light emission efficiency, color purity, light emission luminance, and the like. On the other hand, when the present invention is applied to a television, it is possible to reliably prevent the occurrence of the above problems. That is, when applied to a television having a large display unit as described above, the effects of the present invention are more remarkably exhibited.

以上、本発明について、好適な実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、前述した実施形態では、トップエミッション型の発光素子について代表的に説明したが、本発明の発光素子は、ボトムエミッション構造を有するものであってもよい。
また、本発明の薄膜パターン形成方法は、任意の目的の工程が１または２以上追加されていてもよい。 As mentioned above, although this invention was demonstrated based on suitable embodiment, this invention is not limited to these.
For example, in the above-described embodiment, the top emission type light emitting element has been representatively described. However, the light emitting element of the present invention may have a bottom emission structure.
In addition, in the thin film pattern forming method of the present invention, one or two or more optional steps may be added.

また、本発明では、量子ドットによる発光は、前述したような電子と正孔との再結合（電圧の印加）によるものに限定されず、例えば、紫外線の照射によるものであってもよい。紫外線による発光を利用した発光素子、画像表示装置、電子機器としては、例えば、プラズマディスプレイパネルでの発光に用いられているような構成のもの等が挙げられる。
また、発光素子、画像表示装置、電子機器を構成する各部は、同様の機能を発揮する任意のものと置換、または、その他の構成を追加することもできる。 In the present invention, the light emission by the quantum dots is not limited to the above-described recombination (application of voltage) of electrons and holes, and may be, for example, irradiation of ultraviolet rays. Examples of a light emitting element, an image display device, and an electronic device that utilize light emission by ultraviolet rays include a configuration that is used for light emission in a plasma display panel.
In addition, each part of the light-emitting element, the image display device, and the electronic device can be replaced with any one that exhibits the same function, or another configuration can be added.

本発明の発光装置を適用したアクティブマトリックス型表示装置の一例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows an example of the active matrix type display apparatus to which the light-emitting device of this invention is applied. 図１に示すアクティブマトリックス型表示装置の製造方法を説明するための図（縦断面図）である。It is a figure (longitudinal sectional view) for demonstrating the manufacturing method of the active matrix type display apparatus shown in FIG. 発光層（薄膜）の形成に用いる液滴吐出装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the droplet discharge apparatus used for formation of a light emitting layer (thin film). 図３に示す液滴吐出装置における液滴吐出手段をステージ側から観察した図である。It is the figure which observed the droplet discharge means in the droplet discharge apparatus shown in FIG. 3 from the stage side. 図３に示す液滴吐出装置における液滴吐出ヘッドの底面を示す図である。It is a figure which shows the bottom face of the droplet discharge head in the droplet discharge apparatus shown in FIG. 図３に示す液滴吐出装置における液滴吐出ヘッドを示す図であり、（ａ）は断面斜視図、（ｂ）は断面図である。It is a figure which shows the droplet discharge head in the droplet discharge apparatus shown in FIG. 3, (a) is a cross-sectional perspective view, (b) is sectional drawing. 本発明の画像表示装置を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータ（電子機器）の構成を示す斜視図である。1 is a perspective view illustrating a configuration of a mobile (or notebook) personal computer (electronic device) to which an image display device of the present invention is applied. 本発明の画像表示装置を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）（電子機器）の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the mobile telephone (PHS is also included) (electronic device) to which the image display apparatus of this invention is applied. 本発明の画像表示装置を適用したディジタルスチルカメラ（電子機器）の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the digital still camera (electronic device) to which the image display apparatus of this invention is applied.

符号の説明Explanation of symbols

１…発光素子 ２…吐出液（分散液） ３…陰極 ５…電子輸送層 ６…発光層 ７…正孔輸送層 ８…陽極 ９…上基板 １０…表示装置 ２０…ＴＦＴ回路基板 ２１…基板 ２２…回路部 ２３…下地保護層 ２４…駆動用ＴＦＴ ２４１…半導体層 ２４２…ゲート絶縁層 ２４３…ゲート電極 ２４４…ソース電極 ２４５…ドレイン電極 ２５…第１層間絶縁層 ２６…第２層間絶縁層 ２７…配線 ３１…第１隔壁部 ３２…第２隔壁部 ３５…隔壁部 １００…液滴吐出装置 １０１…タンク １０２…吐出走査部 １０３…液滴吐出手段 １０４…第１位置制御装置 １０５…キャリッジ １０６…ステージ １０８…第２位置制御装置 １１０…チューブ（送液チューブ） １１２…制御手段 １１４…液滴吐出ヘッド（インクジェットヘッド） １１６Ａ、１１６Ｂ…ノズル列 １１８…ノズル（ノズル孔） １２０…キャビティ １２２…隔壁 １２４…振動子 １２４Ａ、１２４Ｂ…電極 １２４Ｃ…ピエゾ素子 １２６…振動板 １２７…吐出部 １２８…ノズルプレート １２９…液たまり １３０…供給口 １３１…孔 １０００…表示部 １１００…パーソナルコンピュータ １１０２…キーボード １１０４…本体部 １１０６…表示ユニット １２００…携帯電話機 １２０２…操作ボタン １２０４…受話口 １２０６…送話口 １３００…ディジタルスチルカメラ １３０２…ケース（ボディー） １３０４…受光ユニット １３０６…シャッタボタン １３０８…回路基板 １３１２…ビデオ信号出力端子 １３１４…データ通信用の入出力端子 １４３０…テレビモニタ １４４０…パーソナルコンピュータ   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light emitting element 2 ... Discharge liquid (dispersion liquid) 3 ... Cathode 5 ... Electron carrying layer 6 ... Light emitting layer 7 ... Hole transport layer 8 ... Anode 9 ... Upper substrate 10 ... Display apparatus 20 ... TFT circuit board 21 ... Substrate 22 ... Circuit part 23 ... Base protective layer 24 ... Driving TFT 241 ... Semiconductor layer 242 ... Gate insulating layer 243 ... Gate electrode 244 ... Source electrode 245 ... Drain electrode 25 ... First interlayer insulating layer 26 ... Second interlayer insulating layer 27 ... Wiring 31... First partition portion 32. Second partition portion 35. Partition portion 100. Droplet discharge device 101. Tank 102. Discharge scanning portion 103. Droplet discharge means 104 ... First position control device 105 ... Carriage 106. DESCRIPTION OF SYMBOLS 108 ... 2nd position control apparatus 110 ... Tube (liquid feeding tube) 112 ... Control means 114 ... Droplet discharge head (inkjet head) 116A, 116B ... Nozzle array 118 ... Nozzle (nozzle hole) 120 ... Cavity 122 ... Bulkhead 124 ... Vibrator 124A, 124B ... Electrode 124C ... Piezo element 126 ... Vibration plate 127 ... Discharge unit 128 ... Nozzle plate 129 ... Liquid pool 130 ... Supply port 131 ... Hole 1000 ... Display unit 1100 ... Personal computer 1102 ... Keyboard 1104 ... Main body 1106 ... Display unit 1200 ... Mobile phone 1202 ... Operation buttons 1204 ... Earpiece 1206 ... Mouthpiece 1300 ... Digital still camera 1302 ... Case ( (Body) 1304 ... Light receiving unit 1306 ... Shutter button 1308 ... Circuit board 1312 ... Video signal output terminal 1314 ... Input / output terminal for data communication 1430 ... TV monitor 144 ... personal computer

Claims (14)

ノズル孔から間欠的に液滴を吐出する液滴吐出法により、分散媒と微粒子状の量子ドットとを含み、前記量子ドットが前記分散媒中に分散してなる分散液を吐出し、受け面に所定パターンで付着させる吐出工程と、
前記受け面に付着した前記分散液から前記分散媒の少なくとも一部を除去する分散媒除去工程とを有することを特徴とする薄膜パターン形成方法。 A droplet discharge method in which droplets are intermittently discharged from a nozzle hole, including a dispersion medium and fine-particle quantum dots, and discharging a dispersion liquid in which the quantum dots are dispersed in the dispersion medium. A discharge step of attaching the substrate in a predetermined pattern;
A thin film pattern forming method comprising: a dispersion medium removing step of removing at least a part of the dispersion medium from the dispersion liquid adhered to the receiving surface. 前記液滴吐出法は、インクジェット法である請求項１に記載の薄膜パターン形成方法。   The thin film pattern forming method according to claim 1, wherein the droplet discharge method is an inkjet method. 前記量子ドットは、ＧａＮ、ＧａＰ、ＩｎＮ、ＩｎＰ、Ｇａ２Ｏ３、Ｇａ２Ｓ３、Ｉｎ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｓ３、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＣｄＯ、ＣｄＳ、またはこれらの混合物で構成されたものである請求項１または２に記載の薄膜パターン形成方法。 The quantum dots are composed of GaN, GaP, InN, InP, Ga 2 O 3 , Ga 2 S 3 , In 2 O 3 , In 2 S 3 , ZnO, ZnS, CdO, CdS, or a mixture thereof. The thin film pattern forming method according to claim 1 or 2. 前記分散液に含まれる前記量子ドットは、不活性な無機物の被覆層または有機配位子で構成された被膜で被覆されたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜パターン成形方法。   The thin film pattern forming method according to claim 1, wherein the quantum dots contained in the dispersion are coated with an inert inorganic coating layer or a coating made of an organic ligand. . 前記分散液中において、前記量子ドットの表面付近には分散剤が付着している請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法。   The thin film pattern forming method according to claim 1, wherein a dispersing agent is attached to the vicinity of the surface of the quantum dots in the dispersion. 前記分散液を、複数個の微小単位が行列状に配置するように吐出する請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法。   6. The thin film pattern forming method according to claim 1, wherein the dispersion liquid is discharged so that a plurality of minute units are arranged in a matrix. 前記分散媒除去工程において、前記受け面に付着させた前記分散液の頂部付近と底部付近とで温度差を生じさせることにより、前記分散液中において、対流を生じさせる請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法。   7. The convection is generated in the dispersion by causing a temperature difference between the vicinity of the top and the bottom of the dispersion adhered to the receiving surface in the dispersion medium removing step. The thin film pattern formation method of crab. 前記吐出工程において、互いに大きさの異なる前記量子ドットを含む複数種の前記分散液を、それぞれ、前記受け面に所定パターンで付着させる請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜パターン形成方法。   The thin film pattern forming method according to claim 1, wherein, in the discharging step, a plurality of types of the dispersion liquids including the quantum dots having different sizes are attached to the receiving surface in a predetermined pattern. ノズル孔から間欠的に液滴を吐出する液滴吐出法により、分散媒と微粒子状の量子ドットとを含み、前記量子ドットが前記分散媒中に分散してなる分散液を吐出して、受け面に所定のパターンで付着させ、前記受け面に付着した前記分散液から前記分散媒の少なくとも一部を除去して得られたことを特徴とする薄膜。   A droplet discharge method that intermittently discharges droplets from the nozzle holes discharges and receives a dispersion liquid that includes a dispersion medium and fine quantum dots, and in which the quantum dots are dispersed in the dispersion medium. A thin film obtained by adhering to a surface in a predetermined pattern and removing at least a part of the dispersion medium from the dispersion liquid adhering to the receiving surface. ノズル孔から間欠的に液滴を吐出する液滴吐出法により、分散媒と微粒子状の量子ドットとを含み、前記量子ドットが前記分散媒中に分散してなる分散液を吐出して、受け面に所定のパターンで付着させ、前記受け面に付着した前記分散液から前記分散媒の少なくとも一部を除去して得られた発光層を有することを特徴とする発光素子。   A droplet discharge method that intermittently discharges droplets from the nozzle holes discharges and receives a dispersion liquid that includes a dispersion medium and fine quantum dots, and in which the quantum dots are dispersed in the dispersion medium. A light emitting device comprising: a light emitting layer obtained by adhering to a surface in a predetermined pattern and removing at least a part of the dispersion medium from the dispersion liquid adhering to the receiving surface. 請求項１０に記載の発光素子を備えたことを特徴とする画像表示装置。   An image display device comprising the light emitting device according to claim 10. 前記発光層に通電する電極を有するものである請求項１１に記載の画像表示装置。   The image display device according to claim 11, further comprising an electrode for energizing the light emitting layer. 異なる色に発光する複数種の前記発光層を備え、これら複数種の発光層は、互いに異なる粒子径の量子ドットを含むものである請求項１１または１２に記載の画像表示装置。   13. The image display device according to claim 11, comprising a plurality of types of the light-emitting layers that emit light of different colors, and the plurality of types of light-emitting layers include quantum dots having different particle diameters. 請求項１１ないし１３のいずれかに記載の画像表示装置を備えたことを特徴とする電子機器。   An electronic device comprising the image display device according to claim 11.
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