JP2008284408A5 - - Google Patents
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Description
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。
すなわち、本発明は以下の通りである。
（１）被処理基材上の少なくとも片面に防汚層を形成する方法であって、該防汚層を形成する前に該被処理基材上の少なくとも片面を前処理前の水接触角ＣＡ１と前処理後の水接
触角ＣＡ２の比ＣＡ２／ＣＡ１が０．６〜０．９となるように前処理し、この前処理した表面にコロイダルシリカ（Ａ）及び／又は重合体エマルジョン（Ｂ）からなる防汚層を成膜することを特徴とする防汚層の形成方法。
（２）該前処理が、コロナ放電処理法であることを特徴とする（１）に記載の防汚層の形成方法。
すなわち、本発明は以下の通りである。
（１）被処理基材上の少なくとも片面に防汚層を形成する方法であって、該防汚層を形成する前に該被処理基材上の少なくとも片面を前処理前の水接触角ＣＡ１と前処理後の水接
触角ＣＡ２の比ＣＡ２／ＣＡ１が０．６〜０．９となるように前処理し、この前処理した表面にコロイダルシリカ（Ａ）及び／又は重合体エマルジョン（Ｂ）からなる防汚層を成膜することを特徴とする防汚層の形成方法。
（２）該前処理が、コロナ放電処理法であることを特徴とする（１）に記載の防汚層の形成方法。
（３）該コロイダルシリカ（Ａ）が加水分解性珪素化合物（ａ１）で表面処理されて得られることを特徴とする（１）又は（２）に記載の防汚層の形成方法。
（４）該重合体エマルジョン（Ｂ）が、水及び乳化剤の存在下に加水分解性珪素化合物（ｂ１）及び、２級及び／又は３級アミド基を有するビニル単量体（ｂ２）を重合して得られることを特徴とする（１）〜（３）の何れかに記載の防汚層の形成方法。
（５）該防汚層が光触媒活性を有する金属酸化物（Ｃ）を含有することを特徴とする（１）〜（４）の何れかに記載の防汚層の形成方法。
（６）該被処理基材が、有機基材であることを特徴とする（１）〜（５）の何れかに記載の防汚層の形成方法。
（４）該重合体エマルジョン（Ｂ）が、水及び乳化剤の存在下に加水分解性珪素化合物（ｂ１）及び、２級及び／又は３級アミド基を有するビニル単量体（ｂ２）を重合して得られることを特徴とする（１）〜（３）の何れかに記載の防汚層の形成方法。
（５）該防汚層が光触媒活性を有する金属酸化物（Ｃ）を含有することを特徴とする（１）〜（４）の何れかに記載の防汚層の形成方法。
（６）該被処理基材が、有機基材であることを特徴とする（１）〜（５）の何れかに記載の防汚層の形成方法。
Claims (6)
- 被処理基材上の少なくとも片面に防汚層を形成する方法であって、該防汚層を形成する前に該被処理基材上の少なくとも片面を前処理前の水接触角ＣＡ１と前処理後の水接触角ＣＡ２の比ＣＡ２／ＣＡ１が０．６〜０．９となるように前処理し、この前処理した表面にコロイダルシリカ（Ａ）及び／又は重合体エマルジョン（Ｂ）からなる防汚層を成膜することを特徴とする防汚層の形成方法。
- 該前処理が、コロナ放電処理法であることを特徴とする請求項１に記載の防汚層の形成方法。
- 該コロイダルシリカ（Ａ）が加水分解性珪素化合物（ａ１）で表面処理されて得られることを特徴とする請求項１又は２に記載の防汚層の形成方法。
- 該重合体エマルジョン（Ｂ）が、水及び乳化剤の存在下に加水分解性珪素化合物（ｂ１）及び、２級及び／又は３級アミド基を有するビニル単量体（ｂ２）を重合して得られることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の防汚層の形成方法。
- 該防汚層が光触媒活性を有する金属酸化物（Ｃ）を含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の防汚層の形成方法。
- 該被処理基材が、有機基材であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の防汚層の形成方法。
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