JP2008282895A - 半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】制御速度を向上させて、情報処理作業の迅速化を図る。
【解決手段】左右の側壁に夫々所要数の半円状の切欠部3、3、3・・・を設けたシリコンインターポーザー2の表裏両面に、印刷によって再配線回路4、5を形成する。また該再配線回路4、5を前記切欠部3、3、3・・・内に施したメッキ6、6により電気的に接続する。シリコンインターポーザー2の中央にメモリコントローラIC7を形成して前記再配線回路5に接続する。シリコンインターポーザー2の表面にメモリIC8を載せ、その電極部をはんだバンプ9、9、9をもって前記再配線回路4に接続する。
【選択図】図3
【解決手段】左右の側壁に夫々所要数の半円状の切欠部3、3、3・・・を設けたシリコンインターポーザー2の表裏両面に、印刷によって再配線回路4、5を形成する。また該再配線回路4、5を前記切欠部3、3、3・・・内に施したメッキ6、6により電気的に接続する。シリコンインターポーザー2の中央にメモリコントローラIC7を形成して前記再配線回路5に接続する。シリコンインターポーザー2の表面にメモリIC8を載せ、その電極部をはんだバンプ9、9、9をもって前記再配線回路4に接続する。
【選択図】図3
Description
本発明は、メモリICと該メモリICを制御するメモリコントローラICとを一体化し、パーソナルコンピュータやデジタルスチルカメラ等に着脱可能に装着して使用するシリコンディスク或いはメモリーカードと称される外部記憶装置の部品として用いられる半導体パッケージに関するものである。
パーソナルコンピュータやデジタルスチルカメラ等に着脱可能に装着して使用するシリコンディスク或いはメモリーカードと称される外部記憶装置には、その部品として、絶縁基板と、メモリICと、該メモリICを制御するメモリコントローラICを使用した半導体パッケージが用いられる。
図5には斯かる半導体パッケージの従来例を示しており、図において100は半導体パッケージである。そして、該半導体パッケージ100は、絶縁基板101の上に絶縁性接着剤102を介してメモリIC103を載せると共に、更に該メモリIC103の上に絶縁性接着剤104を介してメモリコントローラIC105を載せ、これら重なったメモリIC103とメモリコントローラIC105の夫々の電極パッド103a、103a、105a、105aをワイヤー106、107をもって絶縁基板101の上面に形成した再配線回路108の電極部108aに接続し、この状態において封止樹脂109によりモールドしてなるものである。
しかし、斯かる従来の半導体パッケージには、次の如き問題点がある。それは、メモリIC103とメモリコントローラIC105との電気的接続を、ワイヤー106、107を介して行っていることによるものである。このようにワイヤー106、107を介して電気的な接続を行う場合には、どうしても厚みが大きくなり、自ずと部品自体が大嵩となるため、使用できる製品に限界がある。また、メモリコントローラIC105によるメモリIC103に対する制御速度が遅く、情報処理作業を迅速に行うことができない。
本発明は上記の点に鑑みなされたものであって、メモリコントローラICとメモリICとの電気的接続を直接的に行うようになして、従来に比してはるかに小型化すると共に、制御速度を向上させることができ、もって情報処理作業の迅速化を図ることができるようになした半導体パッケージを提供せんとするものである。
而して、本発明の要旨とするところは、メモリコントローラICのシリコンインターポーザー部分の左右の側壁に夫々所要数の半円状の切欠部を設けると共に、該シリコンインターポーザー部分の表裏両面に再配線回路を形成し、該シリコンインターポーザー部分の表裏両面の再配線回路を前記切欠部内にメッキ等により施した導体により電気的に接続し、前記メモリコントローラICを前記再配線回路に接続する一方、前記メモリコントローラICの表面にメモリICを載せ、該メモリICの電極部をはんだバンプをもって前記再配線回路に接続してなることを特徴とする半導体パッケージにある。尚、前記メモリコントローラICはシリコンインターポーザーの中央に設けることが望ましい。
本発明は上記の如き構成であり、メモリICをメモリコントローラICの表面に載せ、その電極部をはんだバンプをもってシリコンインターポーザーに形成された再配線回路に接続したものであるから、メモリコントローラICとメモリICとの電気的接続を直接化することができるものである。したがって、従来のワイヤーを介して行う場合に比してはるかに小型化することができると共に、制御速度を向上させることができ、もって情報処理作業の迅速化を図ることができるものである。
本発明を実施するための最良の形態は、メモリコントローラICのシリコンインターポーザー部分の左右の側壁に夫々所要数の半円状の切欠部を設けると共に、前記シリコンインターポーザーの表裏両面に再配線回路を形成すると共に、該表裏両面の再配線回路を前記切欠部内に施したメッキ等により施した導体により電気的に接続し、前記メモリコントローラICの表面にメモリICを載せ、該メモリICの電極部をはんだバンプをもって前記再配線回路に接続することにある。尚、前記メモリコントローラICはシリコンインターポーザーの中央部に設けることが望ましい。
以下、本発明の実施例について説明する。
図1は本発明の一実施例の斜視図、図2は同平面図、図3は図2中A−A線断面図である。
図1は本発明の一実施例の斜視図、図2は同平面図、図3は図2中A−A線断面図である。
図中、1は半導体パッケージである。2はシリコンインターポーザーである。また、該シリコンインターポーザー2は、左右の側壁に夫々所要数の半円状の切欠部3、3、3・・・を設けている。更にまた、該シリコンインターポーザー2は、その表裏両面に印刷によって再配線回路4、5を形成すると共に、該表裏両面の再配線回路4、5を前記切欠部3、3、3・・・内に施した銅メッキ6、6によって電気的に接続している。尚、メモリコントローラICにおけるシリコンインターポーザー2はダイニングラインを大きめにとり、その空間部をインターポーザーとしたものである。
7は前記シリコンインターポーザー2の裏面中央に形成したメモリコントローラICである。したがって、メモリコントローラICとメモリIC8との間にはシリコンインターポーザーの一部が介在している。そしてまた、該メモリコントローラIC7は、前記シリコンインターポーザー2に形成した再配線回路5に接続している。
8は前記シリコンインターポーザー2の表面に載せたメモリICであり、その電極部(図示せず。)をはんだバンプ9、9、9・・・をもって前記シリコンインターポーザー2の表面に形成した再配線回路4に接続している。尚、該メモリIC8は、図示はしないが、電極部に接続された再配線回路8を形成すると共に該再配線回路上にはんだ等の導電材による熱応力緩和ポストを形成し、該熱応力緩和ポスト上にはんだバンプを形成してなるものである。
上記実施例によれば、メモリコントローラIC7とメモリIC8との電気的接続を直接化することができるものである。したがって、従来のワイヤーを介して行う、所謂ワイヤボンディングの場合に比してはるかに小型化することができると共に、制御速度を向上させることができ、もって情報処理作業の迅速化を図ることができるものである。
以下、本発明の第2実施例について説明する。
図4は本発明の第2実施例の断面図である。
図4は本発明の第2実施例の断面図である。
この実施例が第1実施例と異なる点は、第1実施例ではメモリコントローラIC7とメモリIC8との間にインターポーザーの一部が介在しているが、第2実施例ではインターポーザーの中央部に、これが存在しないように形成した点である。その他の構成は、第1実施例と同様であるので、同一の部材には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
1 半導体パッケージ
2 シリコンインターポーザー
3、3、3 半円状の切欠部
4、5 再配線回路
6 銅メッキ
7 メモリコントローラIC
8 メモリIC
9、9、9 はんだバンプ
2 シリコンインターポーザー
3、3、3 半円状の切欠部
4、5 再配線回路
6 銅メッキ
7 メモリコントローラIC
8 メモリIC
9、9、9 はんだバンプ
Claims (3)
- メモリコントローラICのシリコンインターポーザー部分の左右の側壁に夫々所要数の半円状の切欠部を設けると共に、該シリコンインターポーザー部分の表裏両面に再配線回路を形成し、該シリコンインターポーザー部分の表裏両面の再配線回路を前記切欠部内にメッキ等により施した導体により電気的に接続し、前記メモリコントローラICを前記再配線回路に接続する一方、前記メモリコントローラICの表面にメモリICを載せ、該メモリICの電極部をはんだバンプをもって前記再配線回路に接続してなることを特徴とする半導体パッケージ。
- 前記シリコンインターポーザーの中央部にメモリコントローラICを形成してなることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ。
- 前記シリコンインターポーザーの裏面中央部にメモリコントローラICを形成してなることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
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Family Applications (1)
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140089609A1 (en) * | 2012-09-26 | 2014-03-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Interposer having embedded memory controller circuitry |
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-
2007
- 2007-05-09 JP JP2007124172A patent/JP2008282895A/ja active Pending
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