JP2008277710A - 受光素子およびそれを備えた表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】受光感度を向上させることのできる受光素子およびそれを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】基板10の一面側にp型半導体よりなるP領域20と、n型半導体よりなるN領域30と、そのP領域20およびN領域30の間に設けられたi型半導体よりなるI領域40とを有している。P領域20はアノード電極21と、N領域はカソード電極31と接続されている。I領域40の側面側に反射膜を有している。これにより、効率よく受光することができる。
【選択図】図1
【解決手段】基板10の一面側にp型半導体よりなるP領域20と、n型半導体よりなるN領域30と、そのP領域20およびN領域30の間に設けられたi型半導体よりなるI領域40とを有している。P領域20はアノード電極21と、N領域はカソード電極31と接続されている。I領域40の側面側に反射膜を有している。これにより、効率よく受光することができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、受光素子およびその受光素子を備えた表示装置に関する。
近年、液晶表示装置や有機EL表示装置などの表示装置において、表示画像の明るさやコントラストを検出して制御するためにフォトダイオードなどの受光素子が広く用いられている。このフォトダイオードは、表示装置においてTFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)などの駆動回路を有する表示素子と共に搭載されるので、小型化が要求され、かつ製造工程の簡略化が求められている。
特許文献1では、平面形状のPIN型フォトダイオードを形成する技術が開示されている。図21にその平面形状のPIN型フォトダイオードの断面構成を模式的に示す。このPIN型フォトダイオードでは、透明基板100面上に形成された多結晶シリコンからなるp型半導体領域110およびn型半導体領域120と、その間の透明基板100面上に形成された多結晶シリコンからなるi型半導体(真性半導体)領域130とを備えている。
特開平6−275808号公報
しかしながら、上記したような平面形状のPIN型フォトダイオードでは、i型半導体領域の基板面またはその反対面側が実質的な受光面となるため、その受光面に応じた受光量しか得られず、十分な受光感度が得られていなかった。このため、平面形状のPIN型フォトダイオードを表示装置に搭載した場合に、表示画像の明るさやコントラストを精度よく検出することが困難であった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、受光感度を向上させることができる受光素子およびそれを備えた表示装置を提供することにある。
本発明の受光素子は、素子形成面上に形成された第1導電型半導体領域と、その素子形成面上に形成された第2導電型半導体領域と、第1導電型半導体領域と第2導電型半導体領域との間の素子形成面上に、これらの2つの半導体領域よりも不純物濃度が低く形成された中間半導体領域と、中間半導体領域の側面側に素子形成面と交差する方向に延びる反射膜とを有するものである。
本発明の表示装置は、配列された複数の表示素子および受光素子を備えたものであって、受光素子が、素子形成面上に形成された第1導電型半導体領域と、その素子形成面上に形成された第2導電型半導体領域と、第1導電型半導体領域と第2導電型半導体領域との間の素子形成面上に、これらの2つの半導体領域よりも不純物濃度が低く形成された中間半導体領域と、中間半導体領域の側面側に素子形成面と交差する方向に延びる反射膜とを有するものである。
本発明の受光素子では、中間半導体領域の側面側に素子形成面と交差する方向に延びる反射膜を有することから、中間半導体領域の受光面に直接入射する光と共に、反射膜で反射された光が中間半導体領域に入射する。これにより受光量が増大する。
本発明の表示装置では、上記した受光素子を備えるので、光強度の変化を精度よく検出することができる。
本発明の受光素子によれば、中間半導体領域の側面側に素子形成面と交差する方向に延びる反射膜を有することで、効率よく受光することができるので、受光感度を向上させることができる。
本発明の表示装置によれば、上記の受光素子を備えるので、その高精度の検出結果に基づいて制御することにより表示特性を向上させることができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
[第1の実施の形態]
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る表示装置に搭載される受光素子の一断面を模式的に表し、図2は、図1における受光素子1のII−II線に沿った断面を表している。受光素子1は、基板10と、その一面側に設けられた第1導電型半導体領域としてのP領域20と、P領域20と基板10の同一面側に設けられた第2導電型半導体領域としてのN領域30と、P領域20およびN領域30の間に設けられた中間半導体領域としてのI領域40とを備えている。P領域20、N領域30およびI領域40は、絶縁層50により覆われている。P領域20はアノード電極21と、N領域30はカソード電極31と接続されている。また、受光素子1は、I領域40の側面40A側に光を入射させる反射膜60を備えている。この受光素子1は、いわゆるPIN型フォトダイオードを有する光センサである。受光素子1では、アノード電極21とカソード電極31との間に通常動作時に印可される電圧範囲内の逆バイアス電圧が電圧源(図示せず)により印可されており、この逆バイアス電圧により、I領域40において空乏層が形成される。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る表示装置に搭載される受光素子の一断面を模式的に表し、図2は、図1における受光素子1のII−II線に沿った断面を表している。受光素子1は、基板10と、その一面側に設けられた第1導電型半導体領域としてのP領域20と、P領域20と基板10の同一面側に設けられた第2導電型半導体領域としてのN領域30と、P領域20およびN領域30の間に設けられた中間半導体領域としてのI領域40とを備えている。P領域20、N領域30およびI領域40は、絶縁層50により覆われている。P領域20はアノード電極21と、N領域30はカソード電極31と接続されている。また、受光素子1は、I領域40の側面40A側に光を入射させる反射膜60を備えている。この受光素子1は、いわゆるPIN型フォトダイオードを有する光センサである。受光素子1では、アノード電極21とカソード電極31との間に通常動作時に印可される電圧範囲内の逆バイアス電圧が電圧源(図示せず)により印可されており、この逆バイアス電圧により、I領域40において空乏層が形成される。
基板10では、透明基板11の一面側に沿って窒化シリコン膜12が形成され、その窒化シリコン膜12の上に、酸化シリコン膜13が積層されている。また、基板10には、透明基板11と窒化シリコン膜12との間に、I領域40へ入射する光を遮るように遮光膜14が設けられている。
透明基板11は、例えば、ガラス、プラスチック、石英、酸化アルミニウムなどの透明(光透過性)材料により構成されている。
窒化シリコン膜12および酸化シリコン膜13は、いわゆる絶縁膜である。図1では二層としているが、いずれか一層としてもよい。また、酸化シリコン膜13の上に窒化シリコン膜12を形成するようにしてもよい。この絶縁性の材料としては、上記の他に、酸窒化シリコン(SiON)などが挙げられる。これらは単独層を積層してもよいし、複数の材料を用いて混合層としてもよい。
遮光膜14は、光(特に可視域の光)を透過しない材料により構成されており、透明基板11の遮光膜14を設けた面と逆側の面からI領域40へ入射する光を遮るように、透明基板11と窒化シリコン膜12との間に配置されている。すなわち、本実施の形態では、受光方向が絶縁層50側にほとんど制限されている。遮光膜14の材料としては、例えば、アルミニウム(Al)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、銅(Cu)あるいはチタン(Ti)などの金属、またはそれらの化合物などが挙げられる。
なお、この遮光膜14は、上記したように受光素子1の受光方向を制限するものであるので、基板10および絶縁層50の両側から受光させるのであれば設ける必要はない。また、例えば、表示装置として透過型液晶表示装置のバックライトの光量検出に受光素子1を用いる場合には、表示素子のブラックマトリクスを遮光膜14としてもよい。
P領域20は、酸化シリコン膜13の上にI領域40と接して形成されており、p型不純物が注入されたp型半導体により構成されている。p型不純物は、例えば、ホウ素などである。このp型半導体は、例えば、結晶質半導体により構成されているのが好ましい。キャリヤの移動度を高くすることができるからである。結晶質半導体としては、多結晶シリコン(ポリシリコン)が挙げられる。多結晶シリコンによりなるP領域は、例えば、非晶質シリコン(アモルファスシリコン)をCVD(Chemical Vapor Deposition)法などにより製膜し、エキシマレーザなどのレーザ光を照射し、溶融固化することにより形成することができる。このため、表示装置が受光素子1を搭載する場合、TFTなどの駆動回路と共に同一基板上に製造することができるので好ましい。アノード電極21は、P領域20と電気的に接続されており、導電性の材料により構成されている。
N領域30は、酸化シリコン膜13の上にI領域40と接して形成されており、n型不純物が注入されたn型半導体により構成されている。n型不純物は、例えば、リンなどである。このn型半導体は、例えば、結晶質半導体により構成されているのが好ましい。キャリヤの移動度を高くすることができるからである。結晶質半導体としては、多結晶シリコンが挙げられる。多結晶シリコンによりなるN領域は、例えば、P領域20と同様の製造方法により形成することができるので好ましい。カソード電極31は、N領域30と電気的に接続されており、アノード電極21と同様に導電性の材料により構成されている。
I領域40は、受光素子1の受光領域であり、P領域20およびN領域30の間の酸化シリコン膜14の上に、これらの領域と接して形成されている。I領域40は、P領域20およびN領域30よりも不純物(p型不純物およびn型不純物)濃度が低いi型半導体により構成されている。I領域40は、非晶質半導体層を含んでいるのが好ましい。可視光領域において同じ厚さの多結晶シリコンと非晶質シリコンとの吸収係数とを比較すると、例えば、図3で表されるように、非晶質シリコンのほうが可視光域にかけての吸収係数が高い。この吸収係数の関係から、I領域40が非晶質半導体層を含むことにより、広い波長域の可視光を吸収することができることが判明した。このため、受光感度を向上させることができる。この非晶質半導体層の材料としては、非晶質シリコンまたは炭化シリコンが好ましい。より高い効果が得られるからである。
絶縁層50は、アノード電極21の接合面を除いたP領域20、カソード電極31の接合面を除いたN領域30およびI領域40を覆うように形成されている。絶縁層50の材料としては、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコンまたは窒化シリコンなどが挙げられる。これらは単独の材料を用いてもよいし、複数の材料を用いて混合層としてもよい。
絶縁層51は、以下に記す反射膜60に傾斜を付与するものであり、絶縁層50と同様の材料により構成されている。
反射膜60は、I領域40の側面40A側から光をI領域40に入射させるものであり、基板10面に対して傾斜した方向に延びている。また、反射膜60は、P領域20、N領域30およびI領域40と、アノード電極21およびカソード電極31と所定の間隔を有し、かつP領域20、N領域30およびI領域40の配列方向に対して直交する方向に配置されている。この反射膜60は、可視域の光を反射可能な金属などの材料により構成されている。
次に、図4を参照して上記した受光素子1を備える表示装置について説明する。図4は、図1および図2に示した受光素子1を備える表示装置の回路構成を表している。
この表示装置は、表示部70と、表示信号ドライバ71と、表示信号スキャナ72と、センサ入力側スキャナ73と、センサ出力側ドライバ74とを含んで構成されている。この表示装置は、表示データに基づく所定の画像を表示する機能(表示機能)を有すると共に、受光素子1(76)を備えることで表示部70に接触または近接する物体を撮像する機能(撮像機能)を有する、いわゆるI/Oディスプレイである。
表示部70は、表示データに基づく所定の画像を表示すると共に表示部70に接触または近接する物体を撮像する領域である。この表示部70には複数の画素Gが設けられ、各画素Gには、表示素子(図示せず)とその表示素子を駆動する駆動回路75と受光素子76(1)とがそれぞれ配置されている。表示素子としては、例えば、液晶表示素子が挙げられる。
表示信号ドライバ71は、表示駆動用の表示信号に基づいて、表示信号スキャナ72と共に表示部70内の各画素Gの駆動回路75により表示素子を線順次駆動するものである。
センサ入力側スキャナ73は、表示部70内の各画素Gの受光素子76を線順次受光駆動し、センサ出力側ドライバ74に受光信号を取得させるものである。センサ出力側ドライバ74は、センサ入力側スキャナ73によって、線順次受光駆動された受光素子76より受光信号を取得するものである。
次に、本実施の形態の表示装置の動作(表示機能および撮像機能)について図1および図4を参照して説明する。
この表示装置では、表示機能においては、表示データに基づいて生成された表示駆動用の表示信号が表示信号ドライバ71および表示信号スキャナ72に入力される。この入力された表示信号に基づいて表示部70内の各画素Gの駆動回路75により表示素子を線順次駆動することにより、画像が表示される。
一方、撮像機能においては、表示部70に接触または近接する物体(例えば、指先など)がある場合、センサ入力側スキャナ73による線順次受光駆動により、選択される各線ごとの各画素Gの受光素子76において、その物体により反射した光による光強度の変化(受光領域)を検知する。
光強度の変化を検知する際、受光素子76では、絶縁層50側から空乏層が形成されたI領域40に光が入射する。この入射した光のエネルギーを吸収することで、電離作用によりキャリヤ(電子と正孔)が生じる。さらに、絶縁層50側からの光が反射膜60により反射され、側面40A側からI領域40に入射する。この反射膜60により入射した光のエネルギーによってもキャリヤが生じる。そして、これらのキャリヤが正極(アノード電極21)および負極(カソード電極31)に移動することで電流が流れ、光強度に応じた受光信号として検出される。
この受光信号は、各受光素子76からセンサ出力側ドライバ74へ出力される。図5は、表示部70の受光領域Aにおいて検出される受光信号の一例を模式的に表している。センサ入力側スキャナ73により線順次受光駆動される各線の中でX1−X2線上における受光素子76が駆動された場合、受光信号は、例えば、図5に示した実線のように出力される。
このように出力された受光信号を撮像画像として画像処理などを行うことで表示部70に接触または近接する物体に関する情報(位置座標データ、物体の形状や大きさに関するデータなど)が検出される。
この受光素子1(76)によれば、I領域40の側面側から光を入射させる反射膜60を有するので、受光量を増加させることができる。これにより光電変換効率を向上させることができる。よって、反射膜を有さない受光素子(図21に示した受光素子)と比較して受光感度を向上させることができる。また、P領域20およびN領域30が結晶質半導体により構成され、I領域40が非晶質半導体層を含んでいれば、図3に示した吸収係数の関係から、より高い受光感度が得られる。
この表示装置によれば、上記した受光素子1を備えるので、光強度の変化を精度よく検出することができ、その検出結果に基づいて制御することにより表示特性を向上させることができる。
なお、上記した表示装置では、表示部70内の各受光素子76を線順次受光駆動し、受光信号を取得しているが、従来の抵抗分割方式のタッチパネルと同様の方式で受光信号を取得するようにしてもよい。その場合、例えば、図6で表される回路構成となる。この表示装置では、表示機能においては、上記した表示装置と同様にして画像が表示される。一方、撮像機能においては、表示部70に接触または近接する物体がある場合、その物体により反射した光による光強度の変化(受光領域B)を受光素子76が受光信号として検知する。この受光信号は、センサ出力Y側77およびセンサ出力X側78に、例えば図6に示したように出力される。このように出力された受光信号を撮像画像として画像処理などを行うことで表示部70に接触または近接する物体に関する情報(位置座標データ、物体の形状や大きさに関するデータなど)が検出される。この表示装置によれば、上記した受光素子76(1)を備えるので、従来の表示装置(図21に示した受光素子を搭載した表示装置)と比較して、より高い効果が得られる。
次に、第1の実施の形態の変形例について説明するが、第1の実施の形態と共通の構成要素については、同一の符号を付して説明は省略する。
[第1の実施の形態の変形例]
第1の実施の形態の変形例としての表示装置に搭載される受光素子は、遮光膜14の構成が異なる点を除き、第1の実施の形態と同様の構成を有している。
第1の実施の形態の変形例としての表示装置に搭載される受光素子は、遮光膜14の構成が異なる点を除き、第1の実施の形態と同様の構成を有している。
遮光膜14は、導電性の材料により構成されている。これにより窒化シリコン膜12および酸化シリコン膜13の絶縁膜を介してI領域40に電圧を印可可能となる。遮光膜14によりI領域40に電圧が印可された場合、アノード電極21とカソード電極31との間に印可されている逆バイアス電圧の電圧勾配が緩和され、逆バイアス電圧をかけることにより流れる暗電流が低減される。よって、遮光膜14をI領域40に電圧が印可可能な電極とすることで駆動を制御することができる。
この受光素子(遮光膜14を電極(セレクタ電極)として備える受光素子)を備える表示装置は、例えば、図4に示した回路構成を有している。
この表示装置では、表示機能においては、上記した表示装置と同様にして画像が表示される。一方、撮像機能においては、表示部70に接触または近接する物体(例えば、指先など)がある場合、センサ入力側スキャナ73による線順次受光駆動により選択される各線ごとの各受光素子76の中から、セレクタ電極により駆動を制御するための駆動制御線(図示せず)により、駆動する受光素子76が個別に選択される。選択された受光素子76は、その物体により反射した光による光強度の変化(受光領域)を検知し、光強度に応じた受光信号として検出する。この受光信号は、センサ出力側ドライバ74へ出力される。
このように出力された受光信号を撮像画像として画像処理などを行うことで表示部70に接触または近接する物体に関する情報(位置座標データ、物体の形状や大きさに関するデータなど)が検出される。
第1の実施の形態の変形例によれば、遮光膜14をI領域40に電圧が印可可能な電極とし、受光素子76の制御を可能にしたので、複数の受光素子の中から駆動するものを個別に選択することができる。よって、精度よく多点検知することが可能になる。また、この電極(セレクタ電極)により選択されていない(電圧が印可されている)受光素子1のI領域40が光を吸収した際に生じるリーク電流を抑制することができる。これにより、図5に示した破線のような受光信号が得られる。すなわち、受光素子1にセレクタ電極がない場合と比較して、S/N比が向上し、読み取り精度(分解能)を向上させることが可能になる。さらに、遮光膜14をセレクタ電極として使用することにより、セレクタ電極を別に設ける必要が無くなるため、製造コストの面でも有利となる。
以下に、本発明の他の実施の形態を説明するが、共通の構成要素については、同一の符号を付して説明は省略する。
[第2の実施の形態]
図7は、第2の実施の形態に係る表示装置に搭載される受光素子2の一断面を模式的に表し、図8は、図7における受光素子2のVIII−VIII線に沿った断面を表している。受光素子2は、絶縁層52および反射膜61がI領域40を介して絶縁層51および反射膜60と対称となるように設けられている点を除き、受光素子1と同様の構成を有している。
図7は、第2の実施の形態に係る表示装置に搭載される受光素子2の一断面を模式的に表し、図8は、図7における受光素子2のVIII−VIII線に沿った断面を表している。受光素子2は、絶縁層52および反射膜61がI領域40を介して絶縁層51および反射膜60と対称となるように設けられている点を除き、受光素子1と同様の構成を有している。
絶縁層52は、反射膜61に傾斜を付与するものであり、絶縁層50および絶縁層51と同様の材料により構成されている。
反射膜61は、I領域40の側面40B側からI領域40に光を入射させるものであり、基板10面に対して傾斜した方向に延びている。また、反射膜61は、P領域20、N領域30およびI領域40と、アノード電極21およびカソード電極31と所定の間隔を有して配置されている。この反射膜61は、反射膜60と同様の材料により構成されている。
この受光素子2では、絶縁層50側から空乏層が形成されたI領域40に光が入射し、この光のエネルギーを吸収することで、電離作用によりキャリヤ(電子と正孔)が生じる。また絶縁層50側からの光が反射膜60により反射され、側面40A側からI領域40に入射する。さらに絶縁層50側からの光が反射膜61により反射され、側面40B側からもI領域40に入射する。反射膜60および反射膜61により入射した光のエネルギーによってもキャリヤが生じる。そして、これらのキャリヤが正極および負極に移動することで電流が流れ、光強度に応じた受光信号として検出される。
この受光素子2によれば、I領域40の側面側から光を入射させる反射膜60および反射膜61を有するので、いずれか一方の反射膜を有する場合より、さらに受光量を増加させることができる。これにより光電変換効率をより向上させることができる。よって、受光素子1と比較して受光感度をより向上させることができる。
この受光素子2を搭載した表示装置の回路構成および動作は、第1の実施の形態と同様である。
この表示装置によれば、受光素子2を備えるので、第1の実施の形態の表示装置(受光素子1を搭載した表示装置)と比較して、表示特性をより向上させることができる。
[第2の実施の形態の変形例]
図9は第2の実施の形態の変形例としての表示装置に搭載される受光素子の一断面を模式的に表し、図10は図9における受光素子3のX−X線に沿った断面を表している。この受光素子3は、絶縁層50と、P領域20、N領域30およびI領域40との間に各領域を覆う反射防止膜53を設けた点を除き、第2の実施の形態と同様の構成を有している。
図9は第2の実施の形態の変形例としての表示装置に搭載される受光素子の一断面を模式的に表し、図10は図9における受光素子3のX−X線に沿った断面を表している。この受光素子3は、絶縁層50と、P領域20、N領域30およびI領域40との間に各領域を覆う反射防止膜53を設けた点を除き、第2の実施の形態と同様の構成を有している。
反射防止膜53は、絶縁層50とP領域20、N領域30およびI領域40との間に、アノード電極21との接合面を除いたP領域20、カソード電極31との接合面を除いたN領域30、およびI領域40を覆うように設けられている。この反射防止膜53を設けることにより、絶縁層50側から入射する光がP領域20、N領域30およびI領域40の絶縁層50側の表面で反射することが抑制される。これによりI領域40に入射する光量を確保することができる。よって、より高い受光感度が得られる。反射防止膜53は、例えば、酸窒化シリコンなどの材料により構成されている。
この受光素子3では、絶縁層50側からの光(反射膜60および反射膜61により反射した光も含む)がP領域20、N領域30およびI領域40の表面において反射するのを反射防止膜53により抑制し、反射されなかった光がI領域40に入射する。この入射した光のエネルギーを吸収し、電離作用によりキャリヤが生じる。このキャリヤが正極および負極に移動することで電流が流れ、信号が検出される。
この受光素子3によれば、I領域40の側面側から光を入射させる反射膜60および反射膜61と共に、P領域20、N領域30、およびI領域40を覆う反射防止膜53を設けることで、I領域40の受光量を増加させ、I領域40内に入射する光量も増加させることができる。これにより光電変換効率をより向上させることができる。よって、受光素子2と比較して受光感度をより向上させることができる。
この受光素子3を搭載した表示装置の回路構成および動作は、第1の実施の形態と同様である。
この表示装置によれば、受光素子3を備えるので、第2の実施の形態の表示装置(受光素子2を搭載した表示装置)と比較して、表示特性をより向上させることができる。
なお、反射防止膜53は、絶縁膜を介してI領域40に電圧を印可可能となるようにしてもよい。その場合の構成としては、例えば、図11および図12で表される受光素子3Aの構成が挙げられる。図11は、受光素子3Aの一断面を表し、図12は図11における受光素子3AのXII−XII線に沿った断面を表している。受光素子3Aの反射防止膜53は、アノード電極21との接合面を除いたP領域20、カソード電極31との接合面を除いたN領域30およびI領域40を覆うように形成された絶縁膜53Aと、絶縁膜53Aを介してI領域40の絶縁層50側の面と対向するように形成されている導電膜53Bとを有している。これにより、遮光膜14が絶縁膜(窒化シリコン膜12および酸化シリコン膜13)を介してI領域40に電圧を印可可能とする場合と同様の作用および効果が得られ、表示装置に受光素子3Aを搭載した場合にも、セレクタ電極として同様の作用および効果が得られる。絶縁膜53Aの材料としては、例えば、酸窒化シリコンなどが挙げられる。導電膜53Bとしては、例えば、酸化インジウム錫(ITO:Indium Tin Oxide)などの透明電極材料や、酸化亜鉛などの透明酸化物半導体材料などが挙げられる。なお、反射防止膜53が図11および図12に示した構成を有し、導電膜53Bをセレクタ電極とする場合、遮光膜14はその電極として機能しなくてもよい。
[第3の実施の形態]
図13は第3の実施の形態に係る表示装置に搭載される受光素子の一断面を模式的に表し、図14は図13における受光素子4のXIV−XIV線に沿った断面を表している。受光素子4は、基板10に反射膜15を設けた点を除き、受光素子3と同様の構成を有している。基板10は、透明基板11と窒化シリコン膜12との間に反射膜15を有している。
図13は第3の実施の形態に係る表示装置に搭載される受光素子の一断面を模式的に表し、図14は図13における受光素子4のXIV−XIV線に沿った断面を表している。受光素子4は、基板10に反射膜15を設けた点を除き、受光素子3と同様の構成を有している。基板10は、透明基板11と窒化シリコン膜12との間に反射膜15を有している。
反射膜15は、透明基板11と窒化シリコン膜12との間に遮光膜14を覆うように形成されている。これにより、I領域40で吸収されずに通過した光を反射膜15で反射させ、再度、I領域40に入射させることができる。よって、より高い受光感度が得られる。このため、反射膜15は、透明基板11とI領域40との間に形成されていれば十分な効果が得られる。反射膜15は、反射膜60および反射膜61と同様の材料により構成されている。なお、図13および図14では、反射膜15と透明基板11との間に遮光膜14を設けているが、反射膜15が透明基板11側からI領域40へ入射する光を十分に遮ることができるのであれば、遮光膜14は設けなくてもよい。
この受光素子4では、絶縁層50側から空乏層が形成されたI領域40に光が入射し、この光のエネルギーを吸収することで、電離作用によりキャリヤが生じる。また絶縁層50側からの光が反射膜60および反射膜61により反射され、側面40A側および側面40B側からI領域40に入射する。反射膜60および反射膜61により入射した光のエネルギーによってもキャリヤが生じる。一方、I領域40において吸収されなかった光は通過し、I領域40から射出される。射出した光が反射膜15により反射され、再度、I領域40に入射しキャリヤが生じる。そして、これらのキャリヤが正極および負極に移動することで電流が流れ、信号が検出される。
この受光素子4によれば、I領域40の側面側から光を入射させる反射膜60および反射膜61と共に、基板10に反射膜15を設けることで、I領域40の受光量を増加させ、効率よく吸収させることができる。これにより、光電変換効率をより向上させることができる。よって、受光素子3と比較してより高い受光感度を得ることができる。
この受光素子4を搭載した表示装置の回路構成および動作は、第1の実施の形態と同様である。
この表示装置によれば、受光素子4を備えるので、第2の実施の形態の表示装置(受光素子2を搭載した表示装置)と比較して、表示特性をより向上させることができる。
なお、反射膜15は、遮光膜14や受光素子3Aの導電膜53Bと同様にI領域40に電圧を印可可能な電極(セレクタ電極)としてもよい。これにより遮光膜14および導電膜53Bをセレクタ電極として用いるのと同様の作用および効果が得られる。ただし、その場合、反射膜15は受光素子ごとに分割されている。なお、反射膜15を上記したセレクタ電極として使用する場合、遮光膜14はその電極として機能しなくてもよい。
また、受光素子4は、受光素子3と同様に絶縁層50と、P領域20、N領域30およびI領域40との間に反射防止膜を備えた構成としてもよい。その場合、各領域の表面における光の反射が抑制され、より高い効果が得られる。
[第4の実施の形態]
図15は第4の実施の形態に係る表示装置に搭載される受光素子の一断面を模式的に表し、図16は図15における受光素子5のXVI−XVI線に沿った断面を表している。受光素子5は、絶縁層50内に反射膜62を設けた点を除き、受光素子4と同様の構成を有している。
図15は第4の実施の形態に係る表示装置に搭載される受光素子の一断面を模式的に表し、図16は図15における受光素子5のXVI−XVI線に沿った断面を表している。受光素子5は、絶縁層50内に反射膜62を設けた点を除き、受光素子4と同様の構成を有している。
反射膜62は、絶縁層50内に、I領域40を介して反射膜15と対向するように形成されている。すなわち、受光素子5では、反射膜15および反射膜62の間にI領域40が挟み込まれるようになっている。これにより、I領域40に入射した光を反射膜15および反射膜62の間で多重反射させることができる。よってより高い受光感度が得られる。なお、図15および図16では反射膜62とアノード電極21およびカソード電極31とが離れて配置されているが、反射膜62はアノード電極21およびカソード電極31と接続されていてもよい。
この受光素子5では、絶縁層50側からの光が反射膜60および反射膜61により反射されI領域40の側面40A側および側面40B側からI領域40に入射する。この入射した光のエネルギーを吸収することで、電離作用によりキャリヤが生じる。一方、I領域40を通過した光は、反射膜15と反射膜62との間で多重反射され、その間に光のエネルギーの吸収が起こる。この多重反射の際に吸収された光のエネルギーによってもキャリヤが生じる。そして、これらのキャリヤが正極および負極に移動することで電流が流れ、信号として検出される。
この受光素子5によれば、I領域40の側面側から光を入射させる反射膜60および反射膜61と共に、I領域40を挟み込むように反射膜15および反射膜62を設けることで、I領域40に入射した光が閉じこめられたようになり、その光を効率よく吸収させることができる。これにより、光電変換効率を向上させることができる。よって、優れた受光感度が得られる。
この受光素子5を搭載した表示装置の回路構成および動作は、第1の実施の形態と同様である。
この表示装置によれば、受光素子5を備えるので、優れた表示特性が得られる。
なお、反射膜62は、遮光膜14や、反射膜15や、受光素子3Aの導電膜53Bと同様にI領域40に電圧を印可可能な電極(セレクタ電極)としてもよい。これにより遮光膜14等をセレクタ電極として用いるのと同様の作用および効果が得られる。なお、反射膜62を上記したセレクタ電極として使用する場合、遮光膜14および反射膜15はその電極として機能しなくてもよい。
また、受光素子5は、受光素子3と同様に絶縁層50と、P領域20、N領域30およびI領域40との間に反射防止膜を備えた構成としてもよい。その場合、各領域の表面における光の反射が抑制され、より高い効果が得られる。
また、受光素子5は、反射膜15を有さない構成としてもよい。その場合においても、図21に示した従来の受光素子と比較して、より高い効果が得られる。
[第5の実施の形態]
図17は第5の実施の形態に係る表示装置に搭載される受光素子の断面を模式的に表している。第5の実施の形態は、I領域40の構成が異なる点を除き、受光素子1と同様の構成を有している。なお、図17に示した受光素子6の断面は、図1に示した受光素子1の断面と同一面を表し、受光素子6は、絶縁層51および反射膜60(図示せず)を有している。
図17は第5の実施の形態に係る表示装置に搭載される受光素子の断面を模式的に表している。第5の実施の形態は、I領域40の構成が異なる点を除き、受光素子1と同様の構成を有している。なお、図17に示した受光素子6の断面は、図1に示した受光素子1の断面と同一面を表し、受光素子6は、絶縁層51および反射膜60(図示せず)を有している。
I領域40は、P領域20およびN領域30よりも厚い非晶質半導体層により構成されている。これにより、受光面が広がると共に、可視域の光を効率よく吸収することができる。よって受光感度を向上させることができる。I領域40を構成する非晶質半導体層の材料としては、非晶質シリコンまたは炭化シリコンが好ましい。より高い効果が得られるからである。
また、I領域40は、図17に示したように、P領域20およびN領域30の一部を覆うように設けられているのが好ましい。I領域40と、P領域20およびN領域30との接合面積が広くなることにより、より高い効果が得られるからである。
この受光素子6によれば、I領域40がP領域20およびN領域30よりも厚い非晶質半導体層により構成されるので、各領域を同一の厚さで、かつ結晶質の半導体により構成された受光素子と比較して、受光量が増加すると共に、可視域の光を効率よく吸収することができる。よって、受光感度を向上させることができる。特に、I領域40がP領域20およびN領域30の一部を覆うように形成すれば、より高い効果が得られる。
この受光素子6を搭載した表示装置の回路構成および動作は、第1の実施の形態と同様である。
この表示装置によれば、受光素子6を備えるので、第1の実施の形態の表示装置(受光素子1を搭載した受光素子)と比較して、表示特性をより向上させることができる。
なお、受光素子6は、さらに反射膜を備え、例えば、受光素子5と同様の構成としてもよい。その場合の構成としては、例えば、図18および図19で表される受光素子7の構成が挙げられる。図18は、受光素子3Aの一断面を表し、図19は図18における受光素子7のXIX−XIX線に沿った断面を表している。この受光素子7によれば、可視域の光をさらに効率よく吸収することができるので、優れた効果が得られる。さらに、P領域20、N領域30およびI領域40を覆うように反射防止膜を設けることにより、より優れた効果が得られる。
[第5の実施の形態の変形例]
図20は、第5の実施の形態の変形例としての表示装置に搭載される受光素子の断面を模式的に表している。この受光素子8は、I領域40の構成が異なる点を除き、第5の実施の形態の受光素子と同様の構成を有している。なお、図20に示した受光素子8の断面は、図1に示した受光素子1の断面と同一面を表し、受光素子8は、絶縁層51および反射膜60(図示せず)を有している。
図20は、第5の実施の形態の変形例としての表示装置に搭載される受光素子の断面を模式的に表している。この受光素子8は、I領域40の構成が異なる点を除き、第5の実施の形態の受光素子と同様の構成を有している。なお、図20に示した受光素子8の断面は、図1に示した受光素子1の断面と同一面を表し、受光素子8は、絶縁層51および反射膜60(図示せず)を有している。
I領域40は、P領域20およびN領域30とほぼ同じ厚さの結晶質半導体層としての結晶質層41と、結晶質層41上に積層された非晶質半導体よりなる非晶質層42とにより構成されている。これにより、可視域の光を効率よく吸収でき、かつキャリヤの移動度を高くすることができるので、受光感度を向上させることができる。非晶質層42は、P領域20およびN領域30の一部を覆うように設けられているのが好ましい。より高い効果が得られるからである。結晶質層41の材料としては、例えば、多結晶シリコンが挙げられる。非晶質層42の材料としては、例えば、非晶質シリコンまたは炭化シリコンが挙げられる。
この受光素子8によれば、I領域40がP領域20およびN領域30よりも厚く、かつ結晶質層41および非晶質層42により構成されているので、I領域40が非晶質半導体により構成されている受光素子5と比較して、広い波長域の可視光を効率よく吸収し、かつキャリヤの移動度を高くすることができる。よって、より高い受光感度が得られる。
この受光素子8を搭載した表示装置の回路構成よび動作は、第1の実施の形態と同様である。
この表示装置によれば、受光素子8を備えるので、第1の実施の形態の表示装置(受光素子1を搭載した受光素子)と比較して、表示特性をより向上させることができる。
以上、実施の形態を挙げて本発明の受光素子および表示装置を説明したが、本発明は上記実施の形態において説明した態様に限定されず、それらの受光素子および表示装置の構成は自由に変更可能である。
具体的には、例えば、上記実施の形態では、表示装置としてI/Oディスプレイの表示装置に受光素子を搭載した例を説明したが、必ずしもこれに限られるものではなく、外部の明るさの変化を検知するために液晶表示装置や有機EL表示装置に受光素子を搭載した場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
1,2,3,3A,4,5,6,7,8,76…受光素子、10…基板、11…透明基板、12…窒化シリコン膜、13…酸化シリコン膜、14…遮光膜、15,60,61,62…反射膜、20…P領域、21…アノード電極、30…N領域、31…カソード電極、40…I領域、40A,40B…側面、41…結晶質層、42…非晶質層、50,51,52…絶縁層、53…反射防止膜、53A…絶縁膜、53B…導電膜、70…表示部、71…表示信号ドライバ、72…表示信号スキャナ、73…センサ入力側スキャナ、74…センサ出力側ドライバ、75…駆動回路、77…センサ出力Y側、78…センサ出力X側、A,B…受光領域、G…画素。
Claims (13)
- 素子形成面上に形成された第1導電型半導体領域と、
前記素子形成面上に形成された第2導電型半導体領域と、
前記第1導電型半導体領域と前記第2導電型半導体領域との間の素子形成面上に、これらの2つの半導体領域よりも不純物濃度が低く形成された中間半導体領域と、
前記中間半導体領域の側面側に、前記素子形成面と交差する方向に延びる反射膜と
を有することを特徴とする受光素子。 - 前記第1導電型半導体領域、前記第2導電型半導体領域および前記中間半導体領域の配列方向に対して直交する方向に、前記反射膜を有する
ことを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記中間半導体領域における前記素子形成面側およびその反対面側のうちの少なくとも一面側に、さらに反射膜を有することを特徴とする請求項1記載の受光素子。
- 前記第1導電型半導体領域および前記第2導電型半導体領域は結晶質半導体により構成され、
前記中間半導体領域は非晶質半導体層を含んでいる
ことを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記中間半導体領域は、さらに結晶質半導体層を含む
ことを特徴とする請求項4記載の受光素子。 - 前記結晶質半導体は多結晶シリコンにより構成され、
前記非晶質半導体層は非晶質シリコンおよび炭化シリコンのうちの少なくとも1種を含む
ことを特徴とする請求項4記載の受光素子。 - 前記中間半導体領域は、前記第1導電型半導体領域および前記第2導電型半導体領域よりも厚い
ことを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記中間半導体領域は、前記第1導電型半導体領域および前記第2導電型半導体領域の一部を覆って設けられている
ことを特徴とする請求項7記載の受光素子。 - 前記中間半導体領域における前記素子形成面側またはその反対面側に遮光膜を有する
ことを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記中間半導体領域における前記素子形成面側またはその反対面側に反射防止膜を有する
ことを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記中間半導体領域に絶縁膜を介して電圧を印可可能な電極を有する
ことを特徴とする請求項1記載の受光素子。 - 前記電極は、遮光膜、反射防止膜または反射膜として機能する
ことを特徴とする請求項11記載の受光素子。 - 配列された複数の表示素子および受光素子を備えた表示装置であって、
前記受光素子は、
素子形成面上に形成された第1導電型半導体領域と、
前記素子形成面上に形成された第2導電型半導体領域と、
前記第1導電型半導体領域と前記第2導電型半導体領域との間の素子形成面上に、これらの2つの半導体領域よりも不純物濃度が低く形成された中間半導体領域と、
前記中間半導体領域の側面側に、前記素子形成面と交差する方向に延びる反射膜とを有する
ことを特徴とする表示装置。
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