JP2008277513A - 電子機器筐体の回路基板支持構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電子機器の筐体12と、この筐体内側において対向するように突出して設けられた複数対のボス部14、15と、これらの対をなすボス部間に支持構造物17を介して支持可能に筐体内に設けられた回路基板11と、複数対のボス部において回路基板が支持構造物17を介して挟持されるようにボス部に設けられたボスねじ18とを備え、支持構造物17が、材料のクリープ特性によって電子機器の使用環境温度域でも回路基板の面内方向に変形し、筐体と回路基板の膨張差ΔXを支持構造物の高さhで除算した平均せん断ひずみ値(ΔX/h)が、支持構造物を形成する材料の電子機器の使用環境温度域における、せん断方向のクリープ破断ひずみ(γmax)より小さい電子機器筐体の回路基板支持構造。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の実施形態について、図1乃至図4を参照して詳説する。図1は、本実施形態における電子機器の筐体と回路基板の断面図。図2は、図1の要部拡大図。図3は、回路基板の上面図。図4は、電子機器の筐体と回路基板の分解図である。
図5は、本実施形態における回路基板11の上面図である。尚、図1と共通する符号は、同一物を示すものとする。本実施形態では、支持構造物17が図5のようにブロック状のはんだ材料で形成され、回路基板11のボスねじ挿通部16周辺に,他部品と同様にはんだ付け工程で実装されている。支持構造物17の形状以外は実施形態1と同様である。したがって、実施形態1と同様の効果を生じるが、支持構造物17がブロック状に実装されるため、温度変動による変形のような低速の荷重に対して変形し易く、かつ、実装が容易な利点がある。
本実施形態における筐体、回路基板11、および支持構造物17の形状は実施形態2と同様であるが、支持構造物17の材料として樹脂を使用する。この樹脂は、クリープ特性によって電子機器の使用環境温度域においても回路基板の面内方向に変形可能であるものとする。例えば、熱可塑性接着剤や合成ゴム系接着剤である。また、支持構造物17が例えば回路基板上の補強材である熱可塑性のアンダーフィルの材料で形成される場合には、アンダーフィルと同様の工程で塗布される。この支持構造物17は、筐体と回路基板11の熱膨張率差に筐体の代表長さと温度変動幅を乗じて算出される筐体と回路基板11の膨張差ΔXを、支持構造物17の高さhで除して算出される平均せん断ひずみ値(ΔX/h)が、支持構造物17を形成する材料の電子機器の使用環境温度域における、せん断方向のクリープ破断ひずみ(γmax)に比べて小さい材料であれば、他の材料でもよい。材料以外の構成は共通しているので、実施形態1と同様の効果を生じるが、既存の製造設備やコスト等を考慮して選択可能となる利点がある。
図6は、本実施形態における電子機器の筐体と回路基板の断面図。図7は、図6の要部拡大図である。尚、図1と共通する符号は、同一物を示すものとする。本実施形態においては、ボスねじ18はボス部14、15において上部筐体12と下部筐体13のみを締結する。また、筐体のボス部14、15と回路基板11との間には支持構造物17が具備されている。この支持構造物17は、回路基板11のボスねじ挿通部16周辺に図3のようなリング状のはんだ材料が他の電子部品19と同様にはんだ付け工程で実装される。支持構造物17の配置は実施形態1と異なるが、回路基板11が支持構造物17を介して筐体に締結固定される点では実施形態1と共通する。したがって、実施形態1と同様の効果を生じるが、上部筐体12と下部筐体13がボスねじ18で直接接続されるので筐体の剛性が向上する利点が生じる。
本実施形態では、支持構造物17が図5のようなブロック状のはんだ材料で形成され、他部品と同様にはんだ付け工程で実装される。支持構造物17の形状以外は実施形態4と同様である。したがって、実施形態4と同様の効果を生じるが、ブロック状に実装されるため、温度変動による変形のような低速の荷重に対して変形し易く、かつ、実装が容易な利点がある。
12…上部筐体、
13…下部筐体、
14、15…ボス部、
16…ボスねじ挿通部、
17…支持構造物、
18…ボスねじ、
19…電子部品。
Claims (7)
- 電子機器の筐体と、
この筐体の内側において対向するように突出して設けられた複数対のボス部と、
これらの対をなすボス部間に支持構造物を介して支持されるように前記筐体内に設けられた回路基板と、
前記複数対のボス部において前記回路基板が前記支持構造物を介して挟持されるように前記複数対のボス部に設けられたボスねじと、
を具備し、
前記支持構造物は、これを形成する材料のクリープ特性によって前記電子機器の使用環境温度域で前記回路基板の面内方向に変形可能であり、前記筐体と前記回路基板との膨張差ΔXを前記支持構造物の高さhで除して算出される平均せん断ひずみ値(ΔX/h)が、前記材料の前記使用環境温度域における、せん断方向のクリープ破断ひずみ(γmax)に比べて小さいことを特徴とする電子機器筐体の回路基板支持構造。 - 前記支持構造物が、はんだ材料で形成されることを特徴とする請求項1記載の電子機器筐体の回路基板支持構造。
- 前記支持構造物が、樹脂で形成されることを特徴とする請求項1記載の電子機器筐体の回路基板支持構造。
- 前記支持構造物が、前記回路基板上または前記ボス部上にリング状で形成されることを特徴とする請求項1記載の電子機器筐体の回路基板支持構造。
- 前記支持構造物が、前記回路基板上または前記ボス部上に複数のブロック状で形成されることを特徴とする請求項1記載の電子機器筐体の回路基板支持構造。
- 前記支持構造物が、回路基板上に実装される電子部品におけるはんだ付け工程を用いて実装されることを特徴とする請求項2記載の電子機器筐体の回路基板支持構造。
- 前記支持構造物が、回路基板上に実装される電子部品におけるアンダーフィル工程を用いて実装されることを特徴とする請求項3記載の電子機器筐体の回路基板支持構造。
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