JP2008277398A - 極端紫外線露光用マスク及びマスクブランク - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前記多層膜2と前記キャッピング膜3からなる部分の極端紫外線に対する反射率が、前記キャッピング膜3の2nmから4nmの範囲の厚さの変化に対して、1%以内の変化量であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
ャッピング膜直下のSi膜厚に依存している。
Mo膜厚(2.8nm)+Si膜厚(4.2nm)=7.0nm
の4分の1倍(図3(b))、若しくは4分の5倍(図4(g))のときに、キャッピング膜厚がほぼ2nmから5nmの薄い領域に反射率が変化しにくい領域が出来ていることが分る。
2・・・・多層膜
2a・・・Mo膜
2b・・・Si膜
2c・・・多層膜最上Si膜
3・・・・キャッピング膜
4・・・・緩衝膜
5・・・・吸収膜パターン
6・・・・入射EUV光
7・・・・反射EUV光(反射率R)
Claims (8)
- 基板上に形成された多層膜と、前記多層膜上にあり、前記多層膜を保護するキャッピング膜と、パターン状に形成された吸収膜を少なくとも具備する極端紫外線露光用マスクにおいて、前記多層膜と前記キャッピング膜からなる部分の極端紫外線に対する反射率が、前記キャッピング膜の2nmから4nmの範囲の厚さの変化に対して、1%以内の変化量であることを特徴とする極端紫外線露光用マスク。
- 前記多層膜はMoとSiを交互に積層した多層膜であり、キャッピング膜の直下にある膜がSiであることを特徴とする請求項1に記載の極端紫外線露光用マスク。
- 前記多層膜の、キャッピング膜の直下にあるSiの膜厚は、Moと交互に積層する場合のSiの厚さとは異なることを特徴とする請求項2に記載の極端紫外線露光用マスク。
- 請求項1に記載の極端紫外線露光用マスクを製造するための極端紫外線露光用マスクブランク。
- 請求項2に記載の極端紫外線露光用マスクを製造するための極端紫外線露光用マスクブランク。
- 請求項3に記載の極端紫外線露光用マスクを製造するための極端紫外線露光用マスクブランク。
- キャッピング膜がZrSi2又はZrSiOで形成され、キャッピング膜直下のSi膜厚が、多層膜の1周期の4分の1倍もしくは4分の5倍であることを特徴とする請求項2に記載の極端紫外線露光用マスク。
- キャッピング膜がRuで形成され、キャッピング膜直下のSi膜厚が、0を含めた多層膜の1周期分の整数倍から、それに加えて多層膜の1周期分の4分の1倍までの領域を除いた値であることを特徴とする請求項2に記載の極端紫外線露光用マスク。
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