JP2008271202A - 利得切替付低雑音増幅回路 - Google Patents

利得切替付低雑音増幅回路 Download PDF

Info

Publication number
JP2008271202A
JP2008271202A JP2007111537A JP2007111537A JP2008271202A JP 2008271202 A JP2008271202 A JP 2008271202A JP 2007111537 A JP2007111537 A JP 2007111537A JP 2007111537 A JP2007111537 A JP 2007111537A JP 2008271202 A JP2008271202 A JP 2008271202A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
input
transistor
transistor group
transistors
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007111537A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4708384B2 (ja
JP2008271202A5 (ja
Inventor
Yutaka Igarashi
豊 五十嵐
Akio Yamamoto
昭夫 山本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Technology Corp
Original Assignee
Renesas Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Technology Corp filed Critical Renesas Technology Corp
Priority to JP2007111537A priority Critical patent/JP4708384B2/ja
Priority to US12/102,321 priority patent/US7705680B2/en
Publication of JP2008271202A publication Critical patent/JP2008271202A/ja
Publication of JP2008271202A5 publication Critical patent/JP2008271202A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4708384B2 publication Critical patent/JP4708384B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0088Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using discontinuously variable devices, e.g. switch-operated
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/08Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements
    • H03F1/22Modifications of amplifiers to reduce detrimental influences of internal impedances of amplifying elements by use of cascode coupling, i.e. earthed cathode or emitter stage followed by earthed grid or base stage respectively
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/189High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
    • H03F3/19High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/72Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/294Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/366Multiple MOSFETs are coupled in parallel
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/492A coil being added in the source circuit of a transistor amplifier stage as degenerating element
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/72Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
    • H03F2203/7206Indexing scheme relating to gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal the gated amplifier being switched on or off by a switch in the bias circuit of the amplifier controlling a bias voltage in the amplifier

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

【課題】雑音指数の劣化を抑えることができる利得切替付LNAを提供する。
【解決手段】第1のトランジスタ群(Q11〜Q18)、第2のトランジスタ群(Q21〜Q28)を有する利得切替付LNAにおいて、トランジスタQ21のエミッタとトランジスタQ1のコレクタ間に接続される抵抗R4と、トランジスタQ22〜Q28のエミッタとトランジスタQ1のコレクタに接続され、抵抗R4の1/7倍の抵抗値からなる抵抗R5とを有し、高利得モード時には抵抗R4と抵抗R5によりオフとなっているトランジスタQ21〜Q28とトランジスタQ1,Q11〜Q18のアイソレーションが確保されるため、雑音指数の劣化はない。
【選択図】図1

Description

本発明は、増幅回路の技術に関し、特に、利得切替機能を有し、増幅回路入力での信号対雑音比と増幅回路出力での信号対雑音比との比の小さいことが求められる低雑音増幅回路に適用して有効な技術に関するものである。
本発明者が検討したところによれば、無線信号を受信する回路(以下、受信装置と記す)は、アンテナから入力した信号の信号対雑音比(以下、SNRと記す)をできるだけ低下することなく、またできるだけ信号を歪ませることなく、低い周波数に周波数変換し、所望のレベルまで増幅する回路である。このために、受信装置は、アンテナにできるだけ近い箇所に低雑音増幅回路(以下、LNAと記す)を設ける。
LNAは、(1)利得が高い、(2)LNA入力での信号対雑音比とLNA出力での信号対雑音比との比(以下、雑音指数と記す)が小さい、(3)低歪み特性である、ということが求められる。アンテナから入力する微弱な無線信号を受信するためには、効率の良い電力伝達が必要なことから、(4)入出力でインピーダンス整合がとられている、ことも求められる。
しかし、受信装置では、LNAの後段にもミキサや増幅回路などがあることから、アンテナから強入力信号が入力された場合、LNAの利得が高い場合[上記(1)]、後段のミキサや増幅回路などで信号が歪んでしまい、所望の受信動作を行えないことになる。そこで、一般にLNAは利得切替動作も行う必要がある。
ところで、上記のようなLNAについて、本発明者が本発明の前提として検討した利得切替付LNAの回路図を図3に示す。この利得切替付LNAは、入力端子LNAin、出力端子LNAout、利得切替付制御端子GainCtrl、バイアス回路10,20、直流電源30、抵抗R1〜R3、容量C1,C2、インダクタL1,L2、スイッチSW1,SW2、トランジスタQ1,Q11〜Q18,Q21〜Q28などから構成される。図3では、トランジスタQ11〜Q18,Q21〜Q28は同一サイズ、同一形状、同一特性とし、バイアス回路10,20により、適切な動作をするように直流バイアス電圧を与えているものとする。即ち、直流電源30は正電圧であり、
トランジスタQ11〜Q18,Q21〜Q28のベース電圧
>トランジスタQ1のベース電圧
であるとする。また、図3では、容量C1,C2は図3の利得切替付LNAでの所望信号周波数で、十分インピーダンスが低いものとする。
図3の利得切替付LNAは高利得モードと低利得モードとを有する。以下にその動作を説明する。
利得切替制御端子GainCtrlがHigh電圧の場合(高利得モード)、スイッチSW1は抵抗R2をバイアス回路20に接続し、スイッチSW2は抵抗R3をトランジスタQ1のコレクタに接続する。この時、トランジスタQ11〜Q18の8つのトランジスタはオンし、トランジスタQ21〜Q28の8つのトランジスタはオフする。トランジスタQ1のコレクタ電流はトランジスタQ11〜Q18の8つのトランジスタに流れる。
利得切替制御端子GainCtrlがLow電圧の場合(低利得モード)、スイッチSW1は抵抗R2をトランジスタQ1のコレクタに接続し、スイッチSW2は抵抗R3をバイアス回路20に接続する。この時、トランジスタQ11〜Q18の8つのトランジスタはオフし、トランジスタQ21〜Q28の8つのトランジスタはオンする。トランジスタQ1のコレクタ電流はトランジスタQ21〜Q28の8つのトランジスタに等しく分配されて流れる。
入力端子LNAinから入力された無線信号電圧は、トランジスタQ1のベースバイアス電圧(直流)を変化させるため、トランジスタQ1のコレクタ電流が変化する。また、トランジスタQ1のエミッタ電圧はトランジスタQ1のベース電圧とほぼ等しい電圧変化をする。トランジスタのベース−エミッタ間電圧をVBE1とすると、
トランジスタQ1のベース電圧=トランジスタQ1のエミッタ電圧+VBE1
となる。両辺から直流電圧成分を引くと、
トランジスタQ1のベース電圧変化≒トランジスタQ1のエミッタ電圧変化
となる。インダクタンスL2は負帰還をかけ、LNAの歪み特性を改善するために挿入される。この時、
トランジスタQ1のエミッタ電圧変化
=L2×d(トランジスタQ1のエミッタ電流変化)/d(時間)
≒L2×d(トランジスタQ1のコレクタ電流変化)/d(時間)
≒トランジスタQ1のベース電圧変化
となる。
高利得モード時の場合、上記の理由でトランジスタQ1のコレクタ電流はトランジスタQ11〜Q18の8つのトランジスタに流れ、トランジスタQ21〜Q28の8つのトランジスタはオフしているため、インダクタL1にはトランジスタQ1のコレクタ電流に等しい電流が流れることになる。この時、
トランジスタQ11〜Q18のコレクタ電圧変化
=L1×d(トランジスタQ11〜Q18のコレクタ電流変化)/d(時間)
=L1×d(トランジスタQ1のコレクタ電流変化)/d(時間)
であるから、
LNAの高利得モード時の利得
=トランジスタQ11〜Q18のコレクタ電圧変化
/トランジスタQ1のベース電圧変化
≒L1/L2
と表すことができる。
低利得モード時の場合、トランジスタQ1のコレクタ電流はトランジスタQ21〜Q28の8つのトランジスタに流れ、トランジスタQ11〜Q18の8つのトランジスタはオフしている。トランジスタQ11〜Q18,Q21〜Q28は同一サイズ、同一形状、同一特性であるから、インダクタL1にはトランジスタQ1のコレクタ電流の1/8に等しい電流が流れる。この時、
トランジスタQ21のコレクタ電圧変化
=L1×d(トランジスタQ21のコレクタ電流変化)/d(時間)
=L1×d(トランジスタQ1のコレクタ電流変化)/d(時間)/8
であるから、
LNAの低利得モード時の利得
=トランジスタQ21のコレクタ電圧変化/トランジスタQ1のベース電圧変化
≒L1/L2/8
と表すことができる。つまり、高利得モードと低利得モードとの利得差は1/8となり、およそ18dBの利得切替ステップ幅を実現できる。図3ではトランジスタQ11〜Q18の8個、トランジスタQ21〜Q28の8個で説明したが、これを異なる数にすれば、任意の整数比の利得切替ステップ幅を実現できる。
しかしながら、上記図3の利得切替付LNAは、利得切替制御端子GainCtrlがHigh電圧の場合、特に雑音指数が小さいことが求められるが、オフとなっているトランジスタQ21〜Q28の影響により雑音指数が劣化してしまうという問題が発生する。
そこで、本発明の目的は、上記問題を解決して、雑音指数の劣化を抑えることができる利得切替付LNAを提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
本発明に関わる利得切替付LNAは、上記目的を達成するために以下のように構成するものである。
本発明に関わる利得切替付LNAは、RF信号の入力端子と、前記入力端子からの信号がベースに入力されるトランジスタCと、前記トランジスタCのベースに抵抗を介して接続され、前記トランジスタCをオン状態にする第1のバイアス回路と、同一サイズ、同一形状、同一特性からなる、A1〜AN(Nは2以上の自然数)の第1のトランジスタ群およびB1〜BNの第2のトランジスタ群と、前記第1のトランジスタ群および前記第2のトランジスタ群のそれぞれのベースに接続され、それぞれグランドにRF信号の周波数帯で交流的に短絡する第1の容量および第2の容量と、前記第1のトランジスタ群および前記第2のトランジスタ群のそれぞれのベースに接続される第1の抵抗および第2の抵抗と、前記第1の抵抗および前記第2の抵抗をそれぞれ介して前記第1のトランジスタ群および前記第2のトランジスタ群をオン状態にする第2のバイアス回路と、前記第1のトランジスタ群のA1〜ANのN個と、前記第2のトランジスタ群のB1〜BXのX個(XはNより小さい自然数)のトランジスタのコレクタと直流電源との間に接続されるインダクタと、前記第1のトランジスタ群のベース−エミッタ間を前記第1の抵抗を介して短絡するか、前記第2のバイアス回路に接続する第1のスイッチと、前記第2のトランジスタ群のベース−エミッタ間を前記第2の抵抗を介して短絡するか、前記第2のバイアス回路に接続する第2のスイッチと、前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチを排他的にオンオフする利得切替制御端子と、前記第1のトランジスタ群のコレクタに接続される出力端子と、を有し、前記第2のトランジスタ群のBX+1〜BNのN−X個のトランジスタのコレクタは前記直流電源に接続され、前記第1のトランジスタ群のA1〜ANのトランジスタのエミッタは短絡して前記トランジスタCのコレクタに接続され、前記第2のトランジスタ群のB1〜BXのX個のトランジスタのエミッタは短絡して接続され、前記第2のトランジスタ群のBX+1〜BNのN−X個のトランジスタのエミッタは短絡して接続される利得切替付低雑音増幅回路であって、前記第2のトランジスタ群のB1〜BXのX個のトランジスタのエミッタと、前記トランジスタCのコレクタとの間に接続される抵抗B1と、前記第2のトランジスタ群のBX+1〜BNのN−X個のトランジスタのエミッタと、前記トランジスタCのコレクタとの間に接続され、前記抵抗B1のX/(N−X)倍の抵抗値からなる抵抗B2と、を有することを特徴とするものである。
また、本発明に関わる利得切替付LNAは、入力端子と、前記入力端子から入力された電圧信号を入力として電流信号を出力する電圧入力電流出力増幅器と、電流信号を入力として電流信号を出力する第1の電流入力電流出力増幅器、第2の電流入力電流出力増幅器および第3の電流入力電流出力増幅器と、第1のスイッチ、第2のスイッチおよび第3のスイッチと、利得切替制御端子と、前記第1の電流入力電流出力増幅器および前記第2の電流入力電流出力増幅器の出力電流信号の加算値を電圧信号に変換する電流電圧変換器と、前記電流電圧変換器の出力電圧を出力する出力端子と、を有する利得切替付低雑音増幅回路であって、抵抗値の比がN−X:Nである第1の抵抗および第2の抵抗を有し、前記利得切替制御端子からの信号が高利得モードの場合、前記電圧入力電流出力増幅器の電流出力は前記第1のスイッチを経て前記第1の電流入力電流出力増幅器の電流入力端子へ入力され、前記利得切替制御端子からの信号が低利得モードの場合、前記電圧入力電流出力増幅器の電流出力のX/N倍の電流は前記第1の抵抗を介して前記第2のスイッチへ入力され、さらにその後段にある前記第2の電流入力電流出力増幅器の電流入力端子へ入力され、また、前記利得切替制御端子からの信号が低利得モードの場合、前記電圧入力電流出力増幅器の電流出力の(N−X)/N倍の電流は前記第2の抵抗を介して前記第3のスイッチへ入力され、さらにその後段にある前記第3の電流入力電流出力増幅器の電流入力端子へ入力されることを特徴とするものである。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
本発明によれば、雑音指数の劣化を抑えることができる利得切替付LNAを提供することができる。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
(第1の実施の形態)
図1は、本発明による第1の実施の形態の利得切替付LNAを示す回路図である。本実施の形態の利得切替付LNAは、入力端子LNAin、出力端子LNAout、利得切替制御端子GainCtrl、バイアス回路10,20、直流電源30、抵抗R1〜R5、容量C1,C2、インダクタL1,L2、スイッチSW1,SW2、トランジスタQ1,Q11〜Q18,Q21〜Q28などから構成される。
すなわち、本実施の形態の利得切替付LNAは、RF信号の入力端子LNAinと、この入力端子LNAinからの信号がベースに入力されるトランジスタQ1と、このトランジスタQ1のベースに抵抗R1を介して接続され、トランジスタQ1をオン状態にするバイアス回路10と、複数個(図1では8個の例)の第1のトランジスタ群および複数個(図1では8個の例)の第2のトランジスタ群と、第1のトランジスタ群および第2のトランジスタ群のそれぞれのベースに接続され、それぞれグランドにRF信号の周波数帯で交流的に短絡する容量C1およびC2と、第1のトランジスタ群および第2のトランジスタ群のそれぞれのベースに接続される抵抗R2およびR3と、抵抗R2およびR3をそれぞれ介して第1のトランジスタ群および第2のトランジスタ群をオン状態にするバイアス回路20と、第1のトランジスタ群のトランジスタQ11〜Q18と、第2のトランジスタ群の例えば1個のトランジスタQ21のコレクタと直流電源30との間に接続されるインダクタL1と、第1のトランジスタ群のベース−エミッタ間を抵抗R2を介して短絡するか、バイアス回路20に接続するスイッチSW1と、第2のトランジスタ群のベース−エミッタ間を抵抗R3を介して短絡するか、バイアス回路20に接続するスイッチSW2と、スイッチSW1およびSW2を排他的にオンオフする利得切替制御端子GainCtrlと、第1のトランジスタ群のコレクタに接続される出力端子LNAoutとを有する。
さらに、第2のトランジスタ群の例えば7個のトランジスタQ22〜Q28のコレクタは直流電源30に接続され、第1のトランジスタ群のトランジスタQ11〜Q18のエミッタは短絡してトランジスタQ1のコレクタに接続され、第2のトランジスタ群のトランジスタQ21のエミッタは短絡して接続され、第2のトランジスタ群のトランジスタQ22〜Q28のエミッタは短絡して接続される。
特に本実施の形態は、このような利得切替付LNAの構成において、第2のトランジスタ群のトランジスタQ21のエミッタと、トランジスタQ1のコレクタとの間に接続される抵抗R4と、第2のトランジスタ群のトランジスタQ22〜Q28のエミッタと、トランジスタQ1のコレクタとの間に接続され、抵抗R4の1/7倍の抵抗値からなる抵抗R5とを有する。
本実施の形態の利得切替付LNAにおいて、トランジスタQ11〜Q18,Q21〜Q28は同一サイズ、同一形状、同一特性とし、バイアス回路10,20により、適切な動作をするように直流バイアス電圧を与えているものとする。即ち、直流電源30は正電圧であり、
トランジスタQ11〜Q18,Q21〜Q28のベース電圧
>トランジスタQ1のベース電圧
であるとする。また、図1では、容量C1,C2は図1の利得切替付LNAでの所望信号周波数で、十分インピーダンスが低いものとし、
R4の抵抗値=7×R5の抵抗値
である。
図1の利得切替付LNAは高利得モードと低利得モードとを有する。以下にその動作を説明する。
利得切替制御端子GainCtrlがHigh電圧の場合(高利得モード)、スイッチSW1は抵抗R2をバイアス回路20に接続し、スイッチSW2は抵抗R3をトランジスタQ1のコレクタに接続する。この時、トランジスタQ11〜Q18の8つのトランジスタはオンし、トランジスタQ21〜Q28の8つのトランジスタはオフする。トランジスタQ1のコレクタ電流はトランジスタQ11〜Q18の8つのトランジスタに流れる。
利得切替制御端子GainCtrlがLow電圧の場合(低利得モード)、スイッチSW1は抵抗R2をトランジスタQ1のコレクタに接続し、スイッチSW2は抵抗R3をバイアス回路20に接続する。この時、トランジスタQ11〜Q18の8つのトランジスタはオフし、トランジスタQ21〜Q28の8つのトランジスタはオンする。トランジスタQ1のコレクタ電流は、
R4の抵抗値=7×R5の抵抗値
なので、トランジスタQ21〜Q28の8つのトランジスタに等しく分配されて流れる。
入力端子LNAinから入力された無線信号電圧は、トランジスタQ1のベースバイアス電圧(直流)を変化させるため、トランジスタQ1のコレクタ電流が変化する。また、トランジスタQ1のエミッタ電圧はトランジスタQ1のベース電圧とほぼ等しい電圧変化をする。トランジスタのベース−エミッタ間電圧をVBE1とすると、
トランジスタQ1のベース電圧=トランジスタQ1のエミッタ電圧+VBE1
となる。両辺から直流電圧成分を引くと、
トランジスタQ1のベース電圧変化≒トランジスタQ1のエミッタ電圧変化
となる。インダクタL2は負帰還をかけ、LNAの歪み特性を改善するために挿入される。この時、
トランジスタQ1のエミッタ電圧変化
=L2×d(トランジスタQ1のエミッタ電流変化)/d(時間)
≒L2×d(トランジスタQ1のコレクタ電流変化)/d(時間)
≒トランジスタQ1のベース電圧変化
となる。
高利得モード時の場合、上記の理由でトランジスタQ1のコレクタ電流はトランジスタQ11〜Q18の8つのトランジスタに流れ、トランジスタQ21〜Q28の8つのトランジスタはオフしているため、インダクタL1にはトランジスタQ1のコレクタ電流に等しい電流が流れることになる。この時、
トランジスタQ11〜Q18のコレクタ電圧変化
=L1×d(トランジスタQ11〜Q18のコレクタ電流変化)/d(時間)
=L1×d(トランジスタQ1のコレクタ電流変化)/d(時間)
であるから、
LNAの高利得モード時の利得
=トランジスタQ11〜Q18のコレクタ電圧変化
/トランジスタQ1のベース電圧変化
≒L1/L2
と表すことができる。
低利得モード時の場合、トランジスタQ1のコレクタ電流はトランジスタQ21〜Q28の8つのトランジスタに流れ、トランジスタQ11〜Q18の8つのトランジスタはオフしている。トランジスタQ11〜Q28は同一サイズ、同一形状、同一特性であるから、インダクタL1にはトランジスタQ1のコレクタ電流の1/8に等しい電流が流れる。この時、
トランジスタQ21のコレクタ電圧変化
=L1×d(トランジスタQ21のコレクタ電流変化)/d(時間)
=L1×d(トランジスタQ1のコレクタ電流変化)/d(時間)/8
であるから、
LNAの低利得モード時の利得
=トランジスタQ21のコレクタ電圧変化/トランジスタQ1のベース電圧変化
≒L1/L2/8
と表すことができる。
つまり、高利得モードと低利得モードとの利得差は1/8となり、およそ18dBの利得切替ステップ幅を実現できる。図1ではトランジスタQ11〜Q18の8個、トランジスタQ21〜Q28の8個で説明したが、これを異なる数にすれば、任意の整数比の利得切替ステップ幅を実現できる。つまり、利得切替動作に関しては、図3に示す利得切替付LNAと同様の機能を有する。同時に、高利得モード時には抵抗R4と抵抗R5によりオフとなっているトランジスタQ21〜Q28とトランジスタQ1,Q11〜Q18のアイソレーションが確保されるため、雑音指数の劣化はない。
また、図1のトランジスタQ1,Q11〜Q18,Q21〜Q28は、そのまま電界効果トランジスタ(MOSFET<Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor>など)に置き換えても同様の効果を得ることが可能である。
(第2の実施の形態)
図2は、本発明による第2の実施の形態の利得切替付LNAを示すブロック図である。本実施の形態の利得切替付LNAは、入力端子100、電圧入力電流出力増幅器110、スイッチ120,121,122、抵抗130,140、電流入力電流出力増幅器150,160,170、電流加算器180、出力端子190、利得切替制御端子200、電流電圧変換器210などから構成される。
すなわち、本実施の形態の利得切替付LNAは、入力端子100と、この入力端子100から入力された電圧信号を入力として電流信号を出力する電圧入力電流出力増幅器110と、電流信号を入力として電流信号を出力する電流入力電流出力増幅器150,160および170と、スイッチ120,121および122と、利得切替制御端子200と、電流入力電流出力増幅器150および160の出力電流信号の加算値を電圧信号に変換する電流電圧変換器210と、この電流電圧変換器210の出力電圧を出力する出力端子190とを有する。
例えば一例として、電圧入力電流出力増幅器110は、第1の実施の形態におけるコンデンサQ1などを含んで構成することができる。また、電流入力電流出力増幅器150は、第1の実施の形態におけるコンデンサQ11〜Q18などを含んで構成することができる。同様に、電流入力電流出力増幅器160はコンデンサQ21、電流入力電流出力増幅器170はコンデンサQ22〜Q28などを含んで構成することができる。また、電流電圧変換器210は、第1の実施の形態におけるインダクタL1などを含んで構成することができる。
特に本実施の形態は、このような利得切替付LNAの構成において、抵抗値の比がN−X:Nである抵抗130および140を有する。そして、利得切替制御端子200からの信号が高利得モードの場合、電圧入力電流出力増幅器110の電流出力はスイッチ120を経て電流入力電流出力増幅器150の電流入力端子へ入力され、利得切替制御端子200からの信号が低利得モードの場合、電圧入力電流出力増幅器110の電流出力のX/N倍の電流は抵抗130を介してスイッチ121へ入力され、さらにその後段にある電流入力電流出力増幅器160の電流入力端子へ入力され、また、利得切替制御端子200からの信号が低利得モードの場合、電圧入力電流出力増幅器110の電流出力の(N−X)/N倍の電流は抵抗140を介してスイッチ122へ入力され、さらにその後段にある電流入力電流出力増幅器170の電流入力端子へ入力される。
本実施の形態の利得切替付LNAにおいて、入力端子100から入力された電圧信号は、電圧入力電流出力増幅器110で電流に変換される。
利得切替制御端子200からの制御信号で、スイッチ120〜122は電圧入力電流出力増幅器110の電流出力を、高利得モードの場合、電流入力電流出力増幅器150の方向へ、低利得モードの場合、抵抗130,140の方向へ切り替える。
利得切替制御端子200からの制御信号が高利得モードの場合、電圧入力電流出力増幅器110の電流出力はスイッチ120を経て、電流入力電流出力増幅器150へ入力される。
利得切替制御端子200からの制御信号が低利得モードの場合、電圧入力電流出力増幅器110の電流出力は抵抗130と抵抗140にX:(N−X)の比で入力される。このためには抵抗130と抵抗140の抵抗値の比が(N−X):Xである必要がある。
抵抗130を経てX/N倍の大きさとなった電圧入力電流出力増幅器110の電流出力は、スイッチ121を経て電流入力電流出力増幅器160へ入力され、抵抗140を経て(N−X)/N倍の大きさとなった電圧入力電流出力増幅器110の電流出力は、スイッチ122を経て電流入力電流出力増幅器170へ入力される。
電流入力電流出力増幅器150の出力電流と電流入力電流出力増幅器160の出力電流は、電流加算器180へ入力されて加算される。電流加算器180の出力電流は電流電圧変換器210で再び電圧に変換され、出力端子190より出力される。
利得切替制御端子200からの制御信号が低利得モードの場合、電流入力電流出力増幅器170の出力電流は電流電圧変換器210の出力電圧に寄与しないため、信号を減衰させることができ、図2の利得切替付LNAの低利得モードが実現できる。
利得切替制御端子200からの制御信号が高利得モードの場合、電流入力電流出力増幅器160の出力電流は電流電圧変換器210の出力電圧に寄与しないため、図2の利得切替付LNAの高利得モードが実現できる。同時に、電圧入力電流出力増幅器110から見た電流入力電流出力増幅器160,170の影響がスイッチ121,122によるアイソレーションの不十分な場合でも、抵抗130,140により大きくできる。これにより高利得モードでの雑音指数の劣化を抑えることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
本発明の増幅回路は、利得切替機能を有し、増幅回路入力での信号対雑音比と増幅回路出力での信号対雑音比との比の小さいことが求められる低雑音増幅回路に利用可能である。
本発明による第1の実施の形態の利得切替付LNAを示す回路図である。 本発明による第2の実施の形態の利得切替付LNAを示すブロック図である。 本発明の前提として検討した利得切替付LNAを示す回路図である。
符号の説明
LNAin…入力端子、LNAout…出力端子、GainCtrl…利得切替制御端子、10,20…バイアス回路、30…直流電源、R1〜R5…抵抗、C1,C2…容量、L1,L2…インダクタ、SW1,SW2…スイッチ、Q1,Q11〜Q18,Q21〜Q28…トランジスタ、
100…入力端子、110…電圧入力電流出力増幅器、120,121,122…スイッチ、130,140…抵抗、150,160,170…電流入力電流出力増幅器、180…電流加算器、190…出力端子、200…利得切替制御端子、210…電流電圧変換器。

Claims (5)

  1. RF信号の入力端子と、
    前記入力端子からの信号がベースに入力されるトランジスタCと、
    前記トランジスタCのベースに抵抗を介して接続され、前記トランジスタCをオン状態にする第1のバイアス回路と、
    同一サイズ、同一形状、同一特性からなる、A1〜AN(Nは2以上の自然数)の第1のトランジスタ群およびB1〜BNの第2のトランジスタ群と、
    前記第1のトランジスタ群および前記第2のトランジスタ群のそれぞれのベースに接続され、それぞれグランドにRF信号の周波数帯で交流的に短絡する第1の容量および第2の容量と、
    前記第1のトランジスタ群および前記第2のトランジスタ群のそれぞれのベースに接続される第1の抵抗および第2の抵抗と、
    前記第1の抵抗および前記第2の抵抗をそれぞれ介して前記第1のトランジスタ群および前記第2のトランジスタ群をオン状態にする第2のバイアス回路と、
    前記第1のトランジスタ群のA1〜ANのN個と、前記第2のトランジスタ群のB1〜BXのX個(XはNより小さい自然数)のトランジスタのコレクタと直流電源との間に接続されるインダクタと、
    前記第1のトランジスタ群のベース−エミッタ間を前記第1の抵抗を介して短絡するか、前記第2のバイアス回路に接続する第1のスイッチと、
    前記第2のトランジスタ群のベース−エミッタ間を前記第2の抵抗を介して短絡するか、前記第2のバイアス回路に接続する第2のスイッチと、
    前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチを排他的にオンオフする利得切替制御端子と、
    前記第1のトランジスタ群のコレクタに接続される出力端子と、を有し、
    前記第2のトランジスタ群のBX+1〜BNのN−X個のトランジスタのコレクタは前記直流電源に接続され、
    前記第1のトランジスタ群のA1〜ANのトランジスタのエミッタは短絡して前記トランジスタCのコレクタに接続され、
    前記第2のトランジスタ群のB1〜BXのX個のトランジスタのエミッタは短絡して接続され、
    前記第2のトランジスタ群のBX+1〜BNのN−X個のトランジスタのエミッタは短絡して接続される利得切替付低雑音増幅回路であって、
    前記第2のトランジスタ群のB1〜BXのX個のトランジスタのエミッタと、前記トランジスタCのコレクタとの間に接続される抵抗B1と、
    前記第2のトランジスタ群のBX+1〜BNのN−X個のトランジスタのエミッタと、前記トランジスタCのコレクタとの間に接続され、前記抵抗B1のX/(N−X)倍の抵抗値からなる抵抗B2と、を有することを特徴とする利得切替付低雑音増幅回路。
  2. 入力端子と、
    前記入力端子から入力された電圧信号を入力として電流信号を出力する電圧入力電流出力増幅器と、
    電流信号を入力として電流信号を出力する第1の電流入力電流出力増幅器、第2の電流入力電流出力増幅器および第3の電流入力電流出力増幅器と、
    第1のスイッチ、第2のスイッチおよび第3のスイッチと、
    利得切替制御端子と、
    前記第1の電流入力電流出力増幅器および前記第2の電流入力電流出力増幅器の出力電流信号の加算値を電圧信号に変換する電流電圧変換器と、
    前記電流電圧変換器の出力電圧を出力する出力端子と、を有する利得切替付低雑音増幅回路であって、
    抵抗値の比がN−X:Nである第1の抵抗および第2の抵抗を有し、
    前記利得切替制御端子からの信号が高利得モードの場合、前記電圧入力電流出力増幅器の電流出力は前記第1のスイッチを経て前記第1の電流入力電流出力増幅器の電流入力端子へ入力され、
    前記利得切替制御端子からの信号が低利得モードの場合、前記電圧入力電流出力増幅器の電流出力のX/N倍の電流は前記第1の抵抗を介して前記第2のスイッチへ入力され、さらにその後段にある前記第2の電流入力電流出力増幅器の電流入力端子へ入力され、
    また、前記利得切替制御端子からの信号が低利得モードの場合、前記電圧入力電流出力増幅器の電流出力の(N−X)/N倍の電流は前記第2の抵抗を介して前記第3のスイッチへ入力され、さらにその後段にある前記第3の電流入力電流出力増幅器の電流入力端子へ入力されることを特徴とする利得切替付低雑音増幅回路。
  3. 請求項2記載の利得切替付低雑音増幅回路において、
    前記電圧入力電流出力増幅器は、前記入力端子からの信号がベースに入力されるトランジスタCを含むことを特徴とする利得切替付低雑音増幅回路。
  4. 請求項3記載の利得切替付低雑音増幅回路において、
    前記第1の電流入力電流出力増幅器は、同一サイズ、同一形状、同一特性からなるA1〜AN(Nは2以上の自然数)の第1のトランジスタ群を含み、
    前記第2の電流入力電流出力増幅器は、同一サイズ、同一形状、同一特性からなるB1〜BNの第2のトランジスタ群のうち、B1〜BXのX個(XはNより小さい自然数)のトランジスタを含み、
    前記第3の電流入力電流出力増幅器は、前記第2のトランジスタ群のうち、BX+1〜BNのN−X個のトランジスタを含むことを特徴とする利得切替付低雑音増幅回路。
  5. 請求項4記載の利得切替付低雑音増幅回路において、
    前記電流電圧変換器は、前記第1のトランジスタ群のA1〜ANのN個と、前記第2のトランジスタ群のB1〜BXのX個のトランジスタのコレクタと直流電源との間に接続されるインダクタを含むことを特徴とする利得切替付低雑音増幅回路。
JP2007111537A 2007-04-20 2007-04-20 利得切替付低雑音増幅回路 Expired - Fee Related JP4708384B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007111537A JP4708384B2 (ja) 2007-04-20 2007-04-20 利得切替付低雑音増幅回路
US12/102,321 US7705680B2 (en) 2007-04-20 2008-04-14 Gain switching low-noise amplifier circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007111537A JP4708384B2 (ja) 2007-04-20 2007-04-20 利得切替付低雑音増幅回路

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008271202A true JP2008271202A (ja) 2008-11-06
JP2008271202A5 JP2008271202A5 (ja) 2009-10-01
JP4708384B2 JP4708384B2 (ja) 2011-06-22

Family

ID=40050119

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007111537A Expired - Fee Related JP4708384B2 (ja) 2007-04-20 2007-04-20 利得切替付低雑音増幅回路

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7705680B2 (ja)
JP (1) JP4708384B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012521670A (ja) * 2009-03-19 2012-09-13 クゥアルコム・インコーポレイテッド 保護回路を有するカスコード増幅器

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7944290B2 (en) * 2009-01-26 2011-05-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Trans-impedance amplifier
DE102013111517A1 (de) * 2013-10-18 2015-04-23 Hella Kgaa Hueck & Co. Radargerät und Verfahren zum Betreiben eines Radargerätes
US10129837B2 (en) * 2015-12-14 2018-11-13 Skyworks Solutions, Inc. Variable capacitor
US10924075B2 (en) * 2018-06-04 2021-02-16 Analog Devices, Inc. Variable gain amplifiers with output phase invariance
US10348263B1 (en) * 2018-08-21 2019-07-09 I-Q Analog Corporation V-band digital control bandpass amplifier

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10341122A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Toshiba Corp 可変利得増幅器および可変電流分割回路
JP2002344266A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 可変利得増幅器
JP2003505904A (ja) * 1999-07-16 2003-02-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 改善された線形性を有する可変利得増幅器

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6392487B1 (en) * 2000-08-02 2002-05-21 Rf Micro Devices, Inc Variable gain amplifier

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10341122A (ja) * 1997-06-06 1998-12-22 Toshiba Corp 可変利得増幅器および可変電流分割回路
JP2003505904A (ja) * 1999-07-16 2003-02-12 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 改善された線形性を有する可変利得増幅器
JP2002344266A (ja) * 2001-05-18 2002-11-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 可変利得増幅器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012521670A (ja) * 2009-03-19 2012-09-13 クゥアルコム・インコーポレイテッド 保護回路を有するカスコード増幅器

Also Published As

Publication number Publication date
US20080309413A1 (en) 2008-12-18
JP4708384B2 (ja) 2011-06-22
US7705680B2 (en) 2010-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7880546B2 (en) Amplifier and the method thereof
US8044716B1 (en) Adjustable segmented power amplifier
JP6165973B2 (ja) ベースバンド処理回路
US9350310B2 (en) Receiver front end for carrier aggregation
JP4708384B2 (ja) 利得切替付低雑音増幅回路
US20040251947A1 (en) Gain amplifier with DC offset cancellation circuit
US8050642B2 (en) Variable gain amplifier and receiver including the same
US7405626B2 (en) Distributed amplifier having a variable terminal resistance
US10320441B2 (en) Systems and methods for a switchless radio front end
US7355471B2 (en) Circuit for DC offset cancellation
JP2011151771A (ja) 電子回路
CN107809220B (zh) 低噪声放大器、射频集成电路、信号接收模块及射频收发芯片
WO2008044750A1 (fr) Amplificateur à faible bruit
JP5433614B2 (ja) 半導体集積回路および受信装置
US11552604B2 (en) Balun device and differential phase shifter
US7253689B2 (en) Low distortion amplifier
WO2006095416A1 (ja) 減衰器を備えた高周波増幅器
US20110169573A1 (en) Amplifier circuit with step gain
EP1067677B1 (en) Radio frequency amplifier
KR101038854B1 (ko) 광대역 저잡음 증폭기
JP2007243830A (ja) 利得可変型増幅器
US11437965B2 (en) Variable gain amplifier and wireless communication device
JPWO2013175681A1 (ja) ダイレクトコンバージョン方式の受信機
TWI696345B (zh) 信號處理裝置
JP2005086620A (ja) バランス型の電力増幅器および高周波通信装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090814

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090814

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20100528

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110216

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110222

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110316

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees