JP2008262160A - 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法 - Google Patents
電気光学装置及び電気光学装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008262160A JP2008262160A JP2007324315A JP2007324315A JP2008262160A JP 2008262160 A JP2008262160 A JP 2008262160A JP 2007324315 A JP2007324315 A JP 2007324315A JP 2007324315 A JP2007324315 A JP 2007324315A JP 2008262160 A JP2008262160 A JP 2008262160A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electro
- optical device
- substrate
- coat layer
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】衝撃や荷重に対する耐久性が高く、信頼性の高い電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一対の基板(10、20)が貼り合わされて構成される電気光学装置において、一対の基板の互いに対向する面とは反対側の表面上に、ポリウレタン、又はポリエステルにより構成される樹脂コート層(13、23)と、シリコン系の材料を含んで構成されるハードコート層としてのシリコン系コート層(12、22)とからなる被膜を形成する。
【選択図】図2
【解決手段】一対の基板(10、20)が貼り合わされて構成される電気光学装置において、一対の基板の互いに対向する面とは反対側の表面上に、ポリウレタン、又はポリエステルにより構成される樹脂コート層(13、23)と、シリコン系の材料を含んで構成されるハードコート層としてのシリコン系コート層(12、22)とからなる被膜を形成する。
【選択図】図2
Description
本発明は、透光性の基板を用いて構成される電気光学装置及び電気光学装置の製造方法に関する。
従来より、電気光学装置として、液晶表示装置等の表示装置が知られている。例えば、液晶表示装置は、一対のガラスからなる基板を貼り合わせて構成されている。液晶表示装置等の表示装置は、携帯電話等の携帯型の電子機器に搭載されて広く使用されている。特に携帯型の電子機器の表示装置においては、表示画面の保護が重要であり、例えば特許文献1に開示されているような透明樹脂が表示画面上に塗布されることが多い。
ところで、近年、市場における電子機器の小型化、薄型化の要求に伴い、ガラス基板の厚さを薄くすることで表示装置を薄型化する傾向にある。このように表示装置を構成するガラス基板を薄くした場合、ガラス基板の強度が劇的に低下するため、落下による衝撃や押圧による曲げ荷重により表示装置が破損してしまう可能性が高くなる。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、衝撃や荷重に対する耐久性が高く、信頼性の高い電気光学装置及び電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の電気光学装置は、透光性の基板を用いて構成される電気光学装置であって、前記基板の少なくとも一方の表面上に形成され、シリコン系の材料を含んで構成されるハードコート層を具備することを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置の製造方法は、透光性の基板を用いて構成される電気光学装置の製造方法であって、前記基板の少なくとも一方の表面上に、シリコン系の材料を含んで構成されるハードコート層を形成する工程を具備することを特徴とする。
本発明のこのような構成によれば、基板表面にハードコート層が形成されていることにより、基板の割れの起点となる傷が発生せず、落下や荷重による破損が生じにくい電気光学装置を提供することが可能となる。
また、前記基板は、ガラス基板であることが好ましい。
このような構成によれば、表面の傷を起点とする割れなどが起こり易いガラス基板の、落下や荷重による破損が生じにくい電気光学装置を提供することが可能となる。
また、前記ハードコート層と前記基板との間に介装される樹脂コート層を具備することが好ましい。
また、前記ハードコート層を形成する工程に先立って、前記基板の少なくとも一方の表面上に、樹脂コート層を形成する工程を具備することが好ましい。
このような構成によれば、樹脂コート層が外部から電気光学装置に加えられる衝撃を分散し、吸収もしくは緩和するため、より衝撃や荷重に対する耐久性が高く、信頼性の高い電気光学装置を提供することが可能となる。
また、前記基板を一対用い、該一対の基板間に液晶分子が挟持されていることが好ましい。
また、前記一対の基板の、前記液晶分子が挟持されている側と反対側の両表面に、前記ハードコート層がそれぞれ形成されており、該ハードコート層の外側に、偏光板が配置されていることが好ましい。
このような構成によれば、落下や荷重による破損が生じにくい、一対の基板間に液晶分子が挟持された電気光学装置を提供することが可能となる。
前記基板は、入力機能付きのタッチパネルに用いられており、該タッチパネルを備えていることが好ましい。
このような構成によれば、落下や荷重による破損が生じにくいタッチパネルを備えた電気光学装置を提供することが可能となる。
また、前記ハードコート層は、ディッピング法により形成されることが好ましい。
このような構成によれば、電気光学装置の両面に一度にハードコート層を形成することが可能であるため、効率よく信頼性の高い電気光学装置を製造することが可能となる。
また、前記ハードコート層は、スピンコート法により形成されることが好ましい。
このような構成によれば、電気光学装置の両面にそれぞれ形成されるハードコート層の膜厚を個別に制御することが可能である。したがって、電気光学装置の使用形態にハードコート層の膜厚を適合させることにより、より耐久性が高く、信頼性の高い電気光学装置を製造することが可能となる。
(第1の実施形態)
以下、図面を参照して本発明の第1の実施形態を、電気光学装置の一例としての透過型の液晶パネルを例にして説明する。図1は電気光学装置の斜視図である。図2は図1のII−II断面図である。
以下、図面を参照して本発明の第1の実施形態を、電気光学装置の一例としての透過型の液晶パネルを例にして説明する。図1は電気光学装置の斜視図である。図2は図1のII−II断面図である。
図1及び図2に示すように、本実施形態の電気光学装置1は、透光性を有するガラス、石英、樹脂等で構成された一対の基板であるTFT基板10と対向基板20との間に電気光学物質である液晶41が挟持されて構成される。電気光学装置1は、電気的に接続される図示しない外部装置から入力された画像信号に基づいて液晶41の配向を変化させ、画像信号に応じて画像表示領域1aを透過する光を変調する装置である。
TFT基板10と対向基板20とは、それぞれ平面視で矩形状の平板であり、枠状のシール材40を介して所定の間隔で貼り合わせられている。両基板とシール材40とに囲まれた領域には、液晶41が封入されている。
TFT基板10の対向基板20側の表面の画像表示領域1a内には、互いに交差して配設された複数の走査線及びデータ線、該走査線とデータ線の交差に対応して設けられた画素電極、及び該画素電極をスイッチングする薄膜トランジスタ等の積層構造11が形成されている。一方、対向基板20のTFT基板10側の表面の画像表示領域1a内には、共通電極や画素電極に対応して設けられるカラーフィルタ等の積層構造21が形成されている。
TFT基板10は対向基板20よりも大きく形成されており、電気光学装置1を対向基板20の側から平面視した状態で、TFT基板10は、対向基板20よりも一方向に延出する張り出し部42を有している。
TFT基板10の張り出し部42の対向基板20側の表面上には複数の実装端子32が形成されており、該実装端子32上に、駆動回路であるドライバIC30及び、フレキシブル配線基板(以下、FPC(Flexible Printed Circuit)と称する)31が実装されている。ドライバIC30は、FPC31を介して外部装置と電気的に接続される。なお、ドライバIC30は、FPC31上に実装されるものであってもよい。
TFT基板10に形成された走査線及びデータ線は、ドライバIC30に電気的に接続されており、ドライバIC30は、外部装置から供給される画像信号に応じて所定のタイミングで走査線及びデータ線に信号を供給することで、電気光学装置1を駆動する。
また、TFT基板10の対向基板20とは反対側の面上、及び対向基板20のTFT基板10とは反対側の面上には、それぞれ被膜14及び24が形成されている。すなわち、本実施形態の電気光学装置1は、第1の基板であるTFT基板10と第2の基板である対向基板20とを貼り合わせて構成されるものであって、その表面に被膜14及び24が形成されているのである。さらに、被膜14及び24のそれぞれの表面には、偏光板15、25が貼り付けられている。
被膜14及び24は、双方とも2層からなる同一の構造を有するものであって、TFT基板10及び対向基板20に接する側(下層側)に形成された樹脂コート層13及び23と、その上層すなわち最外表面に形成されたシリコン系コート層12及び22とにより構成されている。
樹脂コート層13及び23は、ポリエステル、ポリウレタン等の樹脂からなる透明な薄膜で、およそ0.1μmから10μmの膜厚を有する。本実施形態では、樹脂コート層13及び23の膜厚は1μmである。
一方、シリコン系コート層12及び22は、シリカ(SiO2)の微粒子がバインダ中に分散されてなる透明かつ硬質な薄膜で、シリコン系材料からなるいわゆるハードコート層である。シリコン系コート層12及び22の膜厚は、およそ0.1μmから10μmであり、本実施形態では、1μmである。シリコン系コート層12及び22は、シリカ系微粒子、樹脂、有機ケイ素化合物からなるバインダ、界面活性剤、その他の添加物等を含有する液を塗布し、焼成することで形成されるものである。
上述した本実施形態の電気光学装置1は、その表面に、ポリエステル、ポリウレタン等の樹脂からなる樹脂コート層13及び23と、シリコン系材料からなるシリコン系コート層12及び22とからなる被膜14及び24を有するものである。
ここで、樹脂コート層13及び23は、その弾性により、外部から電気光学装置1に加えられる衝撃を分散し、吸収もしくは緩和する効果を有する。また、シリコン系コート層12及び22は、硬質な被膜であることから、電気光学装置1の表面の耐擦傷性を向上させる効果を有する。
したがって、本実施形態の電気光学装置1は、その表面にシリコン系コート層12及び22が形成されていることにより、ガラス等からなる基板の割れの起点となる傷が発生せず、また樹脂コート層13及び23が形成されていることにより外部から加えられる衝撃が緩和されるため、高い耐衝撃性を有するのである。すなわち、本実施形態によれば、落下や荷重による破損が生じにくい電気光学装置を提供することが可能となる。
なお、ガラスからなる電気光学装置1を構成するTFT基板10及び対向基板20は、表面に傷が存在することで特に割れやすくなるものである。したがって、上述した実施形態では、電気光学装置1の表面に樹脂コート層とシリコン系コート層の2層からなる被膜を形成するものとしたが、電気光学装置1の表面の耐擦傷性を向上させるシリコン系コート層のみを形成した場合であっても、電気光学装置1の耐衝撃性を向上させる効果を有する。
また、上述した実施形態では、電気光学装置1の両面に被膜14及び24を形成しているが、片面、例えば対向基板20側にのみ被膜24を形成する場合であっても同様の効果を有するものである。
次に、上述した電気光学装置の製造方法、特に被膜14及び24の形成方法について以下に説明する。図3は、本実施形態の電気光学装置の製造方法を示すフローチャートである。図4は、複数の電気光学装置1を構成する2枚のマザー基板51、52の貼り合わせを説明するための図である。被膜14及び24の形成方法以外の電気光学装置の製造方法については、周知であるため、その説明は省略するか、簡単に説明する。
なお、本実施形態においては、一枚のマザー基板から複数の電気光学装置用の基板を切り出す、いわゆる多面取りにより電気光学装置を製造するものである。このマザー基板は、透光性を有している。
まず、図4に示すようなマザー基板51上において、後にTFT基板10となる複数のTFT基板形成領域10aに、それぞれ積層構造11を形成する(ステップS1)。積層構造11は上述したように、データ線、走査線、TFT、画素電極等からなり、例えばCVD法やスパッタリング等による成膜、フォトグラフィ等によるパターニング、熱処理などによって形成される。
一方、マザー基板52上において、後に対向基板20となる複数の対向基板形成領域20aに、それぞれ積層構造21を形成する(ステップS3)。積層構造21は、共通電極やカラーフィルタ及びブラックマトリクス等からなり、例えばCVD法やスパッタリング等による成膜、フォトグラフィ等によるパターニング、熱処理などによって形成される。
次に、マザー基板51及び52の一方の対向面上に、個々の電気光学装置の形成領域(10a、20a)に対応して設けられた枠状のシール材40と、複数の電気光学装置の形成領域を取り囲み、後の被膜形成工程において溶液がマザー基板間に浸入することを防止するための、マザー基板外周に設けられた枠状のシール材53を形成する(ステップS2)。本実施形態では、シール材40及び53をマザー基板51上に形成する。
そして、真空雰囲気中において、マザー基板51上であって、シール材40により囲まれた領域に所定量の液晶41を滴下し、さらにシール材40及び53を介してマザー基板51及び52を所定に位置決めして貼り合わせる(ステップS4)。これにより、後に電気光学装置1となる構造が複数形成された集合体が作成される。
次に、ステップS4で貼り合わせたマザー基板51及び52を基板エッチング工程にて薄くする(ステップS5)。基板エッチング工程におけるエッチング加工は、例えば、ガラスを用いたマザー基板51及び52ではフッ酸をベースとするエッチング液を用い、このエッチング液の中にマザー基板51及び52を浸漬して行う。マザー基板51及び52は、エッチング液にさらされる外表面から化学的にエッチングされて徐々に薄くなっていく。エッチング量は、エッチング時間によって決まるため、エッチング時間を適宜設定することによって得ようとするマザー基板51及び52の厚さ、換言すればエッチング加工量を決めることができる。
なお、薄くする方法としては、エッチング液に浸漬する化学的な方法の他に、基板表面を研磨する物理的な方法がよく知られている。マザー基板51及び52を薄くするにはどちらの方法を用いてもよいが、本実施形態においては、エッチング液に浸漬する化学的な方法により行っている。この方法によれば、物理的な方法に比べ基板表面を平坦化しやすいなどの利点を有する。また、この段階で基板を薄くすることで、この段階までに生じている微細な傷を取り除くことができる。
次に、集合体の表面上に樹脂コート層13及び23を形成する(ステップS6)。具体的には、ポリエステル又はポリウレタンを含有する溶液中に集合体を浸漬し、所定の速度で引き上げることにより集合体の表面上に溶液を塗布し、該溶液を乾燥することにより集合体の表面上にポリエステル又はポリウレタンからなる所定の膜厚の樹脂コート層13及び23を形成する。この時、様々な製造工程を経てきているマザー基板51及び52の表面には、ステップS5で完全に消失できなかった傷を含め、支持台との接触などにより傷等が発生していることがある。しかしながら、樹脂コート層13及び23を形成することにより、マザー基板51及び52の表面に発生している傷を埋めることができる。したがって後の工程によりこの傷を原因とする破損を防止することができる。
次に、樹脂コート層13及び23上にシリコン系コート層12及び22を形成する(ステップS7)。具体的には、シリカ系微粒子が分散され、樹脂、有機ケイ素化合物からなるバインダ、界面活性剤、その他の添加物等を含有する溶液中に集合体を浸漬し、所定の速度で引き上げることにより、溶液を樹脂コート層13及び23上に塗布する。そして該溶液を焼成することにより樹脂コート層13及び23上にシリコン系コート層12及び22を形成する。後述する基板分断の際に、分断したガラス粉等が飛び散り、このガラス粉によりマザー基板51及び52の表面に傷が発生することがある。しかしながら、シリコン系コート層12及び22を形成しておくことで、後の分断工程の際にガラス粉が飛び散っても、マザー基板51及び52の表面をガードすることができ、傷の発生を防止することができる。
次に、一対のマザー基板51及び52が貼り合わされてなる集合体を所定に切断することにより、一対のTFT基板10及び対向基板20が貼り合わされてなる電気光学装置1を個片に切り出す(ステップS8)。
なお、このとき、マザー基板51及び52は外周部においてシール材53により貼り合わされていたことから、電気光学装置1の張り出し部42上には、被膜14及び24は形成されていない。この張り出し部42の実装端子32上にドライバIC30及びFPC31を実装するとともに、電気光学装置1の表面に形成された被膜14及び24の上に偏光板15及び25をそれぞれ貼り付けることにより、図1に示した電気光学装置1が完成する(ステップS9)。
以上に説明した電気光学装置の製造方法においては、マザー基板から電気光学装置を個片に切り出す前に、その表面に被膜14及び24を形成している。このため、ガラス粉が発生し、このガラス粉によって表面に傷がつきやすい工程である切り出し工程において、既にマザー基板の表面に硬質で耐擦傷性の高いシリコン系コート層が形成されていることから、切り出し工程における電気光学装置1の表面に傷が形成されてしまう不良の発生を防止することが可能となる。
なお、上述した実施形態においては、被膜14及び24の形成を、いわゆるディッピング法により行っているものであるが、この他のスピンコート法、スプレイコート法等の公知の方法により、被膜が形成されるものであってもよい。例えば、スピンコート法により被膜を形成した場合、TFT基板側と対向基板側とで膜厚を異なるものとすることが可能であり、電気光学装置の使用状況に合わせて耐久性をより最適化することが可能である。
また、上述の実施形態においては、被膜14及び24をTFT基板10の対向基板20とは反対側の面上、及び対向基板20のTFT基板10とは反対側の面上に形成する構成で説明したがこれに限らない。被膜14及び24は、TFT基板10の対向基板20側の面上、及び対向基板20のTFT基板10側の面上に形成されている構成、或いは前述の4つの面の内のいずれかの面に形成されている構成でも同等の効果を有する。
(第2の実施形態)
以下に、本発明の第2の実施形態について、図5及び図6を参照して説明する。本実施形態は、第1の実施形態に対して、電気光学装置1の製造方法の一部のみが異なる。よって、以下ではこの相違点のみを説明するものとし、また、第1の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜に省略するものとする。
以下に、本発明の第2の実施形態について、図5及び図6を参照して説明する。本実施形態は、第1の実施形態に対して、電気光学装置1の製造方法の一部のみが異なる。よって、以下ではこの相違点のみを説明するものとし、また、第1の実施形態と同様の構成要素については同一の符号を付し、その説明を適宜に省略するものとする。
図5は、本実施形態の電気光学装置の製造方法を示すフローチャートである。図5に示すように、本実施形態の電気光学装置の製造方法は、ステップS4、すなわち液晶41を封止した集合体を得るところまでは第1の実施形態と同一である。
本実施形態では、集合体を形成した後に、まず電気光学装置を個片に切り出す(ステップS15)。そして、切り出された個々の電気光学装置1の張り出し部42の実装端子32上にドライバIC30及びFPC31を実装する(ステップS16)。
次に、個々の電気光学装置1の表面上に、樹脂コート層13及び23を形成する(ステップS17)。具体的には、ポリエステル又はポリウレタンを含有する溶液中に電気光学装置1を浸漬し、所定の速度で引き上げることにより電気光学装置1の表面上に溶液を塗布し、該溶液を乾燥することにより電気光学装置1の表面上にポリエステル又はポリウレタンからなる所定の膜厚の樹脂コート層13及び23を形成する。なお、このとき、FPC31の、実装端子32に接続されていない側の端子部には、樹脂コート層13及び23が形成されないように、該端子部を溶液中に浸漬させない、もしくはマスキングを行う。
次に、樹脂コート層13及び23上にシリコン系コート層12及び22を形成する(ステップS18)。具体的には、シリカ系微粒子が分散され、樹脂、有機ケイ素化合物からなるバインダ、界面活性剤、その他の添加物等を含有する溶液中に電気光学装置1を浸漬し、所定の速度で引き上げることにより、溶液を樹脂コート層13及び23上に塗布する。そして該溶液を焼成することにより樹脂コート層13及び23上にシリコン系コート層12及び22を形成する。ここでも同様に、FPC31の、実装端子32に接続されていない側の端子部には、樹脂コート層13及び23が形成されないように、該端子部を溶液中に浸漬させない、もしくはマスキングを行う。
以上により、電気光学装置1の表面上に被膜14及び24が形成され、電気光学装置1が完成するのである。
本実施形態によれば、図6に示すように、実装された後のドライバIC30上に被膜24が形成される。このため、ドライバIC30は、被膜24により封止された形態となり、別途ドライバIC30を封止するモールディングが不要となる。
また、本実施形態においては、電気光学装置1の端面部上にも被膜が形成されるため、欠けやすい電気光学装置1の端面を保護することが可能となり、より耐衝撃性の高い電気光学装置1を提供することが可能となるのである。
なお、本実施形態では、ドライバIC30及びFPC31を実装した後に、被膜14及び24を形成しているが、ドライバIC30及びFPC31を実装する前に被膜14及び24を形成してもよい。この場合、張り出し部42の実装端子32は、被膜の形成工程に先立って例えばエポキシ樹脂等によりマスキングされる。
(第3の実施形態)
以下に、本発明の第3の実施形態について、図7及び図8を参照して説明する。本実施形態では、前述の実施形態との相違点のみを説明するものとする。
以下に、本発明の第3の実施形態について、図7及び図8を参照して説明する。本実施形態では、前述の実施形態との相違点のみを説明するものとする。
図7および図8は各々、本発明を適用した電気光学装置としての入力機能付き表示装置の構成を模式的に示す説明図であり、図7は斜視図、図8は図7のA−A断面図である。なお、図8において、タッチパネルの第1の透光性電極やパターンおよび第2の透光性電極、および液晶装置の画素電極や対向電極などについてはパターンについて実線で簡略化して示してある。また、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
図7および図8において、本実施形態の入力機能付き表示装置100は、概ね、画像生成装置としての液晶装置105と、この液晶装置105において表示光を出射する側の面に重ねて配置されたタッチパネル101(入力装置)とを有している。
液晶装置105は、透過型のアクティブマトリクス型液晶パネル(以下、単に液晶パネル105aという)を備えており、透過型の液晶パネル105aの場合、表示光の出射側とは反対側にバックライト装置(図示せず)が配置されている。また、液晶装置105においては、液晶パネル105aに対して表示光の出射側の素子基板150には被膜147が形成され、その反対側の対向基板160には被膜153が形成されている。被膜147及び153は、双方とも2層からなる同一の構造を有するものであって、素子基板150及び対向基板160に接する側(下層側)に形成された樹脂コート層145及び151と、その上層に形成されたシリコン系コート層146及び152とにより構成されている。さらに、被膜147の表面には第1偏光板181が重ねて配置され、及び反対側の被膜153の表面には第2偏光板182が重ねて配置されている。
液晶パネル105aは、透光性の素子基板150と、この素子基板150に対して対向配置された状態でシール材171により貼り合わされた透光性の対向基板160と、対向基板160と素子基板150との間に保持された液晶層155とを備えている。素子基板150において、対向基板160の縁から張り出した張出領域159には駆動用IC175がCOG実装されているとともに、張出領域159にはフレキシブル基板173が接続されている。なお、素子基板150には、素子基板150上のスイッチング素子と同時に駆動回路を形成することもある。
入力機能装置としてのタッチパネル101は、抵抗膜型であり、ITO膜(Indium Tin Oxide)からなる透光性の第1電極115が第1面111に形成された透光性の第1基板110と、ITO膜からなる第2電極125が第1面121に形成された透光性の第2基板120とが、第1面111、及び121同士が所定の間隙を介して対向するようにシール材131で貼り合わされ、その内側は空気層になっている。第1基板110および第2基板120としては透光性の薄いプラスチック基板や薄いガラス基板を用いることができ、本実施形態では、第1基板110および第2基板120のいずれにおいても、薄いガラス基板が用いられている。第1基板110において、第2基板120の縁から張り出した張出領域119にはフレキシブル基板133が接続されている。第1基板110の第2面112には、被膜143が形成されている。被膜143は、2層の構造を有するものであって、第1基板110の第2面112に接して形成された樹脂コート層141と、その上層に形成されたシリコン系コート層142とにより構成されている。即ち、第1偏光板181を挟むように素子基板150上に形成された被膜147と第1基板110の第2面112上に形成された被膜143が設けられている構成となっている。
このように構成したタッチパネル101は、液晶装置105の第1偏光板181に重ねて配置されて入力機能付き表示装置100を構成する。この入力機能付き表示装置100において、液晶装置105は画像表示領域100a内に動画や静止画を表示可能であり、入力機能付き表示装置100に対して、タッチパネル101を介して入力を行う際の指示画像なども表示する。従って、利用者は、液晶装置105で表示された指示画像を見ながら、タッチパネル101を指で押下すれば第2基板120が撓みで、押下された箇所で第1電極115と第2電極125とが接触する。それ故、第1電極115と第2電極125とが接触した箇所を検出すれば、入力された情報を判別することができる。
本実施形態によれば、樹脂コート層141、145及び151は、その弾性により、外部から入力機能付き表示装置100に加えられる衝撃を分散し、吸収もしくは緩和する効果を有する。また、シリコン系コート層142、146及び152は、硬質な被膜であることから、入力機能付き表示装置100の表面の耐擦傷性を向上させる効果を有する。
したがって、本実施形態の入力機能付き表示装置100は、その表面にシリコン系コート層142、146及び152が形成されていることにより、ガラス等からなる基板の割れの起点となる傷が発生しない。また、樹脂コート層141、145及び151が形成されていることにより外部から加えられる衝撃が緩和されるため、高い耐衝撃性を有するのである。すなわち、本実施形態によれば、落下や荷重による破損が生じにくい入力機能付き表示装置100を提供することが可能となる。
なお、ガラスからなる第1基板110、素子基板150及び対向基板160は、表面に傷が存在することで特に割れやすくなるものである。したがって、上述した実施形態では、それぞれの基板の表面に樹脂コート層とシリコン系コート層の2層からなる被膜を形成するものとしたが、第1基板110、素子基板150及び対向基板160の表面の耐擦傷性を向上させるシリコン系コート層のみを形成した場合であっても、入力機能付き表示装置100の耐衝撃性を向上させる効果を有する。
また、上述した実施形態では、素子基板150、対向基板160、及び第1基板110に、それぞれ被膜147、153、及び143が形成された構成を説明したが、これに限らず、被膜がいずれかの基板に形成されている構成でも同様の効果を有するものである。この一例について図9を参照して説明する。本例では、図8と同様の構成は、同じ符号を付けて説明を省略する。
図9に示すように、入力機能装置としてのタッチパネル101の第1基板110の第2面112に被膜143が形成されているが、液晶装置105の素子基板150及び対向基板160には被膜が形成されていない。被膜143は、2層の構造を有するものであって、第1基板110の第2面112に接して形成された樹脂コート層141と、その上層に形成されたシリコン系コート層142とにより構成されている。この構成によれば、入力機能装置としてのタッチパネル101のみで用いる場合でも同様の効果を有する。
図9に示すように、入力機能装置としてのタッチパネル101の第1基板110の第2面112に被膜143が形成されているが、液晶装置105の素子基板150及び対向基板160には被膜が形成されていない。被膜143は、2層の構造を有するものであって、第1基板110の第2面112に接して形成された樹脂コート層141と、その上層に形成されたシリコン系コート層142とにより構成されている。この構成によれば、入力機能装置としてのタッチパネル101のみで用いる場合でも同様の効果を有する。
また、被膜は、第1基板110の第1面111、或いは素子基板150、及び対向基板160の液晶層155側の面に形成されている構成であってもよい。
(第4の実施形態)
以下に、本発明の第4の実施形態について、図10を参照して説明する。本実施形態では、前述の実施形態との相違点のみを説明するものとする。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
以下に、本発明の第4の実施形態について、図10を参照して説明する。本実施形態では、前述の実施形態との相違点のみを説明するものとする。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際のものとは適宜に異ならせてある。
図10は、電気光学装置としての有機EL装置201の正断面図である。有機EL装置201は、透光性のガラス基板210を基体とし、その上に各構成要素が積み上げられた構成となっている。ガラス基板210上には、図示しないTFT(Thin Film Transistor)素子や各種配線等を含む回路素子層219が形成されている。さらに、ガラス基板210の回路素子層219が形成されている面と反対側の面には、被膜223が形成されている。被膜223は、2層の構造を有するものであって、ガラス基板210に接して形成された樹脂コート層221と、その上層に形成されたシリコン系コート層222とにより構成されている。
回路素子層219上には、ITO(Indium Tin Oxide)からなる光透過性の画素電極211が発光素子205ごとに形成されている。なお、発光素子205は、ガラス基板210の長手方向に沿って列をなすように等間隔に形成されている。この画素電極211は、回路素子層219に形成されたTFT素子に接続されている。
また、回路素子層219上には、無機材料からなる無機バンク212が形成されている。無機バンク212は、画素電極211の周りを囲うようにして配置されており、ガラス基板210の法線方向から見て、一部が画素電極211の外縁部に重なった状態に形成されている。無機バンク212上には、撥水性を有する有機材料からなる有機バンク213を有している。有機バンク213は、発光素子205の周囲を囲うように形成されている。
上記画素電極211及び無機バンク212の上には、正孔輸送層214及び発光層215がこの順に配置されている。発光層215の上には、発光層215及び正孔輸送層214を覆うように、カルシウム(Ca)及びアルミニウム(Al)の積層体である陰極216が形成されている。陰極216の上には、水や酸素の侵入を防ぎ、陰極216あるいは有機EL素子203の酸化を防止するための、樹脂等からなる封止部材217が積層されている。
また、発光層215は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。画素電極211と陰極216との間に電圧を印加することによって、発光層215には、正孔輸送層214から正孔が、また、陰極216から電子が注入される。発光層215は、これらが結合したときに光を発する。発光層215からの発光スペクトルは、材料の発光特性や膜厚に依存する。本実施形態では、発光層215は赤色光を発光し、その主発光波長、すなわち発光スペクトルにおいて発光強度が最大となる波長は約630nmである。
発光層215から図10の下方に射出された光はそのままガラス基板210を透過し、また図10の上方に射出された光は陰極216によって反射された後に下方へ進み、同じくガラス基板210を透過する。このような構成の有機EL装置201は、ボトムエミッション型と呼ばれる。
なお、有機EL装置201が、ガラス基板210とは反対側に向けて表示光を射出するトップエミッション型である場合、陰極216は、例えば、薄いカルシウム層と、ITO層などから構成して光透過性をもたせ、画素電極211の下層側には、画素電極211の略全体と重なるようにアルミニウム膜などからなる光反射層を形成する。
本実施形態によれば、樹脂コート層221は、その弾性により、外部から有機EL装置201に加えられる衝撃を分散し、吸収もしくは緩和する効果を有する。また、シリコン系コート層222は、硬質な被膜であることから、有機EL装置201の表面の耐擦傷性を向上させる効果を有する。
したがって、本実施形態の有機EL装置201は、その表面にシリコン系コート層222が形成されていることにより、ガラス等からなる基板の割れの起点となる傷が発生しない。また、樹脂コート層221が形成されていることにより外部から加えられる衝撃が緩和されるため、高い耐衝撃性を有するのである。すなわち、本実施形態によれば、落下や荷重による破損が生じにくい有機EL装置201を提供することが可能となる。
なお、ガラス基板210は、表面に傷が存在することで特に割れやすくなるものである。したがって、上述した実施形態では、ガラス基板210の表面に樹脂コート層221とシリコン系コート層222の2層からなる被膜223を形成するものとしたが、ガラス基板210表面の耐擦傷性を向上させるシリコン系コート層222のみを形成した場合であっても、有機EL装置201の耐衝撃性を向上させる効果を有する。
また、本実施形態では、ガラス基板210の回路素子層219が形成されている面と反対側の面に被膜223が形成されている構成で説明したが、被膜223が、ガラス基板210の回路素子層219が形成されている面の形成されている構成でもよい。
なお、本発明の電気光学装置は、上述した実施形態に係るアクティブマトリクス型の液晶表示装置(例えば、TFT(薄膜トランジスタ)やTFD(薄膜ダイオード)をスイッチング素子として備えた液晶表示パネル)だけでなく、パッシブマトリクス型の液晶表示装置にも同様に適用することが可能である。また、液晶表示パネルだけでなく、エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電気放出素子を用いた装置( Field Emission Display 及び Surface-Conduction Electron-Emission Display 等)等の各種の電気光学装置においても本発明を同様に適用することが可能である。
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電気光学装置の製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
1 電気光学装置、 10 TFT基板、 12 シリコン系コート層、 13 樹脂コート層、 14 被膜、 20 対向基板、 22 シリコン系コート層、 23 樹脂コート層、 24 被膜、 30 ドライバIC、 31 FPC、 32 実装端子、 40 シール材、 41 液晶、 42 張り出し部。
Claims (10)
- 透光性の基板を用いて構成される電気光学装置であって、
前記基板の少なくとも一方の表面上に形成され、シリコン系の材料を含んで構成されるハードコート層を具備することを特徴とする電気光学装置。 - 前記基板は、ガラス基板であることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記ハードコート層と前記基板との間に介装される樹脂コート層を具備することを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記基板を一対用い、該一対の基板間に液晶分子が挟持されていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 前記一対の基板の、前記液晶分子が挟持されている側と反対側の両表面に、前記ハードコート層がそれぞれ形成されており、
該ハードコート層の外側に、偏光板が配置されていることを特徴とする請求項4に記載の電気光学装置。 - 前記基板は、入力機能付きのタッチパネルに用いられており、該タッチパネルを備えていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
- 透光性の基板を用いて構成される電気光学装置の製造方法であって、
前記基板の少なくとも一方の表面上に、シリコン系の材料を含んで構成されるハードコート層を形成する工程を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 前記ハードコート層を形成する工程に先立って、前記基板の少なくとも一方の表面上に、樹脂コート層を形成する工程を具備することを特徴とする請求項7に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記ハードコート層は、ディッピング法により形成されることを特徴とする請求項7に記載の電気光学装置の製造方法。
- 前記ハードコート層は、スピンコート法により形成されることを特徴とする請求項7に記載の電気光学装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007324315A JP2008262160A (ja) | 2007-03-16 | 2007-12-17 | 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007068084 | 2007-03-16 | ||
JP2007324315A JP2008262160A (ja) | 2007-03-16 | 2007-12-17 | 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008262160A true JP2008262160A (ja) | 2008-10-30 |
Family
ID=39984647
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007324315A Withdrawn JP2008262160A (ja) | 2007-03-16 | 2007-12-17 | 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008262160A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011033912A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
WO2011070884A1 (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-16 | シャープ株式会社 | 液晶装置 |
JP2011174965A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Sony Corp | 電気光学装置および電子機器 |
-
2007
- 2007-12-17 JP JP2007324315A patent/JP2008262160A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011033912A (ja) * | 2009-08-04 | 2011-02-17 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
WO2011070884A1 (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-16 | シャープ株式会社 | 液晶装置 |
US8823668B2 (en) | 2009-12-08 | 2014-09-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal device |
JP2011174965A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Sony Corp | 電気光学装置および電子機器 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6811353B2 (ja) | 表示装置、ガラス基板およびガラス基板の製造方法 | |
US11262630B2 (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
US9196662B2 (en) | Organic light emitting display and method for manufacturing the same | |
USRE47701E1 (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
JP5376461B2 (ja) | 静電容量型タッチパネルの製造方法および静電容量型タッチパネル | |
JP4131639B2 (ja) | 携帯可能な媒体に搭載可能な表示装置および情報機器 | |
TW201327304A (zh) | 觸控顯示面板 | |
US11532797B2 (en) | Display apparatus including glass substrates | |
JP2010055918A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 | |
US10770688B2 (en) | Display device | |
JP2008262160A (ja) | 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法 | |
US20070229752A1 (en) | Liquid crystal display apparatus | |
JP2009145717A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP2016031400A (ja) | 表示装置 | |
JP2005084228A (ja) | 液晶表示装置 | |
KR102093717B1 (ko) | 표시 패널 및 이의 제조 방법 | |
KR20180077940A (ko) | 보더리스타입 표시장치 | |
TWI532087B (zh) | 矩陣電路基板、顯示裝置及矩陣電路基板的製造方法 | |
JP2011023510A (ja) | 基板の接続構造、及び表示装置 | |
KR102133221B1 (ko) | 표시 패널 | |
KR100841629B1 (ko) | 횡전계모드 액정표시소자 | |
JP2005227696A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
JP2005148305A (ja) | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器 | |
JP2008052165A (ja) | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器 | |
JP2005049776A (ja) | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器、電気光学装置用基板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110301 |