JP2008254171A - 平坦化するための研磨パッド - Google Patents
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Abstract
【課題】パッドの作動寿命の全体にわたって研磨または平坦化の特徴におけるバリエーションが低下した研磨パッドを開発すること。
【解決手段】本発明は研磨パッドに関する。特に、本発明の研磨パッドは、下層、中間層および研磨層として機能し得る上層を備える。本発明の研磨パッドは、研磨品に有用であって、特に、マイクロエレクトロニクスデバイス(例えば、半導体ウェーハ)の化学機械的研磨またはまたは平坦化に有用である。この上層は、この上層の重量の合計を基準にして少なくとも2重量パーセントの研磨スラリーを吸収し得る。
【選択図】なし
【解決手段】本発明は研磨パッドに関する。特に、本発明の研磨パッドは、下層、中間層および研磨層として機能し得る上層を備える。本発明の研磨パッドは、研磨品に有用であって、特に、マイクロエレクトロニクスデバイス(例えば、半導体ウェーハ)の化学機械的研磨またはまたは平坦化に有用である。この上層は、この上層の重量の合計を基準にして少なくとも2重量パーセントの研磨スラリーを吸収し得る。
【選択図】なし
Description
本発明は、研磨パッドに関する。特に、本発明の研磨パッドは、下層、中間層および研磨層として機能し得る上層を備える。本発明の研磨パッドは、研磨品に有用であって、特に、マイクロエレクトロニクスデバイス(例えば、半導体ウェーハ)の化学機械的研磨または平坦化に有用である。
一般に、マイクロエレクトロニクスデバイスの非平坦表面を研磨または平坦化して本質的に平坦な表面にすることは、非平坦表面を、制御された反復運動を使用して、研磨パッドの作業表面で研ぐことを含み得る。研磨スラリーは、研磨されるべき物品の粗い表面と、研磨パッドの作業表面との間に挟まれ得る。
マイクロエレクトロニクスデバイス(例えば、半導体ウェーハ)の製造は一般に、例えば、ケイ素またはヒ化ガリウムを含むウェーハ上の複数の集積回路の形成を含む。この集積回路は、材料(例えば、導電性材料、絶縁材料、および半導性材料)のパターン化された層が基板上に形成される一連のプロセス工程によって形成され得る。1ウェーハあたりの集積回路密度を最大にするために、半導体ウェーハ生産プロセスの全体にわたって様々な段階で本質的に平坦な研磨基板を有することが望ましい。従って、半導体ウェーハ生産は、一般的に、少なくとも1つの研磨工程を含み、そして、複数の研磨工程を含み得、この研磨工程は、1以上の研磨パッドを用い得る。
化学機械的研磨(CMP)プロセスでは、マイクロエレクトロニクス基板は、研磨パッドと接触して配置され得る。このマイクロエレクトロニクスデバイスの裏面に力を付与している間、このパッドは回転され得る。研磨剤を含有する化学的に反応性の溶液、すなわちスラリーは、研磨の間、このパッドに適用され得る。CMP研磨スラリーは、研磨剤材料(例えば、シリカ、アルミナ、セリアまたはそれらの混合物)を含み得る。スラリーがデバイス/パッド界面に提供されているので、この基板に対する、パッドの回転運動は、研磨プロセスを容易にする。研磨は、所望のフィルム厚さが除去されるまでこのような様式で継続される。
研磨パッドおよび研磨剤ならびに他の添加物の選択に依存して、このCMPプロセスは、所望の研磨速度において、表面の不完全さ、欠陥、腐食および侵食を最小にしながら、効果的な研磨を提供し得る。
研磨または平坦化の特徴は、多くの場合、パッド毎に、そして、所定のパッドの作動寿命の全体にわたって変動し得る。パッドの研磨特徴におけるバリエーションは、役に立たない、不十分に研磨されたかまたは不十分に平坦化された基板をもたらし得る。従って、研磨または平坦化の特徴におけるパッド毎のバリエーションが低下した研磨パッドを開発することが当該分野で望ましい。パッドの作動寿命の全体にわたって研磨または平坦化の特徴におけるバリエーションが低下した研磨パッドを開発することがさらに望ましい。
本発明は、下層、中間層および上層を備える研磨パッドを含み、この上層は、この上層の重量の合計を基準にして少なくとも2重量パーセントの研磨スラリーを吸収し得る。
本発明の研磨パッドは、下層、中間層および上層を含み得る。非限定的な実施形態では、本発明は、積層されたパッドアセンブリを含み得、ここで、下層の少なくとも一部分は、中間層の少なくとも一部分と接続し得、そして中間層の少なくとも一部分は、上層の少なくとも一部分と接続し得る。下層は、研磨装置のプラテンに結合し得るパッドの底面層として機能し得る。非限定的な実施形態では、この中間層は、実質的に非多孔性であり得、そして研磨スラリーを実質的に不浸透性であり得る。上層は、パッドの研磨表面または作業表面として機能し得、その結果、上層は、研磨されるべき基質および研磨スラリーと少なくとも部分的に相互作用し得る。非限定的な実施形態では、この上層は、多孔性であり得、そして研磨スラリーを浸透させ得る。
本発明は、さらに以下を提供する。
(項目1)
研磨パッドであって、以下:
a.下層;
b.中間層;および
c.上層;
を備え、ここで、該上層は、少なくとも部分的に中間層に接続し、該中間層は少なくとも部分的に該下層にに接続しており、該上層は、該上層の重量の合計を基準にして少なくとも2重量パーセントの研磨スラリーを吸収する、研磨パッド。
(項目2)
前記上層が、該上層の重量の合計を基準にして50重量%以下の研磨スラリーを吸収する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目3)
前記上層が、粒子状ポリマーおよび架橋ポリマーバインダー;粒子状ポリマーおよび有機ポリマーバインダー;熱可塑性樹脂の焼結粒子;熱可塑性ポリマーの圧力焼結粉末圧縮物;複数のポリマー微量要素を含浸させたポリマーマトリクスであって、各ポリマー微量要素がその中に空隙空間を有し得るポリマーマトリクス、またはそれらの組み合わせから選択される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目4)
前記上層が、少なくとも0.020インチの厚さを有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目5)
前記上層が、0.150インチ以下の厚さを有する、項目4に記載の研磨パッド。
(項目6)
前記上層が、研磨表面上に溝をさらに備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目7)
前記上層が、研磨表面上にパターンをさらに備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目8)
前記中間層が、実質的に非体積圧縮性のポリマーならびに金属フィルムおよび金属箔から選択される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目9)
前記中間層が、ポリオレフィン;セルロースベースのポリマー;アクリル;ポリエステルおよびコポリエステル;ポリカーボネート;ポリアミド;高性能プラスチック;またはそれらの混合物から選択される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目10)
前記中間層が、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超高分子量ポリエチレンまたはポリプロピレン;酢酸セルロースまたは酪酸セルロース;PETまたはPETG;ナイロン6/6またはナイロン6/12;ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリイミドまたはポリエーテルイミド;あるいはそれらの混合物から選択される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目11)
前記中間層が、少なくとも0.0005インチの厚さを有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目12)
前記中間層が、0.0030インチ以下の厚さを有する、項目11に記載の研磨パッド。
(項目13)
前記下層が、天然ゴム、合成ゴム、熱可塑性エラストマー、発泡体シートおよびそれらの組合せから選択される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目14)
前記下層が、少なくとも0.020インチの厚さを有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目15)
前記下層が、0.100インチ以下の厚さを有する、項目14に記載の研磨パッド。
(項目16)
前記下層、中間層および上層が、接着物質によって少なくとも部分的に接続されている、項目1に記載の研磨パッド。
(項目17)
前記接着物質が、コンタクト接着剤、感圧性接着剤、構造用接着剤、ホットメルト接着剤、熱可塑性接着剤、硬化性接着剤および熱硬化性接着剤;ならびにそれらの組合せから選択される、項目16に記載の研磨パッド。
(項目18)
前記下層が前記上層より大きい体積パーセント圧縮率を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目19)
20psiの荷重を付与した場合に、前記下層の前記体積圧縮率パーセントが20%以下である、項目18に記載の研磨パッド。
(項目20)
20psiの加重を付加した場合に、前記上層の前記体積圧縮率パーセントが3%以下である、項目18に記載の研磨パッド。
(項目21)
前記中間層が、実質的に非体積圧縮性である、項目1に記載の研磨パッド。
(項目22)
前記中間層が、少なくとも1in −1 lb −1 の可撓性を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目23)
前記中間層が、接着アセンブリを備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目24)
研磨パッドであって、以下:
a.下層;
b.中間層;および
c.上層;
を備え、ここで、該上層は、少なくとも部分的に中間層に接続し、該中間層は少なくとも部分的に該下層に接続しており、該上層は、該上層の体積の合計を基準にして少なくとも2体積パーセントの間隙率を有する、研磨パッド。
(項目25)
前記上層が、該上層の体積の合計を基準にして50体積%以下の間隙率を有する、項目24に記載の研磨パッド。
(項目26)
前記上層が、粒子状ポリマーおよび架橋ポリマーバインダー;粒子状ポリマーおよび有機ポリマーバインダー;熱可塑性樹脂の焼結粒子;熱可塑性ポリマーの圧力焼結粉末圧縮物;複数のポリマー微量要素を含浸させたポリマーマトリクスであって、各ポリマー微量要素がその中に空隙空間を有し得るポリマーマトリクス、またはそれらの組み合わせから選択される、項目24に記載の研磨パッド。
(項目27)
前記上層が、少なくとも0.020インチの厚さを有する、項目24に記載の研磨パッド。
(項目28)
前記上層が、0.150インチ以下の厚さを有する、項目27に記載の研磨パッド。
(項目29)
前記上層が、研磨表面上に溝をさらに備える、項目24に記載の研磨パッド。
(項目30)
前記上層が、研磨表面上にパターンをさらに備える、項目24に記載の研磨パッド。
(項目31)
前記中間層が、実質的に非体積圧縮性のポリマーならびに金属フィルムおよび金属箔から選択される、項目24に記載の研磨パッド。
(項目32)
前記中間層が、ポリオレフィン;セルロースベースのポリマー;アクリル;ポリエステルおよびコポリエステル;ポリカーボネート;ポリアミド;高性能プラスチック;またはそれらの混合物から選択される、項目24に記載の研磨パッド。
(項目33)
前記中間層が、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超高分子量ポリエチレンまたはポリプロピレン;酢酸セルロースまたは酪酸セルロース;PETまたはPETG;ナイロン6/6またはナイロン6/12;ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリイミドまたはポリエーテルイミド;あるいはそれらの混合物から選択される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目34)
前記中間層が、少なくとも0.0005インチの厚さを有する、項目24に記載の研磨パッド。
(項目35)
前記中間層が、0.0030インチ以下の厚さを有する、項目34に記載の研磨パッド。
(項目36)
前記下層が、天然ゴム、合成ゴム、熱可塑性エラストマー、発泡体シートおよびそれらの組合せから選択される、項目24に記載の研磨パッド。
(項目37)
前記下層が、少なくとも0.020インチの厚さを有する、項目24に記載の研磨パッド。
(項目38)
前記下層が、0.100インチ以下の厚さを有する、項目37に記載の研磨パッド。
(項目39)
前記下層、中間層および上層が、接着物質によって少なくとも部分的に接続されている、項目34に記載の研磨パッド。
(項目40)
前記接着物質が、コンタクト接着剤、感圧性接着剤、構造用接着剤、ホットメルト接着剤、熱可塑性接着剤、硬化性接着剤、熱硬化性接着剤およびそれらの組合せから選択される、項目39に記載の研磨パッド。
(項目41)
研磨パッドであって、以下:
a.下層;
b.中間層;および
c.上層;
を備え、ここで、該下層は、少なくとも部分的に該中間層に接続し、該中間層は少なくとも部分的に該上層に接続しており、該上層は、該中間層よりも大きな体積圧縮率パーセントを有する、研磨パッド。
(項目42)
20psiの荷重を付与した場合に、前記上層が少なくとも0.3%の体積圧縮率パーセントを有する、項目41に記載の研磨パッド。
(項目43)
20psiの加重を付加した場合に、前記上層が3%以下の体積圧縮率パーセントを有する、項目42に記載の研磨パッド。
(項目44)
前記中間層が、実質的に非体積圧縮性である、項目41に記載の研磨パッド。
(項目45)
20psiの荷重を付与した場合に、前記中間層が少なくとも1%の体積圧縮率パーセントを有する、項目41に記載の研磨パッド。
(項目46)
20psiの荷重を付与した場合に、前記中間層が3%以下の体積圧縮率パーセントを有する、項目41に記載の研磨パッド。
(項目47)
前記上層が、粒子状ポリマーおよび架橋ポリマーバインダー;粒子状ポリマーおよび有機ポリマーバインダー;熱可塑性樹脂の焼結粒子;熱可塑性ポリマーの圧力焼結粉末圧縮物;複数のポリマー微量要素を含浸させたポリマーマトリクスであって、各ポリマー微量要素がその中に空隙空間を有し得るポリマーマトリクス、またはそれらの組み合わせから選択される、項目41に記載の研磨パッド。
(項目48)
前記上層が、少なくとも0.020インチの厚さを有する、項目41に記載の研磨パッド。
(項目49)
前記上層が、0.150インチ以下の厚さを有する、項目48に記載の研磨パッド。
(項目50)
前記上層が、研磨表面上に溝をさらに備える、項目41に記載の研磨パッド。
(項目51)
前記上層が、研磨表面上にパターンをさらに備える、項目41に記載の研磨パッド。
(項目52)
前記中間層が、実質的に非体積圧縮性のポリマーならびに金属フィルムおよび金属箔から選択される、項目41に記載の研磨パッド。
(項目53)
前記中間層が、ポリオレフィン;セルロースベースのポリマー;アクリル;ポリエステルおよびコポリエステル;ポリカーボネート;ポリアミド;高性能プラスチック;またはそれらの混合物から選択される、項目41に記載の研磨パッド。
(項目54)
前記中間層が、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超高分子量ポリエチレンまたはポリプロピレン;酢酸セルロースまたは酪酸セルロース;PETまたはPETG;ナイロン6/6またはナイロン6/12;ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリイミドまたはポリエーテルイミド;あるいはそれらの混合物から選択される、項目41に記載の研磨パッド。
(項目55)
前記中間層が、接着アセンブリを備える、項目41に記載の研磨パッド。
(項目56)
前記中間層が、少なくとも0.0005インチの厚さを有する、項目41に記載の研磨パッド。
(項目57)
前記中間層が、0.0030インチ以下の厚さを有する、項目56に記載の研磨パッド。
(項目58)
前記下層が、天然ゴム、合成ゴム、熱可塑性エラストマー、発泡体シートおよびそれらの組合せから選択される、項目41に記載の研磨パッド。
(項目59)
前記下層が、少なくとも0.020インチの厚さを有する、項目41に記載の研磨パッド。
(項目60)
前記下層が、0.100インチ以下の厚さを有する、項目59に記載の研磨パッド。
(項目61)
前記下層、中間層および上層が、接着物質によって少なくとも部分的に接続されている、項目41に記載の研磨パッド。
(項目62)
前記接着物質が、コンタクト接着剤、感圧性接着剤、構造用接着剤、ホットメルト接着剤、熱可塑性接着剤、硬化性接着剤、熱硬化性接着剤およびそれらの組合せから選択される、項目61に記載の研磨パッド。
(項目63)
研磨パッドであって、以下:
a.下層;
b.中間層;および
c.上層;
を備え、ここで、該下層は、少なくとも部分的に該中間層に接続し、該中間層は少なくとも部分的に該上層に接続しており、該下層は、該上層よりも柔らかい、研磨パッド。
(項目64)
研磨パッドを調製する方法であって、上層を中間層に少なくとも部分的に接続する工程;および該中間層を下層に少なくとも部分的に接続する工程を包含し、ここで、該上層は、該上層の重量の合計を基準にして少なくとも2重量パーセントの研磨スラリーを吸収する、方法。
(項目65)
前記上層、中間層および下層が、接着物質によって少なくとも部分的に接続されている、項目64に記載の方法。
(項目66)
研磨パッドを調製する方法であって、上層を中間層に少なくとも部分的に接続する工程;および該中間層を下層に少なくとも部分的に接続する工程を包含し、ここで、該上層は、該上層の体積の合計を基準にして少なくとも2体積パーセントの間隙率を有する、方法。
(項目67)
前記上層、中間層および下層が、接着物質によって少なくとも部分的に接続されている、項目66に記載の方法。
(項目68)
研磨パッドを調製する方法であって、上層を中間層に少なくとも部分的に接続する工程;および該中間層を下層に少なくとも部分的に接続する工程を包含し、ここで、該上層は、該中間層よりも大きな体積圧縮率パーセントを有する、方法。
(項目69)
前記上層、中間層および下層が、接着物質によって少なくとも部分的に接続されている、項目68に記載の方法。
(項目1)
研磨パッドであって、以下:
a.下層;
b.中間層;および
c.上層;
を備え、ここで、該上層は、少なくとも部分的に中間層に接続し、該中間層は少なくとも部分的に該下層にに接続しており、該上層は、該上層の重量の合計を基準にして少なくとも2重量パーセントの研磨スラリーを吸収する、研磨パッド。
(項目2)
前記上層が、該上層の重量の合計を基準にして50重量%以下の研磨スラリーを吸収する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目3)
前記上層が、粒子状ポリマーおよび架橋ポリマーバインダー;粒子状ポリマーおよび有機ポリマーバインダー;熱可塑性樹脂の焼結粒子;熱可塑性ポリマーの圧力焼結粉末圧縮物;複数のポリマー微量要素を含浸させたポリマーマトリクスであって、各ポリマー微量要素がその中に空隙空間を有し得るポリマーマトリクス、またはそれらの組み合わせから選択される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目4)
前記上層が、少なくとも0.020インチの厚さを有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目5)
前記上層が、0.150インチ以下の厚さを有する、項目4に記載の研磨パッド。
(項目6)
前記上層が、研磨表面上に溝をさらに備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目7)
前記上層が、研磨表面上にパターンをさらに備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目8)
前記中間層が、実質的に非体積圧縮性のポリマーならびに金属フィルムおよび金属箔から選択される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目9)
前記中間層が、ポリオレフィン;セルロースベースのポリマー;アクリル;ポリエステルおよびコポリエステル;ポリカーボネート;ポリアミド;高性能プラスチック;またはそれらの混合物から選択される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目10)
前記中間層が、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超高分子量ポリエチレンまたはポリプロピレン;酢酸セルロースまたは酪酸セルロース;PETまたはPETG;ナイロン6/6またはナイロン6/12;ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリイミドまたはポリエーテルイミド;あるいはそれらの混合物から選択される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目11)
前記中間層が、少なくとも0.0005インチの厚さを有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目12)
前記中間層が、0.0030インチ以下の厚さを有する、項目11に記載の研磨パッド。
(項目13)
前記下層が、天然ゴム、合成ゴム、熱可塑性エラストマー、発泡体シートおよびそれらの組合せから選択される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目14)
前記下層が、少なくとも0.020インチの厚さを有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目15)
前記下層が、0.100インチ以下の厚さを有する、項目14に記載の研磨パッド。
(項目16)
前記下層、中間層および上層が、接着物質によって少なくとも部分的に接続されている、項目1に記載の研磨パッド。
(項目17)
前記接着物質が、コンタクト接着剤、感圧性接着剤、構造用接着剤、ホットメルト接着剤、熱可塑性接着剤、硬化性接着剤および熱硬化性接着剤;ならびにそれらの組合せから選択される、項目16に記載の研磨パッド。
(項目18)
前記下層が前記上層より大きい体積パーセント圧縮率を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目19)
20psiの荷重を付与した場合に、前記下層の前記体積圧縮率パーセントが20%以下である、項目18に記載の研磨パッド。
(項目20)
20psiの加重を付加した場合に、前記上層の前記体積圧縮率パーセントが3%以下である、項目18に記載の研磨パッド。
(項目21)
前記中間層が、実質的に非体積圧縮性である、項目1に記載の研磨パッド。
(項目22)
前記中間層が、少なくとも1in −1 lb −1 の可撓性を有する、項目1に記載の研磨パッド。
(項目23)
前記中間層が、接着アセンブリを備える、項目1に記載の研磨パッド。
(項目24)
研磨パッドであって、以下:
a.下層;
b.中間層;および
c.上層;
を備え、ここで、該上層は、少なくとも部分的に中間層に接続し、該中間層は少なくとも部分的に該下層に接続しており、該上層は、該上層の体積の合計を基準にして少なくとも2体積パーセントの間隙率を有する、研磨パッド。
(項目25)
前記上層が、該上層の体積の合計を基準にして50体積%以下の間隙率を有する、項目24に記載の研磨パッド。
(項目26)
前記上層が、粒子状ポリマーおよび架橋ポリマーバインダー;粒子状ポリマーおよび有機ポリマーバインダー;熱可塑性樹脂の焼結粒子;熱可塑性ポリマーの圧力焼結粉末圧縮物;複数のポリマー微量要素を含浸させたポリマーマトリクスであって、各ポリマー微量要素がその中に空隙空間を有し得るポリマーマトリクス、またはそれらの組み合わせから選択される、項目24に記載の研磨パッド。
(項目27)
前記上層が、少なくとも0.020インチの厚さを有する、項目24に記載の研磨パッド。
(項目28)
前記上層が、0.150インチ以下の厚さを有する、項目27に記載の研磨パッド。
(項目29)
前記上層が、研磨表面上に溝をさらに備える、項目24に記載の研磨パッド。
(項目30)
前記上層が、研磨表面上にパターンをさらに備える、項目24に記載の研磨パッド。
(項目31)
前記中間層が、実質的に非体積圧縮性のポリマーならびに金属フィルムおよび金属箔から選択される、項目24に記載の研磨パッド。
(項目32)
前記中間層が、ポリオレフィン;セルロースベースのポリマー;アクリル;ポリエステルおよびコポリエステル;ポリカーボネート;ポリアミド;高性能プラスチック;またはそれらの混合物から選択される、項目24に記載の研磨パッド。
(項目33)
前記中間層が、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超高分子量ポリエチレンまたはポリプロピレン;酢酸セルロースまたは酪酸セルロース;PETまたはPETG;ナイロン6/6またはナイロン6/12;ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリイミドまたはポリエーテルイミド;あるいはそれらの混合物から選択される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目34)
前記中間層が、少なくとも0.0005インチの厚さを有する、項目24に記載の研磨パッド。
(項目35)
前記中間層が、0.0030インチ以下の厚さを有する、項目34に記載の研磨パッド。
(項目36)
前記下層が、天然ゴム、合成ゴム、熱可塑性エラストマー、発泡体シートおよびそれらの組合せから選択される、項目24に記載の研磨パッド。
(項目37)
前記下層が、少なくとも0.020インチの厚さを有する、項目24に記載の研磨パッド。
(項目38)
前記下層が、0.100インチ以下の厚さを有する、項目37に記載の研磨パッド。
(項目39)
前記下層、中間層および上層が、接着物質によって少なくとも部分的に接続されている、項目34に記載の研磨パッド。
(項目40)
前記接着物質が、コンタクト接着剤、感圧性接着剤、構造用接着剤、ホットメルト接着剤、熱可塑性接着剤、硬化性接着剤、熱硬化性接着剤およびそれらの組合せから選択される、項目39に記載の研磨パッド。
(項目41)
研磨パッドであって、以下:
a.下層;
b.中間層;および
c.上層;
を備え、ここで、該下層は、少なくとも部分的に該中間層に接続し、該中間層は少なくとも部分的に該上層に接続しており、該上層は、該中間層よりも大きな体積圧縮率パーセントを有する、研磨パッド。
(項目42)
20psiの荷重を付与した場合に、前記上層が少なくとも0.3%の体積圧縮率パーセントを有する、項目41に記載の研磨パッド。
(項目43)
20psiの加重を付加した場合に、前記上層が3%以下の体積圧縮率パーセントを有する、項目42に記載の研磨パッド。
(項目44)
前記中間層が、実質的に非体積圧縮性である、項目41に記載の研磨パッド。
(項目45)
20psiの荷重を付与した場合に、前記中間層が少なくとも1%の体積圧縮率パーセントを有する、項目41に記載の研磨パッド。
(項目46)
20psiの荷重を付与した場合に、前記中間層が3%以下の体積圧縮率パーセントを有する、項目41に記載の研磨パッド。
(項目47)
前記上層が、粒子状ポリマーおよび架橋ポリマーバインダー;粒子状ポリマーおよび有機ポリマーバインダー;熱可塑性樹脂の焼結粒子;熱可塑性ポリマーの圧力焼結粉末圧縮物;複数のポリマー微量要素を含浸させたポリマーマトリクスであって、各ポリマー微量要素がその中に空隙空間を有し得るポリマーマトリクス、またはそれらの組み合わせから選択される、項目41に記載の研磨パッド。
(項目48)
前記上層が、少なくとも0.020インチの厚さを有する、項目41に記載の研磨パッド。
(項目49)
前記上層が、0.150インチ以下の厚さを有する、項目48に記載の研磨パッド。
(項目50)
前記上層が、研磨表面上に溝をさらに備える、項目41に記載の研磨パッド。
(項目51)
前記上層が、研磨表面上にパターンをさらに備える、項目41に記載の研磨パッド。
(項目52)
前記中間層が、実質的に非体積圧縮性のポリマーならびに金属フィルムおよび金属箔から選択される、項目41に記載の研磨パッド。
(項目53)
前記中間層が、ポリオレフィン;セルロースベースのポリマー;アクリル;ポリエステルおよびコポリエステル;ポリカーボネート;ポリアミド;高性能プラスチック;またはそれらの混合物から選択される、項目41に記載の研磨パッド。
(項目54)
前記中間層が、低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超高分子量ポリエチレンまたはポリプロピレン;酢酸セルロースまたは酪酸セルロース;PETまたはPETG;ナイロン6/6またはナイロン6/12;ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリイミドまたはポリエーテルイミド;あるいはそれらの混合物から選択される、項目41に記載の研磨パッド。
(項目55)
前記中間層が、接着アセンブリを備える、項目41に記載の研磨パッド。
(項目56)
前記中間層が、少なくとも0.0005インチの厚さを有する、項目41に記載の研磨パッド。
(項目57)
前記中間層が、0.0030インチ以下の厚さを有する、項目56に記載の研磨パッド。
(項目58)
前記下層が、天然ゴム、合成ゴム、熱可塑性エラストマー、発泡体シートおよびそれらの組合せから選択される、項目41に記載の研磨パッド。
(項目59)
前記下層が、少なくとも0.020インチの厚さを有する、項目41に記載の研磨パッド。
(項目60)
前記下層が、0.100インチ以下の厚さを有する、項目59に記載の研磨パッド。
(項目61)
前記下層、中間層および上層が、接着物質によって少なくとも部分的に接続されている、項目41に記載の研磨パッド。
(項目62)
前記接着物質が、コンタクト接着剤、感圧性接着剤、構造用接着剤、ホットメルト接着剤、熱可塑性接着剤、硬化性接着剤、熱硬化性接着剤およびそれらの組合せから選択される、項目61に記載の研磨パッド。
(項目63)
研磨パッドであって、以下:
a.下層;
b.中間層;および
c.上層;
を備え、ここで、該下層は、少なくとも部分的に該中間層に接続し、該中間層は少なくとも部分的に該上層に接続しており、該下層は、該上層よりも柔らかい、研磨パッド。
(項目64)
研磨パッドを調製する方法であって、上層を中間層に少なくとも部分的に接続する工程;および該中間層を下層に少なくとも部分的に接続する工程を包含し、ここで、該上層は、該上層の重量の合計を基準にして少なくとも2重量パーセントの研磨スラリーを吸収する、方法。
(項目65)
前記上層、中間層および下層が、接着物質によって少なくとも部分的に接続されている、項目64に記載の方法。
(項目66)
研磨パッドを調製する方法であって、上層を中間層に少なくとも部分的に接続する工程;および該中間層を下層に少なくとも部分的に接続する工程を包含し、ここで、該上層は、該上層の体積の合計を基準にして少なくとも2体積パーセントの間隙率を有する、方法。
(項目67)
前記上層、中間層および下層が、接着物質によって少なくとも部分的に接続されている、項目66に記載の方法。
(項目68)
研磨パッドを調製する方法であって、上層を中間層に少なくとも部分的に接続する工程;および該中間層を下層に少なくとも部分的に接続する工程を包含し、ここで、該上層は、該中間層よりも大きな体積圧縮率パーセントを有する、方法。
(項目69)
前記上層、中間層および下層が、接着物質によって少なくとも部分的に接続されている、項目68に記載の方法。
本明細書および添付の特許請求の範囲において用いられる場合、用語「接続する」とは、互いに連結するか、または1つ以上の介在する材料によって直接または間接のいずれかの関係性にあることを意味する。本明細書および添付の特許請求の範囲において用いられる場合、用語「実質的に非多孔性」とは、液体、気体および細菌の通過に対してほぼ不浸透性であることを意味する。巨視的なスケールでは、実質的に非多孔性の材料は、孔を、あったとしてもほとんど示さない。本明細書および添付の特許請求の範囲において用いられる場合、用語「多孔性」とは、孔を有することを意味し、用語「孔」とは、物質が通過する微細な開口部をいう。
本明細書において用いられる場合、単数形の「a」、「an」および「the」は、1つへの言及に明らかにかつはっきりと限定されない限り、複数形の言及を包含することが留意される。
本明細書の目的のために、他に示されない限り、明細書および添付の特許請求の範囲において用いられる成分、反応条件などの量を表す全ての数字は、全ての例において用語「約」によって修飾されていると理解されるべきである。従って、そうではないと示されない限り、以下の明細書および添付の特許請求の範囲において示す数字のパラメーターは、本発明によって得られることが求められる所望の特性に依存して変動し得る近似値である。少なくとも、そして添付の特許請求の範囲への均等論の適用を制限する試みとしてではなく、各数字のパラメーターは、報告された有効数字の数を考慮し、そして通常の概算技術を適用して、少なくとも解釈されるべきである。
本発明の広範な範囲を示す数字の範囲およびパラメーターは近似値であるにもかかわらず、具体的実施例に示される数字の値は、可能な限り正確に報告される。しかし、任意の数字の値は、それらのそれぞれの試験測定値に見出される標準偏差から必ず生じる特定の誤差を本来含む。
本発明の非限定の実施形態では、下層は、研磨パッドと研磨される基質の表面との間の接触の均等性を増加させ得る。下層のための材料の選択における考慮は、材料が、研磨パッドの作業表面に対応する支持体を提供し、その結果上層が研磨されるデバイスの巨視的な輪郭または長期表面と実質的に一致するような能力についてであり得る。このような能力を有する材料は、本発明の下層として使用するために所望され得る。
マイクロエレクトロニクス基板(例えば、半導体ウェーハ)の表面は、製造プロセスの結果として、「波状の」輪郭を有し得る。研磨パッドが基板表面の「波状」輪郭に適切に適合することができない場合、研磨性能の均一性が崩壊し得ることが企図される。例えば、パッドが「波状の」の端部に実質的に適合するが、「波状」部分の中間部分と実質的に適合できず、接触できない場合、「波状」部分の末端のみが研磨され得るかまたは平坦化され得、そしてこの中間部分は、実質的に未研磨または未平坦化のままになり得る。
非限定的な実施形態では、下層は上層より柔らかい場合がある。本明細書において用いられる場合、用語「柔らかさ」とは、材料のShore A Hardnessをいう。一般に、材料が柔らかければ柔らかいほど、Shore A Hardness値は低下する。従って、本発明において、下層のShore A Hardness値は、上層のShore A Hardness値はより低くあり得る。代替の非限定的な実施形態では、下層は、少なくとも15、もしくは少なくとも45、または75以下、または45〜75のShore A Hardnessを有し得る。さらなる代替の非限定的な実施形態では、上層のShore A Hardnessは、少なくとも85、または99以下、または85〜99であり得る。このShore A Hardness値は、当該分野で公知の種々の方法および機器を用いて決定され得る。非限定的な実施形態では、Shore A Hardnessは、最大インジケータを有するShore「Type A」Durometer(PCT Instruments,Los Angeles,CAから入手可能)を用いて、ASTM D 2240に記載される手順に従って決定され得る。非限定的な実施形態では、Shore A Hardnessについての試験方法は、指定された条件下での試験材料へと実質的に押し込められる特定の型のインジケータの貫入を含み得る。この実施形態では、Shore A Hardnessは、貫入深さと逆に関連し得、そして試験材料の弾性率および粘弾性挙動に依存し得る。
本発明の非限定的な別の実施形態では、研磨パッドの下層は、上層よりも大きな圧縮率を有し得る。別の非限定的な実施形態では、下層は、中間層よりも大きな圧縮率を有し得る。本明細書中で使用される、用語「圧縮率」とは、体積圧縮率パーセントの測定値をいう。非限定的な実施形態では、下層の体積圧縮率パーセントは、上層の体積圧縮率パーセントよりも大きくてもよい。代替の非限定的な実施形態では、下層の体積圧縮率パーセントは、20psiの荷重が付与された場合に、20パーセント未満であり得るか、または20psiの荷重が付与された場合に、10パーセント未満であり得るか、または20psiの荷重が付与された場合に、5パーセント未満であり得る。別の非限定的な実施形態では、上層の体積圧縮率パーセントは、下層の体積圧縮率パーセントより低くてもよい。さらなる非限定的な実施形態では、上層の体積圧縮率パーセントは、20psiの荷重が付与された場合に、少なくとも0.3%、または3%以下、または0.3%〜3%であり得る。
パッド層の体積圧縮率パーセントは、当該分野で公知の種々の方法を使用して決定され得る。非限定的な実施形態では、パッド層の体積圧縮率パーセントは、以下の式を使用して決定され得る。
非限定的な実施形態では、パッド層の厚さを測定する上記の方法は、積層されたパッドアセンブリ、または積層されたパッドアセンブリを構成する層に適用可能である。
非限定的な実施形態では、体積圧縮率パーセントを測定するための手順は、接触部を花崗岩ベース上に配置し、そしてゼロと読み取るようにインジケータを調整することを包含し得る。次いで、この接触部を上昇させ得、そして標本を、標本の任意の縁部から少なくとも0.5インチ離れたところで接触部の縁部と接触させながら、花崗岩スタンド上に配置し得る。この接触部は、標本上に下げられ得、そして標本の厚さの測定が、5+/−1秒後にされ得る。標本も接触部も移動させることなく、充分な重量がこの皿に加えられて、接触部によって標本へと付与される20psiの力を引き起こし得る。荷重下での標本の厚さの測定値の読み取りは、15+/−1秒後になされ得る。この測定手順は、20psiの圧縮力を用いて、標本上の少なくとも0.25インチ離れた異なる位置で5回の測定を行って、繰り返され得る。
この下層は、当該分野で公知の多種多様な材料を含み得る。適切な材料としては、天然ゴム、合成ゴム、熱可塑性エラストマー、発泡体シートおよびそれらの組み合わせが挙げられ得る。この下層の材料は、発泡または吹き込みされて、多孔性構造体が生成され得る。この多孔性構造体は、開放セル、閉鎖セル、またはそれらの組み合わせであり得る。合成ゴムの非限定的な例としては、ネオプレンゴム、シリコーンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−プロピレンゴム、ブチルゴム、ポリブタジエンゴム、ポリイソプレンゴム、EPDMポリマー、スチレン−ブタジエンコポリマー、エチレンおよびエチル酢酸ビニルのコポリマー、ネオプレン/ビニルニトリルゴム、ネオプレン/EPDM/SBRゴム、およびこれらの組合せが挙げられ得る。熱可塑性エラストマーの非限定的な例としては、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン(例えば、ポリエーテルおよびポリエステルをベースとしたポリウレタン)およびそれらのコポリマーが挙げられ得る。発泡体シートの非限定的な例としては、エチレン酢酸ビニルシートおよびポリエチレン発泡体シート(例えば、Sentinel Products,Hyannis,NJから市販される発泡体シートであるがこれに限定されない);ポリウレタン発泡体シート(例えば、Illbruck,Inc.,Minneapolis,MNから市販される発泡体シートであるがこれに限定されない);ならびにポリウレタン発泡体シートおよびポリオレフィン発泡体シート(例えば、Rogers Corporation,Woodstock,CTから入手可能である発泡体シートであるがこれに限定されない)が挙げられ得る。
さらなる非限定的な実施形態では、この下層は、樹脂を含浸させた、不織繊維マットまたは網目のある繊維マット、ならびにこれらの組み合わせ(例えば、ポリオレフィン繊維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊維またはアクリル繊維であるがこれらに限定されない)を含み得る。この繊維は、繊維マットにおいて、短繊維であっても、実質的に連続していてもよい。非限定的な例としては、米国特許第4,728,552号に記載される通りの、ポリウレタンを含浸させた不織布(例えば、ポリウレタン含浸フェルト)が挙げられ得るがこれに限定されない。市販の不織サブパッドの非限定的な例は、Rodel,Inc.Newark DEからのSubaTM IVであり得る。
この下層の厚さは、大きく変動し得る。一般に、下層の厚さは、このパッドが平坦化機器に容易に配置し得かつそこから容易に取り外せ得るようにし得る。厚すぎるパッドは、平坦化機器に配置することおよびそこから取り外すことが困難であり得る。代替の非限定的な実施形態では、下層は、少なくとも0.020インチ厚、もしくは少なくとも0.04インチ厚、もしくは少なくとも0.045インチ厚;または0.100インチ厚以下、もしくは0.080インチ厚以下、もしくは0.065インチ厚以下であり得る。
本発明の研磨パッドは、中間層を含み得る。この中間層は、当該分野で公知の種々の好適な材料から選択され得る。非限定の実施形態では、この中間層は、実質的に非体積圧縮性であり得る。本明細書において用いられる場合、用語「実質的に非体積圧縮性の」とは、20psiの荷重を付与した場合に体積が1%未満減少し得ることを意味する。代替の非限定の実施形態では、中間層の体積圧縮率パーセントは、少なくとも1パーセント;または3パーセント以下;あるいは1〜3パーセントであり得る。体積圧縮率パーセントは、当該分野で公知の種々の従来技術を用いて決定され得る。非限定の実施形態では、荷重を付与するための方法および体積の減少を測定するための方法は、本明細書中に記載されており、これを用いることができる。
非限定の実施形態では、中間層の可撓性は、研磨されるべき基質の巨視的な表面または長期の表面に上層が適切に適合し得るようであり得る。この中間層の可撓性は、広範に変動し得る。さらなる非限定の実施形態において、中間層は、上層より可撓性が高くあり得る。中間層の可撓性は、当業者に公知の種々の方法を使用して決定され得る。非限定の実施形態において、「可撓性」(F)は、中間層の厚さの三乗(t3)と中間層材料の曲げ率(E)との逆の関係、すなわち、F=1/t3Eによって決定され得る。代替の非限定的な実施形態では、この中間層の可撓性は、少なくとも1in−1lb−1;または少なくとも100in−1lb−1であり得る。
別の非限定の実施形態では、この中間層は、上層によって経験される圧縮力を、下層のより大きな面積にわたって分散させ得る。
中間層は、当該分野で公知の広範な種々の材料を含み得る。中間層に好適な材料としては、広範な種々の実質的に非体積圧縮性のポリマー、金属フィルムおよび金属箔が挙げられ得る。このようなポリマーの非限定的な例としては、以下が挙げられ得るが、これらに限定されない:低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超高分子量ポリエチレンおよびポリプロピレン;ポリ塩化ビニル;セルロースベースのポリマー(例えば、酢酸セルロースおよび酪酸セルロースであるがこれらに限定されない);アクリル;ポリエステルおよびコポリエステル(例えば、PETおよびPETGであるがこれらに限定されない);ポリカーボネート;ポリアミド(例えば、ナイロン6/6およびナイロン6/12);および高性能プラスチック(例えば、ポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンオキシド、ポリスルホン、ポリイミドおよびポリエーテルイミド。金属フィルムの非限定の例としては、アルミニウム、銅、黄銅、ニッケル、ステンレス鋼が挙げられ得る。
中間層の厚さは、大きく変動し得る。代替の非限定的な実施形態では、中間層は、少なくとも0.0005インチ、もしくは0.0030インチ以下;または0.0010〜0.0020インチの厚さを有し得る。
非限定的な実施形態では、中間層は、上層と下層との間の流体輸送に対する実質的な障壁として機能し得る。中間層を構成する材料を選択する際の考慮すべき事項は、上層から下層への研磨スラリーの輸送をこの材料が実質的に減少させるか、最小化するか、または本質的に妨げる能力であり得る。非限定的な実施形態では、下層が研磨スラリーで実質的に飽和されないように、中間層は、研磨スラリーに対して実質的に不浸透性であり得る。
代替の非限定的な実施形態では、研磨スラリーが上層および中間層を透過して下層を湿らせ得るように、中間層は、穿孔が開けられ得る。さらなる非限定的な実施形態では、下層は、研磨スラリーで実質的に飽和され得る。中間層における穿孔は、当業者に公知の種々の適切な技術(例えば、パンチング、打ち抜き、レーザー切断または水ジェット切断)によって形成され得る。穴のサイズ、数および穿孔の配置は、大きく変動し得る。非限定的な実施形態では、千鳥型の穴パターンで、穿孔穴直径は少なくとも1/16インチであり得、穴の数は1平方インチ当り少なくとも26穴であり得る。
本発明の研磨パッドは、上層または研磨層を含み得る。上層は、当該分野で公知の種々の適切な材料から選択され得る。この上層を構成する適切な材料の非限定的な例としては、以下が挙げられ得るが、これらに限定されない:米国特許第6,477,926B1号に記載される通りの粒子状ポリマーおよび架橋ポリマーバインダー;米国特許出願第10/317,982号に記載される通りの粒子状ポリマーおよび有機ポリマーバインダー;米国特許第6,062,968号、同第6,117,000号および同第6,126,532号に記載される通りの熱可塑性樹脂の焼結粒子;ならびに米国特許第6,231,434B1号、同第6,325,703B2号、同第6,106,754号および同第6,017,265号に記載される通りの熱可塑性ポリマーの圧力焼結粉末圧縮物。上層に好適な材料のさらなる非限定的な例としては、米国特許第5,900,164号および同第5,578,362号に記載された通りの、複数のポリマー微量要素を含浸させたポリマーマトリクスであって、各ポリマー微量要素がその中に空隙空間を有し得る、ポリマーマトリクスが挙げられ得る。
この上層の厚さは、変動し得る。代替の非限定的な実施形態において、この上層は、少なくとも0.020インチもしくは少なくとも0.040インチ;または、0.150インチ以下もしくは0.080インチ以下の厚さを有し得る。
別の非限定的な実施形態において、研磨スラリーがこの上層によって少なくとも部分的に吸収され得るように、この上層は、孔を含み得る。孔の数は、広範に変動し得る。代替の非限定的な実施形態において、この上層は、この上層の体積の合計を基準として少なくとも2体積パーセントの、またはこの上層の体積の合計を基準として50体積パーセント以下の、またはこの上層の体積の合計を基準として2〜50体積パーセントの間隙率(これは、孔体積パーセントとして表される)を有し得る。
研磨パッド層の孔体積パーセントは、当該分野で公知の種々の技術を使用して決定され得る。非限定的な実施形態においては、以下の表現は、孔体積パーセントを算出するために用いられ得る:
100×(パッド層の密度)×(パッド層の孔体積)
密度は、1立方センチメートルあたりのグラムという単位で表現され得、そして当該分野で公知の種々の従来法によって決定され得る。非限定的な実施形態では、密度は、ASTM D1622−88に従って決定され得る。孔体積は、1グラムあたりの立方センチメートルという単位で表現され得、そして当該分野で公知の種々の従来法および器具によって決定され得る。非限定的な実施形態では、孔体積は、MicromeriticsからのAutopore III水銀多孔度測定器を用いてASTM D 4284−88における水銀多孔度測定法に従って測定され得る。さらなる非限定的な実施形態では、孔体積測定は、以下の条件下でなされ得る:140°の接触角;480ダイン/cmの水銀表面張力;および50マイクロメートル水銀真空下での研磨パッド層サンプルの脱気。
100×(パッド層の密度)×(パッド層の孔体積)
密度は、1立方センチメートルあたりのグラムという単位で表現され得、そして当該分野で公知の種々の従来法によって決定され得る。非限定的な実施形態では、密度は、ASTM D1622−88に従って決定され得る。孔体積は、1グラムあたりの立方センチメートルという単位で表現され得、そして当該分野で公知の種々の従来法および器具によって決定され得る。非限定的な実施形態では、孔体積は、MicromeriticsからのAutopore III水銀多孔度測定器を用いてASTM D 4284−88における水銀多孔度測定法に従って測定され得る。さらなる非限定的な実施形態では、孔体積測定は、以下の条件下でなされ得る:140°の接触角;480ダイン/cmの水銀表面張力;および50マイクロメートル水銀真空下での研磨パッド層サンプルの脱気。
非限定的な実施形態では、この上層がスラリーを吸収し得るように、この上層は、少なくとも部分的に、開放セル構造を有し得る。代替の非限定的な実施形態では、この上層は、この上層の重量の合計を基準として、少なくとも2重量パーセントの、または50重量パーセント以下の、または2重量パーセント〜50重量パーセントの研磨スラリーを吸収し得る。
別の非限定的な実施形態において、この上層は、溝もしくはパターンをこの研磨表面に含有し得る。溝および/もしくはパターンの種類は、変動し得、そして当該分野で公知のそれらの種類を含み得る。この溝および/もしくはパターンを作成する方法もまた変動し得、そして当該分野で公知のそれらの従来の方法を含み得る。非限定的な実施形態において、この溝は同心円を含み得る。
非限定的な実施形態において、この下層、中間層、および上層は、少なくとも部分的に、積層されたパッドアセンブリを形成するように配置され得る。さらなる非限定的な実施形態において、研磨パッドのこの上層は、少なくとも部分的に、中間層の少なくとも一部分に接続され得、そして中間層は、少なくとも部分的に、下層の少なくとも一部分に接続され得る。少なくとも部分的に層を接続するための手段は、広範に変動し得る。層は、当業者に公知の種々の適切な手段を用いて、少なくとも部分的に接続され得る。さらなる非限定的な実施形態において、少なくとも部分的に層を接続するための手段としては、接着物質が挙げられ得る。
本発明における使用に適切な接着物質は、当該分野で公知の広範な種類から選択され得る。適切な接着剤は、十分な剥離耐性を提供し得、それによって、このパッド層は、使用の間基本的に変わらない位置にある。さらに、この接着剤は、研磨もしくは平坦化プロセス中に生じるずり応力に十分に耐えるように選択され得る。さらに、適切な接着剤は、使用中の化学薬品および吸湿による劣化に十分に耐え得る。適切な接着物質の非限定的な例としては(これらに限定されないが)、コンタクト接着剤、感圧性接着剤、構造用接着剤、ホットメルト接着、熱可塑性接着剤、硬化性接着剤、(例えば、これに限定されないが、熱硬化性接着剤)、およびそれらの組み合わせが挙げられ得る。
感圧性接着剤の非制限的な実施例としては、エラストマーポリマーおよび粘着性樹脂が挙げられ得る。エラストマーポリマーの非限定的な例としては、天然ゴム、ブチルゴム、塩化ゴム、ポリイソブチレン、ポリ(ビニルアルキルエーテル)、アルキド接着剤、アクリル(例えば、これに限定されないが、2−エチルヘキシルアクリレートとアクリル酸とのコポリマーに基づくもの)、ブロックコポリマー(例えば、これに限定されないが、スチレン−ブタジエン−スチレン)、およびこれらの混合物が挙げられ得る。代替の非限定的な実施形態において、感圧性接着剤は、トルエンもしくはヘキサンのような有機溶媒を用いて、または水性の乳剤もしくは融解物から基板に適用され得る。
構造用接着剤の非限定的な例としては、ポリウレタン接着剤およびエポキシ樹脂接着剤(例えば、これに限定されないが、ビスフェノールAのジグリシジルエーテルに基づく接着剤)が挙げられ得る。
本明細書中および請求項で使用される場合、用語「ホットメルト接着」とは、加熱されて溶融し得、次いで基板に液体として適用され得る、不揮発性熱可塑性材料から構成される接着剤を指す。ホットメルト接着の非限定的な例としては、エチレンビニル酢酸コポリマー、スチレン−ブタジエンコポリマー、エチレン−アクリル酸エチルコポリマー、ポリエステル、ポリアミド(例えば、これに限定されないが、ジアミンとダイマー酸(dimer acid)との反応から形成されるポリアミド)、およびポリウレタンが挙げられ得る。
非限定的な実施形態において、この中間層は、接着剤アセンブリを含み得る。この接着剤アセンブリは、上側接着剤層と下側接着剤層との間に挟まれた中間層を含み得る。非限定的な実施形態において、この上側接着剤層は、少なくとも部分的に、上層の下側表面に接続され得、そしてこの下側接着剤層は、少なくとも部分的に、下層の上側表面に接続され得る。この接着剤アセンブリの上側層、中間層、および下側層は、上述の、この研磨パッドの中間層に適する物質から選択され得る。非制限的実施形態において、この上側接着剤層および下側接着剤層のそれぞれは、接着接着剤にであり得る。この接着剤アセンブリは、当該分野においては、両面テープ、もしくは二重被覆テープと呼ばれ得る。市販の接着剤アセンブリの非限定的な例としては、3M,Industrial Tape and Specialties Divisionからの、商品名High−Strength Double Coated Tapes 9690および9609、Double Coated Film Tapes 442および443、High Performance Double Coated Tape 9500PC、ならびにDouble Coated Polyester Tape 9490LEが挙げられる。
本発明の研磨パッドは、当該分野で公知の種々の研磨スラリーと組み合わせて使用され得る。本発明のパッドとともに使用するのに適切なスラリーの非限定的な例としては、米国特許出願第09/882,548号および同第09/882,549(これらは両方とも2001年7月14日に出願され、そして係属中である)において開示されるスラリーが挙げられるが、これらに限定されない。非限定的な実施形態において、この研磨スラリーはパッドの上層と研磨される基板との間に挟まれ得る。研磨もしくは平坦化のプロセスとしては、研磨される基板に対してこの研磨パッドを動かすことを含み得る。種々の研磨スラリーが当該分野で公知である。本発明での使用に適切なスラリーの非限定的な例としては、研磨剤粒子を含むスラリーが挙げられる。このスラリーに使用され得る研磨剤としては、粒子性の酸化セリウム、粒子性のアルミナ、粒子性のシリカなどが挙げられる。半導体基板の研磨に使用する市販のスラリーの例としては、Rodel,Inc.Newark DEから入手可能なILD1200およびILD1300、ならびにCabot Microelectronics Materials Division,Aurora,ILから入手可能なSemi−Sperse AM100およびSemi−Sperse 12が挙げられるが、これらに限定されない。
非限定的な実施形態において、本発明の研磨パッドは、非平坦表面を有する物品を平坦化するための装置に利用され得る。この平坦化装置は、この物品を支持するための保持手段;ならびにこのパッドおよび保持手段を他に対して動かすための動力手段を含み得、それによって、このパッドおよび保持手段の動きは、スラリーおよびパッドの平坦化表面を物品の非平面に接触させ、そして平坦化させる。さらなる非限定的な実施形態において、この平坦化装置は、このパッドの研磨表面もしくは平坦化表面を新しくする手段を含み得る(例えば、これに限定されないが、パッドの作業表面を研磨する研磨ディスクに備えられる機械アーム)。
本発明は、以下の実施例においてより具体的に記載され、これは、その多くの改変および変更が当業者に明白であるため、実例であることのみを意図される。他に特定されない場合、全ての部および全てのパーセンテージは、重量を基準とする。
(実施例A)
粒子状架橋ポリウレタンを、表Aに列挙した成分から調製した。この粒子状架橋ポリウレタンを、本明細書中の実施例1にさらに記載されるように、研磨層の調製に使用した。
粒子状架橋ポリウレタンを、表Aに列挙した成分から調製した。この粒子状架橋ポリウレタンを、本明細書中の実施例1にさらに記載されるように、研磨層の調製に使用した。
(b)BASF Corporationから得た、PLURONIC F108界面活性剤。
(c)トルエンジイソシアネートとポリ(テトラメチレングリコール)とのイソシアネート官能性反応産物として記載するAir Products and Chemicals,Incから得た、AIRTHANE PHP−75Dプレポリマー。
充填物1を、開いた容器に添加し、そして容器の内容物が35℃の温度に到達するまで、攪拌しながらホットプレート上で温めた。これらの成分が実質的に均質な溶液を形成するまで、攪拌をこの温度で続けた。次いで、この容器をホットプレートから取り外した。充填物2を、水浴を用いて55℃の温度まで温めた。次いで、充填物2を充填物1に添加した;内容物を、モーター駆動式インペラーを用いて実質的に均質になるまで、3分間混合した。次いで、容器の内容物を、脱イオン水を同時に激しく攪拌しながら、40℃の温度の10キログラムの脱イオン水中に迅速に注いだ。容器の内容物の添加が完了したら、激しい混合を、さらに60分間続けた。湿った粒子状架橋ポリウレタンを、2つの篩の積層体を用いて分類した。上の篩は、50メッシュ(300ミクロンの篩開口部)のメッシュサイズを有し、そして下の篩は、140メッシュ(105ミクロンの篩開口部)のメッシュサイズを有した。140メッシュからの単離された粒子状架橋ポリウレタンを、80℃の温度のオーブン中で一晩乾燥させた。
(実施例1−研磨層の調製)
粒子状架橋ポリウレタンおよび架橋ポリウレタンバインダーを含有する研磨層(上層)を、以下の表1にまとめた成分から調製した。
粒子状架橋ポリウレタンおよび架橋ポリウレタンバインダーを含有する研磨層(上層)を、以下の表1にまとめた成分から調製した。
(e)The Lubrizol Corporationから得た、Lanco PP1362D微粉化された修飾ポリプロピレンワックス。
充填物2を、実質的に均質になるまで、モーター駆動式ステンレス鋼製インペラーを用いて混合した。次いで、この充填物2の実質的に均質な混合物を、適切な容器中で充填物1と合わせ、そしてモーター駆動式ミキサーによって一緒に混合した。次いで、充填物1と充填物2との組み合わせの1040グラム部を、26インチ×26インチの平らな型に導入した。この型を常温で一対のローラーに通して、0.100インチの厚さのシートを形成した。このシートを25℃の温度および80%の相対湿度にて18時間、続いて130℃の温度にて1時間硬化させた。打抜型を有するプレスを用いて、22.5インチの直径を有する円形のパッドをこのシートから切り取った。フライス盤を用いてこのパッドの上側表面と下側表面とを平行にした。
(実施例2−3層研磨パッドアセンブリ)
実施例1の研磨層を3層研磨パッドアセンブリへと加工した。この研磨層を、少なくとも部分的に、第二の層(すなわち中間層)に接続した。この中間層は、二重被覆ポリエステルフィルムテープおよび剥離ライナーのシートからなり、3Mから製品番号9609を購入した。接着側を、基本的にこの研磨層の下側表面を覆うように、研磨層に適用した。次いで、この中間層の他の側の剥離ライナーを除去して接着剤を露出し、そして上層に、この露出された接着剤層を適用した。この上層は、22.5インチの直径、1/16インチの厚さ、および0.48g/cm3の密度を有するポリウレタンフォームディスクで構成された。別の、剥離ライナーを有する二重被覆フィルムテープには、3Mから製品番号442を購入した。接着側を、このポリウレタンフォームの露出面に適用した。他の側に残っている剥離ライナーは、市販の平坦化装置に付着させるように除去され得る。個々の層の物理特性を、表2にまとめる。
実施例1の研磨層を3層研磨パッドアセンブリへと加工した。この研磨層を、少なくとも部分的に、第二の層(すなわち中間層)に接続した。この中間層は、二重被覆ポリエステルフィルムテープおよび剥離ライナーのシートからなり、3Mから製品番号9609を購入した。接着側を、基本的にこの研磨層の下側表面を覆うように、研磨層に適用した。次いで、この中間層の他の側の剥離ライナーを除去して接着剤を露出し、そして上層に、この露出された接着剤層を適用した。この上層は、22.5インチの直径、1/16インチの厚さ、および0.48g/cm3の密度を有するポリウレタンフォームディスクで構成された。別の、剥離ライナーを有する二重被覆フィルムテープには、3Mから製品番号442を購入した。接着側を、このポリウレタンフォームの露出面に適用した。他の側に残っている剥離ライナーは、市販の平坦化装置に付着させるように除去され得る。個々の層の物理特性を、表2にまとめる。
(実施例3−研磨層の調製)
粒子状架橋ポリウレタンおよび架橋ポリウレタンバインダーを含有する研磨層(上層)を、以下の表3にまとめた成分から調製した。
粒子状架橋ポリウレタンおよび架橋ポリウレタンバインダーを含有する研磨層(上層)を、以下の表3にまとめた成分から調製した。
充填物2を、実質的に均質になるまで、モーター駆動式ステンレス鋼製インペラーを用いて混合した。次いで、この充填物2の実質的に均質な混合物を、適切な容器中で充填物1と合わせ、そしてモーター駆動式ミキサーによって、実質的に均質になるまで一緒に混合した。次いで、充填物1と充填物2との組み合わせの930グラム部を、3個の26インチ×26インチの平らな型それぞれに導入した。この型を常温で一対のローラーに通して、3枚の0.100インチの厚さのシートを形成した。このシートを25℃の温度および80%の相対湿度にて18時間、続いて130℃の温度にて1時間硬化させた。打抜型を有するプレスを用いて、22.5インチの直径を有する円形のパッドをこのシートから切り取った。フライス盤を用いてこのパッドの上側表面と下側表面とを平行にした。
(実施例4−3層研磨パッド)
実施例3の研磨層を3層研磨パッドアセンブリへと加工した。この研磨層を、少なくとも部分的に、第二の層(すなわち中間層)に接続した。この中間層は、二重被覆ポリエステルフィルムテープおよび剥離ライナーのシートからなり、3Mから製品番号9609を購入した。接着側を、基本的にこの研磨層の下側表面を覆うように、研磨層に適用した。この中間層の他の側の剥離ライナーを、次いで除去して接着剤を露出し、そして上層に、この露出された接着剤層を適用した。この上層は、22.5インチの直径のSUBA IVパッドで構成された。個々の層の物理特性を、表4にまとめる。
実施例3の研磨層を3層研磨パッドアセンブリへと加工した。この研磨層を、少なくとも部分的に、第二の層(すなわち中間層)に接続した。この中間層は、二重被覆ポリエステルフィルムテープおよび剥離ライナーのシートからなり、3Mから製品番号9609を購入した。接着側を、基本的にこの研磨層の下側表面を覆うように、研磨層に適用した。この中間層の他の側の剥離ライナーを、次いで除去して接着剤を露出し、そして上層に、この露出された接着剤層を適用した。この上層は、22.5インチの直径のSUBA IVパッドで構成された。個々の層の物理特性を、表4にまとめる。
実施例3の研磨層を3層研磨パッドアセンブリへと加工した。この研磨層を、少なくとも部分的に、第二の層(すなわち中間層)に接続した。この中間層は、二重被覆ポリエステルフィルムテープおよび剥離ライナーのシートからなり、3Mから製品番号9609を購入した。接着側を、基本的にこの研磨層の下側表面を覆うように、研磨層に適用した。この中間層の他の側の剥離ライナーを、次いで除去して接着剤を露出し、そして上層に、この露出された接着剤層を適用した。この上層は、22.5インチの直径、1/16インチの厚さ、および0.32g/cm3の密度を有するポリウレタンフォームディスクで構成された。別の、剥離ライナーを有する二重被覆フィルムテープには、3Mから製品番号442を購入した。接着側を、このポリウレタンフォームの露出面に適用した。他の側に残っている剥離ライナーは、市販の平坦化装置に付着させるように除去され得る。個々の層の物理特性を、表5にまとめる。
ジアミン硬化剤。
(bb)Air Products and Chemicals,Inc.から得た、VERSALINK P−650ポリ(テトラメチレングリコール)ジアミン硬化剤。
(dd)トルエンジイソシアネートとポリ(テトラメチレングリコール)とのイソシアネート官能性反応生成物として記載するAir Products and Chemicals,Incから得た、ARITHANE PHP−75Dプレポリマー。
充填物1および充填物2をそれぞれ、実質的に均質になるまで、ステンレス鋼製インペラーを用いて手動で混合した。次いで、この充填物1および充填物2の実質的に均質な混合物を、適切な容器中で合わせ、そしてモーター駆動式インペラーによって一緒に混合した。次いで、充填物1と充填物2との組み合わせの一部を、8.3センチメートルの直径を有する1.6ミリメートルの深さの開環状の型に導入した。この型を閉じ、プレスすることによって平らにした。充填された型を、120℃の温度にて30分間オーブン内に置いた。次いで、この型を、オーブンから取り出し、室温(約25℃)にて冷やし、続いて型から研磨パッドを外した。次いで、このパッドを、120℃の温度でさらに1時間オーブンに戻し、効果を完全にした。
Claims (1)
- 本明細書中に記載のパッド。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011143533A (ja) * | 2009-12-16 | 2011-07-28 | Toray Ind Inc | 研磨パッドおよび半導体ウエハの研磨方法 |
WO2016051796A1 (ja) * | 2014-10-01 | 2016-04-07 | 日東電工株式会社 | 研磨パッド |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7097549B2 (en) * | 2001-12-20 | 2006-08-29 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad |
US20070010169A1 (en) * | 2002-09-25 | 2007-01-11 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad with window for planarization |
JP2005538571A (ja) * | 2002-09-25 | 2005-12-15 | ピーピージー インダストリーズ オハイオ, インコーポレイテッド | 平坦化するための窓を有する研磨パッド |
JP3910921B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2007-04-25 | 株式会社東芝 | 研磨布および半導体装置の製造方法 |
US20040209066A1 (en) * | 2003-04-17 | 2004-10-21 | Swisher Robert G. | Polishing pad with window for planarization |
US7435161B2 (en) * | 2003-06-17 | 2008-10-14 | Cabot Microelectronics Corporation | Multi-layer polishing pad material for CMP |
US7101275B2 (en) * | 2003-09-26 | 2006-09-05 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Resilient polishing pad for chemical mechanical polishing |
US8066552B2 (en) * | 2003-10-03 | 2011-11-29 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer polishing pad for low-pressure polishing |
US7654885B2 (en) * | 2003-10-03 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer polishing pad |
JP2005123232A (ja) * | 2003-10-14 | 2005-05-12 | Toshiba Corp | 研磨装置及び研磨方法、並びに半導体装置の製造方法。 |
US8075372B2 (en) * | 2004-09-01 | 2011-12-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad with microporous regions |
US20060089095A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Swisher Robert G | Polyurethane urea polishing pad |
US20060089093A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Swisher Robert G | Polyurethane urea polishing pad |
US20060089094A1 (en) * | 2004-10-27 | 2006-04-27 | Swisher Robert G | Polyurethane urea polishing pad |
ATE417700T1 (de) * | 2005-04-08 | 2009-01-15 | Ohara Kk | Trägermaterial und polierverfahren dafür |
KR100949560B1 (ko) | 2005-05-17 | 2010-03-25 | 도요 고무 고교 가부시키가이샤 | 연마 패드 |
US20070141312A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-06-21 | James David B | Multilayered polishing pads having improved defectivity and methods of manufacture |
WO2008026451A1 (en) | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Polishing pad |
US7556555B2 (en) * | 2007-02-15 | 2009-07-07 | San Fang Chemical Industry Co., Ltd. | Polishing pad, use thereof and method for manufacturing the same |
JP5078000B2 (ja) | 2007-03-28 | 2012-11-21 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
US20080274674A1 (en) * | 2007-05-03 | 2008-11-06 | Cabot Microelectronics Corporation | Stacked polishing pad for high temperature applications |
US7815491B2 (en) * | 2007-05-29 | 2010-10-19 | San Feng Chemical Industry Co., Ltd. | Polishing pad, the use thereof and the method for manufacturing the same |
JP5436767B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2014-03-05 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨パッド |
JP2011507720A (ja) * | 2007-12-31 | 2011-03-10 | イノパッド,インコーポレイテッド | 化学的機械的平坦化パッド |
CN102143826A (zh) * | 2008-09-04 | 2011-08-03 | 因诺派德公司 | 含有非卷曲纤维的织物及其制造方法 |
JP5222070B2 (ja) * | 2008-09-17 | 2013-06-26 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
TWI370758B (en) * | 2008-12-15 | 2012-08-21 | Bestac Advanced Material Co Ltd | Method for making polishing pad |
DE102009030297B3 (de) * | 2009-06-24 | 2011-01-20 | Siltronic Ag | Verfahren zum Polieren einer Halbleiterscheibe |
TWI410299B (zh) * | 2009-08-24 | 2013-10-01 | Bestac Advanced Material Co Ltd | 研磨墊與其應用及其製造方法 |
TWI510328B (zh) * | 2010-05-03 | 2015-12-01 | Iv Technologies Co Ltd | 基底層、包括此基底層的研磨墊及研磨方法 |
CN102248494A (zh) * | 2010-05-19 | 2011-11-23 | 智胜科技股份有限公司 | 基底层、研磨垫及研磨方法 |
JP5858576B2 (ja) * | 2011-04-21 | 2016-02-10 | 東洋ゴム工業株式会社 | 積層研磨パッド用ホットメルト接着剤シート、及び積層研磨パッド用接着剤層付き支持層 |
US10022842B2 (en) | 2012-04-02 | 2018-07-17 | Thomas West, Inc. | Method and systems to control optical transmissivity of a polish pad material |
US10722997B2 (en) * | 2012-04-02 | 2020-07-28 | Thomas West, Inc. | Multilayer polishing pads made by the methods for centrifugal casting of polymer polish pads |
WO2013151946A1 (en) | 2012-04-02 | 2013-10-10 | Thomas West Inc. | Methods and systems for centrifugal casting of polymer polish pads and polishing pads made by the methods |
US9102034B2 (en) * | 2013-08-30 | 2015-08-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method of chemical mechanical polishing a substrate |
FR3033229B1 (fr) * | 2015-03-06 | 2017-09-01 | Abyssnaut | Systeme de polissage de parois de bassins aquatiques |
CN106271894B (zh) * | 2015-06-04 | 2018-05-15 | 有研半导体材料有限公司 | 一种化学机械抛光过程中粘结抛光垫的方法 |
DE102016222063A1 (de) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | Siltronic Ag | Verfahren zum beidseitigen Polieren einer Halbleiterscheibe |
TW202239829A (zh) * | 2020-12-25 | 2022-10-16 | 日商富士紡控股股份有限公司 | 研磨墊、其製造方法及研磨加工物之製造方法,以及包覆墊、其製造方法及包覆加工物之製造方法 |
WO2024050141A2 (en) * | 2022-09-03 | 2024-03-07 | Rajeev Bajaj | Multilayer cmp pads |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5212910A (en) * | 1991-07-09 | 1993-05-25 | Intel Corporation | Composite polishing pad for semiconductor process |
WO1996015887A1 (en) * | 1994-11-23 | 1996-05-30 | Rodel, Inc. | Polishing pads and methods for their manufacture |
JPH10156705A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 研磨装置および研磨方法 |
JPH11277408A (ja) * | 1998-01-29 | 1999-10-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウエーハの鏡面研磨用研磨布、鏡面研磨方法ならびに鏡面研磨装置 |
JP2002535843A (ja) * | 1999-01-21 | 2002-10-22 | ロデール ホールディングス インコーポレイテッド | 改良された研磨パッド、及び、これに関連する方法 |
US6656018B1 (en) * | 1999-04-13 | 2003-12-02 | Freudenberg Nonwovens Limited Partnership | Polishing pads useful in chemical mechanical polishing of substrates in the presence of a slurry containing abrasive particles |
US6402591B1 (en) * | 2000-03-31 | 2002-06-11 | Lam Research Corporation | Planarization system for chemical-mechanical polishing |
US6623337B2 (en) * | 2000-06-30 | 2003-09-23 | Rodel Holdings, Inc. | Base-pad for a polishing pad |
US6477926B1 (en) * | 2000-09-15 | 2002-11-12 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad |
US20030094593A1 (en) * | 2001-06-14 | 2003-05-22 | Hellring Stuart D. | Silica and a silica-based slurry |
US7097549B2 (en) * | 2001-12-20 | 2006-08-29 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Polishing pad |
-
2003
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Cited By (3)
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