JP2008252612A - High-frequency circuit, array antenna apparatus using the same, and integrated circuit - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To determine one state by activating a required switch, in advance, if no activation of the switch is required during operation, and mechanically fixing the switch at the same time, with the state being kept thereafter without the application of a high voltage. <P>SOLUTION: The high frequency circuit comprises a switch having a spring-like beam 3; a drive electrode 4 for driving the beam 3 of the switch; a switching side high-frequency contact point 5; a high board side high-frequency contact point 6, that is provided to a board to face the switch side high-frequency contact point 5; a high-frequency line which transmits high frequency, when the high frequency contact points 5 and 6 contact by driving with the drive electrode 4; a DC power source 14 for applying a current that is adequate to melt and bond the metal, constituting the high-frequency contact points 5 and 6, inductors 9 and 10 provided between the high-frequency line and the DC power supply 14, and capacitors 7 and 8 that are loaded in series on the high-frequency line. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

この発明は高周波回路に関し、特に、数〜数十ＧＨｚ帯におけるスイッチとして用いられるＲＦ−ＭＥＭＳ（Radio Frequency - Micro Electro Mechanical System）高周波回路、および、高周波回路を用いたアレイアンテナ装置および集積回路に関する。   The present invention relates to a high-frequency circuit, and more particularly, to an RF-MEMS (Radio Frequency-Micro Electro Mechanical System) high-frequency circuit used as a switch in a band of several to several tens of GHz, and an array antenna device and an integrated circuit using the high-frequency circuit.

従来のＲＦ−ＭＥＭＳスイッチは、金属ばね状のスイッチの梁と、その梁の下側に設けられた駆動電極とからなり、スイッチと駆動電極との間に数１０ボルトの電圧を加えることで、ばね状のスイッチを下方向（駆動電極側）に引き付けることで動作する。スイッチの先端に接点を設け、スイッチが下方向に引き付けられると同時に、接点が基板上の別の接点に接触し、伝送路が閉じるようにすることで、電気信号を開閉することができる（例えば、特許文献１、非特許文献１、および、非特許文献２参照）。静電気力によって、スイッチの開閉を行う方式が一般的であるが、熱や圧電素子を用いて駆動電圧を低くする方法も提案されている。また、スイッチを駆動するための電圧が高いことに対しては、昇圧回路を別に用意する方法も提案されている。   A conventional RF-MEMS switch includes a metal spring-like switch beam and a drive electrode provided on the lower side of the beam. By applying a voltage of several tens of volts between the switch and the drive electrode, It operates by pulling the spring-like switch downward (drive electrode side). An electrical signal can be opened and closed by providing a contact at the tip of the switch so that the switch is attracted downward and at the same time the contact contacts another contact on the substrate and the transmission path is closed (for example, Patent Document 1, Non-Patent Document 1, and Non-Patent Document 2). A method of opening and closing a switch by electrostatic force is common, but a method of lowering a driving voltage using heat or a piezoelectric element has also been proposed. Also, a method of separately preparing a booster circuit has been proposed for the high voltage for driving the switch.

特開２０００−１４９７５０号公報JP 2000-149750 A K. E. Petersen著、“Micromechanical Membrane Switches on Silicon”、IBM J. of Research and Development、 Vol. 23、 No.４、 pp376-385、 1979K. E. Petersen, “Micromechanical Membrane Switches on Silicon”, IBM J. of Research and Development, Vol. 23, No. 4, pp376-385, 1979 出尾 晋一 著、「高周波ＭＥＭＳスイッチの耐電力評価」、平成１７年電気学会全国大会３−１２７、Vol.3、pp.188Deichi Shinichi, “Evaluation of power durability of high-frequency MEMS switches”, 2005 IEEJ National Conference 3-127, Vol.3, pp.188

従来のＲＦ−ＭＥＭＳスイッチを用いた高周波回路は、ある一つの状態を保持するためには常に高電圧をスイッチに加えておく必要があるという問題点があった。そのため、高電圧を高周波回路に供給するための電源が必要となり、当該電源の存在が小型化への妨げになってしまうという問題点があった。また、高電圧をスイッチに加え続けるため、消費電力が増加するという問題点もあった。   A high-frequency circuit using a conventional RF-MEMS switch has a problem that it is necessary to always apply a high voltage to the switch in order to maintain a certain state. For this reason, a power source for supplying a high voltage to the high-frequency circuit is required, and the presence of the power source hinders downsizing. In addition, since a high voltage is continuously applied to the switch, there is a problem that power consumption increases.

この発明はかかる問題点を解決するためになされたもので、運用中にスイッチを動作させる必要が無い場合に、あらかじめ必要なスイッチを動作させて、ある一つの状態を決め、同時にスイッチを物理的に固定し、以後、高電圧を加えることなく、その状態を保持することが可能な高周波回路、および、それを用いたアレイアンテナ装置および集積回路を得ることを目的とする。   The present invention has been made to solve such problems. When there is no need to operate a switch during operation, a necessary switch is operated in advance to determine a certain state, and at the same time, the switch is physically connected. It is an object of the present invention to obtain a high-frequency circuit that can be fixed to a high voltage circuit and maintain that state without applying a high voltage, and an array antenna device and an integrated circuit using the same.

この発明は、ばね状の梁をもつスイッチと、上記スイッチの梁を駆動するための駆動電極と、上記スイッチに設けられたスイッチ側高周波接点と、上記スイッチ側高周波接点に対向して、基板に設けられた基板側高周波接点と、上記スイッチに接続された高周波線路と、前記基板側高周波接点に接続された高周波線路と、上記スイッチを閉状態に動作させた際に上記スイッチ側高周波接点と前記基板側高周波接点とを構成している金属を溶融させ、固着させるに十分な電流をながすための電源と、上記高周波線路の少なくともいずれか一方と上記電源との間に設けられたインダクタと、上記高周波線路の少なくともいずれか一方に直列に装荷されたコンデンサとを備えた高周波回路である。   The present invention provides a switch having a spring-shaped beam, a drive electrode for driving the switch beam, a switch-side high-frequency contact provided on the switch, and a switch-side high-frequency contact facing the switch-side high-frequency contact. A board-side high-frequency contact provided; a high-frequency line connected to the switch; a high-frequency line connected to the board-side high-frequency contact; and the switch-side high-frequency contact when the switch is operated in a closed state; A power source for melting a metal constituting the substrate-side high-frequency contact and flowing a current sufficient for fixing; an inductor provided between at least one of the high-frequency lines and the power source; and A high-frequency circuit including a capacitor loaded in series on at least one of the high-frequency lines.

この発明は、ばね状の梁をもつスイッチと、上記スイッチの梁を駆動するための駆動電極と、上記スイッチに設けられたスイッチ側高周波接点と、上記スイッチ側高周波接点に対向して、基板に設けられた基板側高周波接点と、上記スイッチに接続された高周波線路と、前記基板側高周波接点に接続された高周波線路と、上記スイッチを閉状態に動作させた際に上記スイッチ側高周波接点と前記基板側高周波接点とを構成している金属を溶融させ、固着させるに十分な電流をながすための電源と、上記高周波線路の少なくともいずれか一方と上記電源との間に設けられたインダクタと、上記高周波線路の少なくともいずれか一方に直列に装荷されたコンデンサとを備えた高周波回路であるので、運用中にスイッチを動作（開閉）させる必要が無い場合に、あらかじめ必要なスイッチを動作させて、ある一つの状態を決め、同時に、そのスイッチを物理的に固定することで、以後、高電圧を加えることなく、その状態を保持することができる。   The present invention provides a switch having a spring-shaped beam, a drive electrode for driving the switch beam, a switch-side high-frequency contact provided on the switch, and a switch-side high-frequency contact facing the switch-side high-frequency contact. A board-side high-frequency contact provided; a high-frequency line connected to the switch; a high-frequency line connected to the board-side high-frequency contact; and the switch-side high-frequency contact when the switch is operated in a closed state; A power source for melting a metal constituting the substrate-side high-frequency contact and flowing a current sufficient for fixing; an inductor provided between at least one of the high-frequency lines and the power source; and Since this is a high-frequency circuit including a capacitor loaded in series with at least one of the high-frequency lines, it is necessary to operate (open / close) the switch during operation. If necessary, operate a necessary switch in advance to determine a certain state, and at the same time physically fix the switch, so that the state can be maintained without applying a high voltage thereafter. .

実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１に係る高周波回路を示す構成図である。なお、以下の各実施の形態１〜４の説明においては、高周波回路としてＲＦ−ＭＥＭＳ高周波回路を例に挙げて説明する。図１において、１，２は高周波端子、３は高周波端子１に接続されたばね状スイッチの梁、４はばね状スイッチを駆動させるための駆動電極、５はばね状スイッチの梁３の先端に設けられたスイッチの梁側の高周波接点、６は高周波端子２に接続されて高周波接点５に対向するように基板側に設けられた基板側の高周波接点、７は、高周波端子１と高周波接点５との間に設けられ、直流電源１４からの直流電流をカットするためのコンデンサ、８は、高周波端子２と高周波接点６との間に設けられ、直流電源１４からの直流電流をカットするためのコンデンサ、９は高周波端子１と直流電源１４との間に設けられ、高周波信号をカットするためのインダクタ、１０は高周波端子２と直流電源１４との間に設けられ、高周波信号をカットするためのインダクタ、１１は駆動電源１３と駆動電極４との間に設けられた保護用抵抗、１２は直流電源１４とインダクタ１０との間に設けられた電流値設定のための抵抗、１３は直流の駆動電源、１４は接点５，６を融着させるための直流電源である。 Embodiment 1 FIG.
1 is a block diagram showing a high-frequency circuit according to Embodiment 1 of the present invention. In the following description of each of the first to fourth embodiments, an RF-MEMS high-frequency circuit will be described as an example of the high-frequency circuit. In FIG. 1, 1 and 2 are high-frequency terminals, 3 is a beam of a spring-like switch connected to the high-frequency terminal 1, 4 is a drive electrode for driving the spring-like switch, and 5 is provided at the tip of the beam 3 of the spring-like switch. A high-frequency contact on the beam side of the switch, 6 is a high-frequency contact on the substrate side that is connected to the high-frequency terminal 2 and faces the high-frequency contact 5, and 7 is a high-frequency contact 1 and a high-frequency contact 5. , A capacitor for cutting a DC current from the DC power supply 14, and a capacitor 8 for cutting a DC current from the DC power supply 14, provided between the high frequency terminal 2 and the high frequency contact 6. , 9 is provided between the high-frequency terminal 1 and the DC power supply 14, and is an inductor for cutting a high-frequency signal, 10 is provided between the high-frequency terminal 2 and the DC power supply 14, and cuts the high-frequency signal. 11 is a protective resistor provided between the drive power supply 13 and the drive electrode 4, 12 is a resistor for setting a current value provided between the DC power supply 14 and the inductor 10, and 13 is a DC resistor A driving power source 14 is a DC power source for fusing the contacts 5 and 6 together.

このように、この発明の実施の形態１に係るＲＦ−ＭＥＭＳ高周波回路は、ばね状の梁３をもつスイッチと、スイッチの梁３を駆動するための駆動電極４と、直接接触型の接点５，６と、接点５，６が接触したときに形成されて、高周波端子１，２間の高周波を伝送する高周波線路と直流電源１４との間に設けられた高周波信号カット用のインダクタ９，１０と、高周波線路に直列に装荷された直流電流カット用のコンデンサ７，８と、直接接触型の接点５，６を構成している金属を溶融させ、それらを互いに固着させるに十分な電流を流すための直流電源１４とから主に構成されている。   As described above, the RF-MEMS high-frequency circuit according to the first embodiment of the present invention includes a switch having the spring-like beam 3, the drive electrode 4 for driving the switch beam 3, and the direct contact type contact 5. , 6 and contacts 5, 6 are formed, and high frequency signal cut inductors 9, 10 provided between a high frequency line for transmitting a high frequency between the high frequency terminals 1 and 2 and the DC power source 14 are formed. And the DC current-cutting capacitors 7 and 8 loaded in series on the high-frequency line and the metal constituting the direct contact type contacts 5 and 6 are melted, and a current sufficient to fix them to each other flows. And a DC power source 14 for the main purpose.

次に動作について説明する。駆動電源１３に電圧を発生させると、スイッチの梁３と駆動電極４との間に電圧がかかり、静電力により梁３は駆動電極４に引き寄せられる。同時に、スイッチの梁３と一体で動作する梁３側の高周波接点５も同時に基板側に引き寄せられる。梁３が駆動電極４に接触する前に、梁３側の高周波接点５が基板側の高周波接点６に接触し、スイッチの動作は止まる。この動作により、高周波端子１、コンデンサ７、スイッチの梁３、接点５，６、コンデンサ８、および、高周波端子２がつながって高周波線路を形成し、高周波の伝送が可能になる。なお、スイッチが不良でスイッチの梁３と駆動電極４が接触した場合でも、保護用抵抗１１により、電流が制限され、駆動電源１３が故障することは無い。   Next, the operation will be described. When a voltage is generated in the drive power supply 13, a voltage is applied between the beam 3 of the switch and the drive electrode 4, and the beam 3 is attracted to the drive electrode 4 by electrostatic force. At the same time, the high-frequency contact 5 on the beam 3 side that operates integrally with the beam 3 of the switch is also drawn toward the substrate side at the same time. Before the beam 3 contacts the drive electrode 4, the high frequency contact 5 on the beam 3 side contacts the high frequency contact 6 on the substrate side, and the operation of the switch stops. By this operation, the high-frequency terminal 1, the capacitor 7, the switch beam 3, the contacts 5, 6, the capacitor 8, and the high-frequency terminal 2 are connected to form a high-frequency line, and high-frequency transmission becomes possible. Even when the switch is defective and the switch beam 3 and the drive electrode 4 are in contact with each other, the current is limited by the protective resistor 11 and the drive power supply 13 does not break down.

スイッチを閉じた状態で固定するには、この状態で、接点融着のための直流電源１４に電圧を発生させる。これにより、直流電源１４、インダクタ９、スイッチの梁３、接点５，６、インダクタ１０、抵抗１２、電源１４の順に電流が流れる。このとき、電流値設定のための抵抗１２の抵抗値は、接点５，６の接触抵抗より十分大きくなるように設定されているので、接触抵抗の値がばらついても、接点５，６を流れる電流値は所望の値となる。この電流により接点５，６の温度が上昇し、接点５，６の金属が柔らかくなり、融着する。ひとたび融着すれば、電源１４を切っても、スイッチは閉じた状態を維持する。   In order to fix the switch in a closed state, a voltage is generated in the DC power supply 14 for contact fusion in this state. As a result, current flows in the order of the DC power supply 14, the inductor 9, the switch beam 3, the contacts 5 and 6, the inductor 10, the resistor 12, and the power supply 14. At this time, since the resistance value of the resistor 12 for setting the current value is set to be sufficiently larger than the contact resistance of the contacts 5 and 6, even if the contact resistance value varies, the resistance flows through the contacts 5 and 6. The current value becomes a desired value. Due to this current, the temperature of the contacts 5 and 6 rises, and the metal of the contacts 5 and 6 becomes soft and fused. Once fused, the switch remains closed even when the power supply 14 is turned off.

以上のように、本実施の形態においては、ばね状の梁３をもつスイッチと、スイッチの梁３を駆動するための駆動電極４と、スイッチの梁３に設けられたスイッチの梁側の高周波接点５と、スイッチの梁３側の高周波接点５に対向して、基板に設けられた基板側の高周波接点６と、駆動電極４の駆動によりスイッチの梁３側の高周波接点５と基板側の高周波接点６とが接触したときに、高周波を伝送する高周波線路と、スイッチの梁３側の高周波接点５と基板側の高周波接点６とを構成している金属を溶融させて、互いに固着させるに十分な電流をながすための直流電源１４と、高周波線路と直流電源１４との間に設けられたインダクタ９，１０と、高周波線路に直列に装荷されたコンデンサ７，８とを備え、スイッチが閉じた状態で、直流電源１４に電圧を発生させて、それにより、接点５，６の金属を柔らかくして融着させるようにしたので、スイッチを物理的に固定し、以後、高電圧を加えることなく、その状態を保持することが可能である。これにより、高電圧を高周波回路に供給するための電源は不要となり、小型化を図ることができる。また、消費電力も大幅に削減することが可能である。   As described above, in the present embodiment, the switch having the spring-like beam 3, the drive electrode 4 for driving the switch beam 3, and the high frequency on the switch beam side provided on the switch beam 3. Opposite the contact 5 and the high-frequency contact 5 on the switch beam 3 side, the high-frequency contact 6 on the substrate side provided on the substrate, and the high-frequency contact 5 on the switch beam 3 side and the substrate side by driving the drive electrode 4 When the high frequency contact 6 comes into contact, the metal constituting the high frequency line for transmitting high frequency, the high frequency contact 5 on the switch beam 3 side, and the high frequency contact 6 on the substrate side is melted and fixed to each other. A DC power source 14 for flowing a sufficient current, inductors 9 and 10 provided between the high frequency line and the DC power source 14, and capacitors 7 and 8 loaded in series on the high frequency line, and the switch is closed DC Since a voltage is generated at the source 14, thereby softening and fusing the metal of the contacts 5 and 6, the switch is physically fixed, and the state can be changed without applying a high voltage thereafter. It is possible to hold. This eliminates the need for a power source for supplying a high voltage to the high-frequency circuit, and can reduce the size. In addition, power consumption can be greatly reduced.

実施の形態２．
上述の実施の形態１では、高周波接点５，６に電流を流し、融着するようにしたものであるが、以下に、駆動機構を融着する場合の実施の形態を示す。 Embodiment 2. FIG.
In the first embodiment described above, a current is passed through the high-frequency contacts 5 and 6 to be fused. An embodiment in the case where the drive mechanism is fused will be described below.

図２は、このような場合の実施例である。図２において、２１，２２は高周波端子であり、２３，２４は互いに並行に設けられたばね状スイッチの梁で、そのうちの梁２４は、高周波端子２１に接続されている。梁２３と２４とは絶縁体３４を介在させて接合されており、一体で動作する。また、図１において、２５は、梁２３に対向して設けられ、ばね状のスイッチを駆動させるための駆動電極であり、２６は、スイッチの梁２３の先端に設けられた、梁２３側の直流接点であり、２７は、直流接点２６に対向するように基板側に設けられた基板側の直流接点である。２８は、スイッチの梁２４の先端に設けられた、梁２４側の高周波接点であり、２９は、高周波接点２８に対向するように基板側に設けられるとともに、高周波端子２２に接続された基板側の高周波接点である。３０は駆動電極２５と駆動電源３２との間に設けられた保護用抵抗、３１は直流電源３３と直流接点２７との間に設けられた電流値設定のための抵抗、３２は、梁２３と駆動電極２５との間に接続された、ばね状スイッチを駆動させるための直流の駆動電源、３３は、直流接点２６と抵抗３１との間に接続された、接点融着のための直流電源である。   FIG. 2 shows an example of such a case. In FIG. 2, reference numerals 21 and 22 denote high-frequency terminals, reference numerals 23 and 24 denote spring-like switch beams provided in parallel with each other, and the beam 24 is connected to the high-frequency terminal 21. The beams 23 and 24 are joined with an insulator 34 interposed therebetween and operate integrally. In FIG. 1, reference numeral 25 denotes a drive electrode provided to face the beam 23 and drives a spring-like switch, and 26 denotes a beam 23 side provided at the tip of the switch beam 23. A DC contact 27 is a substrate-side DC contact provided on the substrate side so as to face the DC contact 26. 28 is a high-frequency contact on the beam 24 side provided at the tip of the switch beam 24, and 29 is a substrate side connected to the high-frequency terminal 22 while being provided on the substrate side so as to face the high-frequency contact 28. It is a high-frequency contact. Reference numeral 30 denotes a protective resistor provided between the drive electrode 25 and the drive power supply 32, 31 denotes a resistor for setting a current value provided between the DC power supply 33 and the DC contact 27, and 32 denotes a beam 23 A DC drive power source 33 for driving the spring-like switch connected between the drive electrodes 25 and 33 is a DC power source for contact fusion connected between the DC contact 26 and the resistor 31. is there.

次に動作について説明する。駆動電源３２に電圧を発生させると、スイッチの梁２３と駆動電極２５との間に電圧がかかり、静電力により梁２３は駆動電極２５に引き寄せられる。同時に、スイッチの梁２３と一体で動作する梁２３側の直流接点２６と、スイッチの梁２３と一体で動作する別の梁２４に配置された高周波接点２８も、同時に、基板側に引き寄せられる。梁２３が駆動電極２５に接触する前に、梁２４側の高周波接点２８が基板側の高周波接点２９に接触し、そのわずか後に、梁２３側の直流接点２６が基板側の直流接点２７に接触し、スイッチの動作は止まる。この動作により、高周波端子２１、スイッチの梁２４、接点２８，２９、および、高周波端子２２がつながって高周波線路が形成され、高周波の伝送が可能になる。なお、スイッチが不良で、スイッチの梁２３と駆動電極２５が接触した場合でも、保護用抵抗３０により、電流が制限され、駆動電源３２が故障することは無い。   Next, the operation will be described. When a voltage is generated in the drive power supply 32, a voltage is applied between the beam 23 of the switch and the drive electrode 25, and the beam 23 is attracted to the drive electrode 25 by an electrostatic force. At the same time, the DC contact 26 on the beam 23 side that operates integrally with the switch beam 23 and the high-frequency contact 28 disposed on another beam 24 that operates integrally with the switch beam 23 are also drawn toward the substrate side at the same time. Before the beam 23 contacts the drive electrode 25, the high-frequency contact 28 on the beam 24 side contacts the high-frequency contact 29 on the substrate side, and shortly thereafter, the DC contact 26 on the beam 23 side contacts the DC contact 27 on the substrate side. However, the operation of the switch stops. By this operation, the high-frequency terminal 21, the switch beam 24, the contacts 28 and 29, and the high-frequency terminal 22 are connected to form a high-frequency line, which enables high-frequency transmission. Even when the switch is defective and the switch beam 23 and the drive electrode 25 are in contact with each other, the current is limited by the protective resistor 30 and the drive power supply 32 does not fail.

スイッチを閉じた状態で固定するには、この状態で接点融着のための直流電源３３に電圧を発生させる。これにより、直流電源３３、スイッチの梁２３、直流接点２６，２７、抵抗３１、電源３３の順に電流が流れる。このとき、電流値設定のための抵抗３１は、直流接点２６，２７の接触抵抗より十分大きく、接触抵抗の値がばらついても、接点を流れる電流値は所望の値となる。この電流により直流接点２６，２７の温度が上昇し、直流接点２６，２７の金属が柔らかくなり、融着する。ひとたび融着すれば、電源３３を切っても、スイッチは閉じた状態を維持する。これにより、高周波接点２８，２９も閉じた状態を維持する。   In order to fix the switch in a closed state, a voltage is generated in the DC power source 33 for contact fusion in this state. As a result, current flows in the order of the DC power source 33, the switch beam 23, the DC contacts 26 and 27, the resistor 31, and the power source 33. At this time, the resistance 31 for setting the current value is sufficiently larger than the contact resistance of the DC contacts 26 and 27, and even if the value of the contact resistance varies, the value of the current flowing through the contact becomes a desired value. With this current, the temperature of the DC contacts 26 and 27 rises, and the metal of the DC contacts 26 and 27 becomes soft and fused. Once fused, the switch remains closed even when the power source 33 is turned off. As a result, the high-frequency contacts 28 and 29 are also kept closed.

なお、上記実施の形態１では、高周波線路と接点融着用の電流路とが電気的に接続されていたため、高周波信号カット用のインダクタ９，１０と、直流電流カット用のコンデンサ７，８とが設けられていたが、本実施の形態においては、絶縁体３４により遮断され、高周波線路と接点融着用の電流路とが電気的に接続されていないため、インダクタやコンデンサ等は不要である。   In the first embodiment, since the high-frequency line and the current path for contact fusion are electrically connected, the high-frequency signal cut inductors 9 and 10 and the direct current cut capacitors 7 and 8 are provided. However, in the present embodiment, since it is interrupted by the insulator 34 and the high-frequency line and the current path for contact fusion are not electrically connected, an inductor, a capacitor, or the like is unnecessary.

以上のように、本実施の形態においては、ばね状の梁２４をもつスイッチと、スイッチの梁２４を駆動するための駆動電極２５と、スイッチに設けられたスイッチの梁２４側の高周波接点２８と、スイッチの梁２４側の高周波接点２８に対向して、基板に設けられた基板側の高周波接点２９と、駆動電極２５の駆動によりスイッチの梁２４側の高周波接点２８と基板側の高周波接点２９とが接触したときに、高周波を伝送する高周波線路と、梁２４に接合され、梁２４と一体で動作する第２の梁である別の梁２３と、梁２３に設けられた梁２３側の直流接点２６と、梁２３側の直流接点２６に対向するように基板に設けられ、梁２４側の高周波接点２８と基板側の高周波接点２９とが接触したときに、梁２３側の直流接点２６に接触する基板側の直流接点２７と、梁２３側の直流接点２６と基板側の直流接点２７とを構成している金属を溶融させ、固着させるに十分な電流をながすための電源３３とを備えるようにしたので、スイッチを物理的に固定し、以後、高電圧を加えることなく、その状態を保持することが可能である。これにより、高電圧を高周波回路に供給するための電源は不要となり、小型化を図ることができる。また、消費電力も大幅に削減することが可能である。   As described above, in the present embodiment, the switch having the spring-like beam 24, the drive electrode 25 for driving the switch beam 24, and the high-frequency contact 28 on the switch beam 24 side provided in the switch. And a high-frequency contact 29 on the substrate side provided on the substrate opposite the high-frequency contact 28 on the switch beam 24 side, and a high-frequency contact 28 on the switch beam 24 side and a high-frequency contact on the substrate side by driving the drive electrode 25. 29, the high-frequency line that transmits the high frequency, another beam 23 that is joined to the beam 24 and operates integrally with the beam 24, and the beam 23 side provided on the beam 23. When the high frequency contact 28 on the beam 24 side and the high frequency contact 29 on the substrate side are in contact with each other, the direct current contact on the beam 23 side is provided. 26 in contact with the substrate And a power source 33 for melting the metal constituting the direct current contact 26 on the beam 23 side and the direct current contact 27 on the substrate side and flowing a current sufficient to fix the metal. The switch can be physically fixed, and thereafter, the state can be maintained without applying a high voltage. This eliminates the need for a power source for supplying a high voltage to the high-frequency circuit, and can reduce the size. In addition, power consumption can be greatly reduced.

実施の形態３．
以上の実施の形態１、２は、スイッチ単体を融着して固定するようにした高周波回路について説明したが、ここでは、当該高周波回路を、複数のアンテナからなり、各アンテナの位相を調整して、電波の放射あるいは到来方向を特定の方向に向けることが可能なアレイアンテナ装置に適用した場合の実施の形態を示す。 Embodiment 3 FIG.
In the first and second embodiments described above, the high-frequency circuit in which a single switch is fused and fixed has been described. Here, the high-frequency circuit includes a plurality of antennas, and the phase of each antenna is adjusted. Thus, an embodiment in which the present invention is applied to an array antenna apparatus capable of directing the radiation or arrival direction of radio waves in a specific direction will be described.

図３は、アレイアンテナ装置の移相量調整に高周波回路を用いた場合の実施例である。図３において、１０１、１０２は高周波端子、１０３、１０４、１２３、１２４、１４３、１４４はばね状スイッチの梁、１０５、１０６、１２５、１２６、１４５、１４６は駆動電極、１０７、１０８、１２７、１２８、１４７、１４８はスイッチの梁側の高周波接点、１０９、１１０、１２９、１３０、１４９、１５０は基板側の高周波接点、１１１、１１２、１３１、１３２、１５１、１５２は保護用抵抗、１１６、１３６、１５６は電流値設定のための抵抗、１１９は接点融着用の直流電源、１２０は高周波線路、１４０は高周波線路１２０より長い高周波線路、１６０は高周波線路１４０よりもさらに長い高周波線路、１１７、１１８はスイッチ１０３、１０４を導通させる制御端子、１３７、１３８はスイッチ１２３、１２４を導通させる制御端子、１５７、１５８はスイッチ１４３、１４４を導通させる制御端子、１６１、１６２は直流をカットするコンデンサ、１１３、１１４、１１５、１３５、１５５は高周波信号をカットするインダクタである。図３の構成は、上記の実施の形態１で説明した高周波回路が計６個設けられており、各２個ずつが、それぞれ、高周波線路１２０，１４０，１６０に対してスイッチの閉時に接続されるように配置されている。   FIG. 3 shows an embodiment in which a high frequency circuit is used to adjust the amount of phase shift of the array antenna apparatus. In FIG. 3, 101 and 102 are high frequency terminals, 103, 104, 123, 124, 143 and 144 are spring-like switch beams, 105, 106, 125, 126, 145 and 146 are drive electrodes, 107, 108, 127, 128, 147, 148 are high-frequency contacts on the beam side of the switch, 109, 110, 129, 130, 149, 150 are high-frequency contacts on the substrate side, 111, 112, 131, 132, 151, 152 are protective resistors, 116, 136, 156 are resistors for setting a current value, 119 is a DC power supply for contact fusion, 120 is a high-frequency line, 140 is a high-frequency line longer than the high-frequency line 120, 160 is a high-frequency line longer than the high-frequency line 140, 117, 118 is a control terminal for conducting the switches 103 and 104, and 137 and 138 are switches 123 and 124. A control terminal to communicate, 157 and 158 a control terminal for conducting a switch 143 and 144, 161 and 162 a capacitor for cutting direct current, is 113,114,115,135,155 an inductor for cutting a high-frequency signal. The configuration of FIG. 3 includes a total of six high-frequency circuits described in the first embodiment, and each two are connected to the high-frequency lines 120, 140, and 160 when the switch is closed. It is arranged so that.

まず、高周波線路１２０近傍について説明する。スイッチの梁１０３は、一端がコンデンサ１６１を介して高周波端子１０１に接続され、他端には高周波接点１０７が設けられている。梁１０３には、駆動電極１０５が対向して設けられ、駆動電極１０５に保護用抵抗１１１を介して接続されている制御端子１１７に電圧が印加されることにより、スイッチが動作する構成となっている。また、高周波接点１０７に対向するように、高周波線路１２０の先端に設けられた高周波接点１０９が配置されている。高周波接点１０７および１０９には、それぞれ高周波信号カット用のインダクタ１１３，１１５を介して接点融着用の電源１１９が接続されている。また、インダクタ１１５と電源１１９との間には、電流値設定のための抵抗１１６が接続されている。   First, the vicinity of the high-frequency line 120 will be described. One end of the switch beam 103 is connected to the high-frequency terminal 101 via a capacitor 161, and a high-frequency contact 107 is provided at the other end. A drive electrode 105 is provided opposite to the beam 103, and a switch is operated by applying a voltage to a control terminal 117 connected to the drive electrode 105 via a protective resistor 111. Yes. A high frequency contact 109 provided at the tip of the high frequency line 120 is disposed so as to face the high frequency contact 107. The high frequency contacts 107 and 109 are connected to a power source 119 for contact fusion via inductors 113 and 115 for cutting high frequency signals, respectively. Further, a resistor 116 for setting a current value is connected between the inductor 115 and the power source 119.

また、スイッチの梁１０４は、一端がコンデンサ１６２を介して高周波端子１０２に接続され、他端には高周波接点１０８が設けられている。梁１０４には、駆動電極１０６が対向して設けられ、駆動電極１０６に保護用抵抗１１２を介して接続されている制御端子１１８に電圧が印加されることにより、スイッチが動作する構成となっている。また、高周波接点１０８に対向するように、高周波線路１２０の先端に設けられた高周波接点１１０が配置されている。高周波接点１０８には、高周波信号カット用のインダクタ１１４を介して接点融着用の電源１１９が接続されている。また、高周波接点１１０は、スイッチ閉成時に、高周波線路１２０および高周波信号カット用のインダクタ１１５を介して接点融着用の電源１１９に接続される。   Further, one end of the switch beam 104 is connected to the high frequency terminal 102 via the capacitor 162, and a high frequency contact 108 is provided at the other end. The beam 104 is provided with a drive electrode 106 facing the beam 104, and a voltage is applied to a control terminal 118 connected to the drive electrode 106 via a protective resistor 112, whereby the switch operates. Yes. A high frequency contact 110 provided at the tip of the high frequency line 120 is disposed so as to face the high frequency contact 108. The high frequency contact 108 is connected to a power source 119 for contact fusion via an inductor 114 for cutting a high frequency signal. Further, the high frequency contact 110 is connected to a power source 119 for fusion of contacts via a high frequency line 120 and an inductor 115 for cutting a high frequency signal when the switch is closed.

次に、高周波線路１４０近傍について説明する。スイッチの梁１２３は、一端がコンデンサ１６１を介して高周波端子１０１に接続され、他端には高周波接点１２７が設けられている。梁１２３には、駆動電極１２５が対向して設けられ、駆動電極１２５に保護用抵抗１３１を介して接続されている制御端子１３７に電圧が印加されることにより、スイッチが動作する構成となっている。また、高周波接点１２７に対向するように、高周波線路１４０の先端に設けられた高周波接点１２９が配置されている。高周波接点１２７および１２９には、それぞれ高周波信号カット用のインダクタ１１３，１３５を介して接点融着用の電源１１９が接続されている。また、インダクタ１３５と電源１１９との間には、電流値設定のための抵抗１３６が接続されている。   Next, the vicinity of the high-frequency line 140 will be described. One end of the switch beam 123 is connected to the high-frequency terminal 101 via the capacitor 161, and a high-frequency contact 127 is provided at the other end. A drive electrode 125 is provided opposite to the beam 123, and a switch is operated by applying a voltage to a control terminal 137 connected to the drive electrode 125 via a protective resistor 131. Yes. A high frequency contact 129 provided at the tip of the high frequency line 140 is disposed so as to face the high frequency contact 127. The high-frequency contacts 127 and 129 are connected to a power source 119 for contact fusion via inductors 113 and 135 for cutting high-frequency signals, respectively. Further, a resistor 136 for setting a current value is connected between the inductor 135 and the power source 119.

また、スイッチの梁１２４は、一端がコンデンサ１６２を介して高周波端子１０２に接続され、他端には高周波接点１２８が設けられている。梁１２４には、駆動電極１２６が対向して設けられ、駆動電極１２６に保護用抵抗１３２を介して接続されている制御端子１３８に電圧が印加されることにより、スイッチが動作する構成となっている。また、高周波接点１２８に対向するように、高周波線路１４０の先端に設けられた高周波接点１３０が配置されている。高周波接点１２８には、高周波信号カット用のインダクタ１１４を介して接点融着用の電源１１９が接続されている。また、高周波接点１３０は、スイッチ閉成時に、高周波線路１４０および高周波信号カット用のインダクタ１３５を介して接点融着用の電源１１９に接続される。   Further, one end of the switch beam 124 is connected to the high frequency terminal 102 via the capacitor 162, and a high frequency contact 128 is provided at the other end. The drive electrode 126 is provided on the beam 124 so as to face the beam 124, and a voltage is applied to a control terminal 138 connected to the drive electrode 126 via a protective resistor 132 so that the switch operates. Yes. Further, a high frequency contact 130 provided at the tip of the high frequency line 140 is disposed so as to face the high frequency contact 128. The high-frequency contact 128 is connected to a power source 119 for contact fusion via an inductor 114 for cutting a high-frequency signal. Further, the high-frequency contact 130 is connected to a power source 119 for contact fusion via a high-frequency line 140 and an inductor 135 for cutting a high-frequency signal when the switch is closed.

次に、高周波線路１６０近傍について説明する。スイッチの梁１４３は、一端がコンデンサ１６１を介して高周波端子１０１に接続され、他端には高周波接点１４７が設けられている。梁１４３には、駆動電極１４５が対向して設けられ、駆動電極１４５に保護用抵抗１５１を介して接続されている制御端子１５７に電圧が印加されることにより、スイッチが動作する構成となっている。また、高周波接点１４７に対向するように、高周波線路１６０の先端に設けられた高周波接点１４９が配置されている。高周波接点１４７および１４９には、それぞれ高周波信号カット用のインダクタ１１３，１５５を介して接点融着用の電源１１９が接続されている。また、インダクタ１５５と電源１１９との間には、電流値設定のための抵抗１５６が接続されている。   Next, the vicinity of the high frequency line 160 will be described. One end of the switch beam 143 is connected to the high frequency terminal 101 via the capacitor 161, and a high frequency contact 147 is provided at the other end. A drive electrode 145 is provided opposite to the beam 143, and a switch is operated by applying a voltage to a control terminal 157 connected to the drive electrode 145 via a protective resistor 151. Yes. Further, a high frequency contact 149 provided at the tip of the high frequency line 160 is disposed so as to face the high frequency contact 147. The high-frequency contacts 147 and 149 are connected to a power source 119 for contact fusion via inductors 113 and 155 for cutting high-frequency signals, respectively. Further, a resistor 156 for setting a current value is connected between the inductor 155 and the power source 119.

また、スイッチの梁１４４は、一端がコンデンサ１６２を介して高周波端子１０２に接続され、他端には高周波接点１４８が設けられている。梁１４４には、駆動電極１４６が対向して設けられ、駆動電極１４６に保護用抵抗１５２を介して接続されている制御端子１５８に電圧が印加されることにより、スイッチが動作する構成となっている。また、高周波接点１４８に対向するように、高周波線路１６０の先端に設けられた高周波接点１５０が配置されている。高周波接点１４８には、高周波信号カット用のインダクタ１１４を介して接点融着用の電源１１９が接続されている。また、高周波接点１５０は、スイッチ閉成時に、高周波線路１６０および高周波信号カット用のインダクタ１５５を介して接点融着用の電源１１９に接続される。   Further, one end of the switch beam 144 is connected to the high frequency terminal 102 via the capacitor 162, and a high frequency contact 148 is provided at the other end. A drive electrode 146 is provided opposite to the beam 144, and the switch is operated by applying a voltage to a control terminal 158 connected to the drive electrode 146 via a protective resistor 152. Yes. A high frequency contact 150 provided at the tip of the high frequency line 160 is disposed so as to face the high frequency contact 148. The high-frequency contact 148 is connected to a power source 119 for contact fusion via an inductor 114 for cutting a high-frequency signal. Further, the high-frequency contact 150 is connected to a power source 119 for fusion of contacts via the high-frequency line 160 and the inductor 155 for cutting a high-frequency signal when the switch is closed.

次に動作について説明する。制御端子１１７、１１８にそれぞれ電圧を印加すると、スイッチの梁１０３と駆動電極１０５との間、および、スイッチの梁１０４と駆動電極１０６との間に電圧がかかり、静電力により梁１０３、１０４はそれぞれ駆動電極１０５、１０６に引き寄せられる。同時に、スイッチの梁１０３と一体で動作する梁側の高周波接点１０７、およびスイッチの梁１０４と一体で動作する梁側の高周波接点１０８も同時に基板側に引き寄せられる。梁１０３が駆動電極１０５に接触する前に、梁側の高周波接点１０７が基板側の高周波接点１０９に接触し、スイッチの動作は止まる。また、梁１０４が駆動電極１０６に接触する前に、梁側の高周波接点１０８が基板側の高周波接点１１０に接触し、スイッチの動作は止まる。この動作により、高周波端子１０１、コンデンサ１６１、スイッチの梁１０３、接点１０７と１０９、高周波線路１２０、接点１１０と１０８、スイッチの梁１０４、コンデンサ１６２、および、高周波端子１０２がつながり、高周波信号の伝送が可能になる。スイッチが不良でスイッチの梁１０３と駆動電極１０５とが接触した場合でも、保護用抵抗１１１により、電流が制限され、制御端子１１７に接続された駆動電源が故障することは無い。また、スイッチが不良でスイッチの梁１０４と駆動電極１０６が接触した場合でも、保護抵抗１１２により、電流が制限され、制御端子１１８に接続された駆動電源が故障することは無い。   Next, the operation will be described. When a voltage is applied to each of the control terminals 117 and 118, a voltage is applied between the switch beam 103 and the drive electrode 105, and between the switch beam 104 and the drive electrode 106. The beams 103 and 104 are caused by electrostatic force. They are attracted to the drive electrodes 105 and 106, respectively. At the same time, the beam-side high-frequency contact 107 that operates integrally with the switch beam 103 and the beam-side high-frequency contact 108 that operates integrally with the switch beam 104 are simultaneously drawn toward the substrate side. Before the beam 103 contacts the drive electrode 105, the high-frequency contact 107 on the beam side contacts the high-frequency contact 109 on the substrate side, and the operation of the switch stops. In addition, before the beam 104 contacts the drive electrode 106, the high-frequency contact 108 on the beam side contacts the high-frequency contact 110 on the substrate side, and the operation of the switch stops. By this operation, the high frequency terminal 101, the capacitor 161, the switch beam 103, the contacts 107 and 109, the high frequency line 120, the contacts 110 and 108, the switch beam 104, the capacitor 162, and the high frequency terminal 102 are connected to transmit a high frequency signal. Is possible. Even when the switch is defective and the switch beam 103 and the drive electrode 105 are in contact with each other, the current is limited by the protective resistor 111 and the drive power supply connected to the control terminal 117 does not fail. Further, even when the switch is defective and the switch beam 104 and the drive electrode 106 are in contact with each other, the current is limited by the protective resistor 112 and the drive power supply connected to the control terminal 118 does not fail.

同様に、制御端子１３７、１３８に電圧を印加すると、スイッチの梁１２３と駆動電極１２５との間、および、スイッチの梁１２４と駆動電極１２６との間に電圧がかかり、静電力により梁１２３、１２４はそれぞれ駆動電極１２５、１２６に引き寄せられる。同時に、スイッチの梁１２３と一体で動作する梁側の高周波接点１２７、および、スイッチの梁１２４と一体で動作する梁側の高周波接点１２８も同時に基板側に引き寄せられる。梁１２３が駆動電極１２５に接触する前に、梁側の高周波接点１２７が基板側の高周波接点１２９に接触し、スイッチの動作は止まる。また、梁１２４が駆動電極１２６に接触する前に、梁側の高周波接点１２８が基板側の高周波接点１３０に接触し、スイッチの動作は止まる。この動作により、高周波端子１０１、コンデンサ１６１、スイッチの梁１２３、接点１２７と１２９、高周波線路１４０、接点１３０と１２８、スイッチの梁１２４、コンデンサ１６２、および、高周波端子１０２がつながり、高周波信号の伝送が可能になる。スイッチが不良でスイッチの梁１２３と駆動電極１２５とが接触した場合でも、保護用抵抗１３１により、電流が制限され、制御端子１３７に接続された駆動電源が故障することは無い。また、スイッチが不良でスイッチの梁１２４と駆動電極１２６とが接触した場合でも、保護用抵抗１３２により、電流が制限され、制御端子１３８に接続された駆動電源が故障することは無い。   Similarly, when a voltage is applied to the control terminals 137 and 138, a voltage is applied between the switch beam 123 and the drive electrode 125 and between the switch beam 124 and the drive electrode 126, and the beam 123, 124 is attracted to the drive electrodes 125 and 126, respectively. At the same time, the beam-side high-frequency contact 127 operating integrally with the switch beam 123 and the beam-side high-frequency contact 128 operating integrally with the switch beam 124 are also drawn toward the substrate side at the same time. Before the beam 123 contacts the drive electrode 125, the high-frequency contact 127 on the beam side contacts the high-frequency contact 129 on the substrate side, and the operation of the switch stops. Further, before the beam 124 contacts the drive electrode 126, the beam-side high-frequency contact 128 contacts the substrate-side high-frequency contact 130, and the switch operation stops. By this operation, the high-frequency terminal 101, the capacitor 161, the switch beam 123, the contacts 127 and 129, the high-frequency line 140, the contacts 130 and 128, the switch beam 124, the capacitor 162, and the high-frequency terminal 102 are connected to transmit a high-frequency signal. Is possible. Even when the switch is defective and the switch beam 123 and the drive electrode 125 are in contact with each other, the current is limited by the protective resistor 131, and the drive power supply connected to the control terminal 137 does not fail. Further, even if the switch is defective and the switch beam 124 and the drive electrode 126 are in contact with each other, the current is limited by the protective resistor 132 and the drive power supply connected to the control terminal 138 does not fail.

同様に、制御端子１５７、１５８に電圧を印加すると、スイッチの梁１４３と駆動電極１４５との間、および、スイッチの梁１４４と駆動電極１４６との間に電圧がかかり、静電力により梁１４３、１４４はそれぞれ駆動電極１４５、１４６に引き寄せられる。同時に、スイッチの梁１４３と一体で動作する梁側の高周波接点１４７、および、スイッチの梁１４４と一体で動作する梁側の高周波接点１４８も同時に基板側に引き寄せられる。梁１４３が駆動電極１４５に接触する前に、梁側の高周波接点１４７が基板側の高周波接点１４９に接触し、スイッチの動作は止まる。また、梁１４４が駆動電極１４６に接触する前に、梁側の高周波接点１４８が基板側の高周波接点１５０に接触し、スイッチの動作は止まる。この動作により、高周波端子１０１、コンデンサ１６１、スイッチの梁１４３、接点１４７と１４９、高周波線路１６０、接点１５０と１４８、スイッチの梁１４４、コンデンサ１６２、および、高周波端子１０２がつながり、高周波信号の伝送が可能になる。スイッチが不良でスイッチの梁１４３と駆動電極１４５とが接触した場合でも、保護用抵抗１５１により、電流が制限され、制御端子１５７に接続された駆動電源が故障することは無い。また、スイッチが不良でスイッチの梁１４４と駆動電極１４６とが接触した場合でも、保護用抵抗１５２により、電流が制限され、制御端子１５８に接続された駆動電源が故障することは無い。   Similarly, when a voltage is applied to the control terminals 157 and 158, a voltage is applied between the switch beam 143 and the drive electrode 145 and between the switch beam 144 and the drive electrode 146, and the beam 143, 144 are attracted to the drive electrodes 145 and 146, respectively. At the same time, the beam-side high-frequency contact 147 operating integrally with the switch beam 143 and the beam-side high-frequency contact 148 operating integrally with the switch beam 144 are also drawn toward the substrate side at the same time. Before the beam 143 contacts the drive electrode 145, the high-frequency contact 147 on the beam side contacts the high-frequency contact 149 on the substrate side, and the operation of the switch stops. Also, before the beam 144 contacts the drive electrode 146, the high-frequency contact 148 on the beam side contacts the high-frequency contact 150 on the substrate side, and the operation of the switch stops. By this operation, the high-frequency terminal 101, the capacitor 161, the switch beam 143, the contacts 147 and 149, the high-frequency line 160, the contacts 150 and 148, the switch beam 144, the capacitor 162, and the high-frequency terminal 102 are connected to transmit a high-frequency signal. Is possible. Even when the switch is defective and the switch beam 143 contacts the drive electrode 145, the current is limited by the protective resistor 151, and the drive power supply connected to the control terminal 157 does not fail. Further, even when the switch is defective and the switch beam 144 and the drive electrode 146 are in contact with each other, the current is limited by the protective resistor 152 and the drive power supply connected to the control terminal 158 does not fail.

ここで、たとえば高周波線路１４０の電気長が高周波線路１２０の電気長に比べて、１０度長く、高周波線路１６０の電気長が高周波線路１２０の電気長に比べて２０度長くしておくことで、制御端子１３７、１３８に電圧を加えた状態、制御端子１５７、１５８に電圧を加えた状態は、制御端子１１７、１１８に電圧を加えた状態にくらべて、１０度および２０度だけ位相が遅れた状態を実現できる。   Here, for example, the electrical length of the high-frequency line 140 is 10 degrees longer than the electrical length of the high-frequency line 120, and the electrical length of the high-frequency line 160 is 20 degrees longer than the electrical length of the high-frequency line 120, The state in which voltage is applied to the control terminals 137 and 138 and the state in which voltage is applied to the control terminals 157 and 158 are delayed in phase by 10 degrees and 20 degrees compared to the state in which voltage is applied to the control terminals 117 and 118. The state can be realized.

また、スイッチを閉じた状態で固定するには、おのおのの状態で接点融着のための直流電源１１９に電圧を発生させる。制御端子１１７、１１８に電圧を印加した状態であれば、直流電源１１９、インダクタ１１３、スイッチの梁１０３、接点１０７、１０９、インダクタ１１５、抵抗１１６、電源１１９の順に電流が流れる。また、直流電源１１９、インダクタ１１４、スイッチの梁１０４、接点１０８、１１０、インダクタ１１５、抵抗１１６、電源１１９の順に電流が流れる。このとき電流値設定のための抵抗１１６は、接点１０７、１０９の接触抵抗、および、接点１０８、１１０の接触抵抗より十分大きく、接触抵抗の値がばらついても、接点を流れる電流値は所望の値となる。この電流により接点の温度が上昇し、接点の金属が柔らかくなり、融着する。ひとたび融着すれば、電源１１９を切っても、スイッチは閉じた状態を維持する。   Further, in order to fix the switch in the closed state, a voltage is generated in the DC power source 119 for contact fusion in each state. If voltage is applied to the control terminals 117 and 118, current flows in the order of the DC power source 119, the inductor 113, the switch beam 103, the contacts 107 and 109, the inductor 115, the resistor 116, and the power source 119. Further, a current flows in the order of the DC power source 119, the inductor 114, the switch beam 104, the contacts 108 and 110, the inductor 115, the resistor 116, and the power source 119. At this time, the resistance 116 for setting the current value is sufficiently larger than the contact resistance of the contacts 107 and 109 and the contact resistance of the contacts 108 and 110. Even if the value of the contact resistance varies, the value of the current flowing through the contact is desired. Value. This current raises the temperature of the contact, softens and melts the contact metal. Once fused, the switch remains closed even when the power source 119 is turned off.

また、同様に、制御端子１３７、１３８に電圧を印加した状態であれば、直流電源１１９、インダクタ１１３、スイッチの梁１２３、接点１２７、１２９、インダクタ１３５、抵抗１３６、電源１１９の順に電流が流れる。また、直流電源１１９、インダクタ１１４、スイッチの梁１２４、接点１２８、１３０、インダクタ１３５、抵抗１３６、電源１１９の順に電流が流れる。このとき電流値設定のための抵抗１３６は、接点１２７、１２９の接触抵抗、および、接点１２８、１３０の接触抵抗より十分大きく、接触抵抗の値がばらついても、接点を流れる電流値は所望の値となる。この電流により接点の温度が上昇し、接点の金属が柔らかくなり、融着する。ひとたび融着すれば、電源１１９を切っても、スイッチは閉じた状態を維持する。   Similarly, when a voltage is applied to the control terminals 137 and 138, current flows in the order of the DC power source 119, the inductor 113, the switch beam 123, the contacts 127 and 129, the inductor 135, the resistor 136, and the power source 119. . In addition, current flows in the order of the DC power source 119, the inductor 114, the switch beam 124, the contacts 128 and 130, the inductor 135, the resistor 136, and the power source 119. At this time, the resistance 136 for setting the current value is sufficiently larger than the contact resistance of the contacts 127 and 129 and the contact resistance of the contacts 128 and 130, and even if the contact resistance value varies, the current value flowing through the contact is a desired value. Value. This current raises the temperature of the contact, softens and melts the contact metal. Once fused, the switch remains closed even when the power source 119 is turned off.

また、同様に、制御端子１５７、１５８に電圧を印加した状態であれば、直流電源１１９、インダクタ１１３、スイッチの梁１４３、接点１４７、１４９、インダクタ１５５、抵抗１５６、電源１１９の順に電流が流れる。また、直流電源１１９、インダクタ１１４、スイッチの梁１４４、接点１４８、１５０、インダクタ１５５、抵抗１５６、電源１１９の順に電流が流れる。このとき電流値設定のための抵抗１５６は、接点１４７、１４９の接触抵抗、および、接点１４８、１５０の接触抵抗より十分大きく、接触抵抗の値がばらついても、接点を流れる電流値は所望の値となる。この電流により接点の温度が上昇し、接点の金属が柔らかくなり、融着する。ひとたび融着すれば、電源１１９を切っても、スイッチは閉じた状態を維持する。   Similarly, when a voltage is applied to the control terminals 157 and 158, a current flows in the order of the DC power source 119, the inductor 113, the switch beam 143, the contacts 147 and 149, the inductor 155, the resistor 156, and the power source 119. . Further, a current flows in the order of the DC power source 119, the inductor 114, the switch beam 144, the contacts 148 and 150, the inductor 155, the resistor 156, and the power source 119. At this time, the resistance 156 for setting the current value is sufficiently larger than the contact resistance of the contacts 147 and 149 and the contact resistance of the contacts 148 and 150, and even if the contact resistance value varies, the value of the current flowing through the contact is desired. Value. This current raises the temperature of the contact, softens and melts the contact metal. Once fused, the switch remains closed even when the power source 119 is turned off.

以上のように、本実施の形態においては、複数のアンテナからなり、各アンテナの位相を調整して、電波の放射あるいは到来方向を特定の方向に向けることが可能なアレイアンテナ装置の各アンテナに接続された高周波回路を移相器として上記実施の形態１の構造を有する高周波回路から構成するようにしたので、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。   As described above, in the present embodiment, each antenna of an array antenna apparatus that includes a plurality of antennas and can adjust the phase of each antenna to direct the radiation or arrival direction of radio waves in a specific direction. Since the connected high-frequency circuit is constituted by the high-frequency circuit having the structure of the first embodiment as a phase shifter, the same effect as that of the first embodiment can be obtained.

なお、上記の説明においては、高周波回路が実施の形態１で示した構成を有する例について説明したが、その場合に限らず、高周波回路が実施の形態２で示した構成を有するようにしてもよい。また、その場合には、実施の形態２と同様の効果が得られることはいうまでもない。   In the above description, the example in which the high-frequency circuit has the configuration shown in the first embodiment has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the high-frequency circuit may have the configuration shown in the second embodiment. Good. In that case, it goes without saying that the same effects as those of the second embodiment can be obtained.

また、大型のアレイアンテナを製造した場合、最終的な位相の調整が必要な場合があるが、本実施の形態によれば、長さの異なる高周波線路を複数個用意しておき、例えば、高周波線路１４０の電気長が高周波線路１２０の電気長に比べて、１０度長く、高周波線路１６０の電気長が高周波線路１２０の電気長に比べて２０度長くしておくことで、制御端子１３７、１３８に電圧を加えた状態、制御端子１５７、１５８に電圧を加えた状態は、制御端子１１７、１１８に電圧を加えた状態にくらべて、１０度および２０度だけ位相が遅れた状態を実現できるようにしたので、実施の形態１および２に係る移相器を各アンテナに装着することにより、組み立て後に最適な位相に調整し、調整後に移相器を固定することができる。   In addition, when a large array antenna is manufactured, final phase adjustment may be necessary. According to this embodiment, a plurality of high-frequency lines having different lengths are prepared, for example, high-frequency The electrical length of the line 140 is 10 degrees longer than the electrical length of the high-frequency line 120, and the electrical length of the high-frequency line 160 is 20 degrees longer than the electrical length of the high-frequency line 120. When the voltage is applied to the control terminals 157 and 158, the state in which the voltage is applied to the control terminals 117 and 118 can realize a state in which the phase is delayed by 10 degrees and 20 degrees. Therefore, by attaching the phase shifters according to Embodiments 1 and 2 to each antenna, the phase can be adjusted to the optimum after assembly, and the phase shifter can be fixed after adjustment.

実施の形態４．
以上の実施の形態３では、ＲＦ−ＭＥＭＳ高周波回路をアレイアンテナ用の高周波回路に適用した場合の実施の形態であったが、ここでは集積回路に適用した実施の形態を示す。 Embodiment 4 FIG.
In the third embodiment described above, the RF-MEMS high-frequency circuit is applied to a high-frequency circuit for an array antenna. Here, an embodiment applied to an integrated circuit is shown.

図４は、集積回路中の高周波増幅器の整合回路の一部にＲＦ−ＭＥＭＳ高周波回路を用いた場合の、実施例である。図４において、２０１、２０２は高周波端子、２０３は整合回路を含んだ高周波増幅器、２０４、２０５、および２０６は、高周波信号の主伝送路であるマイクロストリップ線路、２０７、２０８は調整用のスタブとなるマイクロストリップ線路、２０９、２１０はばね状スイッチの梁、２１１、２１２は、それぞれ、梁２０９，２１０に対向して設けられた駆動電極、２１３、２１４は、それぞれ、スイッチの梁２０９，２１０側の高周波接点、２１５、２１６は、それぞれ、高周波接点２１３，２１４に対向して設けられた、基板側の高周波接点、２１７、２１８は調整用のコンデンサ、２２６、２２７は、それぞれ、制御端子２２８，２２９と駆動電極２１１，２１２との間に設けられた保護用抵抗、２２５は電流値設定のための抵抗、２２８、２２９は制御端子、２２１、２２２、２２４は高周波信号をカットするインダクタ、２２３は直流電源である。   FIG. 4 shows an embodiment in which an RF-MEMS high-frequency circuit is used as part of the matching circuit of the high-frequency amplifier in the integrated circuit. In FIG. 4, 201 and 202 are high-frequency terminals, 203 is a high-frequency amplifier including a matching circuit, 204, 205 and 206 are microstrip lines that are main transmission lines for high-frequency signals, and 207 and 208 are stubs for adjustment. 209 and 210 are spring-like switch beams, 211 and 212 are drive electrodes provided opposite to the beams 209 and 210, and 213 and 214 are switch beam 209 and 210 sides, respectively. High-frequency contacts 215 and 216 are provided to face the high-frequency contacts 213 and 214, respectively. High-frequency contacts on the substrate side, 217 and 218 are adjustment capacitors, and 226 and 227 are control terminals 228 and 227, respectively. 229 is a protective resistor provided between the drive electrode 211 and 212 and 225 is a resistor for setting a current value. 228 and 229 control terminal, 221,222,224 inductor to cut a high-frequency signal, 223 is a DC power source.

図４に示すように、高周波端子２０１および２０２間には、マイクロストリップ線路２０４，２０５、高周波増幅器２０３、マイクロストリップ線路２０６が順に直列に接続されている。また、マイクロストリップ線路２０４と２０５との間には、マイクロストリップ線路２０７の一端が並列に接続されている。マイクロストリップ線路２０７の他端には、梁２０９とマイクロストリップ線路２０８とが並列に接続されている。梁２０９の先端には、高周波接点２１３が設けられている。高周波接点２１３に対向して、高周波接点２１５が配置されている。高周波接点２１５には、コンデンサ２１７とインダクタ２２１とが並列に接続されている。インダクタ２２１の他端は直流電源２２３に接続されている。コンデンサ２１７の他端は接地２１９されている。また、梁２０９には、駆動電極２１１が対向しており、駆動電極２１１には保護用抵抗２２６を介して制御端子２２８が接続されている。   As shown in FIG. 4, between the high frequency terminals 201 and 202, microstrip lines 204 and 205, a high frequency amplifier 203, and a microstrip line 206 are sequentially connected in series. Further, one end of the microstrip line 207 is connected in parallel between the microstrip lines 204 and 205. A beam 209 and a microstrip line 208 are connected in parallel to the other end of the microstrip line 207. A high-frequency contact 213 is provided at the tip of the beam 209. A high frequency contact 215 is disposed opposite to the high frequency contact 213. A capacitor 217 and an inductor 221 are connected in parallel to the high frequency contact 215. The other end of the inductor 221 is connected to the DC power source 223. The other end of the capacitor 217 is grounded 219. Further, the drive electrode 211 is opposed to the beam 209, and a control terminal 228 is connected to the drive electrode 211 via a protective resistor 226.

また、マイクロストリップ線路２０８の他端には、梁２１０とインダクタ２２４とが並列に接続されている。梁２１０の先端には、高周波接点２１４が設けられている。高周波接点２１４に対向して、高周波接点２１６が配置されている。高周波接点２１６には、コンデンサ２１８とインダクタ２２２とが並列に接続されている。インダクタ２２２の他端は直流電源２２３に接続されている。コンデンサ２１８の他端は接地２２０されている。また、梁２１０には、駆動電極２１２が対向しており、駆動電極２１２には保護用抵抗２２７を介して制御端子２２９が接続されている。さらに、インダクタ２２４の他端には、電流値設定のための抵抗２２５が接続され、抵抗２２５の他端は接地されている。   The beam 210 and the inductor 224 are connected in parallel to the other end of the microstrip line 208. A high-frequency contact 214 is provided at the tip of the beam 210. A high frequency contact 216 is disposed so as to face the high frequency contact 214. A capacitor 218 and an inductor 222 are connected in parallel to the high frequency contact 216. The other end of the inductor 222 is connected to the DC power source 223. The other end of the capacitor 218 is grounded 220. A driving electrode 212 is opposed to the beam 210, and a control terminal 229 is connected to the driving electrode 212 via a protective resistor 227. Further, a resistor 225 for setting a current value is connected to the other end of the inductor 224, and the other end of the resistor 225 is grounded.

次に動作について説明する。制御端子２２８あるいは２２９に電圧を印加すると、スイッチの梁２０９と駆動電極２１１との間、あるいは、スイッチの梁２１０と駆動電極２１２の間に電圧がかかり、静電力により梁２０９、あるいは２１０はそれぞれ駆動電極２１１、２１２に引き寄せられる。同時に、スイッチの梁２０９とあるいは２１０と一体で動作する梁側の高周波接点２１３あるいは２１４も基板側に引き寄せられる。梁２０９が駆動電極２１１に接触する前に、梁側の高周波接点２１３が基板側の高周波接点２１５に接触し、スイッチの動作は止まる。あるいは、梁２１０が駆動電極２１２に接触する前に、梁側の高周波接点２１４が基板側の高周波接点２１６に接触し、スイッチの動作は止まる。この動作により、制御端子２２８に電圧をかけた場合には、マイクロストリップ線路２０４と２０５の間に、マイクロストリップ線路２０７を介した接地コンデンサ２１７が装荷された状態になる。また、制御端子２２９に電圧をかけた場合には、マイクロストリップ線路２０４と２０５の間に、マイクロストリップ線路２０７と２０８を介した接地コンデンサ２１８が装荷された状態になる。さらに、どちらの制御端子にも電圧をかけない場合、および、両方の制御端子に電圧を書けた場合も、マイクロストリップ線路２０４と２０５の間に、マイクロストリップ線路２０７と２０８、コンデンサ２１７、２１８に応じた異なるサセプタンス素子が装荷された状態になる。   Next, the operation will be described. When a voltage is applied to the control terminal 228 or 229, a voltage is applied between the switch beam 209 and the drive electrode 211, or between the switch beam 210 and the drive electrode 212, and the beam 209 or 210 is caused by electrostatic force, respectively. The drive electrodes 211 and 212 are attracted. At the same time, the high-frequency contact 213 or 214 on the beam side operating integrally with the beam 209 or 210 of the switch is also drawn toward the substrate side. Before the beam 209 contacts the drive electrode 211, the high-frequency contact 213 on the beam side contacts the high-frequency contact 215 on the substrate side, and the operation of the switch stops. Alternatively, before the beam 210 contacts the drive electrode 212, the high-frequency contact 214 on the beam side contacts the high-frequency contact 216 on the substrate side, and the operation of the switch stops. By this operation, when a voltage is applied to the control terminal 228, the ground capacitor 217 via the microstrip line 207 is loaded between the microstrip lines 204 and 205. Further, when a voltage is applied to the control terminal 229, a ground capacitor 218 is loaded between the microstrip lines 204 and 205 via the microstrip lines 207 and 208. Furthermore, when no voltage is applied to either control terminal or when a voltage can be written to both control terminals, the microstrip lines 207 and 208 and the capacitors 217 and 218 are placed between the microstrip lines 204 and 205. A different susceptance element is loaded.

このように、２つのスイッチにより４つの異なるサセプタンス素子を装荷できるので、増幅器２０３が、製造時のばらつきなどにより特性が変化しても、スイッチを切り替えることで、より最適な高周波特性に調整できる。   Thus, four different susceptance elements can be loaded by two switches, so that even if the characteristics of the amplifier 203 change due to variations in manufacturing, etc., it is possible to adjust to a more optimal high-frequency characteristic by switching the switches.

スイッチを閉じた状態で固定するには、おのおのの状態で接点融着のための直流電源２２３に電圧を発生させる。制御端子２２８に電圧を印加した状態であれば、直流電源２２３、インダクタ２２１、接点２１５、２１３、スイッチの梁２０９、マイクロストリップ線路２０８、インダクタ２２４、抵抗２２５の順に電流が流れる。制御端子２２９に電圧を印加した状態であれば、直流電源２２３、インダクタ２２２、接点２１６、２１４、スイッチの梁２１０、インダクタ２２４、抵抗２２５の順に電流が流れる。このとき電流値設定のための抵抗２２５は、接点２１３、２１５の接触抵抗、および接点２１４、２１６の接触抵抗より十分大きく、接触抵抗の値がばらついても、接点を流れる電流値は所望の値となる。この電流により接点の温度が上昇し、接点の金属が柔らかくなり、融着する。ひとたび融着すれば、電源２２３を切っても、スイッチは閉じた状態を維持する。   In order to fix the switch in the closed state, a voltage is generated in the DC power source 223 for contact fusion in each state. If a voltage is applied to the control terminal 228, current flows in the order of the DC power source 223, the inductor 221, the contacts 215 and 213, the switch beam 209, the microstrip line 208, the inductor 224, and the resistor 225. If a voltage is applied to the control terminal 229, a current flows in the order of the DC power source 223, the inductor 222, the contacts 216 and 214, the switch beam 210, the inductor 224, and the resistor 225. At this time, the resistance 225 for setting the current value is sufficiently larger than the contact resistance of the contacts 213 and 215 and the contact resistance of the contacts 214 and 216, and even if the contact resistance value varies, the current value flowing through the contact is a desired value. It becomes. This current raises the temperature of the contact, softens and melts the contact metal. Once fused, the switch remains closed even when the power source 223 is turned off.

以上のように、本実施の形態は、上記実施の形態１の構造を用いた高周波回路を備えたＲＦ−ＭＥＭＳ高周波集積回路であるので、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。   As described above, since the present embodiment is an RF-MEMS high-frequency integrated circuit including a high-frequency circuit using the structure of the first embodiment, the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

なお、上記の説明においては、高周波回路が実施の形態１で示した構成を有する例について説明したが、その場合に限らず、高周波回路が実施の形態２で示した構成を有するようにしてもよい。また、その場合には、実施の形態２と同様の効果が得られることはいうまでもない。   In the above description, the example in which the high-frequency circuit has the configuration shown in the first embodiment has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the high-frequency circuit may have the configuration shown in the second embodiment. Good. In that case, it goes without saying that the same effects as those of the second embodiment can be obtained.

また、実施の形態１あるいは２の構造を用いた高周波回路を含む集積回路であるので、高周波特性の調整を行うことで、回路のばらつきを抑え、性能の向上を図ることが可能である。   In addition, since the integrated circuit includes a high-frequency circuit using the structure of Embodiment 1 or 2, it is possible to suppress circuit variations and improve performance by adjusting high-frequency characteristics.

この発明の実施の形態１に係るＲＦ−ＭＥＭＳ高周波回路の構成を示した構成図である。It is the block diagram which showed the structure of the RF-MEMS high frequency circuit which concerns on Embodiment 1 of this invention. この発明の実施の形態２に係るＲＦ−ＭＥＭＳ高周波回路の構成を示した構成図である。It is the block diagram which showed the structure of the RF-MEMS high frequency circuit which concerns on Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態３に係る、ＲＦ−ＭＥＭＳ高周波回路を備えたアレイアンテナ装置の構成を示した構成図である。It is the block diagram which showed the structure of the array antenna apparatus provided with RF-MEMS high frequency circuit based on Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態４に係る、ＲＦ−ＭＥＭＳ高周波回路を備えた集積回路の構成を示した構成図である。It is the block diagram which showed the structure of the integrated circuit provided with RF-MEMS high frequency circuit based on Embodiment 4 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１，２ 高周波端子、３ 梁、４ 駆動電極、５ 高周波接点、６ 高周波接点、７，８ コンデンサ、９，１０ インダクタ、１１ 保護用抵抗、１２ 抵抗、１３ 駆動電源、１４ 直流電源、２１，２２ 高周波端子、２３，２４ 梁、２５ 駆動電極、２６ 直流接点、２７ 直流接点、２８ 高周波接点、２９ 高周波接点、３０ 保護用抵抗、３１ 抵抗、３２ 駆動電源、３３ 直流電源、１０１，１０２ 高周波端子、１０３，１０４，１２３，１２４，１４３，１４４ 梁、１０５，１０６，１２５，１２６，１４５，１４６ 駆動電極、１０７，１０８，１２７，１２８，１４７，１４８ 高周波接点、１０９，１１０，１２９，１３０，１４９，１５０ 高周波接点、１１１，１１２，１３１，１３２，１５１，１５２ 保護用抵抗、１１３，１１４，１１５，１３５，１５５ インダクタ、１１６，１３６，１５６ 抵抗、１１７，１１８ 制御端子、１１９ 駆動電源、１２０ 高周波線路、１３７，１３８ 制御端子、１４０ 高周波線路、１５７，１５８ 制御端子、１６０ 高周波線路、１６１，１６２ コンデンサ、２０１，２０２ 高周波端子、２０３ 高周波増幅器、２０４，２０５，２０６ マイクロストリップ線路、２０７，２０８ マイクロストリップ線路、２０９，２１０ 梁、２１１，２１２ 駆動電極、２１３，２１４ 高周波接点、２１５，２１６ 高周波接点、２１７，２１８ コンデンサ、２２６，２２７ 保護用抵抗、２２５ 抵抗、２２８，２２９ 制御端子、２２１，２２２，２２４ インダクタ、２２３ 直流電源。   1, 2 High frequency terminals, 3 beams, 4 drive electrodes, 5 high frequency contacts, 6 high frequency contacts, 7, 8 capacitors, 9, 10 inductors, 11 protective resistors, 12 resistors, 13 drive power supplies, 14 DC power supplies, 21 and 22 High-frequency terminal, 23, 24 beam, 25 Drive electrode, 26 DC contact, 27 DC contact, 28 High-frequency contact, 29 High-frequency contact, 30 Protection resistance, 31 Resistance, 32 Drive power supply, 33 DC power supply, 101, 102 High-frequency terminal, 103, 104, 123, 124, 143, 144 Beam, 105, 106, 125, 126, 145, 146 Drive electrode, 107, 108, 127, 128, 147, 148 High frequency contact, 109, 110, 129, 130, 149 , 150 High frequency contact, 111, 112, 131, 132, 151, 152 Protective resistance, 1 3, 114, 115, 135, 155 Inductor, 116, 136, 156 Resistance, 117, 118 Control terminal, 119 Drive power supply, 120 High frequency line, 137, 138 Control terminal, 140 High frequency line, 157, 158 Control terminal, 160 High frequency Line, 161, 162 capacitor, 201, 202 high frequency terminal, 203 high frequency amplifier, 204, 205, 206 microstrip line, 207, 208 microstrip line, 209, 210 beam, 211, 212 drive electrode, 213, 214 high frequency contact, 215, 216 High frequency contact, 217, 218 capacitor, 226, 227 Protection resistance, 225 resistance, 228, 229 Control terminal, 221, 222, 224 Inductor, 223 DC power supply.

Claims (4)

ばね状の梁をもつスイッチと、
上記スイッチの梁を駆動するための駆動電極と、
上記スイッチに設けられたスイッチ側高周波接点と、
上記スイッチ側高周波接点に対向して、基板に設けられた基板側高周波接点と、
上記スイッチに接続された高周波線路と、前記基板側高周波接点に接続された高周波線路と、
上記スイッチを閉状態に動作させた際に上記スイッチ側高周波接点と前記基板側高周波接点とを構成している金属を溶融させ、固着させるに十分な電流をながすための電源と、
上記高周波線路の少なくともいずれか一方と上記電源との間に設けられたインダクタと、
上記高周波線路の少なくともいずれか一方に直列に装荷されたコンデンサと
を備えたことを特徴とする高周波回路。 A switch with a spring-like beam;
A drive electrode for driving the beam of the switch;
A switch-side high-frequency contact provided on the switch;
A board-side high-frequency contact provided on the board facing the switch-side high-frequency contact,
A high-frequency line connected to the switch, a high-frequency line connected to the substrate-side high-frequency contact,
A power source for melting a metal constituting the switch-side high-frequency contact and the substrate-side high-frequency contact when the switch is operated in a closed state, and flowing a current sufficient to fix the switch;
An inductor provided between at least one of the high-frequency lines and the power source;
A high-frequency circuit comprising: a capacitor loaded in series on at least one of the high-frequency lines. ばね状の梁をもつスイッチと、
上記スイッチの梁を駆動するための駆動電極と、
上記スイッチに設けられたスイッチ側高周波接点と、
上記スイッチ側高周波接点に対向して、基板に設けられた基板側高周波接点と、
上記スイッチに接続された高周波線路と、前記基板側高周波接点に接続された高周波線路と、
上記梁に接合され、上記梁と一体で動作する第２の梁と、
上記第２の梁に設けられた第２の梁側直流接点と、
上記第２の梁側直流接点に対向するように基板に設けられ、上記スイッチ側高周波接点と前記基板側高周波接点とが接触したときに、第２の梁側直流接点に接触する基板側直流接点と、
上記スイッチを閉状態に動作された際に上記第２の梁側直流接点と前記基板側直流接点とを構成している金属を溶融させ、固着させるに十分な電流をながすための電源と
を備えたことを特徴とする高周波回路。 A switch with a spring-like beam;
A drive electrode for driving the beam of the switch;
A switch-side high-frequency contact provided on the switch;
A board-side high-frequency contact provided on the board facing the switch-side high-frequency contact,
A high-frequency line connected to the switch, a high-frequency line connected to the substrate-side high-frequency contact,
A second beam joined to the beam and operating integrally with the beam;
A second beam-side DC contact provided on the second beam;
A substrate-side DC contact that is provided on the substrate so as to face the second beam-side DC contact, and that contacts the second beam-side DC contact when the switch-side high-frequency contact contacts the substrate-side high-frequency contact. When,
A power source for melting a metal constituting the second beam side DC contact and the substrate side DC contact when the switch is operated in a closed state, and flowing a current sufficient to fix the metal. A high frequency circuit characterized by that. 複数のアンテナからなるアレイアンテナ装置であって、
各アンテナに接続された高周波回路は、請求項１または２に記載の高周波回路から構成されていることを特徴とするアレイアンテナ装置。 An array antenna device comprising a plurality of antennas,
An array antenna apparatus, wherein a high-frequency circuit connected to each antenna comprises the high-frequency circuit according to claim 1. 高周波の集積回路であって、
前記高周波の集積回路には、請求項１または２に記載の高周波回路が接続されていることを特徴とする集積回路。 A high frequency integrated circuit,
An integrated circuit, wherein the high-frequency integrated circuit is connected to the high-frequency circuit according to claim 1.

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