JP2008249575A - パターン欠陥検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 単位パターンが周期的に配列された繰り返しパターンを備えた被検査体の、繰り返しパターンに生じた欠陥を検査するパターン欠陥検査方法であって、繰り返しパターンに所定の入射角で光を照射して回折光を生じさせる工程と、繰り返しパターンからの回折光を受光して結像させる工程と、回折光を結像させた像を観察することにより繰り返しパターンに生じた欠陥を検出する工程と、を有し、単位パターンの配列のピッチを1μm〜8μmとする。
【選択図】 図3
Description
前記単位パターンの配列のピッチを1μm〜8μmとするパターン欠陥検査方法である。
以下に、本発明の一実施形態として、(1)被検査体としてのフォトマスクの構成、(2)フォトマスクに生じた欠陥、(3)パターン欠陥検査装置の構成、(4)本実施形態にかかるパターン欠陥検査方法を順に説明する。
本実施形態にかかるパターン欠陥検査装置及びパターン検査方法においては、例えば、液晶表示装置、プラズマ表示装置、EL表示装置、LED表示装置、DMD表示装置など
に用いられる表示デバイス用基板や、該表示用デバイス用基板の製造工程で用いられるフォトマスクを被検査体として用いることが出来る。その他、半導体デバイス用基板や、該半導体デバイス用基板の製造工程で用いられるフォトマスクを被検査体として用いることも出来る。
上記において、単位パターン53は所定の規則に従って配列すべきである。しかしながら、製造工程等における何らかの原因により、一部の単位パターンが上記規則とは異なる規則に従って配列されてしまう欠陥(いわゆるムラ欠陥)が生じる場合がある。以下に、繰り返しパターン56に生じる欠陥について、フォトマスク50の製造方法を交えながら説明する。なお、上述したとおり、ラインアンドスペース状の単位パターンにおける線幅異常や位置ずれも、本実施形態の検査対象とする欠陥に含まれる。
スタ描画方法などの描画方法によりレーザ光等を照射して、所定のパターンを露光する。〔3〕次に現像を行い、描画部又は非描画部のレジスト膜を選択的に除去し、薄膜上にレジストパターンを形成する。〔4〕その後、レジストパターンに覆われていない薄膜をエッチングにより選択的に除去して、繰り返しパターン56を形成する。〔5〕続いて、繰り返しパターン56上の残存レジストを除去する。なお、多層膜の場合には、膜の材料に応じた追加工程を設けることが出来る。
続いて、本発明の一実施形態にかかるパターン欠陥検査装置10の構成例について、図3を参照しながら説明する。パターン欠陥検査装置10は、保持手段としてのステージ11と、照明手段としての光源装置12と、受光手段としての撮像装置14と、解析手段としての画像解析装置16と、を有している。
保持手段としてのステージ11は、被検査体としてのフォトマスク50を保持するように構成されている。
。このように構成すれば、光源装置12と撮像装置14とを光軸のずれを防止しつつ同期して移動することが容易となるからである。
照明手段としての光源装置12は、ステージ11に保持されたフォトマスク50の繰り返しパターン56に、所定の入射角で光を照射して、回折光を生じさせるように構成されている。
受光手段としての撮像装置14は、繰り返しパターン56からの回折光を受光して、結像させるように構成されている。
なわち繰り返しパターン56の主平面)と対向するように設けられている。
解析手段としての画像解析装置16は、撮像装置14から出力されたエリア画像を観察して、エリア画像内における光強度分布の異変を検出することにより、繰り返しパターン56に生じた欠陥の有無を検出することができるように構成されている。なお、光強度分布の異変を検出することで欠陥を検出できる理由については、(4)パターン欠陥検査方法の項において後述する。
続いて、本発明の一実施形態にかかるパターン欠陥検査方法について説明する。本パターン欠陥検査方法は、上述したパターン欠陥検査装置により実施される。
る工程(S2)と、回折光を結像させた像を観察することにより、繰り返しパターン56に生じた欠陥の有無を検出する工程(S3)と、を有している。以下、各工程について順に説明する。
まず、繰り返しパターン56を備えたフォトマスク50を、パターン検査装置のステージ11上に保持する。そして、光源装置12を用い、繰り返しパターン56の主平面に対して斜め下方から入射角θiで光を照射する。
続いて、撮像装置14により、繰り返しパターン56からの回折光を受光して結像させる。すなわち、受光光学系14bにより、繰り返しパターン56からの回折光を受光させ、エリアカメラ14aの受光面上へと結像させてエリア画像を得る。
上述のように、欠陥が生じた繰り返しパターン56’からのエリア画像には、欠陥の存在を示す光強度分布の異変が現れる。そこで、画像解析装置16により、エリア画像を観察させ、繰り返しパターン56に生じた欠陥の有無を検査させる。
成させ、光強度分布の変化(異変)を観察することによって、欠陥の有無を検出する。
本実施形態によれば、以下の〔1〕〜〔4〕の効果を奏する。
続いて、本発明の他の実施形態を説明する。
データが過大な容量となることを防止する目的から、1μm以上のものが好ましい。特に
、後者について言えば、本発明の被検査体は、一辺が300mm以上、より効果が高いのは一辺が1m以上の大型のものであるから、描画容量を抑制することは意義が大きい。
本実施形態にかかる被検査体としてのフォトマスクは、図8に示すように、透明支持体としての透明基板57の主表面上に、繰り返しパターン56と同時に形成された薄膜(遮光膜)からなるテスト用パターン56tを有している点が、上述の実施形態と異なる。テスト用パターン56tは、繰り返しパターン56以外の領域、例えば、透明基板57の主表面上における繰り返しパターン56の周囲等に設けられている。
続いて、本発明の他の実施形態にかかるパターン欠陥検査装置10の構成例について説明する。
続いて、本発明の一実施形態にかかるパターン欠陥検査方法について説明する。本パターン欠陥検査方法は、上述したパターン欠陥検査装置により実施される。
本実施形態によれば、上述の本発明の一実施形態における〔1〕〜〔4〕の効果に加え
て、さらに以下の効果を奏する。
11 ステージ(保持手段)
12 光源装置(照明手段)
12a 光源
12b 照射光学系
14 撮像装置(受光手段)
14a エリアカメラ
14b 受光光学系
16 画像解析装置(解析手段)
50 フォトマスク(被検査体)
53 単位パターン
53t テスト用単位パターン
56 繰り返しパターン
56t テスト用パターン
d ピッチ
θi 入射角
θr 受光角
θn 回折角
△θ 回折角の差
Claims (20)
- 単位パターンが周期的に配列された繰り返しパターンを備えた被検査体の、前記繰り返しパターンに生じた欠陥を検査するパターン欠陥検査方法であって、
前記繰り返しパターンに所定の入射角で光を照射して回折光を生じさせる工程と、
前記繰り返しパターンからの回折光を受光して結像させる工程と、
前記回折光を結像させた像を観察することにより前記繰り返しパターンに生じた欠陥を検出する工程と、を有し、
前記単位パターンの配列のピッチを1μm〜8μmとする
ことを特徴とするパターン欠陥検査方法。 - 前記回折光を受光して結像させる工程では、前記繰り返しパターンからの回折光のうち、次数の絶対値が1〜10の回折光を選択して受光する
ことを特徴とする請求項1に記載のパターン欠陥検査方法。 - 前記繰り返しパターンに照射する光の波長を380nmから780nmとする
ことを特徴とする請求項1から2のいずれかに記載のパターン欠陥検査方法。 - 前記繰り返しパターンからの回折光の受光は、前記繰り返しパターンの主面に対して90°の受光角で行う
ことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のパターン欠陥検査方法。 - 前記繰り返しパターンへの光の照射は、前記繰り返しパターンの主面に対して30°から60°の入射角で行う
ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のパターン欠陥検査方法。 - 前記被検査体は透明性基板を備え、
前記繰り返しパターンは、前記透明性基板の主面上に、遮光性材料あるいは半遮光性材料から構成されている
ことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のパターン欠陥検査方法。 - 前記繰り返しパターンは、前記透明基板上に、該繰り返しパターンとは異なる周期で配列された繰り返しパターンを有する主パターンと同時に描画された、テスト用パターンである
ことを特徴とする請求項6に記載のパターン欠陥検査方法。 - 単位パターンが周期的に配列された繰り返しパターンを備えた被検査体の、前記繰り返しパターンに生じた欠陥を検査するパターン欠陥検査方法であって、
前記繰り返しパターンに所定の入射角で光を照射して回折光を生じさせる工程と、
前記繰り返しパターンからの回折光を受光して結像させる工程と、
前記回折光を結像させた像を観察することにより前記繰り返しパターンに生じた欠陥を検出する工程と、を有し、
前記回折光を受光して結像させる工程では、前記繰り返しパターンからの回折光のうち、次数の絶対値が1〜10の回折光を選択して受光する
ことを特徴とするパターン欠陥検査方法。 - 単位パターンが周期的に配列された繰り返しパターンを備えた被検査体の、前記繰り返しパターンに生じた欠陥を検査するパターン欠陥検査方法であって、
前記単位パターンとは異なるピッチでテスト用単位パターンが周期的に配列されたテスト用パターンを、前記繰り返しパターン以外の領域に前記繰り返しパターンと同時に描画
することによって形成する工程と、
前記テスト用パターンに所定の入射角で光を照射して回折光を生じさせる工程と、
前記テスト用パターンからの回折光を受光して結像させる工程と、
前記回折光を結像させた像を観察することにより前記繰り返しパターンに生じた欠陥を検出する工程と、を有し、
前記テスト用単位パターンの配列のピッチを1μm〜8μmとする
ことを特徴とするパターン欠陥検査方法。 - 前記回折光を受光して結像させる工程では、前記テスト用パターンからの回折光のうち、次数の絶対値が1〜10の回折光を選択して受光する
ことを特徴とする請求項9に記載のパターン欠陥検査方法。 - 前記テスト用パターンに照射する光の波長を、380nmから780nmとする
ことを特徴とする請求項9または10に記載のパターン欠陥検査方法。 - 前記テスト用パターンからの回折光の受光は、前記テスト用パターンの主面に対して90°の受光角で行う
ことを特徴とする請求項9から11のいずれかに記載のパターン欠陥検査方法。 - 前記テスト用パターンの光の照射は、前記テスト用パターンの主面に対して30°から60°の入射角で行う
ことを特徴とする請求項9から12のいずれかに記載のパターン欠陥検査方法。 - 前記被検査体は透明性基板を備え、
前記繰り返しパターン及び前記テスト用パターンは、前記透明性基板の主面上に、遮光性材料あるいは半遮光性材料から構成されている
ことを特徴とする請求項9から13のいずれかに記載のパターン欠陥検査方法。 - 前記回折光は、前記繰り返しパターンに照射された光の反射光による回折光である
ことを特徴とする請求項1から14のいずれかに記載のパターン欠陥検査方法。 - 前記被検査体は、365nm〜436nmの波長範囲内の所定波長範囲の光を露光するフォトマスクである
ことを特徴とする請求項1から15のいずれかに記載のパターン欠陥検査方法。 - 前記フォトマスクは、液晶表示装置製造用のフォトマスクである
ことを特徴とする請求項16に記載のパターン欠陥検査方法。 - 請求項1から請求項17のいずれかに記載のパターン欠陥検査方法を用いて欠陥を検査する工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
- 請求項1から請求項17のいずれかに記載のパターン欠陥検査方法を用いて欠陥を検査し、前記検査の結果にもとづいて前記繰り返しパターンを描画する描画機の描画精度を評価する工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
- 請求項18または19に記載のフォトマスクの製造方法によって製造したフォトマスクに、365nm〜436nmの波長範囲内の所定波長範囲の光を露光し、前記フォトマスク上に形成されているパターンを、被転写体上に転写する
ことを特徴とするパターン転写方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007092818A JP4869129B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | パターン欠陥検査方法 |
CNA2008100865858A CN101275920A (zh) | 2007-03-30 | 2008-03-20 | 图案缺陷检查方法、光掩模制造方法以及图案转印方法 |
KR1020080028923A KR20080089251A (ko) | 2007-03-30 | 2008-03-28 | 패턴 결함 검사 방법, 포토마스크의 제조 방법, 및 패턴전사 방법 |
TW097111156A TW200848694A (en) | 2007-03-30 | 2008-03-28 | Method of inspecting a pattern defect, method of manufacturing a photomask, and method of transferring a pattern |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007092818A JP4869129B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | パターン欠陥検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008249575A true JP2008249575A (ja) | 2008-10-16 |
JP4869129B2 JP4869129B2 (ja) | 2012-02-08 |
Family
ID=39974692
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007092818A Expired - Fee Related JP4869129B2 (ja) | 2007-03-30 | 2007-03-30 | パターン欠陥検査方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4869129B2 (ja) |
KR (1) | KR20080089251A (ja) |
CN (1) | CN101275920A (ja) |
TW (1) | TW200848694A (ja) |
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-
2007
- 2007-03-30 JP JP2007092818A patent/JP4869129B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-20 CN CNA2008100865858A patent/CN101275920A/zh active Pending
- 2008-03-28 TW TW097111156A patent/TW200848694A/zh unknown
- 2008-03-28 KR KR1020080028923A patent/KR20080089251A/ko not_active Application Discontinuation
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Also Published As
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---|---|
CN101275920A (zh) | 2008-10-01 |
JP4869129B2 (ja) | 2012-02-08 |
TW200848694A (en) | 2008-12-16 |
KR20080089251A (ko) | 2008-10-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090805 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110614 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110615 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110812 |
|
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