JP2008241789A - Electrooptical device and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrooptical device with high display characteristics, and to provide an electronic apparatus. <P>SOLUTION: An electrooptical substance layer in a transmissive display region can be applied with an intense electric field, so optical anisotropy in the transmissive display region increases in proportion to the square of the electric field. Thus, the optical anisotropy can be made large, so retardation in the transmissive display region can be increased. The retardation in the transmissive display region is made high to be equalized to retardation in a reflective display region, and the difference in light transmittance between the reflective display region and transmissive display region can be eliminated. Consequently, a difference in contrast between the reflective display region and transmissive display region is eliminated to obtain the electrooptical device having high display characteristics. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気光学装置及び電子機器に関する。   The present invention relates to an electro-optical device and an electronic apparatus.

Ｋｅｒｒ効果による電子分極を利用した電気光学装置が知られている。Ｋｅｒｒ効果とは、電界を印加したときに当該電界の方向を軸として電界強度の２乗に比例する大きさの光学異方性を示す現象をいう。このようなＫｅｒｒ効果を示す電気光学物質として、例えばブルー相と呼ばれる液晶材料が知られている。液晶層としてブルー相を用いた液晶表示装置は、応答速度が速いことで知られている。ブルー相は、電界が印加されていない状態では光学等方性を呈している。ブルー相が所定範囲内の温度にあるとき、当該ブルー相に電界を印加すると電界強度の２乗に比例する光学異方性を示す。   An electro-optical device using electronic polarization due to the Kerr effect is known. The Kerr effect refers to a phenomenon that exhibits optical anisotropy having a magnitude proportional to the square of the electric field strength with the electric field direction as an axis when an electric field is applied. As an electro-optical substance exhibiting such a Kerr effect, for example, a liquid crystal material called a blue phase is known. A liquid crystal display device using a blue phase as a liquid crystal layer is known for its high response speed. The blue phase exhibits optical isotropy when no electric field is applied. When the blue phase is at a temperature within a predetermined range, an optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength is exhibited when an electric field is applied to the blue phase.

近年では、携帯電話機や携帯情報端末等の携帯用電子機器の表示部として、液晶表示装置などの電気光学装置が用いられていることが多い。一般に、携帯用電子機器に用いられる液晶表示装置としては、反射表示及び透過表示が可能な半透過反射型のものが採用されている。特に、横電界方式の液晶表示装置は視野角が広いことで知られている。このような横電界方式の半透過反射型液晶表示装置に液晶層としてブルー相を用いることで、視野角の向上及び高速応答が可能となる（例えば、特許文献１参照。）。   In recent years, electro-optical devices such as liquid crystal display devices are often used as display units of portable electronic devices such as mobile phones and portable information terminals. In general, as a liquid crystal display device used for a portable electronic device, a transflective type capable of reflective display and transmissive display is adopted. In particular, a horizontal electric field type liquid crystal display device is known to have a wide viewing angle. By using a blue phase as a liquid crystal layer in such a transverse electric field type transflective liquid crystal display device, an improvement in viewing angle and a high-speed response are possible (for example, see Patent Document 1).

横電界方式の液晶表示装置は、一般的には、対向配置された一方の基板に液晶層が挟持され、一方の基板上に画素電極と対向電極とが設けられた構成になっている。通常の液晶相は、界面領域の液晶分子の配向が変化することで、周辺の液晶分子にも配向の変化が伝播する特性がある。このため、横電界を印加すると、横電界の印加される領域で液晶分子の配向が変化し、この配向の変化が液晶層の厚さ方向に伝播する。これに対してブルー相は、１個の液晶分子の配向が変化しても、周辺の液晶分子に配向の変化が伝播しにくいという特性がある。このため、ブルー相に横電界を印加した場合、横電界の印加される領域では液晶分子の配向が変化するものの、横電界の印加されない領域には配向の変化が伝播しにくい。この結果、横電界の印加されている局所領域でしか液晶分子の配向が変化せず、この局所領域でしか光学異方性を示さない。
特開２００６−３８４０号公報 In general, a horizontal electric field type liquid crystal display device has a configuration in which a liquid crystal layer is sandwiched between one opposed substrate and a pixel electrode and a counter electrode are provided on the other substrate. The normal liquid crystal phase has a characteristic that the change in orientation propagates to the surrounding liquid crystal molecules as the orientation of the liquid crystal molecules in the interface region changes. For this reason, when a lateral electric field is applied, the orientation of the liquid crystal molecules changes in the region to which the transverse electric field is applied, and this change in orientation propagates in the thickness direction of the liquid crystal layer. On the other hand, the blue phase has a characteristic that even if the alignment of one liquid crystal molecule changes, the change in alignment hardly propagates to surrounding liquid crystal molecules. For this reason, when a horizontal electric field is applied to the blue phase, the alignment of the liquid crystal molecules changes in the region where the horizontal electric field is applied, but the change in alignment is difficult to propagate to the region where the horizontal electric field is not applied. As a result, the orientation of liquid crystal molecules changes only in a local region to which a lateral electric field is applied, and exhibits optical anisotropy only in this local region.
JP 2006-3840 A

半透過反射型の液晶表示装置は、一般的には、反射表示と透過表示の双方で良好な表示を得るために、反射表示領域と透過表示領域とでセル厚（液晶層厚）を異ならせる構造（いわゆるマルチギャップ構造）が採用されている。しかし、ブルー相に横電界を印加した場合、電界が生じている局所的な領域しか液晶の配向を変化させることができないため、セル厚がある一定の厚さを超えると、液晶分子全体に電界が届かなくなり、その領域は明るさに寄与しない。そのため、透過反射領域において、マルチギャップを形成する必要性はなくなる。しかし、反射領域で白表示（例えば、λ/4の位相差）をした場合、透過領域の位相差はλ/4になり、透過表示領域と反射表示領域との間で実質的な屈折率位相差（リタデーション）が一致しない。   In general, a transflective liquid crystal display device has different cell thicknesses (liquid crystal layer thicknesses) between a reflective display region and a transmissive display region in order to obtain a good display in both reflective display and transmissive display. A structure (so-called multi-gap structure) is employed. However, when a horizontal electric field is applied to the blue phase, only the local region where the electric field is generated can change the alignment of the liquid crystal. Therefore, if the cell thickness exceeds a certain thickness, the electric field is applied to the entire liquid crystal molecules. Will not reach and the area will not contribute to brightness. Therefore, there is no need to form a multi-gap in the transmission / reflection region. However, when white display is performed in the reflective area (for example, a phase difference of λ / 4), the phase difference of the transmissive area is λ / 4, and the substantial refractive index level between the transmissive display area and the reflective display area. The phase difference (retardation) does not match.

反射表示領域と透過表示領域との間でリタデーションが一致しないと、両領域で光透過率が異なることになる。光透過率が異なることによって、両領域で表示の明るさが異なってしまい、コントラスト差が生じる原因となる。反射表示領域と透過表示領域との間でコントラストに差があると、表示特性が悪くなってしまう。ブルー相を用いた液晶表示装置に限らず、Ｋｅｒｒ効果を発現する電気光学物質を用いた電気光学装置において同様の問題がある。しかしながら、Ｋｅｒｒ効果を発現する電気光学物質を用いた半透過反射型電気光学装置において、反射表示と透過表示とも、表示特性を高めるための手段は明らかではない。   If the retardation does not match between the reflective display area and the transmissive display area, the light transmittance will be different between the two areas. Due to the difference in the light transmittance, the brightness of the display differs in both areas, which causes a contrast difference. If there is a difference in contrast between the reflective display area and the transmissive display area, the display characteristics are deteriorated. There is a similar problem not only in a liquid crystal display device using a blue phase but also in an electro-optical device using an electro-optical material that exhibits the Kerr effect. However, in a transflective electro-optical device using an electro-optical material that exhibits the Kerr effect, means for improving display characteristics is not clear for both reflective display and transmissive display.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、表示特性の高い電気光学装置及び電子機器を提供することにある。   In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide an electro-optical device and an electronic apparatus having high display characteristics.

上記目的を達成するため、本発明に係る電気光学装置は、電界の非印加時に光学的に等方性を示し且つ電界の印加時には電界強度の２乗に比例する光学異方性を示す電気光学物質を有する電気光学物質層と、当該電気光学物質層を挟持する一対の基板とを備えた電気光学装置であって、反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられた複数のサブ画素領域を具備し、前記透過表示領域において、前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側の表面上に第１電極と第２電極とを具備し、前記反射表示領域において、前記一方の基板の前記電気光学物質層側の表面上に第３電極と第４電極とを具備し、前記第１電極と前記第２電極のうち少なくとも一方の前記一方の基板からの高さは、前記第３電極および前記第４電極の前記一方の基板からの高さよりも高いことを特徴とする。   In order to achieve the above object, an electro-optical device according to the present invention exhibits an optical anisotropy when no electric field is applied and an optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength when an electric field is applied. An electro-optical device comprising an electro-optical material layer having a substance and a pair of substrates sandwiching the electro-optical material layer, wherein a reflective display area for performing reflective display and a transmissive display area for performing transmissive display are provided. A plurality of sub-pixel regions, wherein in the transmissive display region, a first electrode and a second electrode are provided on a surface of one of the pair of substrates on the electro-optic material layer side, and the reflection is performed. In the display region, a third electrode and a fourth electrode are provided on a surface of the one substrate on the electro-optic material layer side, and at least one of the first electrode and the second electrode is separated from the one substrate. The height of the third electrode and It is higher than the height from the one substrate of the serial fourth electrode.

リタデーションの大きさは、電気光学物質層の厚さ（ｄ）と光学異方性の大きさ（Δｎ）との積（Δｎｄ）で規定される。反射表示領域と透過表示領域とが設けられたいわゆる半透過反射型の電気光学装置において、光は反射表示領域の電気光学物質層を２回通過する。このことは、実質的に反射表示領域の電気光学物質層の厚さが透過表示領域の電気光学物質層の厚さの２倍であることを意味する。したがって、マルチギャップを採用しない構成では、反射表示領域の実質的なリタデーションは透過表示領域の実質的なリタデーションの２倍になる。これに対して、透過表示領域のリタデーションを高めることによって、透過表示領域の実質的なリタデーションを反射表示領域の実質的なリタデーションと同等にすることができる。   The magnitude of retardation is defined by the product (Δnd) of the thickness (d) of the electro-optic material layer and the magnitude of optical anisotropy (Δn). In a so-called transflective electro-optical device provided with a reflective display region and a transmissive display region, light passes through the electro-optical material layer in the reflective display region twice. This means that the thickness of the electro-optic material layer in the reflective display area is substantially twice the thickness of the electro-optic material layer in the transmissive display area. Therefore, in a configuration that does not employ a multi-gap, the substantial retardation of the reflective display region is twice that of the transmissive display region. In contrast, by increasing the retardation of the transmissive display region, the substantial retardation of the transmissive display region can be made equal to the substantial retardation of the reflective display region.

本発明によれば、透過表示領域側の第１電極と第２電極のうち少なくとも一方における当該一方の基板からの高さが、反射表示領域側の第３電極および第４電極における一方の基板からの高さよりも高いこととしたので、その分第１電極と第２電極とで挟まれた部分の電気光学物質層に印加される電界の範囲を、第３電極および第４電極とで挟まれた部分の電気光学物質層に印加される電界の範囲よりも広くすることができる。   According to the present invention, the height from the one substrate in at least one of the first electrode and the second electrode on the transmissive display region side is from one substrate in the third electrode and the fourth electrode on the reflective display region side. Therefore, the range of the electric field applied to the portion of the electro-optical material layer sandwiched between the first electrode and the second electrode is sandwiched between the third electrode and the fourth electrode. The range of the electric field applied to the portion of the electro-optic material layer can be made wider.

そのため本発明では、透過表示領域のリタデーションを反射表示領域のリターデーションよりも大きくすることができる。透過表示領域のリタデーションを大きくすることにより、当該透過表示領域の実質的なリタデーションを反射表示領域の実質的なリタデーションと同等にすることができ、反射表示領域と透過表示領域との間の光透過率の差を解消することができる。これにより、反射表示領域と透過表示領域との間のコントラストの差を解消することができ、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。   Therefore, in the present invention, the retardation of the transmissive display area can be made larger than the retardation of the reflective display area. By increasing the retardation of the transmissive display area, the substantial retardation of the transmissive display area can be made equal to the substantial retardation of the reflective display area, and light transmission between the reflective display area and the transmissive display area can be achieved. The difference in rate can be eliminated. Thereby, the difference in contrast between the reflective display area and the transmissive display area can be eliminated, and an electro-optical device with high display characteristics can be obtained.

本発明に係る電気光学装置は、電界の非印加時に光学的に等方性を示し且つ電界の印加時には電界強度の２乗に比例する光学異方性を示す電気光学物質を有する電気光学物質層と、当該電気光学物質層を挟持する一対の基板とを備えた電気光学装置であって、反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられた複数のサブ画素領域を具備し、前記透過表示領域において、前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側に第１電極と第２電極とを具備し、前記反射表示領域において、前記一方の基板の前記電気光学物質層側に第３電極と第４電極とを具備し、前記第１電極と前記第２電極のうち少なくとも一方の前記一方の基板との距離は、前記第３電極および前記第４電極の前記一方の基板との距離よりも大きいことを特徴とする。   The electro-optical device according to the present invention includes an electro-optical material layer having an electro-optical material that is optically isotropic when no electric field is applied and that exhibits optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength when the electric field is applied. And a pair of substrates sandwiching the electro-optic material layer, and a plurality of sub-pixel regions each provided with a reflective display region for performing reflective display and a transmissive display region for performing transmissive display A first electrode and a second electrode on the electro-optic material layer side of one of the pair of substrates in the transmissive display region, and in the reflective display region, the first substrate A third electrode and a fourth electrode are provided on the electro-optic material layer side, and the distance between the first electrode and at least one of the second electrodes is the third electrode and the fourth electrode. Than the distance to the one substrate And wherein the hearing.

本発明によれば、透過表示領域側の第１電極と第２電極のうち少なくとも一方における一方の基板との距離は、反射表示領域側の第３電極および第４電極の一方の基板との距離よりも大きいので、透過表示領域の第１電極及び第２電極が反射表示領域の第３電極及び第４電極よりも電気光学物質層の中央部により近い位置に配置されることになる。このため、第１電極と第２電極とで挟まれた部分の電気光学物質層には、第１電極及び第２電極の厚さ方向の上下に亘って広い範囲に電界を印加することができる。これにより、上記同様、透過表示領域の実質的なリタデーションを反射表示領域の実質的なリタデーションと同等にすることができ、反射表示領域と透過表示領域との間のコントラストの差を解消することができ、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。   According to the present invention, the distance between at least one of the first electrode and the second electrode on the transmissive display area side is the distance between the third electrode and the fourth electrode on the reflective display area side. Therefore, the first electrode and the second electrode in the transmissive display area are disposed at a position closer to the central portion of the electro-optic material layer than the third electrode and the fourth electrode in the reflective display area. For this reason, an electric field can be applied to the electro-optical material layer in the portion sandwiched between the first electrode and the second electrode over a wide range across the thickness direction of the first electrode and the second electrode. . Thereby, as described above, the substantial retardation of the transmissive display area can be made equal to the substantial retardation of the reflective display area, and the difference in contrast between the reflective display area and the transmissive display area can be eliminated. In addition, an electro-optical device with high display characteristics can be obtained.

本発明に係る電気光学装置は、電界の非印加時に光学的に等方性を示し且つ電界の印加時には電界強度の２乗に比例する光学異方性を示す電気光学物質を有する電気光学物質層と、当該電気光学物質層を挟持する一対の基板とを備えた電気光学装置であって、反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられた複数のサブ画素領域を具備し、前記透過表示領域において、前記一対の基板のうち一方の基板上に第１電極と第２電極とを具備し、前記反射表示領域において、前記一方の基板上に第３電極と第４電極とを具備し、前記第１電極と前記第２電極との間に設けた前記電気光学物質と、前記一方の基板、との間に設けた前記電気光学物質の、前記電気光学物質層厚方向の厚さが、前記第３電極と前記第４電極との間に設けた前記電気光学物質と、前記一方の基板、との間に設けた前記電気光学物質の、前記電気光学物質層厚方向の厚さよりも厚いことを特徴とする。   The electro-optical device according to the present invention includes an electro-optical material layer having an electro-optical material that is optically isotropic when no electric field is applied and that exhibits optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength when the electric field is applied. And a pair of substrates sandwiching the electro-optic material layer, and a plurality of sub-pixel regions each provided with a reflective display region for performing reflective display and a transmissive display region for performing transmissive display A first electrode and a second electrode on one of the pair of substrates in the transmissive display region; and a third electrode and a fourth electrode on the one substrate in the reflective display region. The electro-optic material layer thickness of the electro-optic material provided between the first electrode and the one substrate, the electro-optic material provided between the first electrode and the second electrode The thickness in the direction is between the third electrode and the fourth electrode It said electro-optical material provided on, of the electro-optical material provided between said one substrate, and, and wherein the greater than the thickness of the electro-optical material layer thickness direction.

本発明によれば、透過表示領域側の第１電極と第２電極との間に設けた電気光学物質と、一方の基板、との間に設けた電気光学物質の、電気光学物質層厚方向の厚さが、反射表示領域側の第３電極と第４電極との間に設けた電気光学物質と、一方の基板、との間に設けた電気光学物質の、電気光学物質層厚方向の厚さよりも厚いので、その分透過表示領域側の第１電極と第２電極との間に広い範囲に電界を印加することができる。これにより、上記同様、透過表示領域の実質的なリタデーションを反射表示領域の実質的なリタデーションと同等にすることができ、反射表示領域と透過表示領域との間のコントラストの差を解消することができ、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。   According to the present invention, the electro-optic material layer thickness direction of the electro-optic material provided between the first electrode and the second electrode on the transmissive display region side and the one substrate is provided. Of the electro-optic material provided between the third electrode and the fourth electrode on the reflective display region side and the one substrate in the thickness direction of the electro-optic material layer. Since it is thicker than the thickness, an electric field can be applied over a wide range between the first electrode and the second electrode on the transmissive display region side. Thereby, as described above, the substantial retardation of the transmissive display area can be made equal to the substantial retardation of the reflective display area, and the difference in contrast between the reflective display area and the transmissive display area can be eliminated. In addition, an electro-optical device with high display characteristics can be obtained.

本発明に係る電気光学装置は、電界の非印加時に光学的に等方性を示し且つ電界の印加時には電界強度の２乗に比例する光学異方性を示す電気光学物質を有する電気光学物質層と、当該電気光学物質層を挟持する一対の基板とを備えた電気光学装置であって、反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられた複数のサブ画素領域を具備し、前記透過表示領域において、前記一対の基板のうち一方の基板上に第１電極と第２電極とを具備し、前記反射表示領域において、前記一方の基板上に第３電極と第４電極とを具備し、前記電気光学物質層内において、前記第１電極と前記第２電極とによって生じる電界の影響が及ぶ範囲の前記電気光学物質層厚方向の厚さが、前記第３電極と前記第４電極とによって生じる電界の影響が及ぶ範囲の前記電気光学物質層厚方向の厚さよりも厚くなるように、前記第１電極と前記第２電極と前記第３電極と前記第４電極とが配置されていることを特徴とする。   The electro-optical device according to the present invention includes an electro-optical material layer having an electro-optical material that is optically isotropic when no electric field is applied and that exhibits optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength when the electric field is applied. And a pair of substrates sandwiching the electro-optic material layer, and a plurality of sub-pixel regions each provided with a reflective display region for performing reflective display and a transmissive display region for performing transmissive display A first electrode and a second electrode on one of the pair of substrates in the transmissive display region; and a third electrode and a fourth electrode on the one substrate in the reflective display region. The electro-optic material layer has a thickness in the electro-optic material layer thickness direction within a range affected by the electric field generated by the first electrode and the second electrode in the electro-optic material layer. Electric field generated by the fourth electrode The first electrode, the second electrode, the third electrode, and the fourth electrode are arranged so as to be thicker than the thickness in the thickness direction of the electro-optic material layer in the affected range. To do.

本発明によれば、電気光学物質層内において、透過表示領域側の第１電極と第２電極とによって生じる電界の影響が及ぶ範囲の電気光学物質層厚方向の厚さが、反射表示領域側の第３電極と前記第４電極とによって生じる電界の影響が及ぶ範囲の電気光学物質層厚方向の厚さよりも厚くなるように、第１電極、第２電極、第３電極及び第４電極のそれぞれが配置されているので、透過表示領域の方が反射表示領域よりも広い範囲に電界を印加することができる。これにより、上記同様、透過表示領域の実質的なリタデーションを反射表示領域の実質的なリタデーションと同等にすることができ、反射表示領域と透過表示領域との間のコントラストの差を解消することができ、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。   According to the present invention, in the electro-optic material layer, the thickness in the electro-optic material layer thickness direction within the range affected by the electric field generated by the first electrode and the second electrode on the transmissive display region side is the reflective display region side. Of the first electrode, the second electrode, the third electrode, and the fourth electrode so as to be thicker than the thickness in the thickness direction of the electro-optic material layer in the range affected by the electric field generated by the third electrode and the fourth electrode. Since each of them is arranged, an electric field can be applied to the transmissive display area in a wider range than the reflective display area. Thereby, as described above, the substantial retardation of the transmissive display area can be made equal to the substantial retardation of the reflective display area, and the difference in contrast between the reflective display area and the transmissive display area can be eliminated. In addition, an electro-optical device with high display characteristics can be obtained.

上記の電気光学装置は、前記電気光学物質が負の誘電率異方性を示し、前記第１電極は前記第２電極よりも薄く、前記第３電極は前記第４電極よりも薄いことを特徴とする。
本発明によれば、電気光学物質層のうち電界に対して負の誘電率異方性を示す部分では、第１電極が第２電極よりも薄く、かつ、第３電極が第４電極よりも薄くなっているので、負の誘電率異方性を示す部分の配向を所望の方向に規制することができる。 In the electro-optical device, the electro-optical material exhibits negative dielectric anisotropy, the first electrode is thinner than the second electrode, and the third electrode is thinner than the fourth electrode. And
According to the present invention, in the portion of the electro-optic material layer that exhibits negative dielectric anisotropy with respect to the electric field, the first electrode is thinner than the second electrode, and the third electrode is thinner than the fourth electrode. Since it is thin, the orientation of the portion exhibiting negative dielectric anisotropy can be regulated in a desired direction.

上記の電気光学装置は、前記複数のサブ画素領域が、第１の色光を表示する第１サブ画素領域と、第２の色光を表示する第２サブ画素領域とを含んでおり、前記第１サブ画素領域における前記一方の基板の表面からの前記第１電極及び前記第２電極の距離が、前記第２サブ画素領域における前記一方の基板の表面からの前記第１電極及び前記第２電極の距離よりも大きくなっていることを特徴とする。
本発明によれば、第１の色光を表示する第１サブ画素領域では第２の色光を表示する第２サブ画素領域に比べて、一方の基板の表面からの第１電極及び第２電極の距離が大きくなっているので、色光の種類に応じて最適な光透過率を得ることができる。これにより、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。 In the electro-optical device, the plurality of sub-pixel regions include a first sub-pixel region that displays first color light and a second sub-pixel region that displays second color light. The distance between the first electrode and the second electrode from the surface of the one substrate in the sub-pixel region is the distance between the first electrode and the second electrode from the surface of the one substrate in the second sub-pixel region. It is characterized by being larger than the distance.
According to the present invention, in the first sub-pixel region displaying the first color light, the first electrode and the second electrode from the surface of one substrate are compared with the second sub-pixel region displaying the second color light. Since the distance is increased, an optimal light transmittance can be obtained according to the type of color light. Thereby, an electro-optical device having high display characteristics can be obtained.

上記の電気光学装置は、前記複数のサブ画素領域が、第１の色光を表示する第１サブ画素領域と、第２の色光を表示する第２サブ画素領域とを含んでおり、前記第１サブ画素領域における前記一方の基板の表面からの前記第３電極及び前記第４電極の距離が、前記第２サブ画素領域における前記一方の基板の表面からの前記第３電極及び前記第４電極の距離よりも大きくなっていることを特徴とする。
本発明によれば、第１の色光を表示する第１サブ画素領域では第２の色光を表示する第２サブ画素領域に比べて、一方の基板の表面からの第３電極及び第４電極の距離が大きくなっているので、色光の種類に応じて最適な光透過率を得ることができる。これにより、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。 In the electro-optical device, the plurality of sub-pixel regions include a first sub-pixel region that displays first color light and a second sub-pixel region that displays second color light. The distance between the third electrode and the fourth electrode from the surface of the one substrate in the sub-pixel region is the distance between the third electrode and the fourth electrode from the surface of the one substrate in the second sub-pixel region. It is characterized by being larger than the distance.
According to the present invention, in the first sub-pixel region displaying the first color light, the third electrode and the fourth electrode from the surface of one substrate are compared with the second sub-pixel region displaying the second color light. Since the distance is increased, an optimal light transmittance can be obtained according to the type of color light. Thereby, an electro-optical device having high display characteristics can be obtained.

上記の電気光学装置は、前記一方の基板のうち、前記第１電極と前記第２電極とに平面的に挟まれた領域と、前記第３電極と前記第４電極とに平面的に挟まれた領域のうち少なくとも一方に、凹部が設けられていることを特徴とする。
本発明のように、一方の基板のうち第１電極と第２電極とに平面的に挟まれた領域と、第３電極と第４電極とに平面的に挟まれた領域のうち少なくとも一方に凹部が設けられている場合であっても最適な光透過率を得ることができる。これにより、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。 In the electro-optical device, the one substrate is planarly sandwiched between the first electrode and the second electrode, and the third electrode and the fourth electrode. A recess is provided in at least one of the regions.
As in the present invention, at least one of a region sandwiched between the first electrode and the second electrode and a region planarly sandwiched between the third electrode and the fourth electrode in one substrate. Even when the concave portion is provided, the optimum light transmittance can be obtained. Thereby, an electro-optical device having high display characteristics can be obtained.

上記の電気光学装置は、前記一方の基板のうち、前記第１電極と前記第２電極とに平面的に挟まれた領域と、前記第３電極と前記第４電極とに平面的に挟まれた領域のうち少なくとも一方に、凸部が設けられていることを特徴とする。
本発明のように、一方の基板のうち第１電極と第２電極とに平面的に挟まれた領域と、第３電極と第４電極とに平面的に挟まれた領域のうち少なくとも一方に凸部が設けられている場合であっても最適な光透過率を得ることができる。これにより、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。 In the electro-optical device, the one substrate is planarly sandwiched between the first electrode and the second electrode, and the third electrode and the fourth electrode. A convex portion is provided in at least one of the regions.
As in the present invention, at least one of a region sandwiched between the first electrode and the second electrode and a region planarly sandwiched between the third electrode and the fourth electrode in one substrate. Even when the convex portion is provided, the optimum light transmittance can be obtained. Thereby, an electro-optical device having high display characteristics can be obtained.

上記の電気光学装置は、前記電気光学物質が、コレステリックブルー相を含んでいることを特徴とする。
コレステリックブルー相は、電界の非印加時に光学的に等方性を示し且つ電界の印加時には電界強度の２乗に比例する光学異方性を示す電気光学物質の一種である。本発明では、電気光学物質がコレステリックブルー相を含んでいるので、反射表示領域及び透過表示領域の間で同等の光透過率を得ることができる。これにより、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。 In the electro-optical device, the electro-optical material includes a cholesteric blue phase.
The cholesteric blue phase is a kind of electro-optic material that exhibits optical isotropy when no electric field is applied and exhibits optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength when an electric field is applied. In the present invention, since the electro-optical material contains a cholesteric blue phase, an equivalent light transmittance can be obtained between the reflective display region and the transmissive display region. Thereby, an electro-optical device having high display characteristics can be obtained.

上記の電気光学装置は、前記電気光学物質が、スメクティックブルー相、キュービック相、スメクティックＤ相及びミセル相のうちいずれかを含んでいることを特徴とする。
スメクティックブルー相、キュービック相、スメクティックＤ相及びミセル相は、電界の非印加時に光学的に等方性を示し且つ電界の印加時には電界強度の２乗に比例する光学異方性を示す電気光学物質の一種である。本発明では、電気光学物質がスメクティックブルー相を含んでいるので、反射表示領域及び透過表示領域の間で同等の光透過率を得ることができる。これにより、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。 In the electro-optical device, the electro-optical material includes any one of a smectic blue phase, a cubic phase, a smectic D phase, and a micelle phase.
The smectic blue phase, cubic phase, smectic D phase and micelle phase are optically isotropic when no electric field is applied and exhibit optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength when an electric field is applied It is a kind of. In the present invention, since the electro-optical material contains a smectic blue phase, an equivalent light transmittance can be obtained between the reflective display region and the transmissive display region. Thereby, an electro-optical device having high display characteristics can be obtained.

上記の電気光学装置は、前記一対の基板のうち少なくとも一方の前記電気光学物質層との界面に配向膜が設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、一対の基板のうち少なくとも一方の電気光学物質層との界面に配向膜が設けられているので、電界を印加したときに電気光学物質の配向を補助的に規制することができる。 The electro-optical device is characterized in that an alignment film is provided at an interface between at least one of the pair of substrates and the electro-optical material layer.
According to the present invention, since the alignment film is provided at the interface with at least one electro-optical material layer of the pair of substrates, the alignment of the electro-optical material can be supplementarily regulated when an electric field is applied. it can.

上記の電気光学装置は、前記配向膜が、前記第１電極と前記第２電極との配列方向に対して直交する方向にラビングされていることを特徴とする。
本発明によれば、配向膜が第１電極と第２電極との配列方向に対して直交する方向にラビングされているので、電界を印加したときに電気光学物質の配向を確実に規制することができる。 The electro-optical device is characterized in that the alignment film is rubbed in a direction orthogonal to the arrangement direction of the first electrode and the second electrode.
According to the present invention, since the alignment film is rubbed in a direction orthogonal to the arrangement direction of the first electrode and the second electrode, the alignment of the electro-optic material can be reliably regulated when an electric field is applied. Can do.

上記の電気光学装置は、前記一対の基板における前記電気光学物質層と反対側の面のそれぞれには、円偏光板が設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、電気光学物質層に円偏光を入射させることができるので、コントラストの高い表示を得ることができる。これにより、表示特性の高い電気光学装置を得ることができる。 The electro-optical device is characterized in that a circularly polarizing plate is provided on each surface of the pair of substrates opposite to the electro-optical material layer.
According to the present invention, since circularly polarized light can be incident on the electro-optic material layer, a display with high contrast can be obtained. Thereby, an electro-optical device having high display characteristics can be obtained.

本発明に係る電子機器は、上記の電気光学装置を搭載したことを特徴とする。
本発明によれば、透過表示領域及び反射表示領域にて同等の光透過率が得られ、コントラストの高い表示が可能な電気光学装置を搭載したので、表示品位が高く、信頼性の高い電子機器を得ることができる。 An electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device.
According to the present invention, since an electro-optical device capable of obtaining the same light transmittance in the transmissive display area and the reflective display area and capable of displaying with high contrast is mounted, an electronic apparatus having high display quality and high reliability. Can be obtained.

［第１実施形態］
以下、図面に基づき本発明の第１実施形態を説明する。
（液晶表示装置の構成）
図１は、液晶表示装置１の全体構成を示す図である。本実施形態では、スイッチング素子に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下ＴＦＴという）素子を用いたアクティブマトリクス方式の半透過反射型液晶表示装置であり、電界（横電界）を基板面方向に印加する横電界方式のうち、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式と呼ばれる方式を採用した液晶表示装置を例に挙げて説明する。 [First Embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
(Configuration of liquid crystal display device)
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of the liquid crystal display device 1. The present embodiment is an active matrix type transflective liquid crystal display device using a thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) element as a switching element, and a horizontal electric field that applies an electric field (lateral electric field) in the direction of the substrate surface. Of the methods, a liquid crystal display device adopting a method called an IPS (In-Plane Switching) method will be described as an example.

同図に示すように、液晶表示装置１は、液晶パネル２と、バックライト３とを主体として構成されている。液晶パネル２とバックライト３とは平面視で重なるように配置されており、図１では液晶パネル２のみが示されている。この液晶パネル２には図示しないフレキシブル回路基板が接続されている。   As shown in the figure, the liquid crystal display device 1 is mainly composed of a liquid crystal panel 2 and a backlight 3. The liquid crystal panel 2 and the backlight 3 are arranged so as to overlap in plan view, and only the liquid crystal panel 2 is shown in FIG. A flexible circuit board (not shown) is connected to the liquid crystal panel 2.

液晶パネル２は、一対の基板、具体的にはＴＦＴアレイ基板４とカラーフィルタ基板５とがシール材７によって貼り合わされると共に、このシール材７によって区画された領域内に液晶層６が封入された構成になっている。シール材７の一部には液晶を注入する注入口７ａが設けられている。注入口７ａは封止材７ｂにより封止されている。シール材７の内側の領域には、周辺見切り領域（周辺領域）８が設けられている。周辺見切り領域８の内側の領域は、画像や動画等を表示する表示領域９になっている。表示領域９には、複数のサブ画素領域１０がマトリクス状に設けられている。   In the liquid crystal panel 2, a pair of substrates, specifically, a TFT array substrate 4 and a color filter substrate 5 are bonded together by a sealing material 7, and a liquid crystal layer 6 is enclosed in a region partitioned by the sealing material 7. It has a configuration. An injection port 7 a for injecting liquid crystal is provided in a part of the sealing material 7. The injection port 7a is sealed with a sealing material 7b. A peripheral parting region (peripheral region) 8 is provided in a region inside the sealing material 7. The area inside the peripheral parting area 8 is a display area 9 for displaying images, moving images, and the like. In the display area 9, a plurality of sub-pixel areas 10 are provided in a matrix.

本実施形態では、図中左右方向に隣接する３つのサブ画素領域１０が１組になって１つの画素を構成している。この１画素を構成する３つのサブ画素領域１０は、それぞれ赤色を表示する赤色サブ画素領域、緑色を表示する緑色サブ画素領域、青色を表示する青色サブ画素領域である。サブ画素領域１０の間の領域は画素間領域１１である。   In the present embodiment, three sub-pixel regions 10 adjacent in the left-right direction in the figure constitute one set to constitute one pixel. The three sub pixel areas 10 constituting one pixel are a red sub pixel area for displaying red, a green sub pixel area for displaying green, and a blue sub pixel area for displaying blue. A region between the sub-pixel regions 10 is an inter-pixel region 11.

ＴＦＴアレイ基板４の周縁部は、カラーフィルタ基板５から張り出した張出領域になっている。この張出領域のうち図中左辺側及び右辺側には、走査信号を生成する走査線駆動回路１２が形成されている。図中下辺側には、データ信号を生成するデータ線駆動回路１３と、フレキシブル回路基板に接続するための接続端子１５とが形成されている。走査線駆動回路１２と接続端子１５との間の領域には、両者を接続する配線１６が形成されている。   The peripheral edge portion of the TFT array substrate 4 is an overhanging region protruding from the color filter substrate 5. A scanning line driving circuit 12 for generating a scanning signal is formed on the left side and the right side in the drawing in the overhang region. On the lower side in the figure, a data line driving circuit 13 for generating a data signal and a connection terminal 15 for connecting to a flexible circuit board are formed. In a region between the scanning line driving circuit 12 and the connection terminal 15, a wiring 16 that connects them is formed.

図２は、液晶表示装置１のうち１つのサブ画素領域１０及び画素間領域１１の構成を示す平面図である。図２においては、説明の便宜上、カラーフィルタ基板５の図示を省略している。
同図に示すように、サブ画素領域１０は平面視で矩形状になっており、図中の上下方向（マトリクスの列方向）が長手方向、図中の左右方向（マトリクスの行方向）が短手方向となっている。サブ画素領域１０には、光反射層４１と、画素電極４２と、共通電極４３とが配置されている。画素間領域１１には、走査線４４と、データ線４５と、共通電極線４６と、半導体薄膜４７と、柱状スペーサ４８とが配置されている。 FIG. 2 is a plan view showing the configuration of one sub-pixel region 10 and inter-pixel region 11 in the liquid crystal display device 1. In FIG. 2, the color filter substrate 5 is not shown for convenience of explanation.
As shown in the figure, the sub-pixel region 10 has a rectangular shape in plan view, and the vertical direction (column direction of the matrix) in the figure is the longitudinal direction and the horizontal direction (matrix row direction) in the figure is short. It is a hand direction. In the sub-pixel region 10, a light reflection layer 41, a pixel electrode 42, and a common electrode 43 are disposed. In the inter-pixel region 11, scanning lines 44, data lines 45, common electrode lines 46, semiconductor thin films 47, and columnar spacers 48 are arranged.

画素間領域１１内の構成を説明する。
走査線４４は、例えばアルミニウムやクロム、タンタル等の金属からなり、サブ画素領域１０の短手方向（図中左右方向）に延在する配線である。この走査線４４は、一端が走査線駆動回路１２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１２で生成された走査信号を供給する。走査線４４は、サブ画素領域１０の図中下側の画素間領域１１に配置されている。 A configuration in the inter-pixel region 11 will be described.
The scanning line 44 is made of a metal such as aluminum, chromium, or tantalum, and is a wiring extending in the short direction (left and right direction in the drawing) of the sub-pixel region 10. One end of the scanning line 44 is connected to the scanning line driving circuit 12 (see FIG. 1), and supplies the scanning signal generated by the scanning line driving circuit 12. The scanning line 44 is disposed in the inter-pixel region 11 below the sub-pixel region 10 in the drawing.

データ線４５は、走査線４４と同様、例えばアルミニウムやクロム、タンタル等の金属からなり、サブ画素領域１０の長手方向（図中上下方向）に延在する配線である。このデータ線４５は、一端がデータ線駆動回路１３（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１３で生成されたデータ信号を供給する。このデータ線４５には、半導体薄膜４７に向けて分岐するソース電極４５ａが設けられている。ソース電極４５ａは、平面視でＬ形の電極であり、一部が半導体薄膜４７に平面視で重なるように設けられている。   Similarly to the scanning line 44, the data line 45 is made of a metal such as aluminum, chromium, or tantalum and extends in the longitudinal direction (vertical direction in the drawing) of the sub-pixel region 10. One end of the data line 45 is connected to the data line driving circuit 13 (see FIG. 1) and supplies a data signal generated by the data line driving circuit 13. The data line 45 is provided with a source electrode 45 a that branches toward the semiconductor thin film 47. The source electrode 45 a is an L-shaped electrode in plan view, and is provided so as to partially overlap the semiconductor thin film 47 in plan view.

共通電極線４６は、走査線４４やデータ線４５と同様、例えばアルミニウムやクロム、タンタル等の金属からなり、サブ画素領域１０の短手方向（図中方向）に延在する配線である。この共通電極線４６は、各サブ画素領域１０に設けられるそれぞれの共通電極４３に接続されており、サブ画素領域１０の図中上側の画素間領域１１に配置されている。   Similar to the scanning line 44 and the data line 45, the common electrode line 46 is made of a metal such as aluminum, chromium, or tantalum, and extends in the short direction (direction in the figure) of the sub-pixel region 10. The common electrode line 46 is connected to each common electrode 43 provided in each sub-pixel region 10 and is disposed in the inter-pixel region 11 on the upper side of the sub-pixel region 10 in the drawing.

走査線４４とデータ線４５とは画素間領域１１内で交差するように設けられており、平面視で格子状に配列されている。サブ画素領域１０は、これら走査線４４とデータ線４５とで囲まれる領域に位置する構成になっている。   The scanning lines 44 and the data lines 45 are provided so as to intersect within the inter-pixel region 11 and are arranged in a lattice shape in plan view. The sub-pixel area 10 is configured to be located in an area surrounded by the scanning lines 44 and the data lines 45.

半導体薄膜４７は、例えばアモルファスシリコンなどからなり、走査線４４に平面視で重なる領域内に島状に設けられた薄膜である。半導体薄膜４７は、チャネル領域４７ａと、ソース領域４７ｂと、ドレイン領域４７ｃとを有している。チャネル領域４７ａは半導体薄膜４７の中央に設けられた領域であり、走査線４４と対向している。ソース領域４７ｂは半導体薄膜４７の一端側（図中左側）に設けられた領域であり、ソース電極４５ａを介してデータ線４５に電気的に接続されている。ドレイン領域４７ｃは半導体薄膜４７の他端側（図中右側）に設けられた領域である。ドレイン領域４７ｃに平面視で重なる領域にはドレイン電極４７ｄが設けられている。ドレイン電極４７ｄは、一部が画素電極４２のコンタクト部４２ｂに平面視で重なるように設けられている。コンタクト部４２ｂとドレイン電極４７ｄとが平面視で重なる部分には、コンタクトホール４７ｅが設けられている。   The semiconductor thin film 47 is made of, for example, amorphous silicon, and is a thin film provided in an island shape in a region overlapping the scanning line 44 in plan view. The semiconductor thin film 47 has a channel region 47a, a source region 47b, and a drain region 47c. The channel region 47 a is a region provided in the center of the semiconductor thin film 47 and faces the scanning line 44. The source region 47b is a region provided on one end side (left side in the figure) of the semiconductor thin film 47, and is electrically connected to the data line 45 via the source electrode 45a. The drain region 47 c is a region provided on the other end side (right side in the drawing) of the semiconductor thin film 47. A drain electrode 47d is provided in a region overlapping the drain region 47c in plan view. The drain electrode 47d is provided so as to partially overlap the contact portion 42b of the pixel electrode 42 in plan view. A contact hole 47e is provided in a portion where the contact portion 42b and the drain electrode 47d overlap in plan view.

柱状スペーサ４８は、ＴＦＴアレイ基板４とカラーフィルタ基板５との間を一定の間隔に保つためのスペーサ部材である。この柱状スペーサ４８は、画素間領域１１のうちサブ画素領域１０の図示右下の角部側に設けられている。   The columnar spacer 48 is a spacer member for maintaining a constant distance between the TFT array substrate 4 and the color filter substrate 5. The columnar spacer 48 is provided on the lower right corner of the sub-pixel region 10 in the inter-pixel region 11.

サブ画素領域１０内の構成を説明する。
光反射層４１は、例えばアルミニウムや銀などの光反射率の高い金属からなり、サブ画素領域１０のほぼ半分の領域を覆うように設けられた薄膜である。サブ画素領域１０のうち光反射層４１で覆われた領域が反射表示領域１０ａであり、光反射層で覆われていない領域が透過表示領域１０ｂである。反射表示における視認性を向上させるため、光反射層４１の表面に凹凸を設ける構成としても構わない。 A configuration in the sub-pixel region 10 will be described.
The light reflecting layer 41 is made of a metal having high light reflectance such as aluminum or silver, and is a thin film provided so as to cover almost half of the sub-pixel region 10. Of the sub-pixel region 10, the region covered with the light reflecting layer 41 is the reflective display region 10a, and the region not covered with the light reflecting layer is the transmissive display region 10b. In order to improve the visibility in the reflective display, the surface of the light reflecting layer 41 may be uneven.

画素電極４２は、基端部４２ａと、コンタクト部４２ｂと、枝状部４２ｃとからなる電極部材である。基端部４２ａ、コンタクト部４２ｂ及び枝状部４２ｃは、それぞれ例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明な導電材料からなる。   The pixel electrode 42 is an electrode member including a base end portion 42a, a contact portion 42b, and a branch portion 42c. The base end part 42a, the contact part 42b, and the branch part 42c are each made of a transparent conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide).

基端部４２ａは、サブ画素領域１０内の透過表示領域１０ｂ側に設けられており、サブ画素領域１０の短手方向に延在するように設けられている。基端部４２ａの幅（延在方向に直交する方向の寸法）は例えば１０μｍ程度で一定になっている。この基端部４２ａは、走査線４４に近接した位置に配置されている。   The base end portion 42 a is provided on the transmissive display region 10 b side in the sub-pixel region 10, and is provided so as to extend in the short direction of the sub-pixel region 10. The width of the base end portion 42a (the dimension in the direction orthogonal to the extending direction) is, for example, about 10 μm and constant. The base end portion 42 a is disposed at a position close to the scanning line 44.

コンタクト部４２ｂは、基端部４２ａから走査線４４側に突出している部分であり、基端部４２ａと一体的に設けられている。コンタクト部４２ｂは、その一部が平面視で走査線４４に重なるように設けられている。このコンタクト部４２ｂは、コンタクトホール４７ｅを介してドレイン電極４７ｄに電気的に接続されている。   The contact part 42b is a part protruding from the base end part 42a toward the scanning line 44, and is provided integrally with the base end part 42a. The contact part 42b is provided so that a part thereof overlaps the scanning line 44 in plan view. The contact portion 42b is electrically connected to the drain electrode 47d through the contact hole 47e.

枝状部４２ｃは、基端部４２ａからサブ画素領域１０の長手方向に延びている部分であり、基端部４２ａと一体的に設けられている。枝状部４２ｃの幅（延在方向に直交する方向の寸法）は例えば１０μｍ程度で一定になっている。この枝状部４２ｃは、基端部４２ａの設けられた透過表示領域１０ｂ側から反射表示領域１０ａ側に向けて両方の領域に跨るように延在しており、サブ画素領域１０の短手方向に例えば１０μｍ程度のピッチで複数配置されている。枝状部４２ｃのうち反射表示領域１０ａ側に設けられた部分（第３電極）と、枝状部４２ｃのうち透過表示領域１０ｂ側に設けられた部分（第１電極）とは一体的に形成されている。勿論、各部分が分離されていても構わない。   The branch portion 42c is a portion extending in the longitudinal direction of the sub-pixel region 10 from the base end portion 42a, and is provided integrally with the base end portion 42a. The width of the branch portion 42c (the dimension in the direction perpendicular to the extending direction) is, for example, about 10 μm and constant. The branch portion 42c extends from the transmissive display region 10b side where the base end portion 42a is provided to the reflective display region 10a side so as to straddle both regions, and the short direction of the sub-pixel region 10 For example, a plurality of them are arranged at a pitch of about 10 μm. A portion (third electrode) provided on the reflective display region 10a side of the branch portion 42c and a portion (first electrode) provided on the transmissive display region 10b side of the branch portion 42c are integrally formed. Has been. Of course, each part may be separated.

共通電極４３は、基端部４３ａと、コンタクト部４３ｂと、枝状部４３ｃとからなる電極部材である。画素電極４２と同様、基端部４３ａ、コンタクト部４３ｂ及び枝状部４３ｃは、それぞれＩＴＯなどの透明な導電材料からなる。   The common electrode 43 is an electrode member including a base end portion 43a, a contact portion 43b, and a branch portion 43c. Similar to the pixel electrode 42, the base end portion 43a, the contact portion 43b, and the branch portion 43c are each made of a transparent conductive material such as ITO.

基端部４３ａは、サブ画素領域１０内の反射表示領域１０ａ側に設けられており、サブ画素領域１０の短手方向に延在するように設けられている。基端部４３ａの幅（延在方向に直交する方向の寸法）は例えば１０μｍ程度で一定になっており、画素電極４２の基端部４２ａの幅とほぼ同一の幅になっている。この基端部４３ａは、共通電極線４６に近接した位置に配置されている。   The base end portion 43 a is provided on the reflective display region 10 a side in the sub-pixel region 10, and is provided so as to extend in the short direction of the sub-pixel region 10. The width of the base end portion 43a (the dimension in the direction orthogonal to the extending direction) is, for example, about 10 μm, and is constant and substantially the same as the width of the base end portion 42a of the pixel electrode 42. The base end portion 43 a is disposed at a position close to the common electrode line 46.

コンタクト部４３ｂは、基端部４３ａと共通電極線４６とを接続する部分であり、基端部４３ａの短手方向のほぼ中央部に設けられている。コンタクト部４３ｂを介して基端部４３ａと共通電極線４６とが一体的に設けられている。マトリクスの行方向に設けられた各サブ画素領域１０内の共通電極４３は、それぞれコンタクト部４３ｂを介して１本の共通電極線４６に接続されている。   The contact portion 43b is a portion that connects the base end portion 43a and the common electrode line 46, and is provided at a substantially central portion in the short direction of the base end portion 43a. The base end portion 43a and the common electrode line 46 are integrally provided via the contact portion 43b. The common electrode 43 in each subpixel region 10 provided in the row direction of the matrix is connected to one common electrode line 46 through a contact portion 43b.

枝状部４３ｃは、基端部４３ａからサブ画素領域１０の長手方向に延びている部分であり、基端部４３ａと一体的に設けられている。枝状部４３ｃの幅（延在方向に直交する方向の寸法）は例えば１０μｍ程度で一定になっており、画素電極４２の枝状部４２ｃの幅とほぼ同一の幅になっている。この枝状部４３ｃは、隣接する枝状部４２ｃの間の領域を、基端部４３ａの設けられた反射表示領域１０ａ側から透過表示領域１０ｂ側に向けて、両方の領域に跨るように延在している。枝状部４３ｃのうち反射表示領域１０ａ側に設けられた部分（第４電極）と、枝状部４３ｃのうち透過表示領域１０ｂ側に設けられた部分（第２電極）とは一体的に形成されている。勿論、各部分が分離されていても構わない。共通電極４３の枝状部４３ｃは、サブ画素領域１０の短手方向に例えば１０μｍ程度のピッチで複数配置されており、画素電極４２の隣接する枝状部４２ｃのちょうど中間に配置されている。このように、画素電極４２の枝状部４２ｃと共通電極４３の枝状部４３ｃとが、櫛歯が咬み合うように、サブ画素領域１０の短手方向に等ピッチで交互に配置されている。   The branch portion 43c is a portion extending in the longitudinal direction of the sub-pixel region 10 from the base end portion 43a, and is provided integrally with the base end portion 43a. The width of the branch portion 43c (the dimension in the direction orthogonal to the extending direction) is, for example, about 10 μm, and is constant, and is substantially the same as the width of the branch portion 42c of the pixel electrode 42. The branch part 43c extends from the reflective display area 10a side where the base end part 43a is provided to the transmissive display area 10b side so as to straddle both areas. Exist. A portion (fourth electrode) provided on the reflective display region 10a side of the branch portion 43c and a portion (second electrode) provided on the transmissive display region 10b side of the branch portion 43c are integrally formed. Has been. Of course, each part may be separated. A plurality of branch portions 43 c of the common electrode 43 are arranged at a pitch of about 10 μm, for example, in the short direction of the sub-pixel region 10, and are arranged just in the middle of the adjacent branch portions 42 c of the pixel electrode 42. Thus, the branch portions 42c of the pixel electrode 42 and the branch portions 43c of the common electrode 43 are alternately arranged at equal pitches in the short direction of the sub-pixel region 10 so that the comb teeth are engaged with each other. .

図３は、図２におけるＡ−Ａ断面に沿った構成を示す図である。図中左側が図２における上側の構成（共通電極線の一部の断面構成）に対応しており、図中右側が図２における下側の構成（走査線の断面構成）に対応している。図２には示されていないが、図３にはカラーフィルタ基板５を含めた断面構成を示している。   FIG. 3 is a diagram showing a configuration along the section AA in FIG. The left side in the drawing corresponds to the upper configuration in FIG. 2 (partial cross-sectional configuration of the common electrode line), and the right side in the drawing corresponds to the lower configuration in FIG. 2 (cross-sectional configuration of the scanning line). . Although not shown in FIG. 2, FIG. 3 shows a cross-sectional configuration including the color filter substrate 5.

同図に示すように、ＴＦＴアレイ基板４は、例えばガラスや石英、プラスチックなどの光透過可能な材料からなる矩形の基材４ａを主体として構成されている。基材４ａ上には図示しない下地層が形成されている。下地層上の一部の領域には上記の走査線４４が形成されている。この下地層上には、ゲート絶縁層４９が設けられている。ゲート絶縁層４９は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮなどの絶縁材料からなる層間絶縁膜であり、走査線４４上を含めた下地層のほぼ全面を覆っている。   As shown in the figure, the TFT array substrate 4 is mainly composed of a rectangular base material 4a made of a light transmissive material such as glass, quartz, or plastic. A base layer (not shown) is formed on the base material 4a. The scanning line 44 is formed in a part of the region on the base layer. A gate insulating layer 49 is provided on the base layer. The gate insulating layer 49 is an interlayer insulating film made of an insulating material such as SiO 2 or SiN, and covers almost the entire surface of the underlying layer including the scanning line 44.

ゲート絶縁層４９上には、上記の半導体薄膜４７と、ソース電極４５ａと、ドレイン電極４７ｄとが形成されている。半導体薄膜４７は、ゲート絶縁層４９を挟んで走査線４４に対向するように配置されている。半導体薄膜４７、ゲート絶縁層４９及び走査線４４によって、バックゲート型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）が構成されている。このＴＦＴにおいて、走査線４４のうち半導体薄膜４７に平面視で重なる領域は、ゲート電極として機能している。   On the gate insulating layer 49, the semiconductor thin film 47, the source electrode 45a, and the drain electrode 47d are formed. The semiconductor thin film 47 is disposed so as to face the scanning line 44 with the gate insulating layer 49 interposed therebetween. The semiconductor thin film 47, the gate insulating layer 49, and the scanning line 44 constitute a back gate type TFT (Thin Film Transistor). In this TFT, a region of the scanning line 44 that overlaps the semiconductor thin film 47 in plan view functions as a gate electrode.

ソース電極４５ａは、一部が半導体薄膜４７のソース領域４７ｂ上を覆うように形成されている。ソース電極４５ａと同じ層内には上記のデータ線４５（図３には示していない）も形成されている。ゲート絶縁層４９上には樹脂層５０が設けられている。樹脂層５０は、半導体薄膜４７、ソース電極４５ａ、ドレイン電極４７ｄ及びデータ線４５を含めたゲート絶縁層４９上のほぼ全面を覆っている。   The source electrode 45 a is formed so as to partially cover the source region 47 b of the semiconductor thin film 47. The data line 45 (not shown in FIG. 3) is also formed in the same layer as the source electrode 45a. A resin layer 50 is provided on the gate insulating layer 49. The resin layer 50 covers almost the entire surface of the gate insulating layer 49 including the semiconductor thin film 47, the source electrode 45 a, the drain electrode 47 d, and the data line 45.

樹脂層５０の一部には凹部５０ｂが設けられている。この凹部５０ｂ内には、上記の光反射層４１が設けられている。光反射層４１の上面４１ａと樹脂層５０の上面５０ａとの間は平坦になっている。この上面４１ａと上面５０ａとで一つの基板面を構成している。樹脂層５０のうちドレイン電極４７ｄに平面視で重なる領域には、当該樹脂層５０を貫通するようにコンタクトホール４７ｅが設けられている。   A recess 50 b is provided in a part of the resin layer 50. The light reflecting layer 41 is provided in the recess 50b. The space between the upper surface 41a of the light reflecting layer 41 and the upper surface 50a of the resin layer 50 is flat. The upper surface 41a and the upper surface 50a constitute one substrate surface. A contact hole 47 e is provided in a region of the resin layer 50 that overlaps the drain electrode 47 d in plan view so as to penetrate the resin layer 50.

光反射層４１の上面４１ａ及び樹脂層５０の上面５０ａには、画素電極４２と共通電極４３とがそれぞれ設けられている。樹脂層５０のうちコンタクトホール４７ｅに平面視で重なる領域には、画素電極４２のコンタクト部４２ｂが配置されている。コンタクトホール４７ｅはコンタクト部４２ｂを構成する導電材料によって埋められており、コンタクト部４２ｂとコンタクトホール４７ｅ内に埋められた部分とが一体的になっている。コンタクトホール４７ｅに埋められた部分の先端（図中下側）は、ドレイン電極４７ｄに当接している。当該当接部においてコンタクト部４２ｂとドレイン電極４７ｄとが電気的に接続されている。   A pixel electrode 42 and a common electrode 43 are provided on the upper surface 41a of the light reflecting layer 41 and the upper surface 50a of the resin layer 50, respectively. A contact portion 42b of the pixel electrode 42 is disposed in a region of the resin layer 50 that overlaps the contact hole 47e in plan view. The contact hole 47e is filled with a conductive material constituting the contact portion 42b, and the contact portion 42b and the portion buried in the contact hole 47e are integrated. The tip (lower side in the figure) of the portion buried in the contact hole 47e is in contact with the drain electrode 47d. In the contact portion, the contact portion 42b and the drain electrode 47d are electrically connected.

画素電極４２及び共通電極４３は、反射表示領域１０ａと透過表示領域１０ｂとで比べると、基板面からの高さ（厚さ）が異なっている。反射表示領域１０ａでは、画素電極４２及び共通電極４３の厚さは０．４０μｍ程度に形成されている。透過表示領域１０ｂでは、画素電極４２及び共通電極４３の厚さは０．７２μｍ程度に形成されている。このように、透過表示領域１０ｂ内の画素電極４２及び共通電極４３の厚さは、反射表示領域１０ａ内の画素電極４２及び共通電極４３の厚さに比べて厚くなっており、具体的には１．８倍程度の厚さになっている。反射表示領域１０ａ及び透過表示領域１０ｂにおいて、画素電極４２及び共通電極４３の厚さはそれぞれ変更可能である。   The pixel electrode 42 and the common electrode 43 are different in height (thickness) from the substrate surface as compared with the reflective display region 10a and the transmissive display region 10b. In the reflective display region 10a, the pixel electrode 42 and the common electrode 43 are formed to a thickness of about 0.40 μm. In the transmissive display area 10b, the pixel electrode 42 and the common electrode 43 are formed to have a thickness of about 0.72 μm. As described above, the thickness of the pixel electrode 42 and the common electrode 43 in the transmissive display area 10b is larger than the thickness of the pixel electrode 42 and the common electrode 43 in the reflective display area 10a. The thickness is about 1.8 times. In the reflective display area 10a and the transmissive display area 10b, the thicknesses of the pixel electrode 42 and the common electrode 43 can be changed.

反射表示領域１０ａ内又は透過表示領域１０ｂ内だけで比較すると、画素電極４２の厚さと共通電極４３の厚さはほぼ同一の厚さになっている。画素電極４２各部位（基端部４２ａ、コンタクト部４２ｂ、枝状部４２ｃ）及び共通電極４３の各部位（基端部４３ａ、コンタクト部４３ｂ、枝状部４３ｃ）は、反射表示領域１０ａ内及び透過表示領域１０ｂ内で、それぞれ同一の厚さになっている。   Comparing only in the reflective display region 10a or the transmissive display region 10b, the thickness of the pixel electrode 42 and the thickness of the common electrode 43 are substantially the same. Each part (base end part 42a, contact part 42b, branch-like part 42c) of the pixel electrode 42 and each part (base end part 43a, contact part 43b, branch-like part 43c) of the common electrode 43 are in the reflective display area 10a and Each of the transmissive display areas 10b has the same thickness.

基材４ａの外面上には、位相差板２１が設けられている。位相差板２１は、透過光に対して略１／４波長の位相差を付与するλ／４位相差板である。位相差板２１には所定の方向に遅相軸が形成されている。   A phase difference plate 21 is provided on the outer surface of the substrate 4a. The phase difference plate 21 is a λ / 4 phase difference plate that imparts a phase difference of approximately ¼ wavelength to transmitted light. The retardation plate 21 has a slow axis in a predetermined direction.

位相差板２１の外面上には偏光板２２が設けられている。偏光板２２は、位相差板２１の遅相軸に対して約４５°の角度をなす方向に偏光軸が形成されている。位相差板２１及び偏光板２２によって円偏光板２３が構成されている。円偏光板２３としては、位相差板２１及び偏光板２２を組み合わせる構成の他、偏光板とλ／２位相差板とλ／４位相差板とを組み合わせた広帯域円偏光板であっても構わない。   A polarizing plate 22 is provided on the outer surface of the phase difference plate 21. The polarizing plate 22 has a polarizing axis formed in a direction that forms an angle of about 45 ° with respect to the slow axis of the retardation plate 21. A circularly polarizing plate 23 is constituted by the retardation plate 21 and the polarizing plate 22. The circularly polarizing plate 23 may be a broadband circularly polarizing plate in which a polarizing plate, a λ / 2 retardation plate, and a λ / 4 retardation plate are combined in addition to a configuration in which the retardation plate 21 and the polarizing plate 22 are combined. Absent.

一方、カラーフィルタ基板５は、ＴＦＴアレイ基板４と同様、例えばガラスや石英、プラスチックなどの光透過可能な材料からなる矩形の基材５ａを主体として構成されている。基材５ａの内面（ＴＦＴアレイ基板４との対向面）には、カラーフィルタ層５１と、ブラックマトリクス５２とが設けられている。   On the other hand, the color filter substrate 5 is composed mainly of a rectangular base material 5a made of a light transmissive material such as glass, quartz, plastic, etc., like the TFT array substrate 4. A color filter layer 51 and a black matrix 52 are provided on the inner surface of the base material 5a (the surface facing the TFT array substrate 4).

カラーフィルタ層５１は、平面視でサブ画素領域１０に重なる位置に設けられた色層である。カラーフィルタ層５１は、例えば有機材料や無機材料など公知の材料からなる赤色層、緑色層、青色層の３色の色層からなる。上記赤色層は、平面視で赤色サブ画素に重なる領域に設けられている。上記緑色層は、平面視で緑色サブ画素に重なる領域に設けられている。上記青色層は、平面視で青色サブ画素に重なる領域に設けられている。ブラックマトリクス５２は、画素間領域１１に設けられており、光を吸収する例えばクロムなどの材料からなる。   The color filter layer 51 is a color layer provided at a position overlapping the sub-pixel region 10 in plan view. The color filter layer 51 is composed of three color layers including a red layer, a green layer, and a blue layer made of a known material such as an organic material or an inorganic material. The red layer is provided in a region overlapping the red sub-pixel in plan view. The green layer is provided in a region overlapping the green sub-pixel in plan view. The blue layer is provided in a region overlapping with the blue sub-pixel in plan view. The black matrix 52 is provided in the inter-pixel region 11 and is made of a material such as chromium that absorbs light.

基材５ａの外面上には、位相差板３１が設けられている。位相差板３１は、位相差板２１と同様、透過光に対して略１／４波長の位相差を付与するλ／４位相差板である。位相差板３１には所定の方向に遅相軸が形成されている。   A phase difference plate 31 is provided on the outer surface of the substrate 5a. Similar to the phase difference plate 21, the phase difference plate 31 is a λ / 4 phase difference plate that imparts a phase difference of approximately ¼ wavelength to transmitted light. The retardation plate 31 has a slow axis in a predetermined direction.

位相差板３１の外面上には偏光板３２が設けられている。偏光板３２は、位相差板３１の遅相軸に対して約４５°の角度をなす方向に偏光軸が形成されている。位相差板３１及び偏光板３２によって円偏光板３３が構成されている。円偏光板３３としては、偏光板とλ／２位相差板とλ／４位相差板とを組み合わせた広帯域円偏光板であっても構わない。   A polarizing plate 32 is provided on the outer surface of the phase difference plate 31. The polarization axis of the polarizing plate 32 is formed in a direction that forms an angle of about 45 ° with respect to the slow axis of the retardation plate 31. A circularly polarizing plate 33 is constituted by the retardation plate 31 and the polarizing plate 32. The circularly polarizing plate 33 may be a broadband circularly polarizing plate in which a polarizing plate, a λ / 2 phase difference plate, and a λ / 4 phase difference plate are combined.

液晶層６は、ＴＦＴアレイ基板４とカラーフィルタ基板５との双方に接するように挟持されている。この液晶層６は、電界の非印加時に光学的に等方性を示すと共に、電界の印加時には電界強度の２乗に比例する光学異方性を示す（Ｋｅｒｒ効果）液晶材料からなる。このような液晶材料として、例えばブルー相の液晶材料が挙げられる。液晶層６の液晶分子の誘電率は正（ε＞０）になっている。   The liquid crystal layer 6 is sandwiched so as to be in contact with both the TFT array substrate 4 and the color filter substrate 5. The liquid crystal layer 6 is made of a liquid crystal material that exhibits optical isotropy when no electric field is applied and also exhibits optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength when the electric field is applied (Kerr effect). An example of such a liquid crystal material is a blue phase liquid crystal material. The dielectric constant of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 6 is positive (ε> 0).

ブルー相は、キラルネマチック相と等方相の間の狭い温度範囲に現れる、光学的に等方性の液晶相である。ブルー相の液晶材料には、例えばＫｅｒｒ効果の発現温度範囲の狭い（１Ｋ程度）液晶分子と少量の高分子とが含まれている（高分子安定化ブルー相）。液晶分子と共に高分子を含ませることにより、当該発現温度範囲が１００Ｋ程度になっている。   The blue phase is an optically isotropic liquid crystal phase that appears in a narrow temperature range between the chiral nematic phase and the isotropic phase. The liquid crystal material of the blue phase contains, for example, a liquid crystal molecule having a narrow Kerr effect temperature range (about 1K) and a small amount of polymer (polymer-stabilized blue phase). By including a polymer together with liquid crystal molecules, the expression temperature range is about 100K.

高分子安定化ブルー相は、［数１］に示されるように、リタデーションの大きさ（Δｎ）が電界の２乗に比例する。［数１］において、ＫはＫｅｒｒ係数、λは光の波長、Ｅは電極間に生じる電界を示している。高分子安定化ブルー相のＫｅｒｒ係数は３．７×１０−１０（ｍＶ−２）であり、ニトロベンゼンの約１７０倍の大きさとなっている。   In the polymer-stabilized blue phase, as shown in [Equation 1], the magnitude of retardation (Δn) is proportional to the square of the electric field. In [Equation 1], K is the Kerr coefficient, λ is the wavelength of light, and E is the electric field generated between the electrodes. The Kerr coefficient of the polymer-stabilized blue phase is 3.7 × 10 −10 (mV−2), which is about 170 times that of nitrobenzene.

Figure 2008241789
Figure 2008241789

高分子安定化ブルー相の立ち上り（Ｋｅｒｒ効果の発現）の応答時間及び立ち下り（Ｋｅｒｒ効果の消滅）の応答時間は、いずれも１０〜１００μｓ程度である。一般的なネマチック液晶の応答時間は１０ｍｓ程度である。高分子安定化ブルー相の応答は、一般的なネマチック液晶の応答に比べて格段に速くなっている。   The response time for the rise (expression of the Kerr effect) and the response time for the fall (disappearance of the Kerr effect) of the polymer-stabilized blue phase are both about 10 to 100 μs. A typical nematic liquid crystal has a response time of about 10 ms. The response of the polymer-stabilized blue phase is much faster than that of a general nematic liquid crystal.

バックライト３は、公知の構成となっている。具体的には、ＬＥＤなどの光源部と、アクリル樹脂などの透明な材料からなる導光板と、当該導光板に対して液晶パネル２側に設けられた拡散板と、拡散板の液晶パネル側２に設けられた集光板とを主体として構成されている。   The backlight 3 has a known configuration. Specifically, a light source unit such as an LED, a light guide plate made of a transparent material such as acrylic resin, a diffusion plate provided on the liquid crystal panel 2 side with respect to the light guide plate, and a liquid crystal panel side 2 of the diffusion plate It is comprised mainly by the light-condensing plate provided in.

（液晶表示装置の動作）
本実施形態の液晶表示装置１の動作について説明する。
まず、透過表示（透過モード）について説明する。
バックライト３から射出された光は、偏光板２２および位相差板２１を透過する過程で円偏光に変換される。円偏光に変換された光は、ＴＦＴアレイ基板４を透過して液晶層６に入射する。ブルー相が電圧無印加時に光学的に等方性を示すことから、液晶層６に入射した光は、光学異方性の影響を受けることなく円偏光のまま液晶層６を透過する。液晶層６を透過した光は、カラーフィルタ基板５を透過し、位相差板３１に入射する。この光は、位相差板３１を透過する過程で偏光板３２の透過軸と直交する直線偏光に変換される。この直線偏光は偏光板３２を透過しないので、電圧無印加時には黒表示となる（ノーマリーブラック表示）。 (Operation of liquid crystal display)
The operation of the liquid crystal display device 1 of the present embodiment will be described.
First, transmissive display (transmission mode) will be described.
Light emitted from the backlight 3 is converted into circularly polarized light in the process of passing through the polarizing plate 22 and the phase difference plate 21. The light converted into circularly polarized light passes through the TFT array substrate 4 and enters the liquid crystal layer 6. Since the blue phase is optically isotropic when no voltage is applied, the light incident on the liquid crystal layer 6 passes through the liquid crystal layer 6 as circularly polarized light without being affected by optical anisotropy. The light that has passed through the liquid crystal layer 6 passes through the color filter substrate 5 and enters the phase difference plate 31. This light is converted into linearly polarized light orthogonal to the transmission axis of the polarizing plate 32 in the process of passing through the phase difference plate 31. Since this linearly polarized light does not pass through the polarizing plate 32, black display is obtained when no voltage is applied (normally black display).

画素電極４２と共通電極４３との間に電圧を印加すると、液晶層６は光学異方性を呈する。バックライト３から射出された光は、偏光板３２及び位相差板３１を透過して円偏光に変換される。この光は、液晶層６に入射し、液晶層６を透過する過程で回転方向が反転した楕円偏光に変換される。この光は、位相差板３１に入射し、偏光板３２の透過軸と略平行の直線偏光に変換され、位相差板３１を透過する。位相差板３１を透過した光は、その全部または一部が偏光板３２を透過する。このように、電圧印加時には白表示となる。   When a voltage is applied between the pixel electrode 42 and the common electrode 43, the liquid crystal layer 6 exhibits optical anisotropy. The light emitted from the backlight 3 passes through the polarizing plate 32 and the phase difference plate 31 and is converted into circularly polarized light. This light enters the liquid crystal layer 6 and is converted into elliptically polarized light whose rotation direction is reversed in the process of passing through the liquid crystal layer 6. This light enters the phase difference plate 31, is converted into linearly polarized light substantially parallel to the transmission axis of the polarizing plate 32, and passes through the phase difference plate 31. All or part of the light transmitted through the phase difference plate 31 is transmitted through the polarizing plate 32. Thus, white display is obtained when a voltage is applied.

次に、反射表示（反射モード）について説明する。
偏光板３２の外面に入射した外光は、当該偏光板３２及び位相差板３１を透過する過程で円偏光に変換される。円偏光に変換された光は、カラーフィルタ基板５を透過して液晶層６に入射する。ブルー相が電圧無印加時に光学的に等方性を示すことから、液晶層６に入射した光は、光学異方性の影響を受けることなく円偏光のまま液晶層６を透過する。液晶層６を透過した光は、光反射層４１により反射され、反射時に回転方向が反転する。反射光は、回転方向が反転した状態で、光学異方性の影響を受けることなく円偏光のままカラーフィルタ基板５へ向けて液晶層６を透過する。この光はカラーフィルタ基板５を透過して、位相差板３１に入射する。位相差板３１を透過する際、偏光板３２の透過軸と直交する直線偏光に変換される。この直線偏光は偏光板３２を透過できないので、電圧無印加時には黒表示となる（ノーマリーブラック表示）。 Next, reflection display (reflection mode) will be described.
External light incident on the outer surface of the polarizing plate 32 is converted into circularly polarized light in the process of passing through the polarizing plate 32 and the phase difference plate 31. The light converted into circularly polarized light passes through the color filter substrate 5 and enters the liquid crystal layer 6. Since the blue phase is optically isotropic when no voltage is applied, the light incident on the liquid crystal layer 6 passes through the liquid crystal layer 6 as circularly polarized light without being affected by optical anisotropy. The light transmitted through the liquid crystal layer 6 is reflected by the light reflecting layer 41, and the rotation direction is reversed at the time of reflection. The reflected light is transmitted through the liquid crystal layer 6 toward the color filter substrate 5 as circularly polarized light without being affected by optical anisotropy in a state where the rotation direction is reversed. This light passes through the color filter substrate 5 and enters the phase difference plate 31. When transmitted through the phase difference plate 31, it is converted into linearly polarized light orthogonal to the transmission axis of the polarizing plate 32. Since this linearly polarized light cannot be transmitted through the polarizing plate 32, black display is obtained when no voltage is applied (normally black display).

画素電極４２と共通電極４３との間に電圧を印加すると、液晶層６は光学異方性を呈する。偏光板３２の外面に入射した外光は、当該偏光板３２及び位相差板３１を透過する過程で円偏光に変換される。円偏光に変換された光は、カラーフィルタ基板５を透過して液晶層６に入射する。この光は、液晶層６を透過する過程で所定の位相差（λ／４）が付与されて光反射層４１で反射される。光反射層４１で反射された後、液晶層６をカラーフィルタ基板５へ向けて透過する際に、再度所定の位相差（λ／４）が付与される。液晶層６を透過した光は、カラーフィルタ基板５を透過し、位相差板３１に入射する。光は位相差板３１を透過する過程で、偏光板３２の透過軸と平行な直線偏光に変換される。位相差板３１を透過した光は、その全部または一部が偏光板３２を透過する。このように、電圧印加時には白表示となる。   When a voltage is applied between the pixel electrode 42 and the common electrode 43, the liquid crystal layer 6 exhibits optical anisotropy. External light incident on the outer surface of the polarizing plate 32 is converted into circularly polarized light in the process of passing through the polarizing plate 32 and the phase difference plate 31. The light converted into circularly polarized light passes through the color filter substrate 5 and enters the liquid crystal layer 6. This light is reflected by the light reflection layer 41 with a predetermined phase difference (λ / 4) given in the process of passing through the liquid crystal layer 6. After being reflected by the light reflection layer 41, a predetermined phase difference (λ / 4) is given again when the liquid crystal layer 6 is transmitted toward the color filter substrate 5. The light transmitted through the liquid crystal layer 6 passes through the color filter substrate 5 and enters the phase difference plate 31. In the process of passing through the phase difference plate 31, the light is converted into linearly polarized light parallel to the transmission axis of the polarizing plate 32. All or part of the light transmitted through the phase difference plate 31 is transmitted through the polarizing plate 32. Thus, white display is obtained when a voltage is applied.

リタデーションの大きさは、液晶層６の厚さ（ｄ）と光学異方性（Δｎ）との積（Δｎｄ）で規定される。反射表示領域１０ａと透過表示領域１０ｂとが設けられたいわゆる半透過反射型の液晶表示装置１において、光は反射表示領域１０ａ内の液晶層６を２回通過する。このことは、反射表示領域１０ａの液晶層６の厚さが透過表示領域１０ｂの液晶層６の厚さの２倍であることと等価である。したがって、マルチギャップを採用しない構成では、反射表示領域１０ａのリタデーションは透過表示領域１０ｂのリタデーションの２倍になる。これに対して、透過表示領域１０ｂのリタデーションを高めることによって、透過表示領域１０ｂのリタデーションを反射表示領域１０ａのリタデーション同等にすることができる。   The magnitude of the retardation is defined by the product (Δnd) of the thickness (d) of the liquid crystal layer 6 and the optical anisotropy (Δn). In the so-called transflective liquid crystal display device 1 provided with the reflective display region 10a and the transmissive display region 10b, light passes through the liquid crystal layer 6 in the reflective display region 10a twice. This is equivalent to the thickness of the liquid crystal layer 6 in the reflective display region 10a being twice the thickness of the liquid crystal layer 6 in the transmissive display region 10b. Therefore, in a configuration that does not employ a multi-gap, the retardation of the reflective display region 10a is twice that of the transmissive display region 10b. On the other hand, by increasing the retardation of the transmissive display region 10b, the retardation of the transmissive display region 10b can be made equal to the retardation of the reflective display region 10a.

本実施形態によれば、透過表示領域１０ｂでは反射表示領域１０ａに比べて、画素電極４２及び共通電極４３の基板面からの高さが高いので、その分画素電極４２と共通電極４３とで挟まれた部分の液晶層６に印加される電界の範囲を広くすることができる。したがって、透過表示領域１０ｂの画素電極４２と共通電極４３とで挟まれた部分の液晶層６には、より強い電界を印加することができる。   According to the present embodiment, the transmissive display area 10b is higher in height from the substrate surface of the pixel electrode 42 and the common electrode 43 than the reflective display area 10a, and thus is sandwiched between the pixel electrode 42 and the common electrode 43 accordingly. The range of the electric field applied to the liquid crystal layer 6 in the part can be widened. Therefore, a stronger electric field can be applied to the portion of the liquid crystal layer 6 sandwiched between the pixel electrode 42 and the common electrode 43 in the transmissive display region 10b.

このように、本実施形態によれば、液晶層６の光学異方性が電界の２乗に比例して大きくなるので、透過表示領域１０ｂの液晶層６に反射表示領域１０ａの液晶層６よりも強い電界を印加することにより、透過表示領域１０ｂの光学異方性が反射表示領域１０ａの光学異方性よりも大きくなる。このため、透過表示領域１０ｂのリタデーションを高めることができる。透過表示領域１０ｂのリタデーションを高めることにより、当該透過表示領域１０ｂのリタデーションを反射表示領域のリタデーションと同等にすることができ、反射表示領域１０ａと透過表示領域１０ｂとの間の光透過率の差を解消することができる。これにより、反射表示領域１０ａと透過表示領域１０ｂとの間のコントラストの差を解消することができ、表示特性の高い液晶表示装置１を得ることができる。   As described above, according to the present embodiment, the optical anisotropy of the liquid crystal layer 6 increases in proportion to the square of the electric field, so that the liquid crystal layer 6 in the transmissive display region 10b has a greater effect than the liquid crystal layer 6 in the reflective display region 10a. By applying a stronger electric field, the optical anisotropy of the transmissive display region 10b becomes larger than the optical anisotropy of the reflective display region 10a. For this reason, the retardation of the transmissive display area 10b can be increased. By increasing the retardation of the transmissive display area 10b, the retardation of the transmissive display area 10b can be made equal to the retardation of the reflective display area, and the difference in light transmittance between the reflective display area 10a and the transmissive display area 10b. Can be eliminated. Thereby, the difference in contrast between the reflective display region 10a and the transmissive display region 10b can be eliminated, and the liquid crystal display device 1 having high display characteristics can be obtained.

図４は、本実施形態の液晶表示装置１について画素電極４２と共通電極４３との間に印加される電圧の大きさ（Ｖ）と、液晶層６の光透過率の大きさ（相対値）との関係を示すグラフである。グラフの縦軸が光透過率の大きさを示している。グラフの横軸が電圧の大きさを示している。同グラフ中では、反射表示領域１０ａの液晶層６の光透過率を実線で示しており、透過表示領域１０ｂの液晶層６の光透過率を破線で示している。   FIG. 4 shows the magnitude (V) of the voltage applied between the pixel electrode 42 and the common electrode 43 and the magnitude of the light transmittance (relative value) of the liquid crystal layer 6 in the liquid crystal display device 1 of the present embodiment. It is a graph which shows the relationship. The vertical axis of the graph indicates the light transmittance. The horizontal axis of the graph indicates the voltage magnitude. In the graph, the light transmittance of the liquid crystal layer 6 in the reflective display region 10a is indicated by a solid line, and the light transmittance of the liquid crystal layer 6 in the transmissive display region 10b is indicated by a broken line.

同図に示すように、画素電極４２と共通電極４３との間に印加される電圧の大きさが６Ｖを超える範囲で反射表示領域１０ａの光透過率の値と透過表示領域１０ｂの光透過率の値とが近似している。電圧の大きさが８Ｖ〜１２Ｖの範囲では、両領域の光透過率の値は極めて近くなる。特に、電圧の値が９Ｖ〜１０Ｖの範囲では、両領域の光透過率の値がほぼ一致する。   As shown in the figure, the value of the light transmittance of the reflective display region 10a and the light transmittance of the transmissive display region 10b in the range where the magnitude of the voltage applied between the pixel electrode 42 and the common electrode 43 exceeds 6V. Is close to the value of. When the magnitude of the voltage is in the range of 8V to 12V, the light transmittance values in both regions are very close. In particular, when the voltage value is in the range of 9V to 10V, the light transmittance values of both regions are substantially the same.

上記の電圧値は、反射表示領域１０ａで画素電極４２及び共通電極４３の厚さが０．４０μｍ程度に形成されていると共に透過表示領域１０ｂで画素電極４２及び共通電極４３の厚さは０．７２μｍ程度に形成されている場合の値である。反射表示領域１０ａ及び透過表示領域１０ｂにおいて、画素電極４２及び共通電極４３の厚さはそれぞれ変更可能である。画素電極４２及び共通電極４３の厚さを変更することにより、上記電圧値を変化させることができる。本実施形態では、反射表示領域１０ａのリタデーション（Δｎｄ）がλ／４となり、透過表示領域１０ｂのリタデーションがλ／２となるように画素電極４２及び共通電極４３の厚さが調節されている。   The voltage values described above are such that the pixel electrode 42 and the common electrode 43 are formed to have a thickness of about 0.40 μm in the reflective display region 10a, and the pixel electrode 42 and the common electrode 43 have a thickness of about 0.40 μm in the transmissive display region 10b. It is a value when formed to about 72 μm. In the reflective display area 10a and the transmissive display area 10b, the thicknesses of the pixel electrode 42 and the common electrode 43 can be changed. The voltage value can be changed by changing the thickness of the pixel electrode 42 and the common electrode 43. In the present embodiment, the thicknesses of the pixel electrode 42 and the common electrode 43 are adjusted so that the retardation (Δnd) of the reflective display region 10a is λ / 4 and the retardation of the transmissive display region 10b is λ / 2.

本実施形態の液晶表示装置１の構成においては、画素電極４２と共通電極４３との間に等電圧を印加した場合に、反射表示領域１０ａの光透過率と透過表示領域１０ｂの光透過率とが同等になるような電圧の範囲が出現することになる。したがって、液晶表示装置１を駆動する場合、この両領域の光透過率が同等になる範囲内で電圧を印加することにより、両領域の光透過率を同等とすることができ、両領域で同等のコントラストを得ることができる。   In the configuration of the liquid crystal display device 1 of the present embodiment, when an equal voltage is applied between the pixel electrode 42 and the common electrode 43, the light transmittance of the reflective display region 10a and the light transmittance of the transmissive display region 10b are as follows. A range of voltages appears to be equivalent. Therefore, when the liquid crystal display device 1 is driven, by applying a voltage within a range in which the light transmittances in both regions are equal, the light transmittances in both regions can be equalized, and the same in both regions. Contrast can be obtained.

［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態を説明する。
図５は、本実施形態に係る液晶表示装置１０１の構成を示す断面図である。同図は、第１実施形態における図３に対応している。本実施形態の液晶表示装置１０１は、カラーフィルタ基板及び液晶層の構成が第１実施形態と同様であり、ＴＦＴアレイ基板の構成が第１実施形態とは異なっている。 [Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the configuration of the liquid crystal display device 101 according to the present embodiment. This figure corresponds to FIG. 3 in the first embodiment. In the liquid crystal display device 101 of this embodiment, the configuration of the color filter substrate and the liquid crystal layer is the same as that of the first embodiment, and the configuration of the TFT array substrate is different from that of the first embodiment.

図５に示すように、画素電極１４２及び共通電極１４３は、ＴＦＴアレイ基板１０４側に設けられている。反射表示領域１１０ａでは、画素電極（第３電極）１４２及び共通電極（第４電極）１４３が光反射層１４１の表面１４１ａに直接設けられている。透過表示領域１１０ｂでは、樹脂層１５０の表面１５０ａ上に絶縁層１５５が設けられており、当該絶縁層１５５上に画素電極（第１電極）１４２及び共通電極（第２電極）１４３が設けられている。反射表示領域１１０ａ側の画素電極１４２及び共通電極１４３と、透過表示領域１１０ｂ側の画素電極１４２及び共通電極１４３とは一体的に形成されている。勿論、画素電極１４２及び共通電極１４３が各領域ごとに分離されていても構わない。   As shown in FIG. 5, the pixel electrode 142 and the common electrode 143 are provided on the TFT array substrate 104 side. In the reflective display region 110 a, the pixel electrode (third electrode) 142 and the common electrode (fourth electrode) 143 are directly provided on the surface 141 a of the light reflecting layer 141. In the transmissive display region 110b, an insulating layer 155 is provided on the surface 150a of the resin layer 150, and a pixel electrode (first electrode) 142 and a common electrode (second electrode) 143 are provided on the insulating layer 155. Yes. The pixel electrode 142 and the common electrode 143 on the reflective display region 110a side, and the pixel electrode 142 and the common electrode 143 on the transmissive display region 110b side are integrally formed. Of course, the pixel electrode 142 and the common electrode 143 may be separated for each region.

反射表示領域１１０ａ内の画素電極１４２及び共通電極１４３の厚さ、透過表示領域１１０ｂ内の画素電極１４２及び共通電極１４３の厚さは、共に０．４μｍ程度と同一になっている。画素電極１４２及び共通電極１４３の配列のピッチは８μｍ程度であり、それぞれの電極幅は８μｍ程度である。   The thickness of the pixel electrode 142 and the common electrode 143 in the reflective display region 110a and the thickness of the pixel electrode 142 and the common electrode 143 in the transmissive display region 110b are both about 0.4 μm. The pitch of the arrangement of the pixel electrode 142 and the common electrode 143 is about 8 μm, and the width of each electrode is about 8 μm.

絶縁層１５５は、電気的に絶縁性を有する材料、例えばＳｉＯ２やＳｉＮなどの無機材料や、樹脂などの有機材料からなる。絶縁層１５５の厚さは２μｍ程度である。透過表示領域１１０ｂでは、この絶縁層１５５の厚さ分、画素電極１４２及び共通電極１４３がよりカラーフィルタ基板１０５側（基板面（樹脂層１５０の表面１５０ａ）からの高さが高い位置）に設けられている。   The insulating layer 155 is made of an electrically insulating material, for example, an inorganic material such as SiO 2 or SiN, or an organic material such as resin. The thickness of the insulating layer 155 is about 2 μm. In the transmissive display region 110b, the pixel electrode 142 and the common electrode 143 are provided on the color filter substrate 105 side (position where the height from the substrate surface (surface 150a of the resin layer 150) is higher) by the thickness of the insulating layer 155. It has been.

液晶層１０６の層厚は一定になっている。液晶層１０６のうち画素電極１４２と共通電極１４３とで挟まれた部分の厚さは等しくなっている。当該部分の厚さ方向の中央部Ｍから反射表示領域１１０ａ内の画素電極１４２及び共通電極１４３までの距離ｔ１は、当該中央部Ｍから透過表示領域１１０ｂ内の画素電極１４２及び共通電極１４３までの距離ｔ２よりも大きくなっている（ｔ１＞ｔ２）。
その他の構成は、第１実施形態に係る液晶表示装置１と同様の構成になっている。 The layer thickness of the liquid crystal layer 106 is constant. The thickness of the portion sandwiched between the pixel electrode 142 and the common electrode 143 in the liquid crystal layer 106 is equal. A distance t1 from the central portion M in the thickness direction of the portion to the pixel electrode 142 and the common electrode 143 in the reflective display region 110a is from the central portion M to the pixel electrode 142 and the common electrode 143 in the transmissive display region 110b. It is larger than the distance t2 (t1> t2).
Other configurations are the same as those of the liquid crystal display device 1 according to the first embodiment.

このように、本実施形態では、透過表示領域１１０ｂでは反射表示領域１１０ａに比べて、画素電極１４２及び共通電極１４３がよりカラーフィルタ基板１０５側に設けられているので、透過表示領域１１０ｂの方が画素電極１４２及び共通電極１４３から液晶層１０６の中央部Ｍまでの厚さ方向の距離がより小さくなり（ｔ１＞ｔ２）、液晶層１０６の中央部により近い位置に画素電極１４２及び共通電極１４３が配置されることになる。このため、画素電極１４２と共通電極１４３とで挟まれた部分の液晶層１０６には、両電極１４２、１４３の上下方向に亘って広い範囲に電界を印加することができる。したがって、透過表示領域１１０ｂの液晶層１０６には、反射表示領域１１０ａの液晶層１０６に比べて、より強い電界が印加されることになる。当該透過表示領域１１０ｂのリタデーションを反射表示領域１１０ａのリタデーションと同等にすることができ、反射表示領域１１０ａと透過表示領域１１０ｂとの間の光透過率の差を解消することができる。これにより、反射表示領域１１０ａと透過表示領域１１０ｂとの間のコントラストの差を解消することができ、表示特性の高い液晶表示装置１０１を得ることができる。   Thus, in this embodiment, since the pixel electrode 142 and the common electrode 143 are provided on the color filter substrate 105 side in the transmissive display region 110b as compared with the reflective display region 110a, the transmissive display region 110b is more in the direction. The distance in the thickness direction from the pixel electrode 142 and the common electrode 143 to the central portion M of the liquid crystal layer 106 becomes smaller (t1> t2), and the pixel electrode 142 and the common electrode 143 are closer to the central portion of the liquid crystal layer 106. Will be placed. Therefore, an electric field can be applied to the portion of the liquid crystal layer 106 sandwiched between the pixel electrode 142 and the common electrode 143 over a wide range in the vertical direction of the electrodes 142 and 143. Therefore, a stronger electric field is applied to the liquid crystal layer 106 in the transmissive display region 110b than in the liquid crystal layer 106 in the reflective display region 110a. The retardation of the transmissive display area 110b can be made equal to the retardation of the reflective display area 110a, and the difference in light transmittance between the reflective display area 110a and the transmissive display area 110b can be eliminated. Thereby, the difference in contrast between the reflective display region 110a and the transmissive display region 110b can be eliminated, and the liquid crystal display device 101 having high display characteristics can be obtained.

図６は、本実施形態の液晶表示装置１０１について画素電極１４２と共通電極１４３との間に印加される電圧の大きさ（Ｖ）と、液晶層１０６の光透過率の大きさ（相対値）との関係を示すグラフである。グラフの縦軸が光透過率の大きさを示している。グラフの横軸が電圧の大きさを示している。同グラフ中では、反射表示領域１１０ａの液晶層１０６の光透過率を実線で示しており、透過表示領域１１０ｂの液晶層１０６の光透過率を破線で示している。   6 shows the magnitude (V) of the voltage applied between the pixel electrode 142 and the common electrode 143 and the magnitude of the light transmittance (relative value) of the liquid crystal layer 106 in the liquid crystal display device 101 of the present embodiment. It is a graph which shows the relationship. The vertical axis of the graph indicates the light transmittance. The horizontal axis of the graph indicates the voltage magnitude. In the graph, the light transmittance of the liquid crystal layer 106 in the reflective display region 110a is indicated by a solid line, and the light transmittance of the liquid crystal layer 106 in the transmissive display region 110b is indicated by a broken line.

同図に示すように、画素電極１４２と共通電極４３との間に印加される電圧の大きさが６Ｖを超える範囲で反射表示領域１１０ａの光透過率の値と透過表示領域１１０ｂの光透過率の値とが近似している。電圧の大きさが７Ｖ〜１２Ｖの範囲では、両領域の光透過率の値は極めて近くなる。特に、電圧の値が８Ｖ〜１０Ｖの範囲では、両領域の光透過率の値がほぼ一致する。   As shown in the figure, the value of the light transmittance of the reflective display region 110a and the light transmittance of the transmissive display region 110b in the range where the magnitude of the voltage applied between the pixel electrode 142 and the common electrode 43 exceeds 6V. Is close to the value of. When the voltage magnitude is in the range of 7V to 12V, the light transmittance values in both regions are very close. In particular, when the voltage value is in the range of 8V to 10V, the light transmittance values of both regions are almost the same.

上記の電圧値は、反射表示領域１１０ａで画素電極１４２及び共通電極１４３の厚さが０．４０μｍ程度に形成されていると共に透過表示領域１１０ｂの絶縁層１５５の厚さが２μｍ程度に形成されている場合の値である。反射表示領域１１０ａ及び透過表示領域１１０ｂにおける画素電極４２及び共通電極４３の厚さ、透過表示領域１１０ｂにおける絶縁層１５５の厚さなどはそれぞれ変更可能である。これらの値を変更することにより、上記電圧値を変化させることができる。本実施形態では、反射表示領域１１０ａのリタデーション（Δｎｄ）がλ／４となり、透過表示領域１１０ｂのリタデーションがλ／２となるように画素電極１４２及び共通電極１４３の厚さが調節されている。   In the reflective display area 110a, the pixel electrode 142 and the common electrode 143 are formed with a thickness of about 0.40 μm, and the insulating layer 155 of the transmissive display area 110b is formed with a thickness of about 2 μm. It is a value when there is. The thickness of the pixel electrode 42 and the common electrode 43 in the reflective display region 110a and the transmissive display region 110b, the thickness of the insulating layer 155 in the transmissive display region 110b, and the like can be changed. The voltage value can be changed by changing these values. In the present embodiment, the thicknesses of the pixel electrode 142 and the common electrode 143 are adjusted so that the retardation (Δnd) of the reflective display region 110a is λ / 4 and the retardation of the transmissive display region 110b is λ / 2.

本実施形態の液晶表示装置１０１の構成においては、画素電極１４２と共通電極１４３との間に等電圧を印加した場合に、反射表示領域１１０ａの光透過率と透過表示領域１１０ｂの光透過率とが同等になるような電圧の範囲が出現することになる。したがって、液晶表示装置１０１を駆動する場合、この両領域の光透過率が同等になる範囲内で電圧を印加することにより、両領域の光透過率を同等とすることができ、両領域で同等のコントラストを得ることができる。   In the configuration of the liquid crystal display device 101 of this embodiment, when an equal voltage is applied between the pixel electrode 142 and the common electrode 143, the light transmittance of the reflective display region 110a and the light transmittance of the transmissive display region 110b are as follows. A range of voltages appears to be equivalent. Therefore, when driving the liquid crystal display device 101, by applying a voltage within a range in which the light transmittances in both regions are equal, the light transmittances in both regions can be equalized, and the same in both regions. Contrast can be obtained.

［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態を説明する。
図７は、本実施形態に係る液晶表示装置２０１の構成を示す断面図である。同図は、第１実施形態における図３に対応している。本実施形態の液晶表示装置２０１は、カラーフィルタ基板及び液晶層の構成が第１実施形態と同様であり、ＴＦＴアレイ基板の構成が第１実施形態とは異なっている。 [Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing the configuration of the liquid crystal display device 201 according to this embodiment. This figure corresponds to FIG. 3 in the first embodiment. In the liquid crystal display device 201 of this embodiment, the configuration of the color filter substrate and the liquid crystal layer is the same as that of the first embodiment, and the configuration of the TFT array substrate is different from that of the first embodiment.

図７に示すように、画素電極２４２及び共通電極２４３は、ＴＦＴアレイ基板２０４側に設けられている。反射表示領域２１０ａでは、画素電極（第３電極）２４２及び共通電極（第４電極）２４３が光反射層２４１の表面２４１ａに設けられている。透過表示領域２１０ｂでは、画素電極（第１電極）２４２及び共通電極（第２電極）２４３が樹脂層２５０の表面２５０ａ上に設けられている。反射表示領域２１０ａ側の画素電極２４２及び共通電極２４３と、透過表示領域２１０ｂ側の画素電極２４２及び共通電極２４３とは一体的に形成されている。勿論、画素電極２４２及び共通電極２４３が各領域ごとに分離されていても構わない。   As shown in FIG. 7, the pixel electrode 242 and the common electrode 243 are provided on the TFT array substrate 204 side. In the reflective display area 210 a, a pixel electrode (third electrode) 242 and a common electrode (fourth electrode) 243 are provided on the surface 241 a of the light reflecting layer 241. In the transmissive display area 210 b, the pixel electrode (first electrode) 242 and the common electrode (second electrode) 243 are provided on the surface 250 a of the resin layer 250. The pixel electrode 242 and the common electrode 243 on the reflective display region 210a side, and the pixel electrode 242 and the common electrode 243 on the transmissive display region 210b side are integrally formed. Of course, the pixel electrode 242 and the common electrode 243 may be separated for each region.

反射表示領域２１０ａ内の画素電極２４２及び共通電極２４３の厚さ、透過表示領域２１０ｂ内の画素電極２４２及び共通電極２４３の厚さは、共に０．４μｍ程度と同一になっている。画素電極２４２及び共通電極２４３の配列のピッチは８μｍ程度であり、それぞれの電極幅は８μｍ程度である。   The thicknesses of the pixel electrode 242 and the common electrode 243 in the reflective display area 210a and the thicknesses of the pixel electrode 242 and the common electrode 243 in the transmissive display area 210b are both about 0.4 μm. The pitch of the arrangement of the pixel electrodes 242 and the common electrode 243 is about 8 μm, and the width of each electrode is about 8 μm.

透過表示領域２１０ｂでは、樹脂層２５０のうち画素電極２４２と共通電極２４３とで挟まれた領域に凹部２５５が設けられている。凹部２５５は、画素電極２４２と共通電極２４３との間の距離と同一の幅を有しており、その深さ（樹脂層２５０の表面２５０ａから底部までの距離）が凹部２５５の全体でほぼ２．５μｍ程度と均一になっている。反射表示領域２１０ａでは、光反射層２４１の表面２４１ａが液晶層２０６との界面になっている。透過表示領域２１０ｂでは、この凹部２５５の底部が液晶層２０６との界面になっている。したがって、透過表示領域２１０ｂでは反射表示領域２１０ａに比べて、画素電極２４２と共通電極２４３とで挟まれる部分の液晶層２０６の厚さが大きくなる。   In the transmissive display area 210b, a recess 255 is provided in an area between the pixel electrode 242 and the common electrode 243 in the resin layer 250. The recess 255 has the same width as the distance between the pixel electrode 242 and the common electrode 243, and the depth (distance from the surface 250 a to the bottom of the resin layer 250) is approximately 2 in the entire recess 255. .5 μm and uniform. In the reflective display area 210 a, the surface 241 a of the light reflecting layer 241 is an interface with the liquid crystal layer 206. In the transmissive display area 210 b, the bottom of the recess 255 is an interface with the liquid crystal layer 206. Accordingly, the thickness of the liquid crystal layer 206 in the portion sandwiched between the pixel electrode 242 and the common electrode 243 is larger in the transmissive display region 210b than in the reflective display region 210a.

図７中に、反射表示領域２１０ａの液晶層２０６のうち画素電極２４２と共通電極２４３とで挟まれる部分の厚さ方向の中央部（反射側中央部）をＭｒで示し、透過表示領域２１０ｂの当該中央部（透過側中央部）をＭｔで示す。反射側中央部Ｍｒは、透過側中央部Ｍｔよりもカラーフィルタ基板２０５側に位置することになる。したがって、反射側中央部Ｍｒから反射表示領域２１０ａ内の画素電極２４２及び共通電極２４３までの距離ｔ３は、透過側中央部Ｍｔから透過表示領域２１０ｂ内の画素電極２４２及び共通電極２４３までの距離ｔ４よりも大きくなっている（ｔ３＞ｔ４）。
その他の構成は、第１実施形態に係る液晶表示装置１と同様の構成になっている。 In FIG. 7, in the liquid crystal layer 206 of the reflective display region 210a, the central portion in the thickness direction of the portion sandwiched between the pixel electrode 242 and the common electrode 243 (reflective side central portion) is denoted by Mr, and the transmissive display region 210b The center part (transmission side center part) is indicated by Mt. The reflection side central portion Mr is located closer to the color filter substrate 205 than the transmission side central portion Mt. Therefore, the distance t3 from the reflection side central portion Mr to the pixel electrode 242 and the common electrode 243 in the reflection display region 210a is the distance t4 from the transmission side central portion Mt to the pixel electrode 242 and the common electrode 243 in the transmission display region 210b. (T3> t4).
Other configurations are the same as those of the liquid crystal display device 1 according to the first embodiment.

このように、本実施形態では、樹脂層２５０のうち画素電極２４２と共通電極２４３とで挟まれた領域に凹部２５５が設けられているので、反射側中央部Ｍｒから反射表示領域２１０ａ内の画素電極２４２及び共通電極２４３までの距離ｔ３が、透過側中央部Ｍｔから透過表示領域２１０ｂ内の画素電極２４２及び共通電極２４３までの距離ｔ４よりも大きくなり（ｔ３＞ｔ４）、透過表示領域２１０ｂの方が中央部（透過側中央部Ｍｔ）に近い位置に画素電極２４２及び共通電極２４３が配置されることになる。このため、画素電極２４２と共通電極２４３とで挟まれた部分の液晶層２０６には、両電極２４２、２４３の上下方向に亘って広い範囲に電界を印加することができる。したがって、透過表示領域２１０ｂの液晶層２０６には、反射表示領域２１０ａの液晶層２０６に比べて、より強い電界が印加されることになる。当該透過表示領域２１０ｂのリタデーションを反射表示領域２１０ａのリタデーションと同等にすることができるので、反射表示領域２１０ａと透過表示領域２１０ｂとの間の光透過率の差を解消することができる。これにより、反射表示領域２１０ａと透過表示領域２１０ｂとの間のコントラストの差を解消することができ、表示特性の高い液晶表示装置２０１を得ることができる。   Thus, in this embodiment, since the recessed part 255 is provided in the area | region between the pixel electrode 242 and the common electrode 243 among the resin layers 250, the pixel in the reflective display area 210a from the reflection side center part Mr. The distance t3 between the electrode 242 and the common electrode 243 is larger than the distance t4 from the transmissive side center portion Mt to the pixel electrode 242 and the common electrode 243 in the transmissive display area 210b (t3> t4). The pixel electrode 242 and the common electrode 243 are disposed at a position closer to the central portion (transmission-side central portion Mt). Therefore, an electric field can be applied to a portion of the liquid crystal layer 206 sandwiched between the pixel electrode 242 and the common electrode 243 over a wide range in the vertical direction of the electrodes 242 and 243. Therefore, a stronger electric field is applied to the liquid crystal layer 206 in the transmissive display area 210b than in the liquid crystal layer 206 in the reflective display area 210a. Since the retardation of the transmissive display area 210b can be made equal to the retardation of the reflective display area 210a, the difference in light transmittance between the reflective display area 210a and the transmissive display area 210b can be eliminated. Thereby, the difference in contrast between the reflective display area 210a and the transmissive display area 210b can be eliminated, and the liquid crystal display device 201 having high display characteristics can be obtained.

［第４実施形態］
次に、本発明の第４実施形態を説明する。
図８は、本実施形態に係る液晶表示装置３０１の構成を示す断面図である。同図は、第１実施形態における図３を簡略化して示している。本実施形態の液晶表示装置３０１は、カラーフィルタ基板及び液晶層の構成が第１実施形態と同様であり、ＴＦＴアレイ基板の構成が第１実施形態とは異なっている。 [Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 8 is a cross-sectional view showing the configuration of the liquid crystal display device 301 according to this embodiment. FIG. 3 shows a simplified view of FIG. 3 in the first embodiment. In the liquid crystal display device 301 of this embodiment, the configuration of the color filter substrate and the liquid crystal layer is the same as that of the first embodiment, and the configuration of the TFT array substrate is different from that of the first embodiment.

図８に示すように、画素電極３４２及び共通電極３４３は、ＴＦＴアレイ基板３０４側に設けられている。反射表示領域３１０ａでは、画素電極（第３電極）３４２及び共通電極（第４電極）３４３が光反射層３４１の表面３４１ａに設けられている。透過表示領域３１０ｂでは、画素電極（第１電極）３４２及び共通電極（第２電極）３４３が樹脂層３５０の表面３５０ａ上に設けられている。反射表示領域３１０ａ側の画素電極３４２及び共通電極３４３と、透過表示領域３１０ｂ側の画素電極３４２及び共通電極３４３とは一体的に形成されている。勿論、画素電極３４２及び共通電極３４３が各領域ごとに分離されていても構わない。   As shown in FIG. 8, the pixel electrode 342 and the common electrode 343 are provided on the TFT array substrate 304 side. In the reflective display area 310 a, a pixel electrode (third electrode) 342 and a common electrode (fourth electrode) 343 are provided on the surface 341 a of the light reflecting layer 341. In the transmissive display region 310b, a pixel electrode (first electrode) 342 and a common electrode (second electrode) 343 are provided on the surface 350a of the resin layer 350. The pixel electrode 342 and the common electrode 343 on the reflective display region 310a side, and the pixel electrode 342 and the common electrode 343 on the transmissive display region 310b side are integrally formed. Of course, the pixel electrode 342 and the common electrode 343 may be separated for each region.

反射表示領域３１０ａ内の画素電極３４２及び共通電極３４３の厚さ、透過表示領域３１０ｂ内の画素電極３４２及び共通電極３４３の厚さは、共に０．４μｍ程度と同一になっている。画素電極３４２及び共通電極３４３の配列のピッチは８μｍ程度であり、それぞれの電極幅は８μｍ程度である。   The thickness of the pixel electrode 342 and the common electrode 343 in the reflective display area 310a and the thickness of the pixel electrode 342 and the common electrode 343 in the transmissive display area 310b are both about 0.4 μm. The pitch of the arrangement of the pixel electrodes 342 and the common electrode 343 is about 8 μm, and the width of each electrode is about 8 μm.

反射表示領域３１０ａでは、光反射層３４１の表面３４１ａ上のうち画素電極３４２と共通電極３４３とで挟まれた領域に凸部３５５が設けられている。凸部３５５は、画素電極３４２と共通電極３４３との間を一部埋めるように設けられている。反射表示領域３１０ａでは、凸部３５５の表面が液晶層３０６との界面になっている。透過表示領域３１０ｂでは、樹脂層３５０の表面３５０ａが液晶層３０６との界面になっている。したがって、透過表示領域３１０ｂでは反射表示領域３１０ａに比べて、画素電極３４２と共通電極３４３とで挟まれる部分の液晶層３０６の厚さが大きくなる。   In the reflective display region 310a, a convex portion 355 is provided in a region sandwiched between the pixel electrode 342 and the common electrode 343 on the surface 341a of the light reflecting layer 341. The convex portion 355 is provided so as to partially fill the space between the pixel electrode 342 and the common electrode 343. In the reflective display region 310 a, the surface of the convex portion 355 is an interface with the liquid crystal layer 306. In the transmissive display region 310 b, the surface 350 a of the resin layer 350 is an interface with the liquid crystal layer 306. Accordingly, in the transmissive display region 310b, the thickness of the liquid crystal layer 306 in the portion sandwiched between the pixel electrode 342 and the common electrode 343 is larger than that in the reflective display region 310a.

図８中に、反射表示領域３１０ａの液晶層３０６のうち画素電極３４２と共通電極３４３とで挟まれる部分の厚さ方向の中央部（反射側中央部）をＭｒで示し、透過表示領域３１０ｂの当該中央部（透過側中央部）をＭｔで示す。反射側中央部Ｍｒは、透過側中央部Ｍｔよりもカラーフィルタ基板３０５側に位置することになる。したがって、反射側中央部Ｍｒから反射表示領域３１０ａ内の画素電極３４２及び共通電極３４３までの距離ｔ５は、透過側中央部Ｍｔから透過表示領域３１０ｂ内の画素電極３４２及び共通電極３４３までの距離ｔ６よりも大きくなっている（ｔ５＞ｔ６）。
その他の構成は、第１実施形態に係る液晶表示装置１と同様の構成になっている。 In FIG. 8, the central portion in the thickness direction (reflective side central portion) of the portion sandwiched between the pixel electrode 342 and the common electrode 343 in the liquid crystal layer 306 of the reflective display region 310a is denoted by Mr, and the transmissive display region 310b The center part (transmission side center part) is indicated by Mt. The reflection-side center portion Mr is located closer to the color filter substrate 305 than the transmission-side center portion Mt. Therefore, the distance t5 from the reflection-side center portion Mr to the pixel electrode 342 and the common electrode 343 in the reflection display region 310a is the distance t6 from the transmission-side center portion Mt to the pixel electrode 342 and the common electrode 343 in the transmission display region 310b. (T5> t6).
Other configurations are the same as those of the liquid crystal display device 1 according to the first embodiment.

このように、本実施形態では、反射表示領域３１０ａにおいて光反射層３４１の表面３４１ａ上のうち画素電極３４２と共通電極３４３とで挟まれた領域に凸部３５５が設けられているので、反射側中央部Ｍｒから反射表示領域３１０ａ内の画素電極３４２及び共通電極３４３までの距離ｔ５が、透過側中央部Ｍｔから透過表示領域３１０ｂ内の画素電極３４２及び共通電極３４３までの距離ｔ６よりも大きくなり（ｔ５＞ｔ６）、透過表示領域３１０ｂの方が中央部（透過側中央部Ｍｔ）に近い位置に画素電極３４２及び共通電極３４３が配置されることになる。これにより、上記実施形態と同様に、反射表示領域３１０ａと透過表示領域３１０ｂとの間のコントラストの差を解消することができ、表示特性の高い液晶表示装置３０１を得ることができる。   As described above, in the present embodiment, the convex portion 355 is provided in a region sandwiched between the pixel electrode 342 and the common electrode 343 on the surface 341a of the light reflection layer 341 in the reflective display region 310a. A distance t5 from the central portion Mr to the pixel electrode 342 and the common electrode 343 in the reflective display region 310a is larger than a distance t6 from the transmission side central portion Mt to the pixel electrode 342 and the common electrode 343 in the transmissive display region 310b. (T5> t6), the pixel electrode 342 and the common electrode 343 are disposed at a position closer to the central portion (transmission-side central portion Mt) in the transmissive display region 310b. Thereby, similarly to the above-described embodiment, the difference in contrast between the reflective display area 310a and the transmissive display area 310b can be eliminated, and the liquid crystal display device 301 having high display characteristics can be obtained.

［第５実施形態］
次に、本発明の第５実施形態を説明する。
図９は、本実施形態に係る液晶表示装置４０１の構成を示す断面図である。同図は、第１実施形態における図３を簡略化して示している。本実施形態の液晶表示装置４０１は、カラーフィルタ基板の構成が第１実施形態と同様であり、ＴＦＴアレイ基板の構成が第１実施形態とは異なっている。本実施形態では、液晶層４０６の液晶分子の誘電率が負（ε＜０）になっている点でも、第１実施形態とは異なっている。 [Fifth Embodiment]
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 9 is a cross-sectional view showing the configuration of the liquid crystal display device 401 according to this embodiment. FIG. 3 shows a simplified view of FIG. 3 in the first embodiment. In the liquid crystal display device 401 of this embodiment, the configuration of the color filter substrate is the same as that of the first embodiment, and the configuration of the TFT array substrate is different from that of the first embodiment. This embodiment is different from the first embodiment in that the dielectric constant of the liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 406 is negative (ε <0).

図９に示すように、画素電極４４２及び共通電極４４３は、ＴＦＴアレイ基板４０４側に設けられている。反射表示領域４１０ａでは、画素電極（第３電極）４４２及び共通電極（第４電極）４４３が光反射層４４１の表面４４１ａに設けられている。透過表示領域４１０ｂでは、画素電極（第１電極）４４２及び共通電極（第２電極）４４３が樹脂層４５０の表面４５０ａ上に設けられている。反射表示領域４１０ａ側の画素電極４４２及び共通電極４４３と、透過表示領域４１０ｂ側の画素電極４４２及び共通電極４４３とは一体的に形成されている。勿論、画素電極４４２及び共通電極４４３が各領域ごとに分離されていても構わない。   As shown in FIG. 9, the pixel electrode 442 and the common electrode 443 are provided on the TFT array substrate 404 side. In the reflective display area 410a, a pixel electrode (third electrode) 442 and a common electrode (fourth electrode) 443 are provided on the surface 441a of the light reflecting layer 441. In the transmissive display region 410b, a pixel electrode (first electrode) 442 and a common electrode (second electrode) 443 are provided on the surface 450a of the resin layer 450. The pixel electrode 442 and the common electrode 443 on the reflective display area 410a side and the pixel electrode 442 and the common electrode 443 on the transmissive display area 410b side are integrally formed. Needless to say, the pixel electrode 442 and the common electrode 443 may be separated for each region.

反射表示領域４１０ａ内では、画素電極４４２の厚さと共通電極４４３の厚さとが異なっている。具体的には、画素電極４４２の厚さよりも共通電極４４３の方が厚くなっている。透過表示領域３１０ｂ内でも、画素電極４４２の厚さと共通電極４４３の厚さとが異なっており、画素電極４４２の厚さよりも共通電極４４３の方が厚くなっている。画素電極３４２及び共通電極３４３の配列のピッチは８μｍ程度であり、それぞれの電極幅は８μｍ程度である。   In the reflective display region 410a, the thickness of the pixel electrode 442 and the thickness of the common electrode 443 are different. Specifically, the common electrode 443 is thicker than the pixel electrode 442. Even in the transmissive display region 310b, the thickness of the pixel electrode 442 is different from the thickness of the common electrode 443, and the common electrode 443 is thicker than the pixel electrode 442. The pitch of the arrangement of the pixel electrodes 342 and the common electrode 343 is about 8 μm, and the width of each electrode is about 8 μm.

このように、本実施形態によれば、液晶層４０６が電界に対して負の誘電率異方性（ε＜０）を示す部分では、画素電極４４２の厚さ方向の寸法が共通電極４４３の厚さ方向の寸法よりも小さくなっているので、負の誘電率異方性を示す部分の液晶分子の配向を所望の方向に規制することができる。   As described above, according to the present embodiment, in the portion where the liquid crystal layer 406 exhibits negative dielectric anisotropy (ε <0) with respect to the electric field, the dimension of the pixel electrode 442 in the thickness direction is the same as that of the common electrode 443. Since it is smaller than the dimension in the thickness direction, the alignment of the liquid crystal molecules in the portion exhibiting negative dielectric anisotropy can be regulated in a desired direction.

［第６実施形態］
次に、本発明の第６実施形態を説明する。
図１０は、本実施形態に係る液晶表示装置５０１の構成を示す断面図である。本実施形態の液晶表示装置５０１は、カラーフィルタ基板の構成が第１実施形態と同様であり、ＴＦＴアレイ基板の構成が第１実施形態とは異なっている。 [Sixth Embodiment]
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.
FIG. 10 is a cross-sectional view showing the configuration of the liquid crystal display device 501 according to this embodiment. In the liquid crystal display device 501 of this embodiment, the configuration of the color filter substrate is the same as that of the first embodiment, and the configuration of the TFT array substrate is different from that of the first embodiment.

図１０に示すように、画素電極５４２及び共通電極５４３は、ＴＦＴアレイ基板５０４側に設けられている。当該画素電極５４２及び共通電極５４３は、赤色カラーフィルタ層５５１Ｒが設けられた赤色サブ画素５１０Ｒと、緑色カラーフィルタ層５５１Ｇが設けられた緑色サブ画素５１０Ｇと、青色カラーフィルタ層５５１Ｂが設けられた青色サブ画素５１０Ｂとの間で、それぞれ基板面５５０ａからの高さ（厚さ）が異なっている。具体的には、赤色サブ画素５１０Ｒ内での高さをｔ７、緑色サブ画素５１０Ｇ内での高さをｔ６、青色サブ画素５１０Ｂ内での高さをｔ９とすると、ｔ７＞ｔ８＞ｔ９となっており、赤色サブ画素５１０Ｒ、緑色サブ画素５１０Ｇ、青色サブ画素５１０Ｂの順に画素電極５４２及び共通電極５４３の高さが小さくなっている。   As shown in FIG. 10, the pixel electrode 542 and the common electrode 543 are provided on the TFT array substrate 504 side. The pixel electrode 542 and the common electrode 543 include a red sub-pixel 510R provided with a red color filter layer 551R, a green sub-pixel 510G provided with a green color filter layer 551G, and a blue color provided with a blue color filter layer 551B. The height (thickness) from the substrate surface 550a is different between the sub-pixels 510B. Specifically, when the height in the red sub-pixel 510R is t7, the height in the green sub-pixel 510G is t6, and the height in the blue sub-pixel 510B is t9, t7> t8> t9. The heights of the pixel electrode 542 and the common electrode 543 are reduced in the order of the red sub-pixel 510R, the green sub-pixel 510G, and the blue sub-pixel 510B.

このように、本実施形態によれば、赤色サブ画素５１０Ｒ、緑色サブ画素５１０Ｇ、青色サブ画素５１０Ｂの順に画素電極５４２及び共通電極５４３の高さが小さくなっているので、色光の種類に応じて最適な光透過率を得ることができる。これにより、表示特性の高い液晶表示装置５０１を得ることができる。   As described above, according to the present embodiment, the height of the pixel electrode 542 and the common electrode 543 is reduced in the order of the red sub-pixel 510R, the green sub-pixel 510G, and the blue sub-pixel 510B. Optimal light transmittance can be obtained. Thereby, the liquid crystal display device 501 with high display characteristics can be obtained.

［第７実施形態］
次に、本発明の第７実施形態を説明する。
図６は、本実施形態に係る電子機器（携帯電話）の全体構成を示す斜視図である。
携帯電話６００は、筺体６０１、複数の操作ボタンが設けられた操作部６０２、画像や動画、文字等を表示する表示部６０３を有する。上記の表示部６０３には、本実施形態に係る液晶表示装置１〜５０１が搭載されている。
このように、透過表示領域及び反射表示領域にて同等の光透過率が得られ、コントラストの高い表示が可能な液晶表示装置１〜５０１を搭載したので、表示品位が高く、信頼性の高い携帯電話６００を得ることができる。 [Seventh Embodiment]
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described.
FIG. 6 is a perspective view showing the overall configuration of the electronic apparatus (mobile phone) according to the present embodiment.
The mobile phone 600 includes a housing 601, an operation unit 602 provided with a plurality of operation buttons, and a display unit 603 that displays images, moving images, characters, and the like. The display unit 603 includes the liquid crystal display devices 1 to 501 according to the present embodiment.
As described above, since the liquid crystal display devices 1 to 501 capable of obtaining the same light transmittance in the transmissive display region and the reflective display region and capable of high-contrast display are mounted, the display quality is high and the mobile phone is highly reliable. A phone 600 can be obtained.

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
上記実施形態においては、液晶層の構成をコレステリックブルー相を含んだ構成として説明したが、これに限られることは無い。例えば、スメクティックブルー相やキュービック相、スメクティックＤ相、ミセル相などの材料を含んだ構成としても構わない。 The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
In the above embodiment, the configuration of the liquid crystal layer has been described as a configuration including a cholesteric blue phase, but the configuration is not limited thereto. For example, it may be configured to include materials such as a smectic blue phase, a cubic phase, a smectic D phase, and a micelle phase.

上記実施形態においては、配向膜を設けない構成として説明したが、例えばＴＦＴアレイ基板の液晶層との界面に配向膜を形成しても構わない。この場合、電界によって液晶分子の配向が変化する方向にラビング処理を施すのが好ましい。これにより、液晶分子の配向の変化を促進させることができる。   In the above embodiment, the configuration in which the alignment film is not provided has been described. However, for example, the alignment film may be formed at the interface with the liquid crystal layer of the TFT array substrate. In this case, it is preferable to perform a rubbing process in a direction in which the orientation of liquid crystal molecules changes due to an electric field. Thereby, the change in the alignment of the liquid crystal molecules can be promoted.

画素電極及び共通電極の構成及びその周辺部の構成については、上記各実施形態に記載した構成に限られるものではない。透過表示領域において画素電極と共通電極とで挟まれた部分の電気光学物質層に印加される電界の厚さ方向の範囲が、反射表示領域において画素電極と共通電極とで挟まれた部分の電気光学物質層に印加される電界の厚さ方向の範囲よりも大きくなるような構成であれば、他の構成であっても構わない。   The configuration of the pixel electrode and the common electrode and the configuration of the periphery thereof are not limited to the configurations described in the above embodiments. The range in the thickness direction of the electric field applied to the portion of the electro-optic material layer sandwiched between the pixel electrode and the common electrode in the transmissive display region is equal to the electrical portion of the portion sandwiched between the pixel electrode and the common electrode in the reflective display region. Any other configuration may be used as long as it is larger than the range of the electric field applied to the optical material layer in the thickness direction.

本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す平面図。1 is a plan view showing a configuration of a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. 本実施形態に係る液晶表示装置のサブ画素領域の構成を平面図。FIG. 3 is a plan view illustrating a configuration of a sub-pixel region of the liquid crystal display device according to the present embodiment. 本実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a liquid crystal display device according to the embodiment. 画素電極と共通電極との間に印加される電圧と光透過率との関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between the voltage applied between a pixel electrode and a common electrode, and light transmittance. 本発明の第２実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 画素電極と共通電極との間に印加される電圧と光透過率との関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between the voltage applied between a pixel electrode and a common electrode, and light transmittance. 本発明の第３実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device which concerns on 3rd Embodiment of this invention. 本発明の第４実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device which concerns on 4th Embodiment of this invention. 本発明の第５実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device which concerns on 5th Embodiment of this invention. 本発明の第６実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of the liquid crystal display device which concerns on 6th Embodiment of this invention. 本発明の第７実施形態に係る携帯電話の構成を示す斜視図。The perspective view which shows the structure of the mobile telephone which concerns on 7th Embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

１〜５０１…液晶表示装置 ２…液晶パネル ４…ＴＦＴアレイ基板 ５…カラーフィルタ基板 ６…液晶層 １０…サブ画素領域 １０ａ…反射表示領域 １０ｂ…透過表示領域 １１…画素間領域 ２１、３１…位相差板 ２２、３２…偏光板 ２３、３３…円偏光板 ４１…光反射層 ４２…画素電極 ４２ａ…基端部 ４２ｂ…コンタクト部 ４２ｃ…枝状部 ４３…共通電極 ４３ａ…基端部 ４３ｂ…コンタクト部 ４３ｃ…枝状部 ５０…樹脂層 ５０ｂ…凹部 １５５…絶縁層 ２５５…凹部 ３５５…凸部 ６００…携帯電話 ６０３…表示部   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1-501 ... Liquid crystal display device 2 ... Liquid crystal panel 4 ... TFT array substrate 5 ... Color filter substrate 6 ... Liquid crystal layer 10 ... Sub-pixel area | region 10a ... Reflection display area 10b ... Transmission display area 11 ... Inter-pixel area | region 21, 31 ... Phase difference plate 22, 32 ... Polarizing plate 23, 33 ... Circular polarizing plate 41 ... Light reflecting layer 42 ... Pixel electrode 42a ... Base end portion 42b ... Contact portion 42c ... Branched portion 43 ... Common electrode 43a ... Base end portion 43b ... Contact Part 43c ... Branch-like part 50 ... Resin layer 50b ... Concave part 155 ... Insulating layer 255 ... Concave part 355 ... Convex part 600 ... Mobile phone 603 ... Display part

Claims (15)

電界の非印加時に光学的に等方性を示し且つ電界の印加時には電界強度の２乗に比例する光学異方性を示す電気光学物質を有する電気光学物質層と、当該電気光学物質層を挟持する一対の基板とを備えた電気光学装置であって、
反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられた複数のサブ画素領域を具備し、
前記透過表示領域において、前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側の表面上に第１電極と第２電極とを具備し、
前記反射表示領域において、前記一方の基板の前記電気光学物質層側の表面上に第３電極と第４電極とを具備し、
前記第１電極と前記第２電極のうち少なくとも一方の前記一方の基板からの高さは、前記第３電極および前記第４電極の前記一方の基板からの高さよりも高い
ことを特徴とする電気光学装置。 An electro-optic material layer having an electro-optic material that is optically isotropic when no electric field is applied and has an optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength when the electric field is applied, and the electro-optic material layer An electro-optical device comprising a pair of substrates,
A plurality of sub-pixel regions each provided with a reflective display region for reflective display and a transmissive display region for transmissive display;
In the transmissive display region, a first electrode and a second electrode are provided on a surface of the one substrate out of the pair of substrates on the electro-optic material layer side,
In the reflective display region, a third electrode and a fourth electrode are provided on the surface of the one substrate on the electro-optic material layer side,
The height of at least one of the first electrode and the second electrode from the one substrate is higher than the height of the third electrode and the fourth electrode from the one substrate. Optical device. 電界の非印加時に光学的に等方性を示し且つ電界の印加時には電界強度の２乗に比例する光学異方性を示す電気光学物質を有する電気光学物質層と、当該電気光学物質層を挟持する一対の基板とを備えた電気光学装置であって、
反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられた複数のサブ画素領域を具備し、
前記透過表示領域において、前記一対の基板のうち一方の基板の前記電気光学物質層側に第１電極と第２電極とを具備し、
前記反射表示領域において、前記一方の基板の前記電気光学物質層側に第３電極と第４電極とを具備し、
前記第１電極と前記第２電極のうち少なくとも一方の前記一方の基板との距離は、前記第３電極および前記第４電極の前記一方の基板との距離よりも大きい
ことを特徴とする電気光学装置。 An electro-optic material layer having an electro-optic material that is optically isotropic when no electric field is applied and has an optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength when the electric field is applied, and the electro-optic material layer An electro-optical device comprising a pair of substrates,
A plurality of sub-pixel regions each provided with a reflective display region for reflective display and a transmissive display region for transmissive display;
In the transmissive display region, the electro-optic material layer side of one of the pair of substrates includes a first electrode and a second electrode,
In the reflective display region, the one substrate includes a third electrode and a fourth electrode on the electro-optic material layer side,
The electro-optic is characterized in that a distance between at least one of the first electrode and the second electrode is larger than a distance between the third electrode and the one of the fourth electrodes. apparatus. 電界の非印加時に光学的に等方性を示し且つ電界の印加時には電界強度の２乗に比例する光学異方性を示す電気光学物質を有する電気光学物質層と、当該電気光学物質層を挟持する一対の基板とを備えた電気光学装置であって、
反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられた複数のサブ画素領域を具備し、
前記透過表示領域において、前記一対の基板のうち一方の基板上に第１電極と第２電極とを具備し、
前記反射表示領域において、前記一方の基板上に第３電極と第４電極とを具備し、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けた前記電気光学物質と、前記一方の基板、との間に設けた前記電気光学物質の、前記電気光学物質層厚方向の厚さが、前記第３電極と前記第４電極との間に設けた前記電気光学物質と、前記一方の基板、との間に設けた前記電気光学物質の、前記電気光学物質層厚方向の厚さよりも厚い
ことを特徴とする電気光学装置。 An electro-optic material layer having an electro-optic material that is optically isotropic when no electric field is applied and has an optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength when the electric field is applied, and the electro-optic material layer An electro-optical device comprising a pair of substrates,
A plurality of sub-pixel regions each provided with a reflective display region for reflective display and a transmissive display region for transmissive display;
In the transmissive display region, the first electrode and the second electrode are provided on one of the pair of substrates,
In the reflective display region, the third substrate and the fourth electrode are provided on the one substrate,
The thickness of the electro-optic material provided between the first electrode and the second electrode and the one substrate, in the thickness direction of the electro-optic material layer, The electro-optical material provided between the third electrode and the fourth electrode and the one substrate are thicker than the thickness in the electro-optical material layer thickness direction. An electro-optical device. 電界の非印加時に光学的に等方性を示し且つ電界の印加時には電界強度の２乗に比例する光学異方性を示す電気光学物質を有する電気光学物質層と、当該電気光学物質層を挟持する一対の基板とを備えた電気光学装置であって、
反射表示を行う反射表示領域と透過表示を行う透過表示領域とが設けられた複数のサブ画素領域を具備し、
前記透過表示領域において、前記一対の基板のうち一方の基板上に第１電極と第２電極とを具備し、
前記反射表示領域において、前記一方の基板上に第３電極と第４電極とを具備し、
前記電気光学物質層内において、前記第１電極と前記第２電極とによって生じる電界の影響が及ぶ範囲の前記電気光学物質層厚方向の厚さが、前記第３電極と前記第４電極とによって生じる電界の影響が及ぶ範囲の前記電気光学物質層厚方向の厚さよりも厚くなるように、前記第１電極と前記第２電極と前記第３電極と前記第４電極とが配置されている
ことを特徴とする電気光学装置。 An electro-optic material layer having an electro-optic material that is optically isotropic when no electric field is applied and has an optical anisotropy proportional to the square of the electric field strength when the electric field is applied, and the electro-optic material layer An electro-optical device comprising a pair of substrates,
A plurality of sub-pixel regions each provided with a reflective display region for reflective display and a transmissive display region for transmissive display;
In the transmissive display region, the first electrode and the second electrode are provided on one of the pair of substrates,
In the reflective display region, the third substrate and the fourth electrode are provided on the one substrate,
Within the electro-optic material layer, the thickness in the thickness direction of the electro-optic material layer within the range affected by the electric field generated by the first electrode and the second electrode is determined by the third electrode and the fourth electrode. The first electrode, the second electrode, the third electrode, and the fourth electrode are arranged so as to be thicker than the thickness in the thickness direction of the electro-optic material layer in the range affected by the generated electric field. An electro-optical device. 前記電気光学物質が負の誘電率異方性を示し、
前記第１電極は前記第２電極よりも薄く、前記第３電極は前記第４電極よりも薄い
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。 The electro-optic material exhibits negative dielectric anisotropy;
The electro-optical device according to claim 1, wherein the first electrode is thinner than the second electrode, and the third electrode is thinner than the fourth electrode. 前記複数のサブ画素領域が、第１の色光を表示する第１サブ画素領域と、第２の色光を表示する第２サブ画素領域とを含んでおり、
前記第１サブ画素領域における前記一方の基板の表面からの前記第１電極及び前記第２電極の距離が、前記第２サブ画素領域における前記一方の基板の表面からの前記第１電極及び前記第２電極の距離よりも大きくなっている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。 The plurality of sub-pixel regions include a first sub-pixel region that displays first color light, and a second sub-pixel region that displays second color light,
The distance between the first electrode and the second electrode from the surface of the one substrate in the first sub-pixel region is such that the first electrode and the second electrode from the surface of the one substrate in the second sub-pixel region. 6. The electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical device is longer than a distance between the two electrodes. 前記複数のサブ画素領域が、第１の色光を表示する第１サブ画素領域と、第２の色光を表示する第２サブ画素領域とを含んでおり、
前記第１サブ画素領域における前記一方の基板の表面からの前記第３電極及び前記第４電極の距離が、前記第２サブ画素領域における前記一方の基板の表面からの前記第３電極及び前記第４電極の距離よりも大きくなっている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。 The plurality of sub-pixel regions include a first sub-pixel region that displays first color light, and a second sub-pixel region that displays second color light,
The distance between the third electrode and the fourth electrode from the surface of the one substrate in the first sub-pixel region is equal to the distance between the third electrode and the fourth electrode from the surface of the one substrate in the second sub-pixel region. The electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical device is longer than a distance between the four electrodes. 前記一方の基板のうち、前記第１電極と前記第２電極とに平面的に挟まれた領域と、前記第３電極と前記第４電極とに平面的に挟まれた領域のうち少なくとも一方に、凹部が設けられている
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。 Of the one substrate, at least one of a region planarly sandwiched between the first electrode and the second electrode and a region planarly sandwiched between the third electrode and the fourth electrode The electro-optical device according to claim 3, wherein a recess is provided. 前記一方の基板のうち、前記第１電極と前記第２電極とに平面的に挟まれた領域と、前記第３電極と前記第４電極とに平面的に挟まれた領域のうち少なくとも一方に、凸部が設けられている
ことを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。 Of the one substrate, at least one of a region planarly sandwiched between the first electrode and the second electrode and a region planarly sandwiched between the third electrode and the fourth electrode The electro-optical device according to claim 3, wherein a convex portion is provided. 前記電気光学物質が、コレステリックブルー相を含んでいる
ことを特徴とする請求項１乃至請求項８のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to any one of claims 1 to 8, wherein the electro-optical material includes a cholesteric blue phase. 前記電気光学物質が、スメクティックブルー相、キュービック相、スメクティックＤ相及びミセル相のうちいずれかを含んでいる
ことを特徴とする請求項１乃至請求項９のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。 The electro-optic material according to any one of claims 1 to 9, wherein the electro-optic material includes any one of a smectic blue phase, a cubic phase, a smectic D phase, and a micelle phase. apparatus. 前記一対の基板のうち少なくとも一方の前記電気光学物質層との界面に配向膜が設けられている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項１１のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。 12. The electro-optical device according to claim 1, wherein an alignment film is provided at an interface between at least one of the pair of substrates and the electro-optical material layer. 前記配向膜が、前記第１電極と前記第２電極との配列方向に対して直交する方向にラビングされている
ことを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置。 The electro-optical device according to claim 12, wherein the alignment film is rubbed in a direction perpendicular to an arrangement direction of the first electrode and the second electrode. 前記一対の基板における前記電気光学物質層と反対側の面のそれぞれには、円偏光板が設けられている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項１３のうちいずれか一項に記載の電気光学装置。 14. The electricity according to claim 1, wherein a circularly polarizing plate is provided on each of the surfaces of the pair of substrates opposite to the electro-optic material layer. Optical device. 請求項１乃至請求項１４のうちいずれか一項に記載の電気光学装置を搭載したことを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to claim 1.
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