JP2008235893A - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008235893A JP2008235893A JP2008070328A JP2008070328A JP2008235893A JP 2008235893 A JP2008235893 A JP 2008235893A JP 2008070328 A JP2008070328 A JP 2008070328A JP 2008070328 A JP2008070328 A JP 2008070328A JP 2008235893 A JP2008235893 A JP 2008235893A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wavelength range
- active region
- light
- radiation
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 62
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 10
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 abstract description 3
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 10
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 5
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】第1波長範囲に入る放射を生成する活性領域を有する発光ダイオードから白色光を生成する、発光ダイオード及び方法を開示する。活性領域の第1の部分は、第1波長範囲に入る放射を第2波長範囲に入る放射に変換する第1変換要素によって覆われる。活性領域の残りの第2の部分は、第1波長範囲に入る放射を第3波長範囲に入る放射に変換する第2変換要素によって覆われる。発光ダイオードは、第1波長範囲に入る放射の強度を制御して、第2波長範囲及び第3波長範囲に入る放射を混合することにより生成される白色光の色点を制御するように構成される。LED100は、液晶ディスプレイ・デバイスなどのバックライト装置に用いることができ、使用用途に応じてディスプレイ上の読み易さ及び視程を改善するために調節可能な色温度及び高いコントラストを与えることができる。
【選択図】図1
Description
110:基板
112:第1基板
114:第2基板
115:電極(カソード)
117:電極(アノード)
120:活性領域
121:活性領域の第1領域
122:活性領域の第2領域(第1活性領域)
124:第2活性領域
130:第1変換要素
140:第2変換要素
150、250、250A、250B:赤色光
152、252:青色光
154、254:黄色光
160:制御装置
200:スペクトル
300:ランプ
365:リフレクタ
380:電源装置
390:ベース
Claims (24)
- 発光ダイオードであって、
第1波長範囲に入る放射を生成する活性領域と、
前記第1波長範囲内に生成された前記放射を第2波長範囲に変換する第1変換要素により覆われた前記活性領域の第1の部分と、
前記第1波長範囲内に生成された前記放射を第3波長範囲に変換する第2変換要素により覆われた前記活性領域の残りの第2の部分と
を備える発光ダイオード。 - 前記第1波長範囲内の前記放射は赤色光を含む、請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第1変換要素及び前記第2変換要素はそれぞれの蛍光体を含む、請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第1変換要素及び前記第2変換要素はそれぞれの量子ドットを含む、請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記活性領域は、単一の共通基板の上に形成された第1活性領域及び第2活性領域を含み、前記第1変換要素は前記第1活性領域を覆い、前記第2変換要素は前記第2活性領域を覆う、請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第2波長範囲は青色光を含む、請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第3波長範囲は黄色光を含む、請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第2波長範囲及び前記第3波長範囲を混合して白色光を生成するように構成される、請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第1活性領域は第1基板の上に形成され、前記第2活性領域は第2基板の上に形成され、前記第1活性領域は前記第1変換要素によって覆われ、前記第2活性領域は前記第2変換要素によって覆われる、請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記第1波長範囲内の発光強度を制御する制御装置をさらに備える、請求項1に記載の発光ダイオード。
- 前記制御装置は、前記活性領域に結合して前記第1波長範囲の光強度を制御するように構成された可変抵抗器を備え、それによって白色点を動的に制御する、請求項10に記載の発光ダイオード。
- 白色光を生成する方法であって、
活性領域によって生成された第1波長範囲内の放射を、第1変換要素により第2波長範囲内の放射に実質的に変換するステップと、
前記活性領域によって生成された前記第1波長範囲内の前記放射を、第2変換要素により第3波長範囲内の放射に実質的に変換するステップと
を含む方法。 - 前記第2波長範囲内の放射及び前記第3波長範囲内の放射を混合して白色光を生成するステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 前記活性領域に対するバイアスを調整して前記第1波長範囲内の発光強度を制御し、所望の色点を有する白色光を生成するステップをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第1波長範囲内の前記放射は赤色光を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第2波長範囲内の前記放射は青色光を含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第3波長範囲内の前記放射は黄色光を含む、請求項12に記載の方法。
- ランプ装置であって
少なくとも1つの発光ダイオードを備え、前記少なくとも1つの発光ダイオードは、
赤色光を含む第1波長範囲に入る放射を生成する活性領域と、
前記第1波長範囲内に生成された前記放射を、青色光を含む第2波長範囲に変換する第1変換要素によって覆われる前記活性領域の第1の部分と、
前記第1波長範囲内に生成された前記放射を、黄色光を含む第3波長範囲に変換する第2変換要素によって覆われる前記活性領域の残りの第2の部分と、
前記ランプに電力を供給する電源と
を備える、
ランプ装置。 - 前記第1変換要素及び前記第2変換要素は、それぞれの蛍光体及び量子ドットから成る群から選択される、請求項18に記載のランプ。
- 前記第2波長範囲内の前記放射、及び前記第3波長範囲内の前記放射を混合して白色光を生成するように構成される、請求項18に記載のランプ。
- 前記ランプから生成される光を反射するためのリフレクタをさらに備える、請求項18に記載のランプ。
- ディスプレイ用のバックライト装置であって
少なくとも1つの発光ダイオードを備え、該発光ダイオードは、
赤色光を含む第1波長範囲に入る放射を生成する活性領域と、
前記第1波長範囲内に生成された前記放射を、青色光を含む第2波長範囲に変換する第1変換要素によって覆われる前記活性領域の第1の部分と、
前記第1波長範囲内に生成された前記放射を、黄色光を含む第3波長範囲に変換する第2変換要素によって覆われる前記活性領域の残りの第2の部分と、
前記発光ダイオードに電力を供給する電源と
を備える、
バックライト装置。 - 前記第1変換要素及び前記第2変換要素は、それぞれの蛍光体及び量子ドットを含む、請求項22に記載のバックライト装置。
- 前記第2波長範囲内の前記放射、及び前記第3波長範囲内の前記放射を混合して白色光を生成するように構成される、請求項22に記載のバックライト装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/688,512 US7687816B2 (en) | 2007-03-20 | 2007-03-20 | Light emitting diode |
US11/688512 | 2007-03-20 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008235893A true JP2008235893A (ja) | 2008-10-02 |
JP5166085B2 JP5166085B2 (ja) | 2013-03-21 |
Family
ID=39773791
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008070328A Expired - Fee Related JP5166085B2 (ja) | 2007-03-20 | 2008-03-18 | 発光ダイオード |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7687816B2 (ja) |
JP (1) | JP5166085B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8487331B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-07-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display device including white light emitting diode |
US8702277B2 (en) | 2010-07-12 | 2014-04-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | White light emitting diode and liquid crystal display including the same |
JP2016520438A (ja) * | 2013-04-05 | 2016-07-14 | ノキア テクノロジーズ オーユー | 携帯デバイス用透明光検出素子 |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7419839B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-09-02 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Bonding an optical element to a light emitting device |
JPWO2007040063A1 (ja) * | 2005-10-06 | 2009-04-16 | コニカミノルタエムジー株式会社 | ナノサイズ蛍光体 |
US8927852B2 (en) * | 2008-08-21 | 2015-01-06 | Seagate Technology Llc | Photovoltaic device with an up-converting quantum dot layer and absorber |
US20100044675A1 (en) * | 2008-08-21 | 2010-02-25 | Seagate Technology Llc | Photovoltaic Device With an Up-Converting Quantum Dot Layer |
DE102008057347A1 (de) * | 2008-11-14 | 2010-05-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Vorrichtung |
US20100214282A1 (en) | 2009-02-24 | 2010-08-26 | Dolby Laboratories Licensing Corporation | Apparatus for providing light source modulation in dual modulator displays |
JP2012526391A (ja) | 2009-05-05 | 2012-10-25 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | インジウム空乏機構を利用してインジウム含有基板上で成長した半導体素子 |
US9293622B2 (en) | 2009-05-05 | 2016-03-22 | 3M Innovative Properties Company | Re-emitting semiconductor carrier devices for use with LEDs and methods of manufacture |
US10066164B2 (en) | 2009-06-30 | 2018-09-04 | Tiecheng Qiao | Semiconductor nanocrystals used with LED sources |
JP2012532454A (ja) | 2009-06-30 | 2012-12-13 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | カドミウム非含有の再発光半導体構成体 |
WO2011002686A1 (en) | 2009-06-30 | 2011-01-06 | 3M Innovative Properties Company | White light electroluminescent devices with adjustable color temperature |
EP2449608A1 (en) * | 2009-06-30 | 2012-05-09 | 3M Innovative Properties Company | Electroluminescent devices with color adjustment based on current crowding |
TWI384654B (zh) * | 2009-07-31 | 2013-02-01 | Univ Nat Taiwan Science Tech | 色溫可調之白光發光裝置 |
US9196785B2 (en) * | 2010-08-14 | 2015-11-24 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting device having surface-modified quantum dot luminophores |
US9234129B2 (en) | 2010-08-14 | 2016-01-12 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Surface-modified quantum dot luminophores |
CN105023550B (zh) * | 2010-12-17 | 2017-07-11 | 杜比实验室特许公司 | 用于宽色域和高亮度的n 调制 |
KR102118309B1 (ko) | 2012-09-19 | 2020-06-03 | 돌비 레버러토리즈 라이쎈싱 코오포레이션 | 양자점/리모트 인광 디스플레이 시스템 개선 |
PL2965308T3 (pl) | 2013-03-08 | 2021-01-25 | Dolby Laboratories Licensing Corporation | Techniki wyświetlania z podwójną modulacją z konwersją światła |
CN111243533B (zh) | 2014-03-26 | 2022-11-25 | 杜比实验室特许公司 | 各种显示器中的全局光补偿 |
US9911907B2 (en) | 2014-07-28 | 2018-03-06 | Epistar Corporation | Light-emitting apparatus |
EP3614437B1 (en) * | 2018-08-22 | 2021-05-05 | Lumileds LLC | Semiconductor die |
US11417806B2 (en) * | 2018-07-30 | 2022-08-16 | Lumileds Llc | Dielectric mirror for broadband IR LEDs |
KR102085275B1 (ko) * | 2019-01-28 | 2020-03-05 | 삼성전자주식회사 | 백색 발광 다이오드, 백라이트 유닛, 및 이를 포함한 디스플레이 장치 |
CN221222468U (zh) * | 2023-12-06 | 2024-06-25 | 深圳博浪科技有限公司 | 用于产生流星灯光效果的投影装置和产生流星灯光效果的投影灯 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006332663A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd | 燐光体変換光源 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW383508B (en) | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
US5813753A (en) | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light |
DE19963805B4 (de) | 1999-12-30 | 2005-01-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Weißlichtquelle auf der Basis nichtlinear-optischer Prozesse |
US6737801B2 (en) * | 2000-06-28 | 2004-05-18 | The Fox Group, Inc. | Integrated color LED chip |
US7088040B1 (en) | 2002-06-27 | 2006-08-08 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Light source using emitting particles to provide visible light |
KR100691143B1 (ko) * | 2003-04-30 | 2007-03-09 | 삼성전기주식회사 | 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자 |
US7318651B2 (en) * | 2003-12-18 | 2008-01-15 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Flash module with quantum dot light conversion |
US7083302B2 (en) | 2004-03-24 | 2006-08-01 | J. S. Technology Co., Ltd. | White light LED assembly |
US7267787B2 (en) | 2004-08-04 | 2007-09-11 | Intematix Corporation | Phosphor systems for a white light emitting diode (LED) |
US7535028B2 (en) * | 2005-02-03 | 2009-05-19 | Ac Led Lighting, L.Lc. | Micro-LED based high voltage AC/DC indicator lamp |
JP4574417B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2010-11-04 | シャープ株式会社 | 光源モジュール、バックライトユニット、液晶表示装置 |
-
2007
- 2007-03-20 US US11/688,512 patent/US7687816B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-03-18 JP JP2008070328A patent/JP5166085B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006332663A (ja) * | 2005-05-23 | 2006-12-07 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Private Ltd | 燐光体変換光源 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8487331B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-07-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display device including white light emitting diode |
US8702277B2 (en) | 2010-07-12 | 2014-04-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | White light emitting diode and liquid crystal display including the same |
US8919997B2 (en) | 2010-07-12 | 2014-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | White light emitting diode and liquid crystal display including the same |
US8919998B2 (en) | 2010-07-12 | 2014-12-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | White light emitting diode and liquid crystal display including the same |
JP2016520438A (ja) * | 2013-04-05 | 2016-07-14 | ノキア テクノロジーズ オーユー | 携帯デバイス用透明光検出素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7687816B2 (en) | 2010-03-30 |
JP5166085B2 (ja) | 2013-03-21 |
US20080230795A1 (en) | 2008-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5166085B2 (ja) | 発光ダイオード | |
US8963168B1 (en) | LED lamp using blue and cyan LEDs and a phosphor | |
TW594828B (en) | LED lamp | |
US7005667B2 (en) | Broad-spectrum A1(1-x-y)InyGaxN light emitting diodes and solid state white light emitting devices | |
US20080315217A1 (en) | Semiconductor Light Source and Method of Producing Light of a Desired Color Point | |
KR20090103960A (ko) | 고출력 3족-질화물 발광 다이오드 | |
KR20070046181A (ko) | 고출력 3족-질화물 발광 다이오드 | |
US8178888B2 (en) | Semiconductor light emitting devices with high color rendering | |
JP2010129583A (ja) | 照明装置 | |
JP2013504876A (ja) | 混合光を含む固体照明素子 | |
TW201106460A (en) | White light-emitting diode packages with tunable color temperature | |
KR20040062374A (ko) | 혼색 발광 다이오드 | |
JP2002057376A (ja) | Ledランプ | |
JP2003505857A (ja) | フラットパネル固体光源 | |
RU2691638C2 (ru) | Осветительное устройство, светодиодная полоска, светильник и способ изготовления осветительного устройства | |
JP2005136006A (ja) | 発光装置及びそれを用いた演出装置 | |
JP4106615B2 (ja) | 発光素子及びそれを用いた照明装置 | |
US20060243995A1 (en) | White light emitting diode device | |
TWI245440B (en) | Light emitting diode | |
US20040089864A1 (en) | Light emitting diode and method of making the same | |
JP5828100B2 (ja) | 発光装置及びそれを用いる照明装置 | |
CN207134360U (zh) | 单一晶圆上产生不同发光颜色的发光二极管发光层结构 | |
US20130134898A1 (en) | Light Emitting Diode Producing Any Desired Color | |
US20070075346A1 (en) | Light emitting diode and the package structure thereof | |
Sparavigna | Light-emitting diodes in the solid-state lighting systems |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101028 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121016 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121220 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151228 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5166085 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |