JP2008234973A - Electron emission source, its formation method, and manufacturing method of image display device - Google Patents
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Description
本発明は、電子放出源及びその作製方法、並びに画像表示装置の製造方法に関し、特に同軸型真空アーク蒸着源を有する同軸型真空アーク蒸着装置を用いて形成した触媒粒子を利用して成長させたカーボンナノファイバー又はグラファイトナノファイバーを有する電子放出源及びその作製方法、並びにこの電子放出源を備えた画像表示装置の製造方法に関する。 The present invention relates to an electron emission source, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing an image display device. In particular, the invention is grown using catalyst particles formed using a coaxial vacuum arc deposition apparatus having a coaxial vacuum arc deposition source. The present invention relates to an electron emission source having carbon nanofibers or graphite nanofibers, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing an image display device including the electron emission source.
近年、電子放出源として、カーボンナノファイバー(以下、ＣＮＦと称す)やグラファイトナノファイバー(以下、ＧＮＦと称す)のようなカーボンナノ材料が広く用いられている。これらのカーボンナノ材料は、優れた電子放出特性を持っており、フィールドエミッションディスプレイ(以下、ＦＥＤと称す)のような次世代ディスプレイには欠かせない材料となっている。これらのカーボンナノ材料は、一般に、電子ビーム蒸着法(ＥＢ)やスパッタ法で成膜した触媒金属上に成長させている(例えば、特許文献１参照)。 In recent years, carbon nanomaterials such as carbon nanofibers (hereinafter referred to as CNF) and graphite nanofibers (hereinafter referred to as GNF) have been widely used as electron emission sources. These carbon nanomaterials have excellent electron emission characteristics and are indispensable for next-generation displays such as field emission displays (hereinafter referred to as FED). These carbon nanomaterials are generally grown on a catalytic metal formed by electron beam evaporation (EB) or sputtering (see, for example, Patent Document 1).
通常、成長したカーボンナノ材料の直径は、下地としての触媒金属の粒径に依存し、また、カーボンナノ材料の電子放出特性は、成長したカーボンナノ材料の直径と密度によって異なる。 Usually, the diameter of the grown carbon nanomaterial depends on the particle size of the catalytic metal as the substrate, and the electron emission characteristics of the carbon nanomaterial depend on the diameter and density of the grown carbon nanomaterial.
しかし、ＥＢ法やスパッタ法で成膜した触媒金属は膜状になってしまい、上記カーボンナノ材料が密に成長し過ぎてしまい、満足すべき電子放出特性が得られないという問題がある。また、膜状の触媒金属が凝集して島状微粒子を形成したとしても、この島状微粒子上にある程度大きな直径を持つカーボンナノ材料が成長してしまい、直径の小さなカーボンナノ材料を成長せしめることは困難であった。
そこで、本発明の課題は、上述の従来技術の問題点を解決することにあり、同軸型真空アーク蒸着源を備えた同軸型真空アーク蒸着装置を用いて形成した触媒金属粒子を利用して成長せしめたカーボンナノファイバー又はグラファイトナノファイバーを有する電子放出源及びその作製方法、並びにこの電子放出源を備えた画像表示装置の製造方法を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the prior art and grow using catalytic metal particles formed using a coaxial vacuum arc deposition apparatus equipped with a coaxial vacuum arc deposition source. An object of the present invention is to provide an electron emission source having a carbon nanofiber or graphite nanofiber that has been squeezed, a method for manufacturing the electron emission source, and a method for manufacturing an image display device including the electron emission source.
本発明の電子放出源は、円筒状のトリガ電極と触媒金属で少なくとも先端部が構成された円筒状のカソード電極とが、円板状の絶縁碍子を挟んで隣接して配置され、そしてカソード電極とトリガ電極との周りに同軸状に円筒状のアノード電極が配置されている同軸型真空アーク蒸着源を備えている同軸型真空アーク蒸着装置を用い、トリガ電極とアノード電極との間にトリガ放電をパルス的に発生させ、カソード電極とアノード電極との間にアーク放電を断続的に誘起させることにより基板上に形成された触媒金属からなる触媒粒子を用いて成長させたカーボンナノファイバー(ＣＮＦ)又はグラファイトナノファイバー(ＧＮＦ)を有することを特徴とする。 An electron emission source according to the present invention includes a cylindrical trigger electrode and a cylindrical cathode electrode having at least a tip portion made of a catalytic metal, arranged adjacent to each other with a disc-shaped insulator interposed therebetween, and the cathode electrode Trigger discharge between the trigger electrode and the anode electrode using a coaxial vacuum arc deposition apparatus having a coaxial vacuum arc deposition source in which a cylindrical anode electrode is coaxially arranged around the trigger electrode Of carbon nanofibers (CNF) grown using catalyst particles made of catalytic metal formed on a substrate by intermittently inducing arc discharge between a cathode electrode and an anode electrode. Or it has a graphite nanofiber (GNF).
前記触媒金属は、鉄、ニッケル、銅、コバルト又はこれらの金属から選ばれた少なくとも１つの金属を含む合金であることを特徴とする。 The catalyst metal is iron, nickel, copper, cobalt, or an alloy containing at least one metal selected from these metals.
上記電子放出源の場合、形成された触媒粒子の粒径が小さいため、ＣＮＦ又はＧＮＦは、直径が小さくなり、分散成長しやすく、電子放出特性に優れているので、電子放出源として有用である。 In the case of the electron emission source, since the particle diameter of the formed catalyst particles is small, CNF or GNF has a small diameter, is easy to disperse and grows, and is excellent in electron emission characteristics, and thus is useful as an electron emission source. .
また、本発明の電子放出源の作製方法は、円筒状のトリガ電極と触媒金属で少なくとも先端部が構成された円筒状のカソード電極とが、円板状の絶縁碍子を挟んで隣接して配置され、そしてカソード電極とトリガ電極との周りに同軸状に円筒状のアノード電極が配置されている同軸型真空アーク蒸着源を備えている同軸型真空アーク蒸着装置を用い、トリガ電極とアノード電極との間にトリガ放電をパルス的に発生させ、カソード電極とアノード電極との間にアーク放電を断続的に誘起させて、基板上に触媒金属からなる触媒粒子を形成し、次いでこの基板に対してＣＮＦ又はＧＮＦ用原料を供給し、触媒粒子上にＣＮＦ又はＧＮＦを成長させて、このＣＮＦ又はＧＮＦを有する電子放出源を作製することを特徴とする。 In addition, according to the method for producing an electron emission source of the present invention, a cylindrical trigger electrode and a cylindrical cathode electrode having at least a tip formed of a catalyst metal are disposed adjacent to each other with a disc-shaped insulator interposed therebetween. And using a coaxial vacuum arc deposition apparatus comprising a coaxial vacuum arc deposition source in which a cylindrical anode electrode is coaxially disposed around the cathode electrode and the trigger electrode, the trigger electrode and the anode electrode Trigger discharge is generated in a pulsed manner, and arc discharge is intermittently induced between the cathode electrode and the anode electrode to form catalyst particles made of catalyst metal on the substrate. A raw material for CNF or GNF is supplied, CNF or GNF is grown on the catalyst particles, and an electron emission source having this CNF or GNF is produced.
前記作製方法において、触媒金属は、鉄、ニッケル、銅、コバルト又はこれらの金属から選ばれた少なくとも１つの金属を含む合金であることを特徴とする。 In the manufacturing method, the catalyst metal is iron, nickel, copper, cobalt, or an alloy containing at least one metal selected from these metals.
本発明の画像表示装置の製造方法は、複数の電子放出源と、前記電子放出源からの電子の放出によって発光する発光部材とを有する画像表出装置の製造方法であって、この電子放出源として、上記した電子放出源を用いるか、又は上記した作製方法によって電子放出源を作製することを特徴とする。 An image display device manufacturing method according to the present invention is a method for manufacturing an image display device having a plurality of electron emission sources and a light emitting member that emits light when electrons are emitted from the electron emission sources. As described above, the electron emission source is used or the electron emission source is manufactured by the manufacturing method described above.
本発明によれば、同軸型真空アーク蒸着源を備えた同軸型真空アーク蒸着装置を用いて形成した触媒粒子を利用することにより、直径が小さく、分散成長したＣＮＦやＧＮＦを提供できるので、このようなＣＮＦやＧＮＦを有する電子放出源は、ＦＥＤのような次世代フラットパネルディスプレイ等の電子放出エミッタを製造する際に、有用な電子放出源として利用できるという効果を奏する。 According to the present invention, by using catalyst particles formed using a coaxial vacuum arc deposition apparatus equipped with a coaxial vacuum arc deposition source, it is possible to provide CNF and GNF having a small diameter and dispersed growth. Such an electron emission source having CNF or GNF has an effect that it can be used as a useful electron emission source when manufacturing an electron emission emitter such as a next generation flat panel display such as an FED.
また、本発明によれば、満足できる電子放出特性により所望の発光が行われ得る画像表示装置を提供できるという効果を奏する。 Further, according to the present invention, there is an effect that it is possible to provide an image display device capable of performing desired light emission with satisfactory electron emission characteristics.
本発明の電子放出源では、同軸型真空アーク蒸着源を備えた同軸型真空アーク蒸着装置を用いて形成した触媒粒子(ナノ金属粒子)上に成長させたＣＮＦやＧＮＦをカーボンナノ材料として用いることにより、電子放出特性を向上せしめている。前述の通り、ＥＢ蒸着法やスパッタ法で成膜した触媒金属は、膜状になってしまい、ＣＮＦやＧＮＦを、直径を細く、かつ分散して成長させることは困難である。そのため、スパッタ法等で成膜した触媒金属を用いて成長させたＣＮＦやＧＮＦからなる電子放出源を、例えばＦＥＤ用電子放出源として使用する場合、満足できる電子放出特性を得ることができない。 In the electron emission source of the present invention, CNF or GNF grown on catalyst particles (nano metal particles) formed using a coaxial vacuum arc deposition apparatus equipped with a coaxial vacuum arc deposition source is used as a carbon nanomaterial. As a result, the electron emission characteristics are improved. As described above, the catalyst metal formed by the EB vapor deposition method or the sputtering method becomes a film shape, and it is difficult to grow CNF or GNF with a small diameter and dispersion. Therefore, when an electron emission source made of CNF or GNF grown using a catalyst metal formed by sputtering or the like is used as, for example, an electron emission source for FED, satisfactory electron emission characteristics cannot be obtained.
ＥＢ蒸着法により鉄を５ｎｍ厚さで成膜した基板を用いて、公知のＣＶＤ法(プロセス条件：Ｈ２：ＣＯ＝１：１、５２５℃、２０分保持)により、この鉄触媒上に成長させたＧＮＦのＳＥＭ写真像を図１に示す。図１から明らかなように、ＧＮＦの直径は約５００ｎｍと大きく、高密度で成長していることが分かる。 Growing on this iron catalyst by a well-known CVD method (process condition: H 2 : CO = 1: 1, 525 ° C., hold for 20 minutes) using a substrate on which iron is deposited to a thickness of 5 nm by EB vapor deposition FIG. 1 shows an SEM photographic image of the GNF thus obtained. As can be seen from FIG. 1, the GNF has a large diameter of about 500 nm and grows at a high density.
本発明の電子放出源として好適に用いられるＣＮＦやＧＮＦのようなファイバー状の場合、直径が細くかつ低密度成長している方が電子放出特性が向上する。これに対して、図１に示すように、ファイバー直径が太く高密度成長しているナノカーボン材料からなる電子放出源では、電子放出特性が悪くなってしまう。 In the case of a fiber shape such as CNF or GNF that is preferably used as the electron emission source of the present invention, the electron emission characteristics are improved when the diameter is narrow and the growth is low. On the other hand, as shown in FIG. 1, an electron emission source made of a nanocarbon material having a thick fiber diameter and growing at a high density deteriorates the electron emission characteristics.
上述したように、直径が細く、かつ低密度成長しているＣＮＦやＧＮＦを有する電子放出源を作製するには、同軸型真空アーク蒸着源を備えた同軸型真空アーク蒸着装置(アークプラズマガン：ＡＰＧ)を用いて、所定の粒径の触媒粒子を形成し、この触媒粒子をＣＮＦやＧＮＦ成長用触媒として用い、所定の原料ガスを供給してＣＮＦやＧＮＦを作製すれば良い。直径が細く、かつ低密度成長しているＣＮＦやＧＮＦを用いることにより、ＦＥＤのような次世代フラットパネルディスプレイにとって不可欠な電子放出特性を向上させることが可能な電子放出源を提供することができる。 As described above, in order to produce an electron emission source having CNF or GNF having a small diameter and growing at a low density, a coaxial vacuum arc deposition apparatus (arc plasma gun: provided with a coaxial vacuum arc deposition source). APG) is used to form catalyst particles having a predetermined particle diameter, and the catalyst particles are used as a catalyst for CNF or GNF growth, and a predetermined raw material gas is supplied to produce CNF or GNF. By using CNF or GNF having a small diameter and low density growth, it is possible to provide an electron emission source capable of improving the electron emission characteristics indispensable for the next generation flat panel display such as FED. .
本発明において使用する蒸着装置としては、円筒状のトリガ電極と、鉄、ニッケル、銅、又はコバルト等の触媒金属材料(これら金属の合金も含む)で少なくとも先端部が構成された円筒状のカソード電極と、このトリガ電極及びカソード電極の間に両者を離間させるために設けられた円板状の絶縁碍子と、カソード電極とトリガ電極との周りに同軸状に配置された円筒状のアノード電極とを有する同軸型真空アーク蒸着源を備え、この蒸着源のコンデンサを蒸着源近傍に設けてある同軸型真空アーク蒸着装置を用いる。上記カソード電極は、その全体が上記触媒金属材料で構成されていても、その先端部であるアノード電極の開口側方向の端部が上記触媒金属材料で構成されていても良い。 The vapor deposition apparatus used in the present invention includes a cylindrical trigger electrode and a cylindrical cathode having at least a tip portion made of a catalytic metal material (including alloys of these metals) such as iron, nickel, copper, or cobalt. An electrode, a disk-like insulator provided between the trigger electrode and the cathode electrode, and a cylindrical anode electrode coaxially disposed around the cathode electrode and the trigger electrode A coaxial vacuum arc vapor deposition apparatus having a coaxial vacuum arc vapor deposition source with a vapor deposition source capacitor provided in the vicinity of the vapor deposition source is used. The cathode electrode may be entirely composed of the catalytic metal material, or the end of the anode electrode at the opening side direction as the tip may be composed of the catalytic metal material.
上記蒸着装置を用い、例えば、放電電圧を５０Ｖ以上、好ましくは５０Ｖ〜８００Ｖ、コンデンサ容量を８８００μＦ以下、間欠運転の周期を１〜１０Ｈｚ、放電時間を１０００μｓ以下、好ましくは３００μｓ以下に設定して、トリガ電極とアノード電極との間にトリガ放電を発生させて、カソード電極とアノード電極との間にアーク放電を誘起させ、そしてカソード電極を構成する触媒金属から生じるプラズマ化されている金属粒子を蒸着装置の真空チャンバ内へ放出せしめ、真空チャンバ上方に設置された基板に供給し、基板上に触媒金属からなるナノ粒子を形成することができる。このような放電条件を用いれば、２〜５ｎｍ程度の触媒粒子を形成することができると共に、触媒粒子を基板に密着性よくつけることもできる。 Using the above deposition apparatus, for example, the discharge voltage is set to 50 V or more, preferably 50 V to 800 V, the capacitor capacity is 8800 μF or less, the intermittent operation period is 1 to 10 Hz, the discharge time is 1000 μs or less, preferably 300 μs or less, A trigger discharge is generated between the trigger electrode and the anode electrode, an arc discharge is induced between the cathode electrode and the anode electrode, and plasmaized metal particles generated from the catalytic metal constituting the cathode electrode are deposited. It can be discharged into the vacuum chamber of the apparatus and supplied to a substrate placed above the vacuum chamber, and nanoparticles made of catalytic metal can be formed on the substrate. When such discharge conditions are used, catalyst particles of about 2 to 5 nm can be formed and the catalyst particles can be attached to the substrate with good adhesion.
本発明で使用できる好ましい基板としては、電子放出源用の基板、例えばシリコン、アモルファスカーボン、シリカ等からなる基板を挙げることができる。 As a preferable substrate that can be used in the present invention, a substrate for an electron emission source, for example, a substrate made of silicon, amorphous carbon, silica or the like can be mentioned.
上記した同軸型真空アーク蒸着源を備えた同軸型真空アーク蒸着装置を用いて行う触媒粒子を形成する方法の一実施の形態について、以下、この蒸着装置の一構成例を模式的に示す図２を参照して説明する。 FIG. 2 schematically shows a configuration example of the vapor deposition apparatus according to an embodiment of the method of forming catalyst particles performed using the coaxial vacuum arc vapor deposition apparatus provided with the coaxial vacuum arc vapor deposition source. Will be described with reference to FIG.
図２を参照すれば、同軸型真空アーク蒸着装置２は、円筒状の真空チャンバ２１を有し、この真空チャンバ内の上方には、基板ステージ２２が水平に配置されている。真空チャンバ２１の上部壁には、基板ステージ２２を水平面内で回転させることができるように、基板ステージの上面の中心部に接続したモーター等の回転駆動手段２３を有する回転機構２４が設けられている。 Referring to FIG. 2, the coaxial vacuum arc deposition apparatus 2 includes a cylindrical vacuum chamber 21, and a substrate stage 22 is horizontally disposed above the vacuum chamber. The upper wall of the vacuum chamber 21 is provided with a rotation mechanism 24 having a rotation driving means 23 such as a motor connected to the center of the upper surface of the substrate stage so that the substrate stage 22 can be rotated in a horizontal plane. Yes.
被処理基板Ｓが固定される基板ステージ２２の面と反対側の面には、真空チャンバ壁面との間にヒータ等の加熱手段２５が設けられ、基板を所定の温度に加熱できるようになっている。１又は複数枚の被処理基板Ｓが保持・固定されて取り付けられ得る側の基板ステージ２２の面と対向して、真空チャンバ２１の下方には、１又は複数個の後述する同軸型真空アーク蒸着源３が、アノード電極３１の開口部Ａを真空チャンバ２１内へ向けて配置されている。 A heating means 25 such as a heater is provided between the surface of the substrate stage 22 on which the substrate S to be processed is fixed and the vacuum chamber wall surface so that the substrate can be heated to a predetermined temperature. Yes. Opposite to the surface of the substrate stage 22 on the side where one or a plurality of substrates to be processed S can be held, fixed and mounted, below the vacuum chamber 21 are one or a plurality of coaxial vacuum arc depositions to be described later. A source 3 is arranged with the opening A of the anode electrode 31 facing the vacuum chamber 21.
被処理基板Ｓの近傍には膜厚測定子(図示せず)を取り付けて、基板に付着する触媒粒子の大きさを測定できるように構成してもよい。 A film thickness gauge (not shown) may be attached in the vicinity of the substrate to be processed S so that the size of the catalyst particles adhering to the substrate can be measured.
真空チャンバ２１の壁面には、ガス導入系２６及び真空排気系２７が接続されている。このガス導入系２６は、バルブ２６１、マスフローコントローラー２６２及びガスボンベ２６３がこの順序で金属製配管で接続されて構成されている。また、真空排気系２７は、バルブ２７１、ターボ分子ポンプ２７２、バルブ２７３及びロータリーポンプ２７４がこの順序で金属製真空配管で接続されており、真空チャンバ２１内を好ましくは１０−５Ｐａ以下に真空排気できるように構成されている。 A gas introduction system 26 and a vacuum exhaust system 27 are connected to the wall surface of the vacuum chamber 21. The gas introduction system 26 is configured by connecting a valve 261, a mass flow controller 262, and a gas cylinder 263 with metal pipes in this order. The vacuum exhaust system 27 includes a valve 271, a turbo molecular pump 272, a valve 273, and a rotary pump 274 connected in this order by metal vacuum piping, and the inside of the vacuum chamber 21 is preferably evacuated to 10 −5 Pa or less. It is configured to be able to exhaust.
図２に示すような、同軸型真空アーク蒸着装置２に設けられた同軸型真空アーク蒸着源３について以下説明する。 A coaxial vacuum arc deposition source 3 provided in the coaxial vacuum arc deposition apparatus 2 as shown in FIG. 2 will be described below.
この蒸着源３は、一端が閉じ他端が開口し、ステンレス等から構成されている円筒状のアノード電極３１と、鉄等の触媒金属材料で構成されている円筒状のカソード電極３２と、ステンレス等から構成されている円板状のトリガ電極(例えば、リング状のトリガ電極)３３とから構成されている。 The vapor deposition source 3 has a cylindrical anode electrode 31 made of stainless steel or the like, a cylindrical cathode electrode 32 made of a catalytic metal material such as iron, and stainless steel. And a disc-shaped trigger electrode (for example, a ring-shaped trigger electrode) 33.
カソード電極３２は、アノード電極３１の内部に同軸状にアノード電極の壁面から一定の距離だけ離して設けられている。カソード電極３２は、その少なくとも先端部(アノード電極３１の開口部Ａ側方向の端部に相当する)だけが、同軸型真空アーク蒸着源のターゲットとなる前記金属材料から構成されていても良い。 The cathode electrode 32 is provided coaxially inside the anode electrode 31 and separated from the wall surface of the anode electrode by a certain distance. At least the tip of the cathode electrode 32 (corresponding to the end of the anode electrode 31 in the direction of the opening A) may be made of the metal material that is the target of the coaxial vacuum arc deposition source.
トリガ電極３３は、ターゲット材料からなるカソード電極３２との間にアルミナ等から構成された絶縁碍子(ワッシャ碍子)３４を挟んで取り付けられている。カソード電極３２と絶縁碍子３４とトリガ電極３３の３つの部品は図示していないが、ネジ等で密着させて取り付けられている。絶縁碍子３４はカソード電極３２とトリガ電極３３とを絶縁するように取り付けられている。また、トリガ電極３３は絶縁体３５を介してカソード電極３２に取り付けられていてもよい。これらのアノード電極３１とカソード電極３２とトリガ電極３３とは、絶縁碍子３４及び絶縁体３５により電気的に絶縁が保たれていることが好ましい。この絶縁碍子３４と絶縁体３５とは一体型に構成されたものであっても別々に構成されたものでも良い。なお、アノード電極３１は、図示していないが、真空チャンバ２１の底面に取り付けられた真空フランジに支柱で取り付けられている。 The trigger electrode 33 is attached to a cathode electrode 32 made of a target material with an insulator (washer insulator) 34 made of alumina or the like interposed therebetween. Although not shown in the figure, the three components, the cathode electrode 32, the insulator 34, and the trigger electrode 33, are attached in close contact with screws or the like. The insulator 34 is attached so as to insulate the cathode electrode 32 and the trigger electrode 33 from each other. The trigger electrode 33 may be attached to the cathode electrode 32 via the insulator 35. These anode electrode 31, cathode electrode 32, and trigger electrode 33 are preferably electrically insulated by an insulator 34 and an insulator 35. The insulator 34 and the insulator 35 may be formed integrally or separately. Although not shown, the anode electrode 31 is attached to a vacuum flange attached to the bottom surface of the vacuum chamber 21 with a support.
カソード電極３２とトリガ電極３３との間にはパルストランスからなるトリガ電源３６が接続されており、また、カソード電極３２とアノード電極３１との間にはアーク電源３７が接続されている。アーク電源３７は直流電圧源３７１とコンデンサユニット３７２とからなり、この直流電圧源の両端は、アノード電極３１とカソード電極３２とに接続され、コンデンサユニット３７２と直流電圧源３７１とは並列接続されている。 A trigger power source 36 composed of a pulse transformer is connected between the cathode electrode 32 and the trigger electrode 33, and an arc power source 37 is connected between the cathode electrode 32 and the anode electrode 31. The arc power source 37 includes a DC voltage source 371 and a capacitor unit 372. Both ends of the DC voltage source are connected to the anode electrode 31 and the cathode electrode 32, and the capacitor unit 372 and the DC voltage source 371 are connected in parallel. Yes.
本発明においては、このコンデンサユニット３７２は同軸型真空アーク蒸着源３の近傍に取り付けられる。すなわち、カソード電極３２及びアノード電極３１との接続ラインを短く、例えば、１００ｍｍ以下、好ましくは１０ｍｍ〜１００ｍｍ程度の距離になるように取り付けることが必要である。これにより、同軸型真空アーク蒸着源３が所望の放電機能を果たすことができる。 In the present invention, the capacitor unit 372 is attached in the vicinity of the coaxial vacuum arc deposition source 3. That is, it is necessary to attach the cathode electrode 32 and the anode electrode 31 so that the connection line is short, for example, a distance of 100 mm or less, preferably about 10 mm to 100 mm. Thereby, the coaxial vacuum arc evaporation source 3 can fulfill a desired discharge function.
コンデンサユニット３７２は、複数個のコンデンサ(図２では、３個のコンデンサを例示してある)が接続したものであって、その１つの容量が例えば２２００μＦであり、直流電圧源３７１により随時充電される。トリガ電源３６は、例えば入力２００Ｖのμ秒のパルス電圧を約１７倍に変圧して、３．４ｋＶ(数μＡ)、極性：プラスを出力している。アーク電源３７は、例えば８００Ｖ、数Ａの容量の直流電源であって、コンデンサユニット３７２(４個のコンデンサの場合、８８００μＦ)を充電している。この充電時間を約０．１〜１秒とすれば、本システムにおいて４個のコンデンサからなるコンデンサユニットを用いる場合、８８００μＦで放電を繰り返す場合の周期は１〜１０Ｈｚで行われ得る。トリガ電源３６のプラス出力端子は、トリガ電極３３に接続され、マイナス端子は、アーク電源３７のマイナス側出力端子と同じ電位に接続され、カソード電極３２に接続されている。アーク電源３７のプラス端子はグランド電位に接地され、アノード電極３１に接続されている。コンデンサユニット３７２の両端子は直流電圧源３７１のプラス端子及びマイナス端子間に接続されている。 The capacitor unit 372 is connected to a plurality of capacitors (three capacitors are illustrated in FIG. 2), and one capacitor thereof is, for example, 2200 μF, and is charged at any time by the DC voltage source 371. The The trigger power source 36 transforms, for example, a pulse voltage of μs of input 200 V by about 17 times, and outputs 3.4 kV (several μA) and polarity: plus. The arc power source 37 is a DC power source having a capacity of, for example, 800 V and several A, and charges the capacitor unit 372 (8800 μF in the case of four capacitors). If this charging time is about 0.1 to 1 second, when a capacitor unit consisting of four capacitors is used in the present system, the cycle when discharging is repeated at 8800 μF can be performed at 1 to 10 Hz. The positive output terminal of the trigger power source 36 is connected to the trigger electrode 33, and the negative terminal is connected to the same potential as the negative side output terminal of the arc power source 37 and connected to the cathode electrode 32. The plus terminal of the arc power supply 37 is grounded to the ground potential and connected to the anode electrode 31. Both terminals of the capacitor unit 372 are connected between the positive terminal and the negative terminal of the DC voltage source 371.
上記同軸型真空アーク蒸着源３を用いてアーク放電を誘起させるには、例えば、まず、直流電圧源３７１により４個のコンデンサからなるコンデンサユニット３７２に１００Ｖで電荷を充電し、コンデンサユニット３７２の容量を８８００μＦに設定する。 In order to induce arc discharge using the coaxial vacuum arc deposition source 3, for example, first, a capacitor unit 372 composed of four capacitors is charged with 100 V by a DC voltage source 371, and the capacitance of the capacitor unit 372 is charged. Is set to 8800 μF.
この充電電圧をアノード電極３１とカソード電極３２とに印加する。この場合、触媒金属材料には、カソード電極３２を介してコンデンサユニット３７２が出力する負電圧が印加される。この状態で、トリガ電源３６からトリガ電極３３に３．４ｋＶのパルス状電圧を出力し、カソード電極３２とトリガ電極３３との間に絶縁碍子３４を介して印加すると、カソード電極３２とトリガ電極３３との間にトリガ放電(絶縁碍子３４表面での沿面放電)が発生する。カソード電極３２と絶縁碍子３４とのつなぎ目からは電子が放出される。 This charging voltage is applied to the anode electrode 31 and the cathode electrode 32. In this case, a negative voltage output from the capacitor unit 372 is applied to the catalytic metal material via the cathode electrode 32. In this state, when a pulse voltage of 3.4 kV is output from the trigger power source 36 to the trigger electrode 33 and applied between the cathode electrode 32 and the trigger electrode 33 via the insulator 34, the cathode electrode 32 and the trigger electrode 33 are output. Trigger discharge (creeping discharge on the surface of the insulator 34) occurs. Electrons are emitted from the joint between the cathode electrode 32 and the insulator 34.
上記したトリガ放電によって、アノード電極３１とカソード電極３２との間の耐電圧が低下し、アノード電極の内周面とカソード電極の側面との間で、コンデンサユニット３７２に蓄電された電荷がアーク放電される。 Due to the trigger discharge described above, the withstand voltage between the anode electrode 31 and the cathode electrode 32 decreases, and the electric charge stored in the capacitor unit 372 is arced between the inner peripheral surface of the anode electrode and the side surface of the cathode electrode. Is done.
コンデンサユニット３７２に充電された電荷のアーク放電により、多量の電流がカソード電極３２に流れ、カソード電極３２の側面から鉄等の触媒金属材料の蒸気が放出され、プラズマ化される。この時、アーク電流は、カソード電極３２の中心軸上を流れ、アノード電極３１内に磁界が形成される。コンデンサユニット３７２に蓄電された電荷の放出により放電は停止する。このトリガ放電を複数回繰り返し、そのトリガ放電毎にアーク放電を誘起させることが好ましい。 A large amount of current flows to the cathode electrode 32 due to arc discharge of the electric charge charged in the capacitor unit 372, and vapor of a catalytic metal material such as iron is released from the side surface of the cathode electrode 32 to be converted into plasma. At this time, the arc current flows on the central axis of the cathode electrode 32, and a magnetic field is formed in the anode electrode 31. Discharging is stopped by the release of the electric charge stored in the capacitor unit 372. It is preferable to repeat this trigger discharge a plurality of times and induce arc discharge for each trigger discharge.
アーク放電によりカソード電極３２からアノード電極３１内に放出された電子は、アーク電流によって形成される磁界により電流が流れる向きとは逆向きのローレンツ力を受けて飛行し、開口部Ａから真空チャンバ２１内へ放出される。 Electrons emitted from the cathode electrode 32 into the anode electrode 31 by the arc discharge fly by receiving a Lorentz force in the direction opposite to the direction in which the current flows by the magnetic field formed by the arc current, and fly from the opening A to the vacuum chamber 21. It is released inside.
すなわち、同軸型真空アーク蒸着源３での上記したアーク放電の間、カソード電極３２を構成する触媒金属材料の融解により発生した微粒子(プラズマ化している原子状イオンやクラスタや電子等)が形成される。このカソード電極から放出された金属の蒸気には、荷電粒子であるイオンと中性粒子とが含まれており、電荷が質量に比べて小さい(電荷質量比の小さい)巨大荷電粒子や中性粒子は直進し、アノード電極３１の壁面に衝突するが、電荷質量比の大きな荷電粒子であるイオンは、クーロン力により電子に引きつけられるように飛行し、アノード電極の開口部(放出口)Ａから真空チャンバ２１内へ放出される。 That is, during the arc discharge in the coaxial vacuum arc deposition source 3, fine particles (such as plasma-generated atomic ions, clusters, and electrons) generated by melting of the catalytic metal material constituting the cathode electrode 32 are formed. The The metal vapor released from the cathode electrode contains charged particles of ions and neutral particles, and the charge is small compared to the mass (small charge-to-mass ratio). Goes straight and collides with the wall surface of the anode electrode 31, but ions, which are charged particles having a large charge-mass ratio, fly so as to be attracted to electrons by Coulomb force, and are vacuumed from the opening (emission port) A of the anode electrode. Released into the chamber 21.
上記した金属微粒子の放出は、詳細には次のようにして行われる。カソード電極３２に多量の電流が流れるので、カソード電極に磁場が形成され、この時発生したプラズマ中の電子(この電子はカソード電極からアノード電極３１の円筒内面に飛行する)が自己形成した磁場によってローレンツ力を受け、前方に飛行する。一方、プラズマ中のカソード電極材料の金属イオンは、電子が前記したように飛行し分極することでクーロン力により前方の電子に引きつけられるようにして前方に飛行し、被処理基板Ｓ上に触媒粒子が付着することになる。 In detail, the metal fine particles are released as follows. Since a large amount of current flows through the cathode electrode 32, a magnetic field is formed at the cathode electrode, and the electrons in the plasma generated at this time (the electrons fly from the cathode electrode to the cylindrical inner surface of the anode electrode 31) are self-formed. Receives Lorentz force and flies forward. On the other hand, the metal ions of the cathode electrode material in the plasma fly forward so that the electrons fly and polarize as described above, and are attracted to the forward electrons by the Coulomb force. Will adhere.
同軸型真空アーク蒸着源３と所定の距離(例えば、８０ｍｍ)離れた上方の位置には、被処理基板Ｓが、基板ステージ２２の中心をその中心とする同心円上を回転しながら通過している。そこで、真空チャンバ２１内へ放出された金属の蒸気中のイオン等が、同軸型真空アーク蒸着源３に対向する基板ステージ２２表面に主面を開口部Ａに向けて取り付けられている被処理基板Ｓの表面に達すると、金属微粒子が各基板表面に付着し、凝集して直径数ｎｍの触媒粒子が形成される。この被処理基板Ｓは、所望により、加熱手段２５によって所定の温度に加熱されることができる。 A substrate S to be processed passes through a concentric circle centered on the center of the substrate stage 22 at a position above the coaxial vacuum arc deposition source 3 by a predetermined distance (for example, 80 mm). . Therefore, ions to be processed in the vapor of the metal released into the vacuum chamber 21 are attached to the surface of the substrate stage 22 facing the coaxial vacuum arc deposition source 3 with the main surface facing the opening A. When reaching the surface of S, the metal fine particles adhere to the surface of each substrate and aggregate to form catalyst particles having a diameter of several nm. The substrate to be processed S can be heated to a predetermined temperature by the heating means 25 as desired.
１回のトリガ放電でアーク放電が１回誘起され、アーク電流が３００μ秒流れる。上記コンデンサユニット３７２の充電時間が約１秒である場合、１Ｈｚの周期でアーク放電を発生させることができる。所望の粒径(例えば、２〜５ｎｍ程度)に応じて、所定の回数(例えば、５〜５００回)のアーク放電を発生させ、被処理基板Ｓの表面に触媒粒子を形成せしめる。 An arc discharge is induced once by one trigger discharge, and an arc current flows for 300 μsec. When the charging time of the capacitor unit 372 is about 1 second, arc discharge can be generated with a period of 1 Hz. Depending on the desired particle size (for example, about 2 to 5 nm), arc discharge is generated a predetermined number of times (for example, 5 to 500 times) to form catalyst particles on the surface of the substrate S to be processed.
本発明では、上記した場合のアーク放電の尖頭電流が２０００Ａ以上になるように、コンデンサユニット３７２の配線長を好ましくは１０〜５０ｍｍとし、また、カソード電極３２に接続されたコンデンサユニットの容量を好ましくは２２００〜８８００μＦとし、放電電圧を５０Ｖ以上、好ましくは５０〜８００Ｖ、より好ましくは６０〜４００Ｖに設定して、１回のアーク放電によるアーク電流を１０００μ秒以下、好ましくは３００μ秒以下の短い時間で消滅させるようにすることが望ましい。また、このトリガ放電は、１秒に１〜１０回程度発生させることが好ましい。 In the present invention, the wiring length of the capacitor unit 372 is preferably 10 to 50 mm so that the peak current of arc discharge in the above case is 2000 A or more, and the capacity of the capacitor unit connected to the cathode electrode 32 is It is preferably set to 2200 to 8800 μF, the discharge voltage is set to 50 V or more, preferably 50 to 800 V, more preferably 60 to 400 V, and the arc current by one arc discharge is 1000 μsec or less, preferably 300 μsec or less. It is desirable to make it disappear with time. The trigger discharge is preferably generated about 1 to 10 times per second.
上記したようにして形成した触媒粒子を有する基板に対してＣＮＦやＧＮＦを作製するために用いる原料は、特に制限されず、公知の原料を使用できる。例えば、Ｈ２とＣＯ(例えば、１：１の流量割合)との組み合わせや、Ｈ２とＣＨ４やＣ２Ｈ２等の飽和若しくは不飽和の炭化水素又はアルコール類等との組み合わせ等を挙げることができる。この場合、炭化水素はＮ２やＡｒやＨｅ等の不活性ガスで希釈されたものであっても良い。また、ＣＮＦやＧＮＦ成長プロセスの条件も、特に制限されず、通常の成長プロセス条件で良い。例えば、熱ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、リモートプラズマ法、又はレーザーアブレーション法等を用いて、公知のプロセス条件でこのカーボンナノ材料の成長を行うことができる。好ましくは、ＣＶＤ法である。 The raw material used for producing CNF or GNF on the substrate having the catalyst particles formed as described above is not particularly limited, and a known raw material can be used. For example, combinations of H 2 and CO (for example, a flow rate ratio of 1: 1), combinations of H 2 and saturated or unsaturated hydrocarbons such as CH 4 and C 2 H 2, alcohols, etc. be able to. In this case, the hydrocarbon may be one diluted with an inert gas such as N 2 or Ar or He. Further, the conditions for the CNF and GNF growth processes are not particularly limited, and may be normal growth process conditions. For example, the carbon nanomaterial can be grown under known process conditions using a thermal CVD method, a plasma CVD method, a remote plasma method, a laser ablation method, or the like. Preferably, the CVD method is used.
また、本発明の画像表示装置の製造方法は、上記した本発明の電子放出源を用いて、公知の方法により行うことができる。例えば、複数の本発明の電子放出源と、この電子放出源からの電子の放出によって発光する発光部材とを、公知の手段で組み合せることにより画像表示装置を製造できる。 Moreover, the manufacturing method of the image display apparatus of this invention can be performed by a well-known method using the above-mentioned electron emission source of this invention. For example, an image display device can be manufactured by combining a plurality of electron emission sources of the present invention and a light emitting member that emits light by emission of electrons from the electron emission source by known means.
以下、実施例及び比較例を挙げて、本発明について詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples and Comparative Examples.
以下の実施例では、次世代フラットパネルディスプレイに欠かすことのできない電子放出源として、ＧＮＦを有する電子放出源を選び、このＧＮＦ成長用触媒となる金属粒子としてＦｅ粒子を、図２に示す同軸型真空アーク蒸着装置を用いて形成した。 In the following examples, an electron emission source having GNF is selected as an electron emission source indispensable for the next-generation flat panel display, and Fe particles are used as metal particles for the GNF growth catalyst. The coaxial type shown in FIG. It formed using the vacuum arc vapor deposition apparatus.
図２に示す同軸型真空アーク蒸着源を備えた同軸型真空アーク蒸着装置を用い、ターゲット材としてのＦｅで構成されたカソード電極を配置して、石英基板上にＦｅ触媒粒子を形成し、次いでこの触媒粒子上にＣＶＤ法によりＧＮＦを成長せしめた。 Using the coaxial vacuum arc deposition apparatus provided with the coaxial vacuum arc deposition source shown in FIG. 2, a cathode electrode composed of Fe as a target material is arranged to form Fe catalyst particles on a quartz substrate, and then GNF was grown on the catalyst particles by the CVD method.
Ｆｅ触媒粒子を形成する前に、直流電圧源３７１によりコンデンサユニット３７２に６０Ｖで電荷を充電し、コンデンサユニット３７２の容量を８８００μＦに設定した。次いで、トリガ電源３６からトリガ電極３３にパルス電圧を出力し(出力：３．４ｋＶ)、カソード電極３２とトリガ電極３３との間にワッシャ碍子３４を介して印加することで、カソード電極３２とトリガ電極３３との間にトリガ放電を発生させた。カソード電極３２とワッシャ碍子３４とのつなぎ目から電子が発生した。この時、カソード電極３２とアノード電極３１の内面との間で、コンデンサユニット３７２に蓄電された電荷がアーク放電され、カソード電極３２に多量の電流(尖頭電流)が流入し、カソード電極からＦｅのプラズマが生成された。コンデンサユニット３７２に蓄電された電荷の放出により放電が停止した。このトリガ放電を複数回(３０、５０、１００及び３００ショット)繰り返し、そのトリガ放電毎にアーク放電を誘起させた。 Before forming the Fe catalyst particles, the capacitor unit 372 was charged with 60 V by the DC voltage source 371, and the capacitance of the capacitor unit 372 was set to 8800 μF. Next, a pulse voltage is output from the trigger power source 36 to the trigger electrode 33 (output: 3.4 kV), and is applied between the cathode electrode 32 and the trigger electrode 33 via the washer insulator 34, whereby the cathode electrode 32 and the trigger electrode 33 are triggered. A trigger discharge was generated between the electrode 33 and the electrode 33. Electrons were generated from the joint between the cathode electrode 32 and the washer insulator 34. At this time, the electric charge stored in the capacitor unit 372 is arc-discharged between the cathode electrode 32 and the inner surface of the anode electrode 31, and a large amount of current (peak current) flows into the cathode electrode 32. Plasma was generated. Discharging stopped due to the discharge of the charge stored in the capacitor unit 372. This trigger discharge was repeated a plurality of times (30, 50, 100 and 300 shots), and an arc discharge was induced for each trigger discharge.
上記したアーク放電の間、Ｆｅの融解により発生した微粒子(プラズマ化している原子状イオンやクラスタや電子等)が形成された。この微粒子をアノード電極３１の開口部Ａ側から真空チャンバ２１内に放出させ、被処理基板Ｓ上に供給し、Ｆｅ粒子を形成せしめた。 During the arc discharge described above, fine particles (atomic ions, clusters, electrons, etc. that are turned into plasma) generated by melting of Fe were formed. The fine particles were discharged into the vacuum chamber 21 from the opening A side of the anode electrode 31 and supplied onto the substrate S to be formed, thereby forming Fe particles.
上記Ｆｅ粒子形成条件は、圧力：２．６６×１０−４Ｐａ、粒子形成レート：１ｎｍ／１００ショット、基板温度：２０℃であった。 The Fe particle formation conditions were as follows: pressure: 2.66 × 10 −4 Pa, particle formation rate: 1 nm / 100 shots, substrate temperature: 20 ° C.
かくして得られたＦｅ粒子の粒径は、上記ショット数に応じて、それぞれ、３、５、１０及び３０Åであった。 The particle diameters of the Fe particles thus obtained were 3, 5, 10 and 30 そ れ ぞ れ, respectively, depending on the number of shots.
次いで、ＧＮＦ成長用原料ガスとしてＨ２ガスとＣＯガス(流量：２００／２００ｓｃｃｍ)とを用い、温度５２５℃で、熱ＣＶＤ法により、上記Ｆｅ粒子上にＧＮＦを成長せしめた。 Next, GNF was grown on the Fe particles by thermal CVD at a temperature of 525 ° C. using H 2 gas and CO gas (flow rate: 200/200 sccm) as a source gas for GNF growth.
かくして作製されたＧＮＦに対して、二極測定法により、電子放出特性(Ｉ−Ｖ特性)を評価した。その際のアノード−カソード間ギャップは０．５ｍｍとし、電圧３．５ｋＶまで印加して評価した。
(比較例１)
The electron emission characteristics (IV characteristics) of the GNF thus produced were evaluated by a bipolar measurement method. In this case, the anode-cathode gap was 0.5 mm, and the voltage was applied up to 3.5 kV for evaluation.
(Comparative Example 1)
実施例１と同じ基板を用い、ＧＮＦ成長用触媒として、ＥＢ法により５０Å膜厚のＦｅ膜を形成し、次いで実施例１と同様の手法でＧＮＦ成長を行った。かくして作製されたＧＮＦに対して実施例１と同様の手法で二極測定を行って、Ｉ−Ｖ特性を評価した。 Using the same substrate as in Example 1, a 50 nm thick Fe film was formed by EB method as a GNF growth catalyst, and then GNF growth was performed in the same manner as in Example 1. Bipolar measurement was performed on the GNF thus produced in the same manner as in Example 1 to evaluate the IV characteristics.
上記実施例１で得られたＩ−Ｖ特性評価結果、すなわち各Ｆｅ粒子の粒径(Å)における電圧(ｋＶ)と電流密度(μＡ)との関係をプロットし、比較例１の結果と共に図３に示す。図３において、ＡＰＧは同軸型真空アーク蒸着源装置を用いた場合を示す。図３から明らかなように、ＥＢ蒸着法により成膜した触媒金属の上に作製されたＧＮＦよりも、同軸型真空アーク蒸着源装置を用いて形成した触媒粒子の上に作製されたＧＮＦの方が、粒径が３〜３０Åの場合に、Ｉ−Ｖ特性が向上していることが分かる。同軸型真空アーク蒸着源装置を用いた場合のうち、触媒金属を３Å粒径で形成した場合のＧＮＦが最もＩ−Ｖ特性が良いことが分かる。 The IV characteristic evaluation results obtained in Example 1 above, that is, the relationship between the voltage (kV) and the current density (μA) at the particle size (各) of each Fe particle is plotted. 3 shows. In FIG. 3, APG indicates a case where a coaxial vacuum arc deposition source apparatus is used. As apparent from FIG. 3, the GNF produced on the catalyst particles formed by using the coaxial vacuum arc vapor deposition source device is better than the GNF produced on the catalyst metal formed by the EB vapor deposition method. However, it can be seen that the IV characteristics are improved when the particle diameter is 3 to 30 mm. Of the cases where the coaxial vacuum arc deposition source apparatus is used, it can be seen that GNF when the catalytic metal is formed with a particle size of 3 mm has the best IV characteristics.
また、実施例１で得られたＧＮＦ(触媒粒子の粒径：３Å)のＳＥＭ像を図４に示す。図４から明らかなように、作製されたＧＮＦの直径は約５０ｎｍで、低密度成長していることが分かる。 Further, FIG. 4 shows an SEM image of GNF (catalyst particle diameter: 3 mm) obtained in Example 1. As can be seen from FIG. 4, the produced GNF has a diameter of about 50 nm and is grown at a low density.
本発明によれば、同軸型真空アーク蒸着装置を用いて形成した触媒金属粒子をカーボンナノ材料成長用触媒として用いることにより、直径が細く、かつ低密度成長したカーボンナノ材料を提供できるので、ＦＥＤのような次世代ディスプレイを製造する際に用いられる電子放出源の電子放出特性を向上させることができる。 According to the present invention, by using catalytic metal particles formed using a coaxial vacuum arc deposition apparatus as a carbon nanomaterial growth catalyst, it is possible to provide a carbon nanomaterial with a small diameter and a low density growth. Thus, it is possible to improve the electron emission characteristics of the electron emission source used when manufacturing the next generation display.
従って、本発明は、次世代フラットパネルディスプレイの技術分野で利用可能である。 Therefore, the present invention can be used in the technical field of next-generation flat panel displays.
２ 同軸型真空アーク蒸着装置 ３ 同軸型真空アーク蒸着源
２１ 真空チャンバ ２２ 基板ステージ
２３ 回転駆動手段 ２４ 回転機構
２５ 加熱手段 ２６ ガス導入系
２７ 真空排気系 ３１ アノード電極
３２ カソード電極 ３３ トリガ電極
３４ 絶縁碍子 ３５ 絶縁体
３６ トリガ電源 ３７ アーク電源
２６１ バルブ ２６２ マスフローコントローラー
２６３ ガスボンベ ２７１ バルブ
２７２ ターボ分子ポンプ ２７３ バルブ
２７４ ロータリーポンプ ３７１ 直流電圧源
３７２ コンデンサユニット Ａ 開口部
Ｓ 被処理基板
DESCRIPTION OF SYMBOLS 2 Coaxial type vacuum arc deposition apparatus 3 Coaxial type vacuum arc deposition source 21 Vacuum chamber 22 Substrate stage 23 Rotation drive means 24 Rotation mechanism 25 Heating means 26 Gas introduction system 27 Vacuum exhaust system 31 Anode electrode 32 Cathode electrode 33 Trigger electrode 34 Insulator 35 Insulator 36 Trigger Power Supply 37 Arc Power Supply 261 Valve 262 Mass Flow Controller 263 Gas Cylinder 271 Valve 272 Turbo Molecular Pump 273 Valve 274 Rotary Pump 371 DC Voltage Source 372 Capacitor Unit A Opening S Processed Substrate
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|---|---|
| JP2008234973A true JP2008234973A (en) | 2008-10-02 |
| JP2008234973A5 JP2008234973A5 (en) | 2010-04-02 |
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ID=39907546
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|---|---|---|---|---|
| JP2019116643A (en) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | Method and apparatus for forming graphene film |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073514A (en) * | 2004-08-30 | 2006-03-16 | Samsung Sdi Co Ltd | Electron emission element and its manufacturing method |
| WO2006120780A1 (en) * | 2005-05-10 | 2006-11-16 | Nu Eco Engineering Co., Ltd. | Carbon nanotube aggregate and method for producing same |
-
2007
- 2007-03-20 JP JP2007072268A patent/JP2008234973A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006073514A (en) * | 2004-08-30 | 2006-03-16 | Samsung Sdi Co Ltd | Electron emission element and its manufacturing method |
| WO2006120780A1 (en) * | 2005-05-10 | 2006-11-16 | Nu Eco Engineering Co., Ltd. | Carbon nanotube aggregate and method for producing same |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019116643A (en) * | 2017-12-26 | 2019-07-18 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | Method and apparatus for forming graphene film |
| JP6999164B2 (en) | 2017-12-26 | 2022-01-18 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | Graphene film formation method and its equipment |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A521 | Written amendment |
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|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111027 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120404 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120814 |