JP2008227463A - Method and apparatus for inspecting light-emitting element, method and apparatus for burn-in - Google Patents

Method and apparatus for inspecting light-emitting element, method and apparatus for burn-in Download PDF

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JP2008227463A JP2008011412A JP2008011412A JP2008227463A JP 2008227463 A JP2008227463 A JP 2008227463A JP 2008011412 A JP2008011412 A JP 2008011412A JP 2008011412 A JP2008011412 A JP 2008011412A JP 2008227463 A JP2008227463 A JP 2008227463A
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light
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light emitting
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Takeshi Yajima
猛 矢島
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for inspecting a light-emitting element, which can improve the inspection accuracy, as well. <P>SOLUTION: A method for inspecting a defect of a light-emitting element 10 includes the steps of measuring a light output of a light-emitting element while injecting a current into the light-emitting element; setting a drive current according to an injected current and a measured light output; measuring a light output, while injecting the set drive current into the light-emitting element in a forward direction; and determining whether the light-emitting element has a defect, according to the light output measured at the former step. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光素子の検査方法および検査装置、ならびにバーンイン方法およびバーンイン装置に関する。   The present invention relates to a light-emitting element inspection method and inspection apparatus, and a burn-in method and burn-in apparatus.

近年、面発光型半導体レーザ等の発光素子が注目されている。一般にこのような発光素子は、結晶構造を有する複数の半導体層を成長させることによって作製される。このような発光素子の製造は極めて複雑な工程をたどるものであるため、その製造工程においては、結晶成長工程で欠陥が生じたり、機械的応力または衝撃によって微細なクラックが発生したりすることがある。このような欠陥等を有する発光素子を識別するスクリーニング方法が開発されており、たとえば特許文献1は、光発光素子の不良品を識別する方法を開示している。特許文献1においては、駆動電流として直流電流5mAから20mAを供給し、85℃から150℃の雰囲気下で試験を行っている。しかしながら、このような方法では光発光素子の内部に存在する欠陥による特性の劣化が顕在化しないものについては、選別できない等の問題がある。
特表2005−500691号公報
In recent years, light emitting elements such as surface emitting semiconductor lasers have attracted attention. In general, such a light-emitting element is manufactured by growing a plurality of semiconductor layers having a crystal structure. Since the manufacture of such a light emitting device follows an extremely complicated process, defects may occur in the crystal growth process, or fine cracks may be generated due to mechanical stress or impact. is there. A screening method for identifying a light emitting element having such a defect has been developed. For example, Patent Document 1 discloses a method for identifying a defective product of a light emitting element. In Patent Document 1, a direct current of 5 mA to 20 mA is supplied as a drive current, and the test is performed in an atmosphere of 85 ° C. to 150 ° C. However, in such a method, there is a problem that it is not possible to sort out those in which deterioration of characteristics due to defects existing inside the light emitting element is not obvious.
Japanese translation of PCT publication No. 2005-500691

本発明の目的は、検査精度を向上させることのできる発光素子の検査方法および検査装置、ならびに効率的に発光素子の光出力の初期変動を除去できるバーンイン方法およびバーンイン装置を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a light-emitting element inspection method and inspection apparatus capable of improving inspection accuracy, and a burn-in method and burn-in apparatus capable of efficiently removing the initial fluctuation of the light output of the light-emitting element.

本発明の第1の形態にかかる発光素子の検査方法は、
発光素子の欠陥を検査する検査方法であって、
(a)発光素子に電流を注入しながら当該発光素子の光出力を測定するステップと、
(b)注入した電流および測定した光出力に基づいて、駆動電流を決定するステップと、
(c)決定した前記駆動電流を前記発光素子に順方向に注入しながら光出力を測定するステップと、
(d)前記光出力に基づいて、前記発光素子の欠陥の有無を判断するステップと、
を含む。
The light-emitting element inspection method according to the first aspect of the present invention includes:
An inspection method for inspecting a defect of a light emitting element,
(A) measuring the light output of the light emitting element while injecting current into the light emitting element;
(B) determining a drive current based on the injected current and the measured light output;
(C) measuring the light output while injecting the determined drive current into the light emitting element in the forward direction;
(D) determining the presence or absence of a defect in the light emitting element based on the light output;
including.

本発明にかかる発光素子の検査方法によれば、発光素子に適した駆動電流により、欠陥を検出するため、検出力を格段に向上させることができる。また、発光素子に適した駆動電流で短時間に欠陥を検出することができるため、検査による発光素子の短命化を抑えることができる。   According to the method for inspecting a light emitting element according to the present invention, since a defect is detected by a driving current suitable for the light emitting element, the detection power can be remarkably improved. In addition, since a defect can be detected in a short time with a driving current suitable for the light-emitting element, it is possible to suppress shortening of the life of the light-emitting element due to inspection.

本発明の第1の形態にかかる発光素子の検査方法において、
前記ステップ(b)では、注入した電流および測定した光出力に基づいて前記発光素子の電流−光出力特性を求め、当該電流−光出力特性を用いて駆動電流を決定することができる。
In the inspection method of the light emitting device according to the first aspect of the present invention,
In the step (b), the current-light output characteristic of the light emitting element is obtained based on the injected current and the measured light output, and the drive current can be determined using the current-light output characteristic.

本発明の第1の形態にかかる発光素子の検査方法において、
前記ステップ(b)と(c)の間に、
発光素子を所定温度環境下に投入するステップをさらに含むことができる。
In the inspection method of the light emitting device according to the first aspect of the present invention,
Between steps (b) and (c),
The method may further include putting the light emitting device into a predetermined temperature environment.

本発明の第1の形態にかかる発光素子の検査方法において、
前記所定温度とは室温であることができる。
In the inspection method of the light emitting device according to the first aspect of the present invention,
The predetermined temperature may be room temperature.

本発明の第1の形態にかかる発光素子の検査方法において、
前記ステップ(b)では、
測定した光出力が最大値となる電流に基づいて駆動電流を決定することができる。
In the inspection method of the light emitting device according to the first aspect of the present invention,
In step (b),
The drive current can be determined based on the current at which the measured light output becomes the maximum value.

本発明の第1の形態にかかる発光素子の検査方法において、
前記ステップ(b)では、
測定した光出力が最大値となる電流以上であって、当該光出力が前記最大値の70%となる電流以下の電流を駆動電流として決定することができる。
In the inspection method of the light emitting device according to the first aspect of the present invention,
In step (b),
It is possible to determine, as a drive current, a current that is equal to or greater than a current at which the measured light output is a maximum value and is equal to or less than a current at which the light output is 70% of the maximum value.

本発明の第1の形態にかかる発光素子の検査方法において、
前記ステップ(c)では、
前記光出力の初期値と、前記駆動電流の注入開始から所定時間経過後の光出力とを少なくとも測定し、
前記ステップ(d)では、
前記所定時間経過後の光出力の前記初期値に対する変化率が所定値以上の場合に、前記発光素子が欠陥を有すると判断することができる。
In the inspection method of the light emitting device according to the first aspect of the present invention,
In step (c),
Measuring at least the initial value of the light output and the light output after a predetermined time has elapsed from the start of injection of the drive current;
In step (d),
When the rate of change of the light output after the predetermined time with respect to the initial value is greater than or equal to a predetermined value, it can be determined that the light emitting element has a defect.

本発明の第2の形態にかかる発光素子の検査方法は、
発光素子の欠陥を検査する検査方法であって、
(a)発光素子に電流を注入しながら当該発光素子の光出力を測定するステップと、
(b)注入した電流および測定した光出力に基づいて、駆動電流を決定するステップと、
(c)決定した前記駆動電流を前記発光素子に順方向に注入しながら端子間電圧を測定するステップと、
(d)前記端子間電圧に基づいて、前記発光素子の欠陥の有無を判断するステップと、を含むことができる。
The light-emitting element inspection method according to the second aspect of the present invention includes:
An inspection method for inspecting a defect of a light emitting element,
(A) measuring the light output of the light emitting element while injecting current into the light emitting element;
(B) determining a drive current based on the injected current and the measured light output;
(C) measuring a voltage between terminals while injecting the determined drive current into the light emitting element in a forward direction;
(D) determining whether there is a defect in the light emitting element based on the voltage between the terminals.

本発明の第2の形態にかかる発光素子の検査方法において、
前記ステップ(c)では、
前記端子間電圧の初期値と、前記駆動電流の注入開始から所定時間経過後の端子間電圧とを少なくとも測定し、
前記ステップ(d)では、
前記所定時間経過後の端子間電圧の前記初期値に対する変化率が所定値以上の場合に、前記発光素子が欠陥を有すると判断することができる。
In the inspection method of the light emitting device according to the second aspect of the present invention,
In step (c),
Measuring at least the initial value of the inter-terminal voltage and the inter-terminal voltage after elapse of a predetermined time from the start of injection of the drive current;
In step (d),
When the rate of change of the inter-terminal voltage after the predetermined time with respect to the initial value is greater than or equal to a predetermined value, it can be determined that the light emitting element has a defect.

本発明の第3の形態にかかる発光素子の検査装置は、
発光素子の欠陥を検査する検査装置であって、
発光素子に電流を注入する電流注入部と、
発光素子の光出力を測定する光出力測定部と、
注入した電流および測定した光出力に基づいて、駆動電流を決定する駆動電流決定部と、
決定した前記駆動電流を前記発光素子に注入したときの光出力の測定値に基づいて、前記発光素子の欠陥の有無を判断する欠陥判断部と、
を含む。
The light-emitting element inspection apparatus according to the third aspect of the present invention includes:
An inspection apparatus for inspecting a defect of a light emitting element,
A current injection part for injecting current into the light emitting element;
A light output measuring unit for measuring the light output of the light emitting element;
A drive current determination unit for determining a drive current based on the injected current and the measured light output;
A defect determination unit that determines the presence or absence of a defect in the light emitting element based on a measured value of light output when the determined driving current is injected into the light emitting element;
including.

本発明の第3の形態にかかる発光素子の検査装置において、
前記駆動電流決定部は、注入した電流および測定した光出力に基づいて前記発光素子の電流−光出力特性を求め、当該電流−光出力特性を用いて駆動電流を決定することができる。
In the light-emitting element inspection apparatus according to the third aspect of the present invention,
The drive current determination unit may determine a current-light output characteristic of the light emitting element based on the injected current and the measured light output, and determine the drive current using the current-light output characteristic.

本発明の第3の形態にかかる発光素子の検査装置において、
前記駆動電流決定部は、前記光出力測定部が測定した光出力が最大値となる電流に基づいて駆動電流を決定することができる。
In the light-emitting element inspection apparatus according to the third aspect of the present invention,
The drive current determination unit may determine a drive current based on a current at which the light output measured by the light output measurement unit is a maximum value.

本発明の第3の形態にかかる発光素子の検査装置において、
前記駆動電流決定部は、前記光出力測定部が測定した光出力が最大値となる電流以上であって、当該光出力が前記最大値の70%となる電流以下の電流を駆動電流として決定することができる。
In the light-emitting element inspection apparatus according to the third aspect of the present invention,
The drive current determination unit determines, as a drive current, a current that is equal to or greater than a current at which the light output measured by the light output measurement unit is a maximum value and is equal to or less than 70% of the maximum value. be able to.

本発明の第4の形態にかかる発光素子の検査装置は、
発光素子の欠陥を検査する検査装置であって、
発光素子に電流を注入する電流注入部と、
発光素子の光出力を測定する光出力測定部と、
注入した電流および測定した光出力に基づいて、駆動電流を決定する駆動電流決定部と、
決定した前記駆動電流を前記発光素子に注入したときの端子間電圧の測定値に基づいて、前記発光素子の欠陥の有無を判断する欠陥判断部と、
を含む。
The light-emitting element inspection apparatus according to the fourth aspect of the present invention is:
An inspection apparatus for inspecting a defect of a light emitting element,
A current injection part for injecting current into the light emitting element;
A light output measuring unit for measuring the light output of the light emitting element;
A drive current determination unit for determining a drive current based on the injected current and the measured light output;
A defect determination unit that determines the presence or absence of a defect in the light emitting element based on a measured value of a voltage between terminals when the determined driving current is injected into the light emitting element;
including.

本発明の第4の形態にかかる発光素子の検査装置において、
前記駆動電流決定部は、注入した電流および測定した光出力に基づいて前記発光素子の電流−光出力特性を求め、当該電流−光出力特性を用いて駆動電流を決定することができる。
In the inspection device for a light emitting device according to the fourth aspect of the present invention,
The drive current determination unit may determine a current-light output characteristic of the light emitting element based on the injected current and the measured light output, and determine the drive current using the current-light output characteristic.

本発明の第4の形態にかかる発光素子の検査装置において、
前記駆動電流決定部は、前記光出力測定部が測定した光出力が最大値となる電流に基づいて駆動電流を決定することができる。
In the inspection device for a light emitting device according to the fourth aspect of the present invention,
The drive current determination unit may determine a drive current based on a current at which the light output measured by the light output measurement unit is a maximum value.

本発明の第4の形態にかかる発光素子の検査装置において、
前記駆動電流決定部は、前記光出力測定部が測定した光出力が最大値となる電流以上であって、当該光出力が前記最大値の70%となる電流以下の電流を駆動電流として決定することができる。
In the inspection device for a light emitting device according to the fourth aspect of the present invention,
The drive current determination unit determines, as a drive current, a current that is equal to or greater than a current at which the light output measured by the light output measurement unit is a maximum value and is equal to or less than 70% of the maximum value. be able to.

本発明の第5の形態にかかる発光素子のバーンイン方法は、
発光素子の光出力の初期変動を除去するバーンイン方法であって、
(A)発光素子に電流を注入しながら当該発光素子の光出力を測定するステップと、
(B)注入した電流および測定した光出力に基づいて、駆動電流を決定するステップと、
(C)決定した前記駆動電流を所定時間以上、発光素子に注入するステップと、
を含む。
A burn-in method for a light emitting device according to the fifth aspect of the present invention is as follows.
A burn-in method for removing the initial fluctuation of the light output of the light emitting element,
(A) measuring the light output of the light emitting element while injecting current into the light emitting element;
(B) determining a drive current based on the injected current and the measured light output;
(C) injecting the determined driving current into the light emitting element for a predetermined time or more;
including.

本発明の第5の形態にかかる発光素子のバーンイン方法において、
前記ステップ(B)では、注入した電流および測定した光出力に基づいて前記発光素子の電流−光出力特性を求め、当該電流−光出力特性を用いて駆動電流を決定することができる。
In the burn-in method of the light emitting element according to the fifth aspect of the present invention,
In the step (B), the current-light output characteristic of the light emitting element is obtained based on the injected current and the measured light output, and the drive current can be determined using the current-light output characteristic.

本発明の第5の形態にかかる発光素子のバーンイン方法において、
前記ステップ(B)と(C)の間に、
発光素子を所定温度環境下に投入するステップをさらに含むことができる。
In the burn-in method of the light emitting element according to the fifth aspect of the present invention,
Between the steps (B) and (C),
The method may further include putting the light emitting device into a predetermined temperature environment.

本発明の第5の形態にかかる発光素子のバーンイン方法において、
前記ステップ(B)では、
測定した光出力が最大値となる電流に基づいて駆動電流を決定することができる。
In the burn-in method of the light emitting element according to the fifth aspect of the present invention,
In the step (B),
The drive current can be determined based on the current at which the measured light output becomes the maximum value.

本発明の第5の形態にかかる発光素子のバーンイン方法において、
前記ステップ(B)では、
測定した光出力が最大値となる電流以上であって、当該光出力が前記最大値の70%となる電流以下の電流を駆動電流として決定することができる。
In the burn-in method of the light emitting element according to the fifth aspect of the present invention,
In the step (B),
It is possible to determine, as a drive current, a current that is equal to or greater than a current at which the measured light output is a maximum value and is equal to or less than a current at which the light output is 70% of the maximum value.

本発明の第6の形態にかかる発光素子のバーンイン装置は、
発光素子の光出力の初期変動を除去するバーンイン装置であって、
発光素子に電流を注入する電流注入部と、
発光素子の光出力を測定する光出力測定部と、
注入した電流および測定した光出力に基づいて、駆動電流を決定する駆動電流決定部と、
前記駆動電流を所定時間以上、発光素子に注入する駆動電流注入部と、
を含む。
A burn-in device for a light-emitting element according to the sixth aspect of the present invention,
A burn-in device that removes initial fluctuations in light output of a light-emitting element,
A current injection part for injecting current into the light emitting element;
A light output measuring unit for measuring the light output of the light emitting element;
A drive current determination unit for determining a drive current based on the injected current and the measured light output;
A drive current injection unit for injecting the drive current into the light emitting element for a predetermined time or more;
including.

以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しながら説明する。   Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

1.発光素子の検査装置および検査方法
1.1.まず、第1の実施の形態に係る発光素子の検査装置の各構成について説明する。
1. Light-emitting element inspection apparatus and inspection method 1.1. First, each configuration of the light-emitting element inspection apparatus according to the first embodiment will be described.

図1は、本実施の形態に係る発光素子の検査装置100の機能構成を示すブロック図である。検査装置100は、発光素子10を用いて検査用の発光素子に流す駆動電流を決定する。検査装置100は、電流注入部20と、光出力測定部30と、光検出器32と、電圧測定部40と、制御部50と、出力部80と、記憶部90とを含む。制御部50は、駆動電流決定部60および欠陥判断部70を有する。   FIG. 1 is a block diagram showing a functional configuration of a light emitting element inspection apparatus 100 according to the present embodiment. The inspection apparatus 100 uses the light emitting element 10 to determine a drive current that flows through the light emitting element for inspection. The inspection apparatus 100 includes a current injection unit 20, a light output measurement unit 30, a photodetector 32, a voltage measurement unit 40, a control unit 50, an output unit 80, and a storage unit 90. The control unit 50 includes a drive current determination unit 60 and a defect determination unit 70.

電流注入部20は、発光素子10を駆動させるための順方向の電流を注入する。電流注入部20は、発光素子10に注入する電流の大きさを変化させることができる。電流注入部20は、たとえば制御部50からの指示に応じて電流の大きさを変化させることができる。   The current injection unit 20 injects a forward current for driving the light emitting element 10. The current injection unit 20 can change the magnitude of the current injected into the light emitting element 10. The current injection unit 20 can change the magnitude of the current in accordance with, for example, an instruction from the control unit 50.

発光素子10は、光を出射する機能を有する半導体装置であれば、その構造は特に限定されないが、たとえば面発光型半導体レーザであることができる。図2は、発光素子10の一例としての面発光型半導体レーザを模式的に示す断面図である。面発光型半導体レーザ10は、半導体基板11と、半導体基板11上に形成された第1ミラー12と、第1ミラー12上に形成された活性層15と、活性層15上に形成された第2ミラー14と、を有する。第1ミラー12および第2ミラー14は、複数の屈折率の異なる半導体によって構成された多層膜からなり、たとえば分布反射型多層膜ミラーであることができる。また面発光型半導体レーザ10は、第2ミラー14が有する活性層15近傍の半導体層の側面を酸化することによって形成された電流狭窄層16を有する。第1ミラー12および第2ミラー14は、不純物がドーピングされることによってp型またはn型の異なる導電型を有する。第1ミラー12は、たとえばn型に、第2ミラー14は、たとえばp型にされ、活性層15は真性半導体からなることによって、pinダイオードの共振器が形成される。   The structure of the light emitting element 10 is not particularly limited as long as it is a semiconductor device having a function of emitting light. For example, the light emitting element 10 may be a surface emitting semiconductor laser. FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a surface emitting semiconductor laser as an example of the light emitting element 10. The surface emitting semiconductor laser 10 includes a semiconductor substrate 11, a first mirror 12 formed on the semiconductor substrate 11, an active layer 15 formed on the first mirror 12, and a first mirror formed on the active layer 15. 2 mirrors 14. The first mirror 12 and the second mirror 14 are formed of a multilayer film composed of a plurality of semiconductors having different refractive indexes, and can be, for example, distributed reflection type multilayer film mirrors. The surface emitting semiconductor laser 10 also has a current confinement layer 16 formed by oxidizing the side surface of the semiconductor layer in the vicinity of the active layer 15 of the second mirror 14. The first mirror 12 and the second mirror 14 have different p-type or n-type conductivity types by being doped with impurities. The first mirror 12 is, for example, n-type, the second mirror 14 is, for example, p-type, and the active layer 15 is made of an intrinsic semiconductor, thereby forming a pin diode resonator.

さらに面発光型半導体レーザ10は、第1電極18および第2電極19を有する。第1電極18は、第2ミラー14の上面に形成されており、たとえばリング状の平面形状を有し、その開口部から上方に光が出射される。第2電極19は、半導体基板11の裏面に形成されている。第1電極18および第2電極19によって、面発光型半導体レーザ10を駆動させることができる。発光素子10は、上述したような面発光型半導体レーザに限定されず、たとえばミラーの一部が分離した外部共振器型半導体レーザであってもよい。   Further, the surface emitting semiconductor laser 10 includes a first electrode 18 and a second electrode 19. The first electrode 18 is formed on the upper surface of the second mirror 14 and has, for example, a ring-like planar shape, and light is emitted upward from the opening thereof. The second electrode 19 is formed on the back surface of the semiconductor substrate 11. The surface emitting semiconductor laser 10 can be driven by the first electrode 18 and the second electrode 19. The light emitting element 10 is not limited to the surface emitting semiconductor laser as described above, and may be, for example, an external resonator type semiconductor laser in which a part of a mirror is separated.

光検出器32は、発光素子10で生じた光の出力をモニタする機能を有する。具体的には、光検出器32は、発光素子10で生じた光を電流に変換する。この電流の値によって、発光素子10で生じた光の出力が検知される。光検出器32は、たとえばpinフォトダイオード、アバランシェフォトダイオードであることができる。   The photodetector 32 has a function of monitoring the output of light generated by the light emitting element 10. Specifically, the photodetector 32 converts light generated in the light emitting element 10 into current. The output of light generated by the light emitting element 10 is detected by the value of this current. The photodetector 32 can be, for example, a pin photodiode or an avalanche photodiode.

光出力測定部30は、光検出器32において変換された電流に基づいて光出力を測定し、測定値を示す情報を駆動電流決定部60または欠陥判断部70に送る。   The light output measurement unit 30 measures the light output based on the current converted by the photodetector 32 and sends information indicating the measurement value to the drive current determination unit 60 or the defect determination unit 70.

電圧測定部40は、発光素子10の端子間電圧を測定する。即ち、電圧測定部40は、電流注入部20によって電流が注入されている間、発光素子10の第1電極18と第2電極19との間の電圧を測定する。電圧測定部40は、測定した端子間電圧を示す情報を欠陥判断部70に送る。   The voltage measuring unit 40 measures the voltage between the terminals of the light emitting element 10. That is, the voltage measuring unit 40 measures the voltage between the first electrode 18 and the second electrode 19 of the light emitting device 10 while the current is injected by the current injection unit 20. The voltage measurement unit 40 sends information indicating the measured inter-terminal voltage to the defect determination unit 70.

駆動電流決定部60は、電流注入部20が発光素子10に注入した電流の値および発光素子10の光出力の値に基づいて、発光素子の検査のための駆動電流の大きさを決定する。具体的には、駆動電流決定部60は、発光素子10に注入すべき電流値を示す情報を電流注入部20に送る。このとき駆動電流決定部60は、複数の電流値を送ることが好ましく、当該複数の電流値は、発光素子10に最大の光出力を生じさせる程度の電流値以上の電流値を含むことがより好ましい。光出力測定部30は、たとえば発光素子10に注入する電流値を徐々に上げながら光出力を測定し、光出力の測定値がその直前の測定値より小さい値になったときに、電流注入部20が電流の注入を止めるようにしてもよい。   The drive current determination unit 60 determines the magnitude of the drive current for testing the light emitting element based on the current value injected by the current injection unit 20 into the light emitting element 10 and the light output value of the light emitting element 10. Specifically, the drive current determination unit 60 sends information indicating the current value to be injected into the light emitting element 10 to the current injection unit 20. At this time, it is preferable that the drive current determination unit 60 sends a plurality of current values, and the plurality of current values include a current value equal to or higher than a current value that causes the light emitting element 10 to generate the maximum light output. preferable. For example, the light output measuring unit 30 measures the light output while gradually increasing the current value injected into the light emitting element 10, and when the measured value of the light output becomes smaller than the previous measured value, the current injection unit 20 may stop current injection.

次いで駆動電流決定部60は、光出力測定部30から光出力の測定値を受け取り、光出力の測定値を発光素子10に注入した電流値に対応付ける。駆動電流決定部60は、対応づけた光出力の測定値と電流値を記憶部90に順次格納する。なお、制御部50が格納領域を有する場合には、駆動電流決定部60は、対応づけた光出力の測定値と電流値を当該格納領域に格納してもよい。   Next, the drive current determination unit 60 receives the measurement value of the light output from the light output measurement unit 30 and associates the measurement value of the light output with the current value injected into the light emitting element 10. The drive current determination unit 60 sequentially stores the measured light output value and the current value associated with each other in the storage unit 90. When the control unit 50 has a storage area, the drive current determination unit 60 may store the measured value and current value of the associated light output in the storage area.

次いで駆動電流決定部60は、格納した光出力の測定値と電流値に基づいて、電流−光出力特性を求める。図4は、本実施の形態にかかる電流−光出力特性の一例を示す図である。図4において、横軸は電流(mA)を示し、縦軸は光出力を示し、曲線4Aは環境温度が100℃の場合の電流−光出力特性を示し、曲線4Bは環境温度が25℃の場合の電流−光出力特性を示す。なお、光出力としては、曲線4Bの最大値を1として規格化した値を示す。曲線4Aにおいて、光出力は、12mAの電流で最大となり、23mAの電流で0となっている。曲線4Bにおいて、光出力は、20mAの電流で最大となり、35mAの電流でほぼ0となっている。このように、光出力は電流が一定の値以上になると電流を上げても減少する。   Next, the drive current determination unit 60 obtains a current-light output characteristic based on the stored measurement value and current value of the light output. FIG. 4 is a diagram illustrating an example of current-light output characteristics according to the present embodiment. In FIG. 4, the horizontal axis indicates current (mA), the vertical axis indicates light output, the curve 4A indicates current-light output characteristics when the environmental temperature is 100 ° C., and the curve 4B indicates that the environmental temperature is 25 ° C. The current-light output characteristics are shown. The light output indicates a value normalized with the maximum value of the curve 4B as 1. In the curve 4A, the light output becomes maximum at a current of 12 mA and becomes zero at a current of 23 mA. In the curve 4B, the light output becomes maximum at a current of 20 mA, and is almost 0 at a current of 35 mA. Thus, the light output decreases even if the current is increased when the current exceeds a certain value.

駆動電流決定部60は、このような曲線4Aまたは曲線4Bにおいて、光出力が最大となる電流に基づいて、駆動電流を決定する。より具体的には、駆動電流決定部60は、光出力が最大となる電流以上であって、光出力の最大値の70%となる電流以下の電流を駆動電流として決定する。曲線4Aにおいては、光出力が12mAの電流で最大となり、18mAの電流で70%となっている。よって、駆動電流決定部60は、12mA〜18mAの間のいずれかの電流値、たとえば13mAを駆動電流として決定することができる。曲線4Bにおいては、光出力が20mAの電流で最大となり、28mAの電流で70%となっている。よって、駆動電流決定部60は、20mA〜28mAの間のいずれかの電流値、たとえば25mAを駆動電流として決定することができる。   The drive current determination unit 60 determines the drive current based on the current that maximizes the light output in the curve 4A or the curve 4B. More specifically, the drive current determination unit 60 determines, as the drive current, a current that is equal to or greater than the current at which the light output is maximum and equal to or less than 70% of the maximum value of the light output. In the curve 4A, the light output becomes maximum at a current of 12 mA, and becomes 70% at a current of 18 mA. Therefore, the drive current determination unit 60 can determine any current value between 12 mA and 18 mA, for example, 13 mA as the drive current. In the curve 4B, the light output becomes maximum at a current of 20 mA, and becomes 70% at a current of 28 mA. Therefore, the drive current determination unit 60 can determine any current value between 20 mA and 28 mA, for example, 25 mA as the drive current.

駆動電流決定部60は、決定した駆動電流を示す情報を電流注入部20に送り、電流注入部20に駆動電流を発光素子10に注入させる。また、駆動電流決定部60は、決定した駆動電流や電流−光出力特性を示す情報を出力部80に送ってもよい。   The drive current determination unit 60 sends information indicating the determined drive current to the current injection unit 20 and causes the current injection unit 20 to inject the drive current into the light emitting element 10. In addition, the drive current determination unit 60 may send information indicating the determined drive current and current-light output characteristics to the output unit 80.

欠陥判断部70は、発光素子10に駆動電流を連続して注入したときの光出力を光出力測定部30から受け取り、当該光出力に基づいて発光素子10が欠陥を有するか否かを判断する。具体的には、欠陥判断部70は、光出力の初期値と、駆動電流の注入開始から所定時間経過後の光出力とを少なくとも光出力測定部30から受け取り、所定時間経過後の光出力の初期値に対する変化率が所定値以上の場合に、発光素子10が欠陥を有すると判断し、その旨を示す情報を出力部80に送る。   The defect determination unit 70 receives the light output when the drive current is continuously injected into the light emitting element 10 from the light output measurement unit 30, and determines whether the light emitting element 10 has a defect based on the light output. . Specifically, the defect determination unit 70 receives at least the optical output initial value and the optical output after a predetermined time has elapsed from the start of injection of the drive current from the optical output measuring unit 30, and the optical output after the predetermined time has elapsed. When the rate of change with respect to the initial value is equal to or greater than a predetermined value, it is determined that the light emitting element 10 has a defect, and information indicating that is sent to the output unit 80.

また欠陥判断部70は、発光素子10に駆動電流を連続して注入したときの発光素子10の端子間電圧(アノードとカソードの間の電圧)を電圧測定部40から受け取り、当該端子間電圧に基づいて発光素子10が欠陥を有するか否かを判断してもよい。具体的には、欠陥判断部70は、端子間電圧の初期値と、駆動電流の注入開始から所定時間経過後の端子間電圧とを少なくとも電圧測定部40から受け取り、所定時間経過後の端子間電圧の初期値に対する変化率が所定値以上の場合に、発光素子10が欠陥を有すると判断し、その旨を示す情報を出力部80に送る。   In addition, the defect determination unit 70 receives the voltage between the terminals of the light emitting element 10 (voltage between the anode and the cathode) when the drive current is continuously injected into the light emitting element 10 from the voltage measuring unit 40, and uses the voltage between the terminals. Based on this, it may be determined whether or not the light emitting element 10 has a defect. Specifically, the defect determination unit 70 receives the initial value of the inter-terminal voltage and the inter-terminal voltage after a predetermined time has elapsed from the start of injection of the drive current from at least the voltage measuring unit 40, and the inter-terminal voltage after the predetermined time has elapsed. When the rate of change with respect to the initial value of the voltage is equal to or greater than a predetermined value, it is determined that the light emitting element 10 has a defect, and information indicating that is sent to the output unit 80.

欠陥判断部70は、上述したように発光素子10に駆動電流を連続して注入したときの光出力と端子間電圧の双方またはいずれか一方に基づいて発光素子10が欠陥を有するか否かを判断することができる。光出力と端子間電圧の双方に基づいて欠陥の有無の判断をする場合には、いずれか一方のみの初期値に対する変化率が所定値以上の場合に、発光素子10が欠陥を有すると判断してもよいし、双方の初期値に対する変化率が所定値以上の場合に、発光素子10が欠陥を有すると判断してもよい。   As described above, the defect determination unit 70 determines whether or not the light-emitting element 10 has a defect based on the light output and / or the voltage between the terminals when the drive current is continuously injected into the light-emitting element 10. Judgment can be made. When determining the presence or absence of a defect based on both the light output and the voltage between terminals, it is determined that the light emitting element 10 has a defect when the rate of change with respect to only one of the initial values is a predetermined value or more. Alternatively, it may be determined that the light emitting element 10 has a defect when the rate of change with respect to both initial values is equal to or greater than a predetermined value.

本実施の形態にかかる検査装置100によれば、発光素子の電流−光出力特性に基づいて決定した駆動電流を発光素子10に注入するため、発光素子10に内在する欠陥を加速度的に成長、増殖させることができる。そして欠陥が成長、増殖することによって、光出力および端子間電圧の変化として現れることから、検査段階で欠陥を発見することができる。なお、欠陥の成長および増殖は、発光素子10の活性層付近の温度上昇による作用と、レーザ発振に使われない電流の作用との相乗作用によって、加速度的に助長されるものであると考えられる。   According to the inspection apparatus 100 according to the present embodiment, the drive current determined based on the current-light output characteristics of the light emitting element is injected into the light emitting element 10, so that defects inherent in the light emitting element 10 grow at an accelerated rate. Can be propagated. As the defects grow and multiply, they appear as changes in the light output and the voltage between the terminals, so that the defects can be found at the inspection stage. In addition, it is considered that the growth and multiplication of defects are accelerated by a synergistic effect of an effect of a temperature rise in the vicinity of the active layer of the light emitting element 10 and an effect of a current not used for laser oscillation. .

また本実施の形態において、検査時の駆動電流は、光出力が最大となる電流以上であることが好ましいとしている。光出力が最大となる電流未満では、注入した電流のほとんどがレーザ発振に使われてしまい、検査時間内には発光素子10に内在する欠陥を十分に成長させることができないからである。従って、本実施の形態にかかる検査方法によれば、発光素子が有する欠陥の検出力を格段に向上させることができる。   In the present embodiment, the driving current at the time of inspection is preferably equal to or greater than the current at which the optical output is maximized. This is because, if the light output is less than the maximum current, most of the injected current is used for laser oscillation, and defects existing in the light emitting element 10 cannot be sufficiently grown within the inspection time. Therefore, according to the inspection method according to the present embodiment, the defect detection power of the light emitting element can be significantly improved.

また本実施の形態において、検査時の駆動電流は、光出力の最大値の70%となる電流以下であることが好ましいとしている。光出力の最大値の70%となる電流以上の電流を注入した場合には、注入された電流のほとんどがレーザ発振以外に使われるため、新たな欠陥を発生させる引き金となってしまうおそれがあり、かえって発光素子を短命化させてしまうことになるからである。   In the present embodiment, the driving current at the time of inspection is preferably equal to or less than 70% of the maximum value of the light output. When a current exceeding 70% of the maximum value of the optical output is injected, most of the injected current is used for other than laser oscillation, which may cause a new defect. This is because it shortens the life of the light emitting element.

また、発光素子10は、室温環境下に配置されることが好ましい。室温とは、たとえば10℃〜40℃であることが好ましい。このような室温環境下で検査を行うことにより、恒温槽などの恒温設備を使用する必要がなく、省エネルギーを実現し、二酸化炭素の削減等の環境問題に対応した設備とすることができる。また設備コストを削減することができる。また、このような環境下で発光素子10の検査を行うことにより、より高温で検査を行う場合に比べて、検査によって発光素子10の寿命が短くなるのを抑制することができる。環境温度と寿命との関係について、図5および図6を用いて説明する。   Moreover, it is preferable that the light emitting element 10 is arrange | positioned in room temperature environment. The room temperature is preferably 10 ° C. to 40 ° C., for example. By performing the inspection under such a room temperature environment, it is not necessary to use a thermostatic facility such as a thermostatic bath, so that energy saving can be realized and the facility can cope with environmental problems such as carbon dioxide reduction. In addition, the equipment cost can be reduced. In addition, by performing the inspection of the light emitting element 10 in such an environment, it is possible to suppress the life of the light emitting element 10 from being shortened by the inspection as compared with the case where the inspection is performed at a higher temperature. The relationship between environmental temperature and lifetime will be described with reference to FIGS.

図5は、面発光型半導体レーザに各温度環境下で電流を注入したときの活性層周辺の温度を示す図である。図5において、横軸は面発光型半導体レーザに注入した電流を示し、縦軸は活性層周辺の温度を示す。曲線5Aは、環境温度25℃における活性層周辺の温度の変化を示し、曲線5Bは、環境温度50℃における活性層周辺の温度の変化を示し、曲線5Cは、環境温度80℃における活性層周辺の温度の変化を示し、曲線5Dは、環境温度100℃における活性層周辺の温度の変化を示す。   FIG. 5 is a diagram showing the temperature around the active layer when current is injected into the surface emitting semiconductor laser under various temperature environments. In FIG. 5, the horizontal axis represents the current injected into the surface emitting semiconductor laser, and the vertical axis represents the temperature around the active layer. A curve 5A shows a change in the temperature around the active layer at an environmental temperature of 25 ° C., a curve 5B shows a change in the temperature around the active layer at an environmental temperature of 50 ° C., and a curve 5C shows the periphery of the active layer at an environmental temperature of 80 ° C. The curve 5D shows the change in the temperature around the active layer at the environmental temperature of 100 ° C.

活性層周辺の温度を上昇させるためには、環境温度を上昇させる方法があるが、電流を注入することによっても活性層周辺の温度を上昇させることができる。図5によれば、たとえば曲線5Aに示すように環境温度が低い場合であっても、注入する電流値を上げることによって、活性層周辺の温度を上昇させることができる。具体的には、曲線5Aおよび曲線5Dをみると、25℃の環境下の面発光型半導体レーザに25mAの電流を注入したときの活性層周辺の温度は、100℃の環境下の面発光型半導体レーザに8mAの電流を注入したときの活性層周辺の温度とほぼ同じであることがわかる。このように、環境温度が低い場合でも駆動電流を調節することによって、活性層周辺の温度を上昇させることができる。   In order to raise the temperature around the active layer, there is a method of raising the environmental temperature, but the temperature around the active layer can also be raised by injecting current. According to FIG. 5, even when the environmental temperature is low as shown by the curve 5A, for example, the temperature around the active layer can be increased by increasing the current value to be injected. Specifically, looking at the curve 5A and the curve 5D, the temperature around the active layer when a current of 25 mA is injected into the surface emitting semiconductor laser in the environment of 25 ° C. is the surface emitting type in the environment of 100 ° C. It can be seen that the temperature around the active layer when the current of 8 mA is injected into the semiconductor laser is substantially the same. Thus, even when the environmental temperature is low, the temperature around the active layer can be increased by adjusting the drive current.

次に、駆動電流と環境温度が面発光型半導体レーザの寿命に与える影響について説明する。   Next, the influence of the drive current and the environmental temperature on the lifetime of the surface emitting semiconductor laser will be described.

図6は、面発光型半導体レーザに各温度環境下で電流を注入したときの寿命を示す図である。図6において、横軸は面発光型半導体レーザの駆動電流を示し、縦軸は面発光型半導体レーザの寿命を示す。曲線6Aは、環境温度100℃における寿命を示し、曲線6Bは、環境温度25℃における寿命を示す。図6によれば、駆動電流が同じ場合、環境温度25℃における寿命は、環境温度100℃における寿命の約1000倍であるため、発光素子10の検査は、低温で行うことが好ましい。たとえば環境温度100℃、駆動電流25mAとした場合、面発光型半導体レーザの寿命は約100時間であるから、検査時間を20時間とすると、寿命の20%を検査に使うことになってしまう。これに対し、環境温度25℃、駆動電流25mAとした場合、面発光型半導体レーザの寿命は約100000時間であるから、検査時間を20時間とすると、寿命の0.02%を検査に使うのみである。このように、環境温度を低くすることによって、寿命に対する検査時間の割合を著しく減少させることができる。   FIG. 6 is a diagram showing the lifetime when current is injected into the surface emitting semiconductor laser under various temperature environments. In FIG. 6, the horizontal axis represents the driving current of the surface emitting semiconductor laser, and the vertical axis represents the lifetime of the surface emitting semiconductor laser. Curve 6A shows the lifetime at an ambient temperature of 100 ° C., and curve 6B shows the lifetime at an ambient temperature of 25 ° C. According to FIG. 6, when the driving current is the same, the lifetime at the environmental temperature of 25 ° C. is about 1000 times the lifetime at the environmental temperature of 100 ° C. Therefore, the inspection of the light emitting element 10 is preferably performed at a low temperature. For example, when the ambient temperature is 100 ° C. and the drive current is 25 mA, the lifetime of the surface emitting semiconductor laser is about 100 hours. Therefore, if the inspection time is 20 hours, 20% of the life is used for the inspection. On the other hand, when the ambient temperature is 25 ° C. and the driving current is 25 mA, the lifetime of the surface emitting semiconductor laser is about 100,000 hours. Therefore, if the inspection time is 20 hours, only 0.02% of the lifetime is used for the inspection. It is. Thus, the ratio of the inspection time to the life can be remarkably reduced by lowering the environmental temperature.

1.2.次に、発光素子の検査方法をステップの順に説明する。   1.2. Next, the inspection method of the light emitting element will be described in the order of steps.

図3は、本実施の形態にかかる発光素子10の検査方法を示すフローチャートである。   FIG. 3 is a flowchart showing a method for inspecting the light emitting element 10 according to the present embodiment.

まず、発光素子10を所定温度環境下に投入する(ステップS100)。所定温度環境下とは、室温であることが好ましく、たとえば10℃〜40℃であることが好ましい。室温は、恒温槽などの恒温設備を使用しない温度であればよい。また、複数の発光素子を所定環境温度下に投入し、当該複数の発光素子について、以下のステップを行ってもよい。   First, the light emitting element 10 is put in a predetermined temperature environment (step S100). The predetermined temperature environment is preferably room temperature, for example, preferably 10 ° C to 40 ° C. The room temperature should just be the temperature which does not use thermostats, such as a thermostat. In addition, a plurality of light emitting elements may be put under a predetermined environmental temperature, and the following steps may be performed on the plurality of light emitting elements.

次に、検査装置100は、発光素子10に順方向の電流を注入しながら、発光素子10の光出力を測定する(ステップS102)。   Next, the inspection apparatus 100 measures the light output of the light emitting element 10 while injecting a forward current into the light emitting element 10 (step S102).

次に、検査装置100は、電流−光出力特性に基づいて駆動電流を決定する(ステップS104)。ここで決定される駆動電流は、光出力が最大となる電流以上であって、光出力の最大値の70%となる電流以下であることが好ましい。   Next, the inspection apparatus 100 determines a drive current based on the current-light output characteristics (Step S104). The driving current determined here is preferably equal to or greater than the current at which the light output is maximized and equal to or less than 70% of the maximum value of the light output.

次に、発光素子10に上述したステップS104で決定した駆動電流を注入する(ステップS106)。駆動電流の注入時間は、所定時間であってもよいし、後述する光出力または端子間電圧の変動が所定値以下になるまでの時間であってもよい。   Next, the drive current determined in step S104 described above is injected into the light emitting element 10 (step S106). The injection time of the drive current may be a predetermined time, or may be a time until a light output or a voltage between terminals which will be described later becomes a predetermined value or less.

次に、発光素子10に駆動電流を注入したときの光出力および端子間電圧を測定する(ステップS108)。測定は、発光素子10に駆動電流を注入している間行われる。   Next, the light output and the inter-terminal voltage when the drive current is injected into the light emitting element 10 are measured (step S108). The measurement is performed while driving current is injected into the light emitting element 10.

次に、測定した光出力および端子間電圧の初期値に対する、所定時間経過後の光出力および端子間電圧の変化率を算出する(ステップS110)。変化率の算出は、光出力および端子間電圧の双方であってもよいし、いずれか一方であってもよい。   Next, the rate of change of the light output and the inter-terminal voltage after the elapse of a predetermined time with respect to the measured initial values of the light output and the inter-terminal voltage is calculated (step S110). The calculation of the change rate may be both the optical output and the inter-terminal voltage, or one of them.

次に、算出した変化率が所定値以上の場合に、発光素子10が欠陥を有すると判断する(ステップS112)。ここでは、光出力の変化率または端子間電圧の変化率が大きいほど、内在する欠陥が成長、増殖したと判断できる。   Next, when the calculated change rate is equal to or greater than a predetermined value, it is determined that the light emitting element 10 has a defect (step S112). Here, it can be determined that the larger the rate of change of the light output or the rate of change of the voltage between the terminals, the more the inherent defect has grown and propagated.

1.3.実験例
本実施の形態にかかる検査方法について、以下のような検証実験を行った。
1.3. Experimental Example The following verification experiment was conducted for the inspection method according to the present embodiment.

まず、面発光型半導体レーザの電流−光出力特性を作成した。作成した電流−光出力特性は、図4の曲線4Bに示す。この曲線4Bに基づいて、駆動電流を25mAに決定した。   First, current-light output characteristics of a surface emitting semiconductor laser were created. The created current-light output characteristic is shown by a curve 4B in FIG. Based on this curve 4B, the drive current was determined to be 25 mA.

静電気による電気的ストレスを面発光型半導体レーザに与えて欠陥を生成したサンプルを3つ準備した。各サンプルに25℃の環境下で25mAの駆動電流を注入しながら、光出力および端子間電圧を測定した。測定結果を図7および図8に示す。   Three samples were prepared in which defects were generated by applying electrical stress due to static electricity to the surface emitting semiconductor laser. While injecting a drive current of 25 mA into each sample at 25 ° C., the optical output and the voltage between terminals were measured. The measurement results are shown in FIGS.

図7は、面発光型半導体レーザに駆動電流を注入したときの光出力を示す図である。図7において、横軸は駆動電流の注入時間を示し、縦軸は光出力を示す。光出力としては、曲線7Dの初期値を1として規格化した値を示す。曲線7B、7C、7Dは、いずれも電気的ストレスを与えられた面発光型半導体レーザの光出力を示す。   FIG. 7 is a diagram showing an optical output when a driving current is injected into the surface emitting semiconductor laser. In FIG. 7, the horizontal axis indicates the drive current injection time, and the vertical axis indicates the optical output. As the optical output, a value normalized by setting the initial value of the curve 7D to 1 is shown. Curves 7B, 7C, and 7D all show the light output of the surface emitting semiconductor laser subjected to electrical stress.

曲線7Bでは、光出力の初期値が約0.75であったが、徐々に低下し、2時間経過後には0になった。曲線7Cでは、光出力の初期値が約0.9であったが、徐々に低下し、2時間経過後には0になった。曲線7Dでは、光出力の初期値が約1.0であったが、徐々に低下し、2時間経過後には約0.2になり、その後さらに低下して7時間経過後には0になった。即ちすべてのサンプルにおいて、2時間経過後または7時間経過後には全く発光しなくなった。   In curve 7B, the initial value of the light output was about 0.75, but it gradually decreased and became 0 after 2 hours. In the curve 7C, the initial value of the light output was about 0.9, but it gradually decreased and became 0 after 2 hours. In curve 7D, the initial value of the light output was about 1.0, but gradually decreased to about 0.2 after 2 hours, and further decreased to 0 after 7 hours. . That is, in all samples, no light was emitted after 2 hours or after 7 hours.

図7によれば、電流−光出力特性に基づいて決定した駆動電流である25mAの電流をサンプルに注入したことによって、サンプルの特性が短時間に劣化させられたことが確認された。これは、サンプルに内在する欠陥の成長、増殖が助長されたため、短時間に劣化したものと考えられる。   According to FIG. 7, it was confirmed that the characteristics of the sample were degraded in a short time by injecting a current of 25 mA, which was a drive current determined based on the current-light output characteristics, into the sample. This is considered to have deteriorated in a short time because the growth and multiplication of defects inherent in the sample were promoted.

図8は、面発光型半導体レーザに駆動電流を注入したときの端子間電圧を示す図である。図8において、横軸は駆動電流の注入時間を示し、縦軸は端子間電圧を示す。端子間電圧としては、曲線8Aの初期値を1として規格化した値を示す。曲線8Aは、電気的ストレスを与えていない比較用サンプルの端子間電圧を示し、曲線8B、8C、8Dは、いずれも電気的ストレスを与えられた面発光型半導体レーザの端子間電圧を示す。   FIG. 8 is a diagram showing the inter-terminal voltage when a drive current is injected into the surface emitting semiconductor laser. In FIG. 8, the horizontal axis represents the drive current injection time, and the vertical axis represents the terminal voltage. The inter-terminal voltage is a value normalized with the initial value of the curve 8A as 1. A curve 8A represents a voltage between terminals of a comparative sample not subjected to electrical stress, and curves 8B, 8C, and 8D represent voltages between terminals of the surface emitting semiconductor laser subjected to electrical stress.

曲線8Aにおいて端子間電圧は、10時間経過後においても初期値とほぼ同じ電圧であった。曲線8Bにおいて端子間電圧の初期値は約1.0であったが、徐々に増加し、10時間経過後には1.04であった。曲線8Cにおいて端子間電圧の初期値は約1.01であったが、徐々に増加し、10時間経過後には1.04であった。曲線8Dにおいて端子間電圧の初期値は約1.03であったが、徐々に増加し、10時間経過後には1.08であった。   In curve 8A, the voltage between the terminals was almost the same as the initial value even after 10 hours. In curve 8B, the initial value of the inter-terminal voltage was about 1.0, but it gradually increased and was 1.04 after 10 hours. In curve 8C, the initial value of the inter-terminal voltage was about 1.01, but gradually increased and was 1.04 after 10 hours. In curve 8D, the initial value of the inter-terminal voltage was about 1.03, but gradually increased and was 1.08 after 10 hours.

図8によれば、電流−光出力特性に基づいて決定した駆動電流である25mAの電流をサンプルに注入したことによって、サンプルの特性が短時間に劣化させられたことが確認された。これは、サンプルに内在する欠陥の成長、増殖が助長されたため、短時間に劣化したものと考えられる。   According to FIG. 8, it was confirmed that the characteristics of the sample were deteriorated in a short time by injecting a current of 25 mA, which was a driving current determined based on the current-light output characteristics, into the sample. This is considered to have deteriorated in a short time because the growth and multiplication of defects inherent in the sample were promoted.

以上の結果から、本実施の形態にかかる検査方法を適用することで、適切な駆動電流を決定し、当該駆動電流を注入したときの端子間電圧または光出力から、発光素子が欠陥を有するか否かを判断できることが確認された。   From the above results, by applying the inspection method according to the present embodiment, an appropriate driving current is determined, and whether the light emitting element has a defect from the voltage between terminals or the optical output when the driving current is injected. It was confirmed that it can be judged.

本実施の形態にかかる発光素子の検査装置および検査方法の説明は以上であるが、これに限定されるわけではない。例えば、本実施の形態では、1つの発光素子について検査を行っているが、これにかえて、同時に複数の発光素子を検査してもよいし、駆動電流の決定のための発光素子が同一生産ロット内の1つで、欠陥の有無を判断するための発光素子が同一生産ロット内の複数であってもよい。   The description of the light-emitting element inspection apparatus and inspection method according to the present embodiment is as described above, but the present invention is not limited to this. For example, in the present embodiment, one light emitting element is inspected, but instead, a plurality of light emitting elements may be inspected at the same time, and the light emitting elements for determining the drive current are the same production There may be a plurality of light emitting elements for determining the presence or absence of defects in one lot within the same production lot.

2.発光素子のバーンイン装置およびバーンイン方法
2.1.次に、第2の実施の形態に係るバーンイン装置の各構成について説明する。
2. Burn-in apparatus and burn-in method for light-emitting element 2.1. Next, each configuration of the burn-in apparatus according to the second embodiment will be described.

図9は、第2の実施の形態に係る発光素子のバーンイン装置200の機能構成を示すブロック図である。バーンイン装置200は、発光素子110の特性の初期変動を、一定時間駆動することにより取り除く機能を有する。バーンイン装置200は、電流注入部120と、光出力測定部130と、光検出器132と、制御部150と、出力部180と、記憶部190とを含む。制御部50は、駆動電流決定部160および時間測定部170を有する。   FIG. 9 is a block diagram showing a functional configuration of a light-emitting element burn-in apparatus 200 according to the second embodiment. The burn-in device 200 has a function of removing initial fluctuations in characteristics of the light emitting element 110 by driving for a certain period of time. The burn-in apparatus 200 includes a current injection unit 120, a light output measurement unit 130, a photodetector 132, a control unit 150, an output unit 180, and a storage unit 190. The control unit 50 includes a drive current determination unit 160 and a time measurement unit 170.

電流注入部120は、発光素子110を駆動させるための順方向の電流を注入する。電流注入部120は、発光素子110に注入する電流の大きさを変化させることができる。電流注入部120は、たとえば制御部150からの指示に応じて電流の大きさを変化させることができる。   The current injection unit 120 injects a forward current for driving the light emitting device 110. The current injection unit 120 can change the magnitude of current injected into the light emitting element 110. For example, the current injection unit 120 can change the magnitude of the current in accordance with an instruction from the control unit 150.

発光素子110は、光を出射する機能を有する半導体装置であれば、その構造は特に限定されないが、たとえば面発光型半導体レーザであることができる。面発光型半導体レーザの一例としては、図2に示した発光素子10の一例と同様のものを用いることができる。   The structure of the light emitting element 110 is not particularly limited as long as it is a semiconductor device having a function of emitting light. For example, the light emitting element 110 may be a surface emitting semiconductor laser. As an example of the surface emitting semiconductor laser, the same one as the example of the light emitting element 10 shown in FIG. 2 can be used.

光検出器132は、発光素子110で生じた光の出力をモニタする機能を有する。具体的には、光検出器132は、発光素子110で生じた光を電流に変換する。この電流の値によって、発光素子110で生じた光の出力が検知される。光検出器32は、たとえばpinフォトダイオード、アバランシェフォトダイオードであることができる。   The photodetector 132 has a function of monitoring the output of light generated by the light emitting element 110. Specifically, the photodetector 132 converts light generated in the light emitting element 110 into current. The output of light generated by the light emitting element 110 is detected by the value of this current. The photodetector 32 can be, for example, a pin photodiode or an avalanche photodiode.

光出力測定部130は、光検出器132において変換された電流に基づいて光出力を測定し、測定値を示す情報を駆動電流決定部160に送る。   The light output measurement unit 130 measures the light output based on the current converted by the photodetector 132 and sends information indicating the measurement value to the drive current determination unit 160.

駆動電流決定部160は、電流注入部120が発光素子110に注入した電流の値および発光素子110の光出力の値に基づいて、発光素子の検査のための駆動電流の大きさを決定する。具体的には、駆動電流決定部160は、発光素子110に注入すべき電流値を示す情報を電流注入部120に送る。このとき駆動電流決定部160は、複数の電流値を送ることが好ましく、当該複数の電流値は、発光素子110に最大の光出力を生じさせる程度の電流値以上の電流値を含むことがより好ましい。光出力測定部130は、たとえば発光素子110に注入する電流値を徐々に上げながら光出力を測定し、光出力の測定値がその直前の測定値より小さい値になったときに、電流注入部120が電流の注入を止めるようにしてもよい。   The drive current determination unit 160 determines the magnitude of the drive current for testing the light emitting element based on the current value injected into the light emitting element 110 by the current injection unit 120 and the light output value of the light emitting element 110. Specifically, the drive current determination unit 160 sends information indicating the current value to be injected into the light emitting element 110 to the current injection unit 120. At this time, it is preferable that the drive current determination unit 160 sends a plurality of current values, and the plurality of current values include a current value equal to or higher than a current value that causes the light emitting element 110 to generate the maximum light output. preferable. The light output measurement unit 130 measures the light output while gradually increasing the current value injected into the light emitting element 110, for example, and when the measured value of the light output becomes smaller than the previous measurement value, the current injection unit 120 may stop current injection.

次いで駆動電流決定部160は、光出力測定部130から光出力の測定値を受け取り、光出力の測定値を発光素子110に注入した電流値に対応付ける。駆動電流決定部160は、対応づけた光出力の測定値と電流値を記憶部190に順次格納する。なお、制御部150が格納領域を有する場合には、駆動電流決定部160は、対応づけた光出力の測定値と電流値を当該格納領域に格納してもよい。   Next, the drive current determination unit 160 receives the measurement value of the light output from the light output measurement unit 130 and associates the measurement value of the light output with the current value injected into the light emitting element 110. The drive current determination unit 160 sequentially stores the measured light output value and the current value associated with each other in the storage unit 190. When the control unit 150 has a storage area, the drive current determination unit 160 may store the measured value and current value of the associated light output in the storage area.

次いで駆動電流決定部160は、格納した光出力の測定値と電流値に基づいて、電流−光出力特性を求める。電流−光出力特性の一例は、図4に示すとおりである。図4に示す内容は、上述したとおりである。   Next, the drive current determination unit 160 obtains a current-light output characteristic based on the stored measurement value and current value of the light output. An example of the current-light output characteristic is as shown in FIG. The contents shown in FIG. 4 are as described above.

駆動電流決定部160は、図4における曲線4Aまたは曲線4Bにおいて、光出力が最大となる電流に基づいて、駆動電流を決定する。より具体的には、駆動電流決定部160は、光出力が最大となる電流以上であって、光出力が前記最大値の70%となる電流以下となる電流以下の電流を駆動電流として決定する。曲線4Aにおいては、光出力が12mAの電流で最大となっている。よって、駆動電流決定部160は、12mA以上のいずれかの電流値、たとえば13mAを駆動電流として決定することができる。曲線4Bにおいては、光出力が20mAの電流で最大となり、28mAの電流で70%となっている。よって、駆動電流決定部160は、20mA〜28mAの間のいずれかの電流値、たとえば25mAを駆動電流として決定することができる。   The drive current determination unit 160 determines the drive current based on the current that maximizes the light output in the curve 4A or the curve 4B in FIG. More specifically, the drive current determination unit 160 determines, as the drive current, a current that is equal to or greater than the current at which the optical output is maximum and is equal to or less than the current at which the optical output is 70% or less of the maximum value. . In the curve 4A, the light output becomes maximum at a current of 12 mA. Therefore, the drive current determination unit 160 can determine any current value of 12 mA or more, for example, 13 mA as the drive current. In the curve 4B, the light output becomes maximum at a current of 20 mA, and becomes 70% at a current of 28 mA. Therefore, the drive current determination unit 160 can determine any current value between 20 mA and 28 mA, for example, 25 mA as the drive current.

駆動電流決定部160は、決定した駆動電流を示す情報を電流注入部120に送り、電流注入部120に駆動電流を発光素子に注入させる。また、駆動電流決定部160は、決定した駆動電流や電流−光出力特性を示す情報を出力部180に送ってもよい。   The drive current determination unit 160 sends information indicating the determined drive current to the current injection unit 120, and causes the current injection unit 120 to inject the drive current into the light emitting element. Further, the drive current determination unit 160 may send information indicating the determined drive current and current-light output characteristics to the output unit 180.

なお、駆動電流決定部160は、駆動電流を決定するために用いた発光素子110と同一生産ロット内のものであれば、異なる発光素子に対して駆動電流を注入させてもよい。また駆動電流決定部160は、電流注入部120に、複数の発光素子に対して同時に駆動電流を注入させてもよい。   Note that the drive current determination unit 160 may inject the drive current into a different light emitting element as long as it is in the same production lot as the light emitting element 110 used to determine the drive current. In addition, the drive current determination unit 160 may cause the current injection unit 120 to inject drive current into a plurality of light emitting elements simultaneously.

時間測定部170は、電流注入部120が駆動電流を発光素子に注入する時間が所定時間に達したか否かを判断し、所定時間に達したと判断した場合には、駆動電流の注入を止める指示を電流注入部120に送る。時間測定部170は、たとえば注入開始から24時間経過後に、駆動電流の注入を止める指示を電流注入部120に送ることができる。また、時間測定部170は、駆動電流を注入している間、光出力測定部130から光出力を受け取り、その時間あたりの変化率が一定値以内になったと判断した時点で、駆動電流の注入を止める指示を電流注入部120に送ってもよい。   The time measuring unit 170 determines whether or not the time during which the current injection unit 120 injects the drive current into the light emitting element has reached a predetermined time, and determines that the predetermined time has been reached, An instruction to stop is sent to the current injection unit 120. The time measurement unit 170 can send an instruction to stop the injection of the drive current to the current injection unit 120, for example, after 24 hours have elapsed from the start of injection. The time measurement unit 170 receives the light output from the light output measurement unit 130 while injecting the drive current, and at the time when the change rate per time is determined to be within a certain value, the time measurement unit 170 injects the drive current. An instruction to stop the operation may be sent to the current injection unit 120.

本実施の形態にかかるバーンイン装置200によれば、発光素子の電流−光出力特性に基づいて決定した駆動電流を発光素子110に注入するため、発光素子110の初期特性変動を短時間で安定化させることができる。   According to the burn-in device 200 according to the present embodiment, since the drive current determined based on the current-light output characteristics of the light emitting element is injected into the light emitting element 110, the initial characteristic fluctuation of the light emitting element 110 is stabilized in a short time. Can be made.

また、発光素子110は、室温環境下に配置されることが好ましい。室温とは、たとえば10℃〜40℃であることが好ましい。このような室温環境下でバーンインを行うことにより、恒温槽などの恒温設備を使用する必要がなく、コストを削減することができる。また、このような環境下で発光素子110のバーンインを行うことにより、より高温でバーンインを行う場合に比べて、バーンインによって発光素子110の寿命が短くなるのを抑制することができる。   In addition, the light emitting element 110 is preferably disposed in a room temperature environment. The room temperature is preferably 10 ° C. to 40 ° C., for example. By performing burn-in in such a room temperature environment, it is not necessary to use a thermostatic facility such as a thermostatic bath, and costs can be reduced. In addition, by performing burn-in of the light-emitting element 110 in such an environment, it is possible to suppress the lifetime of the light-emitting element 110 from being shortened by burn-in, as compared with the case where burn-in is performed at a higher temperature.

2.2.次に、第2の実施の形態にかかるバーンイン方法をステップの順に説明する。   2.2. Next, the burn-in method according to the second embodiment will be described in the order of steps.

図10は、第2の実施の形態にかかるバーンイン方法を示すフローチャートである。   FIG. 10 is a flowchart showing a burn-in method according to the second embodiment.

まず、発光素子110および当該発光素子110と同じ生産ロットの複数の発光素子を所定温度環境下に投入する(ステップS200)。所定温度環境下とは、室温であることが好ましく、たとえば10℃〜40℃であることが好ましい。室温は、恒温槽などの恒温設備を使用しない温度であればよい。   First, the light emitting element 110 and a plurality of light emitting elements in the same production lot as the light emitting element 110 are placed in a predetermined temperature environment (step S200). The predetermined temperature environment is preferably room temperature, for example, preferably 10 ° C to 40 ° C. The room temperature should just be the temperature which does not use thermostats, such as a thermostat.

次に、バーンイン装置200は、発光素子110に順方向の電流を注入しながら、発光素子10の光出力を測定する(ステップS202)。   Next, the burn-in device 200 measures the light output of the light emitting element 10 while injecting a forward current into the light emitting element 110 (step S202).

次に、バーンイン装置200は、電流−光出力特性に基づいて駆動電流を決定する(ステップS204)。ここで決定される駆動電流は、光出力が最大となる電流以上である電流以下であって、光出力が前記最大値の70%となる電流以下であることが好ましい。   Next, the burn-in device 200 determines a drive current based on the current-light output characteristics (step S204). The driving current determined here is preferably equal to or less than a current that is equal to or greater than a current at which the light output is maximum, and is equal to or less than a current at which the light output is 70% of the maximum value.

次に、発光素子に上述したステップS204で決定した駆動電流を注入する(ステップS206)。駆動電流の注入時間は、たとえば24時間であることができる。   Next, the drive current determined in step S204 described above is injected into the light emitting element (step S206). The drive current injection time can be, for example, 24 hours.

2.3.実験例
第2の実施の形態にかかるバーンイン方法について、以下のような検証実験を行った。
2.3. Experimental Example The following verification experiment was conducted for the burn-in method according to the second embodiment.

面発光型半導体レーザに対し、バーンインを行っている(駆動電流を注入している)間の光出力の変化率を測定した。なお、測定は、25℃環境下に面発光型半導体レーザを配置した場合と、100℃環境下に面発光型半導体レーザを配置した場合とについて行った。   For the surface emitting semiconductor laser, the change rate of the optical output during burn-in (injecting drive current) was measured. Note that the measurement was performed for the case where the surface emitting semiconductor laser was placed in a 25 ° C. environment and the case where the surface emitting semiconductor laser was placed in a 100 ° C. environment.

図11は、第2の実施の形態にかかる駆動電流で面発光型半導体レーザを駆動したときの光出力の経時変化を示す図である。図11において、横軸は、駆動電流の注入時間を示し、縦軸は光出力の初期値に対する変化率を示す。   FIG. 11 is a diagram showing a temporal change in the optical output when the surface emitting semiconductor laser is driven with the driving current according to the second embodiment. In FIG. 11, the horizontal axis indicates the drive current injection time, and the vertical axis indicates the rate of change of the optical output with respect to the initial value.

図11によれば、第2の実施の形態にかかる駆動電流を注入することで、面発光型半導体レーザの初期変動を短時間で取り除き、安定化できることが確認された。   According to FIG. 11, it was confirmed that by injecting the drive current according to the second embodiment, the initial fluctuation of the surface emitting semiconductor laser can be removed and stabilized in a short time.

また図11によれば100℃環境下に面発光型半導体レーザを配置した場合の測定結果は、25℃環境下に面発光型半導体レーザを配置した場合の測定結果に比べて、変化率が早い時期に一定になっている。しかし、25℃環境下においても20時間後には変化率が一定となっている。即ち、室温環境であっても注入する駆動電流を選択することにより、ほぼ1日の試験を行うことによって、初期変動を取り除き、安定化することが確認された。なお、環境温度と発光素子の寿命との関係は、1.1.で図6を用いて説明したように、環境温度を低くすることによって、寿命に対する検査時間の割合を著しく減少させることができる。従って、環境温度は、発光素子の寿命と、発光素子の生産タクトタイムとを考慮しながら適宜設定することが好ましい。   Further, according to FIG. 11, the measurement result when the surface emitting semiconductor laser is disposed in the environment of 100 ° C. has a faster rate of change than the measurement result when the surface emitting semiconductor laser is disposed in the environment of 25 ° C. It has become constant at the time. However, the change rate is constant after 20 hours even in a 25 ° C. environment. That is, it was confirmed that even if it was a room temperature environment, the initial fluctuation was removed and stabilized by performing the test for about one day by selecting the driving current to be injected. The relationship between the environmental temperature and the lifetime of the light emitting element is 1.1. As described with reference to FIG. 6, the ratio of the inspection time to the lifetime can be significantly reduced by lowering the environmental temperature. Therefore, it is preferable to set the environmental temperature as appropriate in consideration of the lifetime of the light emitting element and the production tact time of the light emitting element.

第2の実施の形態にかかるバーンイン装置およびバーンイン方法の説明は以上である。   This completes the description of the burn-in apparatus and burn-in method according to the second embodiment.

3.上記のように、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。   3. Although the embodiments of the present invention have been described in detail as described above, those skilled in the art will readily understand that many modifications are possible without substantially departing from the novel matters and effects of the present invention. Accordingly, all such modifications are intended to be included in the scope of the present invention.

第1の実施の形態にかかる発光素子の検査装置の機能構成を示すブロック図。The block diagram which shows the function structure of the inspection apparatus of the light emitting element concerning 1st Embodiment. 発光素子10の一例としての面発光型半導体レーザを模式的に示す断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a surface emitting semiconductor laser as an example of the light emitting element 10. 第1の実施の形態にかかる発光素子の検査方法を示すフローチャート。The flowchart which shows the test | inspection method of the light emitting element concerning 1st Embodiment. 面発光型半導体レーザの電流−光出力特性の一例を示す図。The figure which shows an example of the electric current-light output characteristic of a surface emitting semiconductor laser. 面発光型半導体レーザを駆動させたときの活性層周辺の温度を示す図。The figure which shows the temperature around an active layer when a surface emitting semiconductor laser is driven. 面発光型半導体レーザを駆動させたときの環境温度毎の寿命を示す図。The figure which shows the lifetime for every environmental temperature when a surface emitting semiconductor laser is driven. 面発光型半導体レーザを駆動させたときの光出力を示す図。The figure which shows the optical output when a surface emitting semiconductor laser is driven. 面発光型半導体レーザを駆動させたときの端子間電圧を示す図。The figure which shows the voltage between terminals when a surface emitting semiconductor laser is driven. 第2の実施の形態にかかるバーンイン装置の機能構成を示すブロック図。The block diagram which shows the function structure of the burn-in apparatus concerning 2nd Embodiment. 第2の実施の形態にかかるバーンイン方法を示すフローチャート。The flowchart which shows the burn-in method concerning 2nd Embodiment. 面発光型半導体レーザを駆動したときの光出力の経時変化を示す図。The figure which shows the time-dependent change of the optical output when a surface emitting semiconductor laser is driven.

符号の説明Explanation of symbols

10 発光素子、11 半導体基板、12 第1ミラー、14 第2ミラー、15 活性層、16 電流狭窄層、17 出射面、18 第1電極、19 第2電極、20 電流注入部、30 光出力測定部、32 光検出器、40 電圧測定部、50 制御部、60 駆動電流決定部、70 欠陥判断部、80 出力部、90 記憶部、100 検査装置、110 発光素子、120 電流注入部、130 光出力測定部、140 電圧測定部、150 制御部、160 駆動電流決定部、170 時間測定部、180 出力部、190 記憶部、200 バーンイン装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Light emitting element, 11 Semiconductor substrate, 12 1st mirror, 14 2nd mirror, 15 Active layer, 16 Current confinement layer, 17 Output surface, 18 1st electrode, 19 2nd electrode, 20 Current injection part, 30 Light output measurement Unit, 32 photodetector, 40 voltage measurement unit, 50 control unit, 60 drive current determination unit, 70 defect determination unit, 80 output unit, 90 storage unit, 100 inspection device, 110 light emitting element, 120 current injection unit, 130 light Output measurement unit, 140 Voltage measurement unit, 150 Control unit, 160 Drive current determination unit, 170 Time measurement unit, 180 Output unit, 190 Storage unit, 200 Burn-in device

Claims (19)

発光素子の欠陥を検査する検査方法であって、
(a)発光素子に電流を注入しながら当該発光素子の光出力を測定するステップと、
(b)注入した電流および測定した光出力に基づいて、駆動電流を決定するステップと、
(c)決定した前記駆動電流を前記発光素子に順方向に注入しながら光出力を測定するステップと、
(d)前記光出力に基づいて、前記発光素子の欠陥の有無を判断するステップと、
を含む、発光素子の検査方法。
An inspection method for inspecting a defect of a light emitting element,
(A) measuring the light output of the light emitting element while injecting current into the light emitting element;
(B) determining a drive current based on the injected current and the measured light output;
(C) measuring the light output while injecting the determined drive current into the light emitting element in the forward direction;
(D) determining the presence or absence of a defect in the light emitting element based on the light output;
A method for inspecting a light emitting device, comprising:
請求項1において、
前記ステップ(b)では、注入した電流および測定した光出力に基づいて前記発光素子の電流−光出力特性を求め、当該電流−光出力特性を用いて駆動電流を決定する、発光素子の検査方法。
In claim 1,
In the step (b), a current-light output characteristic of the light-emitting element is obtained based on the injected current and the measured light output, and a driving current is determined using the current-light output characteristic. .
請求項1または2において、
前記ステップ(a)の前に、
発光素子を所定温度環境下に投入するステップをさらに含む、発光素子の検査方法。
In claim 1 or 2,
Before step (a),
A method for inspecting a light emitting device, further comprising the step of placing the light emitting device in a predetermined temperature environment.
請求項3において、
前記所定温度とは室温である、発光素子の検査方法。
In claim 3,
The light-emitting element inspection method, wherein the predetermined temperature is room temperature.
請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記ステップ(b)では、
測定した光出力が最大値となる電流以上であって、当該光出力が前記最大値の70%となる電流以下の電流を駆動電流として決定する、発光素子の検査方法。
In any of claims 1 to 4,
In step (b),
A method for inspecting a light-emitting element, wherein a current that is equal to or greater than a current at which a measured light output is a maximum value and that is equal to or less than a current at which the light output is 70% of the maximum value is determined as a drive current.
請求項1ないし5のいずれかにおいて、
前記ステップ(c)では、
前記光出力の初期値と、前記駆動電流の注入開始から所定時間経過後の光出力とを少なくとも測定し、
前記ステップ(d)では、
前記所定時間経過後の光出力の前記初期値に対する変化率が所定値以上の場合に、前記発光素子が欠陥を有すると判断する、発光素子の検査方法。
In any of claims 1 to 5,
In step (c),
Measuring at least the initial value of the light output and the light output after a predetermined time has elapsed from the start of injection of the drive current;
In step (d),
A method for inspecting a light emitting element, wherein the light emitting element is determined to have a defect when a rate of change of the light output after the predetermined time with respect to the initial value is equal to or greater than a predetermined value.
発光素子の欠陥を検査する検査方法であって、
(a)発光素子に電流を注入しながら当該発光素子の光出力を測定するステップと、
(b)注入した電流および測定した光出力に基づいて、駆動電流を決定するステップと、
(c)決定した前記駆動電流を前記発光素子に順方向に注入しながら端子間電圧を測定するステップと、
(d)前記端子間電圧に基づいて、前記発光素子の欠陥の有無を判断するステップと、を含む、発光素子の検査方法。
An inspection method for inspecting a defect of a light emitting element,
(A) measuring the light output of the light emitting element while injecting current into the light emitting element;
(B) determining a drive current based on the injected current and the measured light output;
(C) measuring a voltage between terminals while injecting the determined drive current into the light emitting element in a forward direction;
(D) determining the presence or absence of a defect in the light emitting element based on the voltage between the terminals.
請求項7において、
前記ステップ(c)では、
前記端子間電圧の初期値と、前記駆動電流の注入開始から所定時間経過後の端子間電圧とを少なくとも測定し、
前記ステップ(d)では、
前記所定時間経過後の端子間電圧の前記初期値に対する変化率が所定値以上の場合に、前記発光素子が欠陥を有すると判断する、発光素子の検査方法。
In claim 7,
In step (c),
Measuring at least the initial value of the inter-terminal voltage and the inter-terminal voltage after elapse of a predetermined time from the start of injection of the drive current;
In step (d),
A method for inspecting a light-emitting element, wherein the light-emitting element is determined to have a defect when a rate of change of the inter-terminal voltage after the predetermined time with respect to the initial value is equal to or greater than a predetermined value.
発光素子の欠陥を検査する検査装置であって、
発光素子に電流を注入する電流注入部と、
発光素子の光出力を測定する光出力測定部と、
注入した電流および測定した光出力に基づいて、駆動電流を決定する駆動電流決定部と、
決定した前記駆動電流を前記発光素子に注入したときの光出力の測定値に基づいて、前記発光素子の欠陥の有無を判断する欠陥判断部と、
を含む、発光素子の検査装置。
An inspection apparatus for inspecting a defect of a light emitting element,
A current injection part for injecting current into the light emitting element;
A light output measuring unit for measuring the light output of the light emitting element;
A drive current determination unit for determining a drive current based on the injected current and the measured light output;
A defect determining unit that determines the presence or absence of a defect in the light emitting element based on a measured value of light output when the determined driving current is injected into the light emitting element;
A light-emitting element inspection apparatus.
請求項9において、
前記駆動電流決定部は、注入した電流および測定した光出力に基づいて前記発光素子の電流−光出力特性を求め、当該電流−光出力特性を用いて駆動電流を決定する、発光素子の検査装置。
In claim 9,
The drive current determination unit obtains a current-light output characteristic of the light-emitting element based on the injected current and the measured light output, and determines the drive current using the current-light output characteristic. .
請求項9または10において、
前記駆動電流決定部は、前記光出力測定部が測定した光出力が最大値となる電流以上であって、当該光出力が前記最大値の70%となる電流以下の電流を駆動電流として決定する、発光素子の検査装置。
In claim 9 or 10,
The drive current determination unit determines, as a drive current, a current that is equal to or greater than a current at which the light output measured by the light output measurement unit is a maximum value and is equal to or less than 70% of the maximum value. , Light-emitting element inspection device.
発光素子の欠陥を検査する検査装置であって、
発光素子に電流を注入する電流注入部と、
発光素子の光出力を測定する光出力測定部と、
注入した電流および測定した光出力に基づいて、駆動電流を決定する駆動電流決定部と、
決定した前記駆動電流を前記発光素子に注入したときの端子間電圧の測定値に基づいて、前記発光素子の欠陥の有無を判断する欠陥判断部と、
を含む、発光素子の検査装置。
An inspection apparatus for inspecting a defect of a light emitting element,
A current injection part for injecting current into the light emitting element;
A light output measuring unit for measuring the light output of the light emitting element;
A drive current determination unit for determining a drive current based on the injected current and the measured light output;
A defect determination unit that determines the presence or absence of a defect in the light emitting element based on a measured value of a voltage between terminals when the determined driving current is injected into the light emitting element;
A light-emitting element inspection apparatus.
請求項12において、
前記駆動電流決定部は、注入した電流および測定した光出力に基づいて前記発光素子の電流−光出力特性を求め、当該電流−光出力特性を用いて駆動電流を決定する、発光素子の検査装置。
In claim 12,
The drive current determination unit obtains a current-light output characteristic of the light-emitting element based on the injected current and the measured light output, and determines the drive current using the current-light output characteristic. .
請求項12または13において、
前記駆動電流決定部は、前記光出力測定部が測定した光出力が最大値となる電流以上であって、当該光出力が前記最大値の70%となる電流以下の電流を駆動電流として決定する、発光素子の検査装置。
In claim 12 or 13,
The drive current determination unit determines, as a drive current, a current that is equal to or greater than a current at which the light output measured by the light output measurement unit is a maximum value and is equal to or less than 70% of the maximum value. , Light-emitting element inspection device.
発光素子の光出力の初期変動を除去するバーンイン方法であって、
(A)発光素子に電流を注入しながら当該発光素子の光出力を測定するステップと、
(B)注入した電流および測定した光出力に基づいて、駆動電流を決定するステップと、
(C)決定した前記駆動電流を所定時間以上、発光素子に注入するステップと、
を含む、バーンイン方法。
A burn-in method for removing the initial fluctuation of the light output of the light emitting element,
(A) measuring the light output of the light emitting element while injecting current into the light emitting element;
(B) determining a drive current based on the injected current and the measured light output;
(C) injecting the determined driving current into the light emitting element for a predetermined time or more;
Including the burn-in method.
請求項15において、
前記ステップ(B)では、注入した電流および測定した光出力に基づいて前記発光素子の電流−光出力特性を求め、当該電流−光出力特性を用いて駆動電流を決定する、バーンイン方法。
In claim 15,
In the step (B), a burn-in method in which a current-light output characteristic of the light emitting element is obtained based on an injected current and a measured light output, and a driving current is determined using the current-light output characteristic.
請求項15または16において、
前記ステップ(A)の前に、
発光素子を所定温度環境下に投入するステップをさらに含む、バーンイン方法。
In claim 15 or 16,
Before the step (A),
A burn-in method, further comprising the step of throwing the light emitting element into a predetermined temperature environment.
請求項15ないし17のいずれかにおいて、
前記ステップ(B)では、
測定した光出力が最大値となる電流以上であって、当該光出力が前記最大値の70%となる電流以下の電流を駆動電流として決定する、バーンイン方法。
In any of claims 15 to 17,
In the step (B),
A burn-in method in which a measured current output is equal to or greater than a current at which the light output is a maximum value and is equal to or less than a current at which the light output is 70% of the maximum value.
発光素子の光出力の初期変動を除去するバーンイン装置であって、
発光素子に電流を注入する電流注入部と、
発光素子の光出力を測定する光出力測定部と、
注入した電流および測定した光出力に基づいて、駆動電流を決定する駆動電流決定部と、
前記駆動電流を所定時間以上、発光素子に注入する駆動電流注入部と、
を含む、バーンイン装置。
A burn-in device that removes initial fluctuations in light output of a light-emitting element,
A current injection part for injecting current into the light emitting element;
A light output measuring unit for measuring the light output of the light emitting element;
A drive current determination unit for determining a drive current based on the injected current and the measured light output;
A drive current injection unit for injecting the drive current into the light emitting element for a predetermined time or more;
Including burn-in equipment.
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