JP2008227036A - 放射線平面検出器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基体11と、基体11上に配置される電荷収集電極12と、電荷収集電極12上に配置されるセレンを主成分とする放射線電荷変換膜13と、放射線電荷変換膜13の上に配置される放射線を透過する上部電極14とを少なくとも有する放射線平面検出器10において、放射線電荷変換膜13を、残存酸素濃度35ppm以下のアモルファスセレンあるいはアモルファスセレン合金からなるものとする。
【選択図】図1
Description
前記加熱処理後、真空蒸留処理することがより好ましい。
以下に、本発明の放射線平面検出器の実施例を示す。
高純度(99.995重量%)セレン原料500g(以下セレン原料1−1)と、S(イオウ)を10重量%、Seを90重量%含むセレン原料5g(以下セレン原料2−1)を用意した。セレン原料1−1と、セレン原料2−1を窒素雰囲気中、300℃で融解、混合、攪拌し、続いて、この溶融液を大気開放雰囲気中で300℃にて5時間加熱した。このとき、イオウ重量の全セレン重量に占める割合は1000ppmであった。次いで、溶融液をイオン交換水中に滴下、急冷し、蒸着用原料(以下蒸着用原料3−1)を作製した。
実施例1と同様にして、高純度セレン原料1−1と、セレン原料2−1を用意し、セレン原料1−1と、セレン原料2−2を窒素雰囲気中、300℃で融解、混合、攪拌し、続いて、この溶融液を1分間に1Lの窒素ガス流動雰囲気中で300℃にて5時間加熱した。このとき、イオウ重量の全セレン重量に占める割合は1000ppmであった。次いで、溶融液をイオン交換水中に滴下、急冷し、蒸着用原料(以下蒸着用原料3−2)を作製した。
高純度セレン原料1−1と、As(砒素)を10重量%、Seを90重量%含むセレン原料5g(以下セレン原料2−2)を用意した。高純度セレン原料1−1と、セレン原料2−2を窒素雰囲気中、300℃で融解、混合、攪拌し、続いて、この溶融液を窒素ガス流動雰囲気中で300℃にて5時間加熱した。このとき、砒素重量の全セレン重量に占める割合は1000ppmであった。次いで、溶融液をイオン交換水中に滴下、急冷し、蒸着用原料(以下蒸着用原料3−3)を作製した。
高純度セレン原料1−1と、As(砒素)を1重量%、Seを99重量%含むセレン原料5g(以下セレン原料2−3)を用意した。セレン原料1−1と、セレン原料2−3を窒素雰囲気中、300℃で融解、混合、攪拌し、続いて、この溶融液を窒素ガス流動雰囲気中で300℃にて5時間加熱した。このとき、砒素重量の全セレン重量に占める割合は100ppmであった。次いで、溶融液をイオン交換水中に滴下、急冷し、蒸着用原料(以下蒸着用原料3−4)を作製した。
別ロットの高純度(99.995重量%)セレン原料500g(以下セレン原料1−2)と、As(砒素)を0.1重量%、Seを99.9重量%含むセレン原料5g(以下セレン原料2−4)を用意した。セレン原料1−2と、セレン原料2−4を窒素雰囲気中、300℃で融解、混合、攪拌し、続いて、この溶融液を窒素ガス流動雰囲気中で300℃にて5時間加熱した。このとき、砒素重量の全セレン重量に占める割合は10ppmであった。次いで、前記溶融液をイオン交換水中に滴下、急冷し、蒸着用原料(以下蒸着用原料3−5)を作製した。
高純度セレン原料1−1(60kg)を300℃で融解し、前記溶融液中にH2ガス(還元性ガス)を1分間に1Lの割合で吹き込みながら、300℃で5時間加熱した。次いで、溶融液をイオン交換水中に滴下、急冷し、蒸着用原料(以下蒸着用原料3−6)を作製した。
低純度(99.99重量%)のセレン原料(以下セレン原料1−3)(60kg)を300℃で融解し、前記溶融液中にH2ガス(還元性ガス)を1分間に1Lの割合で吹き込みながら、300℃で5時間加熱した。続いて、溶融液を600℃、真空下(0.1Pa)にて真空蒸留を行い、次いで、溶融液をイオン交換水中に滴下、急冷し、蒸着用原料(以下蒸着用原料3−7)を作製した。重金属濃度は0.005重量%であった。
セレン原料1−1を比較例1用の蒸着用原料とした。
高純度セレン原料1−1と、As(砒素)を0.01重量%(100ppm)、Seを99.99重量%含むセレン原料5g(以下セレン原料2−5)を用意し、セレン原料1−1と、セレン原料2−5を窒素雰囲気中、300℃で融解、混合、攪拌し、続いて、この溶融液を窒素ガス流動雰囲気中で300℃にて5時間加熱した。このとき、砒素重量の全セレン重量に占める割合は1ppmであった。次いで、溶融液をイオン交換水中に滴下、急冷し、蒸着用原料(以下蒸着原料3−8)を作製した。
高純度セレン原料1−1と、S(イオウ)を0.01重量%(100ppm)、Seを99.99重量%含むセレン原料5g(以下セレン原料2−6)を用意し、セレン原料1−1と、セレン原料2−6を窒素雰囲気中、300℃で融解、混合、攪拌し、続いて、この溶融液を窒素ガス流動雰囲気中で300℃にて5時間加熱した。このとき、イオウ重量の全セレン重量に占める割合は1ppmであった。次いで、溶融液をイオン交換水中に滴下、急冷し、蒸着用原料(以下蒸着原料3−9)を作製した。
実施例4と同様にして、高純度セレン原料1−1と、As(砒素)を1重量%、Seを99重量%含むセレン原料5g(セレン原料2−3)を用意し、セレン原料1−1と、セレン原料2−3をパイレックス(登録商標)ガラス管中に充填し、0.1Pa以下で真空封入し、550℃で反応させた後、急冷し、ガラス管から取り出し、蒸着用原料(以下蒸着原料3−10)を作製した。
上記実施例1〜7,比較例1〜4で得られた各蒸着用原料500gをステンレス坩堝につめて、坩堝温度280℃、真空度0.0001Paの条件で、アモルファスIZO層が設けられた5cm角ガラス基板に、基板温度65度、蒸着速度1μ/minの条件で、200μm膜厚のSe膜(X線電荷変換膜)を蒸着した。最後に、Auを上部電極として60nmの厚みで蒸着し、デバイスを作成した。
実施例、比較例ともに、上部電極に−2kVのバイアス電極を印加するとともに、キャリア収集電極に電流計を接続して、信号電流が読み出せるようにした。この状態で、管電圧28kV(Mo)、管電流80mA、Moフィルター30μmを通したX線を、各710msec照射、15秒間隔で10回照射し、信号電流の変化を記録し、初回の収集電荷量と10回目の収集電荷量の比を感度低下率とした。
原料1、原料3、蒸着原料の酸素濃度は、各原料を粉砕し、荷電粒子放射化分析法により測定した。X線電荷変換膜中の酸素濃度は、膜試料を粉砕し、放射化分析法により、膜中の平均酸素濃度として測定した。荷電粒子放射化分析に用いた核反応は、16Oに3He粒子を照射し、18Fとプロトンを生成するものである。生成した18Fの半減期は109minである。加速器として住友重機械製CYPRIS370型サイクロトロンを使用し、粒子エネルギーは13.2MeVであった。生成核種である18Fからのγ線のエネルギーはNaI検出器(2台)のコインシデンス計測により検出した。分析条件としては、照射電流は0.1μA、照射時間は20min、冷却時間3hourであった。生成核種の分離法は、H3BO3酸に溶解後、KB18F4として沈殿分離した。計測時間は5minであった。比較標準試料はSiO2板を用いた。
測定結果を表1に示す。
(実施例8)
実施例4の蒸着用原料(原料3−4)に、さらに実施例7記載の真空蒸留を行い、ハロゲン(Cl,Br,I)濃度が0.1〜0.7ppmである蒸着用原料(以下原料3−11)を作製した。
実施例4の蒸着用原料(原料3−4)に、塩素を2ppmドーピングして蒸着用原料(以下原料3−12)を作製した。
(実施例9)
実施例4の蒸着用原料(原料3−4)に、さらにNaを10ppmドーピングした蒸着用原料(以下原料3−13)を作製した。
実施例4の蒸着用原料(原料3−4)に、さらにNaを100ppmドーピングした蒸着用原料(以下原料3−14)を作製した。
実施例4の蒸着用原料(原料3−4)のNaを分析したところ0.5ppm以下であった。これを比較用の蒸着用原料とした。
11 基板
12 電荷収集電極
13 放射線電荷変換膜
14 上部電極
20 放射線平面検出器
21 基板
22 電荷収集電極
23 光電荷変換膜
24 上部電極層
25 蛍光体層
Claims (12)
- 基体と、該基体上に配置される電荷収集電極と、該電荷収集電極上に配置されるアモルファスセレンを主成分とする放射線電荷変換膜と、該放射線電荷変換膜の上に配置される放射線を透過する上部電極とを少なくとも有する放射線平面検出器において、
前記放射線電荷変換膜が、残存酸素濃度35ppm以下のアモルファスセレンあるいはアモルファスセレン合金からなることを特徴とする放射線平面検出器。 - 画像情報を担持した記録用の放射線を可視光に変換する蛍光体を有する蛍光体層と、該蛍光体層から発せられた可視光を透過する上部電極層と、該上部電極層を透過した可視光の照射を受けることにより電荷を発生するアモルファスセレンを主成分とする光電荷変換膜と、電荷収集電極と、基体とを少なくともこの順に有する放射線平面検出器において、
前記光電荷変換膜が、残存酸素濃度35ppm以下のアモルファスセレンあるいはアモルファスセレン合金からなることを特徴とする放射線平面検出器。 - 前記放射線電荷変換膜または前記光電荷変換膜の残存酸素濃度が15ppm以下であることを特徴とする請求項1または2記載の放射線平面検出器。
- 前記放射線電荷変換膜または前記光電荷変換膜が、高純度アモルファスセレンに、酸素との結合力がアモルファスセレンよりも強く、かつ、その酸化物がアモルファスセレンよりも高い蒸気圧を有する物質を混合し、この混合物を加熱処理および/または真空蒸留処理したアモルファスセレン、または該アモルファスセレンを原料としたアモルファスセレン合金からなることを特徴とする請求項1、2または3記載の放射線平面検出器。
- 前記加熱処理および/または真空蒸留処理前の前記物質の濃度が10〜1000ppmであることを特徴とする請求項4記載の放射線平面検出器。
- 前記物質がヒ素であることを特徴とする請求項4または5記載の放射線平面検出器。
- 前記物質がイオウであることを特徴とする請求項4または5記載の放射線平面検出器。
- 前記加熱処理が不活性ガス中で行われることを特徴とする請求項4〜7いずれか1項記載の放射線平面検出器。
- 前記放射線電荷変換膜または前記光電荷変換膜が、高純度アモルファスセレンに還元性ガスを吹き込みながら加熱処理したアモルファスセレン、または該アモルファスセレンを原料としたアモルファスセレン合金からなることを特徴とする請求項1または2記載の放射線平面検出器。
- 前記加熱処理後、真空蒸留処理することを特徴とする請求項9記載の放射線平面検出器。
- 前記放射線電荷変換膜または前記光電荷変換膜に含有されるハロゲンの濃度が1ppm以下であることを特徴とする請求項1〜10いずれか1項記載の放射線平面検出器。
- 前記放射線電荷変換膜または前記光電荷変換膜に含有されるアルカリ金属の濃度が0.001〜10ppmの範囲であることを特徴とする請求項1〜10いずれか1項記載の放射線平面検出器。
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