JP2008226905A - Electron beam lithography method, method of generating mask data and method of forming mask for electron beam drawing - Google Patents

Electron beam lithography method, method of generating mask data and method of forming mask for electron beam drawing Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electron beam lithography method by which a pattern can be uniformly drawn at high throughput. <P>SOLUTION: The electron beam lithography method is used to transfer a pattern to each of a plurality of unit areas 24 in a chip area 26 on a semiconductor wafer 10 by using a mask 14 for electron beam drawing. A first pattern of the patterns to be transferred to a first unit area among the unit areas is transferred to the first unit area by an electron beam having a first irradiation dose by using a first basic pattern formed on the mask for electron beam drawing. A second pattern of the patterns to be transferred to the first unit area is transferred to the first unit area by an electron beam having a second irradiation dose different from the first irradiation dose by using a second basic pattern formed on the mask for electron beam drawing. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子線描画方法、マスクデータの生成方法及び電子線描画用マスクの形成方法に関する。   The present invention relates to an electron beam drawing method, a mask data generating method, and an electron beam drawing mask forming method.

近時、半導体装置において繰り返し用いられる基本パターンを抽出して電子線描画用マスク（ブロックマスク、アパーチャ）に形成しておき、半導体ウェハ上の単位領域にかかる基本パターンを一括して転写する電子線描画方法が注目されている。かかる電子線描画方法は、部分一括描画（Character Projection）方式と称されている。なお、かかる単位領域の大きさは、一般に数μｍ×数μｍ程度である。また、電子線描画用マスクには、例えば数十〜数百個程度の基本パターンが形成されている。   Recently, an electron beam that extracts a basic pattern repeatedly used in a semiconductor device and forms it on an electron beam drawing mask (block mask, aperture), and collectively transfers the basic pattern on a unit area on a semiconductor wafer. The drawing method is drawing attention. Such an electron beam drawing method is referred to as a partial batch drawing (Character Projection) method. Note that the size of such a unit region is generally about several μm × several μm. Further, for example, several tens to several hundreds of basic patterns are formed on the electron beam drawing mask.

部分一括描画方式の電子線描画方法によれば、複数のパターンを単位領域内に一括して転写することができるため、スループットの向上を実現することが可能となる。
特開平１０−７００６３号公報 特開２００３−５７８０５号公報 特開２００５−３９１５１号公報 特開２００４−７９９８１号公報 According to the electron beam drawing method of the partial batch drawing method, a plurality of patterns can be collectively transferred into the unit area, so that an improvement in throughput can be realized.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-70063 JP 2003-57805 A JP-A-2005-39151 JP 2004-79981 A

しかしながら、近時では、半導体装置の微細化によりパターン間隔が狭くなる傾向にある。このため、提案されている電子線描画方法では、近接効果によりパターンサイズが不均一になってしまう場合があった。図２６は、提案されている電子線描画方法で転写したコンタクトホールのパターンを示す平面図である。図２６に示すように、パターン群１３０の中央部においては近接効果によりパターン１２８のサイズが大きくなってしまう一方、パターン群１３０の周縁部においてはパターン１２８のサイズが小さくなってしまう。特に、単位領域１２４の四隅においてはパターン１２８のサイズが極めて小さくなってしまう。   However, recently, there is a tendency that the pattern interval becomes narrow due to miniaturization of the semiconductor device. For this reason, in the proposed electron beam drawing method, the pattern size may become non-uniform due to the proximity effect. FIG. 26 is a plan view showing a contact hole pattern transferred by the proposed electron beam drawing method. As shown in FIG. 26, the size of the pattern 128 is increased due to the proximity effect in the central portion of the pattern group 130, while the size of the pattern 128 is decreased in the peripheral portion of the pattern group 130. In particular, the size of the pattern 128 is extremely small at the four corners of the unit region 124.

本発明の目的は、高いスループットでパターンを均一に描画し得る電子線描画方法、その電子線描画方法に用いられる電子線描画用マスクの形成方法、及びその電子線描画用マスクを形成するためのマスクデータの生成方法を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an electron beam drawing method capable of uniformly drawing a pattern with high throughput, a method for forming an electron beam drawing mask used in the electron beam drawing method, and a method for forming the electron beam drawing mask. It is to provide a method for generating mask data.

本発明の一観点によれば、半導体ウェハ上のチップ領域内の複数の単位領域の各々に対して、電子線描画用マスクを用いてパターンを転写する電子線描画方法であって、前記複数の単位領域のうちの第１の単位領域内に転写される複数のパターンのうちの第１のパターンは、前記電子線描画用マスクに形成された第１の基本パターンを用いて、第１の照射量の電子線により前記第１の単位領域内に転写され、前記第１の単位領域内に転写される前記複数のパターンのうちの第２のパターンは、前記電子線描画用マスクに形成された第２の基本パターンを用いて、前記第１の照射量と異なる第２の照射量の電子線により前記第１の単位領域内に転写されることを特徴とする電子線描画方法が提供される。   According to an aspect of the present invention, there is provided an electron beam drawing method for transferring a pattern to each of a plurality of unit regions in a chip region on a semiconductor wafer by using an electron beam drawing mask. Of the plurality of patterns transferred into the first unit region of the unit regions, the first pattern uses the first basic pattern formed on the electron beam drawing mask as the first irradiation. The second pattern of the plurality of patterns transferred to the first unit region by the amount of electron beams and transferred to the first unit region is formed on the electron beam drawing mask. There is provided an electron beam drawing method, wherein a second basic pattern is used to transfer the electron beam into the first unit region by an electron beam having a second irradiation amount different from the first irradiation amount. .

また、本発明の他の観点によれば、半導体ウェハ上のチップ領域内の複数の単位領域の各々に対してパターンを転写する際に用いられる電子線描画用マスクを形成するためのマスクデータの生成方法であって、前記単位領域内に転写される複数のパターンの各々について、前記パターンを転写する際における電子線の照射量の適正値をそれぞれ求める第１のステップと、前記複数のパターンのうちから、電子線の照射量の適正値が第１の照射量である第１のパターンと、電子線の照射量の適正値が第１の照射量と異なる第２の照射量である第２のパターンとを抽出し、前記第１のパターンに対応する第１の基本パターンと、前記第２のパターンに対応する第２の基本パターンとを有する前記電子線描画用マスクを形成するためのマスクデータを生成する第２のステップとを有することを特徴とするマスクデータの生成方法が提供される。   According to another aspect of the present invention, there is provided mask data for forming an electron beam drawing mask used for transferring a pattern to each of a plurality of unit regions in a chip region on a semiconductor wafer. A generation method, wherein each of a plurality of patterns transferred into the unit region includes a first step of obtaining an appropriate value of an electron beam irradiation amount when transferring the pattern, and a plurality of patterns Among them, the first pattern in which the appropriate value of the electron beam dose is the first dose, and the second pattern in which the appropriate value of the electron beam dose is the second dose different from the first dose. And a mask for forming the electron beam drawing mask having a first basic pattern corresponding to the first pattern and a second basic pattern corresponding to the second pattern data Method for generating mask data; and a second step of generating is provided.

また、本発明の更に他の観点によれば、半導体ウェハ上のチップ領域内の複数の単位領域の各々に対してパターンを転写する際に用いられる電子線描画用マスクの形成方法であって、前記単位領域内に転写される複数のパターンの各々について、前記パターンを転写する際における電子線の照射量の適正値をそれぞれ求める第１のステップと、前記複数のパターンのうちから、電子線の照射量の適正値が第１の照射量である第１のパターンと、電子線の照射量の適正値が第１の照射量と異なる第２の照射量である第２のパターンとを抽出し、前記第１のパターンに対応する第１の基本パターンと、前記第２のパターンに対応する第２の基本パターンとを有する前記電子線描画用マスクを形成するためのマスクデータを生成する第２のステップと、前記マスクデータに基づいて、前記第１の基本パターンと前記第２の基本パターンとを有する前記電子線描画用マスクを形成する第３のステップとを有することを特徴とする電子線描画用マスクの形成方法が提供される。   According to still another aspect of the present invention, there is provided a method of forming an electron beam drawing mask used when transferring a pattern to each of a plurality of unit regions in a chip region on a semiconductor wafer, For each of a plurality of patterns transferred into the unit region, a first step for obtaining an appropriate value of an electron beam irradiation amount when transferring the pattern, and from among the plurality of patterns, A first pattern in which the appropriate value of the irradiation amount is the first irradiation amount and a second pattern in which the appropriate value of the electron beam irradiation amount is a second irradiation amount different from the first irradiation amount are extracted. Second, generating mask data for forming the electron beam drawing mask having a first basic pattern corresponding to the first pattern and a second basic pattern corresponding to the second pattern Steps And a third step of forming the electron beam drawing mask having the first basic pattern and the second basic pattern based on the mask data. A forming method is provided.

本発明によれば、適正な電子線の照射量毎に基本パターンを形成し、各々の基本パターンを転写する際に適正な照射量で電子線を照射するため、パターンの均一性が近接効果により損なわれるのを防止することができる。しかも、本発明によれば、基本パターンを転写する際に複数のパターンが一括して転写されるため、高いスループットでパターンを転写することができる。従って、本発明によれば、パターンの均一性が近接効果により損なわれるのを確保しつつ、高いスループットでパターンを転写することができる。   According to the present invention, a basic pattern is formed for each appropriate electron beam irradiation amount, and the electron beam is irradiated with an appropriate irradiation amount when transferring each basic pattern. It can be prevented from being damaged. Moreover, according to the present invention, when transferring the basic pattern, a plurality of patterns are transferred at once, so that the pattern can be transferred with high throughput. Therefore, according to the present invention, it is possible to transfer a pattern with high throughput while ensuring that the uniformity of the pattern is impaired by the proximity effect.

［第１実施形態］
本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を図１乃至図１５を用いて説明する。 [First Embodiment]
A mask data generation method, an electron beam drawing mask formation method, and an electron beam drawing method according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.

本実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を説明するに先立って、本実施形態において用いられる電子線描画装置（電子線露光装置）について図１を用いて説明する。図１は、電子線描画装置を示す概略図である。   Before explaining the mask data generation method, electron beam drawing mask formation method, and electron beam drawing method according to this embodiment, FIG. 1 shows an electron beam drawing apparatus (electron beam exposure apparatus) used in this embodiment. It explains using. FIG. 1 is a schematic view showing an electron beam drawing apparatus.

本実施形態において用いられる電子線描画装置は、部分一括描画（Character Projection）方式により半導体ウェハ上の単位領域にパターンを一括して転写する機能を有している。また、かかる電子線描画装置は、可変矩形パターンを用いて半導体ウェハ上にパターンを描画することも可能である。   The electron beam drawing apparatus used in this embodiment has a function of transferring a pattern to a unit region on a semiconductor wafer in a batch by a partial batch drawing (Character Projection) method. Further, such an electron beam drawing apparatus can draw a pattern on a semiconductor wafer using a variable rectangular pattern.

図１に示すように、本実施形態において用いられる電子線描画装置は、電子線を放出する電子銃１０と、電子銃１０の下方に設けられ、電子銃１９から放出された電子線の断面を矩形に成形するアパーチャ１２と、アパーチャ１２の下方に設けられた電子線描画用マスク（ブロックマスク）１４とを有している。アパーチャ１２と電子線描画用マスク１４との間には、第１の偏光器（図示せず）等が設けられている。電子線描画用マスク１４の下方には、第２の偏光器（図示せず）等が設けられている。第２の偏光器の下方には、半導体ウェハ１６が配置される。   As shown in FIG. 1, the electron beam drawing apparatus used in this embodiment includes an electron gun 10 that emits an electron beam, and a cross section of the electron beam that is provided below the electron gun 10 and emitted from the electron gun 19. An aperture 12 is formed into a rectangular shape, and an electron beam drawing mask (block mask) 14 provided below the aperture 12. A first polarizer (not shown) or the like is provided between the aperture 12 and the electron beam drawing mask 14. A second polarizer (not shown) or the like is provided below the electron beam drawing mask 14. A semiconductor wafer 16 is disposed below the second polarizer.

電子線描画用マスク１４には、複数の基本パターン（ブロックパターン）１８が形成されている。かかる基本パターン１８は、半導体装置の回路パターンにおいて繰り返し用いられているパターンを抽出したものである。また、電子線描画用マスク１４には、電子線を任意の矩形形状に成形するための可変成形用開口部（図示せず）が形成されている。   A plurality of basic patterns (block patterns) 18 are formed on the electron beam drawing mask 14. The basic pattern 18 is obtained by extracting a pattern that is repeatedly used in a circuit pattern of a semiconductor device. The electron beam drawing mask 14 is formed with a variable shaping opening (not shown) for shaping the electron beam into an arbitrary rectangular shape.

電子銃１０から放出された電子線２０は、アパーチャ１２に形成された矩形の開口２２により矩形に成形される。アパーチャ１２により成形された電子線２０は、電子線描画用マスク１４に形成された複数の基本パターン１８のうちのいずれかに照射される。アパーチャ１２により成形された電子線２０を所望の基本パターン１８に照射する際には、電子線描画用マスク１４を支持するＸＹステージ（図示せず）により電子線描画用マスク１４を適宜移動させるとともに、第１の偏光器（図示せず）により電子線２０を適宜偏光することにより、所望の基本パターン１８に電子線２０が照射される。基本パターン１８の開口により成形された電子線２０、即ち、基本パターン１８の投影像（投影パターン）は、半導体ウェハ１６上の単位領域２４に転写される。基本パターン１８の投影像を半導体ウェハ１６上の所望の単位領域２４に転写する際には、半導体ウェハ１６を支持するＸＹステージ（図示せず）により半導体ウェハ１６を適宜移動させるとともに、第２の偏光器（図示せず）により電子線２０を適宜偏光することにより、所望の単位領域２４に基本パターン１８の投影像が転写される。こうして、電子銃１０から放出された電子線２０は、アパーチャ１２により矩形に成形され、電子線描画用マスク１４に形成された基本パターン１８の開口により更に成形され、半導体ウェハ１６上に形成されたフォトレジスト膜（図示せず）の単位領域２４に転写される。   The electron beam 20 emitted from the electron gun 10 is shaped into a rectangle by a rectangular opening 22 formed in the aperture 12. The electron beam 20 formed by the aperture 12 is irradiated to any one of the plurality of basic patterns 18 formed on the electron beam drawing mask 14. When the desired basic pattern 18 is irradiated with the electron beam 20 formed by the aperture 12, the electron beam drawing mask 14 is appropriately moved by an XY stage (not shown) that supports the electron beam drawing mask 14. The desired basic pattern 18 is irradiated with the electron beam 20 by appropriately polarizing the electron beam 20 with a first polarizer (not shown). The electron beam 20 formed by the opening of the basic pattern 18, that is, the projection image (projection pattern) of the basic pattern 18 is transferred to the unit region 24 on the semiconductor wafer 16. When the projected image of the basic pattern 18 is transferred to a desired unit region 24 on the semiconductor wafer 16, the semiconductor wafer 16 is appropriately moved by an XY stage (not shown) that supports the semiconductor wafer 16, and the second By appropriately polarizing the electron beam 20 with a polarizer (not shown), the projected image of the basic pattern 18 is transferred to the desired unit region 24. Thus, the electron beam 20 emitted from the electron gun 10 is shaped into a rectangle by the aperture 12, further shaped by the opening of the basic pattern 18 formed in the electron beam drawing mask 14, and formed on the semiconductor wafer 16. It is transferred to the unit region 24 of a photoresist film (not shown).

基本パターン１８は、１つのチップ領域２６に転写される複数のパターンのうちから、繰り返し用いられるパターンを抽出したものである。従って、チップ領域２６内の複数の単位領域２４の各々に対して、基本パターン１８の投影像が順次転写される。   The basic pattern 18 is obtained by extracting a repeatedly used pattern from a plurality of patterns transferred to one chip area 26. Accordingly, the projected image of the basic pattern 18 is sequentially transferred to each of the plurality of unit regions 24 in the chip region 26.

こうして、本実施形態で用いられる電子線描画装置が構成されている。   Thus, the electron beam drawing apparatus used in this embodiment is configured.

次に、本実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を図２乃至図１５を用いて説明する。図２は、本実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示すフローチャートである。図３乃至図１５は、本実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図である。なお、本実施形態では、半導体ウェハ１６上にコンタクトホールのパターンを転写する場合を例に説明する。   Next, a mask data generation method, an electron beam drawing mask formation method, and an electron beam drawing method according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a flowchart illustrating a mask data generation method, an electron beam drawing mask formation method, and an electron beam drawing method according to the present embodiment. 3 to 15 are process diagrams showing a mask data generation method, an electron beam drawing mask formation method, and an electron beam drawing method according to the present embodiment. In the present embodiment, a case where a contact hole pattern is transferred onto the semiconductor wafer 16 will be described as an example.

まず、図２に示すように、ＣＡＤを用いて設計された半導体装置（半導体回路）の設計データ（レイアウトデータ）を、電子線描画装置用の描画パターンデータに変換する（ステップＳ１）。かかる処理は、ＥＢデータ変換と称される。これにより、電子線描画装置用のフォーマットの描画パターンデータが生成される。図３（ａ）は、設計データを示す平面図である。アレイ状に配列されたコンタクトホールのパターン２８のパターン群３０が、図３（ａ）に示すように繰り返し配列されている。   First, as shown in FIG. 2, design data (layout data) of a semiconductor device (semiconductor circuit) designed using CAD is converted into drawing pattern data for an electron beam drawing apparatus (step S1). Such processing is referred to as EB data conversion. Thereby, the drawing pattern data in the format for the electron beam drawing apparatus is generated. FIG. 3A is a plan view showing design data. A pattern group 30 of contact hole patterns 28 arranged in an array is repeatedly arranged as shown in FIG.

次に、ＥＢ変換された設計データ、即ち描画パターンデータに対して、近接効果補正の処理を行う（ステップＳ２）。これにより、半導体装置の複数のパターン２８の各々について、転写する際における電子線の適正な照射量が求められる（図３（ｂ）参照）。   Next, proximity effect correction processing is performed on the EB-converted design data, that is, drawing pattern data (step S2). Thereby, for each of the plurality of patterns 28 of the semiconductor device, an appropriate irradiation amount of the electron beam at the time of transfer is obtained (see FIG. 3B).

図３（ｂ）に示す白抜きのパターン２８ａは、電子線の適正な照射量が第１の照射量であるパターンである。電子線の適正な照射量が第１の照射量であるパターン２８ａは、単位領域２４ａ〜２４ｄの四隅に位置している。   A white pattern 28a shown in FIG. 3B is a pattern in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the first irradiation amount. The pattern 28a in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the first irradiation amount is located at the four corners of the unit regions 24a to 24d.

図３（ｂ）においてドットが付されているパターン２８ｂは、電子線の適正な照射量が第２の照射量であるパターンである。電子線の適正な照射量が第２の照射量であるパターン２８ｂは、単位領域２４ａ〜２４ｄの外周部に位置しているパターンのうちの四隅に位置するパターン２８ａを除くパターンである。   The pattern 28b to which dots are attached in FIG. 3B is a pattern in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the second irradiation amount. The pattern 28b in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the second irradiation amount is a pattern excluding the patterns 28a located at the four corners among the patterns located on the outer peripheral portions of the unit regions 24a to 24d.

図３（ｂ）においてハッチングが付されているパターン２８ｃは、電子線の適正な照射量が第３の照射量であるパターンである。電子線の適正な照射量が第３の照射量であるパターン２８ｃは、単位領域２４ａ〜２４ｄの外周部と中央部との間に位置している。   In FIG. 3B, the hatched pattern 28c is a pattern in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the third irradiation amount. The pattern 28c in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the third irradiation amount is located between the outer peripheral portion and the central portion of the unit regions 24a to 24d.

図３（ｂ）において黒く塗りつぶされているパターン２８ｄは、電子線の適正な照射量が第４の照射量であるパターンである。電子線の適正な照射量が第４の照射量であるパターン２８ｄは、単位領域２４ａ〜２４ｄの中央部に位置している。   In FIG. 3B, a black pattern 28d is a pattern in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the fourth irradiation amount. The pattern 28d in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the fourth irradiation amount is located at the center of the unit regions 24a to 24d.

第２の照射量は第１の照射量より小さく、第３の照射量は第２の照射量より小さく、第４の照射量は第３の照射量より小さい。適正な電子線の照射量がこのようになるのは、近接効果によるものである。   The second dose is smaller than the first dose, the third dose is smaller than the second dose, and the fourth dose is smaller than the third dose. The reason that the appropriate electron beam dose is obtained is due to the proximity effect.

次に、半導体装置の複数のパターン２８ａ〜２８ｄのうちから、繰り返し用いられている基本パターン（ブロックパターン）を抽出することにより、マスクデータを生成する（ステップＳ３）。かかる基本パターン１８ａ〜１８ｄを抽出する際には、回路パターン２８ａ〜２８ｄを転写する際における電子線の適正な照射量毎に基本パターン１８ａ〜１８ｄを抽出する。即ち、転写する際における電子線の適正な照射量が同じパターン２８どうしを互いに組み合わせることにより、基本パターン１８ａ〜１８ｄを生成する。   Next, mask data is generated by extracting a repeatedly used basic pattern (block pattern) from the plurality of patterns 28a to 28d of the semiconductor device (step S3). When the basic patterns 18a to 18d are extracted, the basic patterns 18a to 18d are extracted for each appropriate electron beam irradiation amount when the circuit patterns 28a to 28d are transferred. That is, the basic patterns 18a to 18d are generated by combining the patterns 28 having the same appropriate electron beam irradiation amount at the time of transfer.

即ち、まず、電子線の適正な照射量が第１の照射量であるパターン２８ａを単位領域２４ａ〜２４ｄ内において抽出し（図４（ａ）参照）、抽出されたパターン２８ａのパターン群により第１の基本パターン１８ａを生成する（図４（ｂ）参照）。こうして、電子線の適正な照射量が第１の照射量である第１の基本パターン（第１のブロックパターン）１８ａのデータが生成される。   That is, first, a pattern 28a in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the first irradiation amount is extracted in the unit regions 24a to 24d (see FIG. 4A), and the pattern group of the extracted patterns 28a is used as the first pattern. 1 basic pattern 18a is generated (see FIG. 4B). In this way, data of the first basic pattern (first block pattern) 18a in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the first irradiation amount is generated.

また、電子線の適正な照射量が第２の照射量であるパターン２８ｂを単位領域２４ａ〜２４ｄ内において抽出し（図５（ａ）参照）、抽出されたパターン２８ｂのパターン群により第２の基本パターン１８ｂを生成する（図５（ｂ）参照）。こうして、電子線の適正な照射量が第２の照射量である第２の基本パターン（第２のブロックパターン）１８ｂのデータが生成される。   Further, a pattern 28b in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the second irradiation amount is extracted in the unit regions 24a to 24d (see FIG. 5A), and the second pattern is extracted by the pattern group of the extracted patterns 28b. A basic pattern 18b is generated (see FIG. 5B). Thus, data of the second basic pattern (second block pattern) 18b in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the second irradiation amount is generated.

また、電子線の適正な照射量が第３の照射量であるパターン２８ｃを単位領域２４ａ〜２４ｄ内において抽出し（図６（ａ）参照）、抽出されたパターン２８ｃのパターン群により第３の基本パターン１８ｃを生成する（図６（ｂ）参照）。こうして、電子線の適正な照射量が第３の照射量である第３の基本パターン（第３のブロックパターン）１８ｃのデータが生成される。   Further, a pattern 28c in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the third irradiation amount is extracted in the unit regions 24a to 24d (see FIG. 6A), and a third pattern group of the extracted patterns 28c is used for the third pattern. A basic pattern 18c is generated (see FIG. 6B). Thus, data of the third basic pattern (third block pattern) 18c in which the appropriate electron beam irradiation amount is the third irradiation amount is generated.

また、電子線の適正な照射量が第４の照射量であるパターン２８ｄを単位領域２４ａ〜２４ｄ内において抽出し（図７（ａ）参照）、抽出されたパターン２８ｄのパターン群により第４の基本パターン１８ｄを生成する（図７（ｂ）参照）。こうして、電子線の適正な照射量が第４の照射量である第４の基本パターン（第４のブロックパターン）１８ｄのデータが生成される。   Further, a pattern 28d in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the fourth irradiation amount is extracted in the unit areas 24a to 24d (see FIG. 7A), and the pattern group of the extracted patterns 28d is used to extract the fourth pattern 28d. A basic pattern 18d is generated (see FIG. 7B). Thus, data of the fourth basic pattern (fourth block pattern) 18d in which the appropriate electron beam irradiation amount is the fourth irradiation amount is generated.

こうして、複数の基本パターン１８ａ〜１８ｄのデータより成るマスクデータが生成される。かかるマスクデータは、電子線描画用マスク１４を形成するためのものである。   Thus, mask data composed of data of the plurality of basic patterns 18a to 18d is generated. Such mask data is for forming the electron beam drawing mask 14.

次に、マスクデータに基づいて、電子線描画用マスク１４を作成する（ステップＳ４）。これにより、複数の基本パターン（ブロックパターン）１８ａ〜１８ｄが形成された電子線描画用マスク（ブロックマスク）１４が形成される。   Next, an electron beam drawing mask 14 is created based on the mask data (step S4). Thereby, an electron beam drawing mask (block mask) 14 in which a plurality of basic patterns (block patterns) 18a to 18d are formed is formed.

次に、かかる電子線描画用マスク１４を用いて、半導体ウェハ１６上に基本パターン１８ａ〜１８ｄを転写する（ステップＳ５）。より具体的には、半導体ウェハ１６上に形成されたフォトレジスト膜に基本パターン１８ａ〜１８ｄを転写する。半導体ウェハ１６上への基本パターン１８ａ〜１８ｄの転写は、例えば以下のようにして行われる。   Next, the basic patterns 18a to 18d are transferred onto the semiconductor wafer 16 using the electron beam drawing mask 14 (step S5). More specifically, the basic patterns 18 a to 18 d are transferred to a photoresist film formed on the semiconductor wafer 16. The transfer of the basic patterns 18a to 18d onto the semiconductor wafer 16 is performed as follows, for example.

まず、半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに第１の基本パターン１８ａを転写する（図８参照）。単位領域は、転写を行う際において、アパーチャによって成形された電子線が照射される、いわゆる１ショットの転写領域である。第１の基本パターン１８ａを半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに転写する際には、電子線描画用マスク１４に形成された第１の基本パターン１８ａに電子線２０を照射することにより、第１の基本パターン１８ａの投影像（投影パターン）を半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに転写する。第１の基本パターン１８ａを転写する際に半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに照射する電子線の照射量は、第１の照射量とする。第１の基本パターン１８ａを転写する際に第１の照射量、即ち適正な照射量で電子線を照射するため、パターンの均一性が近接効果により損なわれるのを防止することができる。   First, the first basic pattern 18a is transferred to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16 (see FIG. 8). The unit area is a so-called one-shot transfer area that is irradiated with an electron beam formed by an aperture during transfer. When the first basic pattern 18 a is transferred to the first unit region 24 a on the semiconductor wafer 16, the first basic pattern 18 a formed on the electron beam drawing mask 14 is irradiated with the electron beam 20. The projected image (projected pattern) of the first basic pattern 18a is transferred to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16. The dose of the electron beam applied to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16 when the first basic pattern 18a is transferred is the first dose. When the first basic pattern 18a is transferred, the electron beam is irradiated with the first irradiation amount, that is, the appropriate irradiation amount, so that the uniformity of the pattern can be prevented from being impaired by the proximity effect.

この後、同様にして、半導体ウェハ１６上の第２の単位領域２４ｂ、第３の単位領域２４ｃ及び第４の単位領域２４ｄに、第１の基本パターン１８ａを転写する（図９参照）。第２の単位領域２４ｂ、第３の単位領域２４ｃ及び第４の単位領域２４ｄは、それぞれ、転写を行う際における１ショットの転写領域である。   Thereafter, similarly, the first basic pattern 18a is transferred to the second unit region 24b, the third unit region 24c, and the fourth unit region 24d on the semiconductor wafer 16 (see FIG. 9). Each of the second unit region 24b, the third unit region 24c, and the fourth unit region 24d is a one-shot transfer region during transfer.

次に、半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに第２の基本パターン１８ｂを転写する（図１０参照）。第２の基本パターン１８ｂを半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに転写する際には、電子線描画用マスク１４に形成された第２の基本パターン１８ｂに電子線２０を照射することにより、第２の基本パターン１８ｂの投影像を半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに転写する。第２の基本パターン１８ｂを転写する際に半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに照射する電子線の照射量は、第２の照射量とする。第２の基本パターン１８ｂを転写する際に第２の照射量、即ち適正な照射量で電子線を照射するため、パターンの均一性が近接効果により損なわれるのを防止することができる。   Next, the second basic pattern 18b is transferred to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16 (see FIG. 10). When the second basic pattern 18 b is transferred to the first unit region 24 a on the semiconductor wafer 16, the second basic pattern 18 b formed on the electron beam drawing mask 14 is irradiated with the electron beam 20. The projected image of the second basic pattern 18b is transferred to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16. The amount of electron beam applied to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16 when the second basic pattern 18b is transferred is the second amount of irradiation. When the second basic pattern 18b is transferred, the electron beam is irradiated with the second irradiation amount, that is, an appropriate irradiation amount, so that the uniformity of the pattern can be prevented from being impaired by the proximity effect.

この後、同様にして、半導体ウェハ１６上の第２の単位領域２４ｂ、第３の単位領域２４ｃ及び第４の単位領域２４ｄに、第２の基本パターン１８ｂを順次転写する（図１１参照）。   Thereafter, similarly, the second basic pattern 18b is sequentially transferred to the second unit region 24b, the third unit region 24c, and the fourth unit region 24d on the semiconductor wafer 16 (see FIG. 11).

次に、半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに第３の基本パターン１８ｃを転写する（図１２参照）。第３の基本パターン１８ｃを半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに転写する際には、電子線描画用マスク１４に形成された第３の基本パターン１８ｃに電子線２０を照射することにより、第３の基本パターン１８ｃの投影像を半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに転写する。第３の基本パターン１８ｃを転写する際に半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに照射する電子線の照射量は、第３の照射量とする。第３の基本パターン１８ｃを転写する際に第３の照射量、即ち適正な照射量で電子線を照射するため、パターンの均一性が近接効果により損なわれるのを防止することができる。   Next, the third basic pattern 18c is transferred to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16 (see FIG. 12). When the third basic pattern 18 c is transferred to the first unit region 24 a on the semiconductor wafer 16, the third basic pattern 18 c formed on the electron beam drawing mask 14 is irradiated with the electron beam 20. The projected image of the third basic pattern 18c is transferred to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16. The amount of electron beam applied to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16 when the third basic pattern 18c is transferred is the third amount of irradiation. When the third basic pattern 18c is transferred, the electron beam is irradiated with the third irradiation amount, that is, an appropriate irradiation amount, so that the uniformity of the pattern can be prevented from being impaired by the proximity effect.

この後、同様にして、半導体ウェハ１６上の第２の単位領域２４ｂ、第３の単位領域２４ｃ及び第４の単位領域２４ｄに、第３の基本パターン１８ｃを順次転写する（図１３参照）。   Thereafter, similarly, the third basic pattern 18c is sequentially transferred to the second unit region 24b, the third unit region 24c, and the fourth unit region 24d on the semiconductor wafer 16 (see FIG. 13).

次に、半導体ウェハ１６上の第１の単位領域内２４ａに第４の基本パターン１８ｄを転写する（図１４参照）。第４の基本パターン１８ｄを半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに転写する際には、電子線描画用マスク１４に形成された第４の基本パターン１８ｄに電子線を照射することにより、第４の基本パターン１８ｄの投影像を半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに転写する。第４の基本パターン１８ｄを転写する際に半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに照射する電子線の照射量は、第４の照射量とする。第４の基本パターン１８ｄを転写する際に第４の照射量、即ち適正な照射量で電子線を照射するため、パターンの均一性が近接効果により損なわれるのを防止することができる。   Next, the fourth basic pattern 18d is transferred to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16 (see FIG. 14). When the fourth basic pattern 18d is transferred to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16, the fourth basic pattern 18d formed on the electron beam drawing mask 14 is irradiated with an electron beam. The projected image of the fourth basic pattern 18 d is transferred to the first unit region 24 a on the semiconductor wafer 16. The dose of the electron beam applied to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16 when the fourth basic pattern 18d is transferred is the fourth dose. Since the electron beam is irradiated with the fourth irradiation amount, that is, an appropriate irradiation amount when the fourth basic pattern 18d is transferred, it is possible to prevent the uniformity of the pattern from being damaged by the proximity effect.

この後、同様にして、半導体ウェハ１６上の第２の単位領域２４ｂ、第３の単位領域２４ｃ及び第４の単位領域２４ｄに、第４の基本パターン１８ｄを順次転写する（図１５参照）。   Thereafter, similarly, the fourth basic pattern 18d is sequentially transferred to the second unit region 24b, the third unit region 24c, and the fourth unit region 24d on the semiconductor wafer 16 (see FIG. 15).

こうして、半導体ウェハ１６上に形成されたフォトレジスト膜の第１の単位領域２４ａに、第１乃至第４の基本パターン１８ａ〜１８ｄより成るパターン群３０が転写される。また、半導体ウェハ１６上に形成されたフォトレジスト膜の第２の単位領域２４ｂに、第１乃至第４の基本パターン１８ａ〜１８ｄより成るパターン群３０が転写される。また、半導体ウェハ１６上に形成されたフォトレジスト膜の第３の単位領域２４ｃに、第１乃至第４の基本パターン１８ａ〜１８ｄより成るパターン群３０が転写される。また、半導体ウェハ１６上に形成されたフォトレジスト膜の第４の領域２４ｄに、第１乃至第４の基本パターン１８ａ〜１８ｄより成るパターン群３０が転写される。   Thus, the pattern group 30 including the first to fourth basic patterns 18a to 18d is transferred to the first unit region 24a of the photoresist film formed on the semiconductor wafer 16. Further, the pattern group 30 including the first to fourth basic patterns 18a to 18d is transferred to the second unit region 24b of the photoresist film formed on the semiconductor wafer 16. Further, the pattern group 30 composed of the first to fourth basic patterns 18a to 18d is transferred to the third unit region 24c of the photoresist film formed on the semiconductor wafer 16. Further, the pattern group 30 composed of the first to fourth basic patterns 18a to 18d is transferred to the fourth region 24d of the photoresist film formed on the semiconductor wafer 16.

第１の単位領域２４ａ内に転写される基本パターン１８ａ〜１８ｄの総ショット数は４ショットであり、第２の単位領域２４ｂ内に転写される基本パターン１８ａ〜１８ｄの総ショット数は４ショットであり、第３の単位領域２４ｃ内に転写される基本パターン１８ａ〜１８ｄの総ショット数は４ショットであり、第４の単位領域２４ｄ内に転写される基本パターン１８ａ〜１８ｄの総ショット数は４ショットである。従って、第１乃至第４の単位領域２４ａ〜２４ｄ内に転写される基本パターン１８ａ〜１８ｄの総ショット数は１６ショットである。このように、本実施形態によれば、１００個のホールパターン２８をわずか１６回のショットで均一に転写することができる。   The total number of shots of the basic patterns 18a to 18d transferred into the first unit region 24a is four shots, and the total number of shots of the basic patterns 18a to 18d transferred into the second unit region 24b is four shots. In addition, the total number of shots of the basic patterns 18a to 18d transferred into the third unit region 24c is 4, and the total number of shots of the basic patterns 18a to 18d transferred into the fourth unit region 24d is 4. It is a shot. Accordingly, the total number of shots of the basic patterns 18a to 18d transferred into the first to fourth unit regions 24a to 24d is 16 shots. Thus, according to the present embodiment, 100 hole patterns 28 can be uniformly transferred in only 16 shots.

本実施形態では、適正な電子線の照射量毎に基本パターン１８ａ〜１８ｄを形成し、各々の基本パターン１８ａ〜１８ｄを転写する際に適正な照射量で電子線を照射するため、パターンの均一性が近接効果により損なわれるのを防止することができる。しかも、本実施形態では、基本パターン１８ａ〜１８ｄを転写する際に複数のパターンが一括して転写される。これにより、従来から行われている、例えば単位領域に含まれる複数のパターン全体に対して一括の電子線照射を行った後に、照射線が足りない個々のパターンに対して個別に補助露光を追加して行うという手法に比べて、高いスループットでパターンを転写することができる。従って、本実施形態によれば、パターンの均一性が近接効果により損なわれるのを確保しつつ、高いスループットでパターンを転写することができる。   In the present embodiment, the basic patterns 18a to 18d are formed for each appropriate electron beam dose, and the electron beam is irradiated with an appropriate dose when transferring the basic patterns 18a to 18d. It is possible to prevent the property from being damaged by the proximity effect. Moreover, in the present embodiment, when the basic patterns 18a to 18d are transferred, a plurality of patterns are transferred collectively. As a result, for example, after performing batch electron beam irradiation on the whole of multiple patterns included in a unit area, which is conventionally performed, supplementary exposure is individually added to individual patterns with insufficient irradiation lines The pattern can be transferred with a high throughput as compared with the method of doing so. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to transfer the pattern with high throughput while ensuring that the uniformity of the pattern is impaired by the proximity effect.

［第２実施形態］
本発明の第２実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を図２及び図１６乃至図２５を用いて説明する。図１６乃至図２５は、本実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法、及び電子線描画方法を示す工程図である。図１乃至図１５に示す第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法、及び電子線描画方法と同一の構成要素には、同一の符号を付して説明を省略または簡潔にする。 [Second Embodiment]
A mask data generation method, an electron beam drawing mask formation method, and an electron beam drawing method according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 16 to 25. 16 to 25 are process diagrams showing a mask data generation method, an electron beam drawing mask formation method, and an electron beam drawing method according to this embodiment. The same components as those in the mask data generation method, the electron beam drawing mask formation method, and the electron beam drawing method according to the first embodiment shown in FIGS. Or keep it simple.

本実施形態では、半導体ウェハ１６上に配線パターン３２を転写する場合を例に説明する。   In the present embodiment, a case where the wiring pattern 32 is transferred onto the semiconductor wafer 16 will be described as an example.

まず、図２に示すように、ＣＡＤを用いて設計された半導体装置（半導体回路）の設計データ（レイアウトデータ）を、電子線描画装置用の描画パターンデータに変換する（ＥＢ変換）（ステップＳ１）。これにより、電子線描画装置用のフォーマットの描画パターンデータが生成される。図１６（ａ）は、設計データを示す平面図である。配線パターン３２より成るパターン群３４が、図１６（ａ）に示すように繰り返し配列されている。   First, as shown in FIG. 2, design data (layout data) of a semiconductor device (semiconductor circuit) designed using CAD is converted into drawing pattern data for an electron beam drawing apparatus (EB conversion) (step S1). ). Thereby, the drawing pattern data in the format for the electron beam drawing apparatus is generated. FIG. 16A is a plan view showing design data. A pattern group 34 composed of the wiring patterns 32 is repeatedly arranged as shown in FIG.

次に、ＥＢ変換された設計データ、即ち描画パターンデータに対して、近接効果補正処理を行う（ステップＳ２）。これにより、半導体装置の回路パターンの各々の部分について、回路パターンを転写する際における電子線の適正な照射量が求められる。   Next, proximity effect correction processing is performed on the design data that has undergone EB conversion, ie, drawing pattern data (step S2). Thereby, for each part of the circuit pattern of the semiconductor device, an appropriate irradiation amount of the electron beam when the circuit pattern is transferred is obtained.

図１６（ｂ）においてハッチング等が付されていないパターン３２ａにおける電子線の適正な照射量は、第１の照射量である。電子線の適正な照射量が第１の照射量であるパターン３２ａは、単位領域２４ａ〜２４ｄの中央部に位置している。   In FIG. 16B, the appropriate irradiation amount of the electron beam in the pattern 32a not hatched or the like is the first irradiation amount. The pattern 32a in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the first irradiation amount is located at the center of the unit regions 24a to 24d.

図１６（ｂ）においてハッチングが付されているパターン３２ｂにおける電子線の適正な照射量は、第２の照射量である。電子線の適正な照射量が第２の照射量であるパターン３２ｂは、単位領域２４ａ〜２４ｄのうちの中央部と外周部との間に位置している。   The appropriate irradiation amount of the electron beam in the hatched pattern 32b in FIG. 16B is the second irradiation amount. The pattern 32b in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the second irradiation amount is located between the central portion and the outer peripheral portion of the unit regions 24a to 24d.

図１６（ｂ）において黒く塗りつぶされているパターン３２ｃにおける電子線の適正な照射量は、第３の照射量である。電子線の適正な照射量が第３の照射量であるパターン３２ｃは、単位領域２４ａ〜２４ｄの外周部に位置している。   In FIG. 16B, the appropriate electron beam irradiation amount in the black-painted pattern 32c is the third irradiation amount. The pattern 32c in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the third irradiation amount is located on the outer periphery of the unit regions 24a to 24d.

第１の照射量は第２の照射量より小さく、第２の照射量は第３の照射量より小さい。適正な電子線の照射量がこのようになるのは、近接効果によるものである。   The first dose is smaller than the second dose, and the second dose is smaller than the third dose. The reason that the appropriate electron beam dose is obtained is due to the proximity effect.

次に、半導体装置の複数の回路パターンのうちから、繰り返し用いられている基本パターン（ブロックパターン）を抽出することにより、マスクデータを生成する（ステップＳ３）。かかる基本パターンを抽出する際には、回路パターンを転写する際における電子線の適正な照射量毎に基本パターンを抽出する。即ち、転写する際における電子線の適正な照射量が同じパターンどうしを互いに組み合わせることにより、基本パターンを生成する。   Next, mask data is generated by extracting a repeatedly used basic pattern (block pattern) from a plurality of circuit patterns of the semiconductor device (step S3). When such a basic pattern is extracted, the basic pattern is extracted for each appropriate irradiation amount of the electron beam when the circuit pattern is transferred. That is, a basic pattern is generated by combining patterns having the same appropriate electron beam irradiation amount at the time of transfer.

即ち、まず、電子線の適正な照射量が第１の照射量であるパターン３２ａを単位領域２４ａ〜２４ｄ内において抽出し（図１７（ａ）参照）、抽出されたパターン３２ａのパターン群により第１の基本パターン１８ｅを生成する（図１７（ｂ）参照）。こうして、電子線の適正な照射量が第１の照射量である第１の基本パターン（第１のブロックパターン）１８ｅのデータが生成される。   That is, first, a pattern 32a in which the appropriate electron beam irradiation amount is the first irradiation amount is extracted in the unit regions 24a to 24d (see FIG. 17A), and the pattern group of the extracted patterns 32a is used to extract the pattern 32a. One basic pattern 18e is generated (see FIG. 17B). Thus, data of the first basic pattern (first block pattern) 18e in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the first irradiation amount is generated.

また、電子線の適正な照射量が第２の照射量であるパターン３２ｂを単位領域２４ａ〜２４ｄ内において抽出し（図１８（ａ）参照）、抽出されたパターン３２ｂのパターン群より成る第２の基本パターン１８ｆを生成する（図１８（ｂ）参照）。これにより、電子線の適正な照射量が第２の照射量である第２の基本パターン（第２のブロックパターン）１８ｆのデータが生成される。   Further, a pattern 32b in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the second irradiation amount is extracted in the unit regions 24a to 24d (see FIG. 18A), and the second pattern 32b is formed of a pattern group of the extracted patterns 32b. The basic pattern 18f is generated (see FIG. 18B). Thereby, data of the second basic pattern (second block pattern) 18f in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the second irradiation amount is generated.

また、電子線の適正な照射量が第３の照射量であるパターン３２ｃを単位領域２４ａ〜２４ｄ内において抽出し（図１９（ａ）参照）、抽出されたパターン３２ｃのパターン群より成る第３の基本パターン１８ｇを生成する（図１９（ｂ）参照）。これにより、電子線の適正な照射量が第３の照射量である第３の基本パターン（第３のブロックパターン）１８ｇのデータが生成される。   In addition, a pattern 32c in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the third irradiation amount is extracted in the unit regions 24a to 24d (see FIG. 19A), and a third group of patterns of the extracted pattern 32c is extracted. The basic pattern 18g is generated (see FIG. 19B). Thereby, data of the third basic pattern (third block pattern) 18g in which the appropriate irradiation amount of the electron beam is the third irradiation amount is generated.

こうして、複数の基本パターン１８ｅ〜１８ｇのデータより成るマスクデータが生成される。   Thus, mask data composed of data of the plurality of basic patterns 18e to 18g is generated.

次に、マスクデータに基づいて、電子線描画用マスク１４を形成する（ステップＳ４）。これにより、複数の基本パターン（ブロックパターン）１８ｅ〜１８ｇが形成された電子線描画用マスク（ブロックマスク）１４が形成される。   Next, the electron beam drawing mask 14 is formed based on the mask data (step S4). Thereby, an electron beam drawing mask (block mask) 14 in which a plurality of basic patterns (block patterns) 18e to 18g are formed is formed.

次に、かかる電子線描画用マスク１４を用いて、半導体ウェハ１６上に基本パターン１８ｅ〜１８ｇを転写する（ステップＳ５）。より具体的には、半導体ウェハ１６上に形成されたフォトレジスト膜に基本パターン１８ｅ〜１８ｇを転写する。半導体ウェハ１６上への基本パターン１８ｅ〜１８ｇの転写は、例えば以下のようにして行われる。   Next, the basic patterns 18e to 18g are transferred onto the semiconductor wafer 16 using the electron beam drawing mask 14 (step S5). More specifically, the basic patterns 18 e to 18 g are transferred to a photoresist film formed on the semiconductor wafer 16. The basic patterns 18e to 18g are transferred onto the semiconductor wafer 16 as follows, for example.

即ち、まず、半導体ウェハ１６上の第１の単位領域内２４ａに第１の基本パターン１８ｅを転写する（図２０参照）。単位領域は、転写を行う際における１ショットの転写領域である。第１の基本パターン１８ｅを半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに転写する際には、電子線描画用マスク１４に形成された第１の基本パターン１８ｅに電子線２０を照射することにより、第１の基本パターン１８ｅの投影像（投影パターン）を半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに転写する。第１の基本パターン１８ｅを転写する際に半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに照射する電子線の照射量は、第１の照射量とする。第１の基本パターン１８ｅを転写する際に第１の照射量、即ち適正な照射量で電子線を照射するため、パターンの均一性が近接効果により損なわれるのを防止することができる。   That is, first, the first basic pattern 18e is transferred to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16 (see FIG. 20). The unit area is a one-shot transfer area when transferring. When the first basic pattern 18e is transferred to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16, the first basic pattern 18e formed on the electron beam drawing mask 14 is irradiated with the electron beam 20. The projected image (projected pattern) of the first basic pattern 18e is transferred to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16. The amount of electron beam irradiated to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16 when the first basic pattern 18e is transferred is the first amount of irradiation. When the first basic pattern 18e is transferred, the electron beam is irradiated with the first irradiation amount, that is, the appropriate irradiation amount, so that the uniformity of the pattern can be prevented from being impaired by the proximity effect.

この後、同様にして、半導体ウェハ１６上の第２の単位領域２４ｂ、第３の単位領域２４ｃ及び第４の単位領域２４ｄに、第１の基本パターン３２ａを順次転写する（図２１参照）。   Thereafter, similarly, the first basic pattern 32a is sequentially transferred to the second unit region 24b, the third unit region 24c, and the fourth unit region 24d on the semiconductor wafer 16 (see FIG. 21).

次に、半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａ内に第２の基本パターン１８ｆを転写する（図２２参照）。第２の基本パターン１８ｆを半導体ウェハ１６上の単位領域２４ａに転写する際には、電子線描画用マスク１４に形成された第２の基本パターン１８ｆに電子線２０を照射することにより、第２の基本パターン１８ｆの投影像を半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに転写する。第２の基本パターン１８ｆを転写する際に半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに照射する電子線の照射量は、第２の照射量とする。第２の基本パターン１８ｆを転写する際に第２の照射量、即ち適正な照射量で電子線を照射するため、パターンの均一性が近接効果により損なわれるのを防止することができる。   Next, the second basic pattern 18f is transferred into the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16 (see FIG. 22). When the second basic pattern 18f is transferred to the unit region 24a on the semiconductor wafer 16, the second basic pattern 18f formed on the electron beam drawing mask 14 is irradiated with the electron beam 20, thereby The projected image of the basic pattern 18 f is transferred to the first unit region 24 a on the semiconductor wafer 16. The amount of electron beam irradiated to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16 when the second basic pattern 18f is transferred is the second amount of irradiation. Since the electron beam is irradiated with the second irradiation amount, that is, an appropriate irradiation amount when the second basic pattern 18f is transferred, the uniformity of the pattern can be prevented from being impaired by the proximity effect.

この後、同様にして、半導体ウェハ１６上の第２の単位領域２４ｂ、第３の単位領域２４ｃ及び第４の単位領域２４ｄに、第２の基本パターン１８ｆを順次転写する（図２３参照）。   Thereafter, similarly, the second basic pattern 18f is sequentially transferred to the second unit region 24b, the third unit region 24c, and the fourth unit region 24d on the semiconductor wafer 16 (see FIG. 23).

次に、半導体ウェハ１６上の第１の単位領域内２４ａに第３の基本パターン１８ｇを転写する。第３の基本パターン１８ｇを半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに転写する際には、電子線描画用マスク１４に形成された第３の基本パターン１８ｇに電子線２０を照射することにより、第３の基本パターン１８ｇの投影像を半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに転写する。第３の基本パターン１８ｇを転写する際に半導体ウェハ１６上の第１の単位領域２４ａに照射する電子線の照射量は、第３の照射量とする。第３の基本パターン１８ｇを転写する際に第３の照射量、即ち適正な照射量で電子線を照射するため、パターンの均一性が近接効果により損なわれるのを防止することができる。   Next, the third basic pattern 18 g is transferred to the first unit region 24 a on the semiconductor wafer 16. When the third basic pattern 18 g is transferred to the first unit region 24 a on the semiconductor wafer 16, the third basic pattern 18 g formed on the electron beam drawing mask 14 is irradiated with the electron beam 20. The projected image of the third basic pattern 18g is transferred to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16. The irradiation amount of the electron beam irradiated to the first unit region 24a on the semiconductor wafer 16 when the third basic pattern 18g is transferred is the third irradiation amount. When the third basic pattern 18g is transferred, the electron beam is irradiated with the third irradiation amount, that is, an appropriate irradiation amount, so that the uniformity of the pattern can be prevented from being impaired by the proximity effect.

この後、同様にして、半導体ウェハ１６上の第２の単位領域２４ｂ、第３の単位領域２４ｃ及び第４の単位領域２４ｄに、第３の基本パターン１８ｇを順次転写する。   Thereafter, similarly, the third basic pattern 18g is sequentially transferred to the second unit region 24b, the third unit region 24c, and the fourth unit region 24d on the semiconductor wafer 16.

こうして、半導体ウェハ１６上に形成されたフォトレジスト膜の第１の単位領域２４ａに、第１乃至第３の基本パターン１８ｅ〜１８ｇより成るパターン群３４が転写される。また、半導体ウェハ１６上に形成されたフォトレジスト膜の第２の単位領域２４ｂに、第１乃至第３の基本パターン１８ｅ〜１８ｇより成るパターン群３４が転写される。また、半導体ウェハ１６上に形成されたフォトレジスト膜の第３の単位領域２４ｃに、第１乃至第３の基本パターン１８ｅ〜１８ｇより成るパターン群３４が転写される。また、半導体ウェハ１６上に形成されたフォトレジスト膜の第４の単位領域２４ｄに、第１乃至第３の基本パターン１８ｅ〜１８ｇより成るパターン群３４が転写される。   Thus, the pattern group 34 including the first to third basic patterns 18e to 18g is transferred to the first unit region 24a of the photoresist film formed on the semiconductor wafer 16. Further, the pattern group 34 composed of the first to third basic patterns 18e to 18g is transferred to the second unit region 24b of the photoresist film formed on the semiconductor wafer 16. A pattern group 34 including the first to third basic patterns 18e to 18g is transferred to the third unit region 24c of the photoresist film formed on the semiconductor wafer 16. In addition, the pattern group 34 including the first to third basic patterns 18e to 18g is transferred to the fourth unit region 24d of the photoresist film formed on the semiconductor wafer 16.

このように、本実施形態においても、適正な電子線の照射量毎に基本パターン１８ｅ〜１８ｇを形成し、各々の基本パターン１８ｅ〜１８ｇを転写する際に適正な照射量で電子線を照射するため、パターンの均一性が近接効果により損なわれるのを防止することができる。また、本実施形態においても、基本パターン１８ｅ〜１８ｇを転写する際に複数のパターンが一括して転写されるため、高いスループットでパターンを転写することができる。従って、本実施形態においても、パターンの均一性が近接効果により損なわれるのを確保しつつ、高いスループットでパターンを転写することができる。   As described above, also in this embodiment, the basic patterns 18e to 18g are formed for each appropriate electron beam irradiation amount, and the electron beam is irradiated with an appropriate irradiation amount when the basic patterns 18e to 18g are transferred. Therefore, it is possible to prevent the pattern uniformity from being impaired by the proximity effect. Also in the present embodiment, when transferring the basic patterns 18e to 18g, a plurality of patterns are transferred at once, so that the patterns can be transferred with high throughput. Therefore, also in this embodiment, it is possible to transfer the pattern with high throughput while ensuring that the uniformity of the pattern is impaired by the proximity effect.

［変形実施形態］
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。 [Modified Embodiment]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.

例えば、第１実施形態では、パターン２８ａのパターン群より成る第１の基本パターン１８ａ、パターン２８ｂのパターン群より成る第２の基本パターン１８ｂ、パターン２８ｃのパターン群より成る第３の基本パターン１８ｃ及びパターン２８ｄより成る第４の基本パターン１８ｄを抽出する場合を例に説明したが、第１の基本パターン１８ａ、第２の基本パターン１８ｂ及び第３の基本パターン１８ｃを抽出し、中央のパターン１８ｄについては基本パターンとして抽出することなく可変矩形のパターンを用いて転写するようにしてもよい。   For example, in the first embodiment, the first basic pattern 18a composed of the pattern group of the pattern 28a, the second basic pattern 18b composed of the pattern group of the pattern 28b, the third basic pattern 18c composed of the pattern group of the pattern 28c, and Although the case where the fourth basic pattern 18d composed of the pattern 28d is extracted has been described as an example, the first basic pattern 18a, the second basic pattern 18b, and the third basic pattern 18c are extracted, and the central pattern 18d is extracted. May be transferred using a variable rectangular pattern without being extracted as a basic pattern.

以上詳述したように、本発明の特徴をまとめると以下のようになる。
（付記１）
半導体ウェハ上のチップ領域内の複数の単位領域の各々に対して、電子線描画用マスクを用いてパターンを転写する電子線描画方法であって、
前記複数の単位領域のうちの第１の単位領域内に転写される複数のパターンのうちの第１のパターンは、前記電子線描画用マスクに形成された第１の基本パターンを用いて、第１の照射量の電子線により前記第１の単位領域内に転写され、
前記第１の単位領域内に転写される前記複数のパターンのうちの第２のパターンは、前記電子線描画用マスクに形成された第２の基本パターンを用いて、前記第１の照射量と異なる第２の照射量の電子線により前記第１の単位領域内に転写される
ことを特徴とする電子線描画方法。
（付記２）
付記１記載の電子線描画方法において、
前記チップ領域内の前記複数の単位領域の各々に対して、前記第１の基本パターン及び前記第２の基本パターンを繰り返し転写する
ことを特徴とする電子線描画方法。
（付記３）
付記１又は２記載の電子線描画方法において、
前記単位領域は、前記電子線の１ショットの転写領域である
ことを特徴とする電子線描画方法。
（付記４）
半導体ウェハ上のチップ領域内の複数の単位領域の各々に対してパターンを転写する際に用いられる電子線描画用マスクを形成するためのマスクデータの生成方法であって、
前記単位領域内に転写される複数のパターンの各々について、前記パターンを転写する際における電子線の照射量の適正値をそれぞれ求める第１のステップと、
前記複数のパターンのうちから、電子線の照射量の適正値が第１の照射量である第１のパターンと、電子線の照射量の適正値が第１の照射量と異なる第２の照射量である第２のパターンとを抽出し、前記第１のパターンに対応する第１の基本パターンと、前記第２のパターンに対応する第２の基本パターンとを有する前記電子線描画用マスクを形成するためのマスクデータを生成する第２のステップと
を有することを特徴とするマスクデータの生成方法。
（付記５）
付記４記載のマスクデータの生成方法において、
前記第１のステップでは、近接効果補正を行うことにより、前記適正値を求める
ことを特徴とするマスクデータの生成方法。
（付記６）
付記４又は５記載のマスクデータの生成方法において、
前記第１の基本パターン及び前記第２の基本パターンは、前記複数の単位領域の他の単位領域にも含まれる共通のパターンとして抽出される
ことを特徴とするマスクデータの生成方法。
（付記７）
付記４乃至６のいずれかに記載のマスクデータの生成方法において、
前記単位領域は、前記電子線の１ショットの転写領域である
ことを特徴とするマスクデータの生成方法。
（付記８）
半導体ウェハ上のチップ領域内の複数の単位領域の各々に対してパターンを転写する際に用いられる電子線描画用マスクの形成方法であって、
前記単位領域内に転写される複数のパターンの各々について、前記パターンを転写する際における電子線の照射量の適正値をそれぞれ求める第１のステップと、
前記複数のパターンのうちから、電子線の照射量の適正値が第１の照射量である第１のパターンと、電子線の照射量の適正値が第１の照射量と異なる第２の照射量である第２のパターンとを抽出し、前記第１のパターンに対応する第１の基本パターンと、前記第２のパターンに対応する第２の基本パターンとを有する前記電子線描画用マスクを形成するためのマスクデータを生成する第２のステップと、
前記マスクデータに基づいて、前記第１の基本パターンと前記第２の基本パターンとを有する前記電子線描画用マスクを形成する第３のステップと
を有することを特徴とする電子線描画用マスクの形成方法。
（付記９）
付記８記載の電子線描画用マスクの形成方法において、
前記第１のステップでは、近接効果補正を行うことにより、前記適正値を求める
ことを特徴とする電子線描画用マスクの形成方法。
（付記１０）
付記８又は９記載の電子線描画用マスクの形成方法において、
前記第１の基本パターン及び前記第２の基本パターンは、前記複数の単位領域の他の単位領域にも含まれる共通のパターンとして抽出される
ことを特徴とする電子線描画用マスクの形成方法。
（付記１１）
付記８乃至１０のいずれかに記載の電子線描画用マスクの形成方法において、
前記単位領域は、前記電子線の１ショットの転写領域である
ことを特徴とする電子線描画用マスクの形成方法。 As described above in detail, the features of the present invention are summarized as follows.
(Appendix 1)
An electron beam drawing method for transferring a pattern using an electron beam drawing mask to each of a plurality of unit regions in a chip region on a semiconductor wafer,
The first pattern among the plurality of patterns transferred into the first unit region of the plurality of unit regions is a first basic pattern formed on the electron beam drawing mask. Transferred into the first unit region by an electron beam of 1 dose,
The second pattern of the plurality of patterns transferred into the first unit region is obtained by using the second basic pattern formed on the electron beam drawing mask and the first irradiation amount. An electron beam drawing method, wherein the electron beam is transferred into the first unit region by an electron beam having a different second dose.
(Appendix 2)
In the electron beam drawing method according to attachment 1,
The electron beam drawing method, wherein the first basic pattern and the second basic pattern are repeatedly transferred to each of the plurality of unit regions in the chip region.
(Appendix 3)
In the electron beam drawing method according to attachment 1 or 2,
The electron beam drawing method, wherein the unit area is a transfer area of one shot of the electron beam.
(Appendix 4)
A mask data generation method for forming an electron beam drawing mask used when transferring a pattern to each of a plurality of unit regions in a chip region on a semiconductor wafer,
For each of a plurality of patterns transferred into the unit region, a first step for obtaining an appropriate value of an electron beam irradiation amount when transferring the pattern,
Among the plurality of patterns, a first pattern in which the appropriate value of the electron beam irradiation amount is the first irradiation amount, and a second irradiation in which the appropriate value of the electron beam irradiation amount is different from the first irradiation amount. A second pattern that is a quantity, and the electron beam drawing mask having a first basic pattern corresponding to the first pattern and a second basic pattern corresponding to the second pattern; And a second step of generating mask data for forming the mask data.
(Appendix 5)
In the mask data generation method according to appendix 4,
In the first step, the appropriate value is obtained by performing proximity effect correction. A method of generating mask data, characterized in that:
(Appendix 6)
In the mask data generation method according to appendix 4 or 5,
The method of generating mask data, wherein the first basic pattern and the second basic pattern are extracted as a common pattern included in other unit areas of the plurality of unit areas.
(Appendix 7)
In the mask data generation method according to any one of appendices 4 to 6,
The method of generating mask data, wherein the unit area is a transfer area of one shot of the electron beam.
(Appendix 8)
A method of forming an electron beam drawing mask used for transferring a pattern to each of a plurality of unit regions in a chip region on a semiconductor wafer,
For each of a plurality of patterns transferred into the unit region, a first step for obtaining an appropriate value of an electron beam irradiation amount when transferring the pattern,
Among the plurality of patterns, a first pattern in which the appropriate value of the electron beam irradiation amount is the first irradiation amount, and a second irradiation in which the appropriate value of the electron beam irradiation amount is different from the first irradiation amount. A second pattern that is a quantity, and the electron beam drawing mask having a first basic pattern corresponding to the first pattern and a second basic pattern corresponding to the second pattern; A second step of generating mask data for forming;
And a third step of forming the electron beam drawing mask having the first basic pattern and the second basic pattern based on the mask data. Forming method.
(Appendix 9)
In the method for forming an electron beam drawing mask according to attachment 8,
In the first step, the appropriate value is obtained by performing proximity effect correction. A method of forming an electron beam drawing mask, comprising:
(Appendix 10)
In the method for forming an electron beam drawing mask according to appendix 8 or 9,
The method for forming an electron beam drawing mask, wherein the first basic pattern and the second basic pattern are extracted as a common pattern included in other unit areas of the plurality of unit areas.
(Appendix 11)
In the method for forming an electron beam drawing mask according to any one of appendices 8 to 10,
The method for forming an electron beam drawing mask, wherein the unit area is a transfer area for one shot of the electron beam.

電子線描画装置を示す概略図である。It is the schematic which shows an electron beam drawing apparatus. 本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the production | generation method of the mask data by 1st Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その１）である。FIG. 6 is a process diagram (part 1) illustrating a mask data generation method, an electron beam drawing mask formation method, and an electron beam drawing method according to the first embodiment of the present invention; 本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その２）である。FIG. 6 is a process diagram (part 2) illustrating a mask data generation method, an electron beam drawing mask formation method, and an electron beam drawing method according to the first embodiment of the present invention; 本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その３）である。It is process drawing (the 3) which shows the production | generation method of the mask data by the 1st Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その４）である。FIG. 9 is a process diagram (part 4) illustrating a mask data generation method, an electron beam drawing mask formation method, and an electron beam drawing method according to the first embodiment of the present invention; 本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その５）である。It is process drawing (the 5) which shows the production | generation method of the mask data by the 1st Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その６）である。It is process drawing (the 6) which shows the production | generation method of the mask data by the 1st Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その７）である。It is process drawing (the 7) which shows the production | generation method of the mask data by the 1st Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その８）である。It is process drawing (the 8) which shows the production | generation method of the mask data by the 1st Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その９）である。It is process drawing (the 9) which shows the production | generation method of the mask data by the 1st Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その１０）である。It is process drawing (the 10) which shows the production | generation method of the mask data by the 1st Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その１１）である。It is process drawing (the 11) which shows the production | generation method of the mask data by the 1st Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その１２）である。It is process drawing (the 12) which shows the production | generation method of the mask data by the 1st Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第１実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その１３）である。It is process drawing (the 13) which shows the production | generation method of the mask data by the 1st Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第２実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その１）である。It is process drawing (the 1) which shows the production | generation method of the mask data by 2nd Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第２実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その２）である。It is process drawing (the 2) which shows the production | generation method of the mask data by 2nd Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第２実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その３）である。It is process drawing (the 3) which shows the production | generation method of the mask data by 2nd Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第２実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その４）である。It is process drawing (the 4) which shows the production | generation method of the mask data by 2nd Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第２実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その５）である。It is process drawing (the 5) which shows the production | generation method of the mask data by 2nd Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第２実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その６）である。It is process drawing (the 6) which shows the production | generation method of the mask data by 2nd Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第２実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その７）である。It is process drawing (the 7) which shows the production | generation method of the mask data by 2nd Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第２実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その８）である。It is process drawing (the 8) which shows the production | generation method of the mask data by 2nd Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第２実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その９）である。It is process drawing (the 9) which shows the production | generation method of the mask data by 2nd Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 本発明の第２実施形態によるマスクデータの生成方法、電子線描画用マスクの形成方法及び電子線描画方法を示す工程図（その１０）である。It is process drawing (the 10) which shows the production | generation method of the mask data by 2nd Embodiment of this invention, the formation method of the mask for electron beam drawing, and the electron beam drawing method. 提案されている電子線描画方法で転写したコンタクトホールのパターンを示す平面図である。It is a top view which shows the pattern of the contact hole transcribe | transferred with the proposed electron beam drawing method.

符号の説明Explanation of symbols

１０…電子銃
１２…アパーチャ
１４…電子線描画用マスク
１６…半導体ウェハ
１８、１８ａ〜１８ｇ…基本パターン
２０…電子線
２２…開口部
２４、２４ａ〜２４ｄ…単位領域
２６…チップ領域
２８、２８ａ〜２８ｄ…パターン
３０…パターン群
３２、３２ａ〜３２ｃ…配線パターン DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Electron gun 12 ... Aperture 14 ... Electron beam drawing mask 16 ... Semiconductor wafer 18, 18a-18g ... Basic pattern 20 ... Electron beam 22 ... Opening 24, 24a-24d ... Unit area 26 ... Chip area | region 28, 28a- 28d ... Pattern 30 ... Pattern group 32, 32a-32c ... Wiring pattern

Claims (10)

半導体ウェハ上のチップ領域内の複数の単位領域の各々に対して、電子線描画用マスクを用いてパターンを転写する電子線描画方法であって、
前記複数の単位領域のうちの第１の単位領域内に転写される複数のパターンのうちの第１のパターンは、前記電子線描画用マスクに形成された第１の基本パターンを用いて、第１の照射量の電子線により前記第１の単位領域内に転写され、
前記第１の単位領域内に転写される前記複数のパターンのうちの第２のパターンは、前記電子線描画用マスクに形成された第２の基本パターンを用いて、前記第１の照射量と異なる第２の照射量の電子線により前記第１の単位領域内に転写される
ことを特徴とする電子線描画方法。 An electron beam drawing method for transferring a pattern using an electron beam drawing mask to each of a plurality of unit regions in a chip region on a semiconductor wafer,
The first pattern among the plurality of patterns transferred into the first unit region of the plurality of unit regions is a first basic pattern formed on the electron beam drawing mask. Transferred into the first unit region by an electron beam of 1 dose,
The second pattern of the plurality of patterns transferred into the first unit region is obtained by using the second basic pattern formed on the electron beam drawing mask and the first irradiation amount. An electron beam drawing method, wherein the electron beam is transferred into the first unit region by an electron beam having a different second dose. 請求項１記載の電子線描画方法において、
前記チップ領域内の前記複数の単位領域の各々に対して、前記第１の基本パターン及び前記第２の基本パターンを繰り返し転写する
ことを特徴とする電子線描画方法。 The electron beam drawing method according to claim 1,
The electron beam drawing method, wherein the first basic pattern and the second basic pattern are repeatedly transferred to each of the plurality of unit regions in the chip region. 請求項１又は２記載の電子線描画方法において、
前記単位領域は、前記電子線の１ショットの転写領域である
ことを特徴とする電子線描画方法。 In the electron beam drawing method according to claim 1 or 2,
The electron beam drawing method, wherein the unit area is a transfer area of one shot of the electron beam. 半導体ウェハ上のチップ領域内の複数の単位領域の各々に対してパターンを転写する際に用いられる電子線描画用マスクを形成するためのマスクデータの生成方法であって、
前記単位領域内に転写される複数のパターンの各々について、前記パターンを転写する際における電子線の照射量の適正値をそれぞれ求める第１のステップと、
前記複数のパターンのうちから、電子線の照射量の適正値が第１の照射量である第１のパターンと、電子線の照射量の適正値が第１の照射量と異なる第２の照射量である第２のパターンとを抽出し、前記第１のパターンに対応する第１の基本パターンと、前記第２のパターンに対応する第２の基本パターンとを有する前記電子線描画用マスクを形成するためのマスクデータを生成する第２のステップと
を有することを特徴とするマスクデータの生成方法。 A mask data generation method for forming an electron beam drawing mask used when transferring a pattern to each of a plurality of unit regions in a chip region on a semiconductor wafer,
For each of a plurality of patterns transferred in the unit region, a first step for obtaining an appropriate value of an electron beam irradiation amount when transferring the pattern,
Among the plurality of patterns, a first pattern in which the appropriate value of the electron beam irradiation amount is the first irradiation amount, and a second irradiation in which the appropriate value of the electron beam irradiation amount is different from the first irradiation amount. A second pattern that is a quantity, and the electron beam drawing mask having a first basic pattern corresponding to the first pattern and a second basic pattern corresponding to the second pattern; And a second step of generating mask data for forming the mask data. 請求項４記載のマスクデータの生成方法において、
前記第１のステップでは、近接効果補正を行うことにより、前記適正値を求める
ことを特徴とするマスクデータの生成方法。 The method of generating mask data according to claim 4,
In the first step, the appropriate value is obtained by performing proximity effect correction. A method of generating mask data, characterized in that: 請求項４又は５記載のマスクデータの生成方法において、
前記第１の基本パターン及び前記第２の基本パターンは、前記複数の単位領域の他の単位領域にも含まれる共通のパターンとして抽出される
ことを特徴とするマスクデータの生成方法。 In the mask data generation method according to claim 4 or 5,
The method for generating mask data, wherein the first basic pattern and the second basic pattern are extracted as a common pattern included in other unit areas of the plurality of unit areas. 請求項４乃至６のいずれか１項に記載のマスクデータの生成方法において、
前記単位領域は、前記電子線の１ショットの転写領域である
ことを特徴とするマスクデータの生成方法。 The mask data generation method according to any one of claims 4 to 6,
The method of generating mask data, wherein the unit area is a transfer area of one shot of the electron beam. 半導体ウェハ上のチップ領域内の複数の単位領域の各々に対してパターンを転写する際に用いられる電子線描画用マスクの形成方法であって、
前記単位領域内に転写される複数のパターンの各々について、前記パターンを転写する際における電子線の照射量の適正値をそれぞれ求める第１のステップと、
前記複数のパターンのうちから、電子線の照射量の適正値が第１の照射量である第１のパターンと、電子線の照射量の適正値が第１の照射量と異なる第２の照射量である第２のパターンとを抽出し、前記第１のパターンに対応する第１の基本パターンと、前記第２のパターンに対応する第２の基本パターンとを有する前記電子線描画用マスクを形成するためのマスクデータを生成する第２のステップと、
前記マスクデータに基づいて、前記第１の基本パターンと前記第２の基本パターンとを有する前記電子線描画用マスクを形成する第３のステップと
を有することを特徴とする電子線描画用マスクの形成方法。 A method of forming an electron beam drawing mask used for transferring a pattern to each of a plurality of unit regions in a chip region on a semiconductor wafer,
For each of a plurality of patterns transferred in the unit region, a first step for obtaining an appropriate value of an electron beam irradiation amount when transferring the pattern,
Among the plurality of patterns, a first pattern in which the appropriate value of the electron beam dose is the first dose, and a second irradiation in which the appropriate value of the electron beam dose is different from the first dose. A second pattern that is a quantity, and the electron beam drawing mask having a first basic pattern corresponding to the first pattern and a second basic pattern corresponding to the second pattern; A second step of generating mask data for forming;
And a third step of forming the electron beam drawing mask having the first basic pattern and the second basic pattern based on the mask data. Forming method. 請求項８記載の電子線描画用マスクの形成方法において、
前記第１のステップでは、近接効果補正を行うことにより、前記適正値を求める
ことを特徴とする電子線描画用マスクの形成方法。 In the formation method of the electron beam drawing mask of Claim 8,
In the first step, the appropriate value is obtained by performing proximity effect correction. A method of forming an electron beam drawing mask, comprising: 請求項８又は９記載の電子線描画用マスクの形成方法において、
前記第１の基本パターン及び前記第２の基本パターンは、前記複数の単位領域の他の単位領域にも含まれる共通のパターンとして抽出される
ことを特徴とする電子線描画用マスクの形成方法。 In the formation method of the mask for electron beam drawing of Claim 8 or 9,
The method for forming an electron beam drawing mask, wherein the first basic pattern and the second basic pattern are extracted as a common pattern included in other unit areas of the plurality of unit areas.
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