JP2008224303A - 自動外観検査装置 - Google Patents
自動外観検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008224303A JP2008224303A JP2007060260A JP2007060260A JP2008224303A JP 2008224303 A JP2008224303 A JP 2008224303A JP 2007060260 A JP2007060260 A JP 2007060260A JP 2007060260 A JP2007060260 A JP 2007060260A JP 2008224303 A JP2008224303 A JP 2008224303A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inspection
- flash
- image
- automatic visual
- camera
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
【課題】シリコンウェーハやガラス基板の外観検査に要するタクトタイムの短縮を図ることのできる自動外観検査装置を提供すること。
【解決手段】対象ワーク(K)における複数の検査箇所(T)の外観を自動的に検査する自動外観検査装置(1)であって、対象ワーク(K)を保持するワーク保持手段(2)と、各検査箇所(T)に閃光(L)を照射しながら撮像する照射撮像手段(5,7)と、ワーク保持手段(2)と照射撮像手段(5,7)とを相対移動させる相対移動手段(3)と、照射撮像手段(5,7)により得た検査箇所(T)の画像に基づいてこの検査箇所(T)の外観に欠陥が有るか否かを判定する判定手段(9)とを備え、照射撮像手段(5,7)から照射する閃光(L)は、キセノン放電管と、このキセノン放電管が所定のタイミングで閃光(L)を発するように制御する制御手段(8)とから得られるように構成した。
【選択図】 図1
【解決手段】対象ワーク(K)における複数の検査箇所(T)の外観を自動的に検査する自動外観検査装置(1)であって、対象ワーク(K)を保持するワーク保持手段(2)と、各検査箇所(T)に閃光(L)を照射しながら撮像する照射撮像手段(5,7)と、ワーク保持手段(2)と照射撮像手段(5,7)とを相対移動させる相対移動手段(3)と、照射撮像手段(5,7)により得た検査箇所(T)の画像に基づいてこの検査箇所(T)の外観に欠陥が有るか否かを判定する判定手段(9)とを備え、照射撮像手段(5,7)から照射する閃光(L)は、キセノン放電管と、このキセノン放電管が所定のタイミングで閃光(L)を発するように制御する制御手段(8)とから得られるように構成した。
【選択図】 図1
Description
本発明は自動外観検査装置に関する。より詳しくは、検査対象の外観に欠陥が有るか否かを自動的に検査する装置。
半導体またはFPD(フラットパネルディスプレイ)の製造工程では、シリコンウェーハやガラス基板に形成されたパターンにキズ、ムラ、剥がれ、汚れ等の欠陥が有るか否かを自動的に検査する必要がある。このような検査に用いる自動外観検査装置は、例えばXYステージ、照明用光源、CCD(Charge−Coupled−Device)またはCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)カメラ、及び画像演算処理装置などを備える。XYテーブルに保持された基板は、照明用光源によってその検査箇所が閃光照射されると同時にCCDまたはCMOSカメラにより撮像される。撮像で得られた画像データは、画像演算処理装置に送られ、所定の画像処理に基づいて欠陥有無の判定がなされる。
従来の自動外観検査装置では、照明用光源は、ハロゲンランプと、このハロゲンランプから発した光を遮蔽開放自在とするシャッターとを構成要素としていた。この照明用光源で得られる明るさは、シャッターが開いている時間に比例する。十分な明るさを得るためには、シャッターを長い時間開けておく必要がある。シャッターが長く開いていると、XYステージ駆動後の振動が撮像に影響を及ぼすため、その振動が緩和するまでの待機時間を長くする必要がある(実施形態におけるステップS44,45を参照)。これらの結果として、外観検査に要するタクトタイムが長くなるという問題があった。本発明は上述の問題に鑑みてなされたものであり、シリコンウェーハやガラス基板の外観検査に要するタクトタイムの短縮を図ることのできる自動外観検査装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明に係る自動外観検査装置は、対象ワーク(K)における複数の検査箇所(T)の外観を自動的に検査する自動外観検査装置(1)であって、対象ワーク(K)を保持するワーク保持手段(2)と、各検査箇所(T)に閃光(L)を照射しながら撮像する照射撮像手段(5,7)と、ワーク保持手段(2)と照射撮像手段(5,7)とを相対移動させる相対移動手段(3)と、照射撮像手段(5,7)により得た検査箇所(T)の画像に基づいてこの検査箇所(T)の外観に欠陥が有るか否かを判定する判定手段(9)とを備え、照射撮像手段(5,7)から照射する閃光(L)は、キセノン放電管と、このキセノン放電管が所定のタイミングで閃光(L)を発するように制御する制御手段(8)とから得られるように構成したことを特徴とする。
好ましくは、対象ワーク(K)が、半導体またはフラットパネルディスプレイの製造工程で用いられるシリコンウェーハまたはガラス基板である。更に好ましくは、照射撮像手段(5,7)は、検査用カメラ(51a)と、欠陥画像撮像用カメラ(51b)と、互いに異なる倍率を有し検査箇所(T)の拡大像を検査用カメラ(51a)及び欠陥画像撮像用カメラ(51b)のそれぞれに導く複数の対物レンズ(11A〜11E)と、対物レンズ(11A〜11E)を選択的に切り替えるレボルバー(53)とを備え、欠陥画像撮像用カメラ(51b)により欠陥画像撮像をする場合はレボルバー(53)により対物レンズ(11A〜11E)を切り替えて、異なる倍率で撮像するように構成することである。
本発明によると、照射撮像手段(5,7)から照射する閃光(L)は、キセノン放電管と、このキセノン放電管が所定のタイミングで閃光(L)を発するように制御する制御手段(8)とから得られるように構成したため、閃光時間を非常に短くすることができる。従来のようにハロゲンランプとシャッターとを用いた場合とは異なり、シャッターの開閉時間は無関係である。また、ワーク保持手段(2)の振動が緩和しワーク保持手段(2)が安定するまでに待機する時間が短くても画質の優れた撮像を行うことができ、シリコンウェーハやガラス基板の外観検査に要するタクトタイムの短縮を図ることができる。
なお、特許請求の範囲及び課題を解決するための手段の各欄において各構成要素に付した括弧書きの符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
本発明によると、シリコンウェーハやガラス基板の外観検査に要するタクトタイムの短縮を図ることができる。
以下、添付図面を用いて、本発明を実施するための最良の形態について説明する。図1は本発明に係る自動外観検査装置1の正面概略図、図2は本発明の要部を示す図である。図において直交座標系の3軸をX、Y、Zとし、XY平面は水平面、Z方向は鉛直方向である。
図1に示すように、自動外観検査装置1は、検査ステージ2、検査ステージ駆動部3、位置検出部4、撮像光学ユニット5、撮像光学ユニット駆動部6、照明用光源7、測距部10、制御用コンピュータ8及び画像処理用コンピュータ9などから構成される。
検査ステージ2は、検査対象となる半導体ウェーハKを載置可能な円盤状のテーブルであり、表面に真空吸着孔または適当な固定部材が設けられる。これにより、半導体ウェーハKを真空吸着または固定して保持可能である。なお、半導体ウェーハKの表面には多数の半導体チップ(半導体素子)Dが形成されている。
検査ステージ駆動部3は、検査ステージ2の下方においてX、Yのそれぞれの方向に沿うように配設されたリニアモータ、及び検査ステージ2をその回転中心軸J2回りのθ方向に回動駆動可能なDD(Direct Drive)モータから構成され、検査ステージ2をX、Yのそれぞれの方向に等速度で移動可能とすると共に、θ方向に回動可能とする。ステージ位置検出部4は、検査ステージ2のX、Y、θ方向位置を検出すると共に、検出した位置信号を制御用コンピュータ8に送信可能に構成される。
撮像光学ユニット5は、レボルバー53、レボルバー駆動部54、検査用カメラ51a、欠陥画像撮像用カメラ51b及び金属顕微鏡52を備える。
レボルバー53は、図2に示すように、垂直軸回りに回転自在とされ、5つの対物レンズ11A〜11Eを備える。対物レンズ11Aの倍率は10倍、対物レンズ11Bの倍率は5倍、対物レンズ11Cの倍率は2倍、対物レンズ11Dの倍率は1倍、対物レンズ11Eの倍率は20倍である。
レボルバー駆動部54は、レボルバー53をその回転中心軸回りに回動駆動することにより、対物レンズ11A〜11Eのうちいずれか一つを撮像位置P0に選択的に配置可能とする。対物レンズ11Aが撮像位置P0に配置されたときは、対物レンズ11Aを介して得られた半導体ウェーハKの拡大像が検査用カメラ51a及び欠陥画像撮像用カメラ51bにより撮像可能となる。対物レンズ11B,11C,11D,11Eについても同様である。なお、対物レンズの符号については、説明上、他の対物レンズと区別する必要のあるときは例えば「11A」「11B」などと数字の末尾にA〜Eのアルファベットを付すが、特に区別する必要のないときは、単に「11」と記す。
検査用カメラ51aは、CCDまたはCMOS等の撮像素子511aを備え、この撮像素子511aで得た画像データをディジタル信号に変換して出力可能である。欠陥画像撮像用カメラ51bについても検査用カメラ51aと同様に、CCDまたはCMOS等の撮像素子511bを備え、この撮像素子511bで得た画像データをディジタル信号に変換して出力可能である。
金属顕微鏡52は、対物レンズ11により得た半導体チップDの像を検査用カメラ51aの撮像素子511a及び欠陥画像撮像用カメラ51bの撮像素子511b上に結像可能とし、且つ照明用光源7から供給された閃光Lを半導体ウェーハKに向けて照射可能とする光学系521を備える。光学系521は、閃光Lを半導体ウェーハKに向けて照射するために閃光Lの光軸上に配設されたハーフミラー521a、ハーフミラー521aの上方に当該ハーフミラー521aと鏡面が対向するように配設されたハーフミラー521b、ハーフミラー521bの水平方向に当該ハーフミラー521bと鏡面が対向するように配設された反射ミラー521c、ハーフミラー521bを透過した光を撮像素子511aに結像するためのレンズ群521d、及び反射ミラー521cを介した光を撮像素子511bに結像するためのレンズ群521eを備える。
撮像光学ユニット駆動部6は、ステッピングモータなどで構成され、撮像光学ユニット5をZ方向に駆動可能とする。照明用光源7は、キセノン放電管を発光手段として持ち、キセノン放電管から発した閃光Lがハーフミラーを介して半導体ウェーハK上に照射されるように、光ファイバケーブル71により金属顕微鏡52と接続される。このキセノン放電管は、検査用カメラ51a及び欠陥画像撮像用カメラ51bが半導体チップDを撮像するときに閃光Lを発するように構成される。
測距部10は、静電容量変位センサ12及びセンサ駆動機構13を備え、オートフォーカスのためのデータ取得時に用いる部位である。
制御用コンピュータ8は、タッチパネル等の入出力装置、メモリチップやマイクロプロセッサなどを主体とした適当なハードウエア、このハードウエアを動作させるためのコンピュータプログラムを組み込んだハードディスク装置81、及び各構成部とデータ通信を行う適当なインターフェイス回路などから構成され、自動外観検査装置1が一連の検査動作を行うように、レボルバー駆動部54、撮像光学ユニット駆動部6、及び照明用光源7におけるキセノン放電管の発光タイミングなどを制御するためのコンピュータである。
構成される。
構成される。
画像処理用コンピュータ9は、タッチパネル等の入出力装置、メモリチップやマイクロプロセッサなどを主体とした適当なハードウエア、このハードウエアを動作させるためのコンピュータプログラムを組み込んだハードディスク装置91、及び各構成部とデータ通信を行う適当なインターフェイス回路などから構成され、検査用カメラ51aにより半導体チップDを撮像したときの画像を取り込み、この画像に所定の画像処理を施すことで半導体チップDの外観検査を行う。また、外観検査の処理を施した結果、欠陥が有ると判定された半導体チップDの該当欠陥画像をハードディスク装置91に記憶する機能も備える。なお、制御用コンピュータ8と画像処理用コンピュータ9とは、互いにデータ通信可能となるように電気的に接続されている。
次に、自動外観検査装置1の検査動作について説明する。図3は自動外観検査装置1における検査処理の概略を示すフローチャート、図4は全体検査ステップS3の流れを示すフローチャート、図5はレビューステップS4の流れを示すフローチャート、図6は全体検査処理時における検査ステージ2の動作を示す図、図7はレビュー処理時における検査ステージ2の動作を示す図である。
図3に示すように、自動外観検査装置1における検査処理は、ウェーハロードステップS1、テーブルアラインメントステップS2、全体検査ステップS3、レビューステップS4及びウェーハアンロードステップS5からなる。
ウェーハロードステップS1において、検査ステージ2は図示しない搬送用ロボットから受け取った半導体ウェーハKを、その表面に真空吸着または固定することにより保持する。
テーブルアラインメントステップS2では、必要に応じて、検査ステージ2をその回転中心軸J2回りに微少角度回動させる制御を行う。これにより、検査ステージ2のθ方向の組み付け誤差を補正することができ、検査ステージ2はX、Yそれぞれの方向に精度の良い平行度を確保して移動可能となる。
全体検査ステップS3では、図4のようにして、半導体ウェーハKに形成された全ての半導体チップDの外観検査を行う。まずステップS31において対物レンズ11を選択する。即ちレボルバー駆動部54は、制御用コンピュータ8からの指令信号により所定の対物レンズ11を撮像位置P0に配置する。全体検査ステップS3で用いる対物レンズ11は比較的倍率の低いもの、例えば対物レンズ11B、11Cまたは11Dが好ましい。ここでは対物レンズ11Cを選択したものとして説明する。
続いて検査ステージ駆動部3は、制御用コンピュータ8からの指令信号により、検査ステージ2と対物レンズ11Cとの相対位置関係が図6に示す破線矢印B1の経路を辿るように検査ステージ2をX、Y方向に水平駆動する(ステップS32)。検査ステージ2がY方向に連続的に移動した状態で、撮像光学ユニット駆動部6が撮像光学ユニット5をZ軸方向に制御用コンピュータ8から送られた適切な補正量だけ駆動することにより、半導体チップDの検査箇所Tに対する自動合焦を行う(ステップS33)。なお、ここでは一つの半導体チップDについて左右2箇所の検査箇所Tがあるものとする。図6では全ての検査箇所T(白丸部分)は記入していないが、全ての半導体チップDについてこれらが存在するものとする。自動合焦後、制御用コンピュータ8からの指令信号により照明用光源7が閃光Lを発すると同時に、検査用カメラ51aが半導体チップDの検査箇所Tを撮像する(ステップS34)。そして撮像した検査箇所Tの欠陥有無の判定を行う。即ち、検査用カメラ51aの撮像で得た画像を画像処理用コンピュータ9に取り込み、所定の画像処理によりその外観の良否判断を行う(ステップS35)。以降の説明では、欠陥が有ると判定された半導体チップDの検査箇所の符号をTdとする。
欠陥が有ると判定された場合は(ステップS36でノー)、その半導体チップDの検査箇所TdのXY位置を制御用コンピュータ8のハードディスク装置81に記憶する(ステップS38)。検査箇所TdのXY位置とは、具体的にはステージ位置検出部4からの出力信号である。欠陥が無いと判定された場合は(ステップS36でイエス)、上と同様な要領で次の半導体チップD(つまり図6では一つ下の半導体チップD)を撮像して、欠陥有無の判定を行う。このような処理を全ての半導体チップDの検査箇所Tについて終えると(ステップS39でイエス)、検査ステージ駆動部3は検査ステージ2を停止させる(ステップS391)。
レビューステップS4では、図5のようにして、欠陥の有った半導体チップDの該当欠陥の一層精密な画像を取得する。まずステップS41において対物レンズを切り替える。即ちレボルバー駆動部54は、制御用コンピュータ8からの指令信号により所定の対物レンズ11を撮像位置P0に配置する。レビューステップS4で用いる対物レンズ11は倍率の高いもの、例えば対物レンズ11Aまたは11Eが好ましい。ここでは対物レンズ11Aを選択したものとして説明する。
続いて検査ステージ駆動部3は、制御用コンピュータ8のハードディスク装置81に記憶された欠陥の有る半導体チップDの検査箇所TdのXY位置に基づいて検査ステージ2を水平駆動して、欠陥の有る半導体チップDの検査箇所Tdの上に対物レンズ11Aが来るようにする(ステップS42)。そして前記ステップS33と同様な要領で、欠陥の有る半導体チップDの検査箇所Tdについての自動合焦を行う(ステップS43)。自動合焦後、加速度センサ等の振動検出手段(不図示)により検出した検査ステージ2の振動が規定値以下となった時点で(ステップS45でイエス)、制御用コンピュータ8からの指令信号により照明用光源7が閃光Lを発すると同時に、欠陥の有る半導体チップDの検査箇所Tdを欠陥画像撮像用カメラ51bが撮像する(ステップS46)。
自動外観検査装置1によると、照明用光源7から照射する閃光Lは、キセノン放電管と、このキセノン放電管が所定のタイミングで閃光Lを発するように制御する制御用コンピュータ8とから得られるように構成したため、閃光時間を非常に短くすることができる。従来のようにハロゲンランプとシャッターとを用いた場合とは異なり、シャッターの開閉時間は無関係である。また、ステップS44において振動が緩和し検査ステージ2が安定するまでに待機する時間が短くても画質の優れた撮像を行うことができ、半導体ウェーハKの外観検査に要するタクトタイムの短縮を図ることができる。
続いて、欠陥の有る半導体チップDの検査箇所Tdの画像を、画像処理用コンピュータ9のハードディスク装置91に記憶する(ステップS47)。上と同様な要領で欠陥の有る全ての半導体チップDの検査箇所Tdを撮像して(ステップS48でイエスとなるまで)、その画像を画像処理用コンピュータ9のハードディスク装置81に記憶する(ステップS47)。記憶した画像は欠陥データとして原因究明や工程改善のために利用される。また、これらの画像を別置きのモニター画面に表示するようにしてもよい。これにより欠陥の状況を直ちに視認することができるようになる。
ウェーハアンロードステップS5において、検査済みの半導体ウェーハKを真空吸着または固定から解放し、搬送用ロボットに引き渡す。以降、新たな半導体ウェーハKを受け取り、上と同様な手順で処理を進める。
以上、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上に開示した実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら実施の形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、更に特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更を含むことが意図される。例えば、制御用コンピュータ8による処理及び画像処理用コンピュータ9による処理の一部または全体を、これら2つのいずれかのコンピュータ内で処理する構成としてもよい。また、検査ステージ2の動作態様、検査処理の各ステップの順序などについても、本発明の主旨に沿い適宜変更してよい。
1 自動外観検査装置
2 検査ステージ(ワーク保持手段)
3 検査ステージ駆動部(相対移動手段)
5 撮像光学ユニット(照射撮像手段)
7 照明用光源(照射撮像手段)
9 画像処理用コンピュータ(判定手段)
K 半導体ウェーハ(対象ワーク)
T 検査箇所
2 検査ステージ(ワーク保持手段)
3 検査ステージ駆動部(相対移動手段)
5 撮像光学ユニット(照射撮像手段)
7 照明用光源(照射撮像手段)
9 画像処理用コンピュータ(判定手段)
K 半導体ウェーハ(対象ワーク)
T 検査箇所
Claims (4)
- 対象ワーク(K)における複数の検査箇所(T)の外観を自動的に検査する自動外観検査装置(1)であって、対象ワーク(K)を保持するワーク保持手段(2)と、各検査箇所(T)に閃光(L)を照射しながら撮像する照射撮像手段(5,7)と、ワーク保持手段(2)と照射撮像手段(5,7)とを相対移動させる相対移動手段(3)と、照射撮像手段(5)により得た検査箇所(T)の画像に基づいてこの検査箇所(T)の外観に欠陥が有るか否かを判定する判定手段(9)とを備え、
照射撮像手段(5,7)から照射する閃光(L)は、キセノン放電管と、このキセノン放電管が所定のタイミングで閃光(L)を発するように制御する制御手段(8)とから得られるように構成したことを特徴とする自動外観検査装置。 - 請求項1に記載の自動外観検査装置において、前記対象ワーク(K)が、半導体またはフラットパネルディスプレイの製造工程で用いられるシリコンウェーハまたはガラス基板である自動外観検査装置。
- 請求項1または請求項2に記載の自動外観検査装置において、照射撮像手段(5,7)は、検査用カメラ(51a)と、欠陥画像撮像用カメラ(51b)と、互いに異なる倍率を有し検査箇所(T)の拡大像を検査用カメラ(51a)及び欠陥画像撮像用カメラ(51b)のそれぞれに導く複数の対物レンズ(11A〜11E)と、対物レンズ(11A〜11E)を選択的に切り替えるレボルバー(53)とを備え、欠陥画像撮像用カメラ(51b)により欠陥画像撮像をする場合はレボルバー(53)により対物レンズ(11A〜11E)を切り替えて、異なる倍率で撮像するように構成した自動外観検査装置。
- 請求項3の自動外観検査装置において、欠陥画像撮像時に照射撮像手段(5,7)から照射する閃光(L)は、キセノン放電管と、このキセノン放電管が所定のタイミングで閃光(L)を発するように制御する制御手段(8)とから得られるように構成した自動外観検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007060260A JP2008224303A (ja) | 2007-03-09 | 2007-03-09 | 自動外観検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007060260A JP2008224303A (ja) | 2007-03-09 | 2007-03-09 | 自動外観検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008224303A true JP2008224303A (ja) | 2008-09-25 |
Family
ID=39843122
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007060260A Pending JP2008224303A (ja) | 2007-03-09 | 2007-03-09 | 自動外観検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008224303A (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010151478A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Toppan Printing Co Ltd | 周期性パターンのムラ検査方法及び検査装置 |
JP2012515925A (ja) * | 2009-01-23 | 2012-07-12 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 高速検査のための局在駆動および信号処理回路を備えたtdiセンサーモジュール |
JP2012202866A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Toshiba Corp | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
CN106525866A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-03-22 | 重庆市江津区恩聪机械厂 | 缸盖缺陷检测***及其检测流程 |
CN108918531A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-11-30 | 苏州朵唯智能科技有限公司 | 玻璃外观及平整度在线自动检测方法 |
US10194108B2 (en) | 2015-05-14 | 2019-01-29 | Kla-Tencor Corporation | Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems |
US10313622B2 (en) | 2016-04-06 | 2019-06-04 | Kla-Tencor Corporation | Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor |
US10778925B2 (en) | 2016-04-06 | 2020-09-15 | Kla-Tencor Corporation | Multiple column per channel CCD sensor architecture for inspection and metrology |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04348050A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-12-03 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 材料表面検査装置 |
JPH07270335A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 撮像式検査方法および装置 |
JPH11326233A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-26 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 材料表面検査装置 |
JP2004279036A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置 |
JP2006084445A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 画像取得装置 |
-
2007
- 2007-03-09 JP JP2007060260A patent/JP2008224303A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04348050A (ja) * | 1990-11-30 | 1992-12-03 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 材料表面検査装置 |
JPH07270335A (ja) * | 1994-03-29 | 1995-10-20 | Sekisui Chem Co Ltd | 撮像式検査方法および装置 |
JPH11326233A (ja) * | 1998-05-12 | 1999-11-26 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 材料表面検査装置 |
JP2004279036A (ja) * | 2003-03-12 | 2004-10-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置 |
JP2006084445A (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 画像取得装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010151478A (ja) * | 2008-12-24 | 2010-07-08 | Toppan Printing Co Ltd | 周期性パターンのムラ検査方法及び検査装置 |
JP2012515925A (ja) * | 2009-01-23 | 2012-07-12 | ケーエルエー−テンカー・コーポレーション | 高速検査のための局在駆動および信号処理回路を備えたtdiセンサーモジュール |
US9077862B2 (en) | 2009-01-23 | 2015-07-07 | Kla-Tencor Corporation | TDI sensor modules with localized driving and signal processing circuitry for high speed inspection |
JP2012202866A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-10-22 | Toshiba Corp | パターン検査装置およびパターン検査方法 |
US10194108B2 (en) | 2015-05-14 | 2019-01-29 | Kla-Tencor Corporation | Sensor with electrically controllable aperture for inspection and metrology systems |
US10313622B2 (en) | 2016-04-06 | 2019-06-04 | Kla-Tencor Corporation | Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor |
US10764527B2 (en) | 2016-04-06 | 2020-09-01 | Kla-Tencor Corporation | Dual-column-parallel CCD sensor and inspection systems using a sensor |
US10778925B2 (en) | 2016-04-06 | 2020-09-15 | Kla-Tencor Corporation | Multiple column per channel CCD sensor architecture for inspection and metrology |
CN106525866A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-03-22 | 重庆市江津区恩聪机械厂 | 缸盖缺陷检测***及其检测流程 |
CN108918531A (zh) * | 2018-06-13 | 2018-11-30 | 苏州朵唯智能科技有限公司 | 玻璃外观及平整度在线自动检测方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008224303A (ja) | 自動外観検査装置 | |
JP5002961B2 (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
KR100954360B1 (ko) | 자동 외관검사장치 | |
KR20120129547A (ko) | 멀티라인센서 카메라와 다중조명을 사용한 시편 고속검사장치 | |
KR20080003718A (ko) | 결함 수정 장치 | |
WO2022075041A1 (ja) | 外観検査装置および方法 | |
JP7007993B2 (ja) | ダイシングチップ検査装置 | |
WO2021033396A1 (ja) | ウエーハ外観検査装置および方法 | |
US6963394B2 (en) | Inspecting device for semiconductor wafer | |
JP2009150718A (ja) | 検査装置および検査プログラム | |
JP4641275B2 (ja) | 自動外観検査装置及び自動外観検査方法 | |
WO2023162523A1 (ja) | ウエーハ検査装置 | |
WO2022153772A1 (ja) | 外観検査装置 | |
TWI845721B (zh) | 晶圓外觀檢查裝置及方法 | |
KR102472876B1 (ko) | 불량 pcb 모듈의 리뷰 장치 | |
KR101138647B1 (ko) | 고속기판검사장치 및 이를 이용한 고속기판검사방법 | |
JP7293046B2 (ja) | ウエーハ外観検査装置および方法 | |
JP2001091474A (ja) | 欠陥検査システム | |
JP4960912B2 (ja) | 自動外観検査装置及び自動外観検査方法 | |
JP2006308484A (ja) | 自動外観検査装置及び自動外観検査方法 | |
JP4703273B2 (ja) | 自動外観検査装置及び自動外観検査方法 | |
TW201716854A (zh) | 光罩檢測裝置及其方法 | |
JP2020046393A (ja) | チップ体の検査装置 | |
JP2000088760A (ja) | ワーク検査装置 | |
JP2023094962A (ja) | ウエーハ外観検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100128 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110929 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20120302 |