JP2008223066A - Vapor deposition apparatus - Google Patents

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JP2008223066A JP2007061348A JP2007061348A JP2008223066A JP 2008223066 A JP2008223066 A JP 2008223066A JP 2007061348 A JP2007061348 A JP 2007061348A JP 2007061348 A JP2007061348 A JP 2007061348A JP 2008223066 A JP2008223066 A JP 2008223066A
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Toshiko Hosoda
登志子 細田
Masahiro Ogiwara
正弘 荻原
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor deposition apparatus capable of preventing separation of a vapor deposition material from a cell shutter by preventing thick deposition of the vapor deposition material on the cell shutter. <P>SOLUTION: A vacuum vapor deposition apparatus 100 comprises a vapor deposition source 12 having an aperture 12a for emitting a vapor flow of a vapor deposition material, a cell shutter 15 having a blocking surface 154 which covers the aperture 12a on an upper part to stop the supply of the vapor flow to a substrate 20 to be treated, and a cell shutter driving device for driving the cell shutter 15 so that the cell shutter 15 opens/closes the aperture 12a. A shutter plate 153 is formed in a hemispherical shape opened downwardly, and the blocking surface 54 is formed in a recess spherical surface recessed toward the substrate 20 side. Therefore, even when the vapor deposition material of the same volume is deposited, the thickness of a deposition layer 17 of the vapor deposition material on the blocking surface 154 is small, and the deposition layer 17 is hardly separated. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、蒸着源の開口部をセルシャッタにより開閉して蒸気流の供給およびその停止を行なう蒸着装置に関するものである。   The present invention relates to a vapor deposition apparatus that opens and closes an opening of a vapor deposition source by a cell shutter to supply and stop a vapor flow.

真空蒸着装置では、蒸着材料を加熱して蒸着材料の蒸気流を蒸着源の開口部から被処理基板に向けて供給するとともに、開口部をセルシャッタで覆うことにより、蒸気流の被処理基板への供給を停止する。例えば、図９（ａ）に示す蒸着装置１００Ｘでは、蒸着源１２において蒸着材料を所定の温度になるまで加熱する間、蒸着源１２の開口部は平板状のセルシャッタ１５Ｘによって遮断しておく。次に、所望のタイミングでセルシャッタ１５Ｘを駆動して蒸着源１２の開口部を開状態にし、開口部から被処理基板２０に向けて蒸気流を供給して真空蒸着を行なう。そして、被処理基板２０に対して所望の成膜が完了した時点で、セルシャッタ１５Ｘを駆動して蒸着源１２の開口部を閉状態にして真空蒸着を停止する。また、異なる蒸着材料が装填された複数の蒸着源１２を配置して、被成膜基板２０に複数種類の薄膜を積層する場合もあり、この場合も、各セルシャッタ１５Ｘを所定のタイミングで駆動して、各蒸着源１２の開口部を順次開閉する。   In the vacuum vapor deposition apparatus, the vapor deposition material is heated to supply the vapor flow of the vapor deposition material from the opening of the vapor deposition source toward the substrate to be processed, and the opening is covered with a cell shutter, thereby allowing the vapor flow to the substrate to be processed. Stop supplying. For example, in the vapor deposition apparatus 100X shown in FIG. 9A, the opening of the vapor deposition source 12 is blocked by the flat cell shutter 15X while the vapor deposition material 12 is heated to a predetermined temperature in the vapor deposition source 12. Next, the cell shutter 15X is driven at a desired timing to open the opening of the evaporation source 12, and a vapor flow is supplied from the opening toward the substrate 20 to be vacuum-deposited. When desired film formation is completed on the substrate 20 to be processed, the cell shutter 15X is driven to close the opening of the vapor deposition source 12 and stop the vacuum vapor deposition. In addition, a plurality of vapor deposition sources 12 loaded with different vapor deposition materials may be arranged, and a plurality of types of thin films may be stacked on the deposition target substrate 20. In this case as well, each cell shutter 15X is driven at a predetermined timing. Then, the opening of each vapor deposition source 12 is opened and closed sequentially.

このような蒸着装置１００Ｘでは、セルシャッタ１５Ｘにより蒸着源１２の開口部を覆っている期間中も、蒸着源１２の開口部からは蒸気流が発生するため、図９（ｂ）に示すように、セルシャッタ１５Ｘの下面（遮断面１５４Ｘ）には蒸着材料が堆積するとともに、成膜を繰り返すうちに蒸着材料の堆積層１７Ｘが分厚くなる。その結果、堆積層１７Ｘが自重で剥がれ、蒸着源１２内に落下することがある。このような事態が発生すると、剥離した堆積層１７Ｘで蒸着源１２内の蒸着材料が覆われ、蒸着速度の不安定化や低下が発生するなどの問題が発生する。これを防止するには、蒸着材料の堆積層１７Ｘが分厚くなる前にセルシャッタ１５Ｘを頻繁に交換すればよいが、かかる交換作業を頻繁に行なうと、生産性が低下する。   In such a vapor deposition apparatus 100X, since a vapor flow is generated from the opening of the vapor deposition source 12 even during the period in which the cell shutter 15X covers the opening of the vapor deposition source 12, as shown in FIG. The vapor deposition material is deposited on the lower surface (blocking surface 154X) of the cell shutter 15X, and the deposition layer 17X of the vapor deposition material becomes thicker as the film formation is repeated. As a result, the deposited layer 17X may be peeled off by its own weight and fall into the vapor deposition source 12. When such a situation occurs, the vapor deposition material in the vapor deposition source 12 is covered with the peeled deposition layer 17X, which causes problems such as instability and reduction of the vapor deposition rate. In order to prevent this, the cell shutter 15X may be frequently replaced before the deposition layer 17X of the vapor deposition material becomes thick. However, if such replacement work is frequently performed, productivity is lowered.

そこで、平板状のセルシャッタ１５Ｘの遮断面１５４Ｘに微細な凹凸を形成し、そのアンカー効果により、蒸着材料の堆積層１７の剥離を防止する方法が提案されている（特許文献１参照）。
特開２００６−２１９９号公報 Therefore, a method has been proposed in which fine irregularities are formed on the blocking surface 154X of the flat cell shutter 15X and the deposition layer 17 of the vapor deposition material is prevented from being peeled off by the anchor effect (see Patent Document 1).
JP 2006-2199 A

しかしながら、特許文献１に記載の構成を採用しても、遮断面１５４Ｘに分厚い堆積層１７Ｘが形成されると、堆積層１７Ｘが剥離するという事態を回避することは不可能である。   However, even if the configuration described in Patent Document 1 is adopted, it is impossible to avoid the situation where the deposited layer 17X is peeled off when the thick deposited layer 17X is formed on the blocking surface 154X.

以上の問題に鑑みて、本発明の課題は、セルシャッタに蒸着材料が分厚く堆積することを防止することにより、セルシャッタからの蒸着材料の剥離を防止することのできる蒸着装置を提供することにある。   In view of the above problems, an object of the present invention is to provide a vapor deposition apparatus capable of preventing the vapor deposition material from being peeled off from the cell shutter by preventing the vapor deposition material from being deposited on the cell shutter. is there.

上記課題を解決するために、本発明では、蒸着材料の蒸気流を放出する開口部を備えた蒸着源と、前記開口部を覆って前記蒸気流の被処理基板への供給を停止する遮断面を備えたセルシャッタと、該セルシャッタが前記開口部を開閉するように当該セルシャッタを駆動するセルシャッタ駆動装置と、を有する蒸着装置において、前記遮断面は曲面からなることを特徴とする。   In order to solve the above problems, in the present invention, a vapor deposition source having an opening for discharging a vapor flow of a vapor deposition material, and a blocking surface that covers the opening and stops the supply of the vapor flow to the substrate to be processed. And a cell shutter driving device that drives the cell shutter so that the cell shutter opens and closes the opening. The blocking surface is a curved surface.

本発明では、セルシャッタで蒸着源の開口部を遮断している間、遮断面には蒸着材料が堆積するが、本発明では、遮断面は曲面からなるため、遮断面が平面である場合と比較して表面積が広い。従って、本発明によれば、同一体積の蒸着材料が堆積した場合でも、堆積層の厚さが薄いため、遮断面から堆積層が剥離しにくい。また、曲面のうち、鉛直方向に対して斜めの部分では、堆積層に重力が作用する方向と堆積層を剥離させる力の方向（遮断面に対する法線方向）とが一致しないため、堆積層の自重が堆積層を剥離させようと作用する力が小さい。それ故、遮断面から堆積層が剥離するのをより確実に防止することができる。   In the present invention, the vapor deposition material is deposited on the blocking surface while the cell shutter is blocking the opening of the vapor deposition source. However, in the present invention, the blocking surface is a curved surface, and therefore the blocking surface is a flat surface. Compared with a large surface area. Therefore, according to the present invention, even when an evaporation material having the same volume is deposited, the deposited layer is difficult to peel off from the blocking surface because the deposited layer is thin. In addition, in the part of the curved surface that is inclined with respect to the vertical direction, the direction in which gravity acts on the deposited layer does not match the direction of the force that separates the deposited layer (the direction normal to the blocking surface). The force with which the self weight acts to peel off the deposited layer is small. Therefore, it is possible to more reliably prevent the deposited layer from peeling from the blocking surface.

本発明において、前記遮断面は凹曲面からなることが好ましい。このように構成すると、遮断面が凸曲面からなる場合と違って、セルシャッタが蒸着源を覆う際、遮断面が蒸着源側と干渉するなどといった問題が発生しない。   In the present invention, the blocking surface is preferably a concave curved surface. If comprised in this way, unlike the case where a interruption | blocking surface consists of a convex curved surface, when a cell shutter covers a vapor deposition source, the problem that a interruption | blocking surface interferes with the vapor deposition source side does not generate | occur | produce.

本発明において、前記遮断面は凹球面からなることが好ましい。このように構成すると、鉛直方向に斜めの部分が広く、かかる部分では、自重に起因して堆積層が剥離しようとする力が小さい。それ故、遮断面から堆積層が剥離するのをより確実に防止することができる。   In the present invention, the blocking surface is preferably a concave spherical surface. If comprised in this way, the part diagonally inclined in the perpendicular direction is wide, and the force at which the deposited layer tends to peel off due to its own weight is small in such a part. Therefore, it is possible to more reliably prevent the deposited layer from peeling from the blocking surface.

本発明の別の形態では、蒸着材料の蒸気流を放出する開口部を備えた蒸着源と、前記開口部を覆って前記蒸気流の被処理基板への供給を停止する遮断面を備えたセルシャッタと、該セルシャッタが前記開口部を開閉するように当該セルシャッタを駆動するセルシャッタ駆動装置と、を有する蒸着装置において、前記セルシャッタは、前記遮断面を当該セルシャッタの駆動方向に沿って複数備え、前記セルシャタ駆動装置は、前記複数の遮断面において前記開口部を覆う遮断面を切り換えることを特徴とする。   In another embodiment of the present invention, a cell having a vapor deposition source having an opening for discharging a vapor flow of a vapor deposition material, and a blocking surface covering the opening and stopping the supply of the vapor flow to a substrate to be processed. In the vapor deposition apparatus having a shutter and a cell shutter driving device that drives the cell shutter so that the cell shutter opens and closes the opening, the cell shutter has the blocking surface along the driving direction of the cell shutter. The selshater driving device is characterized in that the blocking surfaces that cover the openings are switched in the plurality of blocking surfaces.

本発明では、セルシャッタで蒸着源の開口部を遮断している間、遮断面には蒸着材料が堆積するが、本発明では、複数の遮断面が交代に蒸着源の開口を覆うので、遮断面が１つの場合と比較して、遮断面の表面積を広くしたのと同様な結果となる。従って、同一体積の蒸着材料がセルシャッタに堆積した場合でも、堆積層の厚さが薄いため、遮断面から堆積層が剥離しにくい。   In the present invention, the vapor deposition material is deposited on the blocking surface while the cell shutter is blocking the opening of the vapor deposition source. However, in the present invention, a plurality of blocking surfaces alternately cover the vapor deposition source opening. Compared to the case of one surface, the result is the same as increasing the surface area of the blocking surface. Therefore, even when the same volume of vapor deposition material is deposited on the cell shutter, the deposited layer is difficult to peel off from the blocking surface because the deposited layer is thin.

本発明のさらに別の形態では、蒸着材料の蒸気流を放出する開口部を備えた蒸着源と、前記開口部を覆って前記蒸気流の被処理基板への供給を停止する遮断面を備えたセルシャッタと、該セルシャッタが前記開口部を開閉するように当該セルシャッタを駆動するセルシャッタ駆動装置と、を有する蒸着装置において、前記セルシャッタでは、前記遮断面が当該セルシャッタの駆動方向に沿って延設され、前記セルシャタ駆動装置は、前記遮断面において前記開口部を覆う箇所を切り換えることを特徴とする。   In still another embodiment of the present invention, a vapor deposition source having an opening for discharging a vapor flow of the vapor deposition material, and a blocking surface that covers the opening and stops the supply of the vapor flow to the substrate to be processed are provided. In a vapor deposition apparatus having a cell shutter and a cell shutter driving device that drives the cell shutter so that the cell shutter opens and closes the opening, the blocking surface of the cell shutter is in a driving direction of the cell shutter. The sel-shater driving device is configured to switch a portion that covers the opening in the blocking surface.

本発明では、セルシャッタで蒸着源の開口部を遮断している間、遮断面には蒸着材料が堆積するが、本発明では、遮断面において蒸着源の開口を覆う部分が変わるので、遮断面が１つの場合と比較して、遮断面の表面積を広くしたのと同様な結果となる。従って、同一体積の蒸着材料がセルシャッタに堆積した場合でも、堆積層の厚さが薄いため、遮断面から堆積層が剥離しにくい。   In the present invention, the vapor deposition material is deposited on the blocking surface while the cell shutter is blocking the opening of the vapor deposition source. However, in the present invention, the portion of the blocking surface that covers the opening of the vapor deposition source is changed. Compared with the case where there is only one, the result is the same as increasing the surface area of the blocking surface. Therefore, even when the same volume of vapor deposition material is deposited on the cell shutter, the deposited layer is difficult to peel off from the blocking surface because the deposited layer is thin.

このような形態においても、前記遮断面は曲面からなることが好ましい。このように構成すると、遮断面が平面である場合と比較して、単位投影面積当たりの遮断面の面積が広い。従って、本発明によれば、同一体積の蒸着材料が堆積した場合でも、堆積層の厚さが薄いため、遮断面から堆積層が剥離しにくい。また、曲面のうち、鉛直方向に斜めの部分では、堆積層に重力が作用する方向と堆積層を剥離させる力の方向（遮断面に対する法線方向）とが一致しないため、堆積層の自重が堆積層を剥離させようと作用する力が小さい。それ故、遮断面から堆積層が剥離するのをより確実に防止することができる。   Even in such a form, it is preferable that the blocking surface is a curved surface. If comprised in this way, the area of the interruption | blocking surface per unit projection area is large compared with the case where an interruption | blocking surface is a plane. Therefore, according to the present invention, even when an evaporation material having the same volume is deposited, the deposited layer is difficult to peel off from the blocking surface because the deposited layer is thin. Also, in the part of the curved surface that is slanted in the vertical direction, the direction in which gravity acts on the deposited layer does not match the direction of the force that separates the deposited layer (the direction normal to the blocking surface). The force acting to peel off the deposited layer is small. Therefore, it is possible to more reliably prevent the deposited layer from peeling from the blocking surface.

本発明において、前記遮断面は凹曲面からなることが好ましい。このように構成すると、遮断面が凸曲面からなる場合と違って、セルシャッタが蒸着源を覆う際、遮断面が蒸着源側と干渉するなどといった問題が発生しない。   In the present invention, the blocking surface is preferably a concave curved surface. If comprised in this way, unlike the case where a interruption | blocking surface consists of a convex curved surface, when a cell shutter covers a vapor deposition source, the problem that a interruption | blocking surface interferes with the vapor deposition source side does not generate | occur | produce.

以下に、図面を参照して、本発明を適用した蒸着装置について説明する。なお、以下の説明では、各実施の形態で共通の構成を説明した後、各実施の形態の特徴部分を説明する。また、以下の実施の形態では、本発明の蒸着装置が使用される対象として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置を例示する。   The vapor deposition apparatus to which the present invention is applied will be described below with reference to the drawings. In the following description, after describing a common configuration in each embodiment, a characteristic part of each embodiment will be described. Moreover, in the following embodiments, an organic EL (electroluminescence) device is illustrated as an object to which the vapor deposition device of the present invention is used.

［共通構成］
（有機ＥＬ装置の構成例）
図１は、本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図である。図１に示す有機ＥＬ装置１は、表示装置などとして用いられるものであり、素子基板２上では、感光性樹脂からなる隔壁９で囲まれた複数の領域に画素３が構成されている。複数の画素３は各々、有機ＥＬ素子３ａを備えており、有機ＥＬ素子３ａは、陽極として機能するＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる画素電極４と、この画素電極４からの正孔を注入／輸送する正孔注入輸送層５と、有機ＥＬ材料からなる発光層６と、電子を注入／輸送する電子注入輸送層７と、アルミニウムやアルミニウム合金からなる陰極８とを備えている。陰極８の側には、有機ＥＬ素子３ａが水分や酸素により劣化するのを防止するための封止層や封止部材（図示せず）が配置されている。素子基板２上には、画素電極４に電気的に接続された駆動用トランジスタ２ａなどを含む回路部２ｂが有機ＥＬ素子３ａの下層側に形成されている。 [Common configuration]
(Configuration example of organic EL device)
FIG. 1 is a cross-sectional view of an essential part of an organic EL device to which the present invention is applied. An organic EL device 1 shown in FIG. 1 is used as a display device or the like, and on the element substrate 2, pixels 3 are configured in a plurality of regions surrounded by a partition wall 9 made of a photosensitive resin. Each of the plurality of pixels 3 includes an organic EL element 3a. The organic EL element 3a injects a pixel electrode 4 made of an ITO (Indium Tin Oxide) film functioning as an anode and holes from the pixel electrode 4 A hole injecting and transporting layer 5 for transporting / transporting, a light emitting layer 6 made of an organic EL material, an electron injecting and transporting layer 7 for injecting / transporting electrons, and a cathode 8 made of aluminum or an aluminum alloy. On the cathode 8 side, a sealing layer and a sealing member (not shown) for preventing the organic EL element 3a from being deteriorated by moisture or oxygen are disposed. On the element substrate 2, a circuit portion 2b including a driving transistor 2a electrically connected to the pixel electrode 4 is formed on the lower layer side of the organic EL element 3a.

有機ＥＬ装置１がボトムエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を画素電極４の側から出射するため、素子基板２の基体としては、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）などの透明基板が用いられる。その際、陰極８を光反射膜によって構成すれば、発光層６で発光した光を陰極８で反射して透明基板の側から出射することができる。   When the organic EL device 1 is a bottom emission method, light emitted from the light emitting layer 6 is emitted from the pixel electrode 4 side, so that the base of the element substrate 2 is glass, quartz, resin (plastic, plastic film) A transparent substrate such as is used. At this time, if the cathode 8 is formed of a light reflecting film, the light emitted from the light emitting layer 6 can be reflected by the cathode 8 and emitted from the transparent substrate side.

これに対して、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合は、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射するため、素子基板２の基体は透明である必要はない。但し、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合でも、素子基板２に対して光出射側とは反対側の面に反射層（図示せず）を配置して、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射する場合には、素子基板２の基体として透明基板を用いること必要がある。なお、有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合において、素子基板２の基体と発光層６との間、例えば、画素電極４の下層側などに反射層を形成して、発光層６で発光した光を陰極８の側から出射する場合には、素子基板２の基体は透明である必要はない。   On the other hand, when the organic EL device 1 is a top emission method, the light emitted from the light emitting layer 6 is emitted from the cathode 8 side, and therefore the base of the element substrate 2 does not need to be transparent. However, even when the organic EL device 1 is a top emission type, a light is emitted from the light emitting layer 6 by disposing a reflective layer (not shown) on the surface opposite to the light emitting side with respect to the element substrate 2. Is emitted from the cathode 8 side, it is necessary to use a transparent substrate as the base of the element substrate 2. When the organic EL device 1 is a top emission method, a light emitting layer 6 emits light by forming a reflective layer between the base of the element substrate 2 and the light emitting layer 6, for example, on the lower layer side of the pixel electrode 4. When the emitted light is emitted from the cathode 8 side, the base of the element substrate 2 does not have to be transparent.

有機ＥＬ装置１がトップエミッション方式である場合、陰極８が薄く形成される。このため、陰極８の電気抵抗の増大を補うことを目的に、隔壁９の上面にアルミニウムやアルミニウム合金からなる補助配線８ａが形成されることもある。   When the organic EL device 1 is a top emission method, the cathode 8 is formed thin. For this reason, an auxiliary wiring 8 a made of aluminum or an aluminum alloy may be formed on the upper surface of the partition wall 9 in order to compensate for an increase in electric resistance of the cathode 8.

有機ＥＬ装置１がカラー表示装置として用いられる場合、複数の画素３および有機ＥＬ素子３ａは各々、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に対応するサブ画素として構成される。その場合、有機ＥＬ素子３ａにおいて、発光層６は、各色に対応する光を出射可能な発光材料により形成される。また、単独の発光材料からなる発光層６によって、ＲＧＢ各色の特性を得るのは難しいことが多いので、ホスト材料に蛍光色素をドーピングした発光層６を形成し、蛍光色素からのルミネッセンスを発光色として取り出すこともある。このようなホスト材料とドーパント材料の組み合わせとしては、例えば、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとクマリン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とスチリルアミン誘導体との組み合わせ、アントラセン誘導体とナフタセン誘導体との組み合わせ、トリス（８−キノリラート）アルミニウムとジシアノピラン誘導体との組み合わせ、ナフタセン誘導体とジインデノペリレンとの組み合わせなどがある。   When the organic EL device 1 is used as a color display device, the plurality of pixels 3 and the organic EL element 3a are each configured as a sub pixel corresponding to red (R), green (G), and blue (B). In that case, in the organic EL element 3a, the light emitting layer 6 is formed of a light emitting material capable of emitting light corresponding to each color. In addition, since it is often difficult to obtain the characteristics of each RGB color by the light emitting layer 6 made of a single light emitting material, the light emitting layer 6 in which the host material is doped with a fluorescent dye is formed, and the luminescence from the fluorescent dye is emitted. It may be taken out as Examples of such a combination of the host material and the dopant material include a combination of tris (8-quinolylato) aluminum and a coumarin derivative, a combination of an anthracene derivative and a styrylamine derivative, a combination of an anthracene derivative and a naphthacene derivative, and tris ( 8-quinolylate) A combination of aluminum and a dicyanopyran derivative, a combination of a naphthacene derivative and diindenoperylene, and the like.

なお、素子基板２を形成するにあたっては、単品サイズの基板に以下の工程を施す方法の他、素子基板２を多数取りできる大型基板に以下の工程を施した後、単品サイズの素子基板２に切断する方法が採用されるが、以下の説明ではサイズを問わず、被処理基板２０と称する。   In forming the element substrate 2, in addition to the method of performing the following steps on a single-size substrate, the following steps are performed on a large substrate on which a large number of element substrates 2 can be obtained, and then the single-size element substrate 2 is formed. A method of cutting is employed, but in the following description, the substrate 20 is referred to regardless of size.

有機ＥＬ装置１を製造するには、被処理基板２０に対して成膜工程、レジストマスクを用いてのパターニング工程などといった半導体プロセスを利用して各層が形成される。但し、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７などは、水分や酸素により劣化しやすいため、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには、電子注入輸送層７の上層に補助配線８ａや陰極８を形成する際、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行うと、レジストマスクをエッチング液や酸素プラズマなどで除去する際に正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７が水分や酸素により劣化してしまう。そこで、本形態では、正孔注入輸送層５、発光層６、電子注入輸送層７を形成する際、さらには補助配線８ａや陰極８を形成する際には、以下に詳述する蒸着装置を用いてマスク蒸着を行い、レジストマスクを用いてのパターニング工程を行わない。   In order to manufacture the organic EL device 1, each layer is formed on the substrate to be processed 20 by using a semiconductor process such as a film forming process or a patterning process using a resist mask. However, the hole injecting and transporting layer 5, the light emitting layer 6, and the electron injecting and transporting layer 7 are easily deteriorated by moisture and oxygen. Therefore, when forming the hole injecting and transporting layer 5, the light emitting layer 6, and the electron injecting and transporting layer 7. Furthermore, when the auxiliary wiring 8a and the cathode 8 are formed in the upper layer of the electron injecting and transporting layer 7, if a patterning process using a resist mask is performed, the resist mask is removed when the resist mask is removed with an etching solution or oxygen plasma. The hole injecting and transporting layer 5, the light emitting layer 6, and the electron injecting and transporting layer 7 are deteriorated by moisture and oxygen. Therefore, in this embodiment, when forming the hole injecting and transporting layer 5, the light emitting layer 6, and the electron injecting and transporting layer 7, and further when forming the auxiliary wiring 8a and the cathode 8, a vapor deposition apparatus described in detail below is used. The mask deposition is performed using the resist mask, and the patterning process using the resist mask is not performed.

（蒸着装置の全体構成）
図２は、本発明を適用した蒸着装置の構成を示す概略構成図である。図２に示すように、本形態の真空蒸着装置１００（蒸着装置）では、蒸着室１１内の上方位置に、被処理基板２０およびマスク部材３０を保持する基板ホルダ１９が配置されており、マスク部材３０は、被処理基板２０の下面側（被成膜面側）の所定位置に重ねられた状態にある。マスク部材３０の構成については、図３（ａ）、（ｂ）を参照して後述するが、被処理基板２０に形成する蒸着パターンに対応する複数のマスク開口部３１０が構成されている。 (Overall configuration of vapor deposition equipment)
FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a configuration of a vapor deposition apparatus to which the present invention is applied. As shown in FIG. 2, in the vacuum deposition apparatus 100 (deposition apparatus) of this embodiment, a substrate holder 19 that holds a substrate to be processed 20 and a mask member 30 is disposed at an upper position in the deposition chamber 11. The member 30 is overlaid at a predetermined position on the lower surface side (film formation surface side) of the substrate 20 to be processed. Although the configuration of the mask member 30 will be described later with reference to FIGS. 3A and 3B, a plurality of mask openings 310 corresponding to the vapor deposition pattern formed on the substrate to be processed 20 are configured.

蒸着室１１内の下方位置には、被処理基板２０に向けて蒸着分子や蒸着原子などの蒸着粒子からなる蒸気流を供給する蒸着源１２が配置されている。蒸着源１２は、蒸着材料が装填された坩堝１４と、坩堝１４内の蒸着材料を加熱するための加熱装置１３とを備えている。加熱装置１３は、内側に坩堝１４全体を装着可能な凹部１３３を備えた有底筒状のヒートブロック１３１と、このヒートブロック１３１内に配置された電熱線などの発熱体１３２とを備えており、ヒートブロック１３１あるいは坩堝１４の温度を熱電対などで監視しながら発熱体１３２への給電を制御する。なお、加熱装置１３は、坩堝１４をヒートブロック１３１内に保持した状態で蒸着室１１の底部に形成された凹部１１１内に配置されている。   A vapor deposition source 12 that supplies a vapor flow made of vapor deposition particles such as vapor deposition molecules and vapor atoms toward the substrate 20 to be processed is disposed at a lower position in the vapor deposition chamber 11. The vapor deposition source 12 includes a crucible 14 loaded with a vapor deposition material, and a heating device 13 for heating the vapor deposition material in the crucible 14. The heating device 13 includes a bottomed cylindrical heat block 131 provided with a recess 133 in which the entire crucible 14 can be mounted, and a heating element 132 such as a heating wire disposed in the heat block 131. The power supply to the heating element 132 is controlled while monitoring the temperature of the heat block 131 or the crucible 14 with a thermocouple or the like. The heating device 13 is disposed in a recess 111 formed at the bottom of the vapor deposition chamber 11 with the crucible 14 held in the heat block 131.

被処理基板２０と蒸着源１２との間において、被処理基板２０の下方には、一対のメインシャッタ１８が配置されており、これらのメインシャッタ１８は、メインシャッタ駆動軸１８０に連結されて、被処理基板２０と蒸着源１２との間を遮った状態と開放した状態とに切り換えることができる。また、蒸着源１２に対しては、その開口部１２ａを開閉するセルシャッタ１５が構成されている。セルシャッタ１５の詳細な構成は図４などを参照して後述する。   A pair of main shutters 18 are disposed below the substrate to be processed 20 between the substrate to be processed 20 and the vapor deposition source 12, and these main shutters 18 are connected to the main shutter drive shaft 180, It is possible to switch between a state in which the substrate to be processed 20 and the vapor deposition source 12 are blocked and an open state. For the vapor deposition source 12, a cell shutter 15 that opens and closes the opening 12a is configured. The detailed configuration of the cell shutter 15 will be described later with reference to FIG.

（蒸着用マスク３１の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は蒸着用マスクの説明図である。図３（ａ）、（ｂ）に示すマスク部材３０Ａ、３０Ｂのうち、図３（ａ）に示すマスク部材３０Ａは、厚さが約０．２５〜０．５ｍｍの矩形薄板状の蒸着用マスク３１を矩形枠状の枠体３３に取り付けた構成となっている。蒸着用マスク３１および枠体３３は各々、金属材料（例えばステンレス、インバー、４２アロイ、ニッケル合金等）、ガラス、セラミックス、シリコンなどからなり、蒸着用マスク３１についてはシリコンからなることが好ましい。蒸着用マスク３１は、被処理基板２０に形成する蒸着パターンに対応する複数のマスク開口部３１０が、並行かつ一定間隔に形成されている。枠体３３は、蒸着用マスク３１と略同等の大きさの開口領域３４０が形成された支持基板３４と、蒸着用マスク３１のマスク開口部３１０の間に配置されてマスク開口部３１０の間を支持する梁部３５と、梁部３５に対して長手方向の張力を付与させて支持基板３４に固定する固定部材３６とを備えている。梁部３５は、マスク開口部３１０の間のうち、マスク開口部３１０の長手方向に沿うように配置されており、マスク開口部３１０で挟まれた領域よりも狭い幅寸法を備えている。梁部３５は、金属材料（例えばステンレス、インバー、４２アロイ、ニッケル合金等）、ガラス、セラミックス、シリコン、ＳＵＳ４３０などにより構成されている。 (Configuration of evaporation mask 31)
3A and 3B are explanatory views of a vapor deposition mask. Of the mask members 30A and 30B shown in FIGS. 3A and 3B, the mask member 30A shown in FIG. 3A is a rectangular thin plate-shaped deposition mask having a thickness of about 0.25 to 0.5 mm. 31 is attached to a rectangular frame 33. The vapor deposition mask 31 and the frame 33 are each made of a metal material (for example, stainless steel, invar, 42 alloy, nickel alloy, etc.), glass, ceramics, silicon, etc., and the vapor deposition mask 31 is preferably made of silicon. The vapor deposition mask 31 has a plurality of mask openings 310 corresponding to vapor deposition patterns formed on the substrate to be processed 20 formed in parallel and at regular intervals. The frame 33 is disposed between the support substrate 34 in which the opening region 340 having substantially the same size as the vapor deposition mask 31 is formed, and the mask opening 310 of the vapor deposition mask 31, and between the mask openings 310. A beam portion 35 to be supported, and a fixing member 36 for fixing the beam portion 35 to the support substrate 34 by applying a longitudinal tension to the beam portion 35 are provided. The beam portion 35 is disposed along the longitudinal direction of the mask opening portion 310 between the mask opening portions 310 and has a narrower width dimension than a region sandwiched between the mask opening portions 310. The beam portion 35 is made of a metal material (for example, stainless steel, invar, 42 alloy, nickel alloy), glass, ceramics, silicon, SUS430, or the like.

図３（ｂ）に示すマスク部材３０Ｂは、ベース基板をなす支持基板３７に、複数のチップ状の蒸着用マスク３１を取り付けた構成を有しており、複数の蒸着用マスク３１は各々、アライメントされて支持基板３７に陽極接合や接着剤などの方法で接合されている。支持基板３７には、複数の開口領域３７０が平行、かつ一定間隔で設けられており、複数の蒸着用マスク３１は各々、開口領域３７０を塞ぐように支持基板３７上に固定されている。蒸着用マスク３１には、被処理基板２０に対する蒸着パターンに対応する長孔形状のマスク開口部３１０が複数一定間隔で平行に設けられている。蒸着用マスク３１は、面方位（１００）を有する単結晶シリコンや、面方位（１１０）を有する単結晶シリコンなどからなり、マスク開口部３１０は、フォトリソグラフィ技術、およびテトラメチル酸化アルミニウムなどの有機系の水酸化物、水酸化カリウムや水酸化ナトリウムなどの無機系の水酸化物などのアルカリ水溶液を用いたウエットエッチング技術により形成される。支持基板３７としては、無アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダガラス、石英などからなる透明基板が用いられている。   The mask member 30B shown in FIG. 3B has a configuration in which a plurality of chip-shaped deposition masks 31 are attached to a support substrate 37 that forms a base substrate, and each of the plurality of deposition masks 31 is aligned. Then, it is bonded to the support substrate 37 by a method such as anodic bonding or adhesive. The support substrate 37 is provided with a plurality of opening regions 370 in parallel and at regular intervals. Each of the plurality of vapor deposition masks 31 is fixed on the support substrate 37 so as to close the opening region 370. The vapor deposition mask 31 is provided with a plurality of long-hole-shaped mask openings 310 corresponding to the vapor deposition pattern for the substrate 20 to be processed in parallel at regular intervals. The evaporation mask 31 is made of single crystal silicon having a plane orientation (100), single crystal silicon having a plane orientation (110), or the like, and the mask opening 310 is formed by a photolithography technique or an organic material such as tetramethyl aluminum oxide. It is formed by a wet etching technique using an alkaline aqueous solution such as an inorganic hydroxide such as a potassium hydroxide or potassium hydroxide or sodium hydroxide. As the support substrate 37, a transparent substrate made of alkali-free glass, borosilicate glass, soda glass, quartz, or the like is used.

［実施の形態１］
図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態１に係る真空蒸着装置１００（図２参照）に用いられるセルシャッタの平面図、図４（ａ）におけるＡ−Ａ′断面図、およびセルシャッタの遮断面に堆積した蒸着材料の様子を模式的に示す説明図である。なお、図４（ｃ）においては、蒸着材料の堆積層の厚さを誇張して表わしてある。 [Embodiment 1]
4 (a), 4 (b), and 4 (c) are plan views of a cell shutter used in the vacuum vapor deposition apparatus 100 (see FIG. 2) according to Embodiment 1 of the present invention, respectively, and A in FIG. 4 (a). It is -A 'sectional drawing and explanatory drawing which shows typically the mode of the vapor deposition material deposited on the interruption | blocking surface of a cell shutter. In FIG. 4C, the thickness of the deposition layer of the vapor deposition material is exaggerated.

図２および図４（ａ）、（ｂ）において、本形態の真空蒸着装置１００は、蒸着材料の蒸気流を放出する開口部１２ａを備えた蒸着源１２と、開口部１２ａを上方で覆って蒸気流の被処理基板２０への供給を停止する遮断面１５４を備えたセルシャッタ１５と、セルシャッタ１５が開口部１２ａを開閉するようにセルシャッタ１５を駆動するセルシャッタ駆動装置（図示せず／動作を矢印Ｌで示す）とを有している。本形態において、セルシャッタ１５は、回転軸１５１と、回転軸１５１の上端から水平に延びた連結部１５２と、連結部１５２の先端側に接合されたシャッタ板１５３とを備えており、シャッタ板１５３の下面において開口部１２ａと対向する部分が開口部１２ａを覆う遮断面１５４になっている。セルシャッタ駆動装置は、回転軸１５１を軸線周りに回転させてセルシャッタ１５を開口部１２ａに対する開位置（図４（ａ）においてセルシャッタ１５を実線で表わす位置）と、閉位置（図４（ａ）においてセルシャッタ１５を一点鎖線で表わす位置）とに移動させる。   2 and 4 (a) and 4 (b), the vacuum vapor deposition apparatus 100 of the present embodiment covers the vapor deposition source 12 provided with the opening 12a that discharges the vapor flow of the vapor deposition material and the opening 12a above. A cell shutter 15 having a blocking surface 154 for stopping supply of the vapor flow to the substrate 20 to be processed, and a cell shutter driving device (not shown) for driving the cell shutter 15 so that the cell shutter 15 opens and closes the opening 12a. / Operation is indicated by arrow L). In this embodiment, the cell shutter 15 includes a rotating shaft 151, a connecting portion 152 extending horizontally from the upper end of the rotating shaft 151, and a shutter plate 153 joined to the tip end side of the connecting portion 152. A portion of the lower surface of 153 facing the opening 12a is a blocking surface 154 that covers the opening 12a. The cell shutter driving device rotates the rotating shaft 151 about the axis to open the cell shutter 15 with respect to the opening 12a (the position indicated by the solid line in FIG. 4A) and the closed position (FIG. In a), the cell shutter 15 is moved to the position indicated by the alternate long and short dash line.

本形態において、シャッタ板１５３は、開口部１２ａより大径の円形の平面形状を備えている。ここで、蒸着源１２では、開口部１２ａから蒸気流が発散しながら放出されるため、開口部１２ａを覆うには、開口部１２ａの開口面積よりも大面積の遮断面１５４が必要である。このため、本形態のセルシャッタ１５では、シャッタ板１５３の下面全体が遮断面１５４になっている。   In this embodiment, the shutter plate 153 has a circular planar shape having a larger diameter than the opening 12a. Here, in the vapor deposition source 12, since the vapor flow is emitted from the opening 12a while diverging, the blocking surface 154 having a larger area than the opening area of the opening 12a is necessary to cover the opening 12a. For this reason, in the cell shutter 15 of this embodiment, the entire lower surface of the shutter plate 153 is a blocking surface 154.

本形態において、シャッタ板１５３は、下方に向けて開口する半球状に形成されている。このため、遮断面１５４は、被処理基板２０側に向けて凹む凹球面（凹曲面／曲面）になっている。   In this embodiment, the shutter plate 153 is formed in a hemispherical shape that opens downward. For this reason, the blocking surface 154 is a concave spherical surface (concave curved surface / curved surface) that is recessed toward the substrate 20 to be processed.

このように構成した真空蒸着装置１００では、蒸着源１２において蒸着材料を所定の温度になるまで加熱する間、図４（ａ）においてセルシャッタ１５を実線で表わすように、蒸着源１２の開口部１２ａをセルシャッタ１５の遮断面１５４によって遮断しておく。次に、図４（ａ）においてセルシャッタ１５を一点鎖線で表わすように、所望のタイミングでセルシャッタ１５を例えば時計回りＣＷの方向に駆動して蒸着源１２の開口部１２ａを開状態にし、開口部１２ａから被処理基板２０に向けて蒸気流を供給して真空蒸着を行なう。そして、被処理基板２０に対して所望の成膜が完了した時点で、図４（ａ）においてセルシャッタ１５を実線で表わすように、セルシャッタ１５を反時計回りＣＣＷの方向に駆動して蒸着源１２の開口部１２ａを閉状態にして真空蒸着を停止する。また、異なる蒸着材料が装填された複数の蒸着源１２を配置して、被成膜基板２０に複数種類の薄膜を積層する場合もあり、この場合も、各セルシャッタ１５を所定のタイミングで駆動して、各蒸着源１２の開口部１２ａを順次開閉する。このようにして複数枚の被処理基板２０を順次、処理していく。   In the vacuum vapor deposition apparatus 100 configured in this way, while the vapor deposition material is heated to a predetermined temperature in the vapor deposition source 12, the opening of the vapor deposition source 12 is represented as the cell shutter 15 is represented by a solid line in FIG. 12 a is blocked by the blocking surface 154 of the cell shutter 15. Next, as shown in FIG. 4 (a), the cell shutter 15 is driven at a desired timing, for example, in the clockwise CW direction, so that the opening 12a of the vapor deposition source 12 is opened, as represented by the alternate long and short dash line in FIG. Vacuum vapor deposition is performed by supplying a vapor flow from the opening 12a toward the substrate 20 to be processed. When the desired film formation is completed on the substrate 20 to be processed, the cell shutter 15 is driven in the counterclockwise CCW direction as shown by the solid line in FIG. The vacuum evaporation is stopped by closing the opening 12a of the source 12. In addition, a plurality of vapor deposition sources 12 loaded with different vapor deposition materials may be arranged and a plurality of types of thin films may be stacked on the deposition target substrate 20. In this case as well, each cell shutter 15 is driven at a predetermined timing. Then, the opening 12a of each vapor deposition source 12 is sequentially opened and closed. In this way, a plurality of substrates to be processed 20 are sequentially processed.

このような蒸着工程を行なう際、セルシャッタ１５により蒸着源１２の開口部１２ａを覆っている期間中も、蒸着源１２の開口部１２ａからは蒸気流が発生するため、図４（ｃ）に示すように、セルシャッタ１５の遮断面１５４には蒸着材料が堆積する。そして、遮断面１５４への蒸着材料の堆積層１７が分厚くなると、堆積層１７が遮断面１５４から脱離して堆積層１７が坩堝１４内に落下するおそれがある。しかるに本形態では、遮断面１５４は凹球面（凹曲面／曲面）からなるため、遮断面１５４が平面である場合と比較して表面積が広い。従って、本形態によれば、同一体積の蒸着材料が堆積した場合でも、堆積層１７の厚さが薄いため、遮断面１５４から堆積層１７が剥離しにくい。それ故、堆積層１７が分厚くなる前にセルシャッタ１５を交換する場合でも、遮断面１５４が平面である場合と違って、かかる交換作業を頻繁に行なう必要がないので、生産性を向上することができる。また、遮断面１５４に微細な凹凸を形成する場合と違って、堆積層１７が分厚くなること自身を防止するため、遮断面１５４から堆積層１７が剥離することを確実に防止することができる。   When performing such a vapor deposition step, since a vapor flow is generated from the opening 12a of the vapor deposition source 12 even during the period in which the cell shutter 15 covers the opening 12a of the vapor deposition source 12, FIG. As shown, the vapor deposition material is deposited on the blocking surface 154 of the cell shutter 15. When the deposition layer 17 of the vapor deposition material on the blocking surface 154 becomes thicker, the deposition layer 17 may be detached from the blocking surface 154 and the deposition layer 17 may fall into the crucible 14. However, in this embodiment, since the blocking surface 154 is a concave spherical surface (concave curved surface / curved surface), the surface area is large compared to the case where the blocking surface 154 is a flat surface. Therefore, according to this embodiment, even when vapor deposition materials having the same volume are deposited, the deposited layer 17 is difficult to peel off from the blocking surface 154 because the deposited layer 17 is thin. Therefore, even when the cell shutter 15 is replaced before the deposited layer 17 becomes thick, unlike the case where the blocking surface 154 is a flat surface, it is not necessary to frequently perform such replacement work, thereby improving productivity. Can do. In addition, unlike the case where fine irregularities are formed on the blocking surface 154, the deposition layer 17 is prevented from becoming thicker, so that the deposition layer 17 can be reliably prevented from peeling off from the blocking surface 154.

また、遮断面１５４が凹球面になっているため、鉛直方向に対して斜めの部分では、堆積層１７に重力が作用する方向（図４（ｃ）に矢印Ｇで示す方向）と堆積層１７を剥離させる力の方向（遮断面１５４に対する法線方向／矢印Ｖで示す）とが一致しないため、堆積層１７の自重が堆積層１７を剥離させようと作用する力が小さい。それ故、遮断面１５４から堆積層１７が剥離するのをより確実に防止することができる。   Further, since the blocking surface 154 is a concave spherical surface, in a portion oblique to the vertical direction, the direction in which gravity acts on the deposition layer 17 (the direction indicated by the arrow G in FIG. 4C) and the deposition layer 17 Since the direction of the force that peels off (normal direction with respect to the blocking surface 154 / indicated by the arrow V) does not match, the force that the weight of the deposited layer 17 acts to peel the deposited layer 17 is small. Therefore, the deposition layer 17 can be more reliably prevented from peeling off from the blocking surface 154.

さらに、遮断面１５４は凹球面（凹曲面）からなるため、セルシャッタ１５を回転駆動した際、セルシャッタ１５が他と干渉することがない。   Further, since the blocking surface 154 is a concave spherical surface (concave curved surface), the cell shutter 15 does not interfere with others when the cell shutter 15 is rotationally driven.

［実施の形態２］
図５（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る真空蒸着装置に用いられるセルシャッタの平面図、および図５（ａ）におけるＢ−Ｂ′断面図である。図５（ｃ）、（ｄ）には、図５（ａ）に示す状態からセルシャタが駆動された後の状態を示してある。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。 [Embodiment 2]
FIGS. 5A and 5B are a plan view of a cell shutter used in the vacuum evaporation apparatus according to Embodiment 2 of the present invention, and a cross-sectional view taken along the line BB ′ in FIG. FIGS. 5C and 5D show a state after the cell shutter is driven from the state shown in FIG. Since the basic configuration of this embodiment is the same as that of Embodiment 1, the same reference numerals are given to common portions, and detailed descriptions thereof are omitted.

図５（ａ）、（ｂ）において、本形態の真空蒸着装置も、実施の形態１と同様、蒸着材料の蒸気流を放出する開口部１２ａを備えた蒸着源１２と、開口部１２ａを上方で覆って蒸気流の被処理基板２０への供給を停止するセルシャッタ１５と、セルシャッタ１５が開口部１２ａを開閉するようにセルシャッタ１５を駆動するセルシャッタ駆動装置（図示せず／動作を矢印Ｌで示す）とを有している。本形態において、セルシャッタ１５は、回転軸１５１と、回転軸１５１の上端から四方に延びた４本の連結部１５５と、４本の連結部１５５の各々の先端部に接合されたシャッタ板１５３Ａ、１５３Ｂ、１５３Ｃ、１５３Ｄとを備えており、各シャッタ板１５３Ａ、１５３Ｂ、１５３Ｃ、１５３Ｄの下面が各々、遮断面１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄになっている。   5 (a) and 5 (b), the vacuum vapor deposition apparatus of this embodiment also has a vapor deposition source 12 provided with an opening 12a that discharges a vapor flow of the vapor deposition material, and the opening 12a upward as in the first embodiment. And a cell shutter driving device for driving the cell shutter 15 so that the cell shutter 15 opens and closes the opening 12a (not shown / operation is performed). (Indicated by an arrow L). In this embodiment, the cell shutter 15 includes a rotating shaft 151, four connecting portions 155 extending in four directions from the upper end of the rotating shaft 151, and a shutter plate 153 </ b> A joined to the distal ends of the four connecting portions 155. , 153B, 153C, and 153D, and the lower surfaces of the shutter plates 153A, 153B, 153C, and 153D are blocking surfaces 154A, 154B, 154C, and 154D, respectively.

本形態において、シャッタ板１５３Ａ、１５３Ｂ、１５３Ｃ、１５３Ｄは各々、開口部１２ａより大径の円盤状である。ここで、蒸着源１２では、開口部１２ａから蒸気流が発散しながら放出されるため、開口部１２ａを覆うには、開口部１２ａの開口面積よりも大面積の遮断面が必要である。このため、本形態のセルシャッタ１５では、シャッタ板１５３Ａ、１５３Ｂ、１５３Ｃ、１５３Ｄの下面全体が各々、遮断面１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄになっている。   In this embodiment, the shutter plates 153A, 153B, 153C, and 153D each have a disk shape larger in diameter than the opening 12a. Here, in the vapor deposition source 12, since the vapor flow is emitted from the opening 12a while diverging, a blocking surface larger than the opening area of the opening 12a is required to cover the opening 12a. For this reason, in the cell shutter 15 of this embodiment, the entire lower surfaces of the shutter plates 153A, 153B, 153C, and 153D are blocking surfaces 154A, 154B, 154C, and 154D, respectively.

このように構成した真空蒸着装置では、蒸着源１２において蒸着材料を所定の温度になるまで加熱する間、図５（ａ）にセルシャッタ１５の位置を実線で示すように、蒸着源１２の開口部１２ａを、セルシャッタ１５の遮断面１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄのうち、遮断面１５４Ａで覆っておく。次に、図５（ａ）にセルシャッタ１５の位置を一点鎖線で示すように、所望のタイミングでセルシャッタ１５を例えば時計回りＣＷの方向に４５°駆動して蒸着源１２の開口部１２ａを開状態にし、開口部１２ａから被処理基板２０に向けて蒸気流を供給して真空蒸着を行なう。そして、被処理基板２０に対して所望の成膜が完了した時点で、図５（ｃ）に示すように、セルシャッタ１５を時計回りＣＷの方向に４５°駆動して、今回は、セルシャッタ１５の遮断面１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄのうち、遮断面１５４Ｂで蒸着源１２の開口部１２ａを閉状態にして真空蒸着を停止する。このようにして複数枚の被処理基板２０を順次、処理していく。その際、セルシャッタ駆動装置は、複数の遮断面１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄにおいて開口部１２ａを覆う遮断面を切り換えていき、図５（ｃ）に示すように、遮断面１５４Ｂで蒸着源１２の開口部１２ａを閉状態にした後は、図５（ｄ）に示すように、遮断面１５４Ｃで蒸着源１２の開口部１２ａを閉状態にする。   In the vacuum vapor deposition apparatus configured as described above, while the vapor deposition material is heated to a predetermined temperature in the vapor deposition source 12, the position of the cell shutter 15 is indicated by a solid line in FIG. The part 12a is covered with the blocking surface 154A among the blocking surfaces 154A, 154B, 154C, and 154D of the cell shutter 15. Next, as shown in FIG. 5A, the position of the cell shutter 15 is indicated by a one-dot chain line, and the cell shutter 15 is driven at a desired timing, for example, 45 ° in the clockwise CW direction to open the opening 12a of the evaporation source 12. In the open state, a vapor flow is supplied from the opening 12a toward the substrate to be processed 20 to perform vacuum deposition. When the desired film formation is completed on the substrate 20 to be processed, the cell shutter 15 is driven 45 ° clockwise CW as shown in FIG. 5C. Among the 15 blocking surfaces 154A, 154B, 154C, and 154D, the vacuum evaporation is stopped by closing the opening 12a of the vapor deposition source 12 at the blocking surface 154B. In this way, a plurality of substrates to be processed 20 are sequentially processed. At that time, the cell shutter driving device switches the blocking surfaces that cover the opening 12a in the plurality of blocking surfaces 154A, 154B, 154C, and 154D, and as shown in FIG. After the opening 12a is closed, as shown in FIG. 5D, the opening 12a of the vapor deposition source 12 is closed by the blocking surface 154C.

このような蒸着工程を行なう際、セルシャッタ１５の遮断面１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄには蒸着材料が堆積するが、本形態では、４つの遮断面１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄが交代に蒸着源１２の開口部１２ａを覆うので、遮断面が１つの場合と比較して、遮断面の表面積を広くしたのと同様な結果となる。従って、同一体積の蒸着材料がセルシャッタ１５に堆積した場合でも、堆積層の厚さが薄いため、遮断面１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄから堆積層が剥離しにくい。それ故、堆積層１７が分厚くなる前にセルシャッタ１５を交換する場合でも、遮断面が１つである場合と違って、かかる交換作業を頻繁に行なう必要がないので、生産性を向上することができる。また、遮断面に微細な凹凸を形成する場合と違って、堆積層が分厚くなること自身を防止するため、遮断面１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄから堆積層１７が剥離することを確実に防止することができる。   When performing such a vapor deposition step, vapor deposition material is deposited on the blocking surfaces 154A, 154B, 154C, and 154D of the cell shutter 15, but in this embodiment, the four blocking surfaces 154A, 154B, 154C, and 154D are alternately evaporated. Since the opening 12a of the source 12 is covered, the result is the same as when the surface area of the blocking surface is increased as compared with the case where there is one blocking surface. Therefore, even when the same volume of vapor deposition material is deposited on the cell shutter 15, the deposited layer is difficult to peel off from the blocking surfaces 154A, 154B, 154C, and 154D because the deposited layer is thin. Therefore, even when the cell shutter 15 is replaced before the deposited layer 17 becomes thick, unlike the case where there is only one blocking surface, it is not necessary to frequently perform such replacement work, thereby improving productivity. Can do. In addition, unlike the case where fine irregularities are formed on the blocking surface, the deposition layer 17 is reliably prevented from being peeled off from the blocking surfaces 154A, 154B, 154C, 154D in order to prevent the deposition layer itself from becoming thick. be able to.

なお、本形態では、遮断面の数が４つの例を説明したが、遮断面の数は２つ以上であればよい。また、本形態では、遮断面が等角度間隔に形成されていたが、セルシャッタの駆動方向に複数の遮断面が配置されていればよい。また、セルシャッタの駆動方向において遮断面と同一の軌跡上に蒸着源１２の開口部１２ａを開状態とする切り欠きなどの窓が形成されていれば、全ての遮断面の間に蒸着源１２の開口部１２ａを開状態とする切り欠きなどの窓を形成する必要はない。   In this embodiment, an example in which the number of blocking surfaces is four has been described, but the number of blocking surfaces may be two or more. In this embodiment, the blocking surfaces are formed at equiangular intervals, but a plurality of blocking surfaces may be arranged in the driving direction of the cell shutter. If a window such as a notch that opens the opening 12a of the vapor deposition source 12 is formed on the same locus as the blocking surface in the cell shutter driving direction, the vapor deposition source 12 is formed between all the blocking surfaces. It is not necessary to form a window such as a notch that opens the opening 12a.

［実施の形態２の改良例］
図６（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２の改良例に係る真空蒸着装置に用いられるセルシャッタの平面図、および図６（ａ）におけるＣ−Ｃ′断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態２と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。 [Improvement of Embodiment 2]
6A and 6B are a plan view of a cell shutter used in a vacuum deposition apparatus according to an improved example of the second embodiment of the present invention, and a cross-sectional view taken along the line CC 'in FIG. 6A. is there. Since the basic configuration of this embodiment is the same as that of Embodiment 2, common portions are denoted by the same reference numerals and detailed description thereof is omitted.

図６（ａ）、（ｂ）において、本形態の真空蒸着装置でも、実施の形態２と同様、セルシャッタ１５は、その回転駆動方向に沿って４枚のシャッタ板１５３Ａ、１５３Ｂ、１５３Ｃ、１５３Ｄを備えており、各シャッタ板１５３Ａ、１５３Ｂ、１５３Ｃ、１５３Ｄの下面が各々、遮断面１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄになっている。   6 (a) and 6 (b), in the vacuum evaporation apparatus of this embodiment, the cell shutter 15 is also provided with four shutter plates 153A, 153B, 153C, and 153D along the rotational drive direction, as in the second embodiment. The lower surfaces of the shutter plates 153A, 153B, 153C, and 153D are blocking surfaces 154A, 154B, 154C, and 154D, respectively.

本形態において、４枚のシャッタ板１５３Ａ、１５３Ｂ、１５３Ｃ、１５３Ｄは、実施の形態１と同様、下方に向けて開口する半球状に形成されている。このため、遮断面１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄはいずれも、被処理基板２０側に向けて凹む凹球面（凹曲面／曲面）になっている。   In this embodiment, the four shutter plates 153A, 153B, 153C, and 153D are formed in a hemispherical shape that opens downward as in the first embodiment. For this reason, all of the blocking surfaces 154A, 154B, 154C, and 154D are concave spherical surfaces (concave curved surface / curved surface) that are recessed toward the substrate 20 to be processed.

従って、本形態によれば、４つの遮断面１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄが交代に蒸着源１２の開口部１２ａを覆うので、実施の形態２と同様な効果を奏する。また、遮断面１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄが各々、凹球面（凹曲面／曲面）からなるため、遮断面１５４が平面である場合と比較して表面積が広いので、実施の形態１と同様な効果を奏する。   Therefore, according to the present embodiment, the four blocking surfaces 154A, 154B, 154C, and 154D alternately cover the opening 12a of the vapor deposition source 12, and thus the same effects as those of the second embodiment can be obtained. Further, since each of the blocking surfaces 154A, 154B, 154C, and 154D is formed of a concave spherical surface (concave curved surface / curved surface), the surface area is large compared to the case where the blocking surface 154 is a flat surface. There is an effect.

［実施の形態３］
図７（ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態３に係る真空蒸着装置に用いられるセルシャッタの平面図、および図７（ａ）におけるＤ−Ｄ′断面図である。図７（ｃ）、（ｄ）には、図７（ａ）に示す状態からセルシャタが駆動された後の状態を示してある。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。 [Embodiment 3]
FIGS. 7A and 7B are a plan view of a cell shutter used in the vacuum evaporation apparatus according to Embodiment 3 of the present invention, and a cross-sectional view taken along line DD ′ in FIG. FIGS. 7C and 7D show a state after the cell shutter is driven from the state shown in FIG. Since the basic configuration of this embodiment is the same as that of Embodiment 1, the same reference numerals are given to common portions, and detailed descriptions thereof are omitted.

図７（ａ）、（ｂ）において、本形態の真空蒸着装置も、実施の形態１と同様、蒸着材料の蒸気流を放出する開口部１２ａを備えた蒸着源１２と、開口部１２ａを上方で覆って蒸気流の被処理基板２０への供給を停止するセルシャッタ１５と、セルシャッタ１５が開口部１２ａを開閉するようにセルシャッタ１５を駆動するセルシャッタ駆動装置（図示せず／動作を矢印Ｌで示す）とを有している。本形態において、セルシャッタ１５は、回転軸１５１と、回転軸１５１の上端からＴ字状に延びた連結部１５６と、連結部１５６に接合されたシャッタ板１５３Ｅとを備えており、各シャッタ板１５３Ｅの下面には遮断面１５４Ｅが形成されている。   7 (a) and 7 (b), the vacuum vapor deposition apparatus of the present embodiment is similar to the first embodiment in that the vapor deposition source 12 including the opening 12a that discharges the vapor flow of the vapor deposition material, and the opening 12a upward. And a cell shutter driving device for driving the cell shutter 15 so that the cell shutter 15 opens and closes the opening 12a (not shown / operation is performed). As indicated by an arrow L). In this embodiment, the cell shutter 15 includes a rotating shaft 151, a connecting portion 156 extending in a T shape from the upper end of the rotating shaft 151, and a shutter plate 153E joined to the connecting portion 156. A blocking surface 154E is formed on the lower surface of 153E.

本形態において、シャッタ板１５３Ｅは、開口部１２ａよりかなり大径の円盤状であり、遮断面１５４Ｅは、セルシャッタ１５が回転した際に蒸着源１２の開口部１２ａの軌跡を含む円弧状の帯状領域になっている。また、シャッタ板１５３Ｅには、遮断面１５４Ｅの途切れ部分に貫通窓１５７が形成されている。ここで、蒸着源１２では、開口部１２ａから蒸気流が発散しながら放出されるため、開口部１２ａを覆うには、開口部１２ａの開口面積よりも大面積の遮断面が必要である。このため、本形態のセルシャッタ１５において、遮断面１５４Ｅは、開口部１２ａの径よりも広い幅寸法をもって延びており、貫通窓１５７は、開口部１２ａより大径に形成されている。   In this embodiment, the shutter plate 153E has a disk shape that is considerably larger in diameter than the opening 12a, and the blocking surface 154E has an arc-like band shape including the locus of the opening 12a of the vapor deposition source 12 when the cell shutter 15 rotates. It is an area. The shutter plate 153E is formed with a through window 157 at the interrupted portion of the blocking surface 154E. Here, in the vapor deposition source 12, since the vapor flow is emitted from the opening 12a while diverging, a blocking surface larger than the opening area of the opening 12a is required to cover the opening 12a. For this reason, in the cell shutter 15 of this embodiment, the blocking surface 154E extends with a width that is wider than the diameter of the opening 12a, and the through window 157 is formed to have a larger diameter than the opening 12a.

このように構成した真空蒸着装置では、蒸着源１２において蒸着材料を所定の温度になるまで加熱する間、蒸着源１２の開口部１２ａを、図７（ａ）に示すように、セルシャッタ１５の遮断面１５４Ｅの一部で覆っておく。その間、セルシャッタ１５を反時計回りＣＣＷの方向に駆動して、図７（ｃ）、（ｄ）に示すように、遮断面１５４Ｅにおいて、開口部１２ａを覆う箇所を切り換える。このような回転駆動は、連続あるいは間欠的に行なわれる。次に、所望のタイミングで蒸着源１２の開口部１２ａとシャッタ板１５３Ｅの貫通窓１５７とが重なるようにセルシャッタ１５を反時計回りＣＣＷの方向に駆動して開口部１２ａを開状態にし、開口部１２ａから被処理基板２０に向けて蒸気流を供給して真空蒸着を行なう。そして、被処理基板２０に対して所望の成膜が完了した時点で、再び図７（ａ）に示すように、セルシャッタ１５を反時計回りＣＣＷの方向に駆動して、遮断面１５４Ｅで蒸着源１２の開口部１２ａを閉状態にして真空蒸着を停止する。その間も、次の成膜を行なうまでの間、セルシャッタ１５を反時計回りＣＣＷの方向に駆動して、図７（ｃ）、（ｄ）に示すように、遮断面１５４Ｅにおいて、開口部１２ａを覆う箇所を切り換える。このような回転駆動は、連続あるいは間欠的に行なわれる。このようにして複数枚の被処理基板２０を順次、処理していく。   In the vacuum vapor deposition apparatus configured as described above, while the vapor deposition material is heated to a predetermined temperature in the vapor deposition source 12, the opening 12a of the vapor deposition source 12 is opened as shown in FIG. Cover with a part of the blocking surface 154E. In the meantime, the cell shutter 15 is driven in the counterclockwise CCW direction to switch the portion covering the opening 12a on the blocking surface 154E, as shown in FIGS. 7 (c) and 7 (d). Such rotational driving is performed continuously or intermittently. Next, the cell shutter 15 is driven in the counterclockwise CCW direction so that the opening 12a of the vapor deposition source 12 and the through window 157 of the shutter plate 153E overlap at a desired timing to open the opening 12a. Vacuum vapor deposition is performed by supplying a vapor flow from the portion 12a toward the substrate 20 to be processed. When desired film formation is completed on the substrate 20 to be processed, the cell shutter 15 is driven in the counterclockwise CCW direction as shown in FIG. 7A again, and vapor deposition is performed on the blocking surface 154E. The vacuum evaporation is stopped by closing the opening 12a of the source 12. In the meantime, the cell shutter 15 is driven in the counterclockwise CCW direction until the next film formation is performed, and as shown in FIGS. 7C and 7D, the opening 12a is formed on the blocking surface 154E. Switch the part that covers. Such rotational driving is performed continuously or intermittently. In this way, a plurality of substrates to be processed 20 are sequentially processed.

このような蒸着工程を行なう際、セルシャッタ１５の遮断面１５４Ｅには蒸着材料が堆積するが、本形態では、遮断面１５４Ｅにおいて開口部１２ａを覆う箇所を切り換えるので、同一箇所で開口部１２ａを覆う場合と比較して、遮断面の表面積を広くしたのと同様な結果となる。従って、同一体積の蒸着材料がセルシャッタ１５に堆積した場合でも、堆積層の厚さが薄いため、遮断面１５４Ｅから堆積層が剥離しにくい。それ故、堆積層が分厚くなる前にセルシャッタ１５を交換する場合でも、かかる交換作業を頻繁に行なう必要がないので、生産性を向上することができる。また、遮断面に微細な凹凸を形成する場合と違って、堆積層が分厚くなること自身を防止するため、遮断面１５４Ｅから堆積層１７が剥離することを確実に防止することができる。   When performing such a vapor deposition step, vapor deposition material is deposited on the blocking surface 154E of the cell shutter 15, but in this embodiment, the location covering the opening 12a on the blocking surface 154E is switched, so that the opening 12a is formed at the same location. Compared to the case of covering, the result is the same as increasing the surface area of the blocking surface. Therefore, even when vapor deposition materials having the same volume are deposited on the cell shutter 15, the deposited layer is difficult to peel off from the blocking surface 154E because the deposited layer is thin. Therefore, even when the cell shutter 15 is replaced before the deposited layer becomes thicker, it is not necessary to frequently perform such replacement work, so that productivity can be improved. In addition, unlike the case where fine irregularities are formed on the blocking surface, it is possible to reliably prevent the deposition layer 17 from peeling off from the blocking surface 154E in order to prevent the deposited layer itself from becoming thick.

なお、本形態では、１サイクルの蒸着の中で、遮断面１５４Ｅにおいて開口部１２ａを覆う箇所を切り換える構成を説明したが、１サイクル毎に遮断面１５４Ｅにおいて開口部１２ａを覆う箇所を切り換える構成を採用してもよい。また、本形態では、貫通窓１５７の数が１つの例を説明したが、セルシャッタ１５の駆動方向において１つ以上形成されていればよい。また、遮断面１５４Ｅが連続した１つの領域として形成されていたが、実施の形態２のように、遮断面１５４Ｅがセルシャッタ１５の駆動方向において分割されていてもよく、この場合、分割された遮断面１５４Ｅの内部において、開口部１２ａを覆う箇所を切り換える構成を採用すればよい。   In the present embodiment, the configuration in which the portion covering the opening 12a on the blocking surface 154E is switched in one cycle of vapor deposition has been described. However, the configuration in which the portion covering the opening 12a on the blocking surface 154E is switched every cycle. It may be adopted. Further, in this embodiment, an example in which the number of through windows 157 is one has been described, but it is sufficient that one or more through windows 157 are formed in the driving direction of the cell shutter 15. Further, the blocking surface 154E is formed as one continuous region. However, as in the second embodiment, the blocking surface 154E may be divided in the driving direction of the cell shutter 15, and in this case, the blocking surface 154E is divided. What is necessary is just to employ | adopt the structure which switches the location which covers the opening part 12a inside the interruption | blocking surface 154E.

［実施の形態３の改良例］
図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態３の改良例に係る真空蒸着装置に用いられるセルシャッタの平面図、セルシャッタの一部を切り欠いて示す説明図、および図８（ａ）におけるＥ−Ｅ′断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態３と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。 [Improvement of Embodiment 3]
FIGS. 8A, 8B, and 8C are respectively a plan view of a cell shutter used in a vacuum deposition apparatus according to an improved example of Embodiment 3 of the present invention, and a part of the cell shutter is cut away. It is explanatory drawing and EE 'sectional drawing in Fig.8 (a). Since the basic configuration of this embodiment is the same as that of Embodiment 3, the same reference numerals are given to common portions, and detailed descriptions thereof are omitted.

図８（ａ）に示すように、本形態においても、実施の形態３と同様、シャッタ板１５３Ｅは、平面的には、開口部１２ａよりかなり大径であり、遮断面１５４Ｅは、セルシャッタ１５が回転した際に蒸着源１２の開口部１２ａの軌跡を含む円弧状の帯状領域になっている。また、シャッタ板１５３Ｅには、遮断面１５４Ｅの途切れ部分に貫通窓１５７が形成されている。   As shown in FIG. 8A, in this embodiment as well, as in the third embodiment, the shutter plate 153E has a considerably larger diameter than the opening 12a in plan view, and the blocking surface 154E has the cell shutter 15 as shown in FIG. Is an arc-shaped belt-like region including the locus of the opening 12a of the vapor deposition source 12 when is rotated. The shutter plate 153E is formed with a through window 157 at the interrupted portion of the blocking surface 154E.

ここで、シャッタ板１５３Ｅは、図８（ｂ）、（ｃ）に示すように、環状の円筒パイプを横方向に２分割した形状を有しており、シャッタ板１５３Ｅは、下向きに開口する半円弧状の断面形状を備えている。このため、遮断面１５４Ｅは、被処理基板２０側に向けて凹む凹曲面（曲面）になっている。   Here, as shown in FIGS. 8B and 8C, the shutter plate 153E has a shape obtained by dividing an annular cylindrical pipe into two in the horizontal direction, and the shutter plate 153E is a half-opening downward. It has an arcuate cross-sectional shape. For this reason, the blocking surface 154E is a concave curved surface (curved surface) that is recessed toward the substrate 20 to be processed.

このように構成した真空蒸着装置でも、遮断面１５４Ｅにおいて開口部１２ａを覆う箇所を切り換えるので、実施の形態３と同様な効果を奏する。また、遮断面１５４Ｅが凹曲面（曲面）からなるため、遮断面１５４が平面である場合と比較して表面積が広いので、実施の形態１と同様な効果を奏する。   Even in the vacuum vapor deposition apparatus configured as described above, since the portion covering the opening 12a on the blocking surface 154E is switched, the same effect as in the third embodiment can be obtained. Further, since the blocking surface 154E is a concave curved surface (curved surface), the surface area is large compared to the case where the blocking surface 154 is a flat surface, and thus the same effects as those of the first embodiment can be obtained.

［その他の形態の形態］
上記実施の形態１では、セルシャッタ駆動装置がセルシャッタ１５を所定の角度範囲にわたって往復回動させる例を説明したが、セルシャッタ駆動装置がセルシャッタ１５を回転駆動する構成を採用してもよい。また、上記実施の形態２、３では、セルシャッタ駆動装置がセルシャッタ１５を回転駆動する例を説明したが、セルシャッタ駆動装置がセルシャッタ１５を所定の角度範囲にわたって往復回動する構成を採用してもよい。 [Other forms]
In the first embodiment, an example in which the cell shutter driving device reciprocally rotates the cell shutter 15 over a predetermined angular range has been described. However, a configuration in which the cell shutter driving device rotationally drives the cell shutter 15 may be employed. . In the second and third embodiments, the example in which the cell shutter driving device rotationally drives the cell shutter 15 has been described. However, the cell shutter driving device adopts a configuration in which the cell shutter 15 reciprocally rotates over a predetermined angular range. May be.

上記実施の形態１〜３では、セルシャッタ駆動装置がセルシャッタ１５を回転駆動する例を説明したが、セルシャッタ駆動装置がセルシャッタ１５を回転駆動するとともに昇降させる構成を採用してもよい。   In the first to third embodiments, an example in which the cell shutter driving device rotationally drives the cell shutter 15 has been described. However, a configuration in which the cell shutter driving device rotationally drives the cell shutter 15 and moves it up and down may be employed.

また、上記実施の形態１〜３では、セルシャッタ駆動装置がセルシャッタ１５を回転駆動する例を説明したが、セルシャッタ駆動装置がセルシャッタ１５を往復直線駆動する構成を採用してもよい。この場合、実施の形態２では、複数の遮断面１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄが直線的に並ぶ構成を採用し、実施の形態３では、遮断面１５４Ｅが直線的に延設された構成を採用すればよい。   In the first to third embodiments, an example in which the cell shutter driving device rotationally drives the cell shutter 15 has been described. However, a configuration in which the cell shutter driving device drives the cell shutter 15 in a reciprocating linear manner may be employed. In this case, the second embodiment employs a configuration in which a plurality of blocking surfaces 154A, 154B, 154C, and 154D are linearly arranged, and the third embodiment employs a configuration in which the blocking surfaces 154E are linearly extended. do it.

上記実施の形態１、実施の形態２の改良例、および実施の形態３の改良例のいずれにおいても、遮断面１５４、１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄ、１５４Ｅを曲面とするにあたって、被処理基板２０に向けて凹む凹曲面としたが、遮断面１５４、１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄ、１５４Ｅを凸曲面にしてもよい。この場合も、遮断面１５４、１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄ、１５４Ｅを平面にした場合と比較して表面積を拡大できるので、分厚い堆積層が形成されるのを抑制することができる。   In any of the improved examples of the first and second embodiments and the improved example of the third embodiment, the substrate 20 to be processed is used when the blocking surfaces 154, 154A, 154B, 154C, 154D, and 154E are curved. However, the blocking surfaces 154, 154A, 154B, 154C, 154D, and 154E may be convex curved surfaces. Also in this case, since the surface area can be increased compared to the case where the blocking surfaces 154, 154A, 154B, 154C, 154D, and 154E are flat, it is possible to suppress the formation of a thick deposited layer.

上記実施の形態では、マスク蒸着を例に説明したが、被処理基板２０の全面に蒸着を行なうための蒸着装置に本発明を適用してもよい。   In the above embodiment, mask vapor deposition has been described as an example, but the present invention may be applied to a vapor deposition apparatus for performing vapor deposition on the entire surface of the substrate 20 to be processed.

本発明が適用される有機ＥＬ装置の要部断面図である。It is principal part sectional drawing of the organic electroluminescent apparatus with which this invention is applied. 本発明を適用した蒸着装置の構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structure of the vapor deposition apparatus to which this invention is applied. （ａ）、（ｂ）は、図２に示す蒸着装置で用いられる蒸着用マスクの説明図である。(A), (b) is explanatory drawing of the mask for vapor deposition used with the vapor deposition apparatus shown in FIG. （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態１に係る真空蒸着装置に用いられるセルシャッタの平面図、Ａ−Ａ′断面図、およびセルシャッタの遮断面に堆積した蒸着材料の様子を模式的に示す説明図である。(A), (b), and (c) are each deposited on a plan view of a cell shutter, a cross-sectional view taken along line AA ′, and a blocking surface of the cell shutter used in the vacuum vapor deposition apparatus according to Embodiment 1 of the present invention. It is explanatory drawing which shows typically the mode of the deposited vapor deposition material. （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２に係る真空蒸着装置に用いられるセルシャッタの平面図、およびＢ−Ｂ′断面図であり、（ｃ）、（ｄ）は各々、図５（ａ）に示す状態からセルシャタが駆動された後の状態を示す説明図である。(A), (b) is the top view of a cell shutter used for the vacuum evaporation system which concerns on Embodiment 2 of this invention, respectively, and BB 'sectional drawing, (c), (d) is respectively FIG. 6 is an explanatory diagram showing a state after the cel shutter is driven from the state shown in FIG. （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態２の改良例に係る真空蒸着装置に用いられるセルシャッタの平面図、およびＣ−Ｃ′断面図である。(A), (b) is respectively the top view of a cell shutter used for the vacuum evaporation system which concerns on the example of improvement of Embodiment 2 of this invention, and CC 'sectional drawing. （ａ）、（ｂ）は各々、本発明の実施の形態３に係る真空蒸着装置に用いられるセルシャッタの平面図、およびＤ−Ｄ′断面図であり、（ｃ）、（ｄ）は、図７（ａ）に示す状態からセルシャタが駆動された後の状態を示す説明図である。(A), (b) is the top view of a cell shutter used for the vacuum evaporation system which concerns on Embodiment 3 of this invention, respectively, and DD 'sectional drawing, (c), (d) is FIG. 8 is an explanatory diagram showing a state after the cell shutter is driven from the state shown in FIG. （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明の実施の形態３の改良例に係る真空蒸着装置に用いられるセルシャッタの平面図、セルシャッタの一部を切り欠いて示す説明図、およびＥ−Ｅ′断面図である。(A), (b), (c) is the top view of the cell shutter used for the vacuum evaporation system which concerns on the modification of Embodiment 3 of this invention, respectively, and explanatory drawing which notches and shows a part of cell shutter And EE ′ cross-sectional view. （ａ）、（ｂ）は各々、従来の蒸着装置の構成図、および従来の蒸着装置のセルシャッタに堆積する蒸着材料の様子を示す説明図である。(A), (b) is the block diagram of the conventional vapor deposition apparatus, respectively, and explanatory drawing which shows the mode of the vapor deposition material deposited on the cell shutter of the conventional vapor deposition apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１・・有機ＥＬ装置、２・・素子基板、３・・有機ＥＬ素子、１１・・蒸着室、１２・・蒸着源、１５・・セルシャッタ、１７・・蒸着材料の堆積層、２０・・被処理基板、１００・・真空蒸着装置（蒸着装置）、１５３、１５３Ａ、１５３Ｂ、１５３Ｃ、１５３Ｄ、１５３Ｅ・・シャッタ板、１５４、１５４Ａ、１５４Ｂ、１５４Ｃ、１５４Ｄ、１５４Ｅ・・遮断面 1 .... Organic EL device, 2 .... Element substrate, 3 .... Organic EL element, 11 .... Evaporation chamber, 12 .... Evaporation source, 15 .... Cell shutter, 17 .... Deposition layer of evaporation material, 20 .... Substrate to be processed, 100..Vacuum deposition apparatus (deposition apparatus), 153, 153A, 153B, 153C, 153D, 153E ... Shutter plate, 154, 154A, 154B, 154C, 154D, 154E ...

Claims (7)

蒸着材料の蒸気流を放出する開口部を備えた蒸着源と、前記開口部を覆って前記蒸気流の被処理基板への供給を停止する遮断面を備えたセルシャッタと、該セルシャッタが前記開口部を開閉するように当該セルシャッタを駆動するセルシャッタ駆動装置と、を有する蒸着装置において、
前記遮断面は曲面からなることを特徴とする蒸着装置。 A vapor deposition source having an opening for discharging a vapor flow of vapor deposition material; a cell shutter having a blocking surface that covers the opening and stops supplying the vapor flow to the substrate to be processed; and In a vapor deposition apparatus having a cell shutter driving device that drives the cell shutter to open and close the opening,
The vapor deposition apparatus, wherein the blocking surface is a curved surface. 前記遮断面は凹曲面からなることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。   The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the blocking surface is a concave curved surface. 前記遮断面は凹球面からなることを特徴とする請求項２に記載の蒸着装置。   The vapor deposition apparatus according to claim 2, wherein the blocking surface is a concave spherical surface. 蒸着材料の蒸気流を放出する開口部を備えた蒸着源と、前記開口部を覆って前記蒸気流の被処理基板への供給を停止する遮断面を備えたセルシャッタと、該セルシャッタが前記開口部を開閉するように当該セルシャッタを駆動するセルシャッタ駆動装置と、を有する蒸着装置において、
前記セルシャッタは、前記遮断面を当該セルシャッタの駆動方向に沿って複数備え、
前記セルシャタ駆動装置は、前記複数の遮断面において前記開口部を覆う遮断面を切り換えることを特徴とする蒸着装置。 A vapor deposition source having an opening for discharging a vapor flow of vapor deposition material; a cell shutter having a blocking surface that covers the opening and stops supplying the vapor flow to the substrate to be processed; and In a vapor deposition apparatus having a cell shutter driving device that drives the cell shutter to open and close the opening,
The cell shutter includes a plurality of the blocking surfaces along a driving direction of the cell shutter,
The said cell shutter drive device switches the interruption | blocking surface which covers the said opening part in these several interruption | blocking surfaces, The vapor deposition apparatus characterized by the above-mentioned. 蒸着材料の蒸気流を放出する開口部を備えた蒸着源と、前記開口部を覆って前記蒸気流の被処理基板への供給を停止する遮断面を備えたセルシャッタと、該セルシャッタが前記開口部を開閉するように当該セルシャッタを駆動するセルシャッタ駆動装置と、を有する蒸着装置において、
前記セルシャッタでは、前記遮断面が当該セルシャッタの駆動方向に沿って延設され、
前記セルシャタ駆動装置は、前記遮断面において前記開口部を覆う箇所を切り換えることを特徴とする蒸着装置。 A vapor deposition source having an opening for discharging a vapor flow of vapor deposition material; a cell shutter having a blocking surface that covers the opening and stops supplying the vapor flow to the substrate to be processed; and In a vapor deposition apparatus having a cell shutter driving device that drives the cell shutter to open and close the opening,
In the cell shutter, the blocking surface extends along the driving direction of the cell shutter,
The said cell shutter drive device switches the location which covers the said opening part in the said interruption | blocking surface, The vapor deposition apparatus characterized by the above-mentioned. 前記遮断面は曲面からなることを特徴とする請求項４または５に記載の蒸着装置。   6. The vapor deposition apparatus according to claim 4, wherein the blocking surface is a curved surface. 前記遮断面は凹曲面からなることを特徴とする請求項６に記載の蒸着装置。   The vapor deposition apparatus according to claim 6, wherein the blocking surface is a concave curved surface.
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