JP2008218854A - Light quantity detecting circuit, electrooptical device, and electronic equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば薄膜トランジスタを用いて光検出を行う技術に関する。 The present invention relates to a technique for performing light detection using, for example, a thin film transistor.
近年、携帯電話や個人向携帯端末(Personal Digital Assistance)などの電子機器に
、液晶素子や有機EL(Electronic Luminescence)素子などをマトリクス状に配列させ
た表示パネルが広く用いられている。この表示パネルは、明るい状態から暗い状態まで様
々な環境下で使用されるので、外光の光量を検出するとともに、その検出結果に合わせて
明るさや画質などの表示画像を制御する構成となっている。
このような構成において、光量検出のための回路を表示パネルと別体に設けると、実装
するスペースが余計に必要となったり、電子機器の外装部に外光を検出するための開口部
を設ける必要が生じたりするなどの問題が生じる。
そこで、表示パネルの画素をスイッチングする薄膜トランジスタと共通プロセスによっ
て、光量検出のための回路を形成して、表示パネル自体で外光を検出する技術が提案され
ている(特許文献1参照)。
In such a configuration, when a circuit for detecting the amount of light is provided separately from the display panel, an extra space is required for mounting, or an opening for detecting external light is provided in the exterior of the electronic device. Problems such as need arise.
In view of this, a technique has been proposed in which a circuit for detecting the amount of light is formed by a common process with a thin film transistor that switches pixels of a display panel, and external light is detected by the display panel itself (see Patent Document 1).
しかしながら、上記技術では、電圧検出のために高インピーダンス入力回路が必要とな
る、あるいは、光量検出のためのトランジスタサイズを大きくせざるを得ない、といった
問題が指摘されている。
本発明は、上述した背景に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、高インピ
ーダンス入力回路を必要とせず、また、光量検出のためのトランジスタサイズを大きくし
なくて済む光量検出回路、電気光学装置および電子機器を提供することにある。
However, in the above technique, a problem is pointed out that a high-impedance input circuit is necessary for voltage detection, or a transistor size for light amount detection must be increased.
The present invention has been made in view of the above-described background, and the object thereof is a light amount detection circuit that does not require a high impedance input circuit and does not require an increase in transistor size for light amount detection, An object is to provide an electro-optical device and an electronic apparatus.
上記目的を達成するために本発明に係る光量検出回路は、受光量に応じた電流がソース
・ドレイン電極に流れる第1トランジスタと、高電位の給電線および低電位の給電線の間
に前記第1トランジスタと直列接続された容量素子と、前記容量素子に対して、ソース・
ドレイン電極が並列接続された第2トランジスタと、前記第2トランジスタのソース・ド
レイン電極間を導通状態から非導通状態に切り替える切替回路と、遮光された領域に設け
られ、ゲート電極が、前記第1トランジスタのゲート電極に接続されて、ソース・ドレイ
ン電極に定電流が流れるように制御された第3トランジスタと、を有し、前記容量素子と
第1トランジスタとの接続点における電位に基づいて前記受光量を検出することを特徴と
する。
本発明によれば、第1トランジスタのソース・ドレイン電極間に流れる定電流によって
、第1および第3トランジスタのゲート電極の電圧が一定となるように制御される。この
ため、容量素子と第1トランジスタとの接続点を高インピーダンス状態とさせなくても済
み、また、第1トランジスタのサイズを大きくしなくても済む。
In order to achieve the above object, a light quantity detection circuit according to the present invention includes a first light source current flowing through a source / drain electrode, and a first potential between a high potential power supply line and a low potential power supply line. A capacitor connected in series with one transistor, and a source
A second transistor having a drain electrode connected in parallel; a switching circuit for switching a source / drain electrode of the second transistor from a conducting state to a non-conducting state; and a gate electrode provided in a light-shielded region. A third transistor connected to the gate electrode of the transistor and controlled to allow a constant current to flow through the source / drain electrodes, and receiving the light based on a potential at a connection point between the capacitive element and the first transistor. It is characterized by detecting the quantity.
According to the present invention, the voltage of the gate electrodes of the first and third transistors is controlled to be constant by the constant current flowing between the source and drain electrodes of the first transistor. For this reason, the connection point between the capacitive element and the first transistor need not be in a high impedance state, and the size of the first transistor need not be increased.
本発明において、前記第1および第3トランジスタのゲート電極は、前記第3トランジ
スタのドレイン電極に接続されたカレントミラー回路としても良い。
また、本発明において、一方の端子が所定の基準電位の給電線に接続され、他方の端子
が前記第3トランジスタのドレイン電極に接続された抵抗素子と、一方および他方の端子
間で所定の電圧を保ち、前記一方の端子が前記給電線に接続された電圧源と、前記電圧源
の他方の端子における電位が前記第3トランジスタのドレイン電極の電位よりも高ければ
、前記第1および3トランジスタのゲート電極の電位を低くし、前記電圧源の他方の端子
における電位が前記第3トランジスタのドレイン電極の電位よりも低ければ、前記第1お
よび3トランジスタのゲート電極の電位を高くする演算回路と、を、さらに有する構成と
しても良い。
さらに、定電流を検出した受光量に応じて変更する回路を設けても良い。
なお、本発明は、光量検出回路のみならず、この光量検出回路を基板上に有し、所定の
表示を行う電気光学装置としても、さらに、この電気光学装置と、前記電気光学装置の表
示を照明する光源と、前記光量検出回路により検出された受光量に応じて、前記光源によ
る照明光を制御する照明制御回路とを有する電子機器としても概念することが可能である
。
In the present invention, the gate electrodes of the first and third transistors may be current mirror circuits connected to the drain electrode of the third transistor.
Further, in the present invention, a predetermined voltage is applied between a resistance element having one terminal connected to a power supply line having a predetermined reference potential and the other terminal connected to the drain electrode of the third transistor, and one and the other terminals. If the potential at the other terminal of the voltage source is higher than the potential of the drain electrode of the third transistor, the voltage source having one terminal connected to the power supply line An arithmetic circuit that lowers the potential of the gate electrode and increases the potential of the gate electrodes of the first and third transistors if the potential at the other terminal of the voltage source is lower than the potential of the drain electrode of the third transistor; It is good also as a structure which has these.
Furthermore, a circuit that changes according to the amount of light received by detecting the constant current may be provided.
In the present invention, not only the light amount detection circuit but also an electro-optical device having the light amount detection circuit on the substrate and performing a predetermined display, the electro-optical device and the display of the electro-optical device are further displayed. It can also be conceptualized as an electronic device having an illumination light source and an illumination control circuit that controls illumination light from the light source in accordance with the amount of received light detected by the light amount detection circuit.
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
<第1実施形態>
図1は、第1実施形態に係る光量検出回路を適用した電気光学装置の構成を示す図であ
る。
この図に示される電気光学装置1において、光量検出回路10は、表示パネル100の
内部に形成される。表示パネル100は、特に図示しないが、マトリクス状に配列する複
数の画素によって所定の表示を行うものであり、素子基板と対向基板との一対の基板を有
し、このうち、素子基板には、画素をスイッチングするためのTFT(thin film transi
stor、以下、適宜「TFT」と略称する)や画素電極が形成され、対向基板には、画素電
極に対向するようなコモン電極が形成されて、互いの電極形成面が対向するように、かつ
、液晶を挟持するように、一定の間隙を保って素子基板と対向基板とを貼り合わせられた
構成となっている。
表示パネル100は、バックライトによる透過光と、外光による反射光との双方を変調
させる半透過・半反射型であり、画素は図示しない駆動回路によって駆動される構成とな
っている。
<First Embodiment>
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of an electro-optical device to which the light amount detection circuit according to the first embodiment is applied.
In the electro-optical device 1 shown in this figure, the light
stor, hereinafter abbreviated as “TFT” as appropriate) and a pixel electrode are formed, a common electrode is formed on the counter substrate so as to face the pixel electrode, and the electrode forming surfaces face each other, and The element substrate and the counter substrate are bonded to each other so as to hold the liquid crystal so as to hold the liquid crystal.
The
バックライト制御回路30(照明制御回路)は、光量検出回路10から出力されたVde
tに応じて、白色LED50に供給する電流を制御するものである。LED50は、表示
パネル100を照明するバックライトユニットの光源である。
The backlight control circuit 30 (illumination control circuit) outputs Vde output from the light
The current supplied to the
図2は、光量検出回路10の構成を示す回路図である。この図に示されるように、光量
検出回路10は、nチャネル型のTFT11、12、13、容量素子14、パルス発生回
路15および定電流源16を有し、このうち、少なくともTFT11、12、13は、表
示パネル100の素子基板上に、画素をスイッチングするTFTと共通プロセスによって
形成される。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of the light
図において、電位Vd、Gndは、それぞれ電源の高位側、低位側である。TFT11(
第1トランジスタ)のソース電極は電位Gndに接地され、そのドレイン電極は、TFT1
2(第2トランジスタ)のソース電極および容量素子14における一方の端子に接続され
ている。本実施形態では、TFT11のドレイン電極と容量素子14との接続点をノード
Aとし、その電圧Vdet(接地電位GndとノードAの電位差)が外部に出力される。TF
T11は、表示パネル100において外部に開口する領域、すなわち外部から光を検出す
るための領域に設けられる。
TFT12のドレイン電極および容量素子14の他方の端子は、それぞれ電位Vdを給
電する給電線に接続されている。
したがって、TFT11と容量素子14は、高電位Vdを給電する給電線と低電位Gnd
を給電する給電線との間において直列接続され、また、TFT12と容量素子14とは、
高電位Vdを給電する給電線とノードAとの間において並列接続された構成となる。
In the figure, the potentials Vd and Gnd are on the higher and lower sides of the power supply, respectively. TFT11 (
The source electrode of the first transistor) is grounded to the potential Gnd, and its drain electrode is connected to the TFT1.
2 (second transistor) source electrode and one terminal of the
T11 is provided in a region that opens to the outside in the
The drain electrode of the
Therefore, the TFT 11 and the
The TFT 12 and the
The power supply line that supplies the high potential Vd and the node A are connected in parallel.
パルス発生回路15(切替回路)は、電位Vdから電位Gndに切り替わるパルス状の信
号Vgを、TFT12のゲート電極に供給するものである。したがって、TFT12のソ
ース・ドレイン電極間は、信号Vgが電位Vdになると導通(オン)状態となり、電位Gnd
になると非導通(オフ)状態となる。
TFT13(第3トランジスタ)は、表示パネル100において遮光された領域に形成
され、そのソース電極は電位Gndに接地され、そのドレイン電極には、定電流源16によ
る定電流Irefが供給される。TFT13のドレイン電極は、TFT11のゲート電極お
よび自身のゲート電極に接続されている。
なお、本実施形態において、TFT11、13のトランジスタサイズ(チャネル幅およ
びチャネル長)は、互いに同一となるように設計されている。このため、TFT11、1
3のトランジスタの特性は互いに同一である。
The pulse generation circuit 15 (switching circuit) supplies a pulse signal Vg that switches from the potential Vd to the potential Gnd to the gate electrode of the
When it becomes, it will be in a non-conduction (off) state.
The TFT 13 (third transistor) is formed in a light-shielded region in the
In the present embodiment, the transistor sizes (channel width and channel length) of the
The three transistors have the same characteristics.
この構成にかかる光量検出回路10の動作について説明する。
まず、パルス発生回路15による信号Vgが電位Vdになると、TFT12がオン状態に
なり、容量素子14の両端子が短絡されるので、容量素子14に蓄積された電荷がクリア
されるとともに、ノードAが電位Vdとなる。
次に、信号Vgが電位Gndになると、TFT12がオフ状態に切り替わる。TFT11
では、そのドレイン・ソース電極間に、受光された光量に応じて、漏れ電流が流れる。こ
のため、容量素子14は、この漏れ電流に応じた充電がなされるので、ノードAは、すな
わち、電圧Vdetは、Vdから徐々にGndに向かって低下する。
The operation of the light
First, when the signal Vg from the
Next, when the signal Vg becomes the potential Gnd, the
Then, a leakage current flows between the drain and source electrodes according to the amount of light received. For this reason, since the
したがって、バックライト制御回路30は、VdとGndとの間でしきい値Vthを設定す
るとともに、信号Vgが電位GndになってからVdetが当該しきい値Vthに達するまでの時
間を計測することにより、TFT11で受光された光量を求めることができる。例えば、
TFT11で受光された光量が多ければ、漏れ電流が大きくなるので、図3において実線
で示されるように、Vdetの電位低下の度合いも大きくなる。このため、信号Vgが電位G
ndになってからVdetが当該しきい値Vthに達するまでの時間Taは短くなる。一方、TF
T11で受光された光量が少なければ、漏れ電流が小さくなるので、Vdetの電位低下の
度合いも小さくなる。このため、信号Vgが電位GndになってからVdetが当該しきい値V
thに達するまでの時間Tbは長くなる。
Therefore, the
If the amount of light received by the
The time Ta from when nd is reached until Vdet reaches the threshold value Vth is shortened. On the other hand, TF
If the amount of light received at T11 is small, the leakage current is small, and the degree of potential decrease of Vdet is also small. For this reason, Vdet becomes the threshold value V after the signal Vg becomes the potential Gnd.
The time Tb until reaching th becomes longer.
このように、TFT11で受光された光量は、信号Vgが電位GndになってからVdetが
しきい値Vthに達するまでの時間に反映される。なお、ここでは、信号Vgが電位Gndに
なってからVdetがしきい値Vthに達するまでの時間を計測しているが、信号VgがLレベ
ルになってから時間Tcだけ経過した時点におけるVdetの電圧を計測しても良いし、TF
T11のドレイン・ソース電極間に流れる電流を直接計測するようにしても良い。
いずれにしても、電圧Vdetに基づいてTFT11で受光された光量を求めることがで
きる。
Thus, the amount of light received by the
The current flowing between the drain and source electrodes of T11 may be directly measured.
In any case, the amount of light received by the
バックライト制御回路30は、求めた受光量に対して、図4に示されるような特性でバ
ックライトの光量(LED50への電流)を制御する。詳細には、バックライト制御回路
30は、求めた受光量が予め定められたしきい値Th1以上Th2以下の領域にあれば、受光
量に対してバックライトによる光量をMin以上Max以下となるようにリニアに制御する。
これにより、外部環境の明るさに応じてバックライトの照明光量、すなわち、画素を透過
して視認される光量が増減されるので、透過重視の適切な表示が可能となる。
また、バックライト制御回路30は、求めた受光量が予め定められたしきい値Th2より
も多く、しきい値Th3よりも少なければバックライトによる光量をMaxで一定となるよう
に制御する。これにより、外部が一定の範囲で明るいのであれば、透過光と反射光との双
方を併せた適切な表示が可能となる。
さらに、バックライト制御回路30は、求めた受光量がしきい値Th3以上であれば、バ
ックライトをオフさせるように制御する。これにより、反射重視の表示となり、バックラ
イトにより消費される電力を抑えることが可能となる。
The
As a result, the amount of illumination light of the backlight, that is, the amount of light that is visible through the pixels is increased or decreased according to the brightness of the external environment, so that appropriate display with emphasis on transmission is possible.
Further, the
Furthermore, the
本実施形態に係る光量検出回路10において、定電流Irefは、遮光状態にあるTFT
13のドレイン・ソース電極間に流れる暗電流である。TFT11のゲート電極は、当該
定電流IrefがTFT13のドレイン・ソース電極間に流れるときにおけるTFT13の
ゲート電極の電圧となるので、TFT11の受光量がゼロであれば、TFT11のドレイ
ン・ソース電極間に流れる電流はIrefに等しくなる。ただし、TFT11での受光量が
多くなるにつれて、TFT11のドレイン・ソース電極間に流れる電流もIrefから多く
なる。
ここで、本実施形態では、TFT13のドレイン・ソース電極間に流れる電流は、Ire
fで一定となるように制御されているので、TFT11、13のゲート電圧も一定となる
ように制御される。ゲート電圧が一定であるので、TFT11では、周囲温度等が変化し
ても、受光量に対する漏れ電流の特性が変動しないことになる。
In the light
13 is a dark current flowing between the drain and source electrodes. The gate electrode of the
In this embodiment, the current flowing between the drain and source electrodes of the
Since f is controlled to be constant, the gate voltages of the
一方、背景技術で述べた光量検出回路は、図7に示されるように、TFT11のゲート
電極に、漏れ電流を流すためのバイアス電圧Voffを印加する構成である。ここで、電圧
Voffが高くなると(逆バイアスが浅くなると)、受光量が同じでも漏れ電流が大きくな
る。ただし、TFT11において、逆バイアスが浅い状態では、周囲温度に対する漏れ電
流の変動が顕著に大きくなる。このため、周囲温度の影響を少なくするためには、TFT
11を逆バイアスが浅くない領域で、すなわち、漏れ電流が小さい状態で動作させる必要
があり、ノードAの電圧を高インピーダンス状態で判定する必要がある。ノードAが高イ
ンピーダンス状態となるのを避けるためには、TFT11のトランジスタサイズを大きく
すれば良いが、上述したように、表示パネル100の素子基板上に光量検出回路を設ける
場合には、表示に寄与しないデッドスペースをそれだけ多く必要となり、素子基板におい
て表示領域を圧迫することになる。
本実施形態によれば、上述したように周囲温度等によらずに受光量に対する漏れ電流の
特性が変動しないので、ノードAの電圧を高インピーダンス状態で判定する必要がない。
このため、本実施形態では、TFT11のトランジスタサイズを大きくする必要もない。
On the other hand, the light quantity detection circuit described in the background art is configured to apply a bias voltage Voff for flowing a leakage current to the gate electrode of the
11 must be operated in a region where the reverse bias is not shallow, that is, in a state where the leakage current is small, and the voltage of the node A needs to be determined in a high impedance state. In order to avoid the node A from being in a high impedance state, the transistor size of the
According to the present embodiment, as described above, the leakage current characteristic with respect to the amount of received light does not vary regardless of the ambient temperature or the like, so that it is not necessary to determine the voltage at the node A in a high impedance state.
For this reason, in this embodiment, it is not necessary to increase the transistor size of the
なお、TFT11、13のトランジスタサイズは互いに同一である必要はない。たとえ
ば、TFT11のチャネル幅をW11、チャネル長をL11として、その比率をTR11
(=W11/L11)で表し、TFT13のチャネル幅をW13、チャネル長をL13と
して、その比率をTR13(=W13/L13)で表したとき、受光量ゼロのときにTF
T11のドレイン・ソース電極間に流れる電流は、概ねIre f・TR11/TR13とな
る。
このように、TFT11のチャネル比率TR11およびTFT13のチャネル比率TR
13を定めることによって、TFT11の漏れ電流が適正となるように設定することが可
能となる。
Note that the transistor sizes of the
(= W 11 / L 11 ), when the channel width of the TFT 13 is W 13 , the channel length is L 13 , and the ratio is represented by TR 13 (= W 13 / L 13 ), when the amount of received light is zero TF
The current flowing between the drain and source electrodes of T11 is approximately Iref · T R11 / T R13 .
Thus, the channel ratio T R11 of the TFT 11 and the channel ratio T R of the TFT 13
By setting 13 , it is possible to set the leakage current of the
<第2実施形態>
上述した第1実施形態では、定電流Irefを、遮光状態にあるTFT11のドレイン・
ソース電極間に流れる電流値としたが、この第2実施形態では、この定電流Irefを変更
可能としたものである。
Second Embodiment
In the first embodiment described above, the constant current Iref is applied to the drain / drain of the
Although the current value flowing between the source electrodes is used, in the second embodiment, the constant current Iref can be changed.
図5は、第2実施形態に係る光量検出回路10の構成を示す回路図である。
この図に示されるように、TFT13のゲート電極は、自身のドレイン電極に接続され
ておらず、演算回路19の出力端に接続されている。TFT13のドレイン電極は、電位
Vdを給電する給電線に対し、抵抗値がRである抵抗素子17を介して接続されている。
また、TFT13のドレイン電極は、演算回路19における加算入力端(+)にも接続さ
れている。
電圧源18は、両端子間で電圧Vstdを発生させるものであり、その正極端子は、電位
Vdを給電する給電線に接続され、負極端子は、演算回路19の減算入力端(−)に接続
されている。
演算回路19は、加算入力端(+)の電圧から減算入力端(−)の電圧を減じた電圧と
比例関係にある電圧を出力するものである。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of the light
As shown in this figure, the gate electrode of the
The drain electrode of the
The
The
この構成において、抵抗素子17の両端子にはR・Irefの電圧が発生するので、TF
T13のドレイン電極および演算回路19における加算入力端(+)の電圧は(Vd−R
・Iref)となる。一方、演算回路19における減算入力端(−)の電圧は(Vd−Vstd
)となる。
ここで、電圧Vstdが電圧R・Irefよりも高ければ、すなわち、減算入力端(−)の電
圧(Vd−Vstd)が加算入力端(+)の電圧(Vd−R・Iref)よりも低ければ、演算回
路19の出力電圧が高くなるので、電流Irefが大きくなる方向に働く。一方、電圧Vstd
が電圧R・Irefよりも低ければ、すなわち、減算入力端(−)の電圧(Vd−Vstd)が
加算入力端(+)の電圧(Vd−R・Iref)よりも高ければ、演算回路19の出力電圧が
低くなるので、電流Irefが小さくなる方向に働く。このため、抵抗素子17の両端子間
の電圧R・Irefは、電圧源18の電圧Vstdと等しくなる地点で均衡する。
したがって、定電流Irefは、Vstd/Rとなるように調整されるので、電圧源8の電圧
Vstd、または、抵抗素子17の抵抗値Rの一方を、もしくは、双方を調整可能にすると
、定電流Irefを適切な値に変更することが可能となる。
In this configuration, since the voltage of R · Iref is generated at both terminals of the
The voltage at the drain electrode of T13 and the addition input terminal (+) in the
-Iref). On the other hand, the voltage at the subtraction input terminal (−) in the
)
If the voltage Vstd is higher than the voltage R · Iref, that is, if the voltage (Vd−Vstd) at the subtraction input terminal (−) is lower than the voltage (Vd−R · Iref) at the addition input terminal (+). Since the output voltage of the
Is lower than the voltage R · Iref, that is, when the voltage (Vd−Vstd) at the subtraction input terminal (−) is higher than the voltage (Vd−R · Iref) at the addition input terminal (+), Since the output voltage is lowered, the current Iref is reduced. Therefore, the voltage R · Iref between both terminals of the
Therefore, the constant current Iref is adjusted to be Vstd / R. Therefore, if one or both of the voltage Vstd of the voltage source 8 and the resistance value R of the
定電流Irefは、TFT11(13)のゲート電圧を規定するので、受光量に対する漏
れ電流を定めることになる。
ここで、受光量が多い状態(明るい状態)である場合に、TFT11の漏れ電流が大き
いと、Vdetが短期間のうちに電位Vdから電位Gndに低下してしまうので、受光量を精度
良く求めることができない。受光量が少ない状態(暗い状態)である場合に、TFT11
の漏れ電流が小さいと、Vdetが電位Vdから低下しにくくなるので、やはり、受光量を精
度良く求めることができない。
このため、定電流Irefを受光量に応じて適切な値に変更可能とする構成は、受光量を
精度良く観測する点において有利となる。例えば、あるタイミングでバックライト制御回
路30が受光量を求めたときに、当該受光量に対した適切な定電流Irefを再設定する構
成により、受光量を、広範囲で、かつ、精度良く観測することが可能となる。
なお、当該受光量に対した適切な定電流Irefを再設定する構成については、第2実施
形態のみならず、第1実施形態においても適用可能である。
Since the constant current Iref defines the gate voltage of the TFT 11 (13), it determines the leakage current with respect to the amount of received light.
Here, when the amount of received light is large (bright state), if the leakage current of the
If the leakage current is small, Vdet is unlikely to decrease from the potential Vd, so that the amount of received light cannot be obtained with high accuracy.
For this reason, the configuration in which the constant current Iref can be changed to an appropriate value according to the amount of received light is advantageous in that the amount of received light is accurately observed. For example, when the
In addition, about the structure which resets the appropriate constant current Iref with respect to the said light reception amount, it is applicable not only in 2nd Embodiment but in 1st Embodiment.
<電子機器>
次に、上述した実施形態に係る光量検出回路10を有する電気光学装置1を適用した電
子機器について説明する。図6は、この電気光学装置を用いた携帯電話1200の構成を
示す図である。
この図に示されるように、携帯電話1200は、複数の操作ボタン1202のほか、受
話口1204、送話口1206とともに、上述した電気光学装置1を備えるものである。
なお、電気光学装置のうち、表示パネル100に相当する部分以外の構成要素については
外観としては現れない。
なお、電気光学装置1が適用される電子機器としては、図6に示される携帯電話の他に
も、デジタルスチルカメラや、フォトストレージ、ノートパソコン、液晶テレビ、ビュー
ファインダ型(または、モニタ直視型)のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ペ
ージャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS
端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の
表示装置として、上述した電気光学装置1が適用可能であることは言うまでもない。
<Electronic equipment>
Next, an electronic apparatus to which the electro-optical device 1 having the light
As shown in this figure, a
Note that components of the electro-optical device other than the portion corresponding to the
As an electronic apparatus to which the electro-optical device 1 is applied, in addition to the mobile phone shown in FIG. 6, a digital still camera, a photo storage, a laptop computer, a liquid crystal television, a viewfinder type (or a monitor direct view type) ) Video recorder, car navigation device, pager, electronic notebook, calculator, word processor, workstation, video phone, POS
Examples include terminals and devices equipped with touch panels. Needless to say, the above-described electro-optical device 1 is applicable as a display device of these various electronic devices.
1…電気光学装置、10…光量検出回路、11、12、13…TFT、14…容量素子
、15…パルス発生回路、16…定電流源、17…抵抗素子、18…電圧源、19…演算
回路、30…バックライト制御回路、50…LED、100…表示パネル、1200…携
帯電話
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electro-optical apparatus, 10 ... Light quantity detection circuit, 11, 12, 13 ... TFT, 14 ... Capacitance element, 15 ... Pulse generation circuit, 16 ... Constant current source, 17 ... Resistance element, 18 ... Voltage source, 19 ... Calculation Circuit, 30 ... Backlight control circuit, 50 ... LED, 100 ... Display panel, 1200 ... Mobile phone
Claims (5)
高電位の給電線および低電位の給電線の間に前記第1トランジスタと直列接続された容
量素子と、
前記容量素子に対して、ソース・ドレイン電極が並列接続された第2トランジスタと、
前記第2トランジスタのソース・ドレイン電極間を導通状態から非導通状態に切り替え
る切替回路と、
遮光された領域に設けられ、ゲート電極が、前記第1トランジスタのゲート電極に接続
されて、ソース・ドレイン電極に定電流が流れるように制御された第3トランジスタと、
を有し、前記容量素子と第1トランジスタとの接続点における電位に基づいて前記受光
量を検出する
ことを特徴とする光量検出回路。 A first transistor in which a current corresponding to the amount of received light flows to the source / drain electrodes;
A capacitive element connected in series with the first transistor between a high-potential feed line and a low-potential feed line;
A second transistor having a source / drain electrode connected in parallel to the capacitive element;
A switching circuit for switching between a conductive state and a non-conductive state between the source and drain electrodes of the second transistor;
A third transistor provided in a light-shielded region and having a gate electrode connected to the gate electrode of the first transistor and controlled so that a constant current flows through the source / drain electrodes;
A light amount detection circuit comprising: detecting the amount of received light based on a potential at a connection point between the capacitive element and the first transistor.
極に接続された
ことを特徴とする請求項1に記載の光量検出回路。 The light amount detection circuit according to claim 1, wherein gate electrodes of the first and third transistors are connected to a drain electrode of the third transistor.
のドレイン電極に接続された抵抗素子と、
一方および他方の端子間で所定の電圧を保ち、前記一方の端子が前記給電線に接続され
た電圧源と、
前記電圧源の他方の端子における電位が前記第3トランジスタのドレイン電極の電位よ
りも高ければ、前記第1および3トランジスタのゲート電極の電位を低くし、前記電圧源
の他方の端子における電位が前記第3トランジスタのドレイン電極の電位よりも低ければ
、前記第1および3トランジスタのゲート電極の電位を高くする演算回路と、
を、さらに有する
ことを特徴とする請求項1に記載の光量検出回路。 A resistance element having one terminal connected to a power supply line having a predetermined reference potential and the other terminal connected to the drain electrode of the third transistor;
Maintaining a predetermined voltage between one and the other terminals, the one terminal connected to the feeder line, and a voltage source;
If the potential at the other terminal of the voltage source is higher than the potential at the drain electrode of the third transistor, the potential at the gate electrode of the first and third transistors is lowered, and the potential at the other terminal of the voltage source is An arithmetic circuit that raises the potential of the gate electrodes of the first and third transistors if lower than the potential of the drain electrode of the third transistor;
The light quantity detection circuit according to claim 1, further comprising:
ことを特徴とする電気光学装置。 An electro-optical device comprising the light amount detection circuit according to claim 1 on a substrate and performing predetermined display.
前記電気光学装置の表示を照明する光源と、
前記光量検出回路により検出された受光量に応じて、前記光源による照明光を制御する
照明制御回路と、
を有することを特徴とする電子機器。 An electro-optical device according to claim 4,
A light source for illuminating a display of the electro-optical device;
An illumination control circuit that controls illumination light from the light source according to the amount of received light detected by the light amount detection circuit;
An electronic device comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007056691A JP2008218854A (en) | 2007-03-07 | 2007-03-07 | Light quantity detecting circuit, electrooptical device, and electronic equipment |
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010238950A (en) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Casio Computer Co Ltd | Photodetector |
RU2488154C1 (en) * | 2009-03-30 | 2013-07-20 | Шарп Кабусики Кайся | Display device and operation method thereof |
CN110286294A (en) * | 2019-07-25 | 2019-09-27 | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 | A kind of self-energizing device and method for monitoring of leaking electricity |
CN110286293A (en) * | 2019-07-25 | 2019-09-27 | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 | A kind of self-energizing electric leakage monitoring method and system based on leakage current |
-
2007
- 2007-03-07 JP JP2007056691A patent/JP2008218854A/en not_active Withdrawn
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