JP2008218212A - 光デバイスおよびその製造方法 - Google Patents
光デバイスおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008218212A JP2008218212A JP2007054321A JP2007054321A JP2008218212A JP 2008218212 A JP2008218212 A JP 2008218212A JP 2007054321 A JP2007054321 A JP 2007054321A JP 2007054321 A JP2007054321 A JP 2007054321A JP 2008218212 A JP2008218212 A JP 2008218212A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- organic
- electrode
- insulating
- insulating film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 145
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 33
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 28
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 abstract description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 42
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 10
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[3,4-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=CSC=C21 GKWLILHTTGWKLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Al) Substances 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000011417 postcuring Methods 0.000 description 1
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】第1と第2の基板を貼り合わせることで固体封止構造を容易に得ることができると共に、光導出面を例えば曲面などを含む多様な形態にする場合においても製造が容易な光デバイスおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】対向配置された第1基板1と第2基板7の対向面の一方に、有機EL素子による画素を画定する絶縁膜5が形成されると共に、前記第1基板と第2基板の対向面の他方には、前記第1基板と第2基板を貼り合わせた状態において、前記絶縁膜5に接触する凸状になされた絶縁リブ8が形成される。前記絶縁リブ8の間において形成される空間内に、有機EL素子を構成する一対の電極のうちのいずれか一方の電極として機能する導電材料12が充填される。
【選択図】図3
【解決手段】対向配置された第1基板1と第2基板7の対向面の一方に、有機EL素子による画素を画定する絶縁膜5が形成されると共に、前記第1基板と第2基板の対向面の他方には、前記第1基板と第2基板を貼り合わせた状態において、前記絶縁膜5に接触する凸状になされた絶縁リブ8が形成される。前記絶縁リブ8の間において形成される空間内に、有機EL素子を構成する一対の電極のうちのいずれか一方の電極として機能する導電材料12が充填される。
【選択図】図3
Description
この発明は、有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子を一つの画素として利用した光デバイスおよびその製造方法に関する。
携帯電話機や携帯型情報端末機(PDA)などの普及によって、高精細な画像表示機能を有し、薄型かつ低消費電力化を実現することができる表示パネルの需要が増大しており、従来より液晶表示パネルがその要求を満たす表示パネルとして多くの製品に採用されてきた。
一方、昨今においては自発光型素子であり、また高速応答性に優れているという特質を生かした有機EL素子を画素とした光デバイス、例えばドットマトリクス型表示パネルが実用化され、これが従来の液晶表示パネルに代わる次世代の表示パネルとして注目されている。これは、素子の発光層に良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって実用に耐え得る高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。
また、有機EL素子は前記した携帯電話機やPDAに使用するドットマトリクス型表示パネルにとどまらず、車載用モニタ、テレビジョン受像機、時計や宣伝用のパネル等の固定表示装置、スキャナやプリンタの光源、液晶のバックライト用光源、照明あるいは光電変換機能を利用した光通信装置等の光デバイスにも利用の範囲が拡大されつつある。
ところで、前記した有機EL素子は、大気に曝されると大気中の湿気、酸素等の影響を受けて発光特性が劣化することが知られており、発光の安定性および耐久性を高めるためには有機EL素子を外気から遮断する封止手段が不可欠となっている。
この封止手段としては、その一例として有機EL素子が形成された基板上に、これを覆うように例えば金属製の封止部材を貼り合わせ、基板と封止部材間に形成される封止空間内に有機EL素子を配置した構成(気密封止構造)にされている。さらに前記封止空間内に乾燥剤等を封入するなどの対処もなされており、このような手段を施した有機EL装置が特許文献1に開示されている。
特開平9−148066号公報
一方、前記した気密封止構造の有機EL装置によると、乾燥剤等を含めた厚さが問題となり、さらなる薄型化に対応するために有機EL素子を直接ガラスなどの薄膜で覆う封止技術が提案されている。特許文献2および3においては、SiO2 を主成分とする無機系塗料を塗布し、これを200℃以下の温度で加熱することでガラス化させたガラス膜により有機EL素子を封止する構成(固体封止構造)が示されている。
特開2000−311783号公報
特開2002−280170号公報
ところで、前記したように無機系塗料を加熱によりガラス化させる場合、有機EL素子にも同様に熱が加わり、素子に対して加熱による悪影響を与えるという問題を抱えることになる。そこで有機EL素子を覆う保護層として、Si,Znなど酸化物または硫化物からなるガラス形成材料に、Sc,Ceなどの単体からなるガラス修飾材料をドープしたものを用い、これを低温でのスパッタリングまたはイオンプレーティングなどの蒸着法によって形成することが特許文献4に開示されている。
特開平11−97169号公報
前記特許文献4に開示された封止のための保護層の形成手段においては、保護層をスパッタリングや蒸着法によって成膜するものであるため、その成膜速度が遅く、保護層として機能する充分な厚みに形成するには相当の時間を要し、また保護層を成膜する材料の利用効率も悪いという問題を有している。
有機EL素子を大気から封止する手段としては、前記したように数々の提案がなされているものの、それぞれに一長一短を有しており、いずれにしても前記したように有機EL素子を封止するための例えば金属製もしくはガラス製の封止部材を別に用意したり、成膜材料等を用いて成膜工程を実行しなければならないなど、その製造に時間と手間の要するものであった。
この発明は、前記した従来の問題点に着目してなされたものであり、一方が気密封止用の基板として機能する第1と第2の基板を貼り合わせることで、前記した固体封止構造を有する有機EL素子を含む光デバイスを容易に形成することができ、光導出面を例えば曲面などを含む多様な形態にする場合においても製造が容易な光デバイスおよびその製造方法等を提供することを課題とするものである。
前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる光デバイスは、一対の電極間に少なくとも1層の発光層を含む有機材料層を備えた有機EL素子を一つの画素として利用する光デバイスであって、対向配置された第1基板と第2基板の対向面の一方に、前記有機EL素子による画素を画定する絶縁膜が形成されると共に、前記第1基板と第2基板の対向面の他方には、前記第1基板と第2基板を貼り合わせた状態において、前記絶縁膜に接触する凸状になされた絶縁リブが形成され、前記凸状になされた絶縁リブの間において形成される空間内に導電材料を充填した点に特徴を有する。
また、この発明にかかる光デバイスの他の好ましい形態は、一対の電極間に少なくとも1層の発光層を含む有機材料層を備えた有機EL素子を一つの画素として利用する光デバイスであって、対向配置された第1基板と第2基板の対向面の一方に、前記有機EL素子による画素を画定する絶縁膜が形成されると共に、前記第1基板と第2基板の対向面の他方には凸状の絶縁リブが形成され、前記凸状になされた絶縁リブの間において形成される空間内に導電材料を充填し、前記絶縁リブは前記絶縁膜と接触することで、充填された前記導電材料を分断した構成にされている点に特徴を有する。
また、前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる第1の態様の光デバイス製造方法は、一対の電極間に少なくとも1層の発光層を含む有機材料層を備えた有機EL素子を一つの画素として利用する光デバイスの製造方法であって、対向配置される第1基板と第2基板の対向面の一方に、直接または他の層を介して前記有機EL素子を構成する一対の電極のうちの一方の電極である第1電極を形成する第1電極形成工程と、前記第1電極上に前記有機EL素子による画素を画定する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜により画定される前記第1電極上に、前記有機材料層を形成する有機層形成工程と、前記第1基板と第2基板の対向面の他方に、絶縁性の素材により凸状になされた絶縁リブを形成する絶縁リブ形成工程と、前記第1基板と第2基板を貼り合わせることで、前記絶縁膜と絶縁リブとが接触した状態で封止される封止工程と、前記凸状になされた絶縁リブの間において形成される空間内に、導電材料を充填することで、前記有機EL素子を構成する前記一対の電極のうちの他方の電極である第2電極を形成する第2電極形成工程とが実行される点に特徴を有する。
さらに、この発明にかかる第2の態様の光デバイス製造方法は、一対の電極間に少なくとも1層の発光層を含む有機材料層を備えた有機EL素子を一つの画素として利用する光デバイスの製造方法であって、対向配置される第1基板と第2基板の対向面の一方に、直接または他の層を介して前記有機EL素子を構成する一対の電極のうちの一方の電極である第1電極を形成する第1電極形成工程と、前記第1電極上に前記有機EL素子による画素を画定する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記絶縁膜により画定される前記第1電極上に、前記有機材料層を形成する有機層形成工程と、前記第1基板と第2基板の対向面の他方に、絶縁性の素材により凸状になされた絶縁リブを形成する絶縁リブ形成工程と、前記凸状になされた絶縁リブの間において形成される空間内に、導電材料を充填することで、前記有機EL素子を構成する一対の電極のうちの他方の電極である第2電極を形成する第2電極形成工程と、前記第1基板と第2基板を貼り合わせることで、前記絶縁膜と絶縁リブとが接触した状態で封止される封止工程とが実行される点に特徴を有する。
以下、この発明にかかる光デバイスおよびその製造方法について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。図1〜図3は、この発明をドットマトリクス表示パネル、特にパッシブマトリクス型表示パネルに採用した例を示しており、図1は表示パネルを透視した状態で示した平面図であり、図2は図1におけるA−A線より矢印方向に視た状態の断面図、また図3は図1におけるB−B線より矢印方向に視た状態の断面図である。なお、説明を簡素にするために図1に示す状態におけるパネルの横方向および縦方向には、6×4の画素数が配列された例を示している。
図1〜図3において、符号1は第1基板を示しており、これは例えば光透過性の素材、例えばガラス基板が用いられる。この第1基板はガラス基板に限らず石英もしくは合成樹脂等を用いることもできる。この第1基板1の上面(後述する第2基板に対向する面)には、例えばITOなどの光透過性の素材による第1電極2がストライプ状に形成されている。また、前記第1電極2の引き出し配線3も、第1基板1の端部に形成されている。
また、この実施の形態においては、後述する第2電極の引き出し配線4も、前記引き出し配線3に直交する第1基板1上の端部に形成されている。前記したストライプ状の第1電極2、第1電極の引き出し配線3および第2電極の引き出し配線4は、後で詳細に説明するとおり、好ましくは共にフォトリソグラフィ法によりパターン形成される。
前記した第1基板1およびこれにストライプ状に形成された第1電極2上には、図1に示されたように第1電極2の上に沿って複数の矩形状の窓を形成するがごとく、開口部Wを残して全面に絶縁膜5が形成されている。この絶縁膜5を矩形状の開口部Wを残して成膜することで、前記開口部Wにおいて有機EL素子による画素の形成位置を画定することができる。なお、前記したとおり開口部Wを残して絶縁膜5を形成する場合においても、後で説明するとおりフォトリソグラフィ法を好適に利用することができる。
そして、前記絶縁膜5による開口部Wが形成された第1電極2上には、有機EL材料が例えば真空蒸着法によって成膜され、これにより矩形状の開口部W内に有機EL素子の1つの画素として機能する有機材料層6が形成される。前記有機材料層6には少なくとも発光層を含んでおり、他にも電荷輸送層、電荷注入層、電荷発生層、電荷阻止層等を積層させても良い。この場合、カラー表示パネルを形成する場合においては、シャドーマスクを用いてR(赤)、G(緑)、B(青)の各発光色に対応する有機EL材料を各開口部Wに対応して順に蒸着させる操作が行われる。これにより前記R,G,Bのサブ画素を組とした1つのカラー表示画素を形成させることができる。
一方、前記第1基板1に対向する第2基板7は、例えばガラス基板が用いられる。この第2基板7は、前記した第1基板1と同様にガラス基板に限らず石英もしくは合成樹脂等を用いることもできる。図2および図3に示す状態の前記第2基板7の下面(前記した第1基板に対向する面)には、凸状になされた絶縁リブ(図1および図3に符号8で示す。)が形成されている。この絶縁リブ8は、図1に示されているように前記した開口部Wによって画定された有機EL素子による画素の形成位置の間において、前記第1電極2に直交するようにしてストライプ状に形成されている。
そして、前記第1基板1に第2基板7を貼り合わせた状態で、凸状に形成された前記絶縁リブ8の突出面は、第1基板1側に形成された前記絶縁膜5に接合されるように構成されている。この接合構成により、絶縁リブ8の間において形成される後述する第2電極が電気的に分断されるようになされる。
また、前記第1基板1と第2基板7との間には、両者の三辺を囲むようにしてシール材9aが充填され、第1基板1と第2基板7が接合されている。また、シール材9aが充填されていない第1基板1と第2基板7の一辺に沿う開口部11より、導電材料12が充填され、これにより前記導電材料は、凸状になされた前記絶縁リブ8間の空間内に収容されて第2電極(導電材料と同一の符号12で示す。)が形成される。そして、第1基板1と第2基板7の一辺に沿う前記開口部11は、シール材9bによって閉塞されている。
前記シール材9aおよび9bは、前記絶縁リブ8間の空間内に充填された導電材料12が外部に漏出するのを防止させると共に、有機EL素子の劣化因子となる水分、酸素、ガス、有機溶剤等の侵入を防止する機能を果たす。
なお、この実施の形態においては、図1および図2に示すように、第2電極の引き出し配線4側において、前記した絶縁膜5を形成しない窓状のコンタクトホール13が、第2電極の引き出し配線4にそれぞれ対応して形成されている。このコンタクトホール13の形成部分、すなわち図2の鎖線Cで囲まれた部分を図4に拡大断面図で示している。
図4に示すようにコンタクトホール13には、前記した有機材料層6は成膜されておらず、したがって、前記した導電材料により形成された第2電極12は、前記各コンタクトホール13を介してそれぞれ第2電極の引き出し配線4に電気的に接続されている。
そして、前記第1基板1に形成された第1電極の引き出し配線3は、図3に示されたように導電性接着剤14aを介して外部回路基板15aに接続され、また第2電極の引き出し配線4は、図2に示されたように導電性接着剤14bを介して外部回路基板15bに接続されている。この構成により、前記各有機材料層6は第1電極2と第2電極12の間に介在されて、前記一対の電極と共に有機EL素子を構成している。
したがって、一つの例として前記第1電極2をアノードとし、第2電極12をカソードとして使用し、陰極線走査・陽極線ドライブ方式のパッシブマトリクス型表示装置を実現させる場合には、前記外部回路基板15a側に直流定電流源を備え、前記外部回路基板15b側に陰極線走査回路が備えられることになる。本発明による光デバイスでは、表示もしくは発光による発熱を第2電極から放熱を良好にする効果を有している。特に車載用など高い耐熱の信頼性を求められる光デバイスにおいては有効である。
図5は、この発明にかかる光デバイスを表示パネルに適用した他の構成例を示したものであり、これはすでに説明した図4に相当する部分を断面図で示したものである。なお、図5においては、図4と同様の機能を果たす部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は省略する。
この図5に示す例においては、金属製の導電層17が第1基板1に形成された絶縁膜5および有機材料層6をカバーするようにして形成されている。そして、第2基板7に形成された絶縁リブ8の間の空間内に充填された導電材料12と共に、第2電極を構成している。この構成によると、導電層17の存在により、第2電極の電気抵抗率を大幅に低減させることに寄与できる。
また図6は、この発明にかかる光デバイスを表示パネルに適用したさらに他の構成例を示したものであり、これはすでに説明した図4に相当する部分を断面図で示したものである。なお、図6においては図4と同様の機能を果たす部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は省略する。
この図6に示す例においては、導電層19が第2基板7における絶縁リブ8の間に形成されている。そして、前記絶縁リブ8の間の空間内に充填された導電材料12と共に、第2電極を構成している。この構成においても導電層19の存在により、第2電極の電気抵抗率を大幅に低減させることに寄与できる。
次に、図7は前記したように構成された光デバイスとしての表示パネル、特に図1〜図4に示した構成の表示パネルを製造する場合の好ましい例を示したものである。なお、以下の製造プロセスの説明においては、図1〜図4に示した表示パネルにおける各部の名称ならびにそれに対応した同一の符号を用いることにする。
図7において、まずステップS1aとして示したように第1基板1上に、第1電極2、第1電極の引き出し配線3、および第2電極の引き出し配線4が形成される。前記第1基板1はすでに説明したとおりガラス基板等が用いられる。この基板上には、ITOやIZO等の透明電極が第1電極としてスパッタ成膜手段により、基板1上の全面に一定の膜厚となるように成膜する。その後有機EL素子の一部を構成する第1電極2、第1電極の引き出し配線3および第2電極の引き出し配線4のパターニングを行う(第1電極形成工程)。
すなわち、前記第1電極と第1電極の引き出し配線を形作る複数の第1電極ラインと複数の第2電極の引き出し配線をフォトリソグラフィ法でパタ−ニングする。このとき、第1電極の表面を平滑にするために研磨、エッチング等の処理を施しても良く、第1電極の引き出し配線もしくは第2電極の引き出し配線の上部に、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、クロム(Cr)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)等の低抵抗金属もしくはその合金を積層してパタ−ニングしても構わない。また、前記第1電極2は、第1基板1上に直接または他の層(例えば非透湿性層、TFT、カラーフィルタ等)を介して形成される場合もある。
続いてステップS1bに示すように、第1基板1上に絶縁膜5を形成する(絶縁膜形成工程)。この絶縁膜5は有機材料のポリイミド、無機材料の酸化珪素等を基板の第1電極パタ−ニング側の全面に成膜する。その後、ストライプ状に複数並んでパタ−ニングされている第1電極ライン間と第1電極ラインと垂直に交わる方向に格子状になるように絶縁膜をフォトリソグラフィによりパタ−ニングする。すなわち、前記したように第1電極2の上に沿って複数の開口部Wを形成する。この時、同時に前記した窓状のコンタクトホール13も形成する。
次にステップS1cに示すように第1基板1上に有機材料層6を形成する。これは図示せぬ成膜用チャンバに第1基板を導入し、絶縁膜5により形成した前記開口部Wの第1電極2上に有機材料を成膜する。発光層として機能する有機材料は、第1電極上に直接または他の層(例えば正孔輸送層等)介して形成される。有機材料層は、例えば正孔輸送層、発光機能層、電子輸送層等の積層構造を有する。この有機材料層は、好ましくは前記したとおり真空蒸着法により形成される。他に塗布、印刷法やレーザ転写法により形成されてもよい(有機材料層形成工程)。
一方、前記第2基板7にはステップS2aとして示すように絶縁リブ8が形成される。これは、例えばガラス製の第2基板7上に絶縁リブの材料を予めシート状にしたものをラミネートし、その上にドライフィルムレジストをラミネートする。パターン露光した後、現像してリブ材料を現像した空間部に充填してリブ材料層とレジスト層とを形成する。そして、第2基板7を予備加熱した後、プレス加工する。さらに紫外線照射大気中にて焼成し、ドライフィルムを除去すると共にリブ材料を焼結することで、第2基板上に凸状の絶縁リブ8を形成することができる(絶縁リブ形成工程)。
続いて第2基板7には、ステップS2bとして示すようにシール材9aが形成される。この場合、好ましくは第2基板7の表面または両面に、オゾン処理もしくはプラズマ処理を施して表面の濡れ性を向上させ、その表面に接着剤をスクリーン印刷もしくはディスペンサ等により塗布する。なお、前記シール材9aは第1基板1側に形成してもよく、この場合においては第1基板1に対して前記と同様の前処理が行われる(封止工程)。
なお、前記シール材としては、UV硬化型エポキシ樹脂等が用いられる。他にも可視光硬化型、UV+熱硬化型、熱硬化型、後硬化型UV接着剤などを用いることができる。
以上のようにして処理された第1基板と第2基板は、ステップS3に示すように貼り合わされる。これは、図示していないが減圧装置の貼り合わせ用チャンバ内に第1基板と第2基板を導入し、一方の基板をチャンバ内に置き、他方の基板をホルダに載せ、貼り合わせ用チャンバを密閉した後、第1基板と第2基板の位置を合わせた後、基板ホルダを下降させて2つの基板を重ね、再度位置合わせをしてから貼り合わせる。このとき、必要であれば接着剤の粘度を低くするために加熱してもよい。
前記貼り合わせ工程について、図8Aおよび図8Bに模式的に示されている。図8Aに示すように第1基板1には前記したとおり、第1電極2がストライプ状に形成され、また第1電極2上において、絶縁膜5により形成された前記開口部W内に有機材料層6が成膜されている。また第2基板7には、前記したとおり絶縁リブ8並びにシール材9aが形成されている。この状態で、前記したステップS3にしたがう貼り合わせが実行され、図8Bに示すように両者は貼り合わされて有機ELセル20が形成される。
続いて、図7のステップS4に示すようにシールの開口部11より導電材料が充填される(第2電極形成工程)。これはすでに説明した図2に示す基板1の一辺に形成されたシールの開口部11を利用してなされる。図9には導電材料の充填ステップとして、真空注入法を用いた例を模式的に示している。図9に示すように導電材料(充填材料)12が入った容器21と有機ELセル20を密閉可能な充填用チャンバ22に入れた後、充填用チャンバ22により密閉された空間を高真空にする。
次に有機ELセル20を充填材料12が入った容器21に浸し、シールの開口部11が充填材料12に完全に浸るようにし、つづいて徐々に充填用チャンバ22を常圧に戻す。これにより、充填材料12は有機ELセル20内に充填される。充填材料の流動速度が遅いと、有機ELパネルのタクトタイム(製造時間)が長くなるので、流動速度を早めるために前記容器21に加熱手段を設けても良い。また、有機ELセルを形成する第1基板と第2基板を加熱しておく手段を設けても良い。
前記した充填材料としては、30℃〜200℃の範囲で、望ましくは150℃以下において溶融物として存在する合金を好適に利用することができる。その成分としてはビスマス、鉛、スズ、カドミウム、インジウム、水銀、銀を含む。好適に利用し得る合金の例(以下%は質量を示す。)としては、ビスマス57%−スズ17%−インジウム26%(融点78℃)、スズ48%−インジウム52%(融点118℃)、ビスマス58%−スズ42%(融点138℃)を挙げることができる。
前記した充填材料としては、前記した合金の他にガラス転移温度の低い高導電性の有機物(導電性ポリマーなど)として、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリ(3,4−エチレンジオキシ−チオフェン)/ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS)などを利用することもできる。
続いて、図7のステップS5に示すようにシールの開口部11を封止する工程が実行される。これは、例えば紫外線硬化型のシール剤を前記開口部11に塗布し、紫外線を照射することで、前記開口部11を封止する手段を採用することができる。なお、すでに説明した図2には、シール材9bによって開口部11を封止した状態が示されている。
斯くして、図8Cには有機ELセル20に対して充填材料による第2電極12がストライプ状に形成された状態の有機ELパネルが示されている。
そして、最後に図7のステップS6に示すように、外部回路を圧着して光デバイスを完成させることになる。ここでは、前記有機ELパネルと駆動回路とを接続するフレキシブル基板や駆動回路を搭載したプリント基板とをACF(異方性導電膜)やNCF(非導電性膜)といった接着剤を介して圧着する。
この場合好ましくは有機ELパネルの引出配線をアセトン等で洗浄後、ACFを転着。フレキシブル基板を端子位置のアライメント後、仮圧着。良品はさらに本圧着する。圧着後に点灯検査やエージング、発光不良個所のリペア(修復)工程等が行なわれる。その後、パネルホルダに固定することで有機ELモジュールを完成させることができる。
図10は、前記図7に示した製造プロセスにおいて、レーザリペア工程を加えた例を説明するものである。すなわち、レーザリペア工程は、図7に示したステップS1cとS3との間において実行される。図10に示すようにステップS1cに続いて、ステップS1dとして発光不良画素や発光しない画素等の欠陥画素を確認する工程が実行される。
このステップS1dにおいては、有機材料層6上に第2電極としてアルミニウム(Al)を成膜する。有機ELパネルの全発光画素を同時に発光させるように駆動源を印加し、この状態で発光不良画素や発光しない画素等の欠陥画素を確認する。
続いて、ステップS1eに示すように欠陥画素の領域の一部にレーザ光を照射する。このステップS1eにおいては、欠陥画素が本来有する発光領域に対応する単位画素の領域の一部にレーザ光を照射することにより行われる。すなわち、レーザ光を照射してその発光領域に対面する第2電極のー部を除去する。ここで、レーザスポットの位置決めは、その発光領域(画素)の座標をあらかじめ測定しておき、さらに、顕微鏡等を使用した目視によって、欠陥部分を確認してレーザスポットの位置決めを行う。
続くステップS1fにおいては、レーザ光を照射した個所に絶縁材料をインクジェット印刷方式で埋める操作が実行される。ここではレーザ光を照射した個所にポリイミド、無機材料の酸化珪素等の絶縁膜をインクジェッ卜等の装置で包埋させる。レーザ光によるリペア(修復)を行った場合、この実施の形態においては注入材料がリペア個所を通じて第1電極と注入電極が短絡してしまう。したがって、レーザ個所を包埋する絶縁材料を使用する。前記した工程によりレーザリペア工程は終了し、図7に示すステップS3以降の工程が実行される。
図7に示した製造プロセスは、絶縁膜5に窓状のコンタクトホール13を形成し、このコンタクトホールを介して第2電極12を、第1基板側に形成された第2電極の引き出し配線3に接続するように構成する場合を示している。しかし前記第2電極の引き出し配線3は、第2基板7側に形成されていてもよい。この場合においては、前記した絶縁膜5に窓状のコンタクトホール13を形成する必要はない。
図11は、第2電極の引き出し配線3を第2基板7側に形成させる場合に採用される同様の製造プロセスを説明するものである。この図11に示す製造プロセスにおいては、すでに説明した図7と同様の処理が実行されるステップは同一の符号で示しており、したがってその詳細な説明は適宜省略する。
この図11にS1aで示すステップにおいては、図7に示したステップS1aに比較して、第2電極の引き出し配線3の形成は省略される。また図11にS1bで示すステップにおいては、図7に示したステップS1bに比較して、絶縁膜5に窓状のコンタクトホール13を形成する処理は省略される。
一方、ステップS2cで示すように第2基板7上には、初めに第2電極の引き出し配線4が形成される。このステップS2cにおいては、第2基板7上に導電材料、特に低抵抗金属をストライプ状にパターニングされる。なお、このステップS2cは、次に続くステップS2aと工程の前後を入れ替えてもよい。
いずれにしても、第2基板7上にストライプ状にパターニングされる第2電極の引き出し配線4が、第2基板上に形成される凸状の絶縁リブ8に対応して形成されるようになされ、結果としてステップS4に示す導電材料12の充填により、当該導電材料による第2電極のそれぞれの端部が、第2基板上の前記第2電極の引き出し配線4にそれぞれ電気的に接続されるように構成されればよい。
したがって、図11に示す製造プロセスにおいては、ステップS1cおよびS2b以降の工程は、図7に示したものと同様になる。
次に図12は、第1基板と第2基板を貼り合わせる前において、前記した凸状の絶縁リブ8の間に第2電極として機能する導電材料12を予め充填させておく製造プロセスを説明するものである。この図12に示す製造プロセスにおいては、すでに説明した図7と同様の処理が実行されるステップは同一の符号で示しており、したがってその詳細な説明は適宜省略する。
この図12に示す製造プロセスにおいては、第2基板7に凸状の絶縁リブ8を形成させたステップS2aに続いて、ステップS2dとして示すように絶縁リブ8の間に導電材料を充填する工程が実行される。その後においてステップS3で示されるように第1基板1と第2基板7とが貼り合わされることになる。したがって、図12に示す製造プロセスにおいては、図7に示したステップS4およびS5の工程は省略されることになる。
以上説明したこの発明にかかる光デバイスは、絶縁リブ8により第2電極12を分断することにより、発光部分の区画を容易に形成することができる。したがって例えば図13に示すようにドットマトリクスによる画素領域24の他に、アイコンによる表示領域25およびセグメントによる表示領域26等を有する表示パネルにおいても、前記した例えばフォトリソグラフィ等による絶縁リブ8の形成パターンにしたがって容易に形成することができる。このように絶縁リブ8により第2電極12を分断する場合は、絶縁リブ8と絶縁膜5とが接触するように形成する。
また図14Aおよび図14Bに示す例は、表示面に曲面を持たせた表示パネルの例を示したものであり、図14Aは表示面を斜め上方から視た状態で、図14Bはパネルの側面から視た状態でそれぞれ示している。なお、図14Bに示した矢印号Lは、表示面から表示光が投射される様子を模式的に示したものである。
この図14Aおよび図14Bに示すよう表示パネルの全体が曲面形状になされた場合においても、前記したように導電材料を絶縁リブ間に充填することで第2電極12を形成させるものであるので、その製造を容易にすることができ、また曲面構造であっても充分な封止構造および発光性能を得ることができる。
また、図15A〜図15Cに示す例はすでに説明した図8A〜図8Cと同様の製造工程で示したものであり、同一の機能を果たす部分を同一符号で示している。この図15A〜図15Cに示す例においては、第2基板7に形成された絶縁リブ8の間が凹曲面28になされている。
このように絶縁リブ8の間に凹曲面28を形成することにより、EL素子を構成する発光層からの光は、前記凹曲面28により拡散され、有機ELパネルの外部量子効率を向上させることができる。なお、前記凹曲面28は凸状の曲面に形成されていてもよく、また前記曲面28は、第1基板1側に形成されていてもよい。
1 第1基板
2 第1電極
3 第1電極の引き出し配線
4 第2電極の引き出し配線
5 絶縁膜
6 有機材料層
7 第2基板
8 絶縁リブ
9a,9b シール材
11 開口部
12 第2電極(導電材料)
13 コンタクトホール
14a,14b 導電性接着剤
15a,15b 外部回路
17,19 導電層
20 有機ELセル
21 充填材料容器
22 充填用チャンバ
2 第1電極
3 第1電極の引き出し配線
4 第2電極の引き出し配線
5 絶縁膜
6 有機材料層
7 第2基板
8 絶縁リブ
9a,9b シール材
11 開口部
12 第2電極(導電材料)
13 コンタクトホール
14a,14b 導電性接着剤
15a,15b 外部回路
17,19 導電層
20 有機ELセル
21 充填材料容器
22 充填用チャンバ
Claims (4)
- 一対の電極間に少なくとも1層の発光層を含む有機材料層を備えた有機EL素子を一つの画素として利用する光デバイスであって、
対向配置された第1基板と第2基板の対向面の一方に、前記有機EL素子による画素を画定する絶縁膜が形成されると共に、前記第1基板と第2基板の対向面の他方には、前記第1基板と第2基板を貼り合わせた状態において、前記絶縁膜に接触する凸状になされた絶縁リブが形成され、
前記凸状になされた絶縁リブの間において形成される空間内に導電材料を充填したことを特徴とする光デバイス。 - 一対の電極間に少なくとも1層の発光層を含む有機材料層を備えた有機EL素子を一つの画素として利用する光デバイスであって、
対向配置された第1基板と第2基板の対向面の一方に、前記有機EL素子による画素を画定する絶縁膜が形成されると共に、前記第1基板と第2基板の対向面の他方には凸状の絶縁リブが形成され、
前記凸状になされた絶縁リブの間において形成される空間内に導電材料を充填し、
前記絶縁リブは前記絶縁膜と接触することで、充填された前記導電材料を分断した構成にされていることを特徴とする光デバイス。 - 一対の電極間に少なくとも1層の発光層を含む有機材料層を備えた有機EL素子を一つの画素として利用する光デバイスの製造方法であって、
対向配置される第1基板と第2基板の対向面の一方に、直接または他の層を介して前記有機EL素子を構成する一対の電極のうちの一方の電極である第1電極を形成する第1電極形成工程と、
前記第1電極上に前記有機EL素子による画素を画定する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜により画定される前記第1電極上に、前記有機材料層を形成する有機層形成工程と、
前記第1基板と第2基板の対向面の他方に、絶縁性の素材により凸状になされた絶縁リブを形成する絶縁リブ形成工程と、
前記第1基板と第2基板を貼り合わせることで、前記絶縁膜と絶縁リブとが接触した状態で封止される封止工程と、
前記凸状になされた絶縁リブの間において形成される空間内に、導電材料を充填することで、前記有機EL素子を構成する前記一対の電極のうちの他方の電極である第2電極を形成する第2電極形成工程と、
が実行されることを特徴とする光デバイスの製造方法。 - 一対の電極間に少なくとも1層の発光層を含む有機材料層を備えた有機EL素子を一つの画素として利用する光デバイスの製造方法であって、
対向配置される第1基板と第2基板の対向面の一方に、直接または他の層を介して前記有機EL素子を構成する一対の電極のうちの一方の電極である第1電極を形成する第1電極形成工程と、
前記第1電極上に前記有機EL素子による画素を画定する絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜により画定される前記第1電極上に、前記有機材料層を形成する有機層形成工程と、
前記第1基板と第2基板の対向面の他方に、絶縁性の素材により凸状になされた絶縁リブを形成する絶縁リブ形成工程と、
前記凸状になされた絶縁リブの間において形成される空間内に、導電材料を充填することで、前記有機EL素子を構成する一対の電極のうちの他方の電極である第2電極を形成する第2電極形成工程と、
前記第1基板と第2基板を貼り合わせることで、前記絶縁膜と絶縁リブとが接触した状態で封止される封止工程と、
が実行されることを特徴とする光デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007054321A JP2008218212A (ja) | 2007-03-05 | 2007-03-05 | 光デバイスおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007054321A JP2008218212A (ja) | 2007-03-05 | 2007-03-05 | 光デバイスおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008218212A true JP2008218212A (ja) | 2008-09-18 |
Family
ID=39838006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007054321A Pending JP2008218212A (ja) | 2007-03-05 | 2007-03-05 | 光デバイスおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008218212A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014239071A (ja) * | 2008-10-16 | 2014-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
CN108987611A (zh) * | 2018-09-11 | 2018-12-11 | 昆山国显光电有限公司 | 膜层结构和显示装置 |
-
2007
- 2007-03-05 JP JP2007054321A patent/JP2008218212A/ja active Pending
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014239071A (ja) * | 2008-10-16 | 2014-12-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US9117976B2 (en) | 2008-10-16 | 2015-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Flexible light-emitting device |
US9401458B2 (en) | 2008-10-16 | 2016-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film and light-emitting device |
US9793329B2 (en) | 2008-10-16 | 2017-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including light-emitting layer |
US10340319B2 (en) | 2008-10-16 | 2019-07-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic light-emitting device having a color filter |
US11189676B2 (en) | 2008-10-16 | 2021-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having fluorescent and phosphorescent materials |
US11930668B2 (en) | 2008-10-16 | 2024-03-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Flexible light-emitting device and EL module including transparent conductive film |
CN108987611A (zh) * | 2018-09-11 | 2018-12-11 | 昆山国显光电有限公司 | 膜层结构和显示装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7368307B2 (en) | Method of manufacturing an OLED device with a curved light emitting surface | |
CN101728421B (zh) | 有机电致发光显示器及其制造方法 | |
US7106001B2 (en) | Dual-type organic electroluminescent display device and method for manufacturing the same | |
JP2008218306A (ja) | 光デバイス | |
US8928222B2 (en) | Organic electroluminescent display device and method and apparatus of manufacturing the same | |
JP4886540B2 (ja) | 有機el素子パネル | |
CN103794617A (zh) | 发光二极管显示面板及其制作方法 | |
CN107302016B (zh) | 一种有机发光二极管显示面板及其制作方法 | |
US7915098B2 (en) | Method of fabricating display device and display device | |
JP2006236963A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
CN101578916A (zh) | 电致发光元件 | |
CN107845739B (zh) | 一种oled器件、oled显示面板及制备方法 | |
JP2006114506A (ja) | レーザー熱転写装置,有機電界発光素子の製造方法および有機電界発光素子 | |
JP2012190682A (ja) | 有機el表示装置および電子機器 | |
CN101989613A (zh) | 有机el显示装置 | |
EP3506379B1 (en) | Oled device and manufacturing method therefor, display panel, and display apparatus | |
CN106848103B (zh) | 一种oled基板及其制作方法、显示装置 | |
US9832858B2 (en) | Display device | |
JP2005285573A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP2008218212A (ja) | 光デバイスおよびその製造方法 | |
CN111584763A (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
KR20080101112A (ko) | 마더기판, 이의 제조 방법 및 이를 이용한유기발광다이오드 표시장치의 제조 방법 | |
JP2008218213A (ja) | 光デバイスおよびその製造方法 | |
CN108666437B (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
JP2008047298A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |