JP2008216843A - フォトレジスト剥離液組成物 - Google Patents

Abstract

【課題】
半導体デバイスの配線形成工程において、ドライエッチングにより配線およびビアホールを加工した際に発生するフォトレジスト層並びにチタン由来の残渣物、またはプラズマガスによりフォトレジスト層をアッシング除去した際に残存するフォトレジスト残渣物並びにプラズマガスにより変質したチタン由来の残渣物を、低温、短時間で完全に剥離し、且つ層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイスの部材を腐食しないフォトレジスト剥離液組成物、並びにそれを用いたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離方法を提供する。
【解決手段】
フッ素化合物、硝酸、リン含有化合物、水溶性有機溶剤および残部を水とすることを特徴とするフォトレジスト剥離液組成物、並びにそれを用いたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体デバイスの配線形成工程において、ドライエッチングにより配線およびビアホールを加工した際に発生するフォトレジスト層並びにチタン由来の残渣物、またはプラズマガスによりフォトレジスト層をアッシング除去した際に残存するフォトレジスト残渣物並びにプラズマガスにより変質したチタン由来の残渣物を、低温、短時間で完全に剥離し、且つ層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイスの部材を腐食しないフォトレジスト剥離液組成物であり、さらにそれを用いてフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物を剥離する方法に関するものである。

従来から、半導体デバイスの配線形成工程において、配線をパターンニングしたり、層間絶縁層にビアホールを形成する際には、リソグラフィー技術が適用されている。リソグラフィー技術とは、配線材料や層間絶縁材料等の表層にフォトレジストを塗布した後に、露光、現像によりパターンを形成し、次いでパターン化されたフォトレジスト層をマスクとして、非マスク領域の半導体デバイス部材を選択的にエッチングする微細加工技術である。この技術によって配線を加工した後に、フォトレジスト層並びにチタン由来の残渣物が発生する。
また、プラズマガスによりフォトレジスト層をアッシング除去した際に、フォトレジスト残渣物並びにプラズマガスにより変質したチタン由来の残渣物が残存する。これらのフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物またはチタン由来の残渣物が残存すると、断線の原因となり種々のトラブルを引き起こすことから、高品質の半導体素子を得るためにはフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物を完全に剥離することが求められる。

従来から、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物またはチタン由来の残渣物を完全に剥離するために薬液によるウェット除去法が用いられており、例えば、「アルカノールアミンと水溶性有機溶剤の混合液」からなるフォトレジスト剥離液組成物が提案されている（例えば特許文献１及び２）。これらの剥離液は、高温、長時間処理が必要であることから、バッチ式洗浄装置にて使用されてきた。しかし近年、多種多様なデバイスを効率よく洗浄するため、洗浄方式がバッチ式から多品種・少量生産に適した枚葉式へと移行してきた。この枚葉式洗浄装置は低温、短時間処理が求められる為、上記有機アミン系剥離液は使用できなくなってきた。枚葉式洗浄に適応する為には、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物またはチタン由来の残渣物を低温、短時間で剥離する必要がある。

低温、短時間処理が可能であるフォトレジスト剥離液組成物として、これまでにフッ素化合物含有液に関する特許が多く出願されている。例えば、低温で使用でき、またリンス液に純水を使用できる等の利点を有するフォトレジスト剥離液組成物として、「フッ素化合物、水溶性有機溶剤および防食剤とからなるフッ素系水溶液」が提案されている（例えば特許文献３及び４）。しかし近年、ドライエッチングまたはプラズマアッシングの処理条件が厳しくなったことで、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物が強度に変性したり、もしくは、配線の微細化に伴いチタン由来の残渣物が多量に発生するようになったことから、上記フッ素系水溶液では、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物またはチタン由来の残渣物を剥離することが出来なくなってきた。

このことから、層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイス部材の防食性を保ったまま、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離性を向上するために、フッ素化合物含有液に酸性添加剤を添加する方法が考案されている。酸性添加剤の種類によっては、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物やチタン由来の残渣物の剥離性が低下したり、層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイス部材の腐食性が増すことから、適切な添加剤を選定しなければならない。フッ素化合物に酸性添加剤を添加したフォトレジスト剥離液組成物の例では、「フッ素化合物とスルホン酸類からなるフッ素化合物含有液」（特許文献５）、および「ケイフッ化アンモニウムと有機ホスホン酸を含む特定の添加剤を組み合わせた、酸性フッ素化合物含有液」（特許文献６）等が提案されている。前者の剥離液では、層間絶縁材料の腐食に関して言及されておらず、事実上十分ではない（比較例１６参照）。スルホン酸類の添加は層間絶縁材料の腐食性を増大させるため、特に配線幅が小さくなってくると層間絶縁材料の腐食が無視できなくなり、使用困難になると考えられる。また後者の剥離液では、チタン由来の残渣物の剥離性が十分ではない（比較例１７参照）。また、フッ素化合物濃度を大きくすることによりチタン由来の残渣物の剥離性を向上させると、配線材料の腐食の問題が顕在化し、剥離性と防食性との両立が困難になる。またその他にも、フッ素化合物含有液に添加剤を添加したフォトレジスト剥離液組成物に関する特許が出願されているが、半導体デバイス部材の防食性を保ったままフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離性が極めて良好であるフォトレジスト剥離液組成物は未だ開発されていない。このことから、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物を、低温、短時間で完全に剥離できる性能と、層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイス部材を腐食しない性能を併せ持ったフォトレジスト剥離液組成物が切望されていた。

特開昭６２−４９３５５号公報 特開昭６４−４２６５３号公報 特開平７−２０１７９４号公報 特開平８−２０２０５２号公報 特開２００６−６６５３３号公報 特開２００６−１９１００２号公報

本発明は、半導体デバイスの配線形成工程において、ドライエッチングにより配線およびビアホールを加工した際に発生するフォトレジスト層並びにチタン由来の残渣物、またはプラズマガスによりフォトレジスト層をアッシング除去した際に残存するフォトレジスト残渣物並びにプラズマガスにより変質したチタン由来の残渣物を低温、短時間で完全に剥離し、且つ層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイス部材を腐食しないフォトレジスト剥離液組成物を提供することにある。

本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究を行った結果、水と水溶性有機溶剤との混合溶剤に、フッ素化合物と酸性化合物である硝酸を添加することで、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離性を向上できることを見出した。しかし、硝酸を添加するだけでは、配線材料の防食性が不十分であり、剥離液としては不適当である。そこで本発明者らは、その問題を解決すべくさらに鋭意研究を行った結果、硝酸とリン含有化合物を混合することにより、半導体デバイス部材の腐食をより効果的に抑制することができることを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち本発明は、特性が異なる複数の添加剤を組み合わせることで、それらの添加剤の単独添加では成し得なかった、高い剥離能力と、高い防食効果を有するフォトレジスト剥離液組成物、並びにそれを用いたフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離方法に関するものである。本発明の詳細を以下に示す。

１.０．００１〜１０重量％のフッ素化合物、３〜３０重量％の硝酸、０．０１〜２０重量％のリン含有化合物、１〜９６重量％の水溶性有機溶媒および残部を水とすることを特徴とするレジスト剥離液組成物。
２.上記フッ素化合物が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウムから選ばれる少なくとも１種である請求項１記載のレジスト剥離液組成物。
３.リン含有化合物が、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、リン酸アンモニウム、リン酸二水素アンモニウム、およびリン酸一水素アンモニウムから選ばれる少なくとも１種である請求項１項記載のレジスト剥離液組成物。
４.水溶性有機溶剤が、アミド類、アルコール類、グリコールエーテル類から選ばれる少なくとも１種である請求項１記載のレジスト剥離液組成物。
５.上記アミド類が、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドまたはジメチルアセトアミドである請求項４記載のレジスト剥離液組成物。
６.上記アルコール類がエタノール、グリセリン、エチレングリコール、およびジエチレングリコールの群から選ばれる少なくとも１種である請求項４記載のレジスト剥離液組成物。
７.上記グリコールエーテル類がジエチレングリコールモノメチルエーテル、およびジプロピレングリコールモノメチルエーテルの群から選ばれる少なくとも１種である請求項４記載のレジスト剥離液組成物。
８.半導体デバイスの配線形成工程において、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物を剥離する請求項１項記載のフォトレジスト剥離液組成物。
９.半導体デバイスの配線形成工程において、枚葉式洗浄装置を使用して２０〜５０℃、３０〜３００秒の処理条件で、請求項１記載のレジスト剥離液組成物により処理することによって、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残漬物の剥離方法。
１０.フォトレジスト剥離液組成物の使用時に、蒸発した水に相当する水を補充することを特徴とする請求項９記載の剥離方法。

本発明のフォトレジスト剥離液組成物を用いることにより、従来のフォトレジスト剥離液組成物では剥離できなかった、ドライエッチングまたはアッシング後に発生する、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物並びにチタン由来の残渣物でさえも、低温、短時間で完全に剥離でき、また層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイス部材の腐食を抑制することができる。

本発明に使用するフッ素化合物は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウム、フッ化セリウム、四フッ化ケイ素、フッ化ケイ素酸、フッ化窒素、フッ化リン、フッ化ビニリデン、三フッ化ホウ素、ホウフッ化水素酸、フッ化ホウ素酸アンモニウム、モノエタノールアミンフッ化水素塩、メチルアミンフッ化水素塩、エチルアミンフッ化水素塩、プロピルアミンフッ化水素塩、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、フッ化トリエチルメチルアンモニウム、フッ化トリメチルヒドロキシエチルアンモニウム、フッ化テトラエトキシアンモニウム、フッ化メチルトリエトキシアンモニウム等のフッ素化合物塩、またはフッ化リチウム、フッ化ナトリウム、酸性フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、酸性フッ化カリウム、フッ化ケイ素酸カリウム、六フッ化リン酸カリウム、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、フッ化亜鉛、フッ化アルミニウム、フッ化第一錫、フッ化鉛、三フッ化アンチモン等の金属フッ素化合物が挙げられる。なかでも好ましいフッ素化合物は、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、酸性フッ化ナトリウム、フッ化ナトリウム、またはフッ化カリウムである。更に好ましくは、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、酸性フッ化ナトリウムである。

本発明に使用する上記フッ素化合物は、単独でも２種類以上組み合わせて用いてもよい。フッ素化合物の濃度の範囲は、フォトレジスト剥離液組成物に対し０．００１〜１０重量％、好ましくは０．０５〜８重量％である。０．００１重量％以下ではフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離速度が遅くなり、１０重量％以上では、層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイス部材に腐食を生じ、得策ではない。

本発明に使用する水溶性有機溶剤は、例えばγ−ブチロラクトン等のラクトン類、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド等のアミド類、アセトニトリル、ベンゾニトリル等のニトリル類、メタノール、エタノール、グリセリン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、イソプロパノール等のアルコール類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等のエーテル類が挙げられる。なかでも好ましい水溶性有機溶剤は、アミド類、アルコール類、及びグリコールエーテル類であり、特に好ましくは、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、エタノール、グリセリン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルである。

本発明に使用する上記水溶性有機溶剤は、単独でも２種類以上組み合わせて用いてもよい。また上記水溶性有機溶剤は、直接的もしくは間接的に層間絶縁材料や配線材料等の腐食を抑制する効果がある。水および水溶性有機溶剤とからなる混合溶剤の濃度の範囲は、フォトレジスト剥離液組成物に対し１〜９６重量％、好ましくは３０〜９０重量％である。更に好ましくは、４０〜８５重量％である。１重量％以下では添加効果が殆ど認められず、９６重量％以上ではフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離速度が遅くなり、得策ではない。

本発明に使用する硝酸の濃度の範囲は、フォトレジスト剥離液組成物に対し３〜３０重量％であり、好ましくは４〜２０重量％、更に好ましくは５〜１５重量％である。上記硝酸は、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離性を向上する効果がある。さらに、３重量％以上の範囲においては、主に層間絶縁材料や配線材料等の腐食を抑制する効果がある。３重量％以下の範囲においても、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離性を向上する効果があるものの、特に配線材料の腐食が大きくなり、得策ではない。

本発明に使用するリン含有化合物は、例えばリン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸等のリンのオキソ酸、およびリン酸アンモニウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸一水素アンモニウム等のリンのオキソ酸アンモニウム塩等が挙げられる。好ましくはリン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸であり、特にリン酸が好ましい。

本発明に使用する上記リン含有化合物は、単独でも２種類以上組み合わせて用いてもよい。また上記リン含有化合物は、配線材料等の腐食を抑制する効果がある。リン含有化合物の濃度は、フォトレジスト剥離液組成物に対し０．０１〜２０重量％、好ましくは０．０５〜１５重量％、更に好ましくは０．１〜１０重量％の範囲である。０．０１重量％以下では添加効果が殆ど認められず、２０重量％以上ではフォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離速度が遅くなる等好ましくない。

本発明のフォトレジスト剥離液組成物中に含まれる酸を、硝酸単独にした場合、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離性、並びに層間絶縁材料の防食性においては満足できるものの、配線材料の防食性においては不十分である。リン含有化合物を添加することによって、特異的に配線材料等の腐食を抑制することができる。すなわち、特性が異なる複数の添加剤を組み合わせることで、層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイス部材の腐食を、より効果的に抑制することができる。

本発明のフォトレジスト剥離液組成物の使用中に、組成物中の水が蒸発し、濃縮された場合には、その減少分の水を添加すればよい。水が蒸発すると、各成分濃度が大きくなり、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離性が低下する。しかし、水濃度を制御することで、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物の剥離性を維持することができる（実施例１３参照）。その為、枚葉式洗浄装置において薬液を循環して使用することができる。一方、前述した「フッ素化合物とスルホン酸類からなるフッ素化合物含有液」（特許文献５）、および「ケイフッ化アンモニウムと有機ホスホン酸を含む特定の添加剤を組み合わせた、酸性フッ素化合物含有液」（特許文献６）に関しては、水が蒸発すると、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物やチタン由来の残渣物の剥離性が低下したり、層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイス部材の腐食性が増す。また減少分の水を添加しても、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物やチタン由来の残渣物の剥離性を維持することが出来なく、更には半導体デバイス部材の腐食性が増す問題が生じる（比較例２０および比較例２２参照）。

また、本発明のフォトレジスト剥離液組成物には、フォトレジスト剥離液組成物の性能を向上させる目的で、従来から使用されている添加剤を配合してもよい。例えば、フォトレジスト剥離液組成物の濡れ性を向上させるために界面活性能を有する化合物を添加することができる。また、ウェハーを処理した後にウェハーに付着するパーティクルもしくは金属コンタミを抑制するためにキレート能を有する化合物を添加することもできる。さらに、層間絶縁材料に対するダメージを抑制するために水溶性高分子等を加えても良い。そして、これら添加剤は、本発明のフォトレジスト剥離液組成物に溶解すれば使用可能であり、単独でも２種類以上組み合わせて用いてもよい。

本発明のフォトレジスト剥離液組成物は、バッチ式による浸漬洗浄や、枚葉式によるスプレイまたは噴霧洗浄など様々な方法で適用することができる。また、使用時間は洗浄方式により適宜決定され、使用温度は常温から９０℃の温度範囲である。

本発明のフォトレジスト剥離液組成物は、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、金、白金、チタン、チタン−タングステン、窒化チタン、タングステン、タンタル、タンタル化合物、クロム、クロム酸化物、クロム合金、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、コバルト等の半導体金属配線材料、シリコン、非晶質シリコン、ポリシリコン、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の絶縁材料、ストロンチウム−ビスマス−タンタル等の強誘電体材料を有する半導体デバイス基板に使用できる。また、ガリウム−砒素、ガリウム−リン、インジウム−リン等の化合物半導体やＬＣＤのガラス基板等にも使用できる。好ましくは、アルミニウム、アルミニウム合金を配線材料を用いた半導体デバイス基板に使用するのが好ましい。

実施例及び比較例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら制限されるものではない。

実施例１
図1に、フォトレジスト層をマスクとしてドライエッチングを行い、アルミニウム合金（Ａｌ−Ｃｕ）配線体５を形成し、さらにプラズマガスによりフォトレジスト層をアッシング除去した後のアルミニウム合金回路素子の断面図を示した。シリコン基板１の上にシリコン酸化膜２が形成され、その上にアルミニウム合金配線体５が形成され、側壁にフォトレジスト残渣物６が残存している。なお、バリアメタルとして、チタン３、窒化チタン４が存在している。上記アルミニウム合金回路素子を、フッ化アンモニウム０．５重量％、硝酸１０重量％、リン酸１重量％、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル７０重量％、残分水からなるフォトレジスト剥離液組成物に室温で１００秒間浸漬した後、超純水でリンスを行い、乾燥した。その後、側面壁に残存するフォトレジスト残渣物の剥離性および、層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイスの部材における腐食性について電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察を行った。その結果、フォトレジスト残渣物６は完全に剥離され、またシリコン酸化膜２、チタン３、窒化チタン４、及びアルミニウム合金配線体５に腐食は見られなかった。
なお、ＳＥＭ観察によるフォトレジスト剥離評価基準は次の通りである。
Ａ：完全に剥離された。
Ｂ：剥離されていない。
アルミニウム合金の腐食性についての評価は以下の通りである。
Ａ：腐食していない。
Ｂ：腐食している。
チタンの腐食についての評価は以下の通りである。
Ａ：腐食していない。
Ｂ：腐食している。
また、シリコン酸化膜、窒化チタンに関しては、いずれの組成においても腐食が観察されなかった

実施例１〜６、比較例１〜７
表１に記載のフォトレジスト剥離液組成物を用いて、図１に示したアルミニウム合金回路素子を所定時間浸漬した後、超純水でリンスを行い、乾燥した。その後、側面壁に残存するフォトレジスト残渣物の剥離性および、層間絶縁材料や配線材料等の半導体デバイスの部材における腐食性について電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察を行い、結果を表１に記した。
また、シリコン酸化膜、窒化チタンに関しては、いずれの組成においても腐食が観察されなかった。

（注）残部は水

実施例７
図２に、フォトレジスト層をマスクとしてドライエッチングを行い、層間絶縁層にビアホールを形成し、さらにプラズマガスによりフォトレジスト層をアッシング除去した後のビアホールの断面図を示した。層間絶縁層７にビアホールが形成され、ビアホールにフォトレジスト残渣物６およびチタン由来の残渣物８が残存している。なお、バリアメタルとして、チタン３、窒化チタン４が存在している。上記ビアホールを、フッ化アンモニウム１．０重量％、硝酸７重量％、リン酸３重量％、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル７０重量％、残分水からなるフォトレジスト剥離液組成物に室温で１００秒間浸漬した後、超純水でリンスを行い、乾燥した。その後、ビアホールに残存するフォトレジスト残渣物６およびチタン由来の残渣物８の剥離性、並びにチタン３および層間絶縁層７の腐食性について電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察を行った。その結果、フォトレジスト残渣物６およびチタン由来の残渣物８は完全に剥離され、チタン３および層間絶縁層７に腐食は見られなかった。
なお、ＳＥＭ観察によるフォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物剥離に関する評価基準は次の通りである。
Ａ：完全に剥離された。
Ｂ：剥離されていない。
層間絶縁層の腐食性についての評価は以下の通りである。
Ａ：腐食していない。
Ｂ：腐食している。
チタンの腐食性についての評価は以下の通りである。
Ａ：腐食していない。
Ｂ：腐食している。

実施例７〜１２、比較例８〜１７
表２に記載のフォトレジスト剥離液組成物を用いて図２に示したビアホールを所定時間浸漬した後、超純水でリンスして乾燥し、電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察を行い、結果を表２に記した。

（注）残部は水

実施例１３、比較例１８〜２２
枚葉式洗浄装置において薬液を循環使用する際に水が蒸発することを想定し、実施例１、比較例１６、及び比較例１７のフォトレジスト剥離液組成物を１００ｇ容器に５０ｇ入れ、蓋を開けたまま２５℃で２４時間放置した。その開放放置後のフォトレジスト剥離液組成物、または開放放置によって蒸発した水を補充したフォトレジスト剥離液組成物を用いて、図２に示したビアホールを処理した。その後、ビアホールに残存するフォトレジスト残渣物６およびチタン由来の残渣物８の剥離性、並びにチタン３および層間絶縁層７の腐食性について電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察を行い、結果を表３に記した。

（注）残部は水

フォトレジスト層をマスクとしてドライエッチングを行い、アルミニウム合金（Ａｌ−Ｃｕ）配線体５を形成し、さらにプラズマガスによりフォトレジスト層をアッシング除去した後のアルミニウム合金回路素子の断面図である。 フォトレジスト層をマスクとしてドライエッチングを行い、層間絶縁層にビアホールを形成し、さらにプラズマガスによりフォトレジスト層をアッシング除去した後のビアホールの断面図である。

符号の説明

１ シリコン基板
２ シリコン酸化膜
３ チタン
４ 窒化チタン
５ アルミニウム合金
６ フォトレジスト残渣物
７ 層間絶縁層
８ チタン由来の残渣物

Claims (10)

1. ０．００１〜１０重量％のフッ素化合物、３〜３０重量％の硝酸、０．０１〜２０重量％のリン含有化合物、１〜９６重量％の水溶性有機溶媒および残部を水とすることを特徴とするレジスト剥離液組成物。
2. 上記フッ素化合物が、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム、酸性フッ化アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウムから選ばれる少なくとも１種である請求項１記載のレジスト剥離液組成物。
3. リン含有化合物が、リン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、リン酸アンモニウム、リン酸二水素アンモニウム、およびリン酸一水素アンモニウムから選ばれる少なくとも１種である請求項１項記載のレジスト剥離液組成物。
4. 水溶性有機溶剤が、アミド類、アルコール類、グリコールエーテル類から選ばれる少なくとも１種である請求項１記載のレジスト剥離液組成物。
5. 上記アミド類が、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドまたはジメチルアセトアミドである請求項４記載のレジスト剥離液組成物。
6. 上記アルコール類がエタノール、グリセリン、エチレングリコール、およびジエチレングリコールの群から選ばれる少なくとも１種である請求項４記載のレジスト剥離液組成物。
7. 上記グリコールエーテル類がジエチレングリコールモノメチルエーテル、およびジプロピレングリコールモノメチルエーテルの群から選ばれる少なくとも１種である請求項４記載のレジスト剥離液組成物。
8. 半導体デバイスの配線形成工程において、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残渣物を剥離する請求項１項記載のフォトレジスト剥離液組成物。
9. 半導体デバイスの配線形成工程において、枚葉式洗浄装置を使用して２０〜５０℃、３０〜３００秒の処理条件で、請求項１記載のレジスト剥離液組成物により処理することによって、フォトレジスト層、フォトレジスト残渣物およびチタン由来の残漬物の剥離方法。
10. フォトレジスト剥離液組成物の使用時に、蒸発した水に相当する水を補充することを特徴とする請求項９記載の剥離方法。

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