JP2008202107A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマによるスパッタエッチングを低減させ、処理室内にプラズマを安定して生成させる。
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、処理室内に設けられ、電力が印加されることにより処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極と、処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、処理室内におけるプラズマの着火を検出するプラズマ検出手段と、ガス供給手段と排気手段とを制御する制御手段と、を備え、制御手段は、電極への電力の印加が開始されてからプラズマ検出手段がプラズマの着火を検出する迄の間の処理室内の圧力が、プラズマ検出手段がプラズマの着火を検出してから電極への電力の印加が停止される迄の間の処理室内の圧力よりも高くなるように、ガス供給手段および排気手段を制御する。
【選択図】図6
【解決手段】基板を処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、処理室内に設けられ、電力が印加されることにより処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極と、処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、処理室内におけるプラズマの着火を検出するプラズマ検出手段と、ガス供給手段と排気手段とを制御する制御手段と、を備え、制御手段は、電極への電力の印加が開始されてからプラズマ検出手段がプラズマの着火を検出する迄の間の処理室内の圧力が、プラズマ検出手段がプラズマの着火を検出してから電極への電力の印加が停止される迄の間の処理室内の圧力よりも高くなるように、ガス供給手段および排気手段を制御する。
【選択図】図6
Description
本発明は、プラズマを用いて基板の表面を処理する基板処理装置に関する。
従来、半導体装置の製造工程の一工程として、基板の表面に複数種の原料ガスを交互に供給しながら反応させることにより、基板の表面に薄膜を形成する方法が注目されている。このような方法は、一般的にALD(Atomic Layer Deposition)法と呼ばれている。ALD法は、例えば、基板の表面に原料ガスを供給して吸着させる工程と、基板の表面にプラズマにより励起させた反応ガスを供給して反応させる工程と、を1サイクルとし、このサイクルを複数回繰り返すことにより、基板上に所望膜厚の薄膜を形成する。
そして、上述のALD法を実施する基板処理装置は、例えば、基板を処理する処理室と、処理室内に原料ガスや反応ガス等の処理ガスを供給するガス供給手段と、電力が印加されることにより処理室内に供給された反応ガスを励起するプラズマを生成する電極と、処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、を有していた。
特開2004−186534
上記の基板処理装置によりALD法を実施する場合には、プラズマにより励起された反応ガスの処理室内における迅速な拡散を促すため、処理室内の圧力を低圧に保持することが好ましい。
ここで、内部が低圧に保持された処理室内にプラズマを生成させる一つの方法として、例えば、電極に印加する高周波電圧を大きくするという方法がある。しかしながら、電極に印加する高周波電圧を大きくすると、処理室内の構成部材や処理室内に載置された基板に対するプラズマによるスパッタエッチング量が増加してしまうという問題がある。
なお、ALD法において、導体膜を成膜する際には、サイクル数が増えるにつれて処理室内に導体膜が形成される。このような場合に電極へ印加する高周波電圧を大きくすると、導体膜の影響により処理室内のプラズマ放電が不安定になり、基板上に形成される薄膜が不均一になるという問題がある。
また、電極に印加する高周波電圧を大きくすることなく、低圧に保持された処理室内にプラズマを生成する方法として、電極間の間隔を広げるという方法もある。しかしながら、この場合、基板処理装置のサイズが極端に大きくなってしまう。
そこで本発明は、プラズマによるスパッタエッチングを低減させ、処理室内にプラズマを安定して生成させることが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内に設けられ、電力が印加されることにより前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、前記処理室内におけるプラズマの着火を検出するプラズマ検出手段と、前記ガ
ス供給手段と前記排気手段とを制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記電極への電力の印加が開始されてから前記プラズマ検出手段がプラズマの着火を検出する迄の間の前記処理室内の圧力が、前記プラズマ検出手段がプラズマの着火を検出してから前記電極への電力の印加が停止される迄の間の前記処理室内の圧力よりも高くなるように、前記ガス供給手段および前記排気手段を制御する基板処理装置が提供される。
基板を処理する処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記処理室内に設けられ、電力が印加されることにより前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、前記処理室内におけるプラズマの着火を検出するプラズマ検出手段と、前記ガ
ス供給手段と前記排気手段とを制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は、前記電極への電力の印加が開始されてから前記プラズマ検出手段がプラズマの着火を検出する迄の間の前記処理室内の圧力が、前記プラズマ検出手段がプラズマの着火を検出してから前記電極への電力の印加が停止される迄の間の前記処理室内の圧力よりも高くなるように、前記ガス供給手段および前記排気手段を制御する基板処理装置が提供される。
本発明によれば、プラズマによるスパッタエッチングを低減させ、処理室内にプラズマを安定して生成させることが可能な基板処理装置を提供することが出来る。
1.本発明の一実施形態
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成、該基板処理装置の動作、本発明の一実施形態にかかる処理炉の構成、及び該処理炉により実施される基板処理工程にについて、図面を参照しながら順に説明する。
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成、該基板処理装置の動作、本発明の一実施形態にかかる処理炉の構成、及び該処理炉により実施される基板処理工程にについて、図面を参照しながら順に説明する。
(1)基板処理装置の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。参照する図面において、図1は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略構成図である。
まず、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。参照する図面において、図1は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の概略構成図である。
図1に示すように、発明の一実施形態にかかる基板処理装置は、筐体101を有している。筐体101の内部の前面側(図1の右側)には、カセットステージ105が設けられている。カセットステージ105は、図示しない外部搬送装置との間で、基板収納容器としてのカセット100の授受を行うように構成されている。また、カセットステージ105の後側には、カセット100を昇降移動させる昇降手段としてのカセットエレベータ115が設けられている。カセットエレベータ115には、カセット100を水平移動させる搬送手段としてのカセット移載機114が設けられている。さらに、カセットエレベータ115の後側には、カセット100の載置手段としてのカセット棚109が設けられている。カセット棚109には、移載棚123が設けられている。移載棚123には、処理対象の基板や処理後の基板を収容したカセット100が一時的に載置される。また、カセットステージ105の上方には、カセットの載置手段としての予備カセット棚110が設けられている。そして、予備カセット棚110の上方には、クリーンエアを筐体101の内部に流通させるクリーンユニット118が設けられている。
筐体101の後部(図1の左側)の上方には、下端部が開放した円筒形状の処理炉10が垂直に設けられている。処理炉10の詳細な構成については後述する。
処理炉10の下方には、昇降手段としてのボートエレベータ121が設けられている。そして、ボートエレベータ121の下端部には、昇降部材122が設けられている。昇降部材122上には、蓋体としてのシールキャップ17を介して、基板保持手段としてのボート2が、垂直に取り付けられている。ボート2は、基板としてのウェハ1を、水平姿勢で多段に保持するように構成されている。ボートエレベータ121が上昇すると、処理炉10の内部にボート2が搬入されると共に、処理炉10の下端部がシールキャップ17により気密に封止されるように構成されている。また、処理炉10の下端部の横には、閉塞手段としての炉口シャッタ116が設けられている。炉口シャッタ116は、ボートエレベータ121が下降中に、処理炉10の下端部を気密に閉塞するように構成されている。
処理炉10とカセット棚109との間には、基板を昇降移動させる昇降手段としての移載エレベータ113が設けられている。移載エレベータ113には、基板を水平移動させ
る搬送手段としてのウェハ移載機112が取り付けられている。
る搬送手段としてのウェハ移載機112が取り付けられている。
(2)基板処理装置の動作
続いて、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の動作について、図1を参照しながら説明する。
続いて、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の動作について、図1を参照しながら説明する。
まず、ウェハ1が装填されたカセット100が、図示しない外部搬送装置により搬送されて、カセットステージ105上に載置される。この際、ウェハ1が縦向きの姿勢になるように載置される。その後、カセットステージ105が90°回転することにより、ウェハ1の表面は、基板処理装置の上方(すなわち図1の上方)を向き、ウェハ1は水平姿勢となる。
その後、カセットエレベータ115の昇降動作および横行動作と、カセット移載機114の進退動作および回転動作との協調動作により、カセット100が、カセットステージ105からカセット棚109上または予備カセット棚110上へと搬送される。その後、ウェハ1の移載に供されるカセット100が、カセットエレベータ115およびカセット移載機114の協調動作により、移載棚123上へと移載される。
その後、ウェハ移載機112の進退動作および回転動作と、移載エレベータ113の昇降動作との協調動作により、カセット100に装填されていたウェハ1が、下降状態のボート2内に移載される。
その後、ボートエレベータ121が上昇することにより、処理炉10の内部にボート2が搬入されると共に、シールキャップ17により処理炉10の内部が気密に封止される。そして、気密に閉塞された処理炉10内で、ウェハ1が加熱され、処理炉10内に処理ガスが供給されることにより、ウェハ1の表面に所定の処理がなされる。かかる処理の詳細については後述する。
ウェハ1への処理が完了すると、上述の手順とは逆の手順により、処理後のウェハ1が、ボート2内から移載棚123上のカセット100内へと移載される。そして、処理後のウェハ1を格納したカセット100が、カセット移載機114により、移載棚123からカセットステージ105へと移載され、図示しない外部搬送装置により筐体101の外部へと搬送される。なお、ボートエレベータ121が下降した後は、炉口シャッタ116が処理炉10の下端部が気密に閉塞して、処理炉10内へ外気が侵入することを防止している。
(3)処理炉の構成
続いて、本発明の一実施形態にかかる処理炉の構成について、図2から図5を参照しながら説明する。参照する図面において、図2は、本発明の一実施形態にかかる処理炉の平断面図であり、図3は、本発明の一実施形態にかかる処理炉のA−A’線に沿う縦断面図であり、図4は、本発明の一実施形態にかかる処理炉のB−B’線に沿う縦断面図である。また、図5は、本発明の一実施形態にかかる処理炉の備えるガス供給ライン、及び排気ラインの概略構成図である。
続いて、本発明の一実施形態にかかる処理炉の構成について、図2から図5を参照しながら説明する。参照する図面において、図2は、本発明の一実施形態にかかる処理炉の平断面図であり、図3は、本発明の一実施形態にかかる処理炉のA−A’線に沿う縦断面図であり、図4は、本発明の一実施形態にかかる処理炉のB−B’線に沿う縦断面図である。また、図5は、本発明の一実施形態にかかる処理炉の備えるガス供給ライン、及び排気ラインの概略構成図である。
本発明の一実施形態にかかる処理炉10は、ウェハ1を処理する処理室12と、処理室12内に処理ガスを供給するガス供給手段としてのガス供給ライン20と、処理室12内に設けられ、電力が印加されることにより処理室12内に供給された処理ガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極27と、処理室12内の雰囲気を排気する排気手段としての排気ライン16と、処理室12内におけるプラズマの着火を検出するプラズマ検出手段としてのプラズマ着火センサ50と、ガス供給ライン20と排気ライン16と
を制御する制御手段としてのコントローラ10cと、を備えている。
を制御する制御手段としてのコントローラ10cと、を備えている。
<処理室>
図3に示すとおり、本発明の一実施形態にかかる処理炉10は、プロセスチューブ11と、マニホールド15と、を有している。プロセスチューブ11は、例えば石英から構成され、上端部が閉塞され下端部が開放された円筒形状となっている。また、マニホールド15は、例えばSUS等の金属材料から構成され、上端部及び下端部が開放された円筒形状となっている。プロセスチューブ11は、マニホールド15により下端部側から支持されており、実質的に鉛直方向に縦向きに設けられている。また、プロセスチューブ11とマニホールド15とは、同心円状に配置されている。マニホールド15の下端部は、ボートエレベータ121が上昇した際に、上述したシールキャップ17により気密に封止されるように構成されている。マニホールド15の下端部とシールキャップ17との間には、処理室12内を気密に封止するOリングなどの封止部材18が設けられている。
図3に示すとおり、本発明の一実施形態にかかる処理炉10は、プロセスチューブ11と、マニホールド15と、を有している。プロセスチューブ11は、例えば石英から構成され、上端部が閉塞され下端部が開放された円筒形状となっている。また、マニホールド15は、例えばSUS等の金属材料から構成され、上端部及び下端部が開放された円筒形状となっている。プロセスチューブ11は、マニホールド15により下端部側から支持されており、実質的に鉛直方向に縦向きに設けられている。また、プロセスチューブ11とマニホールド15とは、同心円状に配置されている。マニホールド15の下端部は、ボートエレベータ121が上昇した際に、上述したシールキャップ17により気密に封止されるように構成されている。マニホールド15の下端部とシールキャップ17との間には、処理室12内を気密に封止するOリングなどの封止部材18が設けられている。
プロセスチューブ11及びマニホールド15の内部には、基板としてのウェハ1を処理する処理室12が形成されている。そして上述したように、処理室12内には、基板保持具としてのボート2が下方から挿入されるように構成されている。従って、プロセスチューブ11及びマニホールド15の内径は、ウェハ1を装填したボート2の最大外形よりも大きくなるように構成されている。
ボート2は、複数枚のウェハ1を、略水平状態で所定の隙間(基板ピッチ間隔)をもって多段に保持するように構成されている。ボート2は、ボート2からの熱伝導を遮断する断熱キャップ7上に搭載されている。断熱キャップ7は、回転軸19により下方から支持されている。回転軸19は、処理室12内の気密を保持しつつ、シールキャップ17の中心部を貫通するように設けられている。シールキャップ17の下方には、回転軸19を回転させる図示しない回転機構が設けられる。従って、回転機構を作動(回転)させることにより、処理室12内の気密を保持したまま、複数のウェハ1を搭載したボート2を回転させることが出来るように構成されている。
<ガス供給ライン>
図5に示すとおり、処理炉10は、処理室12内に処理ガスを供給するガス供給手段としてのガス供給ライン20を有している。
図5に示すとおり、処理炉10は、処理室12内に処理ガスを供給するガス供給手段としてのガス供給ライン20を有している。
ガス供給ライン20の上流側には、第1の処理ガスとしての原料ガスを供給する原料ガス供給ライン201と、第2の原料ガスとしての反応ガスを供給する反応ガス供給ライン202と、不活性ガスを供給する不活性ガス供給ライン203とが、合流するように接続されている。
原料ガス供給ライン201には、液体である液体金属原料を供給する液体原料供給源201aと、液体原料の流量を制御するマスフローコントローラ201cと、液体原料を気化して原料ガスを発生させる気化器201eとが、順に直列に設けられている。そして、液体原料供給源201aとマスフローコントローラ201cとの間には遮断弁201bが、マスフローコントローラ201cと気化器201eとの間には遮断弁201dが、気化器201eとガス供給ライン20との間には遮断弁201fが、それぞれ設けられている。また、気化器201eと遮断弁201fとの間には、気化器201eにて発生させた原料ガスを、処理室12内へ供給することなく処理室12外へ排出するための原料ガスベント(バイパス)ライン201hが設けられている。原料ガスベント(バイパス)ライン201hには、遮断弁201gが設けられている。なお、液体金属原料としては、例えば四塩化チタニウム(TiCl4)を用いることが出来る。
反応ガス供給ライン202には、反応ガスを供給する反応ガス供給源202aと、反応ガスの流量を制御するマスフローコントローラ202cとが、順に直列に設けられている。そして、反応ガス供給源202aとマスフローコントローラ202cとの間には遮断弁202bが、マスフローコントローラ202cとガス供給ライン20との間には遮断弁202dが、それぞれ設けられている。なお、反応ガスとしては、例えば水素(H2)ガスを用いることが出来る。
不活性ガス供給ライン203には、不活性ガスを供給する不活性ガス供給源203aと、不活性ガスの流量を制御するマスフローコントローラ203cとが、順に直列に設けられている。そして、不活性ガス供給源203aとマスフローコントローラ203cとの間には遮断弁203bが、マスフローコントローラ203cとガス供給ライン20との間には遮断弁203dが、それぞれ設けられている。なお、不活性ガスとしては、例えばアルゴン(Ar)、ヘリウム(He)、窒素(N2)等の不活性ガスを用いることが出来る。
図3に示すとおり、ガス供給ライン20の下流側には、ガス供給ノズル21が接続されている。ガス供給ノズル21は、マニホールド15の側壁を貫通した後、直角に屈曲して、マニホールド15及びプロセスチューブ11の側壁の内壁に沿うように垂直方向に配設されている。ガス供給ノズル21には、処理室12内の中心方向(すなわちウェハ1の設置された方向)に処理ガスを供給する複数個の吹出口23が、垂直方向(すなわちウェハ1の積載方向)に配列するように設けられている。なお、各吹出口23は、ボート2に保持された各ウェハ1の上面空間及び下面空間にそれぞれガスを供給可能な高さに設けられている。また、処理室12内とガス供給ライン20内との圧力差が大きい場合には、各吹出口23の孔径を、ガスの下流側(すなわちガス供給ノズル21の上端側)になるにつれて徐々に大きくする。これにより、各ウェハ1へのガスの供給量を均一にすることが出来る。
<電極>
図2に示すとおり、処理炉10には、一対の電極27が、ガス供給ノズル21を両側から挟むように設けられている。電極27には、インピーダンス整合器32を介して外部電源31が接続されるように構成されている。また、図4に示すとおり、一対の電極27は、マニホールド15の側壁を貫通した後、直角に屈曲して、マニホールド15及びプロセスチューブ11の側壁の内壁に沿うように垂直方向に配設されている。そして、これら一対の電極27は、誘電体からなる円筒状の保護管25にそれぞれ覆われている。保護管25の上端部は閉塞し、保護管25の下端部は開放して処理室12の外部に連通しており、保護管25の内部は大気圧となっている。また、電極27の屈曲部近傍の被保持部28は、保護管25の内部において、放電防止のための絶縁筒29、および静電遮断のためのシールド筒30に順に覆われている。
図2に示すとおり、処理炉10には、一対の電極27が、ガス供給ノズル21を両側から挟むように設けられている。電極27には、インピーダンス整合器32を介して外部電源31が接続されるように構成されている。また、図4に示すとおり、一対の電極27は、マニホールド15の側壁を貫通した後、直角に屈曲して、マニホールド15及びプロセスチューブ11の側壁の内壁に沿うように垂直方向に配設されている。そして、これら一対の電極27は、誘電体からなる円筒状の保護管25にそれぞれ覆われている。保護管25の上端部は閉塞し、保護管25の下端部は開放して処理室12の外部に連通しており、保護管25の内部は大気圧となっている。また、電極27の屈曲部近傍の被保持部28は、保護管25の内部において、放電防止のための絶縁筒29、および静電遮断のためのシールド筒30に順に覆われている。
外部電源31により一対の電極27へ高周波電力が印加されることにより、処理室12内にプラズマ(すなわちプラズマ放電領域)が生成(着火)される。電極27により生成(着火)されたプラズマは、処理室12内に供給される水素ガスなどの反応ガスを励起する。
<排気ライン>
図2、図3に示すとおり、マニホールド15の側壁であって、ガス供給ノズル21が設けられる側の反対側には、排気手段としての排気ライン16が設けられている。また、図5に示すとおり、排気ライン16には、処理室12の圧力を調整するための圧力調整装置16bと、真空ポンプ16aとが、順に直接に接続されている。また、マニホールド15と圧力調整装置16bとの間には、遮断弁16cが設けられている。真空ポンプ16aを作動させて、遮断弁16cを開けることにより、処理室12内の雰囲気を排気させること
が出来る。
図2、図3に示すとおり、マニホールド15の側壁であって、ガス供給ノズル21が設けられる側の反対側には、排気手段としての排気ライン16が設けられている。また、図5に示すとおり、排気ライン16には、処理室12の圧力を調整するための圧力調整装置16bと、真空ポンプ16aとが、順に直接に接続されている。また、マニホールド15と圧力調整装置16bとの間には、遮断弁16cが設けられている。真空ポンプ16aを作動させて、遮断弁16cを開けることにより、処理室12内の雰囲気を排気させること
が出来る。
<プラズマ着火センサ>
図2に示すとおり、一対の電極27の間であって、プロセスチューブ11の外側には、プラズマ検出手段としてのプラズマ着火センサ50が設けられている。プラズマ着火センサ50は、光ファイバ51と、CCD等の受光面を備えた光センサ52と、を有している。光ファイバ51の一方の端部は、一対の電極27の間のプラズマ生成領域に対向するように設けられている。また、光ファイバ51の他方の端部は、光センサ52の受光面に対向するように設けられている。従って、光センサ52によってプラズマからの発光を検出することにより、処理室12内においてプラズマが生成(着火)されたことを検出することが可能である。プラズマ着火センサ50は、処理室12内におけるプラズマの着火を検出したら、その旨の情報を、後述のコントローラ10cへと出力するように構成されている。
図2に示すとおり、一対の電極27の間であって、プロセスチューブ11の外側には、プラズマ検出手段としてのプラズマ着火センサ50が設けられている。プラズマ着火センサ50は、光ファイバ51と、CCD等の受光面を備えた光センサ52と、を有している。光ファイバ51の一方の端部は、一対の電極27の間のプラズマ生成領域に対向するように設けられている。また、光ファイバ51の他方の端部は、光センサ52の受光面に対向するように設けられている。従って、光センサ52によってプラズマからの発光を検出することにより、処理室12内においてプラズマが生成(着火)されたことを検出することが可能である。プラズマ着火センサ50は、処理室12内におけるプラズマの着火を検出したら、その旨の情報を、後述のコントローラ10cへと出力するように構成されている。
なお、図示していないが、プラズマ着火センサ50として、プラズマ中の元素を特定する分光器をさらに備えた光センサ52を利用することも可能である。プラズマからの発光を分光器により波長別に分光して、特定の波長の光を選択的に検出することにより、プラズマが生成(着火)されたことを検出するとともに、プラズマ中の元素の種別を特定することが可能となる。かかる場合、分光器は、例えば、プラズマ生成領域と光ファイバ51の端面との間、または、光ファイバ51の端面と光センサ52の受光面との間に設けることが出来る。
<ヒータ>
図2〜図5に示すとおり、本発明の一実施形態にかかる処理炉10は、加熱手段としての抵抗加熱ヒータ14を有している。抵抗加熱ヒータ14は、プロセスチューブ11の外周を囲う、いわゆるホットウォール型の構造として構成されている。抵抗加熱ヒータ14への通電が行われることにより、プロセスチューブ11の外部から処理室12内が加熱される。なお、抵抗加熱ヒータ14がホットウォール型構造として構成されていることにより、処理室12内の全体にわたって温度を均一に維持することが可能である。すなわち、ボート2に保持されたウェハ1の温度分布が高さ方向にわたり均一にすることが可能であると共に、各ウェハ1の面内の温度分布も均一にすることが可能である。
図2〜図5に示すとおり、本発明の一実施形態にかかる処理炉10は、加熱手段としての抵抗加熱ヒータ14を有している。抵抗加熱ヒータ14は、プロセスチューブ11の外周を囲う、いわゆるホットウォール型の構造として構成されている。抵抗加熱ヒータ14への通電が行われることにより、プロセスチューブ11の外部から処理室12内が加熱される。なお、抵抗加熱ヒータ14がホットウォール型構造として構成されていることにより、処理室12内の全体にわたって温度を均一に維持することが可能である。すなわち、ボート2に保持されたウェハ1の温度分布が高さ方向にわたり均一にすることが可能であると共に、各ウェハ1の面内の温度分布も均一にすることが可能である。
<圧力センサ>
また、図示しないが、本発明の一実施形態にかかる処理炉10は、圧力検出手段としての圧力センサを有している。圧力センサは、例えばマニホールド15の内壁に設けられ、処理室12内の圧力を検出して、検出した圧力情報を、後述のコントローラ10cへと出力するように構成されている。
また、図示しないが、本発明の一実施形態にかかる処理炉10は、圧力検出手段としての圧力センサを有している。圧力センサは、例えばマニホールド15の内壁に設けられ、処理室12内の圧力を検出して、検出した圧力情報を、後述のコントローラ10cへと出力するように構成されている。
<コントローラ>
処理炉10には、コントローラ10cが設けられている。コントローラ10cは、遮断弁201b,201d,201f,202b,202d,203b,203d、マスフローコントローラ201c,202c,203c、圧力調整装置16b、真空ポンプ16a、回転機構、抵抗加熱ヒータ14、外部電源31、インピーダンス整合器32等の動作をそれぞれ制御するように構成されている。
処理炉10には、コントローラ10cが設けられている。コントローラ10cは、遮断弁201b,201d,201f,202b,202d,203b,203d、マスフローコントローラ201c,202c,203c、圧力調整装置16b、真空ポンプ16a、回転機構、抵抗加熱ヒータ14、外部電源31、インピーダンス整合器32等の動作をそれぞれ制御するように構成されている。
(4)基板処理工程
続いて、本発明の一実施形態としての基板処理工程について、図面を参照しながら説明する。なお、本実施形態は、ウェハ1の表面に例えばTi等の金属膜を成膜する方法であり、半導体デバイスの製造工程の一工程として実施される。Ti膜は、例えば半導体デバイス用の配線を形成するためのバリアメタル膜として使用することが出来る。参照する図
面において、図9は、本発明の一実施形態にかかる基板処理工程のフロー図である。また、図6は、本発明の一実施形態にかかるガスの供給シーケンス、処理室内の圧力変化、及び電極へ印加する電圧変化を示すグラフ図である。なお、本発明の一実施形態にかかる基板処理工程は、上述の基板処理装置及び処理炉10により実施される。また、以下の説明において、処理炉10を構成する各部の動作は、コントローラ10cにより制御される。
続いて、本発明の一実施形態としての基板処理工程について、図面を参照しながら説明する。なお、本実施形態は、ウェハ1の表面に例えばTi等の金属膜を成膜する方法であり、半導体デバイスの製造工程の一工程として実施される。Ti膜は、例えば半導体デバイス用の配線を形成するためのバリアメタル膜として使用することが出来る。参照する図
面において、図9は、本発明の一実施形態にかかる基板処理工程のフロー図である。また、図6は、本発明の一実施形態にかかるガスの供給シーケンス、処理室内の圧力変化、及び電極へ印加する電圧変化を示すグラフ図である。なお、本発明の一実施形態にかかる基板処理工程は、上述の基板処理装置及び処理炉10により実施される。また、以下の説明において、処理炉10を構成する各部の動作は、コントローラ10cにより制御される。
<基板搬入工程(S1)>
まず、上述した手順により、処理対象のウェハ1をボート2内へと装填する。続いて、ボートエレベータ121を上昇させて、ウェハ1を装填したボート2を処理室12内へと搬入すると共に、処理室12内をシールキャップ17により気密に封止する。このとき、遮断弁201b,201f,201g,202b,202dは閉じておく。
まず、上述した手順により、処理対象のウェハ1をボート2内へと装填する。続いて、ボートエレベータ121を上昇させて、ウェハ1を装填したボート2を処理室12内へと搬入すると共に、処理室12内をシールキャップ17により気密に封止する。このとき、遮断弁201b,201f,201g,202b,202dは閉じておく。
<減圧工程(S2)、及び昇温工程(S3)>
続いて、遮断弁201f、202dを閉じたまま、真空ポンプ16aを作動させて遮断弁16cを開けることにより、処理室12内を排気する。そして、圧力調整装置16bにより、処理室12内の圧力が所定の圧力になるよう制御する。
続いて、遮断弁201f、202dを閉じたまま、真空ポンプ16aを作動させて遮断弁16cを開けることにより、処理室12内を排気する。そして、圧力調整装置16bにより、処理室12内の圧力が所定の圧力になるよう制御する。
続いて、抵抗加熱ヒータ14に電力を供給することにより、処理室12内の温度、及び処理室12内に搬入されたウェハ1の温度を、所定の温度まで昇温する。
なお、基板搬入工程(S1)、減圧工程(S2)、昇温工程(S3)を実施する際には、不活性ガス供給ライン203に設けられた遮断弁203b,203dを開けて、Ar、He、N2などの不活性ガスを処理室12内に常に流しておく。これにより、処理室12内の酸素濃度を下げると共に、パーティクル(異物)や金属汚染物のウェハ1への付着を抑制することができる。
<原料ガス供給工程(S4)>
ウェハ1の温度、処理室12内の圧力が、それぞれ所定の処理温度、所定の処理圧力に到達して安定したら、処理室12内に第1の処理ガスとしての原料ガスを供給する(S4)。
ウェハ1の温度、処理室12内の圧力が、それぞれ所定の処理温度、所定の処理圧力に到達して安定したら、処理室12内に第1の処理ガスとしての原料ガスを供給する(S4)。
すなわち、原料ガスのもととなる液体原料(TiCl4)を、マスフローコントローラ201cにより流量制御しながら、液体原料供給源201aから気化器201eへと供給し、気化器201eにより液体原料を気化させて原料ガス(TiCl4ガス)を生成させる。そして、遮断弁201fを開き、気化器201eにて生成させた原料ガスを、ガス供給ライン20及びガス供給ノズル21を介して処理室12内へと供給する。このとき、原料ガスベント(バイパス)ライン201hに設けた遮断弁201gは閉じておく。また、原料ガス供給工程(S4)を実施する際には、排気ライン16に設けられた圧力調整装置16bにより、処理室12内の圧力を調節する。
原料ガス供給ライン201から供給される原料ガスは、ガス供給ノズル21に設けられた複数個の吹出口23から、処理室12内のウェハ1の表面へと供給される。その結果、ウェハ1の表面には原料ガスのガス分子が吸着する。なお、この間、上述の回転機構を作動させてウェハ1を回転させておくことで、ウェハ1の面内にわたり均一に原料ガスのガス分子を吸着させることが出来る。
所定時間が経過した後、遮断弁201fを閉じることにより、原料ガスの処理室12内への供給を停止する。なお、この際、原料ガスベント(バイパス)ライン201hに設けられた遮断弁201gを開くことにより、原料ガスを、処理室12をバイパスするように原料ガスベント(バイパス)ライン201hより排気して、気化器201eからの原料ガ
スの供給(すなわち、気化器201eにおける原料ガスの生成)を停止しないようにするのが好ましい。液体原料を気化して、気化した原料ガスを安定供給するまでには時間がかかるが、気化器201eからの原料ガスの供給を停止させずに、処理室12をバイパスするように流しておくと、次回に実施する原料ガス供給工程(S4)において、遮断弁201g,201fの開閉によりガス流の方向を切換えるだけで、直ちに処理室12内へ原料ガスを供給できるからである。
スの供給(すなわち、気化器201eにおける原料ガスの生成)を停止しないようにするのが好ましい。液体原料を気化して、気化した原料ガスを安定供給するまでには時間がかかるが、気化器201eからの原料ガスの供給を停止させずに、処理室12をバイパスするように流しておくと、次回に実施する原料ガス供給工程(S4)において、遮断弁201g,201fの開閉によりガス流の方向を切換えるだけで、直ちに処理室12内へ原料ガスを供給できるからである。
<パージ工程(S5)>
処理室12内への原料ガスの供給を停止した後、遮断弁16cを開けたまま、遮断弁203b,203dを一時的に開けることにより、処理室12内をパージする。その結果、処理室12内の残留ガスが除去される。所定時間が経過した後、遮断弁202b,203dを閉じることにより、処理室12内への不活性ガスの供給を停止して、処理室12内を減圧する。
処理室12内への原料ガスの供給を停止した後、遮断弁16cを開けたまま、遮断弁203b,203dを一時的に開けることにより、処理室12内をパージする。その結果、処理室12内の残留ガスが除去される。所定時間が経過した後、遮断弁202b,203dを閉じることにより、処理室12内への不活性ガスの供給を停止して、処理室12内を減圧する。
<反応ガス供給工程(S6)>
パージ工程(S5)を実施して処理室12内を減圧した後、処理室12内に、第2の処理ガスとしての反応ガスを供給する。
パージ工程(S5)を実施して処理室12内を減圧した後、処理室12内に、第2の処理ガスとしての反応ガスを供給する。
すなわち、遮断弁203b,203d,201fを閉じたまま、遮断弁202b,202dを開けることにより、マスフローコントローラ202cにより流量制御しながら、反応ガスとしての水素(H2)ガスを、ガス供給ライン20及びガス供給ノズル21を介して処理室12内へと供給する。なお、この際、遮断弁16cを閉じるか圧力調整装置16bを調整することにより排気ライン16の排気量を減少させて、処理室12内の圧力を所定の着火圧力(例えば133Pa)まで上昇させる。
処理室12内の圧力が所定の着火圧力に到達したら、一対の電極27に対して、インピーダンス整合器32を介して外部電源31から高周波電力を供給して、処理室12にプラズマを生成(着火)する。そして、生成された該プラズマにより、処理室12内に供給されている反応ガスを励起(活性化)して、処理室12内に活性粒子(水素ラジカル)を生成する。
なお、電極27に対して電力を供給する際には、プラズマ着火センサ50により、処理室12内に生成されるプラズマからの発光を監視する。そして、電極27への電力の印加を開始してからプラズマが着火する迄の処理室12内の圧力を、プラズマが着火してから電極27への電力の印加を停止する迄の処理室12内の圧力よりも高くする。具体的には、プラズマ着火センサ50によりプラズマの着火を検出した後は、プラズマ放電を維持したまま、すなわち電極27への電力供給を維持したまま、マスフローコントローラ202cにより反応ガスの供給量を減少させるか、遮断弁16cを開けるか圧力調整装置16bを調整することによって排気ライン16の排気量を増加させて、処理室12内の圧力を所定の処理圧力(例えば5Pa程度)まで減圧する。なお、この際、処理室12内への反応ガスの供給は停止せずに継続する。
プラズマにより活性化された反応ガスの活性粒子(Hラジカル)は、処理室12内を拡散してウェハ1の表面に到達した後、ウェハ1の表面に吸着している原料ガスのガス分子(TiCl4)と反応して、塩化水素(HCl)を生成する。その結果、ウェハ1の表面には、Clが取り除かれた後のTiが残留して、Tiの薄膜が生成される。なお、この間、上述の回転機構を作動させてウェハ1を回転させておくことにより、ウェハ1の面内にわたり均一にTiの薄膜を生成することが出来る。
所定時間が経過した後、電極27への電力供給を停止するとともに、遮断弁202b,
202dを閉じて処理室12内への反応ガスの供給を停止する。
202dを閉じて処理室12内への反応ガスの供給を停止する。
<パージ工程(S7)>
処理室12内への反応ガスの供給を停止した後、遮断弁16cを開いたまま、遮断弁203b,203dを一時的に開けることにより、処理室12内をパージする。その結果、処理室12内の残留ガスが除去される。所定時間が経過した後、遮断弁203b,203dを閉じることにより、処理室12内への不活性ガスの供給を停止して、処理室12内を減圧する。
処理室12内への反応ガスの供給を停止した後、遮断弁16cを開いたまま、遮断弁203b,203dを一時的に開けることにより、処理室12内をパージする。その結果、処理室12内の残留ガスが除去される。所定時間が経過した後、遮断弁203b,203dを閉じることにより、処理室12内への不活性ガスの供給を停止して、処理室12内を減圧する。
<繰り返し工程(S8)>
以上のように、原料ガス供給工程(S4)→パージ工程(S5)→反応ガス供給工程(S6)→パージ工程(S7)を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を実施する。これにより、ウェハ1上に所望膜厚のTi膜を形成することができる。
以上のように、原料ガス供給工程(S4)→パージ工程(S5)→反応ガス供給工程(S6)→パージ工程(S7)を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を実施する。これにより、ウェハ1上に所望膜厚のTi膜を形成することができる。
<基板搬出工程(S9)>
ウェハ1上に所望膜厚の薄膜を形成した後、回転機構によるウェハ1の回転を停止させる。そして、上述した基板搬入工程(S1)から圧力調整工程(S3)とは逆の手順により、所望膜厚の薄膜が形成されたウェハ1を処理室12内から搬出する。以上により、本実施形態にかかる基板処理工程が完了する。
ウェハ1上に所望膜厚の薄膜を形成した後、回転機構によるウェハ1の回転を停止させる。そして、上述した基板搬入工程(S1)から圧力調整工程(S3)とは逆の手順により、所望膜厚の薄膜が形成されたウェハ1を処理室12内から搬出する。以上により、本実施形態にかかる基板処理工程が完了する。
(5)本実施形態にかかる効果
本実施形態における反応ガス供給工程(S6)では、処理室12内の圧力を所定の着火圧力まで昇圧させてから、電極27に対して電力を供給する。従って、電極27へ供給する電力を大きくすることなくプラズマを着火することが出来るようになる。そして、電極27へ供給する電力が小さいことから、処理室12内の構成部材や処理室12内に載置されたウェハ1に対するプラズマによるスパッタエッチング量を抑制することが可能となる。
本実施形態における反応ガス供給工程(S6)では、処理室12内の圧力を所定の着火圧力まで昇圧させてから、電極27に対して電力を供給する。従って、電極27へ供給する電力を大きくすることなくプラズマを着火することが出来るようになる。そして、電極27へ供給する電力が小さいことから、処理室12内の構成部材や処理室12内に載置されたウェハ1に対するプラズマによるスパッタエッチング量を抑制することが可能となる。
また、反応ガスとして水素(H2)を用いた場合には、他の種類のガスを用いた場合に比べて、電離断面積あるいは励起断面積が小さくプラズマの着火が起こりにくい傾向があった。これに対して、本実施形態における反応ガス供給工程(S6)では、処理室12内の圧力を所定の着火圧力まで昇圧させてから、電極27に対して電力を供給する。そのため、処理室12内に着実にプラズマを着火させることが可能となる。また、プラズマが生成されるまで(着火するまで)の時間を短縮できる場合もある。この場合、所定の膜厚の薄膜を形成するために数100サイクルを繰り返すようなALD法による成膜方法では、基板処理工程全体としての所要時間を短縮できる場合もある。
また、本実施形態における反応ガス供給工程(S6)では、電極27へ供給する電力を大きくすることなく、プラズマを着火することが出来るようになるため、たとえ繰り返し工程(S8)を実施することにより処理室12内に導体膜が形成されていたとしても、安定してプラズマを生成することが可能となる。すなわち、電極27へ供給する電力を小さくしたとしても、プラズマ放電を安定させることが可能となり、ウェハ1の表面上に形成する薄膜の膜厚を均一にすることが出来る。
そして、本実施形態における反応ガス供給工程(S6)では、プラズマの着火後は、プラズマ放電を維持したまま処理室12内を減圧する。その結果、処理室12内に生成された活性粒子の迅速な拡散が促され、ウェハ1の表面への活性種の供給量を増加させ、ウェハ1の表面上での反応を促進させ、成膜速度を向上させることが出来る。
2.本発明の他の実施形態
以下に、本発明の他の実施形態にかかる処理炉10の構成、及び処理炉10により実施される基板処理工程について、図面を参照しながら説明する。
以下に、本発明の他の実施形態にかかる処理炉10の構成、及び処理炉10により実施される基板処理工程について、図面を参照しながら説明する。
(1)処理炉の構成
まず、本発明の他の実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。参照する図面において、図7は、本発明の他の実施形態にかかる処理炉の平断面図であり、図8は、本発明の他の実施形態にかかる処理炉の備えるガス供給ライン及び排気ラインの概略構成図である。
まず、本発明の他の実施形態にかかる基板処理装置の構成について、図面を参照しながら説明する。参照する図面において、図7は、本発明の他の実施形態にかかる処理炉の平断面図であり、図8は、本発明の他の実施形態にかかる処理炉の備えるガス供給ライン及び排気ラインの概略構成図である。
図7に示すように、本実施形態ではガス供給ライン20が存在せず、原料ガス供給ライン201及び反応ガス供給ライン202が、それぞれ合流せずに直接にマニホールド15の側壁に接続されている。また、図8に示すように、不活性ガス供給ライン203は、反応ガス供給ライン202における遮断弁202dの下流側に、合流するように接続されている。また、上記において、原料ガスとしては例えばDCS(SiH2Cl2;ジクロロシラン)ガスを用いることが出来、反応ガスとしては例えばNH3(アンモニア)ガスを用いることが出来る。
原料ガス供給ライン201が接続された処理室12の内壁(すなわちプロセスチューブ11とマニホールド15との内壁)とウェハ1との間における円弧状の空間には、ガス分散空間としてのバッファ室70が垂直方向(すなわちウェハ1の積載方向)に設けられている。そして、バッファ室70におけるウェハ1と対向する壁には、処理室12の中心方向にガスを供給する複数個の吹出口70aが、垂直方向に配列するように設けられている。なお、各吹出口70aは、ボート2に保持された各ウェハ1の上面空間及び下面空間にガスを供給できる高さに、それぞれ設けられている。また、処理室12内と原料ガス供給ライン201内との圧力差が大きい場合には、各吹出口70aの孔径を、ガスの下流側(すなわちバッファ室70の上方)になるにつれて徐々に大きくする。これにより、各ウェハ1へのガスの供給量を均一にすることが出来る。
また、反応ガス供給ライン202が接続された処理室12の内壁(すなわちプロセスチューブ11とマニホールド15との内壁)とウェハ1との間における円弧状の空間には、ガス分散空間としてのバッファ室71が垂直方向(すなわちウェハ1の積載方向)に設けられている。ここで、バッファ室71の端部には、処理室12内に反応ガスを供給するためのガス供給ノズル21が設けられている。ガス供給ノズル21の下端部は、処理室12の外部において反応ガス供給ライン202の下流側に接続されている。また、バッファ室71におけるウェハ1と対向する壁であって、ガス供給ノズル21が設けられた側とは反対側の端部には、処理室12の中心方向にガスを供給する複数個の吹出口71aが、垂直方向に配列するように設けられている。なお、各吹出口71aは、ボート2に保持された各ウェハ1の上面空間及び下面空間にガスを供給できる高さに、それぞれ設けられている。また、処理室12内と反応ガス供給ライン202内との圧力差が大きい場合には、各吹出口71aの孔径を、ガスの下流側(すなわちバッファ室71の上方)になるにつれて徐々に大きくする。これにより、各ウェハ1へのガスの供給量を均一にすることが出来る。また、ガス供給ノズル21と各吹出口71aとの間には、一対の電極27が設けられている。なお、ガス供給ノズル21に設けられた吹出口23は、処理室12内の中心方向(ウェハ1の方向)ではなく、一対の電極27の方向へとガスを供給するように設けられている。また、バッファ室70は、バッファ室70に設けられた各吹出し口71aから、プロセスチューブ11の周方向に沿って120°程度回った位置に設けられている。
なお、図8に示すように、本実施形態においては、原料ガス供給ライン201には、液体原料供給源201aおよび気化器201eが設けられておらず、原料ガスベント(バイ
パスライン)201hが接続されていない点が、上述した本発明の一実施形態にかかる処理炉10と異なる。本実施形態においては、原料ガス供給ライン201には、原料ガスを供給する原料ガス供給源201iと、原料ガスの流量を制御するマスフローコントローラ201cと、一定量の原料ガスを加圧状態で蓄えるバッファタンク201kとが、順に直列に設けられている。そして、原料ガス供給源201iとマスフローコントローラ201cとの間には遮断弁201bが、マスフローコントローラ201cとバッファタンク201kとの間には遮断弁201dが、バッファタンク201kとマニホールド15との間には遮断弁201fが、それぞれ設けられている。なお、遮断弁201fを開けた状態において、バッファタンク201kと処理室12との間のコンダクタンスは、例えば1.5×10−3m3/sになるように構成されている。ここで、処理室12の容積が100l(リットル)の場合には、バッファタンク201kの容積が0.1〜0.3l(リットル)であることが好ましく、容積比としては、バッファタンク201kの容積を、処理室12の容積の1/1000〜3/1000倍とすることが好ましい。
パスライン)201hが接続されていない点が、上述した本発明の一実施形態にかかる処理炉10と異なる。本実施形態においては、原料ガス供給ライン201には、原料ガスを供給する原料ガス供給源201iと、原料ガスの流量を制御するマスフローコントローラ201cと、一定量の原料ガスを加圧状態で蓄えるバッファタンク201kとが、順に直列に設けられている。そして、原料ガス供給源201iとマスフローコントローラ201cとの間には遮断弁201bが、マスフローコントローラ201cとバッファタンク201kとの間には遮断弁201dが、バッファタンク201kとマニホールド15との間には遮断弁201fが、それぞれ設けられている。なお、遮断弁201fを開けた状態において、バッファタンク201kと処理室12との間のコンダクタンスは、例えば1.5×10−3m3/sになるように構成されている。ここで、処理室12の容積が100l(リットル)の場合には、バッファタンク201kの容積が0.1〜0.3l(リットル)であることが好ましく、容積比としては、バッファタンク201kの容積を、処理室12の容積の1/1000〜3/1000倍とすることが好ましい。
また、図7に示すとおり、排気ライン16は、原料ガス供給ライン201が接続される側とは反対側のマニホールド15の側壁に設けられている。
他の構成は、上述した本発明の一実施形態にかかる処理炉10の構成と同一である。
(2)基板処理工程
続いて、本発明の他の実施形態としての基板処理工程について、図面を参照しながら説明する。本実施形態は、ウェハ1の表面に例えばSiN等の窒化膜を成膜する方法であり、半導体デバイスの製造工程の一工程として実施される。参照する図面において、図10は、本発明の他の実施形態にかかる基板処理工程のフロー図である。なお、本実施形態にかかる基板処理工程は、図7及び図8に示す上述の処理炉10により実施される。また、以下の説明において、処理炉10を構成する各部の動作は、コントローラ10cにより制御される。
続いて、本発明の他の実施形態としての基板処理工程について、図面を参照しながら説明する。本実施形態は、ウェハ1の表面に例えばSiN等の窒化膜を成膜する方法であり、半導体デバイスの製造工程の一工程として実施される。参照する図面において、図10は、本発明の他の実施形態にかかる基板処理工程のフロー図である。なお、本実施形態にかかる基板処理工程は、図7及び図8に示す上述の処理炉10により実施される。また、以下の説明において、処理炉10を構成する各部の動作は、コントローラ10cにより制御される。
<基板搬入工程(S1)、減圧工程(S2)、昇温工程(S3)>
まず、上述した本発明の一実施形態としての基板処理工程と同様に、基板搬入工程(S1)、減圧工程(S2)、昇温工程(S3)を実施する。なお、減圧工程(S2)を実施中は、遮断弁201dを閉じ、遮断弁201fを開けることにより、バッファタンク201k内も併せて排気する。また、昇温工程(S3)においては、ウェハ1の表面温度が例えば300〜600℃になるように、抵抗加熱ヒータ14への通電量を制御する。
まず、上述した本発明の一実施形態としての基板処理工程と同様に、基板搬入工程(S1)、減圧工程(S2)、昇温工程(S3)を実施する。なお、減圧工程(S2)を実施中は、遮断弁201dを閉じ、遮断弁201fを開けることにより、バッファタンク201k内も併せて排気する。また、昇温工程(S3)においては、ウェハ1の表面温度が例えば300〜600℃になるように、抵抗加熱ヒータ14への通電量を制御する。
<反応ガス供給工程(S4)>
続いて、遮断弁201fを閉じ、遮断弁202b,202dを開くことにより、マスフローコントローラ202cにより流量制御しながら、処理室12内に反応ガスとしてのNH3(アンモニア)ガスを供給する。処理室12内の圧力が所定の着火圧力に到達したら、一対の電極27に対してインピーダンス整合器32を介して外部電源31から高周波電力を供給し、バッファ室70内にプラズマを生成(着火)する。そして、生成したプラズマにより、処理室12内に供給されている反応ガスを励起(活性化)させ、処理室12内に活性粒子(ラジカル)を生成する。
続いて、遮断弁201fを閉じ、遮断弁202b,202dを開くことにより、マスフローコントローラ202cにより流量制御しながら、処理室12内に反応ガスとしてのNH3(アンモニア)ガスを供給する。処理室12内の圧力が所定の着火圧力に到達したら、一対の電極27に対してインピーダンス整合器32を介して外部電源31から高周波電力を供給し、バッファ室70内にプラズマを生成(着火)する。そして、生成したプラズマにより、処理室12内に供給されている反応ガスを励起(活性化)させ、処理室12内に活性粒子(ラジカル)を生成する。
なお、電極27に対して電力を供給する際には、プラズマ着火センサ50により、処理室12内に生成されるプラズマからの発光を監視する。そして、電極27への電力の印加を開始してからプラズマが着火する迄の処理室12内の圧力を、プラズマが着火してから電極27への電力の印加を停止する迄の処理室12内の圧力よりも高くする。具体的には、プラズマ着火センサ50によりプラズマの着火を検出した後は、プラズマ放電を維持したまま、すなわち電極27への電力供給を維持したまま、マスフローコントローラ202
cにより反応ガスの供給量を減少させるか、遮断弁16cを開けるか圧力調整装置16bを調整することによって排気ライン16の排気量を増加させて、処理室12内の圧力を所定の処理圧力まで減圧する。なお、この際、処理室12内への反応ガスの供給は停止せずに継続する。
cにより反応ガスの供給量を減少させるか、遮断弁16cを開けるか圧力調整装置16bを調整することによって排気ライン16の排気量を増加させて、処理室12内の圧力を所定の処理圧力まで減圧する。なお、この際、処理室12内への反応ガスの供給は停止せずに継続する。
所定時間が経過した後、電極27への電極供給を停止すると共に、遮断弁202b,202dを閉じることにより、処理室12内への反応ガスの供給を停止する。そして、遮断弁16cを開いたまま、排気ライン16により処理室12内に残留している反応ガスを排気する。この際、遮断弁203b,203dを一時的に開け、処理室12内にN2等の不活性ガスを供給することにより、処理室12内に残留している反応ガスを効率的に排気する。その後、遮断弁203b,203dを閉じ、処理室12内の圧力を所定圧力まで減圧させたら、遮断弁16cを閉じ、処理室12を減圧された状態で保持する。
<原料ガス充填工程(S4’)>
反応ガス供給工程(S4)の実施中には、遮断弁201fを閉じたまま、遮断弁201b,201dを開けることにより、マスフローコントローラ201cにより流量制御しながら、バッファタンク201k内に原料ガスとしてのDCSガスを充填する。バッファタンク201k内の圧力が例えば20000Pa以上になったら、遮断弁201b,201dを閉じることにより、バッファタンク201k内への原料ガスの充填を停止する。なお、反応ガス供給工程(S4)と原料ガス充填工程(S4’)とは、並行して実施することが好ましい。
反応ガス供給工程(S4)の実施中には、遮断弁201fを閉じたまま、遮断弁201b,201dを開けることにより、マスフローコントローラ201cにより流量制御しながら、バッファタンク201k内に原料ガスとしてのDCSガスを充填する。バッファタンク201k内の圧力が例えば20000Pa以上になったら、遮断弁201b,201dを閉じることにより、バッファタンク201k内への原料ガスの充填を停止する。なお、反応ガス供給工程(S4)と原料ガス充填工程(S4’)とは、並行して実施することが好ましい。
<原料ガス導入工程(S5)>
反応ガス供給工程(S4)、及び原料ガス充填工程(S4’)の実施が完了したら、遮断弁201d,202d,203d,16cを閉じたまま、遮断弁201fを開けることにより、バッファタンク201k内と処理室12内との圧力差を利用して、バッファタンク201k内の原料ガスを所定時間以内に(ごく短時間で)処理室12内へと導入する。その結果、処理室12内の圧力は例えば931Pa程度まで上昇し、ウェハ1の表面は高圧の原料ガスに暴露される。そして、ウェハ1の表面に吸着した反応ガスの活性粒子と原料ガスとが迅速に反応して、ウェハ1の表面上にSiNの薄膜が生成される。
反応ガス供給工程(S4)、及び原料ガス充填工程(S4’)の実施が完了したら、遮断弁201d,202d,203d,16cを閉じたまま、遮断弁201fを開けることにより、バッファタンク201k内と処理室12内との圧力差を利用して、バッファタンク201k内の原料ガスを所定時間以内に(ごく短時間で)処理室12内へと導入する。その結果、処理室12内の圧力は例えば931Pa程度まで上昇し、ウェハ1の表面は高圧の原料ガスに暴露される。そして、ウェハ1の表面に吸着した反応ガスの活性粒子と原料ガスとが迅速に反応して、ウェハ1の表面上にSiNの薄膜が生成される。
所定時間が経過した後、遮断弁201fを閉じ、遮断弁16cを開けることにより、排気ライン16により処理室12内に残留している原料ガスを排気する。この際、遮断弁203b,203dを一時的に開け、処理室12内にN2等の不活性ガスを供給することにより、処理室12内に残留している原料ガスを効率的に排気する。その後、遮断弁203b,203dを閉じ、処理室12内の圧力を所定圧力まで減圧する。なお、遮断弁201fを閉じた後は、処理室12内の排気の完了を待たずに、原料ガス充填工程(S4’)の実施を開始することが好ましい。
<繰り返し工程(S6)>
以上のように、反応ガス供給工程(S4)及び原料ガス充填工程(S4’)→原料ガス供給工程(S5)を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を実施する。これにより、ウェハ1上に所望膜厚のSiN膜を形成することができる。
以上のように、反応ガス供給工程(S4)及び原料ガス充填工程(S4’)→原料ガス供給工程(S5)を1サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すサイクル処理を実施する。これにより、ウェハ1上に所望膜厚のSiN膜を形成することができる。
<基板搬出工程(S7)>
ウェハ1上に所望膜厚の薄膜を形成した後、回転機構によるウェハ1の回転を停止させる。そして、上述した基板搬入工程(S1)から圧力調整工程(S3)とは逆の手順により、所望膜厚の薄膜が形成されたウェハ1を処理室12内から搬出する。以上により、本実施形態にかかる基板処理工程が完了する。
ウェハ1上に所望膜厚の薄膜を形成した後、回転機構によるウェハ1の回転を停止させる。そして、上述した基板搬入工程(S1)から圧力調整工程(S3)とは逆の手順により、所望膜厚の薄膜が形成されたウェハ1を処理室12内から搬出する。以上により、本実施形態にかかる基板処理工程が完了する。
(3)本実施形態にかかる効果
本実施形態における反応ガス供給工程(S4)では、処理室12内の圧力を所定の着火圧力まで昇圧させてから、電極27に対して電力を供給する。従って、電極27へ供給する電力を大きくすることなくプラズマを着火することが出来るようになる。そして、電極27へ供給する電力が小さいことから、処理室12内の構成部材や処理室12内に載置されたウェハ1に対するプラズマによるスパッタエッチング量を抑制することが可能となる。
本実施形態における反応ガス供給工程(S4)では、処理室12内の圧力を所定の着火圧力まで昇圧させてから、電極27に対して電力を供給する。従って、電極27へ供給する電力を大きくすることなくプラズマを着火することが出来るようになる。そして、電極27へ供給する電力が小さいことから、処理室12内の構成部材や処理室12内に載置されたウェハ1に対するプラズマによるスパッタエッチング量を抑制することが可能となる。
また、本実施形態における反応ガス供給工程(S4)では、処理室12内の圧力を所定の着火圧力まで昇圧させてから、電極27に対して電力を供給する。そのため、処理室12内に着実にプラズマを着火させることが可能となる。また、プラズマが生成されるまで(着火するまで)の時間を短縮できる場合もある。この場合、所定の膜厚の薄膜を形成するために数100サイクルを繰り返すようなALD法による成膜方法では、基板処理工程全体としての所要時間を短縮できる場合もある。
また、本実施形態における反応ガス供給工程(S4)では、電極27へ供給する電力を大きくすることなく、プラズマを着火することが出来るようになるため、たとえ繰り返し工程(S6)を実施するとしても、安定してプラズマを生成することが可能となる。すなわち、電極27へ供給する電力を小さくしたとしても、プラズマ放電を安定させることが可能となり、ウェハ1の表面上に形成する薄膜の膜厚を均一にすることが出来る。
そして、本実施形態における反応ガス供給工程(S4)では、プラズマの着火後は、プラズマ放電を維持したまま処理室12内を減圧する。その結果、処理室12内に生成された活性粒子の迅速な拡散が促され、ウェハ1の表面への活性種の供給量を増加させ、ウェハ1の表面上での反応を促進させ、成膜速度を向上させることが出来る。
また、本実施形態にかかる原料ガス供給工程(S5)では、バッファタンク201k内と処理室12内の圧力差を利用して、バッファタンク201k内の原料ガスを所定時間以内に(ごく短時間で)処理室12内へと導入する。そして、処理室12内の原料ガスの圧力は例えば931Pa程度まで上昇し、ウェハ1の表面を高圧の原料ガスにより暴露される。その結果、ウェハ1の表面に吸着している反応ガスの活性粒子と原料ガスとの反応が促され、基板処理に要する時間を短縮させることが可能となる。特に、ALD法による成膜方法では、所定の膜厚の薄膜を形成するために数100サイクルを繰り返すことが多く、上述のように1サイクルに要する時間を短縮させることが出来れば、基板処理工程全体としての所要時間を大幅に短縮させることが可能となる。
また、本実施形態にかかる原料ガス供給工程(S5)では、バッファタンク201k内と処理室12内の圧力差を利用して、バッファタンク201k内の原料ガスを所定時間以内に(ごく短時間で)処理室12内へと導入する。従って、処理室12内へ原料ガスが均一に拡散されるまでの時間を短縮され、処理室12内に導入された各ウェハ1上に、より均一な厚さの薄膜を形成することが可能となる。
また、本実施形態では、反応ガス供給工程(S4)と原料ガス充填工程(S4’)とを並行に実施する。これにより、各サイクルの実施に要する時間を短縮させ、基板処理に要する時間を短縮させることが可能となる。特に、ALD法による成膜方法では、所定の膜厚の薄膜を形成するために数100サイクルを繰り返すことが多く、上述のように1サイクルに要する時間を短縮させることが出来れば、基板処理工程全体としての所要時間を大幅に短縮させることが可能となる。
また、本実施形態では、反応ガス供給工程(S4)において、バッファ室71内にて生
成された活性粒子を処理室12内に拡散させる際、処理室12内には原料ガスが存在しない。そのため、活性粒子がウェハ1の表面に到達するまでの間に気相反応が発生せず、ウェハ1の表面への活性種の供給量を増加させ、ウェハ1の表面上での反応を促進させ、成膜速度を向上させることが出来る。また、ウェハ1の表面温度を活性粒子の反応温度よりも低くしておくことにより、ウェハ1の表面に吸着した活性粒子の反応(分解)を抑制することが可能となる。
成された活性粒子を処理室12内に拡散させる際、処理室12内には原料ガスが存在しない。そのため、活性粒子がウェハ1の表面に到達するまでの間に気相反応が発生せず、ウェハ1の表面への活性種の供給量を増加させ、ウェハ1の表面上での反応を促進させ、成膜速度を向上させることが出来る。また、ウェハ1の表面温度を活性粒子の反応温度よりも低くしておくことにより、ウェハ1の表面に吸着した活性粒子の反応(分解)を抑制することが可能となる。
<本発明の他の実施形態>
上記においては、原料ガスとしてTiCl4ガスを、反応ガスとしてH2を用い、ウェハ1上にTi膜を成膜する基板処理工程や、原料ガスとしてDCSガスを、反応ガスとしてNH3ガスを用い、ウェハ1上にSiN膜を成膜する基板処理工程について述べたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。例えば、原料ガスとしてTaCl5を、反応ガスとしてH2ガスを用い、ウェハ1上にTa膜を成膜する際にも、好適に用いることが出来る。
上記においては、原料ガスとしてTiCl4ガスを、反応ガスとしてH2を用い、ウェハ1上にTi膜を成膜する基板処理工程や、原料ガスとしてDCSガスを、反応ガスとしてNH3ガスを用い、ウェハ1上にSiN膜を成膜する基板処理工程について述べたが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。例えば、原料ガスとしてTaCl5を、反応ガスとしてH2ガスを用い、ウェハ1上にTa膜を成膜する際にも、好適に用いることが出来る。
<本発明の他の実施態様>
以下に、本発明の他の実施態様について付記する。
以下に、本発明の他の実施態様について付記する。
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内に設けられ、電力が印加されることにより前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
前記処理室内におけるプラズマの着火を検出するプラズマ検出手段と、
前記ガス供給手段と前記排気手段とを制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記電極への電力の印加が開始されてから前記プラズマ検出手段がプラズマの着火を検出する迄の間の前記処理室内の圧力が、前記プラズマ検出手段がプラズマの着火を検出してから前記電極への電力の印加が停止される迄の間の前記処理室内の圧力よりも高くなるように、前記ガス供給手段および前記排気手段を制御する
基板処理装置が提供される。
基板を処理する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内に設けられ、電力が印加されることにより前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
前記処理室内におけるプラズマの着火を検出するプラズマ検出手段と、
前記ガス供給手段と前記排気手段とを制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記電極への電力の印加が開始されてから前記プラズマ検出手段がプラズマの着火を検出する迄の間の前記処理室内の圧力が、前記プラズマ検出手段がプラズマの着火を検出してから前記電極への電力の印加が停止される迄の間の前記処理室内の圧力よりも高くなるように、前記ガス供給手段および前記排気手段を制御する
基板処理装置が提供される。
好ましくは、前記処理室内の圧力を検出する圧力検出手段を備える。
本発明の他の態様によれば、
処理室内に処理ガスを供給する工程と、
前記処理室内に設けられた少なくとも一対の電極に電力を印加して前記処理室内にプラズマを生成する工程と、
前記プラズマにより前記処理ガスを励起させる工程と、を有し、
前記プラズマを生成する工程では、
前記電極への電力の印加を開始してから前記プラズマが着火する迄の間の前記処理室内の圧力を、前記プラズマが着火してから前記電極への電力の印加を停止する迄の前記処理室内の圧力よりも高くする
半導体装置の製造方法が提供される。
処理室内に処理ガスを供給する工程と、
前記処理室内に設けられた少なくとも一対の電極に電力を印加して前記処理室内にプラズマを生成する工程と、
前記プラズマにより前記処理ガスを励起させる工程と、を有し、
前記プラズマを生成する工程では、
前記電極への電力の印加を開始してから前記プラズマが着火する迄の間の前記処理室内の圧力を、前記プラズマが着火してから前記電極への電力の印加を停止する迄の前記処理室内の圧力よりも高くする
半導体装置の製造方法が提供される。
本発明の他の態様によれば、
処理室内に基板を搬入する工程と、
前記処理室内に第1の処理ガスを供給して前記基板の表面に吸着させる工程と、前記処理室内に第2の処理ガスを供給する工程と、前記処理室内に設けられた少なくとも一対の電極に電力を印加して前記処理室内にプラズマを生成する工程と、前記プラズマにより前
記第2の処理ガスを励起させる工程と、前記基板の表面に吸着した第1の処理ガスと前記プラズマにより励起された第2の処理ガスとを反応させて前記基板の表面に薄膜を形成する工程と、を1サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成する工程と、
所望膜厚の薄膜形成後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有し、
前記プラズマを生成する工程では、
前記電極への電力の印加を開始してから前記プラズマが着火する迄の前記処理室内の圧力を、前記プラズマが着火してから前記電極への電力の印加を停止する迄の前記処理室内の圧力よりも高くする
半導体装置の製造方法が提供される。
処理室内に基板を搬入する工程と、
前記処理室内に第1の処理ガスを供給して前記基板の表面に吸着させる工程と、前記処理室内に第2の処理ガスを供給する工程と、前記処理室内に設けられた少なくとも一対の電極に電力を印加して前記処理室内にプラズマを生成する工程と、前記プラズマにより前
記第2の処理ガスを励起させる工程と、前記基板の表面に吸着した第1の処理ガスと前記プラズマにより励起された第2の処理ガスとを反応させて前記基板の表面に薄膜を形成する工程と、を1サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返し、前記基板上に所望膜厚の薄膜を形成する工程と、
所望膜厚の薄膜形成後の前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有し、
前記プラズマを生成する工程では、
前記電極への電力の印加を開始してから前記プラズマが着火する迄の前記処理室内の圧力を、前記プラズマが着火してから前記電極への電力の印加を停止する迄の前記処理室内の圧力よりも高くする
半導体装置の製造方法が提供される。
1 ウェハ(基板)
10c コントローラ(制御手段)
12 処理室
16 排気ライン(排気手段)
20 ガス供給ライン(ガス供給手段)
27 電極
50 プラズマ着火センサ(プラズマ検出手段)
201 原料ガス供給ライン(ガス供給ライン)
202 反応ガス供給ライン(ガス供給ライン)
10c コントローラ(制御手段)
12 処理室
16 排気ライン(排気手段)
20 ガス供給ライン(ガス供給手段)
27 電極
50 プラズマ着火センサ(プラズマ検出手段)
201 原料ガス供給ライン(ガス供給ライン)
202 反応ガス供給ライン(ガス供給ライン)
Claims (1)
- 基板を処理する処理室と、
前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理室内に設けられ、電力が印加されることにより前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極と、
前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、
前記処理室内におけるプラズマの着火を検出するプラズマ検出手段と、
前記ガス供給手段と前記排気手段とを制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記電極への電力の印加が開始されてから前記プラズマ検出手段がプラズマの着火を検出する迄の間の前記処理室内の圧力が、前記プラズマ検出手段がプラズマの着火を検出してから前記電極への電力の印加が停止される迄の間の前記処理室内の圧力よりも高くなるように、前記ガス供給手段および前記排気手段を制御する
ことを特徴とする基板処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007040365A JP2008202107A (ja) | 2007-02-21 | 2007-02-21 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007040365A JP2008202107A (ja) | 2007-02-21 | 2007-02-21 | 基板処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008202107A true JP2008202107A (ja) | 2008-09-04 |
Family
ID=39779903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007040365A Pending JP2008202107A (ja) | 2007-02-21 | 2007-02-21 | 基板処理装置 |
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---|---|
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---|---|---|---|---|
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