JP2008191165A - 検出器モジュール及び放射線撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体放射線検出器12は、例えばCdTeからなる長方形の平板からなる5枚の半導体素子2と、半導体素子2の一方の面のカソード電極3と、半導体素子2の他方の面のアノード電極4と、5枚の半導体検出素子1を外側から被覆する絶縁体5とを含んで構成されている。アノードピン29及びカソードピン30を用いて配線基板21に設置される。
【選択図】図5
Description
半導体放射線検出器を医療用放射線撮像装置等に用いる場合、配線基板上に半導体放射線検出器を接続して放射線検出部を形成している(例えば特許文献1参照)。
図1中の符号1は、放射線検出素子を示し、この放射線検出素子1は、例えばCdTeからなる長方形の平板からなる5枚の半導体素子2(図2参照)と、半導体素子2の一方の面に例えば蒸着処理により薄膜状に形成されたカソード電極3(Pt等)と、半導体素子2の他方の面にも薄膜状に形成されたアノード電極4(In等)と、5枚の半導体素子2を外側から被覆する直方体状の弾性を有する絶縁体5(図2参照)とを含んで構成されている。
まず、配線基板21外部より、カソード配線22、23、24を経て半導体素子2のカソード電極3に負の電圧を印加し、半導体素子2のカソード電極3とアノード電極4の間に逆バイアス電圧を形成させ、ガンマ線の計測が可能な状態とする。半導体素子2にガンマ線が入射すると、その半導体素子2に設置されたカソード電極3とアノード電極4との間に電荷が誘導され、誘導電荷量に対応する信号が薄板7、内部配線9、アノード端子11、アノードピン30を通じてアノード配線25,26,27、28から外部に出力される。
次に、本発明の第2の実施の形態を図6及び図7の添付図面を参照して説明する。図6において、複数の半導体放射線検出器31は、FPC(Flexible printed circuit)と呼ばれる可撓性を有する薄型配線基板32と、薄型配線基板32の両面に設置された半導体素子33と、半導体素子33の片方の面に例えば蒸着処理により薄膜状に形成されたカソード電極34と、半導体素子33のもう片方の面に形成されたアノード電極35とを含んで構成される。
なお、上記厚肉配線基板36を薄型配線基板32に置き換えても良い。
次に、本発明の第3の実施の形態を図8の添付図面を参照して説明する。
なお、本実施の形態では、前記第1の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
PET検査装置102は、検出器モジュール42の替りに図6に示す検出器モジュール43を検出器モジュール42と同様にPET用ガントリ110に設置してもよい。
なお、以上の変形例についても、着脱性が必須でなければ、先述のようにカソードピン及びアノードピンを用いず、導電ペースト等を用いて配線基板に半導体放射線検出器を直接固着させても良い。この場合ピン挿入穴の代わりに絶縁体5に例えばメッキ配線を施し、このメッキ配線終端をカソード端子10及びアノード端子11とする。このカソード端子10及びアノード端子11に導電ペースト等を塗布して配線基板21に固着すればよい。
また、第1の実施例では半導体放射線検出器のアノード及びカソードの出力端を半導体素子の対角線位置に配置して表記しているが、これに限らず半導体検出素子の同一の辺上に配置しても良く、この場合配線基板については、その出力端位置に対応した配線パターンとすればよい。
12,31,50,50′,70,80,90 半導体放射線検出器
2,33,60 半導体素子
3,34 カソード電極
4,35 アノード電極
5,54,71,81,82,91,92,93,94 絶縁体
8,61 第1の内部配線
9,62 第2の内部配線
12 半導体検出器ユニット
21,56 配線基板
28,51、83 カソードピン
29,55、84 アノードピン
32 薄型配線基板
38,39,40,41 信号線
Claims (13)
- 半導体素子の一方の面にカソード電極及び、もう一方の面にアノード電極を有する半導体検出素子を複数に並列配置し、これら複数の前記半導体検出素子の少なくとも一部を外側から被覆する絶縁体を備えた複数の半導体放射線検出器と、
前記カソード電極に前記カソードピンを介して接続され、前記アノード電極にアノードピンを介して接続される配線基板とを有し、
前記配線基板の一面に設置された前記半導体放射線検出器は、前記配線基板の他面に設置された他の前記半導体放射線検出器と、前記配線基板を挟んで対向して設置されることを特徴とする検出器モジュール。 - 互いに隣接する前記半導体検出素子の前記カソード電極同士が向かい合うように、前記半導体検出素子を複数に並列配置したことを特徴とする請求項1に記載の検出器モジュール。
- 互いに隣接する前記半導体検出素子の前記アノード電極同士が向かい合うように、前記半導体検出素子を複数に並列配置したことを特徴とする請求項1に記載の検出器モジュール。
- 前記半導体放射線検出器は、前記カソードピン及び前記アノードピンにより前記配線基板を挟んで対向した状態で一体化することを特徴とする請求項1に記載の検出器モジュール。
- 前記各電極は互いに平行方向にずらして配置することにより突出部分を形成し、この突出部分の電極に該当する内部配線を接続したことを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の検出器モジュール。
- 半導体素子の一方の面にカソード電極及び、もう一方の面にアノード電極を有する半導体検出素子を複数に並列配置し、これら複数の前記半導体検出素子の少なくとも一部を外側から被覆する絶縁体を備え、前記絶縁体の内部または表面に位置して前記各カソード電極にそれぞれ接続される第1の内部配線と、前記絶縁体の内部または表面に位置して前記各アノード電極にそれぞれ接続される第2の内部配線とを備えた半導体放射線検出器と、
第1の内部配線とカソードピンを介して接続され、前記第2の内部配線とアノードピンを介して接続される配線基板とを有し、
前記配線基板の一面に設置された前記半導体放射線検出器は、前記配線基板の他面に設置された他の前記半導体放射線検出器と、前記配線基板を挟んで対向して設置されることを特徴とする検出器モジュール。 - 前記半導体放射線検出器は、前記ピンにより前記配線基板を挟んで対向した状態で一体化することを特徴とする請求項6に記載の検出器モジュール。
- 前記半導体放射線検出器は、導電性を有する接着剤を用いて配線基板に固着させて設置したことを特徴とする請求項7に記載の検出器モジュール。
- 前記半導体放射線検出器は、前記導電性を有する接着剤により前記配線板を挟んで対向した状態で一体化することを特徴とする請求項8に記載の検出器モジュール。
- 請求項1ないし請求項9のいずれか一項に記載の検出器モジュールを含むことを特徴とする放射線撮像装置。
- 請求項1ないし請求項9のいずれか一項に記載の検出器モジュールを含むポジトロンエミッショントモグラフィ装置。
- 請求項11に記載のポジトロンエミッショントモグラフィ装置と、X線CT装置と、前記ポジトロンエミッショントモグラフィ装置及び前記X線CT装置で共用するベッドとを備え、前記ポジトロンエミッショントモグラフィ装置及び前記X線CT装置は前記ベッドの移動方向に配置されたことを特徴とする放射線撮像装置。
- 前記カソードピンと前記アノードピンとは、前記半導体放射線検出器の対角線上の位置に配置されることを特徴とする請求項1に記載の検出器モジュール。
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JP2010185752A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Hitachi Cable Ltd | 放射線検出器 |
JP2010185753A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Hitachi Cable Ltd | 放射線検出器 |
JP2011163868A (ja) * | 2010-02-08 | 2011-08-25 | Hitachi Cable Ltd | 放射線検出モジュール |
JP2014085175A (ja) * | 2012-10-22 | 2014-05-12 | Hitachi Consumer Electronics Co Ltd | 放射線検知装置 |
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