JP2008187169A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008187169A5
JP2008187169A5 JP2007332350A JP2007332350A JP2008187169A5 JP 2008187169 A5 JP2008187169 A5 JP 2008187169A5 JP 2007332350 A JP2007332350 A JP 2007332350A JP 2007332350 A JP2007332350 A JP 2007332350A JP 2008187169 A5 JP2008187169 A5 JP 2008187169A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pixel
type
image sensor
pixels
white
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007332350A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008187169A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020070009202A external-priority patent/KR100929349B1/ko
Application filed filed Critical
Publication of JP2008187169A publication Critical patent/JP2008187169A/ja
Publication of JP2008187169A5 publication Critical patent/JP2008187169A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (12)

  1. 上部に入射される可視光線を受信するように半導体基板の表面の一部に形成された1次的な光検出器と、
    前記半導体基板に埋め込まれている2次的な光検出器と、を含み、
    前記1次的な光検出器は、第1フォトダイオードを含み、
    前記2次的な光検出器は、
    第1電圧にバイアスされたイメージセンサのノード電気的に接続された第1電荷運搬端子と
    前記ノードに電気的に接続されたカソードを含む第2フォトダイオードとを含み、
    前記イメージセンサは、前記第1フォトダイオードのカソードに電気的に接続されたソース/ドレイン領域を含む伝送トランジスタをさらに含むことを特徴とするイメージセンサ。
  2. 前記2次的な光検出器は、前記1次的な光検出器を通過する可視光線を受信するように形成されたことを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
  3. 前記2次的な光検出器は、前記ノードと電気的に接続されたカソードと前記第1フォトダイオードのカソードとともにP−N接合を形成するアノードを有する第2フォトダイオードとを含むことを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
  4. 前記ノードは、電源供給ノードであることを特徴とする請求項1に記載のイメージセンサ。
  5. 前記第2フォトダイオードの前記カソードは、前記半導体基板内のN型半導体領域によって前記ノードに電気的に接続されたことを特徴とする請求項に記載のイメージセンサ。
  6. 前記第2フォトダイオードの前記カソードは、前記第2フォトダイオードのアノードとして動作するP型基板領域内のN型埋込み層を含むことを特徴とする請求項に記載のイメージセンサ。
  7. 前記1次的な光検出器は、第1フォトダイオードを含み、
    前記イメージセンサは、前記第1フォトダイオードのカソードと電気的に接続された第1ソース/ドレイン領域と前記イメージセンサ内のフローティング拡散領域として動作する第2ソース/ドレイン領域とをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のイメージセンサ。
  8. 半導体基板と、前記半導体基板内のピクセルの2x2アレイとを含み、前記ピクセルの2x2アレイは、
    相異なる光線収集特性を有する第1ピクセル及び第2ピクセルと、相等しい光線収集特性を有する第3ピクセル及び第4ピクセルとを含み、前記第1ピクセルは、
    前記半導体基板の表面の第1部分に隣接するように拡張された1次的な光検出器と、前記半導体基板に埋め込まれている2次的な光検出器とを含み、
    前記2次的な光検出器は、第1電圧にバイアスされた前記第1ピクセルのノードと電気的に接続された第1電荷運搬端子とを含むことを特徴とするイメージセンサ。
  9. ホワイトカラー特性を有するピクセル中に散在されている同数のフィルタ・フリーシアン−タイプピクセルとフィルタ・フリーイエロータイプのピクセルとを有するピクセルのモザイクパターンを含むことを特徴とするイメージセンサ。
  10. 第1ホワイトピクセル、第2ホワイトピクセル、第3イエロータイプピクセル、及び第4シアン−タイプピクセルとを有するピクセルの2x2アレイを含むイメージセンサのカラー補間方法において、
    前記第1ホワイトピクセルと前記第2ホワイトピクセルとによって生成された第1ホワイトカラー値と第2ホワイトカラー値から前記第3イエロータイプピクセルと前記第4シアン−タイプピクセルのそれぞれに対する第3ホワイトカラー値と第4ホワイトカラー値とを補間する段階と、
    前記第4シアン−タイプピクセルによって生成されたシアンカラー値と前記第4ホワイトカラー値から前記第4シアン−タイプピクセルに対する第4レッドカラー値とを決定する段階と、
    前記第4レッドカラー値から前記第1ホワイトピクセル、前記第2ホワイトピクセル、及び前記第3イエロータイプピクセルから第2レッドカラー値と第3レッドカラー値とのそれぞれを補間する段階と、を含むことを特徴とするイメージセンサのカラー補間方法。
  11. 半導体基板と、前記半導体基板内のピクセルの2x2アレイとを含み、
    前記ピクセルの2x2アレイは、
    1次的な光検出器、及び前記1次的な光検出器を通過した可視光線を受信するための構造を有する2次的な光検出器とを含むシアン−タイプピクセルと、
    前記ピクセルの2x2アレイで前記シアン−タイプピクセルの対角線の反対側に配されたイエロータイプピクセルと、
    前記ピクセルの2x2アレイの対角線の反対側コーナーに配された一対のホワイト−タイプピクセルと、を含むことを特徴とするイメージセンサ。
  12. ホワイトカラー特性を有するピクセル中に散在されている同数のフィルタ・フリーシアン−タイプピクセルとイエロータイプピクセルとを有するモザイクパターンを含むイメージセンサと、
    前記イメージセンサから得られたホワイト−タイプイメージデータ、シアン−タイプイメージデータ、及びイエロータイプイメージデータからレッドイメージデータ、グリーンイメージデータ、及びブルーイメージデータを生成させるように形成する補間回路と、を含むことを特徴とするイメージ生成装置。
JP2007332350A 2007-01-30 2007-12-25 シアン−タイプとイエロータイプのカラー特性を有するピクセルを含むカラーイメージセンサ Pending JP2008187169A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070009202A KR100929349B1 (ko) 2007-01-30 2007-01-30 유기물 컬러 필터를 포함하지 않는 컬러 픽셀, 이미지 센서, 및 컬러 보간방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008187169A JP2008187169A (ja) 2008-08-14
JP2008187169A5 true JP2008187169A5 (ja) 2011-02-10

Family

ID=39666963

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007332350A Pending JP2008187169A (ja) 2007-01-30 2007-12-25 シアン−タイプとイエロータイプのカラー特性を有するピクセルを含むカラーイメージセンサ

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7679112B2 (ja)
JP (1) JP2008187169A (ja)
KR (1) KR100929349B1 (ja)
CN (1) CN101236981B (ja)
TW (1) TW200834899A (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100870821B1 (ko) * 2007-06-29 2008-11-27 매그나칩 반도체 유한회사 후면 조사 이미지 센서
KR101534547B1 (ko) * 2008-11-24 2015-07-08 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 시스템
US9142580B2 (en) 2012-08-10 2015-09-22 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus and image pickup system
JP2014187648A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Toshiba Corp 固体撮像装置
KR102219199B1 (ko) 2014-04-29 2021-02-23 삼성전자주식회사 이미지 센서의 픽셀 어레이 및 이미지 센서
WO2016039689A1 (en) 2014-09-11 2016-03-17 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Determining spectral emission characteristics of incident radiation
KR102491497B1 (ko) 2015-11-30 2023-01-20 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치
EP3182453A1 (en) * 2015-12-17 2017-06-21 Autoliv Development AB Image sensor for a vision device and vision method for a motor vehicle
CN106162113B (zh) * 2016-08-30 2019-03-15 辽宁中蓝电子科技有限公司 彩色加黑白双色像素一体式设计的图像传感器
CN108337455B (zh) * 2017-01-18 2022-03-11 三星电子株式会社 图像传感器
KR102507474B1 (ko) * 2018-01-09 2023-03-10 삼성전자주식회사 이미지 센서
CN111131798B (zh) * 2019-10-18 2021-06-01 华为技术有限公司 图像处理方法、图像处理装置以及摄像装置
CN111952403B (zh) * 2020-08-26 2022-08-30 合肥工业大学 一种基于二硒化铂/n-型超薄硅肖特基结的颜色探测器及其制备方法

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3971065A (en) * 1975-03-05 1976-07-20 Eastman Kodak Company Color imaging array
KR100310102B1 (ko) * 1998-03-05 2001-12-17 윤종용 고체 컬러 이미지 소자 및 그의 제조 방법
US5965875A (en) * 1998-04-24 1999-10-12 Foveon, Inc. Color separation in an active pixel cell imaging array using a triple-well structure
AUPQ289099A0 (en) * 1999-09-16 1999-10-07 Silverbrook Research Pty Ltd Method and apparatus for manipulating a bayer image
US6392216B1 (en) * 1999-07-30 2002-05-21 Intel Corporation Method for compensating the non-uniformity of imaging devices
US6933976B1 (en) * 1999-09-03 2005-08-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid-state image pickup device
JP4216976B2 (ja) 1999-12-06 2009-01-28 富士フイルム株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
US6518085B1 (en) * 2000-08-09 2003-02-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for making spectrally efficient photodiode structures for CMOS color imagers
KR100521971B1 (ko) * 2000-10-04 2005-10-17 매그나칩 반도체 유한회사 찌꺼기 발생 및 칼라필터 간의 겹침을 방지할 수 있는이미지 센서 및 제조 방법
US6548833B1 (en) * 2000-10-26 2003-04-15 Biomorphic Vlsi, Inc. Color-optimized pixel array design
US6930336B1 (en) * 2001-06-18 2005-08-16 Foveon, Inc. Vertical-color-filter detector group with trench isolation
US7034873B2 (en) * 2001-06-29 2006-04-25 Vanguard International Semiconductor Corporation Pixel defect correction in a CMOS active pixel image sensor
KR100396898B1 (ko) * 2001-09-13 2003-09-02 삼성전자주식회사 이미지센서 출력데이터 처리장치 및 처리방법
US20030103151A1 (en) * 2001-12-03 2003-06-05 Xiaodong Luo Image sensor having photosensitive color filters
US20040178463A1 (en) * 2002-03-20 2004-09-16 Foveon, Inc. Vertical color filter sensor group with carrier-collection elements of different size and method for fabricating such a sensor group
JP2003303949A (ja) * 2002-04-11 2003-10-24 Canon Inc 撮像装置
JP4190805B2 (ja) * 2002-06-12 2008-12-03 オリンパス株式会社 撮像装置
US6946715B2 (en) * 2003-02-19 2005-09-20 Micron Technology, Inc. CMOS image sensor and method of fabrication
JP3795843B2 (ja) * 2002-08-01 2006-07-12 富士通株式会社 半導体受光装置
US7236190B2 (en) * 2002-10-31 2007-06-26 Freescale Semiconductor, Inc. Digital image processing using white balance and gamma correction
US6964916B2 (en) * 2003-06-06 2005-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor fabrication method and structure
CN1661806A (zh) * 2004-02-24 2005-08-31 三洋电机株式会社 固体摄像元件和固体摄像元件的制造方法
JP2006014316A (ja) * 2004-06-22 2006-01-12 Samsung Electronics Co Ltd サブサンプリングされたアナログ信号を平均化する改善された固体撮像素子及びその駆動方法
KR100672664B1 (ko) * 2004-12-29 2007-01-24 동부일렉트로닉스 주식회사 버티컬 씨모스 이미지 센서의 제조방법
KR100630727B1 (ko) * 2004-12-29 2006-10-02 삼성전자주식회사 Cmos 이미지 센서의 광특성 테스트 패턴 및 광특성테스트 방법
KR100606918B1 (ko) * 2004-12-30 2006-08-01 동부일렉트로닉스 주식회사 버티컬 씨모스 이미지 센서의 핫 픽셀 및 그 제조방법
JP4340248B2 (ja) * 2005-03-17 2009-10-07 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 半導体撮像装置を製造する方法
KR100672812B1 (ko) * 2005-05-02 2007-01-22 삼성전자주식회사 이미지 센서와 그 제조 방법
KR100699849B1 (ko) * 2005-06-21 2007-03-27 삼성전자주식회사 국부적인 불순물 영역을 갖는 cmos 이미지 소자 및 그제조방법
KR100660549B1 (ko) * 2005-07-13 2006-12-22 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 그 제조 방법
KR100712524B1 (ko) * 2005-08-09 2007-04-30 삼성전자주식회사 확장된 게이트 표면적을 갖는 드라이브 트랜지스터를구비한 cmos 이미지 센서 및 그 제조방법
JP2007081401A (ja) * 2005-09-12 2007-03-29 Magnachip Semiconductor Ltd 光干渉を減少させたイメージセンサ
KR100710207B1 (ko) * 2005-09-22 2007-04-20 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서의 제조방법
KR20070087847A (ko) * 2005-12-28 2007-08-29 동부일렉트로닉스 주식회사 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법
US7419844B2 (en) * 2006-03-17 2008-09-02 Sharp Laboratories Of America, Inc. Real-time CMOS imager having stacked photodiodes fabricated on SOI wafer
US7608874B2 (en) * 2006-03-17 2009-10-27 Sharp Laboratories Of America, Inc. Fully isolated photodiode stack
KR20080061483A (ko) * 2006-12-28 2008-07-03 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 이의 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008187169A5 (ja)
JP5369505B2 (ja) 固体撮像装置、及び電子機器
JP5566621B2 (ja) 距離測定センサ及びそれを備えた立体カラーイメージセンサ
JP4418443B2 (ja) 半導体感光デバイス用イメージセンサー及びこれを用いたイメージセンサー処理装置。
US8829578B2 (en) Solid-state imaging device
KR102614792B1 (ko) 반도체 장치 및 전자 기기
US7679112B2 (en) Color image sensors having pixels with cyan-type and yellow-type color characteristics therein
JP2009541992A5 (ja)
JP4924617B2 (ja) 固体撮像素子、カメラ
JP5245572B2 (ja) 半導体装置及び携帯型電子機器
US8106426B2 (en) Full color CMOS imager filter
CN106158897A (zh) 固态成像器件和电子设备
JP2007081401A (ja) 光干渉を減少させたイメージセンサ
JP2007150261A (ja) フォトダイオード素子及びフォトダイオードアレイ
KR20150077996A (ko) Tfa 기반의 시모스 이미지 센서 및 그 동작방법
CN107210309B (zh) 具有白色像素和彩色像素的彩色图像传感器
CN103579274B (zh) 图像拾取装置和图像拾取***
US9331125B2 (en) Solid-state imaging device using plasmon resonator filter
WO2016104177A1 (ja) 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
JP2011129785A (ja) 固体撮像装置
US20230299113A1 (en) Solid-state imaging device and electronic device
JP2009081169A (ja) 固体撮像素子
TW200830543A (en) Solid-state imaging device and electronic device
JP2008300835A (ja) 垂直型cmosイメージセンサ及びその製造方法
JP2006165362A (ja) 固体撮像素子