JP2008181857A

JP2008181857A - Image display apparatus, manufacturing method of image display apparatus, and functional film

Info

Publication number: JP2008181857A
Application number: JP2007264751A
Authority: JP
Inventors: Takashi Date; 崇伊達; Kaoru Koiwa; 馨小岩; Takahiro Oguchi; 高弘小口; Hiroyuki Suzuki; 啓之鈴木
Original assignee: Toshiba Corp; Canon Inc
Current assignee: Toshiba Corp; Canon Inc
Priority date: 2006-12-27
Filing date: 2007-10-10
Publication date: 2008-08-07
Also published as: CN101800146A; CN101211739B; DE602007008675D1; CN101211739A; CN101800146B

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image display apparatus comprising a functional film which is disposed on the image display surface of a face plate and includes a conductive layer having electric functions of (1) preventing the electrostatic charge of the image display surface and (2) inhibiting an increase in the electric charge of a metal back. <P>SOLUTION: The image display apparatus includes: a first substrate having an electron-emitting device; a second substrate having an anode electrode that is opposed to the electron-emitting device; and a conductive layer that is formed on the side of the second face of the second substrate, the second face being an opposite face to a first face located on the first substrate side, wherein the potential of the conductive layer is set to be lower than the potential of the anode electrode when displaying an image; and the surface resistance of the conductive layer is higher than the surface resistance of the anode electrode. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、画像表示装置、画像表示装置の製造方法、及び、機能付きフィルムに関する。 The present invention relates to an image display device, a method for manufacturing the image display device, and a film with a function.

従来から、電子放出素子として冷陰極電子放出素子が知られている。冷陰極電子放出素子として、表面伝導型電子放出素子や、電界放出型電子放出素子（以下ＦＥ型電子放出素子と記す）や、金属／絶縁層／金属型電子放出素子（以下ＭＩＭ型電子放出素子と記す）などが知られている。 Conventionally, a cold cathode electron-emitting device is known as an electron-emitting device. As a cold cathode electron-emitting device, a surface conduction electron-emitting device, a field-emission electron-emitting device (hereinafter referred to as FE-type electron-emitting device), a metal / insulating layer / metal-type electron-emitting device (hereinafter referred to as an MIM-type electron-emitting device). And so on) are known.

特許文献１〜５には、表面伝導型電子放出素子やＦＥ型電子放出素子の画像表示装置への応用が開示されている。 Patent Documents 1 to 5 disclose applications of surface conduction electron-emitting devices and FE electron-emitting devices to image display devices.

特許文献６には、画像表示装置の表面に設ける光学フィルターが開示されている。そしてまた、特許文献７〜９には、電界放出型ディスプレイ用の、導電層付き反射防止フィルムが開示されている。 Patent Document 6 discloses an optical filter provided on the surface of an image display device. Patent Documents 7 to 9 disclose an antireflection film with a conductive layer for a field emission display.

図９は、電子放出素子を用いた平面型の画像表示装置の表示パネルの一例を示す斜視図である。図９は、その内部構造もまた示している。 FIG. 9 is a perspective view showing an example of a display panel of a flat-type image display device using electron-emitting devices. FIG. 9 also shows its internal structure.

図９において、１０００５はリアプレート（第１基板）、１０００６は側壁、１０００７はフェースプレート（第２基板）である。リアプレート１０００５、側壁１０００６およびフェースプレート１０００７により、表示パネルの内部を真空に維持するための外囲器（気密容器）を形成している。 In FIG. 9, reference numeral 10005 denotes a rear plate (first substrate), 10006 denotes a side wall, and 10007 denotes a face plate (second substrate). The rear plate 10005, the side wall 10006, and the face plate 10007 form an envelope (airtight container) for maintaining the inside of the display panel in a vacuum.

リアプレート（第１基板）１０００５上には電子放出素子１０００２が、Ｎ×Ｍ個形成されている。また、各電子放出素子１０００２は、図９に示す通り、行配線１０００３と列配線１０００４に接続されている。これら電子放出素子１０００２、行配線１０００３及び列配線１０００４によって構成される部分を電子源と呼ぶ。 On the rear plate (first substrate) 10005, N × M electron-emitting devices 10002 are formed. Each electron-emitting device 10002 is connected to a row wiring 10003 and a column wiring 10004 as shown in FIG. A portion constituted by these electron-emitting devices 10002, the row wiring 10003, and the column wiring 10004 is called an electron source.

フェースプレート（第２基板）１０００７の下面（第１基板側の面；第１面）には、発光体膜１０００８が設けられている。また、発光体膜１０００８のリアプレート１０００５側の面には、Ａｌ（アルミニウム）等からなるメタルバック（アノード電極）１０００９が設けられている。 On the lower surface (the surface on the first substrate side; the first surface) of the face plate (second substrate) 10007, a light emitter film 10008 is provided. Further, a metal back (anode electrode) 10009 made of Al (aluminum) or the like is provided on the surface of the light emitter film 10008 on the rear plate 10005 side.

容器外端子Ｄｘ１〜ＤｘＭ，容器外端子Ｄｙ１〜ＤｙＮおよび容器外端子Ｈｖは、この表示パネルと駆動回路とを電気的に接続するための端子である。そして、容器外端子Ｄｘ１〜ＤｘＭのそれぞれは電子源の各行配線１０００３と電気的に接続されている。容器外端子Ｄｙ１〜ＤｙＮのそれぞれは電子源の各列配線１０００４と電気的に接続されている。容器外端子Ｈｖはメタルバック１０００９と電気的に接続されている。 The container outer terminals Dx1 to DxM, the container outer terminals Dy1 to DyN, and the container outer terminal Hv are terminals for electrically connecting the display panel and the drive circuit. Each of the external terminals Dx1 to DxM is electrically connected to each row wiring 10003 of the electron source. Each of the external terminals Dy1 to DyN is electrically connected to each column wiring 10004 of the electron source. The container outer terminal Hv is electrically connected to the metal back 10009.

また、上記気密容器の内部は１０の−６乗［Ｔｏｒｒ］程度（ＳＩ単位系で表すと１．３３×１０^−４［Ｐａ］程度）の真空に保持される。図９に示す表示パネルは、気密容器に加わる大気圧を気密容器内側から支えるための支持体（スペーサ或はリブと呼ばれる）１００１０を備えている。電子源が設けられた第１基板１０００５と発光体膜１０００８が設けられたフェースプレート１０００７との間は、実用的には５００μｍ以上１０ｍｍ以下に保たれる。 The inside of the hermetic container is maintained in a vacuum of about 10 −6 [Torr] (about 1.33 × 10 ⁻⁴ [Pa] in terms of SI unit system). The display panel shown in FIG. 9 includes a support (referred to as a spacer or a rib) 10010 for supporting atmospheric pressure applied to the hermetic container from the inner side of the hermetic container. The space between the first substrate 10005 provided with the electron source and the face plate 10007 provided with the light emitter film 10008 is practically maintained at 500 μm or more and 10 mm or less.

以上説明した表示パネルを用いた画像表示装置の駆動時（画像表示時）においては、容器外端子Ｄｘ１〜ＤｘＭ、及び、容器外端子Ｄｙ１〜ＤｙＮを通じて各電子放出素子１０００２に電圧が印加される。すると、各電子放出素子１０００２から電子が放出される。それと同時にメタルバック１０００９に容器外端子Ｈｖを通じて１［ｋＶ］ないし４０［ｋＶ］の高電圧を印加して、放出された電子を発光体膜１０００８に衝突させる。これにより、発光体膜１０００８が発光し、画像が表示される。このため、第２基板１０００７の上面（第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する面；第２面）の一部領域（発光体膜１０００８からの発光が視認できる領域）が画像表示領域となる。 When the image display apparatus using the display panel described above is driven (image display), a voltage is applied to each electron-emitting device 10002 through the container outer terminals Dx1 to DxM and the container outer terminals Dy1 to DyN. Then, electrons are emitted from each electron-emitting device 10002. At the same time, a high voltage of 1 [kV] to 40 [kV] is applied to the metal back 10009 through the container outer terminal Hv, and the emitted electrons collide with the light emitter film 10008. Thereby, the light emitter film 10008 emits light and an image is displayed. Therefore, a partial region of the upper surface of the second substrate 10007 (surface opposite to the first surface located on the first substrate side; second surface) (region where light emission from the light emitter film 10008 can be visually recognized) Is the image display area.

このため、フェースプレート１０００７の表面（発光体膜１０００８が設けられた側とは反対側の表面；第２面）が、メタルバック１０００９の電位の影響を受けて高電位となる（帯電する）。従って、画像表示装置を駆動中（画像表示中）、もしくは駆動直後（画像表示直後）に、静電気により大気中の埃や塵がフェースプレート１０００７に付着してしまう。 For this reason, the surface of the face plate 10007 (the surface opposite to the side on which the light emitter film 10008 is provided; the second surface) becomes a high potential (charges) under the influence of the potential of the metal back 10009. Accordingly, dust or dirt in the atmosphere adheres to the face plate 10007 due to static electricity while the image display device is being driven (during image display) or immediately after being driven (just after image display).

そこで、フェースプレート（第２基板）１０００７の画像表示面の電位を緩和するために、フェースプレート１０００７の画像表示面に導電層を設ける。そして、この導電層を例えばアースに接地すれば第２基板の第２面の帯電を抑制することができる。 Therefore, in order to relax the potential of the image display surface of the face plate (second substrate) 10007, a conductive layer is provided on the image display surface of the face plate 10007. Then, if the conductive layer is grounded, for example, to the ground, charging of the second surface of the second substrate can be suppressed.

一方、メタルバック１０００９には高電圧を印加するので、メタルバックに対向するリアプレート１０００５上の電子放出素子１０００２、行配線１０００３、及び、列配線１０００４は、高電界にさらされる。その結果、リアプレート上に電界が集中するような３重点や異物などが存在すると、そこに電界が集中し、気密容器内部で放電が発生する場合がある。 On the other hand, since a high voltage is applied to the metal back 10009, the electron-emitting devices 10002, the row wiring 10003, and the column wiring 10004 on the rear plate 10005 facing the metal back are exposed to a high electric field. As a result, if there is a triple point or foreign matter that concentrates the electric field on the rear plate, the electric field concentrates there, and discharge may occur inside the hermetic container.

放電が発生すると、電子放出素子１０００２、行配線１０００３、列配線１０００４等に、フェースプレート（典型的にはメタルバック１０００９）に蓄積された電荷が流れ込む。その結果、電子放出素子１０００２の破壊や行配線１０００３、及び、列配線１０００４に繋がる駆動回路の破壊などを引き起こし、深刻な画質劣化を発生させる場合がある。 When the discharge occurs, the charge accumulated in the face plate (typically, the metal back 10009) flows into the electron-emitting device 10002, the row wiring 10003, the column wiring 10004, and the like. As a result, the electron-emitting device 10002 may be destroyed, the drive circuit connected to the row wiring 10003 and the column wiring 10004 may be destroyed, and serious image quality degradation may occur.

そこで、アノード電極（メタルバック）１０００９に、特許文献１０で示されるような方法で、電流制限機能を持たせる方法が提案されている。 Therefore, a method has been proposed in which the anode electrode (metal back) 10009 is provided with a current limiting function by a method as disclosed in Patent Document 10.

しかし、アノード電極に電流制限機能を持たせた状況で、上記した導電層を接地等することによりフェースプレート表面の帯電抑制処理を行うと、深刻な画素欠陥が発生することがある。 However, in the situation where the anode electrode has a current limiting function, if the above-described conductive layer is grounded or the like to perform the charge suppression process on the face plate surface, a serious pixel defect may occur.

この原因は、導電層の表面抵抗（シート抵抗）をメタルバックの見かけの表面抵抗よりも低く設定していたために、メタルバックの電荷量が見かけ上増加し、画像表示装置内部で放電が発生したときの第２基板の電流制限効果が低下したためと考えられる。 This is because the surface resistance (sheet resistance) of the conductive layer was set lower than the apparent surface resistance of the metal back, so that the amount of charge on the metal back apparently increased and discharge occurred inside the image display device. This is thought to be because the current limiting effect of the second substrate was reduced.

従って、導電層は、メタルバック（アノード電極）１０００９の電流制限効果の低下を抑制するように、且つ、画像表示装置表面の帯電を抑制するように設ける必要がある。
特開平１０−３２６５８３号公報米国特許第６６７７７０６号明細書欧州特許第０８６６４９１号明細書特開２００３−２２９０７９号公報米国特許第６８００９９５号明細書特開２００１−２８１４４２号公報特開２００６−１８９７８３号公報特開２００６−１８９７８４号公報国際公開第２００６／０６２２５１号パンフレット特開平１０−３２６５８３号公報 Therefore, it is necessary to provide the conductive layer so as to suppress a decrease in the current limiting effect of the metal back (anode electrode) 10009 and to suppress charging of the surface of the image display device.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-326583 US Pat. No. 6,677,706 European Patent No. 0866491 JP 2003-229079 A US Pat. No. 6,800,995 JP 2001-281442 A JP 2006-189783 A JP 2006-189784 A International Publication No. 2006/066251 Pamphlet Japanese Patent Laid-Open No. 10-326583

本発明ではフェースプレートの画像表示面上に設けられる機能付きフィルムに、（１）画像表示面の帯電を防止しつつ、（２）メタルバックの電荷量増加を抑える、という電気的機能を満足する導電層を備えた画像表示装置を提供することを目的とする。 In the present invention, the functional film provided on the image display surface of the face plate satisfies the electrical function of (1) preventing the image display surface from being charged and (2) suppressing the increase in the amount of charge on the metal back. An object of the present invention is to provide an image display device provided with a conductive layer.

上記目的を達成するために本発明の画像表示装置は以下の構成を備える。 In order to achieve the above object, an image display apparatus of the present invention comprises the following arrangement.

即ち、電子放出素子を有する第１基板と、前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板と、前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面上に積層された、導電層と、を備え、前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い、事を特徴とする。 That is, a first substrate having an electron-emitting device, a second substrate having an anode electrode facing the electron-emitting device, and a second surface of the second substrate opposite to the first surface located on the first substrate side. A conductive layer laminated on the second surface, wherein the potential of the conductive layer is set lower than the potential of the anode electrode during image display, and the surface resistance of the conductive layer is It is characterized by being higher than the surface resistance of the anode electrode.

更に、前記第２基板の、前記第１面に、前記アノード電極から離れ且つ前記アノード電極の周りに、電位規定電極が設けられており、前記電位規定電極は、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低い電位に設定されることを特徴とする。 Furthermore, a potential regulating electrode is provided on the first surface of the second substrate, away from the anode electrode and around the anode electrode, and the potential regulating electrode is provided on the anode electrode at the time of image display. It is characterized by being set to a potential lower than the potential.

また、前記電位規定電極が、前記第２基板の前記アノード電極を取り囲むように設けられていることを特徴とする。 The potential regulating electrode is provided so as to surround the anode electrode of the second substrate.

前記導電層の電位及び／又は前記電位規定電極の電位が、グランド電位であることを特徴とする。 A potential of the conductive layer and / or a potential of the potential regulating electrode is a ground potential.

前記電位規定電極と前記アノード電極が、抵抗膜を介して接続されていることを特徴とする。 The potential regulating electrode and the anode electrode are connected via a resistance film.

さらに、前記第２基板の前記第２面側に設けられた、第３基板を備えており、前記第３基板は、前記第２面側において前記導電層と空間的に離れて設けられており、且つ、反射防止特性を有する事を特徴とする。 Furthermore, a third substrate provided on the second surface side of the second substrate is provided, and the third substrate is provided spatially separated from the conductive layer on the second surface side. And having antireflection characteristics.

さらに、前記導電層の前記第２基板側とは反対側に位置するように設けられ、且つ、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定される、導電性の反射防止層を有しており、前記反射防止層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い、ことを特徴とする。 And a conductive antireflection layer provided on the opposite side of the conductive layer from the second substrate side and set lower than the potential of the anode electrode during image display. The surface resistance of the antireflection layer is higher than the surface resistance of the anode electrode.

前記反射防止層の表面抵抗が、前記導電層の表面抵抗よりも高い、ことを特徴とする。 The antireflection layer has a surface resistance higher than that of the conductive layer.

前記導電層が絶縁性基体に固定されており、前記導電層が、前記第２基板の、前記第２面に、粘着層を介して取り付けられている、ことを特徴とする。 The conductive layer is fixed to an insulating substrate, and the conductive layer is attached to the second surface of the second substrate via an adhesive layer.

前記導電層は、絶縁性基体の或る面に固定されており、前記反射防止層が前記絶縁性基体のもう１つの面に固定されており、前記導電層は、前記第２基板の、第２面に、粘着層
を介して取り付けられている、ことを特徴とする。 The conductive layer is fixed to a certain surface of the insulating substrate, the antireflection layer is fixed to the other surface of the insulating substrate, and the conductive layer is formed on the second substrate. It is attached to the two surfaces via an adhesive layer.

また、本発明に係る機能付きフィルムは、電子放出素子を有する第１基板と前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板とを備える画像表示装置に設けられる機能付きフィルムであって、前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に設けられる導電層を備え、前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高いことを特徴とする。 The functional film according to the present invention is a functional film provided in an image display device including a first substrate having an electron-emitting device and a second substrate having an anode electrode facing the electron-emitting device, A conductive layer provided on a second surface side of the second substrate on a side opposite to the first surface positioned on the first substrate side, wherein the potential of the conductive layer is the anode at the time of image display It is set lower than the potential of the electrode, and the surface resistance of the conductive layer is higher than the surface resistance of the anode electrode.

また、本発明に係る画像表示装置の製造方法は、電子放出素子を有する第１基板と前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板とを備える表示パネルを用意する工程と、前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に導電層を設ける工程と、を有し、前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高いことを特徴とする。 According to another aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an image display device, comprising: preparing a display panel including a first substrate having an electron-emitting device and a second substrate having an anode electrode facing the electron-emitting device; And a step of providing a conductive layer on the second surface side, which is located on the opposite side of the first surface located on the first substrate side of the two substrates, and the potential of the conductive layer is at the time of image display It is set lower than the potential of the anode electrode, and the surface resistance of the conductive layer is higher than the surface resistance of the anode electrode.

本発明によれば、画像表示装置内部で万一放電が発生しても、アノード電極の電流制限効果を保つことができると共に、画像表示装置の画像表示面の電位の上昇を抑えることが可能である。 According to the present invention, even if a discharge occurs inside the image display device, the current limiting effect of the anode electrode can be maintained, and an increase in the potential of the image display surface of the image display device can be suppressed. is there.

以下、図面を参照して本発明の好適な実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In all the drawings of the following embodiments, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals.

（実施の形態１）
まず、この発明の第１の実施形態による画像表示装置について説明する。図１に、この第１の実施形態による画像表示装置の模式図を示す。 (Embodiment 1)
First, an image display apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described. FIG. 1 shows a schematic diagram of an image display apparatus according to the first embodiment.

本実施形態の画像表示装置は画像表示装置本体（表示パネル）１０００、駆動回路１０１０、及び、機能付きフィルム１０２０により構成される。図１では画像表示装置本体１０００と機能付きフィルム１０２０が離れているが、本来の構成は画像表示装置本体１０００の画像表示領域１００１に機能付きフィルム１０２０を接触させた構成となる。また、図１では、駆動回路１０１０を画像表示装置本体１０００の裏面に設けているが、駆動回路の配置位置はこのような配置位置に限定されるものではない。 The image display device of this embodiment includes an image display device main body (display panel) 1000, a drive circuit 1010, and a function-equipped film 1020. In FIG. 1, the image display device main body 1000 and the function-equipped film 1020 are separated from each other, but the original configuration is a configuration in which the function-equipped film 1020 is brought into contact with the image display region 1001 of the image display device main body 1000. In FIG. 1, the drive circuit 1010 is provided on the back surface of the image display apparatus main body 1000, but the arrangement position of the drive circuit is not limited to such an arrangement position.

本実施形態では、符号１０００で示す画像表示装置本体（表示パネル）に電子放出素子として表面伝導型電子放出素子を用いた例を示すが、その他の電子放出素子を用いることもできる。符号１００１は画像表示装置本体１０００の画像表示領域（第２基板の画像表示領域）を示す。 In this embodiment, an example in which a surface conduction electron-emitting device is used as an electron-emitting device in the image display apparatus main body (display panel) denoted by reference numeral 1000 is shown, but other electron-emitting devices can also be used. Reference numeral 1001 denotes an image display area of the image display apparatus main body 1000 (image display area of the second substrate).

図２に画像表示装置本体１０００の一部の断面模式図を示す。画像表示装置本体１０００は、電子放出素子１００６を有するリアプレート（第１基板）１００４と、メタルバック（アノード電極）１００７及び発光体膜１００８を有するフェースプレート（第２基板）１００３とを備える。図２に示すように、第１基板１００４と第２基板１００３が対向して配置されており、アノード電極１００７が電子放出素子１００６に対向している。 FIG. 2 is a schematic sectional view of a part of the image display apparatus main body 1000. The image display apparatus main body 1000 includes a rear plate (first substrate) 1004 having an electron-emitting device 1006 and a face plate (second substrate) 1003 having a metal back (anode electrode) 1007 and a light emitter film 1008. As shown in FIG. 2, the first substrate 1004 and the second substrate 1003 are disposed to face each other, and the anode electrode 1007 faces the electron-emitting device 1006.

そして、第２基板１００３と第１基板１００４との間の空間は、大気圧よりも低い圧力に維持され（好ましくは真空に維持され）ている。この空間を維持するために、第１基板１００４と第２基板１００３との間に、枠部材１００５が設けられている。そして、図２
には図示していないが、従来公知の大気圧支持部材（スペーサ）を設けることもできる。 The space between the second substrate 1003 and the first substrate 1004 is maintained at a pressure lower than atmospheric pressure (preferably maintained at a vacuum). In order to maintain this space, a frame member 1005 is provided between the first substrate 1004 and the second substrate 1003. And FIG.
Although not shown in the figure, a conventionally known atmospheric pressure support member (spacer) may be provided.

画像表示領域１００１は、フェースプレート（第２基板）１００３の上面（第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する面；第２面）の一部領域（発光体膜１００８からの発光が視認できる領域）である。 The image display region 1001 is a partial region (from the light emitter film 1008) of the upper surface of the face plate (second substrate) 1003 (surface opposite to the first surface located on the first substrate side; second surface). The region where the light emission can be visually recognized).

このように、画像表示装置本体の主要な構造は、図９で示した画像表示装置など、従来の画像表示装置と同様である。 Thus, the main structure of the image display device main body is the same as that of a conventional image display device such as the image display device shown in FIG.

リアプレート（第１基板）１００４とフェースプレート（第２基板）１００３としては、実用的には、ガラス基板を用いることができる。メタルバック（アノード電極）１００７としては、金属膜を用いることができ、実用的には、アルミ膜を用いることができる。 As a rear plate (first substrate) 1004 and a face plate (second substrate) 1003, a glass substrate can be practically used. As the metal back (anode electrode) 1007, a metal film can be used, and practically an aluminum film can be used.

図３には、図２で示した第２基板１００３の上面（第１基板側に位置する面とは反対側に位置する面；第２面）上に機能付きフィルム１０２０を設けた状態の一部断面模式図を示す。ここで説明する機能付きフィルム１０２０は、図１、図３に示す様に、第２基板１００３の上面（第２面）上に、視聴者側に向かって、順に、粘着層１０２１、導電層１０２２、絶縁性基体１０２３、反射防止層１０２４、保護層１０２５の順番で積層されている。すなわち、導電層１０２２、絶縁性基体１０２３、反射防止層１０２４、保護層１０２５は、第２基板１００３の第２面側に設けられており、反射防止層１０２４は導電層１０２２の第２基板側とは反対側に位置するように設けられているということである。また、導電層１０２２は、絶縁性基体１０２３の一方の面に固定されており、反射防止層１０２４が絶縁性基体１０２３の他方の面に固定されているということである。 FIG. 3 shows a state in which a functional film 1020 is provided on the upper surface of the second substrate 1003 shown in FIG. 2 (a surface positioned on the opposite side to the surface positioned on the first substrate side; the second surface). A partial cross-sectional schematic diagram is shown. As shown in FIGS. 1 and 3, the function-equipped film 1020 described here includes, in order, an adhesive layer 1021 and a conductive layer 1022 on the upper surface (second surface) of the second substrate 1003 toward the viewer side. The insulating base 1023, the antireflection layer 1024, and the protective layer 1025 are laminated in this order. That is, the conductive layer 1022, the insulating base 1023, the antireflection layer 1024, and the protective layer 1025 are provided on the second surface side of the second substrate 1003, and the antireflection layer 1024 is connected to the second substrate side of the conductive layer 1022. Means to be located on the opposite side. The conductive layer 1022 is fixed to one surface of the insulating substrate 1023, and the antireflection layer 1024 is fixed to the other surface of the insulating substrate 1023.

本実施形態では、機能付きフィルム１０２０として、複数の層が積層されたものを用いた例を示したが、機能付きフィルム１０２０は、少なくとも導電層１０２２を含んでいればよい。従って、基本的には、導電層１０２２以外の層は、必要に応じて適宜用いることができるものである。 In this embodiment, an example in which a film in which a plurality of layers are stacked is used as the function-equipped film 1020, but the function-equipped film 1020 only needs to include at least the conductive layer 1022. Therefore, basically, layers other than the conductive layer 1022 can be used as needed.

また、導電層１０２２が反射防止機能を併せもつこともできる。反射防止機能を導電層１０２２に持たせれば、反射防止層１０２４を省略することもできる。また、機能付きフィルムは、画像表示装置本体１０００を用意し、そのフェースプレート１００３の上面（第２面）上に貼り付けるものであることが好ましい。即ち、機能付きフィルムを、導電層１０２２と粘着層１０２１で構成し、粘着層１０２１を介して導電層１０２２を第２基板の画像表示領域を含む第２基板の上面（第２面）に貼付けるのが好ましい。 The conductive layer 1022 can also have an antireflection function. If the conductive layer 1022 has an antireflection function, the antireflection layer 1024 can be omitted. In addition, it is preferable that the film with a function is prepared by preparing the image display device main body 1000 and pasting it on the upper surface (second surface) of the face plate 1003. That is, a functional film is composed of a conductive layer 1022 and an adhesive layer 1021, and the conductive layer 1022 is attached to the upper surface (second surface) of the second substrate including the image display area of the second substrate via the adhesive layer 1021. Is preferred.

しかし、通常、導電層１０２２は非常に薄いので、画像表示装置本体１０００を形成した後にフェースプレート１００３の上面（第２面）上に貼り付けるのは困難である。そのため、上記導電層１０２２と粘着層１０２１とを絶縁性基体上に予め成膜することで、機能付きフィルムを構成することがより好ましい。 However, since the conductive layer 1022 is usually very thin, it is difficult to attach the conductive layer 1022 on the upper surface (second surface) of the face plate 1003 after the image display device main body 1000 is formed. Therefore, it is more preferable to form a film with a function by previously forming the conductive layer 1022 and the adhesive layer 1021 on an insulating substrate.

絶縁性基体としては、比較的剛性があり、絶縁性であり、光学的に透明であることが好ましい。機能付きフィルムがこのような構成であれば、図１や図３で示した多数の他の機能を有する層をさらに積層しても、機能付きフィルムをフェースプレート１００３の上面（第２面）上に貼り付け易くなる。 The insulating substrate is preferably relatively rigid, insulating, and optically transparent. If the functional film has such a configuration, the functional film is placed on the upper surface (second surface) of the face plate 1003 even if the layers having many other functions shown in FIGS. 1 and 3 are further laminated. It becomes easy to stick on.

また、導電層１０２２の電位は、画像表示時のアノード電極の電位よりも低く設定されることが好ましい。本実施形態では図３に示すように、機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２をグランドに繋がる不図示の電極に接地することで、機能付きフィルム１０２０の表面電位をグランド電位（０［Ｖ］）となるようにする。 The potential of the conductive layer 1022 is preferably set lower than the potential of the anode electrode during image display. In this embodiment, as shown in FIG. 3, the surface potential of the functional film 1020 is set to the ground potential (0 [V]) by grounding the conductive layer 1022 of the functional film 1020 to an electrode (not shown) connected to the ground. To be.

また、枠部材１００５の高さは実用的には５００μｍ以上１０ｍｍ以下であるが、本実施形態では枠部材１００５の高さを１ｍｍとした。 The height of the frame member 1005 is practically 500 μm or more and 10 mm or less, but in this embodiment, the height of the frame member 1005 is 1 mm.

ここで、メタルバック１００７に印加するアノード電圧を約１２ｋＶとしたため、フェースプレート１００３とリアプレート１００４の間の電界は１０^６（Ｖ／ｍ）以上の高電界となる。従って、画像表示装置内部に電界集中点が存在すると、予期しない放電が発生することがある。その結果、放電によりフェースプレート１００３上のメタルバック１００７の電荷がリアプレート１００４上の電子放出素子１００６や不図示の配線などへ流れ込んでしまう。すると、電子放出素子１００６の破壊や駆動回路の破壊を誘発することになり、画質上の大きな欠陥を引き起こす可能性がある。 Here, since the anode voltage applied to the metal back 1007 is about 12 kV, the electric field between the face plate 1003 and the rear plate 1004 becomes a high electric field of 10 ⁶ (V / m) or more. Therefore, if an electric field concentration point exists inside the image display device, an unexpected discharge may occur. As a result, the electric charge of the metal back 1007 on the face plate 1003 flows into the electron-emitting device 1006 on the rear plate 1004 or a wiring (not shown) due to the discharge. Then, destruction of the electron-emitting device 1006 and destruction of the driving circuit are induced, which may cause a large defect in image quality.

そこで、本実施形態ではメタルバック１００７の表面抵抗を１０^５（Ω／□）以上に設定する。それによって、画像表示装置に、万が一画像表示装置の内部で放電が発生しても一度に多量の電荷がリアプレート１００４上の電子放出素子１００６や不図示の配線や駆動回路などに流れ込まないように電流制限機能を持たせる。このようなメタルバック（アノード電極１００７）の表面抵抗を備える点が、本実施形態の画像表示装置本体（表示パネル）と従来の画像表示装置本体（表示パネル）との主要な差異の１つである。 Therefore, in the present embodiment, the surface resistance of the metal back 1007 is set to 10 ⁵ (Ω / □) or more. As a result, even if a discharge occurs in the image display device, a large amount of charge does not flow into the electron-emitting device 1006 on the rear plate 1004, wiring (not shown), or a drive circuit at a time. Provide a current limiting function. One of the main differences between the image display device main body (display panel) of the present embodiment and the conventional image display device main body (display panel) is that the surface resistance of the metal back (anode electrode 1007) is provided. is there.

尚、上記アノード電極１００７の表面抵抗は、アノード電極１００７上の２００ｍｍ×２００ｍｍエリアの、他の層の抵抗も合成された、シート抵抗を測定することで定義できる。具体的には２００ｍｍの長さをもつ２つの電極を、２００ｍｍ離間して、アノード電極１００７に接触させ、電極間の抵抗値を求めることで算出することができる。 The surface resistance of the anode electrode 1007 can be defined by measuring the sheet resistance obtained by combining the resistances of other layers in the 200 mm × 200 mm area on the anode electrode 1007. Specifically, two electrodes having a length of 200 mm are separated from each other by 200 mm and brought into contact with the anode electrode 1007, and the resistance value between the electrodes can be calculated.

上記のようなシート抵抗（表面抵抗）を増やすための手法としては、例えば、メタルバックを複数の領域に分割し、各領域間を抵抗体で接続する方法などの従来公知の手法を適宜採用することができる。 As a method for increasing the sheet resistance (surface resistance) as described above, for example, a conventionally known method such as a method of dividing the metal back into a plurality of regions and connecting each region with a resistor is appropriately employed. be able to.

そのような手法の一例は、例えば、特開２００５−２３５４７０号公報（米国特許出願公開第２００５／０１７９３９８）に開示されている。 An example of such a technique is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-235470 (US Patent Application Publication No. 2005/0179398).

図１０，１１は本発明を好ましく適用できるフェースプレートの構成を示す。図１０はリアプレート側から見たフェースプレートの平面図である。図１１は、図１０のＡ−Ａ’断面の一部を拡大した図である。なお、図１１にはリアプレート２１及び電子放出素子２３も図示している。 10 and 11 show the configuration of a face plate to which the present invention can be preferably applied. FIG. 10 is a plan view of the face plate viewed from the rear plate side. FIG. 11 is an enlarged view of a part of the A-A ′ cross section of FIG. 10. FIG. 11 also shows the rear plate 21 and the electron emitter 23.

図１０，１１に示すフェースプレートは例えば以下のような工程によって製造することができる。 The face plate shown in FIGS. 10 and 11 can be manufactured by the following processes, for example.

先ず、洗浄したガラス基板１１上に導電性領域として、スパッタリング法にてＩＴＯ膜１２を画像表示領域全面に成膜する。ＩＴＯ膜１２のシート抵抗値は例えば１００Ω／□とする。ＩＴＯ膜１２はその一部が高圧電源と接続されており、高圧電位（アノード電位）が供給される。 First, an ITO film 12 is formed on the entire surface of the image display area by sputtering as a conductive area on the cleaned glass substrate 11. The sheet resistance value of the ITO film 12 is, for example, 100Ω / □. A portion of the ITO film 12 is connected to a high voltage power source, and a high voltage potential (anode potential) is supplied.

次に、銀粒子及びガラスフリットを含むペーストを、スクリーン印刷法にて、図１０に示すようにＩＴＯ膜１２を囲む様に印刷し、４００℃にて焼成を行い、電位規定電極１００を形成する。電位規定電極１００は幅２ｍｍとし、ＩＴＯ膜１２の外周から４ｍｍ離れるように形成する。電位規定電極１００の抵抗値としては１Ω以下とする。なお、電位規定電極１００を設ける理由については後述する。 Next, a paste containing silver particles and glass frit is printed by screen printing so as to surround the ITO film 12 as shown in FIG. 10 and baked at 400 ° C. to form the potential regulating electrode 100. . The potential regulating electrode 100 has a width of 2 mm and is formed 4 mm away from the outer periphery of the ITO film 12. The resistance value of the potential regulating electrode 100 is 1Ω or less. The reason for providing the potential regulating electrode 100 will be described later.

次に間隔規定部材として、酸化ルテニウムペーストを用い、スクリーン印刷法にて厚さ１０μｍ、幅２５０μｍ、２００μｍ×２００μｍの開口部を有する格子状の開口部を備える、高抵抗なブラックマトリクス１３を形成する。 Next, a ruthenium oxide paste is used as a gap defining member, and a high-resistance black matrix 13 having a grid-like opening having openings of 10 μm thickness, 250 μm width, 200 μm × 200 μm is formed by screen printing. .

次にスクリーン印刷法により、Ｒ，Ｇ，Ｂの各蛍光体１４を１色づつ３回に分けて厚さ１０μｍになるように、上記ブラックマトリクス１３の各開口部に充填する。スクリーン印刷法を用いて蛍光体を充填することができるが、もちろんこれに限定される訳ではなく、例えばフォトリソグラフィー法などを用いても良い。また蛍光体１４はＣＲＴの分野で用いられているＰ２２の蛍光体を用いる。蛍光体としては、赤色（Ｐ２２−ＲＥ３；Ｙ₂
Ｏ₂Ｓ：Ｅｕ³⁺）、青色（Ｐ２２−Ｂ２；ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ）、緑色（Ｐ２２−ＧＮ４
；ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ）のものを用いる。 Next, each of the R, G, and B phosphors 14 is filled in each opening of the black matrix 13 by a screen printing method so that the thickness is 10 μm divided into three times for each color. The phosphor can be filled using a screen printing method, but of course not limited to this. For example, a photolithography method may be used. The phosphor 14 is a P22 phosphor used in the field of CRT. As the phosphor, red (P22-RE3; Y ₂
O ₂ S: Eu ³⁺ ), blue (P22-B2; ZnS: Ag, Al), green (P22-GN4)
ZnS: Cu, Al) is used.

次に、ブラウン管の製造技術として公知であるフィルミング工程（ラッカー（lacquer)等による平滑化処理）により、樹脂膜をブラックマトリクス１３及び蛍光体１４上に成膜する。そして、その後に、Ａｌ膜を蒸着法により上記樹脂膜上に堆積させる。そして、最後に樹脂膜を熱分解させて除去する事により、厚さ１００ｎｍの導電性膜（Ａｌ膜）をブラックマトリクス１３及び蛍光体１４上に配置する。 Next, a resin film is formed on the black matrix 13 and the phosphor 14 by a filming process (a smoothing process using a lacquer or the like) known as a cathode ray tube manufacturing technique. Thereafter, an Al film is deposited on the resin film by a vapor deposition method. Finally, the resin film is thermally decomposed and removed, whereby a conductive film (Al film) having a thickness of 100 nm is disposed on the black matrix 13 and the phosphor 14.

その後、ＹＡＧレーザー加工機にて、上記導電性膜（Ａｌ膜）を切断し、絵素毎の導電性膜１５に分割する。 Thereafter, the YAG laser beam machine cuts the conductive film (Al film) and divides it into conductive films 15 for each picture element.

このようにすることで、図１０，１１に示したフェースプレートを形成することができる。アノード電極の抵抗値は、各部材の大きさや材料を適宜選択することで、所定の値とすることができる。 Thus, the face plate shown in FIGS. 10 and 11 can be formed. The resistance value of the anode electrode can be set to a predetermined value by appropriately selecting the size and material of each member.

図８は、本実施形態の画像表示装置における第２基板（フェースプレート）１００３を電子放出素子１００６側から見た平面模式図である。本実施形態の画像表示装置でも、図８に示す様に、フェースプレート１００３の第１面に、アノード電極１００７と所定距離離れて電位規定電極を設けることが好ましい。電位規定電極は、アノード電極１００７の周りに配置される。換言すると、アノード電極１００７の外周とフェースプレート１００３の外周との間に、アノード電極１００７と所定距離離れて電位規定電極を設けることが好ましい。 FIG. 8 is a schematic plan view of the second substrate (face plate) 1003 in the image display apparatus according to the present embodiment as viewed from the electron-emitting device 1006 side. Also in the image display device of this embodiment, as shown in FIG. 8, it is preferable to provide a potential regulating electrode on the first surface of the face plate 1003 at a predetermined distance from the anode electrode 1007. The potential regulating electrode is disposed around the anode electrode 1007. In other words, it is preferable to provide a potential regulating electrode between the outer periphery of the anode electrode 1007 and the outer periphery of the face plate 1003 at a predetermined distance from the anode electrode 1007.

そして、電位規定電極を設ける場合には、図８に示す様に、アノード電極１００７の外周を取り囲むように、電位規定電極を配置することがより好ましい。 When the potential regulating electrode is provided, it is more preferable to arrange the potential regulating electrode so as to surround the outer periphery of the anode electrode 1007 as shown in FIG.

電位規定電極は、実用的には、フェースプレート上の枠部材１００５が固定される領域の内側に設けられる。尚、図８でも、枠部材１００５が固定される領域と電位規定電極とが所定距離離れて設けられているが、電位規定電極の一部が、枠部材１００５が固定される領域の一部領域にまで延在していてもよい。また、電位規定電極の一部が、枠部材１００５が固定される領域の全ての領域に延在していてもよい。 The potential regulating electrode is practically provided inside a region where the frame member 1005 on the face plate is fixed. In FIG. 8, the region where the frame member 1005 is fixed and the potential regulating electrode are provided at a predetermined distance, but a part of the potential regulating electrode is a partial region of the region where the frame member 1005 is fixed. It may extend to. In addition, a part of the potential regulating electrode may extend to all regions where the frame member 1005 is fixed.

このような電位規定電極を設けることで、アノード電極１００７と枠部材との間などで生じる電界を抑制することができる。その結果、枠部材１００５とアノード電極１００７との距離を縮めることができる。 By providing such a potential regulating electrode, an electric field generated between the anode electrode 1007 and the frame member can be suppressed. As a result, the distance between the frame member 1005 and the anode electrode 1007 can be reduced.

一方で、このような電位規定電極は、画像表示装置の駆動時（画像表示時）において、アノード電極の電位よりも十分に低い電位に維持される。典型的には、電位規定電極の電位はグランド電位に維持される。そのため、電位規定電極のアノード電極側の端部は高電界にさらされることになり、電位規定電極とアノード電極との間で放電が発生してしまう
場合がある。 On the other hand, such a potential regulating electrode is maintained at a potential sufficiently lower than the potential of the anode electrode when the image display device is driven (image display). Typically, the potential of the potential regulating electrode is maintained at the ground potential. Therefore, the end of the potential regulating electrode on the anode electrode side is exposed to a high electric field, and a discharge may occur between the potential regulating electrode and the anode electrode.

そこで、電位規定電極のアノード電極側の端部に生じる電界強度を緩和するために、本実施形態では、機能付きフィルム１０２０を構成する導電性の膜で、第２基板１００３の上面（第２面）の全て又はほぼ全てを覆う様にする事が好ましい。換言すると、機能付きフィルム１０２０を構成する導電性の膜が、第２基板１００３の画像表示領域上だけでなく、電位規定電極のアノード電極側端部の真上に位置する、第２基板１００３の上面（第２面）も、覆う様にする事が好ましい。この様にすることで、電位規定電極のアノード電極側の端部に生じる電界強度を緩和することができる。尚、機能付きフィルム１０２０を構成する導電性の膜としては、例えば、導電層１０２２や導電性の反射防止層１０２４などが挙げられる。 Therefore, in this embodiment, in order to relax the electric field strength generated at the end of the potential regulating electrode on the anode electrode side, the upper surface (second surface) of the second substrate 1003 is a conductive film constituting the functional film 1020. It is preferable to cover all or almost all of the above. In other words, the conductive film constituting the functional film 1020 is not only on the image display area of the second substrate 1003 but also on the anode electrode side end of the potential regulating electrode, on the second substrate 1003. It is preferable that the upper surface (second surface) is also covered. By doing so, the electric field strength generated at the end of the potential regulating electrode on the anode electrode side can be relaxed. Examples of the conductive film constituting the functional film 1020 include a conductive layer 1022 and a conductive antireflection layer 1024.

また、図８に示した構成では、アノード電極１００７と所定距離離れて電位規定電極を設けているため、第２基板１００３の表面が、アノード電極１００７と電位規定電極との間で露出する構成となっている。第２基板は通常ガラス基板が使われる。そのため、絶縁性の表面がアノード電極１００７と電位規定電極との間で露出する。絶縁性の表面は帯電し易く、電位の制御が難しい。 In the configuration shown in FIG. 8, since the potential regulating electrode is provided at a predetermined distance from the anode electrode 1007, the surface of the second substrate 1003 is exposed between the anode electrode 1007 and the potential regulating electrode. It has become. A glass substrate is usually used as the second substrate. Therefore, the insulating surface is exposed between the anode electrode 1007 and the potential regulating electrode. The insulating surface is easily charged and it is difficult to control the potential.

そこで、アノード電極１００７と電位規定電極との間で露出する、第２基板１００３の表面（第１面）を抵抗膜で覆うことが好ましい。換言すると、アノード電極１００７と電位規定電極とを抵抗膜を介して接続することが好ましい。抵抗膜のシート抵抗としては、実用的には、１×１０^７以上１×１０^１５以下に設定される。 Therefore, it is preferable to cover the surface (first surface) of the second substrate 1003 exposed between the anode electrode 1007 and the potential regulating electrode with a resistance film. In other words, the anode electrode 1007 and the potential regulating electrode are preferably connected via the resistance film. The sheet resistance of the resistive film is practically set to 1 × 10 ⁷ or more and 1 × 10 ¹⁵ or less.

従って、図８に示す様に、アノード電極１００７の外周を取り囲むように電位規定電極を配置する場合には、上記抵抗膜で、アノード電極１００７の外周を取り囲む構成となる。 Therefore, as shown in FIG. 8, when the potential regulating electrode is arranged so as to surround the outer periphery of the anode electrode 1007, the resistance film surrounds the outer periphery of the anode electrode 1007.

そして、本実施形態では、アノード電極の電流制限機能を維持するため、機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２の表面抵抗を所定の関係に設定する。即ち、導電層１０２２の表面抵抗を、アノード電極の表面抵抗よりも高い表面抵抗に設定する。 In this embodiment, in order to maintain the current limiting function of the anode electrode, the surface resistance of the conductive layer 1022 of the functional film 1020 is set to a predetermined relationship. That is, the surface resistance of the conductive layer 1022 is set to be higher than the surface resistance of the anode electrode.

なお、導電層１０２２の表面抵抗値はアノード電極の表面抵抗値よりも１桁以上高く且つ１×１０^８（Ω／□）以下とすることが好ましい。機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２の表面抵抗値は、後述する値に限定される必要はない。メタルバック１００７の表面抵抗、画像表示装置表面の最大許容到達電位、画像表示装置表面の電位が安定するまでの緩和時間などによって導電層１０２２の表面抵抗値は適宜設定することができる。 Note that the surface resistance value of the conductive layer 1022 is preferably higher by one digit or more than the surface resistance value of the anode electrode and 1 × 10 ⁸ (Ω / □) or less. The surface resistance value of the conductive layer 1022 of the functional film 1020 need not be limited to the value described below. The surface resistance value of the conductive layer 1022 can be set as appropriate depending on the surface resistance of the metal back 1007, the maximum allowable reached potential on the surface of the image display device, the relaxation time until the potential on the surface of the image display device is stabilized, and the like.

導電層１０２２の実用的な表面抵抗の値は具体的には、アノード電極の表面抵抗が１０^４〜６（Ω／□）程度の場合、１×１０^６（Ω／□）以上１×１０^８（Ω／□）以下とすることが好ましい。 Specifically, the practical surface resistance value of the conductive layer 1022 is 1 × 10 ⁶ (Ω / □) or more and 1 × 10 ⁸ when the surface resistance of the anode electrode is about 10 ^{4 to} ⁶ (Ω / □). (Ω / □) or less is preferable.

また、図３に示すように、機能付きフィルム１０２０が導電層１０２２に加え、導電性の反射防止層１０２４を備える場合には、反射防止層の表面抵抗もアノード電極の表面抵抗よりも高い表面抵抗に設定する。 In addition, as shown in FIG. 3, when the functional film 1020 includes a conductive antireflection layer 1024 in addition to the conductive layer 1022, the surface resistance of the antireflection layer is higher than the surface resistance of the anode electrode. Set to.

具体的には、アノード電極の表面抵抗が１０^４〜６（Ω／□）程度の場合、導電性の反射防止層の表面抵抗は１×１０^９（Ω／□）以上１×１０^１４（Ω／□）以下とすることが好ましい。 Specifically, when the surface resistance of the anode electrode is about 10 ^{4 to 6} (Ω / □), the surface resistance of the conductive antireflection layer is 1 × 10 ⁹ (Ω / □) or more and 1 × 10 ¹⁴ (Ω / □) The following is preferable.

導電層や導電性の反射防止層の表面抵抗の測定方法は、アノード電極の表面抵抗の測定
方法と同様、２００ｍｍの長さをもつ２つの電極を、２００ｍｍ離間して、導電層や反射防止層に接触させ、電極間の抵抗値を求める事で算出できる。 The measurement method of the surface resistance of the conductive layer or the conductive antireflection layer is the same as the measurement method of the surface resistance of the anode electrode. Two electrodes having a length of 200 mm are separated by 200 mm, and the conductive layer or antireflection layer is measured. It can be calculated by obtaining the resistance value between the electrodes.

機能付きフィルム１０２０が導電層１０２２や導電性の反射防止層１０２４を備える場合、機能付きフィルム１０２０の表面抵抗をメタルバック１００７の表面抵抗よりも低く設定すると、見かけ上メタルバックの電荷量が大幅に増えることになる。その結果、万が一画像表示装置内部で放電が発生した際には、メタルバック１００７による電流制限効果が低減する。よって、機能付きフィルム１０２０の表面抵抗はメタルバック１００７の表面抵抗に比べて十分に高いことが望ましい。 When the functional film 1020 includes the conductive layer 1022 and the conductive antireflection layer 1024, if the surface resistance of the functional film 1020 is set lower than the surface resistance of the metal back 1007, the apparent amount of charge of the metal back is significantly increased. Will increase. As a result, if a discharge occurs inside the image display device, the current limiting effect by the metal back 1007 is reduced. Therefore, it is desirable that the surface resistance of the functional film 1020 be sufficiently higher than the surface resistance of the metal back 1007.

通常、機能付きフィルム１０２０は少なくとも導電層１０２２を備える。そして、機能付きフィルム１０２０は、さらに、導電性の反射防止層１０２４などの導電性の膜を単数または複数備える場合もある。従って、機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２や導電性の反射防止層１０２４などの導電性の膜の表面抵抗を、いずれも、前述したように、メタルバック１００７の表面抵抗に比べて１桁以上高く設定する事が好ましい。 In general, the functional film 1020 includes at least a conductive layer 1022. The function-equipped film 1020 may further include one or more conductive films such as a conductive antireflection layer 1024. Therefore, as described above, the surface resistance of the conductive film such as the conductive layer 1022 of the functional film 1020 and the conductive antireflection layer 1024 is higher by one digit or more than the surface resistance of the metal back 1007 as described above. It is preferable to set.

本実施形態においては、導電層１０２２をグランドに接地して画像表示装置表面の電位を規定するため、導電層１０２２の表面抵抗を反射防止層１０２４の表面抵抗よりも低く設定した。 In the present embodiment, the surface resistance of the conductive layer 1022 is set lower than the surface resistance of the antireflection layer 1024 in order to regulate the potential of the surface of the image display device by grounding the conductive layer 1022 to the ground.

機能付きフィルム１０２０が、導電層１０２２と導電性の反射防止層１０２４とを備える場合における、機能付きフィルム１０２０とフェースプレート１００３の等価回路を図４に示す。 FIG. 4 shows an equivalent circuit of the functional film 1020 and the face plate 1003 when the functional film 1020 includes the conductive layer 1022 and the conductive antireflection layer 1024.

導電層１０２２、導電性の反射防止層１０２４を上記した表面抵抗の範囲に設定することで、放電発生時のメタルバック１００７による電流制限効果を損なうことなく、表面の電位を規定することが可能となる。 By setting the conductive layer 1022 and the conductive antireflection layer 1024 within the above-described surface resistance range, the surface potential can be defined without impairing the current limiting effect of the metal back 1007 when a discharge occurs. Become.

図５に画像表示装置表面の電位と導電層１０２２の抵抗との相関を示す。また、図６に放電によりリアプレートに流れ込む電荷量と導電層１０２２の抵抗との相関を示す。尚、図５および図６ともに、画像表示面の大きさ（対角）が５５インチの場合において、アノード電極の表面抵抗を１０^５（Ω／□）程度として算出している。 FIG. 5 shows the correlation between the potential of the surface of the image display device and the resistance of the conductive layer 1022. FIG. 6 shows the correlation between the amount of charge flowing into the rear plate due to discharge and the resistance of the conductive layer 1022. In both FIGS. 5 and 6, the surface resistance of the anode electrode is calculated to be about 10 ⁵ (Ω / □) when the size (diagonal) of the image display surface is 55 inches.

図５において、Ａは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０^６Ω／□である場合、Ｂは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０^７Ω／□である場合、Ｃは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０^８Ω／□である場合を示している。また、Ｄは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０^９Ω／□である場合、Ｅは導電層１０２２の表面抵抗が１×１０^１０Ω／□である場合を示している。 In FIG. 5, A is when the surface resistance of the conductive layer 1022 is 1 × 10 ⁶ Ω / □, B is when the surface resistance of the conductive layer 1022 is 1 × 10 ⁷ Ω / □, and C is The case where the surface resistance is 1 × 10 ⁸ Ω / □ is shown. D indicates the case where the surface resistance of the conductive layer 1022 is 1 × 10 ⁹ Ω / □, and E indicates the case where the surface resistance of the conductive layer 1022 is 1 × 10 ¹⁰ Ω / □.

図５から、画像表示装置の駆動電源（アノード電源）を投入した直後数秒で画像表示装置の中央部の表面電位を十分に低い電位に下げるためには、シート抵抗が１×１０^８（Ω／□）以下が望ましいことが分かる。 From FIG. 5, in order to reduce the surface potential of the central portion of the image display device to a sufficiently low potential within a few seconds immediately after the drive power (anode power) of the image display device is turned on, the sheet resistance is 1 × 10 ⁸ (Ω / □) The following is desirable.

一方、図６から、シート抵抗が１×１０^６（Ω／□）以上であれば、放電時にリアプレート側に移動する電荷が十分に低減され、１×１０^６（Ω／□）以上に表面抵抗を上げてもほとんど減少しないことがわかる。 On the other hand, from FIG. 6, if the sheet resistance is 1 × 10 ⁶ (Ω / □) or more, the charge moving to the rear plate side during discharge is sufficiently reduced, and the surface is 1 × 10 ⁶ (Ω / □) or more. It can be seen that even if the resistance is increased, there is almost no decrease.

従って、アノード電極の表面抵抗が１０^５（Ω／□）程度の場合、導電層１０２２の表面抵抗は１×１０^６（Ω／□）以上１×１０^８（Ω／□）以下とすることが好ましい。また、機能付きフィルムが導電層１０２２に加え、他の導電性の膜を備えた場合においても
、機能付きフィルムを構成するそれぞれの導電性の膜の表面抵抗値を１×１０^６（Ω／□）以上１×１０^８（Ω／□）以下とする。この様にすることで、放電時の被害が低減され、電源投入直後に表示領域の表面電位を十分に低い電位に下げることができる。 Therefore, when the surface resistance of the anode electrode is about 10 ⁵ (Ω / □), the surface resistance of the conductive layer 1022 should be 1 × 10 ⁶ (Ω / □) to 1 × 10 ⁸ (Ω / □). preferable. Further, even when the functional film includes another conductive film in addition to the conductive layer 1022, the surface resistance value of each conductive film constituting the functional film is set to 1 × 10 ⁶ (Ω / □). ) 1 × 10 ⁸ (Ω / □) or less. By doing so, damage during discharge is reduced, and the surface potential of the display area can be lowered to a sufficiently low potential immediately after the power is turned on.

本実施形態の画像表示装置によれば、安定した表示画像を長期に渡って維持することができる。 According to the image display device of the present embodiment, a stable display image can be maintained for a long time.

（実施の形態２）
次に、この発明の第２の実施形態による画像表示装置について説明する。 (Embodiment 2)
Next explained is an image display device according to the second embodiment of the invention.

図７に第２の実施の形態による画像表示装置の一部断面模式図を示す。基本的な機能としては、実施の形態１で示した構成に準ずるが、反射防止機能を前面板（第３基板）１０２６に持たせた構成であり、フェースプレート上に直接設置される機能付きフィルムには反射防止機能は含まれない。即ち、反射防止特性を備えた前面板（第３基板）１０２６は、第２基板（フェースプレート）１００３の第２面側に設けられる。 FIG. 7 is a schematic partial cross-sectional view of an image display device according to the second embodiment. The basic function is the same as the structure shown in Embodiment Mode 1, but is a structure in which the front plate (third substrate) 1026 has an antireflection function, and is a film with a function that is directly installed on the face plate. Does not include anti-reflection function. In other words, the front plate (third substrate) 1026 having antireflection characteristics is provided on the second surface side of the second substrate (face plate) 1003.

前面板１０２６は、光学的に透明な基板であり、第２基板（フェースプレート）の第２面側において導電層から空間的に離れて設けられている。換言すれば、前面板１０２６は、機能付きフィルムから空間的に離れて設けられている。前面板１０２６は、例えば、ポリカーボネートを用いることができる。 The front plate 1026 is an optically transparent substrate, and is provided spatially separated from the conductive layer on the second surface side of the second substrate (face plate). In other words, the front plate 1026 is provided spatially away from the functional film. For the front plate 1026, for example, polycarbonate can be used.

従って、各層の表面抵抗の制約としては実施の形態１に準ずる範囲となり、導電層１０２２の抵抗が、メタルバック１００７の抵抗よりも大きい必要がある。 Therefore, the restriction of the surface resistance of each layer is in a range similar to that of Embodiment 1, and the resistance of the conductive layer 1022 needs to be larger than the resistance of the metal back 1007.

本実施形態ではメタルバック１００７の表面抵抗を１×１０^５（Ω／□）とし、機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２の表面抵抗を１×１０^６（Ω／□）以上１×１０^８（Ω／□）以下とした。 In this embodiment, the surface resistance of the metal back 1007 is 1 × 10 ⁵ (Ω / □), and the surface resistance of the conductive layer 1022 of the functional film 1020 is 1 × 10 ⁶ (Ω / □) to 1 × 10 ⁸ (Ω). / □) Below.

機能付きフィルム１０２０の導電層１０２２の表面抵抗値としては、勿論、本実施形態で設定した値にこだわる必要はない。メタルバック１００７の表面抵抗、画像表示装置表面の最大許容到達電位、画像表示装置表面の電位が安定するまでの緩和時間などによって適宜設定される。即ち、表面抵抗値の関係が、”メタルバック１００７の表面抵抗値＜導電層１０２２の表面抵抗値”の関係を満たしていれば、画像表示装置内部で発生する放電時の電流制限機能を損なうことは無く、画像表示装置の表面電位を規定することが可能である。 Needless to say, the surface resistance value of the conductive layer 1022 of the functional film 1020 need not be set to the value set in this embodiment. It is set as appropriate depending on the surface resistance of the metal back 1007, the maximum allowable reaching potential on the surface of the image display device, the relaxation time until the potential on the surface of the image display device is stabilized. That is, if the relationship between the surface resistance values satisfies the relationship “the surface resistance value of the metal back 1007 <the surface resistance value of the conductive layer 1022”, the current limiting function at the time of discharge generated inside the image display device is impaired. The surface potential of the image display device can be defined.

図１は本発明の第１の実施形態に係る画像表示装置の模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram of an image display apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図２は画像表示装置本体の断面を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic view showing a cross section of the image display apparatus main body. 図３は本発明の第１の実施形態に係る画像表示装置の断面模式図である。FIG. 3 is a schematic sectional view of the image display apparatus according to the first embodiment of the present invention. 図４は機能付きフィルム及びフェースプレートの等価回路を示すの図である。FIG. 4 is a diagram showing an equivalent circuit of the functional film and the face plate. 図５は画像表示装置表面の電位と導電層の抵抗との相関を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the correlation between the potential of the surface of the image display device and the resistance of the conductive layer. 図６は放電によりリアプレートに流れ込む電荷量と導電層の抵抗との相関を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing the correlation between the amount of charge flowing into the rear plate due to discharge and the resistance of the conductive layer. 図７は本発明の第２の実施形態に係る画像表示装置の断面を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic view showing a cross section of an image display apparatus according to the second embodiment of the present invention. 図８はフェースプレートの平面模式図である。FIG. 8 is a schematic plan view of the face plate. 図９は従来の画像表示装置の表示パネルの一例を示す斜線図である。FIG. 9 is a hatched diagram showing an example of a display panel of a conventional image display apparatus. 図１０は、リアプレート側から見たフェースプレートの平面図である。FIG. 10 is a plan view of the face plate viewed from the rear plate side. 図１１は、図１０中のＡ−Ａ’断面を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a cross section taken along line A-A ′ in FIG. 10.

符号の説明Explanation of symbols

１１ガラス基板
１２ＩＴＯ膜
１３ブラックマトリクス
１４蛍光体
１５導電性膜
２１リアプレート
２３電子放出素子
１００電位規定電極
１０００画像表示装置本体
１００１画像表示領域
１００３フェースプレート
１００４リアプレート
１００５枠部材
１００６電子放出素子
１００７メタルバック
１００８発光体膜
１０１０駆動回路
１０２０機能付きフィルム
１０２１粘着層
１０２２導電層
１０２３絶縁性基体
１０２４反射防止層
１０２５保護層
１０２６前面板
１０００２電子放出素子
１０００３行配線
１０００４列配線
１０００５リアプレート
１０００６側壁
１０００７フェースプレート
１０００８発光体膜
１０００９メタルバック DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Glass substrate 12 ITO film | membrane 13 Black matrix 14 Phosphor 15 Conductive film | membrane 21 Rear plate 23 Electron emission element 100 Potential regulation electrode 1000 Image display apparatus main body 1001 Image display area 1003 Faceplate 1004 Rear plate 1005 Frame member 1006 Electron emission element 1007 Metal Back 1008 Light Emitter Film 1010 Drive Circuit 1020 Functional Film 1021 Adhesive Layer 1022 Conductive Layer 1023 Insulating Substrate 1024 Antireflection Layer 1025 Protective Layer 1026 Front Plate 10002 Electron Emitting Element 10003 Row Wiring 10004 Column Wiring 10005 Rear Plate 10006 Side Wall 10007 Face Plate 10008 Light emitter film 10009 Metal back

Claims

電子放出素子を有する第１基板と、
前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板と、
前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に設けられた、導電層と、
を備え、
前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、
前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする画像表示装置。 A first substrate having an electron-emitting device;
A second substrate having an anode electrode facing the electron-emitting device;
A conductive layer provided on the second surface side of the second substrate located on the opposite side of the first surface located on the first substrate side;
With
The potential of the conductive layer is set lower than the potential of the anode electrode during image display,
The image display device characterized in that the surface resistance of the conductive layer is higher than the surface resistance of the anode electrode.

前記第２基板の前記第１面に、前記アノード電極から離れ且つ前記アノード電極の周りに、電位規定電極が設けられており、
前記電位規定電極は、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低い電位に設定される
ことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。 A potential regulating electrode is provided on the first surface of the second substrate, away from the anode electrode and around the anode electrode,
The image display device according to claim 1, wherein the potential regulating electrode is set to a potential lower than the potential of the anode electrode during image display.

前記電位規定電極が、前記第２基板の前記アノード電極を取り囲むように設けられている
ことを特徴とする請求項２に記載の画像表示装置。 The image display apparatus according to claim 2, wherein the potential regulating electrode is provided so as to surround the anode electrode of the second substrate.

前記電位規定電極の電位は、グランド電位である
ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の画像表示装置。 The image display device according to claim 2, wherein the potential regulating electrode has a ground potential.

前記電位規定電極と前記アノード電極が、抵抗膜を介して接続されている
ことを特徴とする請求項２〜４のいずれか１項に記載の画像表示装置。 The image display apparatus according to claim 2, wherein the potential regulating electrode and the anode electrode are connected via a resistance film.

前記導電層の電位が、グランド電位である
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の画像表示装置。 The image display device according to claim 1, wherein the potential of the conductive layer is a ground potential.

前記第２基板の前記第２面側に設けられた、第３基板をさらに備えており、
前記第３基板は、前記第２面側において前記導電層と空間的に離れて設けられており、且つ、反射防止特性を有する
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像表示装置。 A third substrate provided on the second surface side of the second substrate;
The said 3rd board | substrate is spaced apart from the said conductive layer in the said 2nd surface side, and has an antireflection characteristic, The any one of Claims 1-6 characterized by the above-mentioned. Image display device.

前記導電層の前記第２基板側とは反対側に位置するように設けられ、且つ、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定される、導電性の反射防止層をさらに有しており、
前記反射防止層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の画像表示装置。 A conductive antireflection layer provided on the opposite side of the conductive layer to the second substrate side and set lower than the potential of the anode electrode during image display; And
The image display device according to claim 1, wherein a surface resistance of the antireflection layer is higher than a surface resistance of the anode electrode.

前記反射防止層の表面抵抗が、前記導電層の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする請求項８に記載の画像表示装置。 The image display device according to claim 8, wherein a surface resistance of the antireflection layer is higher than a surface resistance of the conductive layer.

前記導電層が絶縁性基体に固定されており、
前記導電層が、前記第２基板の前記第２面に、粘着層を介して取り付けられている
ことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の画像表示装置。 The conductive layer is fixed to an insulating substrate;
The image display device according to claim 1, wherein the conductive layer is attached to the second surface of the second substrate via an adhesive layer.

前記導電層は、絶縁性基体の一方の面に固定されており、前記反射防止層が前記絶縁性基体の他方の面に固定されており、
前記導電層は、前記第２基板の第２面に、粘着層を介して取り付けられている
ことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の画像表示装置。 The conductive layer is fixed to one surface of the insulating substrate, the antireflection layer is fixed to the other surface of the insulating substrate,
The image display device according to claim 8, wherein the conductive layer is attached to the second surface of the second substrate via an adhesive layer.

電子放出素子を有する第１基板と前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板とを備える画像表示装置に設けられる機能付きフィルムであって、
前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に設けられる導電層を備え、
前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、
前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする機能付きフィルム。 A film with a function provided in an image display device comprising a first substrate having an electron-emitting device and a second substrate having an anode electrode facing the electron-emitting device,
A conductive layer provided on the second surface side of the second substrate, located on the opposite side of the first surface located on the first substrate side;
The potential of the conductive layer is set lower than the potential of the anode electrode during image display,
A film with a function, wherein a surface resistance of the conductive layer is higher than a surface resistance of the anode electrode.

電子放出素子を有する第１基板と前記電子放出素子に対向するアノード電極を有する第２基板とを備える表示パネルを用意する工程と、
前記第２基板の、前記第１基板側に位置する第１面とは反対側に位置する、第２面側に導電層を設ける工程と、
を有し、
前記導電層の電位が、画像表示時の前記アノード電極の電位よりも低く設定され、
前記導電層の表面抵抗が、前記アノード電極の表面抵抗よりも高い
ことを特徴とする画像表示装置の製造方法。 Providing a display panel comprising a first substrate having an electron-emitting device and a second substrate having an anode electrode facing the electron-emitting device;
Providing a conductive layer on the second surface side of the second substrate located on the opposite side of the first surface located on the first substrate side;
Have
The potential of the conductive layer is set lower than the potential of the anode electrode during image display,
The method for manufacturing an image display device, wherein the surface resistance of the conductive layer is higher than the surface resistance of the anode electrode.