JP2008169095A - 光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法 - Google Patents
光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008169095A JP2008169095A JP2007005263A JP2007005263A JP2008169095A JP 2008169095 A JP2008169095 A JP 2008169095A JP 2007005263 A JP2007005263 A JP 2007005263A JP 2007005263 A JP2007005263 A JP 2007005263A JP 2008169095 A JP2008169095 A JP 2008169095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- lithium tetraborate
- crystal
- tetraborate single
- melt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
【課題】 光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法において、融液から結晶を引き離す際にクラックの発生を防ぐこと。
【解決手段】 チョクラルスキー法によりるつぼ内の融液から光学用四ほう酸リチウム単結晶を引き上げ育成する方法であって、結晶径を一定にした直胴部C2を育成する工程と、直胴部C2よりも結晶径を漸次小さくしたテール部C3を育成する工程と、育成した光学用四ほう酸リチウム単結晶を融液から引き離す工程とを有し、該引き離す工程において、結晶径が直胴部C2の80%以下までテール部C3を育成すると共に、テール部C3の引き上げ方向に対する外周面の形成角度θを5度から75度までの範囲に設定する。
【選択図】 図2
【解決手段】 チョクラルスキー法によりるつぼ内の融液から光学用四ほう酸リチウム単結晶を引き上げ育成する方法であって、結晶径を一定にした直胴部C2を育成する工程と、直胴部C2よりも結晶径を漸次小さくしたテール部C3を育成する工程と、育成した光学用四ほう酸リチウム単結晶を融液から引き離す工程とを有し、該引き離す工程において、結晶径が直胴部C2の80%以下までテール部C3を育成すると共に、テール部C3の引き上げ方向に対する外周面の形成角度θを5度から75度までの範囲に設定する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、Nd:YAGレーザ等の高調波発生に用いる光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法に関するものである。
四ほう酸リチウム単結晶(Li2B4O7:以下、LB4とも称す)は、Nd:YAGレーザ(波長λ=1064nm)、Nd:YLF2レーザ(波長λ=1047nm、1053nm)又はNd:YVO4レーザ(波長λ=1064nm)等の波長変換結晶としての利用が注目されている。この四ほう酸リチウム単結晶は、良質かつ大型の単結晶の育成が容易で、潮解性が低く安定して取り扱いに優れていると共に、良好な加工性を有しているという特徴を備えている。従来、この四ほう酸リチウム単結晶の育成方法としては、チョクラルスキー法(CZ法)やブリッジマン法(BZ法)等が用いられている。
例えば、特許文献1には、種結晶を四ほう酸リチウム融液に上方より接触させた後、この種結晶を引き上げて四ほう酸リチウム単結晶を育成するチョクラルスキー法が記載されている。また、特許文献2には、酸化物単結晶をチョクラルスキー法により育成する酸化物単結晶の製造方法が記載されている。なお、この酸化物単結晶の製造方法では、結晶径を一定で成長させる直胴部の育成後に徐々に結晶径を小さくしながら結晶を成長させた後に融液から成長結晶の切り離しを行う技術が開示されている。
上記従来の技術には、以下の課題が残されている。
上記LB4等の酸化物単結晶のチョクラルスキー法では、直胴部の直径と同程度の径にて融液から結晶を引き離す場合、クラックを生じずに引き離せる確率は低く、例えば約65%程度である。これは、結晶が融液から離れる際の熱的なストレス、すなわち結晶から融液へ伝わっていた熱流速の変化のためと考えられる。この熱流速の変化による熱応力が結晶の許容範囲を超えるためにクラックが生じると考えられる。このため、上記特許文献2のように、直胴部よりも結晶径を小さくしてから結晶の切り離しを行うことが考えられるが、LB4の引き上げ育成については実際にクラック防止に有効な結晶径が不明であった。また、単に切り離し時の結晶径を小さくするだけでは、完全にクラックの発生を防ぐことができず、まだクラックが発生する場合があり、歩留まりの低下を招いていた。
上記LB4等の酸化物単結晶のチョクラルスキー法では、直胴部の直径と同程度の径にて融液から結晶を引き離す場合、クラックを生じずに引き離せる確率は低く、例えば約65%程度である。これは、結晶が融液から離れる際の熱的なストレス、すなわち結晶から融液へ伝わっていた熱流速の変化のためと考えられる。この熱流速の変化による熱応力が結晶の許容範囲を超えるためにクラックが生じると考えられる。このため、上記特許文献2のように、直胴部よりも結晶径を小さくしてから結晶の切り離しを行うことが考えられるが、LB4の引き上げ育成については実際にクラック防止に有効な結晶径が不明であった。また、単に切り離し時の結晶径を小さくするだけでは、完全にクラックの発生を防ぐことができず、まだクラックが発生する場合があり、歩留まりの低下を招いていた。
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、融液から結晶を引き離す際にクラックの発生をほぼ完全に防ぐことができる光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、前記課題を解決するために以下の構成を採用した。すなわち、本発明の光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法は、チョクラルスキー法によりるつぼ内の融液から光学用四ほう酸リチウム単結晶を引き上げ育成する方法であって、結晶径を一定にした直胴部を育成する工程と、前記直胴部よりも結晶径を漸次小さくしたテール部を育成する工程と、育成した前記光学用四ほう酸リチウム単結晶を前記融液から引き離す工程とを有し、該引き離す工程において、結晶径が前記直胴部の80%以下まで前記テール部を育成すると共に、前記テール部の引き上げ方向に対する外周面の形成角度を5度から75度までの範囲に設定することを特徴とする。
この光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法では、結晶を引き離す工程において、結晶径が直胴部の80%以下までテール部を育成すると共に、テール部の引き上げ方向に対する外周面の形成角度を5度から75度までの範囲に設定するので、クラックを発生させずにほぼ100%の確率で結晶を良好に引き離すことができる。すなわち、テール部を上記結晶径まで小さくすることで、結晶から融液へ伝わっていた熱流速の変化をクラック発生を抑制できるまで小さくすることができ、熱流速の変化による熱応力が小さくなってクラックを生じさせずに引き離す確率を高くすることができる。さらに、テール部の形成角度を75度以下に制限することで、テール部の結晶径の急激な変化を低減して、熱応力をさらに小さくすることができ、クラックをほぼ完全に抑制することが可能になる。なお、テール部の形成角度を5度以上としたのは、5度未満であると実際上、テール部を上記結晶径にまで小さくすることに不必要に多大な時間を要するためである。
また、本発明の光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法は、前記外周面の形成角度を、20度から40度までの範囲に設定することを特徴とする。すなわち、この光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法では、テール部における外周面の形成角度を20度から40度までの範囲に設定するので、必要十分な育成時間でより安定したテール処理を行うことができ、効率的な育成が可能になる。
さらに、本発明の光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法は、前記テール部を育成する際に、前記光学用四ほう酸リチウム単結晶を前記るつぼに対して相対的に2.0rpm以下の回転速度で回転させることを特徴とする。すなわち、この光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法では、テール部育成時の結晶の回転速度を2.0rpm以下に設定するので、クラックを発生させずに安定してテール部を育成することが可能になる。これは、2.0rpmを超えた回転速度に設定すると、成長界面の凹化が進み、最悪、結晶がクラックを伴って融液から離れてしまう場合があるためである。
本発明によれば、以下の効果を奏する。
すなわち、本発明に係る光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法によれば、結晶を引き離す工程において、結晶径が直胴部の80%以下までテール部を育成すると共に、テール部の引き上げ方向に対する外周面の形成角度を5度から75度までの範囲に設定するので、クラックを発生させずにほぼ100%の確率で結晶を安定に引き離すことができ、良好な育成歩留まりを得ることができる。
すなわち、本発明に係る光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法によれば、結晶を引き離す工程において、結晶径が直胴部の80%以下までテール部を育成すると共に、テール部の引き上げ方向に対する外周面の形成角度を5度から75度までの範囲に設定するので、クラックを発生させずにほぼ100%の確率で結晶を安定に引き離すことができ、良好な育成歩留まりを得ることができる。
以下、本発明に係る光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法の一実施形態を、図1及び図2を参照しながら説明する。
本実施形態の光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法は、図1に示すように、育成装置1を用いてチョクラルスキー法により四ほう酸リチウム単結晶Cの育成を行う方法である。この育成装置1は、融液2となる四ほう酸リチウム原料が貯えられている白金るつぼ3と、白金るつぼ3の周囲に配された断熱材4、5と、断熱材4、5を介して白金るつぼ3内の四ほう酸リチウム原料を融解させて融液2の温度を加熱・冷却するための抵抗加熱ヒータである加熱装置6と、白金るつぼ3の上方を覆って二重に設けられた断熱壁7、8と、これら断熱壁7、8を貫通して設置された引き上げ軸9aを有する回転引き上げ機構9と、を備えている。
上記回転引き上げ機構9は、引き上げ軸9aの下端に種結晶Sが取り付けられ、所定回転速度及び所定引き上げ速度で種結晶Sを回転及び引き上げ可能としている。
上記融液2の温度は、白金るつぼ3の下部に配された熱電対10で測定される。
上記融液2の温度は、白金るつぼ3の下部に配された熱電対10で測定される。
この育成装置1によって本実施形態の育成方法を行うには、まず白金るつぼ3内に所定モル比の純度99.9%の四ほう酸リチウムの原料粉末を充填し、これを加熱装置6で融解して融液2とし、所定温度まで加熱する。
次に、回転引き上げ機構9によって種結晶Sを下降させて融液2に接触させ、所定回転数で回転させながら所定引き上げ速度で引き上げることで四ほう酸リチウム単結晶Cを育成する。
次に、回転引き上げ機構9によって種結晶Sを下降させて融液2に接触させ、所定回転数で回転させながら所定引き上げ速度で引き上げることで四ほう酸リチウム単結晶Cを育成する。
この際、まず略円錐状の肩部C1を形成し、所定外径にまで育成したところで、一定外径(結晶径)のまま引き上げ育成することで直胴部C2を形成する。
このとき、融液2表面と融液2直上10mmとの間の温度勾配を30〜200℃/cmの範囲内に設定している。なお、温度勾配を30℃/cm未満とすると、引き上げられる四ほう酸リチウム単結晶Cが多結晶化しやすくなる。また、温度勾配を200℃/cmより大きくすると、熱歪みにより、引き上げられた四ほう酸リチウム単結晶C中に転位が生じやすくなる。
このとき、融液2表面と融液2直上10mmとの間の温度勾配を30〜200℃/cmの範囲内に設定している。なお、温度勾配を30℃/cm未満とすると、引き上げられる四ほう酸リチウム単結晶Cが多結晶化しやすくなる。また、温度勾配を200℃/cmより大きくすると、熱歪みにより、引き上げられた四ほう酸リチウム単結晶C中に転位が生じやすくなる。
また、融液2直上10mmより上部の温度勾配を5〜50℃/10cmの範囲内に設定している。このように温度勾配を小さくすることにより、育成後期の熱膨張差によるクラックを抑制することができる。
また、引き上げ速度は、0.1〜2mm/h(時間)の範囲内に設定し、回転速度を0〜5rpmの範囲内に設定している。本実施形態では、直胴部C2の育成について、引き上げ速度を0.5mm/h以下とし、回転速度を5rpm以下とした。なお、引き上げ速度が0.5mm/h以下であると、結晶内にPtデンドライトやOpaque ringと称される巨視的な欠陥の発生を抑制することができる。
また、引き上げ速度は、0.1〜2mm/h(時間)の範囲内に設定し、回転速度を0〜5rpmの範囲内に設定している。本実施形態では、直胴部C2の育成について、引き上げ速度を0.5mm/h以下とし、回転速度を5rpm以下とした。なお、引き上げ速度が0.5mm/h以下であると、結晶内にPtデンドライトやOpaque ringと称される巨視的な欠陥の発生を抑制することができる。
さらに、直胴部C2を育成した後、直胴部C2よりも結晶径を漸次小さくしてテール部C3を育成する。そして、テール部C3を以下の所定結晶径まで育成した光学用四ほう酸リチウム単結晶Cを融液2から引き離す。
この引き離す工程において、図2に示すように、テール部C3を結晶径が直胴部C2の80%以下になるまで育成する。すなわち、直胴部C2の結晶径「直胴径D1」に対する切り離し時のテール部C3の結晶径「切り離し径D2」の比「D2/D1」を、0.8以下に設定する。なお、より好ましくは、テール部C3の結晶径を直胴部C2の50%以下に設定する。
この引き離す工程において、図2に示すように、テール部C3を結晶径が直胴部C2の80%以下になるまで育成する。すなわち、直胴部C2の結晶径「直胴径D1」に対する切り離し時のテール部C3の結晶径「切り離し径D2」の比「D2/D1」を、0.8以下に設定する。なお、より好ましくは、テール部C3の結晶径を直胴部C2の50%以下に設定する。
さらに、テール部C3の引き上げ方向に対する外周面の形成角度θを5度から75度までの範囲に設定する。
なお、より好ましくは、テール部C3の外周面の形成角度を20度から40度までの範囲に設定する。
また、テール部C3を育成する際に、光学用四ほう酸リチウム単結晶Cを白金るつぼ3に対して相対的に2.0rpm以下の回転速度で回転させる。
なお、より好ましくは、テール部C3の外周面の形成角度を20度から40度までの範囲に設定する。
また、テール部C3を育成する際に、光学用四ほう酸リチウム単結晶Cを白金るつぼ3に対して相対的に2.0rpm以下の回転速度で回転させる。
なお、育成雰囲気としては、大気、乾燥空気、乾燥アルゴン、乾燥窒素のいずれでもよいが、乾燥雰囲気であることが好ましい。特に、乾燥空気、乾燥アルゴン、乾燥窒素は、いずれも育成中相対湿度が、10%以下であることが好ましい。さらには、5%以下がより好ましく、0%が最適である。また、これら乾燥空気、乾燥アルゴン、乾燥窒素は、融液2表面に当たるように育成装置1内に供給することが好ましい。このように、融液2表面に当たるように乾燥雰囲気を供給することで、結晶中の散乱体の原因である融液2中の残存水分に基づく気泡の量を減らすことができ、散乱体が結晶に取り込まれることを防止できる。
次に、本実施形態の育成方法に基づいて四ほう酸リチウム単結晶Cを実際に製造した結果を、以下に示す。
まず、光学用四ほう酸リチウム単結晶Cを融液2から切り離す際のテール部C3の切り離し径D2と直胴径D1との比D2/D1を0.1〜1まで段階的に変え、それぞれ切り離し時の成功率(クラックの発生がなかった率)を調べた。この結果を図3に示す。
この結果からわかるように、D2/D1が0.8を超えると急激に成功率が低下してしまうと共に、D2/D1が0.8以下であっても、成功率が100%に達しない場合があることがわかる。
まず、光学用四ほう酸リチウム単結晶Cを融液2から切り離す際のテール部C3の切り離し径D2と直胴径D1との比D2/D1を0.1〜1まで段階的に変え、それぞれ切り離し時の成功率(クラックの発生がなかった率)を調べた。この結果を図3に示す。
この結果からわかるように、D2/D1が0.8を超えると急激に成功率が低下してしまうと共に、D2/D1が0.8以下であっても、成功率が100%に達しない場合があることがわかる。
このため、テール部C3の外周面における形成角度θを、上記D2/D1が0.8以下の条件で、5度から85度まで段階的に変えて、それぞれ切り離し時の成功率を調べた。この結果を図4に示す。
この結果からわかるように、テール部C3の外周面における形成角度θが75度を超えると急激に成功率が低下するが、75度以下であると成功率が100%であることがわかる。なお、図4では、35度から85度までのデータを記載しているが、テール部C3の形成をより穏やかに行う5度以上35度未満の範囲においても、成功率100%の良好な結果が得られている。
この結果からわかるように、テール部C3の外周面における形成角度θが75度を超えると急激に成功率が低下するが、75度以下であると成功率が100%であることがわかる。なお、図4では、35度から85度までのデータを記載しているが、テール部C3の形成をより穏やかに行う5度以上35度未満の範囲においても、成功率100%の良好な結果が得られている。
このように本実施形態の光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法では、結晶を引き離す工程において、結晶径が直胴部C2の80%以下までテール部C3を育成すると共に、テール部C3の引き上げ方向に対する外周面の形成角度θを5度から75度までの範囲に設定するので、クラックを発生させずにほぼ100%の確率で結晶を安定に引き離すことができる。
すなわち、テール部C3を上記結晶径まで小さくすることで、結晶から融液へ伝わっていた熱流速の変化をクラック発生を抑制できるまで小さくすることができ、熱流速の変化による熱応力が小さくなってクラックを生じさせずに引き離す確率を高くすることができる。さらに、テール部C3の形成角度を75度以下に制限することで、テール部C3の結晶径の急激な変化を低減して、熱応力をさらに小さくすることができ、クラックをほぼ完全に抑制することが可能になる。
また、特に、テール部C3における外周面の形成角度θを20度から40度までの範囲に設定することで、必要十分な育成時間でより安定したテール処理を行うことができ、効率的な育成が可能になる。
また、特に、テール部C3における外周面の形成角度θを20度から40度までの範囲に設定することで、必要十分な育成時間でより安定したテール処理を行うことができ、効率的な育成が可能になる。
さらに、テール部C3育成時の結晶の回転速度を2.0rpm以下に設定するので、クラックを発生させずに安定してテール部C3を育成することが可能になる。すなわち、2.0rpmを超えた回転速度に設定すると、成長界面の凹化が進み、最悪、結晶がクラックを伴って融液から離れてしまう場合があるが、2.0rpm以下の回転速度であれば、これを抑制することができる。
なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
上記実施形態では、加熱装置6として抵抗加熱方式を採用しているが、他の加熱方式、例えば高周波誘導加熱方式を適用しても構わない。
また、上記実施形態では、四ほう酸リチウムの融点が917℃と比較的低融点であるため、白金るつぼ3を用いているが、イリジウム製るつぼやカーボン製るつぼを採用しても構わない。
また、上記実施形態で作製した四ほう酸リチウム単結晶Cは、Nd:YAGレーザの4倍波発生用に好適であるが、近接した波長であるNd:YLF2レーザや同波長であるNd:YVO4レーザの4倍波発生用としても適している。
また、上記実施形態では、四ほう酸リチウムの融点が917℃と比較的低融点であるため、白金るつぼ3を用いているが、イリジウム製るつぼやカーボン製るつぼを採用しても構わない。
また、上記実施形態で作製した四ほう酸リチウム単結晶Cは、Nd:YAGレーザの4倍波発生用に好適であるが、近接した波長であるNd:YLF2レーザや同波長であるNd:YVO4レーザの4倍波発生用としても適している。
1…育成装置、2…融液、3…白金るつぼ、4、5…断熱材、6…加熱装置、9…回転引き上げ機構、C…四ほう酸リチウム単結晶、C2…直胴部、C3…テール部、S…種結晶
Claims (3)
- チョクラルスキー法によりるつぼ内の融液から光学用四ほう酸リチウム単結晶を引き上げ育成する方法であって、
結晶径を一定にした直胴部を育成する工程と、
前記直胴部よりも結晶径を漸次小さくしたテール部を育成する工程と、
育成した前記光学用四ほう酸リチウム単結晶を前記融液から引き離す工程とを有し、
該引き離す工程において、結晶径が前記直胴部の80%以下まで前記テール部を育成すると共に、前記テール部の引き上げ方向に対する外周面の形成角度を5度から75度までの範囲に設定することを特徴とする光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法。 - 請求項1に記載の光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法において、
前記外周面の形成角度を、20度から40度までの範囲に設定することを特徴とする光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法において、
前記テール部を育成する際に、前記光学用四ほう酸リチウム単結晶を前記るつぼに対して相対的に2.0rpm以下の回転速度で回転させることを特徴とする光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007005263A JP2008169095A (ja) | 2007-01-13 | 2007-01-13 | 光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007005263A JP2008169095A (ja) | 2007-01-13 | 2007-01-13 | 光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008169095A true JP2008169095A (ja) | 2008-07-24 |
Family
ID=39697547
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007005263A Withdrawn JP2008169095A (ja) | 2007-01-13 | 2007-01-13 | 光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008169095A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10995102B2 (en) * | 2019-08-21 | 2021-05-04 | Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | Crystals for detecting neutrons, gamma rays, and X rays and preparation methods thereof |
US20210230767A1 (en) * | 2019-08-21 | 2021-07-29 | Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | Methods and devices for growing scintillation crystals with multi-component garnet structure |
US12018399B2 (en) | 2019-08-21 | 2024-06-25 | Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | Crystals for detecting neutrons, gamma rays, and x rays and preparation methods thereof |
-
2007
- 2007-01-13 JP JP2007005263A patent/JP2008169095A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10995102B2 (en) * | 2019-08-21 | 2021-05-04 | Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | Crystals for detecting neutrons, gamma rays, and X rays and preparation methods thereof |
US20210230767A1 (en) * | 2019-08-21 | 2021-07-29 | Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | Methods and devices for growing scintillation crystals with multi-component garnet structure |
US12018399B2 (en) | 2019-08-21 | 2024-06-25 | Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | Crystals for detecting neutrons, gamma rays, and x rays and preparation methods thereof |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2012127703A1 (ja) | SiC単結晶の製造方法および製造装置 | |
KR20110009622A (ko) | 사파이어 단결정 제조 방법 및 장치 | |
JP2007284301A (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
WO2003089697A1 (fr) | Procede de production de silicium monocristallin, procede de production de tranches de silicium monocristallin, cristal germe destine a la production de silicium monocristallin, lingot de silicium monocristallin, et tranche de silicium monocristallin | |
JP4844428B2 (ja) | サファイア単結晶の製造方法 | |
CN108779577A (zh) | 单晶硅的制造方法 | |
WO2017217104A1 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP6451700B2 (ja) | 酸化物単結晶の育成方法 | |
TW201002876A (en) | Method for growing silicon single crystal | |
JP2008169095A (ja) | 光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法 | |
JP4844429B2 (ja) | サファイア単結晶の製造方法 | |
TWI580827B (zh) | Sapphire single crystal nucleus and its manufacturing method | |
JP5417735B2 (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
JP6786905B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JPH1149597A (ja) | シリコン単結晶引き上げ用石英るつぼ | |
JP4735594B2 (ja) | 酸化物単結晶の育成方法 | |
JPH09278592A (ja) | チタンを含む酸化アルミニウム単結晶の製造方法 | |
JP5805527B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2011225408A (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2011251892A (ja) | InP単結晶およびその製造方法 | |
JP2007176746A (ja) | 光学用四ほう酸リチウム単結晶の製造方法及び波長変換素子 | |
JP6699620B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
WO2021162046A1 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
JP2011020882A (ja) | シリコン単結晶の育成方法 | |
JP4413055B2 (ja) | シリコン単結晶製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20090331 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Effective date: 20101110 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 |