JP2008166694A - 半導体リソグラフィー用のミラーアレンジメントを製造する方法、及び、電磁放射線の反射用のミラーアレンジメント - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板2の前面3は、ミラー領域4を形成することを目的とする複数の光学層5が設けられる。この場合、基板2の前面3は、光学層5の適用に先立って、前面3が、要求された寸法精度を有するように、第1作業ステップにて処理される。第2作業ステップにおいては、少なくとも1つの電気的導電性経路7が、光学有効領域Aの外側で、基板2の前面3に適用されている。第3作業ステップにおいては、電気的導電性経路7の適用により引き起こされた寸法精度の変化を補正するために、基板2の前面3は、少なくとも電気的導電性経路7に隣接する領域にて後処理される。光学層5は、第4作業ステップにて適用される。
【選択図】図3
Description
本発明は、基板を有する半導体リソグラフィー用、具体的には、EUVリソグラフィー用のミラーアレンジメントを製造する方法に関し、ミラーアレンジメントは、ミラー領域を形成する目的のための複数の光学層が前面に設けられた基板を備えている。
[背景技術]
ミラーアレンジメントの製造方法、及び、電磁放射線を反射するための一般的なミラーアレンジメント、さらに、EUV投影オブジェクティブは、JP 2006 194 690 Aにて知られている。
[発明の概要]
半導体部品の製造のための電磁放射線を反射するためのEUVリソグラフィー用のEUV投影オブジェクティブは、反射される放射線に対向する前面を有する基板を備えたJP 2006 194 690 Aにて知られている。この特許公報においては、基板の前面には、層状構造を用いてミラー領域を設けるために、複数の光学層(多層)が設けられている。ミラー領域に取り付けられる、換言すれば、光学層の最上面に取り付けられる複数の電気的導電経路が設けられている。電気的導電経路は、金属導体経路にて形成されることが好ましい。
電磁放射線を反射するための半導体リソグラフィー用のEUV投影オブジェクティブまたは照射システムのためのミラーアレンジメントを製造するための方法を提供するという目的に基づくものである。具体的には、EUVマイクロリソグラフィーにて用いられるものであり、従来技術の不利な点、具体的には、ミラーアレンジメントにより引き起こされるスパークフラッシュオーバー及び寸法精度(鏡面精度)の低下を回避するものである。
ミラー領域にて電子交換する(供給する、及び/または、運び去る)手段が設けられているという事実により、電位の相違、及び、それゆえにスパークフラッシュオーバーが回避される。放射線、具体的には、EUV領域の放射線により電子が放出されるので、一般に、フラッシュオーバーの回避は、ミラー領域に電子を供給する手段により実現される。しかしながら、本発明による解決方法は、原則として、ミラー領域から(余剰の)電子を取り去ることもまた可能とする。
ゼロデュア(Zerodur)(登録商標)は、例えば、DE−A−1 902 432に記載されている。ゼロデュアM(Zerodur-M)(登録商標)は、原則として酸化マグネシウムを含まない組成で登録されたゼロデュア(Zerodur)(登録商標)であり、例えば、US−A−4 851 372に記載されている。
適切な長さで、且つ、ミラー領域またはミラー被覆が設けられていない基板の外側に沿って延びるように形成された電気的導電性経路により、接触位置の配置は、接触位置が、ミラー領域から離れるように、非常に簡単な方法にて実現されうる。接触位置の可能性の多様性は、このような電気的導電性経路に起因しうる。
費用効率の良好な代替の構成においては、電気的導電性経路を用いず、プローブを直接ミラー領域に接触させることも可能である。一例として、ケーブルを介して電子源に接続されたプローブ端がこの目的に用いられうる。この構成においては、コンタクトが、いわゆる“オーバーフロー”と呼ばれる、光学有効領域の外側のミラー領域にて形成されることが有利である。
−露光システムの結像光学系の対象面の領域において結像されるパターンストラクチャーを配置する。
−露光システムは、複数の光学素子を備え、複数の光学素子のうちの少なくとも1つは、請求項1によるミラーアレンジメントにより構成される。
基本的な実施形態は、図面を参照して以下に説明される。
[発明の実施形態の詳細な説明]
図1は、電磁放射線、具体的には、半導体部品を製造するためのEUV領域の波長を有する電磁放射線、を反射するための半導体リソグラフィー用のEUV投影オブジェクティブまたは照射システム、のためのミラーアレンジメント1を示している。図2から図5は、図1の平面図にて見られうるミラーアレンジメント1の様々な実施形態を断面図にて示す。
図6は、EUV投影露光装置30の基本的な実例を示している。このEUV投影露光装置30は、光源31、ストラクチャーキャリーマスク(structure-carrying mask)が配置された対象面33の領域を照らすためのEUV照射システム32を備えている。EUV投影露光装置30は、ストラクチャーキャリーマスクを、半導体部品の製造のための感光性基板36上に結像するための、ハウジング34a及び光線経路35、を備えた投影オブジェクティブ34もまた備えている。この場合、EUV投影露光装置30は、光線経路35に影響を与えるための複数の光学素子と、(対象面33と基板36との間の)投影オブジェクティブの光学素子37のうちの少なくとも1つと、または、(対象面33またはマスクに到達する前の)照射システム32の光学素子38のうちの1つと、を備えており、これらの光学素子は、本発明によるミラーアレンジメント1に相当する。図6に基づく実施形態においては、少なくとも、光線経路35を屈折させるための光学素子37の全ては、本発明による解決方法に従って、ミラーアレンジメント1として形成されている。
本発明による方法の模範的な実施形態を示す図7に見られるように、作業ステップIの実行は、さらなる作業ステップXに先行しうるか、または、後に続きうる。後者の作業ステップにおいては、酸化シリコン層または金属層が、基板2または基板2の前面3と、第4作業ステップIVで適用される光学層(多層)と、の間で、内部層(具体的には図示されていない)として、適用される。図7による模範的な実施形態においては、作業ステップXは、第1作業ステップIの実行の後、且つ、第2作業ステップIIの実行の前に実行される。模範的な実施形態においては、この場合、内層はIBF法を用いて処理される。
2 基板
3 前面
4 ミラー領域
4a ミラー領域の最上面
5 光学層
6 電子源、中心
7 電気的導電性経路
8 接触位置
9 リード
10 プローブ素子
11 ケーブル
12 金属ラミナ
30 EUV投影露光装置
31 光源
32 EUV照射システム
33 対象面
34 投影オブジェクティブ
34a ハウジング
35 光線経路
36 基板
A 有効領域
B 環状領域(“オーバーフロー”)
Claims (23)
- 半導体リソグラフィー用、具体的には、EUVリソグラフィー用のミラーアレンジメント(1)を製造する方法であって、
前面(3)に、ミラー領域(4)を形成する目的のための複数の光学層(5)が設けられた基板(2)を備え、
前記基板(2)の前面(3)は、光学層(5)の適用に先立って、第1作業ステップ(I)にて、前記前面(3)が、要求された寸法精度を有するような方法で処理され、
その後、第2作業ステップ(II)にて、少なくとも1つの電気的導電性経路(7)が、光学有効領域(A)の外側で基板(2)の前面(3)に適用され、
その後、第3作業ステップ(III)にて、前記電気的導電性経路(7)の適用により引き起こされた寸法精度における変化の補正のために、少なくとも前記電気的導電性経路(7)に隣接する領域において、後処理が行われ、
その後、第4作業ステップ(IV)にて、前記光学層(5)が適用される
方法。 - 前記電気的導電性経路は、金属被膜(7)として形成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記金属被膜(7)は、蒸着されるか、または、物理蒸着(PVD)または化学蒸着(CVD)が適用されることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記基板(2)は、ゼロデュア(Zerodur)(登録商標)または、ULE(登録商標)から形成されたことを特徴とする請求項1〜請求項3の何れか記載の方法。
- 前記基板(2)の前面(3)は、IBF法(IBF method)を用いて処理されることを特徴とする請求項1〜請求項4の何れか記載の方法。
- 前記基板(2)の前面(3)は、超研磨法(superpolishing method)を用いて処理されることを特徴とする請求項1〜請求項4の何れか記載の方法。
- 前記超研磨法は、前記電気的導電性経路(7)に隣接する前記基板(2)の前面(3)の領域において、または、前記電気的導電性経路(7)を除く前記基板(2)の前面(3)全体に渡って実行されることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記第1作用ステップ(I)の前または後で、前記基板(2)の前面(3)が要求された寸法精度となるように処理され、酸化シリコン層または金属層が、前記基板(2)と、前記第4作業ステップ(IV)にて適用された光学層(5)との間の内層として適用されることを特徴とする請求項1〜請求項7に記載の方法。
- 前記内層は、前記IBF法を用いて処理されることを特徴とする請求項8に記載の方法。
- 半導体部品を製造するために電磁放射線を反射するための半導体リソグラフィー用、具体的には、EUVリソグラフィー用のEUV投影オブジェクティブまたは照射システムのためのミラーアレンジメントであって、
反射される放射線に対向する前面を有する少なくとも1つの基板を備え、
前記基板の前面は、層状構造を用いてミラー領域を設けるための複数の光学層が設けられ、
少なくとも1つの電気的導電性経路を介してミラー領域と電子を交換する手段が形成されており、
前記少なくとも1つの電気的導電性経路(7)は、前記ミラー領域(4)の面(4a)の下方を走ることを特徴とするミラーアレンジメント。 - 前記少なくとも1つの電気的導電性経路(7)は、前記ミラー領域(4)の光学有効領域(A)の外側を走ることを特徴とする請求項10に記載のミラーアレンジメント。
- 前記少なくとも1つの電気的導電性経路(7)は、蒸着され、且つ、金属導体経路として形成されることを特徴とする請求項10または請求項11に記載のミラーアレンジメント。
- 前記少なくとも1つの電気的導電性経路(7)は、非金属導体経路として形成されることを特徴とする請求項10または請求項11に記載のミラーアレンジメント。
- 前記少なくとも1つの電気的導電性経路(7)は、金属フィルムとして形成されることを特徴とする請求項10または請求項11に記載のミラーアレンジメント。
- 前記少なくとも1つの電気的導電性経路(7)は、接触位置(8)に到達しており、前記電気的導電性経路(7)は、前記接触位置(8)にて、前記電子源(6)に接続されたリード(9)またはプローブ素子(10)にコンタクト接続されうることを特徴とする請求項10〜請求項14の何れかに記載のミラーアレンジメント。
- 前記接触位置(8)は、前記ミラー領域(4)から離れて配置されることを特徴とする請求項15に記載のミラーアレンジメント。
- 前記リードは、はんだ付け、及び/または、接着接合、及び/または、ボンディング、及び/または、接触ばねを用いて前記電気的導電性経路(7)に接続されることを特徴とする請求項15または請求項16に記載のミラーアレンジメント。
- 前記接触位置は、散乱光、及び/または、物理的/化学的な影響に対して保護されることを特徴とする請求項15〜請求項17の何れかに記載のミラーアレンジメント。
- 前記接触位置(8)は、金属ラミナを用いて覆われることを特徴とする請求項18に記載のミラーアレンジメント。
- 前記接触位置(8)には、ストレインリリーフが設けられることを特徴とする請求項18または請求項19に記載のミラーアレンジメント。
- 複数の電気的導電性経路(7)が形成されたことを特徴とする請求項10〜請求項20の何れかに記載のミラーアレンジメント。
- 複数の光学素子を備えた光学システムであって、
前記光学素子の少なくとも1つが、請求項10〜請求項21の何れかによるミラーアレンジメント(1)を備えたことを特徴とする光学システム。 - 半導体部品を製造するための半導体リソグラフィー用、具体的には、EUVリソグラフィー用の投影露光装置であって、
照射システム(32)と、
前記照射システム(32)により照射されうるマスクと、
前記マスクを、感光性のウエハー上に結像するための投影オブジェクティブ(34)と、
を備え、
前記照射システム(32)及び/または前記投影オブジェクティブは、前記請求項10〜請求項21の何れかによる少なくとも1つのミラーアレンジメント(1)を備えたことを特徴とする投影露光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006043944 | 2006-09-14 | ||
DE102006043944.9 | 2006-09-14 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012203524A Division JP5684765B2 (ja) | 2006-09-14 | 2012-09-14 | 半導体リソグラフィー用のミラーアレンジメントを製造する方法、及び、電磁放射線の反射用のミラーアレンジメント |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008166694A true JP2008166694A (ja) | 2008-07-17 |
JP5227557B2 JP5227557B2 (ja) | 2013-07-03 |
Family
ID=39105405
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007240237A Expired - Fee Related JP5227557B2 (ja) | 2006-09-14 | 2007-09-14 | 半導体リソグラフィー用のミラーアレンジメントを製造する方法 |
JP2012203524A Active JP5684765B2 (ja) | 2006-09-14 | 2012-09-14 | 半導体リソグラフィー用のミラーアレンジメントを製造する方法、及び、電磁放射線の反射用のミラーアレンジメント |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012203524A Active JP5684765B2 (ja) | 2006-09-14 | 2012-09-14 | 半導体リソグラフィー用のミラーアレンジメントを製造する方法、及び、電磁放射線の反射用のミラーアレンジメント |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP5227557B2 (ja) |
DE (1) | DE102007044064A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011080636A1 (de) | 2010-09-27 | 2012-03-29 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage damit |
DE102011080052A1 (de) * | 2011-07-28 | 2013-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Spiegel, optisches System mit Spiegel und Verfahren zur Herstellung eines Spiegels |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003124111A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-04-25 | Nikon Corp | 軟x線露光装置 |
JP2005098930A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、その再生方法及び露光装置 |
JP2005231994A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Schott Ag | 低熱膨張性ガラスセラミック |
JP2006008426A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス基板の研磨方法 |
JP2006194690A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡、euv露光装置、及び多層膜反射鏡におけるコンタミネーションの除去方法 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4476824B2 (ja) * | 2005-01-25 | 2010-06-09 | 太平洋セメント株式会社 | 静電チャックおよび露光装置 |
-
2007
- 2007-09-14 DE DE102007044064A patent/DE102007044064A1/de not_active Withdrawn
- 2007-09-14 JP JP2007240237A patent/JP5227557B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-09-14 JP JP2012203524A patent/JP5684765B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003124111A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-04-25 | Nikon Corp | 軟x線露光装置 |
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JP2005231994A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Schott Ag | 低熱膨張性ガラスセラミック |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013042147A (ja) | 2013-02-28 |
JP5684765B2 (ja) | 2015-03-18 |
DE102007044064A1 (de) | 2008-03-27 |
JP5227557B2 (ja) | 2013-07-03 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20080917 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20081002 |
|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120815 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120820 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130318 |
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