JP2008159660A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】減圧可能なチャンバー1、チャンバー1内で被処理物2を支持する対向電極3、チャンバー1の隔壁をなす耐圧誘電体部材5の外に設けられチャンバー1内にプラズマ6を発生させて対向電極3に支持する被処理物2をエッチングする第1の電極4、第1の電極4のチャンバー1側に設けられてチャンバー1の第1の電極4側の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第2の電極7を備え、第2の電極7を前記耐圧誘電体部材5の内側に配して誘電体であるカバー21で覆うことにより、上記の目的を達成する。
【選択図】図1
Description
2 被処理物
3 対向電極
4 第1の電極
5 耐圧誘電体部材
6 プラズマ
7 第2の電極
7a、7b、7e、7g 高周波透過部
7d 外周体
7f 中央体
11、13 電源
12、14 可変コンデンサ
21 カバー(誘電体)
22 シール部材
31 駆動手段
41 分配器
Claims (11)
- 減圧可能なチャンバーと、このチャンバーの内部に設けられ被処理物を支持する対向電極と、前記チャンバーの隔壁をなす耐圧誘電体部材の外に設けられチャンバー内に反応ガスからのプラズマを発生させて対向電極に支持する被処理物をエッチングする第1の電極と、この第1の電極のチャンバー側に設けられてチャンバーの耐圧誘電体部材側の内表面に反応生成物が付着するのを防止する第2の電極とを備えたプラズマエッチング装置において、
前記第2の電極を前記耐圧誘電体部材の内側に配してカバーで覆ったことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - カバーは、耐エッチング性部材である請求項1に記載のプラズマエッチング装置。
- 第2の電極を回転または往復弧回動させる駆動手段を備えた請求項1、2のいずれか1項に記載のプラズマエッチング装置。
- 第2の電極は、カバーの内表面への反応生成物の付着度とカバーの削れ量との部分的な違いに応じて配置密度の差を有して設けた請求項1〜3のいずれか1項に記載のプラズマエッチング装置。
- 第2の電極は、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を有した単体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状の高周波透過部とを持った単体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状で中央部に向く放射状の突出片を有した高周波透過部とを持った単体、外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部と中央部を打ち抜いた穴状の高周波透過部を持った外周体およびこの外周体の穴部に環状の高周波透過部となる隙間を持って配置されて外周から所定の間隔とこの間隔よりも小さい幅とを持って放射状に切り込んだスリット状の高周波透過部を有した中央体との組み合わせ体、のいずれかで配置密度の差を設定してある請求項1〜4のいずれか1項に記載のプラズマエッチング装置。
- 第2の電極は、スリット状の高周波透過部の間に窓状に開口した高周波透過部を有して配置密度の差を設定している請求項5に記載のプラズマエッチング装置。
- 第2の電極の高周波透過部は、誘電体により埋められている請求項5、6のいずれか1項に記載のプラズマエッチング装置。
- 第2の電極の高周波透過部を埋める誘電体は、耐圧誘電体部材の突出部である請求項7に記載のプラズマエッチング装置。
- チャンバーは、上端が開口したチャンバー本体部と、このチャンバー本体部の上端開口を閉じる耐圧誘電体部材を有して前記上端開口を開閉する蓋部とを備え、第2の電極およびカバーは蓋部側に支持され、少なくともカバーは着脱できるように支持してある請求項1〜8のいずれか1項に記載のプラズマエッチング装置。
- チャンバーは、上端が開口したチャンバー本体部と、このチャンバー本体部を閉じる耐圧誘電体部材を有して前記上端開口を開閉する蓋部とを備え、第2の電極は蓋部側に支持され、カバーは前記チャンバー本体の上端開口部に着脱できるように支持してある請求項1〜8のいずれか1項に記載のプラズマエッチング装置。
- 第2の電極に低周波電力を印加した請求項1〜10のいずれか1項に記載のプラズマエッチング装置。
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Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008130651A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエッチング装置 |
JP2012227427A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ処理装置 |
US20130264014A1 (en) * | 2012-03-12 | 2013-10-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
KR20130142364A (ko) * | 2012-06-19 | 2013-12-30 | 세메스 주식회사 | 집적회로 소자 제조 장치의 공정 챔버에 구비되는 스윙 타입의 도어 |
KR101440786B1 (ko) * | 2008-07-30 | 2014-09-24 | 참엔지니어링(주) | 플라즈마 처리 장치 |
JP2016081863A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2016082190A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2016143616A (ja) * | 2015-02-04 | 2016-08-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2017045671A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
CN113972125A (zh) * | 2020-07-24 | 2022-01-25 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种等离子体处理***及其多段式法拉第屏蔽装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08227800A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-09-03 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2000269183A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のメンテナンス方法 |
JP2001085195A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Hitachi Ltd | 高周波放電装置およびプラズマ処理方法 |
JP2004356430A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
JP2006511959A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 消耗品の寿命を判断する方法及び装置 |
-
2006
- 2006-12-21 JP JP2006343987A patent/JP4840127B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08227800A (ja) * | 1994-12-05 | 1996-09-03 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2000269183A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のメンテナンス方法 |
JP2001085195A (ja) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Hitachi Ltd | 高周波放電装置およびプラズマ処理方法 |
JP2006511959A (ja) * | 2002-12-20 | 2006-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 消耗品の寿命を判断する方法及び装置 |
JP2004356430A (ja) * | 2003-05-29 | 2004-12-16 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008130651A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマエッチング装置 |
KR101440786B1 (ko) * | 2008-07-30 | 2014-09-24 | 참엔지니어링(주) | 플라즈마 처리 장치 |
JP2012227427A (ja) * | 2011-04-21 | 2012-11-15 | Tokyo Electron Ltd | 誘導結合プラズマ処理装置 |
US9807862B2 (en) * | 2012-03-12 | 2017-10-31 | Tokoyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
US20130264014A1 (en) * | 2012-03-12 | 2013-10-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
KR20130142364A (ko) * | 2012-06-19 | 2013-12-30 | 세메스 주식회사 | 집적회로 소자 제조 장치의 공정 챔버에 구비되는 스윙 타입의 도어 |
KR102000751B1 (ko) * | 2012-06-19 | 2019-07-17 | 세메스 주식회사 | 집적회로 소자 제조 장치의 공정 챔버에 구비되는 스윙 타입의 도어 |
JP2016082190A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2016081863A (ja) * | 2014-10-22 | 2016-05-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2016143616A (ja) * | 2015-02-04 | 2016-08-08 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2017045671A (ja) * | 2015-08-28 | 2017-03-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
CN113972125A (zh) * | 2020-07-24 | 2022-01-25 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种等离子体处理***及其多段式法拉第屏蔽装置 |
CN113972125B (zh) * | 2020-07-24 | 2022-07-29 | 江苏鲁汶仪器有限公司 | 一种等离子体处理***及其多段式法拉第屏蔽装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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