JP2008141760A - 高効率インタディジタルフィルタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】無線周波数信号を処理するプリント回路は、プリント回路が配置される基板領域を含む基板を含む。この回路は、複数の共振器構成要素15〜21を有するインタディジタルフィルタ10である。複数の共振器線路要素15〜21は、各々が独立にカスタム化可能な基板特性を有するそれぞれの基板領域に、少なくとも部分的に結合される。この回路は更に、基板に結合された少なくとも1つのグランド又はグランド面を含む。
【選択図】図1
Description
(外1)
に等しく、ここで、Llは単位長当りのインダクタンスであり、Clは単位長当りのキャパシタンスである。LlとClの値は、一般的には、伝送線路構造を分離するのに使用される、誘電体材料の誘電率だけでなく、線路構造の物理的な外形や間隔により決定される。従来の基板材料は、典型的には、約1.0の比透磁率を有する。
(外2)
(比誘電率2.94、誘電正接0.009)のようなそして、
(外3)
(比誘電率2.2、誘電正接0.0007)のような、ポリテトラフルオロエチレン(polytetrafluoroethylene、PTFE)ベースの複合物は、両方ともに、ルーズベルト通り、チャンドラー、AZ85226の、ロジャーマイクロ波プロダクト、アドバンスド回路材料部門100S(Roger Microwave Products,Advanced Circuit Materials Division 100S)から入手できる。これらの材料の両方は、一般的な基板材料の選択である。上述の基板材料は、低誘電正接を伴う比較的低い比誘電率を有する誘電体層を提供する。
(外4)
へ約反比例する。従って、領域12又は40の誘電率及び/又は透磁率を増加させることは、共振線路上の信号の速度を、そして、信号波長を、減少させる。これゆえに、線路の4分の1波長(又は、その倍数)は、誘電率及び/又は透磁率の増加だけ、減少される。従って、インタディジタルフィルタを組み込む誘電体層又は基板11の領域は、従来の回路基板で要求された領域よりも小さくできる。
(外5)
又はポリマー材料又は、幾つかのそれらの結合から構成されるカスタム化された基板材料のような、商業的に入手できるいつでもすぐに買える基板材料を含む。準備処理は、選択された基板材料の形式に依存してなされ得る。
10 インタディジタルフィルタ
11 誘電体層
12 第2領域
13 入力端子
14 出力端子
15,16,17,18,19,20,21 共振器構成要素
25,26,27,28,29,30,31 グランド点
35 ビア
50 グランド面
Claims (4)
- 無線周波数信号を処理する回路であって、
第1の領域と、異なる透磁率及び異なる誘電率のうちの少なくとも1つを有するよう、異なるよう修正された第2の領域とを有する少なくとも1つの誘電体層を有し、当該回路が配置されるところの基板と、
該基板上に配置された少なくとも1つのグランド面と、
複数の共振器構成要素を有するよう前記基板上に配置されたインタディジタルフィルタであって、前記複数の共振器構成要素の交互に隣り合って置かれた端部の少なくとも一部分は前記少なくとも1つのグランド面と接触し、前記基板の前記第1の領域は当該インタディジタルフィルタの前記共振器構成要素の少なくとも一部分の下にあり、前記基板の前記第2の領域は当該インタディジタルフィルタの前記共振器構成要素の少なくとも一部分の間にあるインタディジタルフィルタと、
を有し、
異なるように修正されることは、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化ニッケル、酸化ジルコニウム及び酸化ニオブ(II、IV及びV)、ニオブ酸リチウムと、ジルコン酸カルシウム及びジルコン酸マグネシウムを含むジルコン酸塩と、ドーピング金属としてのマグネシウム、ストロンチウム又はニオブを含むフェライトドープチタン酸カルシウムと、フェライト又はニオブドープのチタン酸ジルコン酸カルシウム又はバリウムとを有するグループから選択される有機官能基化された複合セラミック粒子を有する少なくとも1つのメタマテリアルの選択的使用により達成され、
前記メタマテリアルは、分子又はナノメートルレベルにおける2又はそれ以上の異なる材料の混合又は配置から形成される複合材料である、ことを特徴とする回路。 - 前記複数の共振器構成要素は、各々が開放構成の終端線路を有することを特徴とする、請求項1記載の回路。
- 前記メタマテリアルは、フェライト有機セラミック及びニオブ有機セラミックを更に有するグループから選択されることを特徴とする、請求項1記載の回路。
- 前記メタマテリアルは、電気的絶縁コーティングを有する金属コアを有する粒子から成ることを特徴とする、請求項1記載の回路。
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