JP2008135697A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】光取出面から取り出される光量を高めつつ偏光比の高い光を取り出し可能な半導体発光素子を提供することを目的としている。
【解決手段】半導体発光素子1は、基板2と、基板2上に積層された窒化物半導体積層構造3と、アノード電極4と、カソード電極6と、反射層7とを備えている。基板2は、GaN単結晶からなり、基板2の主面2bは、無極性面であるm面で構成されている。窒化物半導体積層構造3は、m面を主面3aとし、光を発光可能な活性層12を含み、GaN層、InGaN層及びAlGaN層からなる。反射層7は、光取出方向Aとは反対方向へ進行する光を光取出方向Aへと反射するためのものであり、光を取り出すための光取出面4aとは反対側の面である基板2の底面2aに形成されている。反射層7は、SiO2層とSixNy層(X、Yは正の整数)とが周期的に複数層積層された積層構造からなる。
【選択図】図1
【解決手段】半導体発光素子1は、基板2と、基板2上に積層された窒化物半導体積層構造3と、アノード電極4と、カソード電極6と、反射層7とを備えている。基板2は、GaN単結晶からなり、基板2の主面2bは、無極性面であるm面で構成されている。窒化物半導体積層構造3は、m面を主面3aとし、光を発光可能な活性層12を含み、GaN層、InGaN層及びAlGaN層からなる。反射層7は、光取出方向Aとは反対方向へ進行する光を光取出方向Aへと反射するためのものであり、光を取り出すための光取出面4aとは反対側の面である基板2の底面2aに形成されている。反射層7は、SiO2層とSixNy層(X、Yは正の整数)とが周期的に複数層積層された積層構造からなる。
【選択図】図1
Description
本発明は、窒化物半導体積層構造を備えた半導体発光素子に関する。
従来、青色などの光を発光可能な活性層を有する様々な窒化物半導体積層構造を備えた半導体発光素子が知られている。
例えば、特許文献1には、サファイア基板上に複数のGaN層又はAlGaN層が積層された窒化物半導体積層構造を備えた半導体発光素子(半導体レーザ)が開示されている。この半導体発光素子では、上面又は下面に反射層を設けている。反射層は、複数の絶縁膜が積層された多層膜からなる。
上述の特許文献1の技術を発光ダイオードに適用した場合、活性層により発光された光を取り出すための光取出面とは反対側の面に上述の絶縁体の多層膜からなる反射層を設けることにより、活性層により発光された光のうち、光取出方向とは逆方向に進行する光を光取出面に反射することができる。これにより、光取出面とは反対側の面から放出されていた光をも光取出面から取り出すことができるので、光取出面から取り出される光量を向上させることができた。
特開平9−219562号公報
しかしながら、上述した発光ダイオードでは、反射層を設けることにより光取出面から取り出される光量を向上させることができたが、活性層において発光される光が偏光していないため、取り出される光の偏光比が低いといった問題がある。
本発明は、上述した課題を解決するために創案されたものであり、光取出面から取り出される光量を高めつつ偏光比の高い光を取り出し可能な半導体発光素子を提供することを目的としている。
上記目的を達成するために、請求項1に記載の発明は、光を発光可能な活性層を含む窒化物半導体積層構造を備えた半導体発光素子において、前記窒化物半導体積層構造の主面が、略無極性面又は略半極性面であり、前記活性層により発光された光が取り出される光取出面とは反対側の面には、光を光取出面へと反射するための反射部を備えたことを特徴とする半導体発光素子である。
ここで、略無極性面とは、無極性面及び無極性面の面方位からのオフ角が±1°以内である面を含む概念である。また、略半極性面とは、半極性面及び半極性面の面方位からのオフ角が±1°以内である面を含む概念である。
また、請求項2に記載の発明は、前記反射部は、複数の絶縁膜が積層されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子である。尚、SiNは、SiXNY(X、Yは正の整数)を含む。
また、請求項3に記載の発明は、前記反射部は、SiO2、SiN、SiON、ZrO2、Al2O3、Nb2O3及びTiO2のうちから選択された少なくとも2つの絶縁膜が積層されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体発光素子である。
また、請求項4に記載の発明は、前記反射部は、第1絶縁膜及び第2絶縁膜が周期的に積層され、前記活性層に発光された光の波長をλとし、前記第1絶縁膜の屈折率をn1とし、前記第2絶縁膜の屈折率をn2とした場合、前記反射部を構成する前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜の1周期の厚みが、
(λ/4n1)+(λ/4n2)
となるように形成されていることを特徴とする請求項2又は3のいずれか1項に記載の半導体発光素子である。尚、ここでいう鏡面加工とは、例えば、反射層が形成される面の表面の凹凸の高さが、活性層で発光される光の波長よりも小さくなるように表面を加工することをいう。
(λ/4n1)+(λ/4n2)
となるように形成されていることを特徴とする請求項2又は3のいずれか1項に記載の半導体発光素子である。尚、ここでいう鏡面加工とは、例えば、反射層が形成される面の表面の凹凸の高さが、活性層で発光される光の波長よりも小さくなるように表面を加工することをいう。
また、請求項5に記載の発明は、前記反射部は、前記光取出面とは反対側の面に順に積層された透明電極と、絶縁膜と、外部電極とを備え、前記透明電極は、前記窒化物半導体積層構造と電気的に接続され、前記絶縁膜には、前記透明電極の一部を露出させるための開口部が形成され、前記外部電極は、光を反射可能な金属からなり、前記絶縁膜の開口部により露出された前記透明電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子である。
また、請求項6に記載の発明は、前記反射部が形成される面は、鏡面加工されていることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の半導体発光素子である。
本発明によれば、略無極性面又は略半極性面を主面とする窒化物半導体積層構造を備えることにより、活性層において偏光した光を発光させることができるので、取り出される光の偏光比を高めることができる。また、発光した光のうち、光取出面と反対側に進行した光は、一般に外部の筐体などにより散乱されて偏光比が低下するが、本発明では、反射層を設けることにより、光取出面とは逆方向に進行した光を光取出面へと反射することができる。この結果、光が光取出面の反対側から放出されて、外部で散乱されることに起因する偏光比の低下を抑制できる。これにより、光取出面から取り出される光量を高めつつ、偏光比を高めることができる。
以下、図面を参照して本発明を発光ダイオード(LED)に適用した第1実施形態について説明する。図1は、第1実施形態による半導体発光素子(発光ダイオード)の断面図である。
図1に示すように、半導体発光素子1は、基板2と、基板2上に積層された窒化物半導体積層構造3と、アノード電極4と、カソード電極6と、反射層7とを備えている。
基板2は、GaN(窒化ガリウム)の単結晶からなる。尚、GaNの単結晶の製造方法は、特に限定されるものではない。基板2の主面2bには、窒化物半導体積層構造3が積層される。この基板2の主面2bは、無極性面であるm面で構成されている。尚、m面は、GaNの結晶構造を六角柱の六方晶と近似した場合、六角柱の側面に相当する面(例えば、(10−10)面)のことである。また、基板2の面のうち光取出方向Aとは反対側の面、即ち、反射層7が形成される側の面である底面2aは、表面の凹凸の高さが、後述する活性層12により発光される光の波長よりも小さくなるように鏡面加工されている。
窒化物半導体積層構造3は、基板2側から順に、n型コンタクト層11と、活性層12と、ファイナルバリア層13と、p型電子阻止層14と、p型コンタクト層15とが積層されている。ここで、上述したように基板2の主面2bをm面で構成しているので、基板2の主面2b上に積層された窒化物半導体積層構造3の主面3aも、活性層12において偏光された光を発光することが可能な無極性面であるm面に構成されている。
n型コンタクト層11は、n型のドーパントとして濃度が約1×1018cm―3のシリコンがドープされた約3μm以上の厚みを有するn型GaN層からなる。
活性層12は、シリコンがドープされた厚さ約3nmのInZGa1−ZN層と厚さ約9nmの厚さのGaN層とが交互に5周期積層された量子井戸構造を有する。この活性層12は、青色(例えば、約430nmの波長)の光を発光する。ここで、InZGa1−ZN層内におけるGaに対するInの比率であるZは、「0.05≦Z≦0.2」に構成される。尚、緑色の光を発光させる場合には、「Z≧0.2」に設定される。
ファイナルバリア層13は、約40nmの厚みを有するGaN層からなる。尚、ドーピングについては、p型、n型及びノンドープのいずれでもよいが、ノンドープが好ましい。
p型電子阻止層14は、p型のドーパントとして濃度が約3×1019cm−3のマグネシウムがドープされた約28nmの厚みを有するAlGaN層からなる。
p型コンタクト層15は、p型のドーパントとして濃度が約1×1020cm−3のマグネシウムがドープされた約70nmの厚みを有するGaN層からなる。p型コンタクト層15の光取出方向A側の光取出側面15aは、活性層12から発光された光を窒化物半導体積層構造3から取り出すためのものである。この光取出側面15aの表面は、光の散乱を抑制して偏光比の低下を抑制するために、凹凸が約100nm以下になるように鏡面加工されている。例えば、結晶成長により、上述したような平坦な鏡面を得ることができる。尚、光取出側面15aと窒化物半導体積層構造3の主面3aは同じ面である。
アノード電極4は、Ni層及びAu層をp型コンタクト層15側から順に積層した金属層からなる。アノード電極4は、p型コンタクト層15とオーミック接続されるとともに、窒化物半導体積層構造3の水平方向(積層方向と直行する方向)の全領域に均一に電流を流すためにp型コンタクト層15上の略全面を覆うように形成されている。このアノード電極4は、活性層12により発光された光を透過可能な約200Å以下の厚みを有する。アノード電極4の光取出面4aは、活性層12により発光された光が取り出される面であって、p型コンタクト層15の光取出側面15aと同様に、表面の凹凸が約100nm以下になるように鏡面加工されている。例えば、電子ビーム蒸着法を用いれば、上述したような鏡面を得ることができる。このように、鏡面加工された光取出側面15a及び光取出面4aによって、活性層12から発光された光は散乱が抑制されるので偏光比が高く維持されたまま取り出される。アノード電極4上の一部の領域には、Ti層及びAu層が積層された接続部5が設けられている。
カソード電極6は、Ti層及びAl層が積層されている。カソード電極6は、n型コンタクト層11の上面のうち露出されている領域にオーミック接続された状態で形成されている。
反射層7は、光取出方向Aとは反対方向へ進行する光を光取出方向Aへと反射するためのものであり、光取出面4aとは反対側の面である基板2の底面2aに形成されている。反射層7は、絶縁膜であるSiO2層とSiXNY層(X、Yは正の整数)とが周期的に複数層積層された積層構造からなる。尚、反射層7を構成する材料は、SiO2及びSiXNYに限定されるものではなく、SiON、ZrO2、Al2O3、Nb2O3及びTiO2などの絶縁膜から適宜選択することができる。
これらSiO2層とSiXNY層の1周期(1ペア)の厚みdは、反射した光が強め合うように、
d=(λ/4n1)+(λ/4n2) ・・・(1)
となるように形成されている。ここで、λを活性層12により発光される光の波長、n1をSiO2層の屈折率とし、n2をSiXNY層の屈折率とする。
d=(λ/4n1)+(λ/4n2) ・・・(1)
となるように形成されている。ここで、λを活性層12により発光される光の波長、n1をSiO2層の屈折率とし、n2をSiXNY層の屈折率とする。
次に、上述した半導体発光素子1の動作説明をする。この半導体発光素子1では、アノード電極4からホールが供給されるとともに、カソード電極6から電子が供給される。そして、n型コンタクト層11を介して活性層12に電子が注入され、半導体層13〜15を介して活性層12にホールが注入される。活性層12に注入された電子及びホールは結合して約430nmの光を発光する。ここで窒化物半導体積層構造3の主面3aは無極性面であるm面なので、活性層12により発光された光は偏光している。
この偏光した光のうち、光取出方向Aに進行する光は、半導体層13〜15及びアノード電極4を透過して外部に取り出される。一方、光取出方向Aと反対方向に進行する光は、反射層7により光取出方向Aへと反射される。ここで、反射層7が形成される側の基板2の底面2aは鏡面加工されているので、底面2aで光の散乱を抑制できる。このため、光の偏光比の低下を抑制できるので、基板2側へ進行した光も散乱されることなく偏光状態を略保ったまま、半導体層13〜15及びアノード電極4を透過して外部に取り出される。
次に、上述した半導体発光素子の製造方法について説明する。
まず、主面2bが無極性面のm面でありGaNの単結晶からなる基板2を用意する。ここで、無極性面であるm面を主面2bとする基板2は、まず、C面を主面とするGaN単結晶基板から切り出した後、(0001)方向及び(11−20)方向の両方に関する方位誤差が±1°以内(好ましくは±0.3°以内)になるようにCMP法(化学的機械的研磨法)によって表面を研磨し、鏡面加工することによって作製される。これにより、m面を主面2bとし、転位や積層欠陥といった結晶欠陥が少なく、表面の段差が原子レベルまで抑制された基板2を得ることができる。
次に、上述した基板2上にMOCVD法により窒化物半導体積層構造3を成長させる。具体的には、まず、基板2をMOCVD装置(図示略)の処理室内に導入し、加熱及び回転可能なサセプタ上に配置する。尚、処理室内は、1/10気圧〜常圧に設定され、常に処理室内の雰囲気が排気されている。
次に、表面の荒れを抑制しつつGaN層を成長させるために、基板2が保持された処理室内にキャリアガス(H2ガス)によってアンモニアガスを供給しつつ、基板2の温度を約1000℃〜約1100℃に昇温させる。
次に、基板2の温度が約1000℃〜約1100℃まで上昇した後、キャリアガスによってアンモニア、トリメチルガリウム及びシランを処理室に供給して、シリコンがドープされたn型GaN層からなるn型コンタクト層11を成長させる。
次に、基板2の温度を約700℃〜約800℃に設定した後、キャリアガスによってアンモニア、トリメチルガリウムを処理室に供給してノンドープのGaN層を成長させた後、上述のガスとともにシラン及びトリメチルインジウムを供給することによりシリコンがドープされたInGaN層を成長させる。
そして、これらノンドープのGaN層とシリコンがドープされたInGaN層を成長させる工程を交互に所望の回数繰り返すことによって量子井戸構造を有する活性層12を形成する。その後、キャリアガスによってアンモニア及びトリメチルガリウムを処理室に供給して、GaN層からなるファイナルバリア層13を成長させる。
次に、基板2の温度を約1000℃〜約1100℃まで昇温させた後、キャリアガスによってアンモニアガス、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム及びエチルシクロペンタジエニルマグネシウムを処理室に供給して、マグネシウムがドープされたp型AlGaN層からなるp型電子阻止層14を成長させる。
次に、基板2の温度を約1000℃〜約1100℃に保ったまま、キャリアガスによってアンモニアガス、トリメチルガリウム及びエチルシクロペンタジエニルマグネシウムを処理室に供給して、マグネシウムがドープされたGaN層からなるp型コンタクト層15を成長させる。これによって窒化物半導体積層構造3が完成する。
次に、窒化物半導体積層構造3が形成された基板2をプラズマCVDが可能な処理室に移動させて、SiO2層とSiXNY層とを交互に成長させ、所望のペア数となるようにそれぞれ積層することによって反射層7を形成する。
次に、抵抗加熱法または電子線ビームによる金属蒸着装置によって、アノード電極4を形成する。その後、窒化物半導体積層構造3及び反射層7が形成された基板2をエッチング室に移動させて、n型コンタクト層11の一部が露出するように窒化物半導体積層構造3の一部をプラズマエッチングする。
次に、抵抗加熱法または電子線ビームによる金属蒸着装置によって、接続部5、カソード電極6を形成する。この後、劈開により各素子ごとに分割されて、図1に示す半導体発光素子1が完成する。
上述したように、第1実施形態による半導体発光素子1では、無極性面であるm面を主面3aとする窒化物半導体積層構造3を備えているので、活性層12において偏光した光が発光する。また、発光した光のうち、光取出方向Aと逆方向に進行した光は、一般に基板の底面から放出された後、外部の筐体などにより散乱されて偏光比が低下するが、第1実施形態による半導体発光素子1では、基板2の底面2aに反射層7を設けることにより、光取出方向Aとは反対方向に進行した光を光取出方向Aへと反射することができるので、光が基板2の底面2aから放出されて、外部で散乱されることに起因する偏光比の低下を抑制することができる。
これにより、光取出面4aから取り出される光量を向上させることができるとともに、偏光比の高い光を光取出面4aから取り出すことができる。更に、基板2の底面2aを鏡面加工することにより、基板2から反射層7に光が入射する際に、底面2aにおける光の散乱を抑制することができるので、より偏光比の高い光を取り出すことができる。
このように半導体発光素子1は、偏光比が高い光を取り出せるので、液晶ディスプレイの光源として半導体発光素子1を適用した場合、光を偏光させるための偏光フィルターを一つ省略することができる。または、偏光フィルターを透過する光の割合を大きくすることができる。
また、反射層をSiO2及びSiXNYにより構成することによって、容易に形成することができる。
また、SiO2層とSiXNY層の1周期の厚みdが式(1)を満たすように反射層7を形成することにより、SiO2層及びSiXNY層の界面で反射された光が強め合うので、取り出される光量をより多くすることができる。
次に、第1実施形態の一部を変更した第2実施形態について説明する。図2は、第2実施形態による半導体発光素子の断面図である。尚、第1実施形態と同様の構成には同じ符号を付けて説明を省略する。
図2に示すように、半導体発光素子1Aは、活性層12から視て基板2側が光取出方向Aとなっている。即ち、活性層12で発光された光は、基板2の底面(光取出面)2aから取り出される。このように構成する場合は、反射層7Aが、基板2の底面2aの反対側の面であるアノード電極4の上面に形成される。この反射層7Aは、第1実施形態の反射層7と同様に、SiO2層とSiXNY層が積層された積層構造を有する。
上述したように反射層7Aをアノード電極4の上面に設けることにより、基板2側から光を取り出す半導体発光素子1Aにも対応することができる。
次に、第1実施形態の一部を変更した第3実施形態について説明する。図3は、第3実施形態による半導体発光素子の断面図である。尚、第1実施形態と同様の構成には同じ符号を付けて説明を省略する。
図3に示すように、半導体発光素子1Bは、基板2と、基板2上に積層された窒化物半導体積層構造3と、アノード電極(請求項の透明電極に相当)4Bと、カソード電極6と、絶縁膜21と、外部電極22とを備えている。尚、アノード電極4B、絶縁膜21及び外部電極22が請求項の反射部に相当する。
アノード電極4Bは、p型コンタクト層15の上面15aの略全面に形成されている。アノード電極4Bは、約200nm〜約300nmの厚みを有し、透明電極であるZnOからなる。尚、ここでいう透明電極とは、一般的な金属のように薄く(例えば、数十nm)にすることによって光を透過可能にするものではなく、ある程度の厚み(例えば、数百nm)以上にしても光が透過する材料からなる電極のことである。
絶縁膜21は、アノード電極4Bの上面4Baの全面に形成されている。絶縁膜21は、光を反射させるために外部電極22の下面22bを絶縁するためのものである。絶縁膜21は、光を透過可能なSiO2からなる。絶縁膜21の厚みは、活性層12から発光する光の波長以下、好ましくは、「波長/絶縁膜21の屈折率」以下に構成される。一例として、絶縁膜21の厚みを約50nmにすることが考えられる。絶縁膜21の中心を含む中央部には、アノード電極4Bの上面4Baの一部を露出させて、アノード電極4Bと外部電極22とを接続するための開口部21aが形成されている。
外部電極22は、アノード電極4Bと外部とを電気的に接続するとともに、アノード電極4Bの方向へと進行する光を光取出方向Aへと反射するためのものである。外部電極22は、絶縁膜21の上面に形成されている。外部電極22は、導電性を有し、光を反射可能な材料からなる。具体的には、外部電極22には、絶縁膜21側からAl層(厚み約100nm)、Ti層(厚み約10nm)及びAu層(厚み約200nm)が順に積層されている。尚、外部電極22のAl層をAg層により構成してもよい。また、外部電極22は、絶縁膜21の開口部21aに形成された凸部22aを有する。ここで凸部22aの厚みは、活性層12の波長以下である絶縁膜21の厚みと略同じである。従って、活性層12からの光は、鏡面加工された面と同様に、凸部22aによる偏光比の低下が抑制される。外部電極22の凸部22aは、絶縁膜21の開口部21aにより露出されたアノード電極4Bとオーミック接続されている。一方、凸部22a以外の外部電極22の下面22bは、絶縁膜21によって絶縁されているので、光を吸収することなく反射することができる。
次に、上述した半導体発光素子1Bの動作説明を行う。尚、第1実施形態の半導体発光素子1と同じ動作については、簡略化して説明する。
まず、半導体発光素子1Bでは、順方向の電圧が印加されると、活性層12において偏光した光が発光する。発光した光のうち、光取出方向Aへと進行する光は、基板2の裏面2aから外部へ照射される。一方、発光した光のうち、アノード電極4Bの方向へと進行する光は、アノード電極4B及び絶縁膜21を透過した後、外部電極22に達する。そして、光は、外部電極22の下面22bにより光取出方向へと反射される。反射された光は、基板2の裏面2aから外部へ照射される。
次に、上述した半導体発光素子1Bの製造方法について、図面を参照して説明する。図4及び図5は、第3実施形態による半導体発光素子の各製造工程における断面図である。
まず、図4に示すように、第1実施形態の半導体発光素子1と同様に、m面を主面2bとする基板2上に、m面を主面3aとする窒化物半導体積層構造3をエピタキシャル成長させる。
次に、スパッタリング法や真空蒸着法により、ZnOからなるアノード電極4Bをp型コンタクト層15の上面15aの全面に形成する。
次に、プラズマCVD法により、アノード電極4Bの上面4Baの全面に絶縁膜21を形成する。その後、所望のパターンのレジスト膜31を形成した後、エッチングにより開口部21aを形成する。そして、レジスト膜31を除去する。
次に、図5に示すように、抵抗加熱法及び電子ビーム法の真空蒸着法により、絶縁膜21の上面及び開口部21aに金属多層膜からなる外部電極22を形成する。その後、レジスト膜32を形成する。
次に、図3に示すように、n型コンタクト層11が露出するように、各層11〜15、4B、21、22をエッチングする。そして、n型コンタクト層11上にカソード電極6を形成する。最後に、素子単位に分割して半導体発光素子1Bが完成する。
上述したように半導体発光素子1Bは、光を反射可能な外部電極22を備えているので、光取出方向Aとは反対側の方向に進行する光を反射して光取出方向Aへ進行させることができる。これにより、光の取り出し効率を向上させることができる。また、外部電極22の下面22bを絶縁膜21により絶縁することによって、外部電極22により吸収される光を低減できる。
また、アノード電極4Bを透明なZnOにより構成することによって、アノード電極4Bを厚く(約200nm〜約300nmの厚み)構成することができる。これにより、アノード電極4Bの一部にワイヤがボンディングされても、アノード電極4Bの内部で水平方向の全面に電流を広げることができる。この結果、活性層12の略全域により光を発光させることができるので、外部に照射される光量を増大させることができる。更に、アノード電極4Bを透明なZnOにより構成することにより、アノード電極4Bによる光の吸収を抑制できる。
以上、実施形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は本明細書中に説明した実施形態に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載及び特許請求の範囲の記載と均等の範囲により決定されるものである。以下、上記実施形態を一部変更した変更形態について説明する。
例えば、各層を構成する材料や厚み、ドーパントの濃度などは適宜変更可能である。
また、上述の実施形態では、本発明を発光ダイオードに適用した例を示したが、レーザなど他の装置に本発明を適用してもよい。
また、上述の実施形態では、基板2の主面2bをm面としたが、基板の主面はm面に限定されるものではなく、活性層で発光された光を偏光させることが可能な略無極性面又は略半極性面によって構成してもよい。尚、略無極性面又は略非極性面とは、無極性面及び半極性面のみならず、無極性面から±1°以内のオフ角を有する面及び半極性面から±1°以内のオフ角を有する面を含む概念である。ここで、基板を構成するGaNの結晶構造及び結晶面について簡単に説明する。GaNの結晶構造は、六角柱型の六方晶系で近似することができる。そして、六角柱の軸方向に沿うC軸を法線とする面がC面(0001)となる。既知の通り、GaNの結晶構造では、分極方向がC軸方向に沿っているため、C面が+C軸側の面と−C軸側の面とで異なる性質を示すので、C面は極性面(Polar Plane)となる。一方、六角柱の側面がそれぞれm面(10−10)であり、隣り合わない一対の稜線を通る面がa面(11−20)である。これらは、C面に対して垂直な結晶面であり、分極方向に対して直交しているので、極性のない無極性面(Nonpolar Plane)である。また、C面に対して平行でもなく直角でもなく傾斜している結晶面は、分極方向に対して斜めに交差しているので、若干の極性を有する半極性面(Semipolar Plane)である。半極性面の具体例としては、(10−1−1)面、(10−1−3)面、(11−22)面、(11−24)面、(10−12)面などがある。
また、基板を構成する材料はGaN単結晶に限定されるものではなく、主面がm面又はa面のサファイア基板、主面が(100)面又は(110)面のスピネル基板、主面がm面のSiC基板、LiAlO2基板、などを適用することもできる。
また、上述した第3実施形態では、アノード電極4BをZnOにより構成したが、ITO、IZO等の他の透明電極により構成してもよい。
1、1A、1B 半導体発光素子
2 基板
2a 底面
3 窒化物半導体積層構造
4、4B アノード電極
4a 光取出面
5 接続部
6 カソード電極
7、7A 反射層
11 n型コンタクト層
12 活性層
13 ファイナルバリア層
14 p型電子阻止層
15 p型コンタクト層
15a 光取出側面
21 絶縁膜
22 外部電極
2 基板
2a 底面
3 窒化物半導体積層構造
4、4B アノード電極
4a 光取出面
5 接続部
6 カソード電極
7、7A 反射層
11 n型コンタクト層
12 活性層
13 ファイナルバリア層
14 p型電子阻止層
15 p型コンタクト層
15a 光取出側面
21 絶縁膜
22 外部電極
Claims (6)
- 光を発光可能な活性層を含む窒化物半導体積層構造を備えた半導体発光素子において、
前記窒化物半導体積層構造の主面が、略無極性面又は略半極性面であり、
前記活性層により発光された光が取り出される光取出面とは反対側の面には、光を光取出面へと反射するための反射部を備えたことを特徴とする半導体発光素子。 - 前記反射部は、複数の絶縁膜が積層されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。
- 前記反射部は、SiO2、SiN、SiON、ZrO2、Al2O3、Nb2O3及びTiO2のうちから選択された少なくとも2つの絶縁膜が積層されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体発光素子。
- 前記反射部は、第1絶縁膜及び第2絶縁膜が周期的に積層され、
前記活性層に発光された光の波長をλとし、前記第1絶縁膜の屈折率をn1とし、前記第2絶縁膜の屈折率をn2とした場合、
前記反射部を構成する前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜の1周期の厚みが、
(λ/4n1)+(λ/4n2)
となるように形成されていることを特徴とする請求項2又は3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。 - 前記反射部は、前記光取出面とは反対側の面に順に積層された透明電極と、絶縁膜と、外部電極とを備え、
前記透明電極は、前記窒化物半導体積層構造と電気的に接続され、
前記絶縁膜には、前記透明電極の一部を露出させるための開口部が形成され、
前記外部電極は、光を反射可能な金属からなり、前記絶縁膜の開口部により露出された前記透明電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体発光素子。 - 前記反射部が形成される面は、鏡面加工されていることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
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