JP2008131025A - ウエーハ裏面検査装置 - Google Patents

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【課題】 エリアセンサカメラを用いたシリコンウエーハの裏面検査装置は、エリアセンサの分解能の制限から多数の少領域に分割して検査する必要があり、検査精度が低く、検査時間もかかる。本発明は、高い検査精度と再現性が得られ、加えて高速度で検査することにより検査時間の短縮を実現できるシリコンウエーハの裏面検査装置を提供する。
【解決手段】 ラインセンサを撮像素子として備える撮像手段と、暗視野照明となるようにウエーハ裏面の撮像部位を照明する照明手段と、前記撮像手段および前記照明手段とウエーハとの間を一定方向に相対移動させる移動手段と、ウエーハの略円形の中心を回転中心として回転させるウエーハ回転手段とから成り、暗視野照明によりコントラスト高い欠陥画像が得られるとともに、ウエーハの異なる2方向のスキャン画像を得ることにより欠陥の方向に関係なく欠陥を観測できる。
【選択図】図1

Description

本発明は、半導体製造に用いるウエーハの裏面に存在する突起、打痕、付着物、傷などの欠陥を検査するウエーハ裏面検査装置に関する。
半導体製造に用いられるシリコンウエーハ(以下「ウエーハ」と記す)表面の平面部の欠陥検査の重要性は言うまでもなく、不良率をゼロとするために細心の注意で検査が行われる。一方、ウエーハの裏面については半導体回路を形成する面ではないことから、ウエーハ裏面の検査についてはあまり重要と考えてはいなかった。近年になって、ウエーハ裏面い存在する突起、打痕、付着物、傷などの微細な欠陥が後工程への歩留まりに大きな影響があることが次第に明らかになってきている。即ち、裏面に突起や付着物があれば半導体回路形成の際にパターン精度に影響を及ぼすことや、あるいはウエーハ裏面にある微細な凹凸欠陥や付着物が原因でパーティクルあるいは付着物が飛散する結果、後工程において不良品が発生することが問題視されてきている。
ウエーハの裏面を検査する装置としては、現時点において、エリアセンサカメラを用いてウエーハの裏面の欠陥を検査する装置が知られている。この装置は、エリアセンサカメラにとって充分な分解能が得られるようなエリアセンサカメラの撮像範囲を単位領域とし、ウエーハの裏面の領域をその単位領域ごとに分割し、その撮像位置を順次移動させることにより複数の撮影画像を得ることで、ウエーハ裏面の全体の欠陥を検査している。
しかし、上記のようにエリアセンサを用いて撮像を行う場合、単位領域の全域に亙って均一な照明を施すことが難しく、撮像領域の中心部と外端部とは撮像画像にムラができるために正確な画像を撮像することが困難である。また複数の領域に分割して撮像して検査するために、精度および再現性の点で問題がある。さらに少領域に分割して撮像して検査を行うために検査時間が長くなり、検査工程の高速化に対応することができない。
このように、エリアセンサカメラを用いたウエーハの裏面検査装置は、エリアセンサの有する分解能の制限からウエーハの裏面を多数の少領域に分割して検査する必要があり、ウエーハ全体の画像を均一な撮影条件で得ることができないという問題がある。また、多数の少領域の撮像を行うことから検査時間も長時間を要し、さらに領域の切換のための機構も複雑となるという問題がある。
本発明は、上記問題点を鑑み、高い検査精度と再現性が得られ、加えて高速度で検査できることにより検査時間の短縮を実現できるウエーハの裏面検査装置を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の第1の解決手段のウエーハ裏面検査装置は、ウエーハ裏面の欠陥を検査するウエーハ裏面検査装置であって、ラインセンサを撮像素子として備える撮像手段と、暗視野照明となるようにウエーハ裏面の撮像部位を照明する照明手段と、前記撮像手段および前記照明手段とウエーハとの間を一定方向に相対移動させる移動手段と、ウエーハの略円形の中心を回転中心として回転させるウエーハ回転手段とから構成されることを特徴とする。
上記の第1の解決手段によれば、ラインセンサを撮像素子とする撮像手段を備え、撮像手段とウエーハとを相対的に移動させながらラインセンサに画像を取り込むことによりウエーハ全体の画像を均一な撮影条件で得ることができる。さらにラインセンサを用いた撮像では欠陥の方向によっては欠陥を観測できないことがあるという問題に対しては、ウエーハの略円形の中心を回転中心として回転させるウエーハ回転手段を備えることからウエーハを回転させて異なる2方向に配置し、それぞれの方向のスキャン画像を取り込むことで、方向性のある欠陥に対して、少なくともいずれか一方のスキャン画像で観測することが可能となる。
本発明の第2の解決手段は、第1の解決手段のウエーハ裏面検査装置であって、前記照明手段は、ライン状のライトガイドとシリンドリカルレンズとから構成されることを特徴としており、シリンドリカルレンズを用いることによりウエーハ裏面の撮像部位に入射する照明光を広角にする。
本発明の第3の解決手段は、第2の解決手段のウエーハ裏面検査装置であって、前記照明手段のライン状のライトガイドから拡散した照明光がシリンドカルレンズにより収束されて広角度で撮像手段の撮像位置に入射するようにライン状のライトガイドおよびシリンドリカルレンズが配置されていることを特徴としており、ラインセンサの撮像部位に多方向から照明光が入射するために、その撮像部位に欠陥があれば乱反射して撮像素子に入射する照明光が多くなり、高いコントラストが得られる。
本発明の第4の解決手段は、第1の解決手段のウエーハ裏面検査装置であって、前記ウエーハ回転手段により互いに異なる複数の方向にウエーハを配置して、それぞれの方向のスキャン画像を撮像することを特徴としており、欠陥の方向に関わらず欠陥を観測することが可能となる。
本発明の第5の解決手段は、第4の解決手段のウエーハ裏面検査装置であって、前記ウエーハ回転手段により互いに異なる複数の方向として互いに直交する2つの方向にウエーハを配置して、それぞれの方向のスキャン画像を撮像することを特徴としており、全ての方向の欠陥を観測できるスキャン方向を指定するものである。
本発明の第6の解決手段は、第1の解決手段のウエーハ裏面検査装置であって、前記移動手段は、ウエーハを保持して一定方向に移動させるリニアステージを備えることを特徴とする。
本発明の第7の解決手段は、第1の解決手段のウエーハ裏面検査装置であって、前記ウエーハ回転手段は、前記移動手段上に設けられていることを特徴としており、移動手段であるリニアステージ上に設けることにより、任意の方向にウエーハのスキャン画像を得ることができる。
本発明の第8の解決手段は、第7の解決手段のウエーハ裏面検査装置であって、前記ウエーハ回転手段は、ウエーハを載置するウエーハ回転台にリングギヤを設け、駆動源の出力軸と前記リングギヤを噛み合わせることによりウエーハを回転させることを特徴とする。
本発明の第9の解決手段は、第1の解決手段のウエーハ裏面検査装置であって、前記照明手段は、ウエーハに対する角度を変更可能に構成されていることを特徴としており、照明手段3のウエーハ7に対する照射角度を適切な角度にすることにより、高いコントラストを有する画像を得ることができる。
本発明の第10の解決手段は、第1の解決手段のウエーハ裏面検査装置であって、ウエーハ裏面を複数の領域に分割し、それぞれの領域を照明する照明手段と対応する領域を撮像する撮像手段とを設けたことを特徴としており、撮像の精度を落とさずにウエーハ全面を撮像することが可能となる。
上述したように本発明のウエーハ裏面検査装置は、ラインセンサを撮像素子とする撮像手段を用いてウエーハの裏面を検査する装置であり、エリアセンサと比較すると格段に高い解像度を有する故に精度の高い欠陥を実施することができる。また、ウエーハ裏面全体を高速で撮像することができるために、検査時間の短縮が可能となる。さらに、ウエーハを移動手段に載置したまま回転可能に構成されているので、欠陥に方向に関わらず欠陥を検出することが可能で、精度の高いウエーハの裏面検査装置を実現するものである。
図をもって本発明の方法および装置について詳細に説明する。なお、本発明は本実施例によって限定されるものではない。
図1は本発明の第1の実施例のウエーハ裏面検査装置1の構成を示す正面図、図2はその平面図、図3はその側面図であり、撮像手段2、照明手段3、ウエーハ載置台4、リニアステージ5、スライドガイド6から構成される。ここで、ウエーハ7は検査対象である裏面を下にしてウエーハ載置台4に保持されている。
撮像手段2は、リニアセンサアレイを撮像素子とする撮像手段であり、図1および図4に示すようにウエーハ7の裏面をウエーハの真下から撮像するように配置される。本実施例で使用するリニアセンサアレイは、特に高い解像度を有する素子を採用し、微細な傷や欠陥であっても検出できるように構成されている。
リニアセンサアレイは、画素を直線状に並べて走査機能を持たせたものであり、2次元の画像を得るには、リニアセンサアレイの走査方向、即ち画素を並べた直線方向と直交する方向に移動させる必要がある。図1において、撮像手段に搭載されているリニアセンサアレイ自身の走査方向は、紙面に垂直な方向であり、リニアステージ5により検査対象物のウエーハ7をA矢印方向に移動させることにより、2次元画像を得る。
リニアセンサアレイには、撮像範囲があるために、それを超える範囲の画像を撮像するには、図5に示すように、幾つかの領域に分割し、それぞれ撮像手段2および照明手段3を配置する。図5では3つの領域、左領域、中央領域、右領域に分けてそれぞれの撮像領域に撮像手段2および照明手段3を配置し、ウエーハ7裏面の全面の撮像画像を得る。
照明手段3は、図6に示すように、ライン状ライトガイド31とシリンドリカルレンズ32とから構成される。ライン状ライトガイド31には図示しないメタルハロイドランプが接続され、ライン状ライトガイド21より拡散光の照明光が出射される。シリンドリカルレンズ32は円柱形状を2つに割った形状をしたレンズであり、図6に示すようにライン状ライトガイド21とウエーハ7の間に配置することによりライン状ライトガイド21から出射される拡散光を収束させて、ウエーハ裏面を照明する照明光が広角な入射角度で検査対象であるウエーハ裏面を照明する。
ライン状ライトガイド21から拡散光が出射されるのでライン状ライトガイド21のライン方向には、拡散光が撮像手段2の撮像位置に入射する。一方、シリンドリカルレンズ32をライン状ライトガイド21とウエーハ7との間に配置しない場合、ウエーハ7の移動方向に対しては撮像手段2の撮像位置に入射する光線は極めて狭い入射角の照明光に限られる。その結果、欠陥上で反射して撮像手段2に入射する光が制限されるという不具合が起きる。
そこで図6に示すように、ライン状ライトガイド31から出射される拡散光を収束させてウエーハ移動方向においても広角度で照明光が入射するようにライン状ライトガイド31とウエーハ7の間にシリンドリカルレンズ32を配置する。このときに、シリンドリカルレンズ32によって収束される照明光が撮像手段2の撮像位置を広角度で照明するようにシリンドリカルレンズ32の口径を選択し、その設置位置を調整する。なおライン状ライトガイド31に用いられる光源はコントラストが高くなることから青色光が適している。
照明手段3は、ウエーハ7に対する照射角度を調整できるように構成される。図1に示すように、照明手段取付台33に設けられてガイド孔34は、ウエーハ7の照明手段3の照射位置を中心とする円弧の一部となるように形成されており、照明手段3はウエーハ7の照明手段3の照射位置を中心に回動可能である。ウエーハ7の裏面に形成された欠陥や傷の状態によっては、暗視野照明によるコントラストが悪い場合があり、照明手段3のウエーハ7に対する照射角度を適切な角度にすることにより、高いコントラストを有する画像を得ることができる。
ウエーハ載置台4は図1および図2に示すように、リニアステージ5およびスライドガイド6によって矢印A方向に移動可能に形成されている。リニアステージ5は、精密に加工されたレールとこれに組み合わせるリニアガイドベアリングによりガイドされるとともに、精密に位置決め可能な駆動部を備えており、ウエーハ載置台4を一定速度で移動させる。スライドガイド6はスライドブッシュ61とスライドシャフト62から構成され、ウエーハ載置台4の荷重を支えるとともに、そのスムースな移動を実現する。即ち、本実施例の移動手段は、ウエーハ載置台4とリニアステージ5とスライドガイド6とから構成される。
ウエーハ載置台4には、ウエーハ回転台41が回転可能に支持されており、図4に示すように検査対象であるウエーハ7を検査面であるその下面を開放状態にしてウエーハ回転台41のエッジ部で支えることで水平な姿勢に保持する。本実施例では、ウエーハ7を把持装置などが原因となってウエーハ7に傷を付けるのを避けるために、ウエーハ回転台41のエッジ部に載せる方法を採用している。
ウエーハ回転台41はナイフエッジ状のガイドを備えたリングギア42が取り付けられており、リングギア保持ベアリング43によって回転可能に保持される。リングギア42はモーター44の出力軸に取り付けられている駆動ギアと噛み合わせてあり、モーター44を駆動することによりウエーハ回転台41は回転する。その結果、ウエーハ載置台4に保持されているウエーハ7は、その円形の中心位置を中心にして回転する。ウエーハ回転台41はウエーハを任意の位置に回転させ、位置決めすることが可能なように構成されており、特にウエーハ回転台41は、少なくとも互いに直交する2つの方向にウエーハ7の向きに位置決めできるように構成されている。
上述の説明では、ウエーハを移動させる構成とする実施例を説明したが、これに限るものではなく、例えば、ウエーハ回転台は固定されているものとし、ウエーハ回転台上でウエーハが回転可能に構成し、撮像手段および照明手段を一体にして移動可能に構成することによりウエーハ全体をスキャンできる構成としてもよい。
次に本実施例のウエーハ裏面検査装置の機能と検査を行う工程について説明する。図示しない搬送装置によってウエーハ7を搬送し、ウエーハ載置台4のウエーハ回転台5にウエーハ7を移載する。本実施例のウエーハ保持方法は、ウエーハ7を把持装置などにより掴むのではなく、ウエーハ7のエッジに設けられるテーパ部あるいは裏面検査に影響しないエッジでもってウエーハ7を支える構造としている。
ウエーハ7はリニアステージ5によって一定方向に一定速度で移動し、3台の撮像装置2によってウエーハ7の裏面(下面)の撮像が行われる。撮像手段2に搭載されている撮像素子は画素を線状に並べたリニアセンサアレイ21であるので、各撮像素子が並ぶ主走査方向に走査が行われると同時に副走査方向であるリニアセンサアレイの移動方向即ち矢印Aの方向に移動させながら走査を繰り返すことにより、2次元の画像が得られる。
撮像手段2のリニアセンサアレイの撮像範囲には制限があるために、例えば300mmのウエーハについては、図5に示すように3個の撮像範囲に分割してそれぞれ対応する撮像素子2を対応させて撮像を行う。リニアセンサアレイ21の画素を指示するホルダー部が隣のホルダー部と干渉するために、図5に示すように、位置をずらして配置する。
照明手段3のライン状ライトガイド31から出射された照明光はシリンドリカルレンズ32で屈折してウエーハ7の撮像位置を照明する。ここで、ライン状ライトガイド31のライン方向は、リニアセンサアレイ21の主走査方向に一致させて配置しており、リニアセンサアレイ21の主走査方向については、シリンドリカルレンズによる屈折の影響をほとんど受けず拡散光としてウエーハ裏面を照明する。
これに対してリニアセンサアレイ21の副走査方向、即ちウエーハの移動方向では、シリンドリカルレンズ22を通過した照明光は屈折し、特にシリンドリカルレンズの口径が最外部に入射した光は大きく屈折し、ウエーハ7の撮像位置に大きな入射角を持って入射する。この結果、ウエーハ7の撮像位置においては、いずれの方向からも照明光が大きな入射角を持って入射することになる。
照明手段3は暗視野照明となるように撮像手段2に対して配置されており、ウエーハ7の撮像位置に突起、打痕、付着物、傷などの欠陥がある場合、広角度で入射した照明手段7による照明光のうち、欠陥で反射した反射光が撮像手段3において輝く点として観測される。即ち、ウエーハ表面に欠陥があれば、コントラストの高い輝点として認識することができる。
ウエーハ7をリニアステージ5で移動させて1回目の撮像が完了した後にモーター44を駆動してウエーハ回転台41を回転させて、1回目の撮像の際に載置されていた方向とは異なる位置、例えば1回目の撮像の際に載置されていた方向から90°回転した位置にウエーハ7を回転させる。次いで再びリニアステージ5を駆動して、2回目の撮像を行うことにより、異なる2つの方向のウエーハ7の画像を得る。
リニアセンサアレイを撮像手段として用いた暗視野照明による欠陥検査の方法では、検査対象であるウエーハ7の移動方向と傷の方向がほぼ同じである場合に、コントラストが低下し、その傷を観測しにくいという現象が起きる。シリンドリカルレンズ32を用いて照明光の均一化を図ってもなお欠陥の観測に方向性が発生する。そこで、検査精度を高めるために、ウエーハ回転台41を1回目の撮像姿勢からウエーハ7を異なる方向、例えば90°回転させた方向に配置し、ウエーハ7全体を再度撮像することにより、異なる2方向の検査画像を得る。このようにウエーハ7の異なる2方向のスキャン画像を得ることにより、方向性のある傷などの欠陥の観測を可能にしている。
照明手段3は図1に示すように、ウエーハ7に対する照明光の入射角度が調整可能に構成されていて、傷の種類によってはその角度を調整することにより、観測に好都合の角度に設定することができる。
本実施例のウエーハ裏面検査装置では、撮像手段2をウエーハ7の真下に配置し、照明手段3をウエーハ7に対して斜めに配置したが、これに限るものではなく、照明手段3の正反射光が直接撮像手段に入射しない位置に配置することで暗視野照明を実現すればよい。例えば、照明手段をウエーハの真下に配置し、撮像手段をウエーハに対して斜めに配置する構成としてもよい。
また、本実施例では、3台の撮像手段でウエーハ全面をカバーする構成としたが、これに限るものではなく、多数台の撮像手段を一列に配置して分解能をあげることで、さらに高精細の検査画像を得ることが可能である。
さらに、本実施例のウエーハ裏面検査装置は、ウエーハ裏面を下方に向けて配置し、撮像手段および照明手段をウエーハ下方に配置して検査作業を行う構成としており、ウエーハ裏面の検査に際してわざわざウエーハを上下反転させる必要がない。
本発明のウエーハ裏面検査装置は、ラインセンサを撮像素子とする撮像手段を用いてウエーハの裏面を検査する装置であり、エリアセンサと比較すると格段に高い解像度を有するために精度の高い欠陥検査を高速で実施することができる。また、ウエーハを移動手段に載置したまま回転可能に構成されているので、欠陥の方向に関わらず欠陥を検出することができるために、精度の高いウエーハの裏面検査装置を実現する。
このように本発明のウエーハ裏面検査装置は、精度の高い検査を実現できるので、後工程における不良の発生を低減するとともに、高速な検査作業を可能にするものであり、高い生産性を確保することができるために産業への寄与が大なるものである。
本実施例のウエーハ裏面検査装置の構成を一部断面で示す正面図である。 本実施例のウエーハ裏面検査装置の構成を示す平面図である。 本実施例のウエーハ裏面検査装置の構成を示す側面図である。 ウエーハ載置台の構成を示す断面図である。 本実施例のウエーハ裏面の検査領域を下面図で示す説明図である。 照明手段の構成と機能を説明する説明図である。
符号の説明
1 ウエーハ裏面検査装置
2 撮像手段
3 照明手段
4 ウエーハ載置台
5 リニアステージ
6 スライドガイド
7 ウエーハ
31 ライン状ライトガイド
32 シリンドリカルレンズ
33 照明手段取付台
34 ガイド孔
41 ウエーハ回転台
42 リングギア
43 リングギア保持ベアリング
44 モーター
61 スライドブッシュ
62 スライドシャフト

Claims (10)

  1. ウエーハ裏面の欠陥を検査するウエーハ裏面検査装置であって、
    ラインセンサを撮像素子として備える撮像手段と、
    暗視野照明となるようにウエーハ裏面の撮像部位を照明する照明手段と、
    前記撮像手段および前記照明手段とウエーハとの間を一定方向に相対移動させる移動手段と、
    ウエーハの略円形の中心を回転中心として回転させるウエーハ回転手段と
    から構成されることを特徴とするウエーハ裏面検査装置。
  2. 前記照明手段は、ライン状のライトガイドとシリンドリカルレンズとから構成されることを特徴とする請求項1に記載のウエーハ裏面検査装置。
  3. 前記照明手段のライン状のライトガイドから拡散した照明光がシリンドカルレンズにより収束されて広角度で撮像手段の撮像位置に入射するようにライン状のライトガイドおよびシリンドリカルレンズが配置されていることを特徴とする請求項2に記載のウエーハ裏面検査装置。
  4. 前記ウエーハ回転手段により互いに異なる複数の方向にウエーハを配置して、それぞれの方向のスキャン画像を撮像することを特徴とする請求項1に記載のウエーハ裏面検査装置。
  5. 前記ウエーハ回転手段により互いに異なる複数の方向として互いに直交する2つの方向にウエーハを配置して、それぞれの方向のスキャン画像を撮像することを特徴とする請求項4に記載のウエーハ裏面検査装置。
  6. 前記移動手段は、ウエーハを保持して一定方向に移動させるリニアステージを備えることを特徴とする請求項1に記載のウエーハ裏面検査装置。
  7. 前記ウエーハ回転手段は、前記移動手段上に設けられていることを特徴とする請求項1に記載のウエーハ裏面検査装置。
  8. 前記ウエーハ回転手段は、ウエーハを載置するウエーハ回転台にリングギヤを設け、駆動源の出力軸と前記リングギヤを噛み合わせることによりウエーハを回転させることを特徴とする請求項7に記載のウエーハ裏面検査装置。
  9. 前記照明手段は、ウエーハに対する角度を変更可能に構成されていることを特徴とする請求項1に記載のウエーハ裏面検査装置。
  10. ウエーハ裏面を複数の領域に分割し、それぞれの領域を照明する照明手段と対応する領域を撮像する撮像手段とを設けたことを特徴とする請求項1に記載のウエーハ裏面検査装置。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011040752A (ja) * 2009-08-12 2011-02-24 Utechzone Co Ltd 撮影機能付き半導体チップ突き出し装置
JP2014139550A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Tokyo Electron Ltd 基板検査装置
JP2015513111A (ja) * 2012-04-12 2015-04-30 ケーエルエー−テンカー コーポレイション サンプル検査とレビューのためのシステム及び方法
JP2017228602A (ja) * 2016-06-21 2017-12-28 三菱電機株式会社 ウエハ検査装置
JP2018112408A (ja) * 2017-01-06 2018-07-19 株式会社ディスコ 検査装置
CN110533149A (zh) * 2019-07-19 2019-12-03 麦斯克电子材料有限公司 一种硅片背面损伤层自动计数的方法
JP2020190457A (ja) * 2019-05-21 2020-11-26 株式会社昭和電気研究所 ウエハ検査装置
JP2021004769A (ja) * 2019-06-25 2021-01-14 住友金属鉱山株式会社 基板の検査装置、基板の検査方法
CN115808428A (zh) * 2022-11-16 2023-03-17 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺
US11714071B2 (en) 2019-12-24 2023-08-01 Versarien Plc Method and system for inspecting growth quality of graphene

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101442792B1 (ko) 2012-08-31 2014-09-23 (주)유텍시스템 사파이어 웨이퍼의 검사 방법

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0299806A (ja) * 1988-10-07 1990-04-11 Hitachi Metals Ltd 表面欠陥の検査方法
JPH0882603A (ja) * 1994-09-13 1996-03-26 Hamamatsu Photonics Kk 表面検査方法及び装置
JPH11219990A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Mitsubishi Materials Silicon Corp 半導体ウェーハの検査方法およびその装置
WO2003027652A1 (fr) * 2001-09-21 2003-04-03 Olympus Corporation Dispositif d'inspection de defauts
JP2004069580A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Nikon Corp マクロ検査装置およびマクロ検査方法
JP2008064595A (ja) * 2006-09-07 2008-03-21 Olympus Corp 基板検査装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0299806A (ja) * 1988-10-07 1990-04-11 Hitachi Metals Ltd 表面欠陥の検査方法
JPH0882603A (ja) * 1994-09-13 1996-03-26 Hamamatsu Photonics Kk 表面検査方法及び装置
JPH11219990A (ja) * 1998-01-30 1999-08-10 Mitsubishi Materials Silicon Corp 半導体ウェーハの検査方法およびその装置
WO2003027652A1 (fr) * 2001-09-21 2003-04-03 Olympus Corporation Dispositif d'inspection de defauts
JP2004069580A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Nikon Corp マクロ検査装置およびマクロ検査方法
JP2008064595A (ja) * 2006-09-07 2008-03-21 Olympus Corp 基板検査装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011040752A (ja) * 2009-08-12 2011-02-24 Utechzone Co Ltd 撮影機能付き半導体チップ突き出し装置
JP2015513111A (ja) * 2012-04-12 2015-04-30 ケーエルエー−テンカー コーポレイション サンプル検査とレビューのためのシステム及び方法
JP2014139550A (ja) * 2013-01-21 2014-07-31 Tokyo Electron Ltd 基板検査装置
JP2017228602A (ja) * 2016-06-21 2017-12-28 三菱電機株式会社 ウエハ検査装置
JP2018112408A (ja) * 2017-01-06 2018-07-19 株式会社ディスコ 検査装置
JP7093158B2 (ja) 2017-01-06 2022-06-29 株式会社ディスコ 検査装置
JP2020190457A (ja) * 2019-05-21 2020-11-26 株式会社昭和電気研究所 ウエハ検査装置
JP7360687B2 (ja) 2019-05-21 2023-10-13 株式会社昭和電気研究所 ウエハ検査装置
JP2021004769A (ja) * 2019-06-25 2021-01-14 住友金属鉱山株式会社 基板の検査装置、基板の検査方法
CN110533149A (zh) * 2019-07-19 2019-12-03 麦斯克电子材料有限公司 一种硅片背面损伤层自动计数的方法
US11714071B2 (en) 2019-12-24 2023-08-01 Versarien Plc Method and system for inspecting growth quality of graphene
CN115808428A (zh) * 2022-11-16 2023-03-17 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺
CN115808428B (zh) * 2022-11-16 2024-04-30 杭州盾源聚芯半导体科技有限公司 一种硅环伤痕检测设备及硅环返修工艺

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