JP2008130962A - トンネル型磁気検出素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 絶縁障壁層5の直下に位置する第2固定磁性層12の上面12aよりも下側の位置でプラズマ処理を施している。例えば図に示す(1)〜(6)の少なくともいずれか一箇所でプラズマ処理を施す。これによって、RA(抵抗値R×素子面積A)を、前記第2固定磁性層12の上面12aにプラズマ処理を施した従来例に比べて低減させることが可能であり、また、抵抗変化率(ΔR/R)やRAの特性のばらつきを、プラズマ処理自体を行わない比較例に比べて十分に、また、上記の従来例に比べても抑制することが可能である。
【選択図】 図2
Description
前記下側磁性層の上面を形成するより前の製造工程中の前記積層体の上面の少なくとも一箇所に、プラズマ処理を施すことを特徴とするものである。
前記プラズマ処理を、前記第1磁性層の上面、前記非磁性中間層の上面、あるいは、前記第2磁性層を複数の磁性材料層の積層構造で形成したとき、前記第2磁性層の最上層よりも下層側の前記磁性材料層の上面の、少なくともいずれか一箇所に施すことが好ましい。
前記プラズマ処理を、前記第2磁性層の上面と、前記第2磁性層の上面より下側に位置するいずれかの層の上面とに夫々に施してもよい。
また前記下地層1を、Ta,Hf,Nb,Zr,Ti,Mo,Wのうち1種または2種以上の元素などの非磁性材料で形成する。前記下地層1の形成は必須ではない。
以上により下地層1から保護層7までが積層された積層体T1を形成する。
積層体T1を、下から、下地層1;Ta(3)/シード層2;(Ni0.8Fe0.2)60at%Cr40at%(5)/反強磁性層3;IrMn(7)/固定磁性層4[第1磁性層8;Co70at%Fe30at%(1.4)/非磁性中間層9;Ru(0.9)/下層側磁性材料層10;(Co0.75Fe0.25)80at%B20at%(1.5)/上層側磁性材料層11;Co70at%Fe30at%(0.3)]/絶縁障壁層5;Al−O/フリー磁性層6[エンハンス層6a;Co50at%Fe50at%(1)/軟磁性層6b;Ni85at%Fe15at%(5)]/保護層7[Ru(2)/Ta(27)]の順に積層した。なお括弧内の数値は平均膜厚を示し単位はnmである。
図6に示すように、(1)〜(5)の位置でプラズマ処理した実施例では、従来例よりもRAを低減できることがわかった。
2 シード層
3 反強磁性層
4 固定磁性層
5 絶縁障壁層
6 フリー磁性層
7 保護層
8 第1固定磁性層
9 非磁性中間層
10 下層側磁性材料層
11 上層側磁性材料層
12 第2固定磁性層
22、24 絶縁層
23 ハードバイアス層
30 リフトオフ用レジスト層
T1、T2 積層体
Claims (8)
- 積層体内に、下から下側磁性層、絶縁障壁層、及び上側磁性層の順に積層した積層部分を有し、前記下側磁性層及び上側磁性層の一方を磁化が固定される固定磁性層で、他方を外部磁界に対して磁化変動するフリー磁性層で形成するトンネル型磁気検出素子の製造方法において、
前記下側磁性層の上面を形成するより前の製造工程中の前記積層体の上面の少なくとも一箇所に、プラズマ処理を施すことを特徴とするトンネル型磁気検出素子の製造方法。 - 前記下側磁性層を複数の磁性材料層の積層構造で形成し、前記下側磁性層の最上層よりも下層側の前記磁性材料層の上面の少なくとも一箇所に、前記プラズマ処理を施す請求項1記載のトンネル型磁気検出素子の製造方法。
- 前記下側磁性層を、下から第1磁性層、非磁性中間層及び第2磁性層の順に積層された積層フェリ構造で形成し、
前記プラズマ処理を、前記第1磁性層の上面、前記非磁性中間層の上面、あるいは、前記第2磁性層を複数の磁性材料層の積層構造で形成したとき、前記第2磁性層の最上層よりも下層側の前記磁性材料層の上面の、少なくともいずれか一箇所に施す請求項1記載のトンネル型磁気検出素子の製造方法。 - 前記プラズマ処理を、前記非磁性中間層の上面、あるいは、前記第2磁性層の最上層よりも下層側の前記磁性材料層の上面の、少なくともいずれか一箇所に施す請求項3記載のトンネル型磁気検出素子の製造方法。
- 前記プラズマ処理を、前記第2磁性層の最上層よりも下層側の前記磁性材料層の上面のいずれか一箇所と、前記第2磁性層よりも下側に位置するいずれかの層の上面とに夫々に施す請求項3記載のトンネル型磁気検出素子の製造方法。
- 前記下側磁性層を、下から第1磁性層、非磁性中間層及び第2磁性層の順に積層された積層フェリ構造で形成し、
前記プラズマ処理を、前記第2磁性層の上面と、前記第2磁性層の上面より下側に位置するいずれかの層の上面とに夫々に施す請求項1記載のトンネル型磁気検出素子の製造方法。 - 前記下側に位置するいずれかの層として前記第1磁性層、あるいは、前記非磁性中間層を選択し、前記第1磁性層の上面、あるいは、前記非磁性中間層の上面をプラズマ処理する請求項5または6に記載のトンネル型磁気検出素子の製造方法。
- 前記積層体を、下からシード層、反強磁性層、固定磁性層、絶縁障壁層、フリー磁性層及び保護層の順で積層する請求項1ないし7のいずれかに記載のトンネル型磁気検出素子の製造方法。
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