JP2008130905A - 半導体装置の製造方法及びそのテスト装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】システムLSIにつきウェハ状態で一括してテスト可能な半導体装置の製造方法及びそのテスト装置を提供すること。
【解決手段】 表面から突出したボール状の外部接続端子17を複数有する半導体ウェハ1をステージ21上に戴置するステップS11と、前記ステージ21上に戴置された前記半導体ウェハ1に対してプローブカード22を近接させ、該プローブカード22に備えられた複数のプローブ端子28を前記外部接続端子17の各々に接触させるステップS12と、前記プローブ端子28を介して前記半導体ウェハ1に電圧を印加して、該半導体ウェハ1のテストを行うステップS13、S14とを具備し、前記外部接続端子17の全てに対して、個々の前記プローブ端子28が接触される。
【選択図】図11
【解決手段】 表面から突出したボール状の外部接続端子17を複数有する半導体ウェハ1をステージ21上に戴置するステップS11と、前記ステージ21上に戴置された前記半導体ウェハ1に対してプローブカード22を近接させ、該プローブカード22に備えられた複数のプローブ端子28を前記外部接続端子17の各々に接触させるステップS12と、前記プローブ端子28を介して前記半導体ウェハ1に電圧を印加して、該半導体ウェハ1のテストを行うステップS13、S14とを具備し、前記外部接続端子17の全てに対して、個々の前記プローブ端子28が接触される。
【選択図】図11
Description
この発明は、半導体装置の製造方法及びそのテスト装置に関する。例えば、ウェハレベルでのバーンインテスト工程を含んだ、LSIの製造方法に関する。
半導体装置の製造工程には通常、バーンイン(burn-in)テスト工程が含まれる。バーンインテストは、半導体装置に対して電圧・温度を加えた状態で動作テストを行うことにより、不良となる半導体装置をスクリーニングするためのものである。
従来、バーンインテストは個々の半導体チップをパッケージングした状態で行われていた。また近年では、特に半導体メモリの分野において、ウェハ状態で一括してバーンインテストを行う手法が提案されてきている(例えば特許文献1参照)。
しかしながら、半導体メモリに比べてシステムLSIでは外部接続端子数が非常に多い。そのため、システムLSIについてウェハ状態でのバーンインテストを行うことは非常に困難であり、そのための研究も進んでいないのが現状であった。
特許第3293995号公報
この発明は、システムLSIにつきウェハ状態で一括してテスト可能な半導体装置の製造方法及びそのテスト装置を提供する。
この発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、表面から突出したボール状の外部接続端子を複数有する半導体ウェハをステージ上に戴置するステップと、前記ステージ上に戴置された前記半導体ウェハに対してプローブカードを近接させ、該プローブカードに備えられた複数のプローブ端子を前記外部接続端子の各々に接触させるステップと、前記プローブ端子を介して前記半導体ウェハに電圧を印加して、該半導体ウェハのテストを行うステップとを具備し、前記外部接続端子の全てに対して、個々の前記プローブ端子が接触される。
また、この発明の一態様に係る半導体装置のテスト装置は、表面から突出したボール状の外部接続端子を複数有する半導体チップのバーンインテストをウェハ状態で行う、半導体装置のテスト装置であって、半導体ウェハを戴置可能なステージと、前記ステージに戴置された前記半導体ウェハの前記外部接続端子に接触可能な複数のプローブ端子を備えたプローブカードと、電圧を発生する電源ユニットと、前記電源ユニットで発生された前記電圧を、個々の前記プローブ端子に印加する検査ボードとを具備し、複数の前記プローブ端子は、互いに等間隔で2次元状に配置される。
本発明によれば、システムLSIにつきウェハ状態で一括してテスト可能な半導体装置の製造方法及びそのテスト装置を提供出来る。
以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。この説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
[第1の実施形態]
この発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置について説明する。本実施形態は、ウェハの状態(これをウェハレベルと呼ぶ)で半導体素子の形成からバーンインテストを行い、バーンインテスト後にダイシング(dicing)を行って、最終的な製品を製造する方法に関する。図1は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の大まかな流れを示すフローチャートである。
この発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置について説明する。本実施形態は、ウェハの状態(これをウェハレベルと呼ぶ)で半導体素子の形成からバーンインテストを行い、バーンインテスト後にダイシング(dicing)を行って、最終的な製品を製造する方法に関する。図1は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法の大まかな流れを示すフローチャートである。
図示するように、まずウェハ工程を行う(ステップS1)。ウェハ工程とは、ウェハの状態で半導体基板上に半導体素子(システムLSIを構成する回路)を形成する工程である。図2はウェハ工程の模式図であり、ウェハの外観とその一部断面を示している。なお、一枚のウェハに含まれる複数の半導体集積回路チップ(以下、単にチップと呼ぶ)を、ウェハから切り出される前の状態においてもチップと呼ぶことにする。
図示するように、ウェハ1中には複数のチップ2が含まれている。各チップは次のような構成を有している。すなわち、半導体基板10上に半導体素子11が形成されている。図2では、半導体素子11がMOSトランジスタである場合を示している。この半導体素子11を被覆するようにして、半導体基板10上に層間絶縁膜12が形成され、更に層間絶縁膜12中には、多層金属配線層13が形成されている。
ウェハ工程の後、ウェハレベルでのパッケージング工程を行う(図1、ステップS2)。以下、これをWCSP工程と呼ぶことにする。WSCP工程とは、ステップS1において半導体素子が形成されたウェハ1に対して、ウェハレベルでパッケージングを行う工程である。すなわち、再配線や、パッケージ外部との接続端子となる外部接続端子を、ウェハレベルで形成する工程である。図3は、WCSP工程の模式図であり、ウェハ1の外観とその一部断面を示している。
図示するように、ウェハ1表面の層間絶縁膜12上には封止用の樹脂14が形成される。そして、樹脂14内に再配線用の金属配線層15が形成される。再配線とは、金属配線層13を外部に引き出すために用いるものである。そして、再配線用の金属配線層15上に、金属層16を介して外部接続端子17が形成される。外部接続端子17は、樹脂14の表面から突出したボール状に形成され、その突出の度合いは外部接続端子としてバンプ等を使用する場合に比べて大きい。以下、外部接続端子17をボールと呼ぶことにする。以上の結果、表面から突出した複数のボール17が並んでパッケージングされたウェハ1が完成する。
図4は、ステップS2によってパッケージングされたウェハ1の平面図であり、チップ2毎に設けられたボール17の配置を示している。図示するように、チップ2上には複数のボール17が二次元状に配列されている。このようなパッケージは、例えばウェハ・レベル・チップ・サイズ・パッケージ(Wafer level Chip Size Package:WCSP)等として知られている。隣接するボール17間距離は等しくされている。
ステップS2の後、ウェハレベルでのバーンインテストを行う(図1、ステップS3)。本工程をウェハレベルバーンインと呼ぶ。図5はウェハレベルバーンインの様子を示す模式図である。図示するように、バーンインを行うためのバーンイン装置20へウェハ1が投入される。そして、バーンイン装置20において、ウェハ1に対して温度及び電圧が印加され、テストが行われる。これによって、不良チップがスクリーニングされる。
バーンインテストの終了後、次にダイシング工程を行う(図1、ステップS4)。ダイシング工程とは、ウェハ1からチップを切り出す工程である。本工程の様子を図6に示す。図6はダイシング工程の模式図である。図示するようにウェハ1を個々のチップ2に分割する。その後、個々のチップ2について最終的なパッケージング工程を行い(図1、ステップS5)、システムLSI製品が完成する。
次に、上記のバーンインテストの詳細について説明する。まずバーンイン装置20の構成について説明する。図7は、バーンイン装置20のブロック図である。図示するようにバーンイン装置20は、ステージ21、プローブカード22、検査ボード23、荷重ユニット24、電源ユニット25、及びオーブン26を備えている。
バーンインテスト時において、ウェハ1はステージ21上に戴置される。プローブカード22は、複数のプローブ端子28を備えている。そして、プローブ端子28の各々がウェハ1のボール17に接触される。検査ボード23はプローブカード22に接続されており、プローブカード22における各プローブ端子28に対して電圧や各種の信号を印加する。検査ボード23は、テストすべきウェハ1の品種毎に用意され、プローブカード22は例えば検査ボード23に固定される。荷重ユニット24は、検査ボード23を介してプローブカード22に対して荷重を印加する。この荷重によって、プローブカード22のプローブ端子28はボール17に接触される。電源ユニット25は、テストに必要な電圧や信号、例えば電源電圧Vcc、接地電圧GND、クロック信号CLK等を発生し、検査ボード23へ供給する。オーブン26は、例えばステージ21、ウェハ1、プローブカード22、及び検査ボード23を格納可能とされている。そして保持したこれらに対して設定された温度を加える。これによってウェハ1は、バーンインテストに必要な温度に設定される。
次に、上記プローブカード22の構成の詳細について図8及び図9を用いて説明する。図8及び図9はプローブカード22の斜視図及び平面図であり、共にプローブ端子28が設けられた面を示している。
図示するようにプローブカード22の表面上には、複数の針状のプローブ端子28が設けられている。複数のプローブ端子28は、二次元的に等間隔で配置されている。すなわち、隣接するプローブ端子28間の距離は、表面内における第1方向及び第1方向に直交する第2方向の両方につきd1である。図3及び図4で説明したウェハ1において隣接するボール17の間隔は、プローブ端子28間距離d1、またはd1の倍数に等しくされている。なお図9ではプローブ端子28が行列状に配置されているが、例えば千鳥状に配置されていても良い。ボール17についても同様である。
次に、上記検査ボード23の詳細と、この検査ボード23とプローブカード22との接続の様子について図10を用いて説明する。図10は検査ボード23及びプローブカード22の斜視図であり、互いの接続を模式的に示している。
図示するように検査ボード23は、複数の検査回路30を有している。検査回路30は、電源ユニット25から与えられた電源電圧、接地電圧、及びクロック信号等の信号を、各々のプローブ端子28に適切に印加する。すなわち、どのプローブ端子にどのような電圧や信号を印加するかを決定し、決定した電圧や信号を各プローブ端子28に印加する。検査ボード23の各検査回路30と、プローブカード22における各プローブ端子28とは、引き出し配線31によって電気的に接続されている。検査回路30とプローブ端子28とは1:1で設けられていても良いし、チップ2毎に1つの検査回路30が与えられていても良い。本実施形態に係る構成であると、プローブカード22は多数のプローブ端子28を有している。従って、検査回路30を例えばプローブカード22上に形成することは困難である。よって本実施形態では、プローブカード22よりも表面積の大きい検査ボード23上に検査回路30を形成し、引き出し配線31によってプローブ端子28と検査回路30とを接続している。
次に、図7乃至図10に示したバーンイン装置20によるウェハレベルバーンインテストの詳細について説明する。図11はウェハレベルバーンインテストのフローチャートであり、図1におけるステップS3の内容を示している。
図示するように、まずボール17が形成されたウェハ1が、バーンイン装置20におけるステージ21上に戴置される(ステップS11)。次に、荷重ユニット24が検査ボード23に対して荷重をかける。これによって、検査ボード23に固定されたプローブカード22にも荷重が加わり、プローブ端子28がウェハ1に接触される(ステップS12)。この様子を図12に示す。図12は、プローブカード22及びウェハ1の断面図である。図12では、プローブ端子28の隣接間隔d1が、ボール17の隣接間隔に等しい場合について示している。図示するように、全てのボール17のそれぞれに対して1本のプローブ端子28が接触される。次に、ウェハ1に対して温度及び電圧が印加される(ステップS14)。すなわち、まずオーブン26内部の温度が上昇し、これによりウェハ1の温度が上昇する。更に、電源回路26で発生された電圧及び信号が、制御回路25、検査ボード23、及びプローブカード22を介してウェハ1に与えられる。これによりウェハ1が発熱し、ウェハ1自身の温度が上昇する。その結果、ウェハ1は、テストに必要な温度に上昇する。そして、その状態においてテストを行う(ステップS14)。
以上のように、この発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置であると、下記(1)乃至(3)の効果が得られる。
(1)システムLSIにつきウェハ状態で一括してバーンインテストを実施出来る。
本実施形態であると、プローブカード22における各プローブ端子28が等間隔で配置されている。また、ウェハ1にはボール17が等間隔で配置され、その間隔はプローブ端子28の間隔と同一、またはその整数倍とされている。その結果、全てのボール17に対してプローブ端子28を接触させることが出来、システムLSIのバーンインテストをウェハ状態で一括して行うことが出来る。
(1)システムLSIにつきウェハ状態で一括してバーンインテストを実施出来る。
本実施形態であると、プローブカード22における各プローブ端子28が等間隔で配置されている。また、ウェハ1にはボール17が等間隔で配置され、その間隔はプローブ端子28の間隔と同一、またはその整数倍とされている。その結果、全てのボール17に対してプローブ端子28を接触させることが出来、システムLSIのバーンインテストをウェハ状態で一括して行うことが出来る。
従来、システムLSIにおいては、個々のチップに分割して(ダイシング工程)、パッケージングを行った後にバーンインテストを行うのが通常であった。これは、システムLSIではウェハレベルでのバーンインテストが非常に困難だったからである。なぜなら、システムLSIでは、例えば半導体メモリ等に比べて使用する電圧や信号が多く、各チップの外部接続端子が非常に多かったためである。外部接続端子が多いため、ウェハレベルで一括してバーンインテストを行おうとすると、それだけプローブ端子28の数が多くなる。そして従来のシステムLSIでは、外部接続端子としてパッド状のものを使用するのが通常である。パッドの大きさは、通常数十μm〜100μm程度であるので、パッドとプローブ端子との位置あわせも困難であった。このような理由によって、システムLSIについてウェハレベルでのバーンインテストを行うのは困難であった。
しかし、本実施形態に係る構成であると、ウェハ1には外部接続端子としてボール17を使用している。ボール17は、例えばBGA(Ball Grid Array)等に使用されているハンダボール等であり、その直径は数百μm程度である。そして、ボール17が例えば0.5mm間隔で配列されている。このように、ボール17のサイズはパッドに比べて1桁程度大きく、位置あわせが容易となる。つまり、上記した従来の原因が解決される。そこで、本構成を有するウェハ1を用い、且つボール17及びプローブ端子28を等間隔で配置することにより、ウェハレベルで一括したバーンインテストが可能となる。
(2)システムLSIの製造コストを削減出来る。
上記(1)の通り、本実施形態であると、ウェハレベルで不良チップのスクリーニングが可能となる。つまり、不良チップについてはその後のパッケージング工程等が不要である。すなわち、付加価値をつける前に不良チップを選別出来るため、無用な工程を省くことが出来、システムLSIの製造コストを削減出来る。
上記(1)の通り、本実施形態であると、ウェハレベルで不良チップのスクリーニングが可能となる。つまり、不良チップについてはその後のパッケージング工程等が不要である。すなわち、付加価値をつける前に不良チップを選別出来るため、無用な工程を省くことが出来、システムLSIの製造コストを削減出来る。
(3)テストの信頼性を向上出来る。
上記実施形態では、図12に示すようにボールの間隔とプローブ端子28の間隔d1とが同一である場合について説明した。しかし、前述の通り、ボール17の間隔はプローブ端子28の整数倍であれば良い。図13は、プローブ端子28をボール17に接触させた際のウェハ1及びプローブカード22の断面図とその一部領域の拡大図であり、ボール17の間隔がd1の2倍である場合について示している。
上記実施形態では、図12に示すようにボールの間隔とプローブ端子28の間隔d1とが同一である場合について説明した。しかし、前述の通り、ボール17の間隔はプローブ端子28の整数倍であれば良い。図13は、プローブ端子28をボール17に接触させた際のウェハ1及びプローブカード22の断面図とその一部領域の拡大図であり、ボール17の間隔がd1の2倍である場合について示している。
図示するように、この場合にはプローブ端子28は1本おきにボール17に接触する。この際、ボール17に接しない(使用しない)プローブ端子28は、ウェハ1に接触しない。すなわち、複数のプローブ端子28のうち、一部のみがウェハ1に接触する。これは、ボール17の直径が数百μmと比較的大きいため、プローブカード22に荷重をかけたとしても、ウェハ1に接するにはプローブ端子28が短いからである。このように、使用しないプローブ端子28がウェハ1に接することを防止出来ることで、バーンインテストの信頼性を向上出来る。
この点、外部接続端子としてボール17ではなくパッドを使用した場合には、信頼性の点で問題が発生する。図14は、図13と同様の条件において外部接続端子としてパッド29を用いた場合について示している。図示するように、パッド29はボール17に比べてウェハ1表面からの高さが非常に低い。従って、使用しないプローブ端子28もウェハ1に接してしまう。その結果、バーンインテストが不安定となるおそれがある。
このように、ボール17を使用することは、バーンインテストの信頼性向上にも寄与する。
このように、ボール17を使用することは、バーンインテストの信頼性向上にも寄与する。
[第2の実施形態]
次に、この発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置について説明する。本実施形態はプローブカードの構成に関するものであり、上記第1の実施形態に係るプローブカード22において、プローブ端子28によってプローブカード22と検査ボード23とを接続するものである。本実施形態では、上記第1の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
次に、この発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置について説明する。本実施形態はプローブカードの構成に関するものであり、上記第1の実施形態に係るプローブカード22において、プローブ端子28によってプローブカード22と検査ボード23とを接続するものである。本実施形態では、上記第1の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
図15及び図16は、本実施形態に係るプローブカード22の斜視図及び断面図であり、図15においては検査ボード23に接する面を示している。図示するように本実施形態に係るプローブカード22は、第1の実施形態で説明した図8及び図9に示した構成において、プローブ端子28がウェハ1に接する面だけでなく、検査ボード23に接する面においても突出した構成を有している。図16に示すように、プローブ端子28はプローブカード22を貫通しており、その上面に突出した部分において検査ボード23に接し、下面で突出した部分においてウェハ1に接する。プローブカード22の両面の平面構成は図9と同様である。
図17は、本実施形態に係る検査ボード23の裏面側、つまりプローブカード22に接する面の平面図である。図示するように検査ボード23の裏面には、接触端子領域35が設けられている。接触端子領域35内においては、金属パッド等で形成された接触端子36が二次元状に配置されている。接触端子36の配列パターンは、図9で説明したプローブ端子28の配列パターンと同様である。すなわち接触端子36は、隣接間隔がd1で配置されている。そして各接触端子36は、検査ボード23内部に形成された内部配線(図示せず)、検査回路30に接続される。第1の実施形態と同様、接触端子36毎に検査回路30が設けられても良いし、複数の接触端子36単位で検査回路30が設けられても良い。
図18は、本実施形態におけるバーンインテスト時のステップS11(図11参照)の様子を示しており、ウェハ1、ステージ21、プローブカード22、及び検査ボード23の断面図である。なお図18ではボール17を省略している。図示するようにバーンインテスト時には、プローブカード22が検査ボード23に接触される。この際、プローブカード22のプローブ端子28が、検査ボード23の接触端子36に接するように接続される。これにより、プローブ端子28は検査ボード23上の検査回路30に電気的に接続される。
この状態で、荷重ユニット24によって検査ボード23に対して荷重が加えられる。その結果、プローブ端子28において、検査ボード23に接する一端の反対側の端部が、ウェハ1上に突出するボール17に接する。これにより、バーンインテストが行われる。
その他の構成及び動作は第1の実施形態と同様である。
その他の構成及び動作は第1の実施形態と同様である。
上記のように、本実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置であると、上記第1の実施形態で説明した(1)乃至(3)の効果に加えて、下記(4)の効果が得られる。
(4)バーンインテストを簡略化出来る。
本実施形態に係る構成であると、検査ボード23上の接触端子36とプローブ端子28とを接触させることで、検査ボード23とプローブカード22とを電気的に接続している。従って、プローブカード22をバーンインテスト装置20に固定しておけば、製品毎のテストの切り替えは、製品の品種に応じた検査ボード23に取り替えることのみで完了する。よって、バーンインテストを簡略化出来る。
本実施形態に係る構成であると、検査ボード23上の接触端子36とプローブ端子28とを接触させることで、検査ボード23とプローブカード22とを電気的に接続している。従って、プローブカード22をバーンインテスト装置20に固定しておけば、製品毎のテストの切り替えは、製品の品種に応じた検査ボード23に取り替えることのみで完了する。よって、バーンインテストを簡略化出来る。
[第3の実施形態]
次に、この発明の第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置について説明する。本実施形態はバーンイン装置に関するものであり、上記第1の実施形態に係るバーンイン装置20において、ステージ21がオーブン26の役割を同時に果たすものである。本実施形態では、上記第1の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
次に、この発明の第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置について説明する。本実施形態はバーンイン装置に関するものであり、上記第1の実施形態に係るバーンイン装置20において、ステージ21がオーブン26の役割を同時に果たすものである。本実施形態では、上記第1の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
図19は、本実施形態に係るバーンイン装置20のブロック図である。図示するように本実施形態に係る構成は、上記第1の実施形態において図7を用いて説明した構成において、オーブン26を廃し、温度制御ユニット27を新たに備えたものである。そしてステージ21は、ウェハ1を戴置すると共に、オーブン26の役割を果たす。すなわち、ステージ21はその表面温度が可変であり、その温度は温度制御ユニット27によって制御される。そしてバーンインテスト時には、ステージ21によってウェハ1の温度が上昇される。
その他の構成及び動作は第1の実施形態と同様である。
その他の構成及び動作は第1の実施形態と同様である。
以上のように、この発明の第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置であると、上記第1の実施形態で説明した(1)乃至(3)の効果に加えて、下記(5)の効果が得られる。
(5)バーンインテスト時の消費電力を低減出来る。
バーンインテストとは、LSIに対して温度及び電圧を印加し、LSIにとって厳しい動作条件の下で動作テストを行って、不良をスクリーニングするテストである。例えばLSIの動作補償温度が150℃であったとすると、LSIの温度を150℃近辺に設定してテストを行うことで、テスト時間を短縮出来る。
(5)バーンインテスト時の消費電力を低減出来る。
バーンインテストとは、LSIに対して温度及び電圧を印加し、LSIにとって厳しい動作条件の下で動作テストを行って、不良をスクリーニングするテストである。例えばLSIの動作補償温度が150℃であったとすると、LSIの温度を150℃近辺に設定してテストを行うことで、テスト時間を短縮出来る。
この際、LSIの温度を150℃にするには、まずオーブンによってLSIの周囲温度が例えば75℃程度に設定される。更に、LSI自身の発熱による温度上昇が75℃程度になるように、LSIに電圧を印加する。これによって、LSIの温度は150℃近辺となる。これは、検査ボード23とLSIとが共にオーブン内に設置されるからである。
すると、ウェハレベルでバーンインテストを行う場合、ウェハ1には非常に多数のチップ2が含まれ、各チップ2が75℃程度の発熱を起こすように各チップ2に電圧を印加しなければならない。そのため、ウェハレベルでのバーンインテストでは消費電力が大きくなることが考えられる。
しかし本実施形態であると、オーブン26を廃し、ステージ21によってウェハ1を暖めている。すなわち、ウェハ1のみが暖められるので、検査ボード23の温度は従来のバーンインテストに比べて圧倒的に低く済む。つまり、検査ボード23の温度を考慮する必要がないため、ステージ21によってウェハ1を150℃近くまで上昇させることが出来る。換言すれば、外部から電圧を印加することによるウェハ1自身の発熱は殆ど必要が無い。従って、ウェハ1に対して印加すべき電圧を低くすることが出来、バーンインテスト時の消費電力を低減出来る。
なお、本実施形態は上記第2の実施形態で説明した構成にも適用出来る。図20は、本実施形態の変形例に係るバーンインテスト装置20のブロック図である。図示するように、本実施形態で説明した図19の構成において、プローブカード22及び検査ボード23を第2の実施形態で説明した構成に置き換えても良い。この場合には、第1の実施形態で説明した(1)乃至(3)、本実施形態で説明した(5)の効果に加えて、第2の実施形態で説明した(4)の効果が併せて得られる。
[第4の実施形態]
次に、この発明の第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置について説明する。本実施形態はバーンイン装置に関するものであり、上記第1の実施形態において、検査ボード23に荷重をかけないための構成に関する。本実施形態では、上記第1の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
次に、この発明の第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置について説明する。本実施形態はバーンイン装置に関するものであり、上記第1の実施形態において、検査ボード23に荷重をかけないための構成に関する。本実施形態では、上記第1の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
図21は、本実施形態に係るバーンイン装置20のブロック図である。図示するように本実施形態に係る構成は、上記第1の実施形態に係る構成において検査ボード23を、プローブカード22の上部以外の場所に設置している。換言すれば、検査ボード23を、荷重ユニット24によって荷重を印加されずに済む位置に設置している。図21では、検査ボード23がオーブン26の外部に設置されているが、このことは本実施形態では特に問題では無く、オーブン26内に設置されていても良い。そして第1の実施形態において図11を用いて説明したステップS12では、荷重ユニット24は検査ボード23に荷重を加えることなく、プローブカード22に対して例えば直接荷重を印加する。なお、荷重ユニット24による荷重は検査ボードに印加されなければ良いので、荷重ユニット24とプローブカード22との間に、例えばプローブカード22固定用の固定用部材等が設けられていても良い。勿論、プローブカード22と検査ボード23との間は、第1の実施形態において図10を用いて説明した配線31によって接続されている。
その他の構成及び動作は第1の実施形態で説明した通りである。
その他の構成及び動作は第1の実施形態で説明した通りである。
以上のように、この発明の第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置であると、上記第1の実施形態で説明した(1)乃至(3)の効果に加えて、下記(6)の効果が得られる。
(6)バーンイン装置におけるストレスを低減出来る。
本実施形態に係る構成であるとバーンイン装置20は、荷重ユニット24による荷重が検査ボード23にかからないような構成を有している。従って、検査ボード23がストレスによって破損したり、動作信頼性が低下したりすることを防止出来る。
(6)バーンイン装置におけるストレスを低減出来る。
本実施形態に係る構成であるとバーンイン装置20は、荷重ユニット24による荷重が検査ボード23にかからないような構成を有している。従って、検査ボード23がストレスによって破損したり、動作信頼性が低下したりすることを防止出来る。
通常バーンインテストにおいては、プローブ端子28と外部接続端子とを確実に接触させるために、一定程度の荷重をプローブ端子28に印加する。図22はその際の様子を示しており、荷重を印加した際のウェハ1及びプローブ端子28の断面図である。図示するように、プローブ端子28には一本毎に例えば約40g重の荷重が印加される。するとシステムLSIの場合、8インチのウェハに0.5mm間隔でボール17を配置したとすると、ボール17の数はトータルで126000個となる。つまり、ウェハレベルでのバーンインテストを行うためには、最低126000本のプローブ端子28が必要である。そして個々のプローブ端子28には40g重の荷重を印加する必要がある。その結果、荷重ユニット24によって与えられる荷重の大きさは、(126000個×40g重)≒5トンである。つまり、プローブカード22と検査ボード23とが固定・一体化されていると、5トンの荷重が検査ボード23に対しても印加される。そのため、検査ボード23が受けるストレスが大きくなる可能性がある。
しかし本実施形態に係る構成であると、プローブカード22と検査ボード23とを分離し、検査ボード23には荷重ユニット24による荷重がかからない構成としている。従って、検査ボード23が荷重によって破損したり、検査ボード23の動作信頼性や安定性が損なわれたりすることを防止出来る。勿論、ウェハ1においては、個々のボール17にかかる荷重は40g重に過ぎないので、特に問題となることは無い。
なお、本実施形態は上記第1の実施形態の場合について説明したが、勿論、第3の実施形態に適用することも可能であり、オーブン26を廃してステージ21によってウェハ1温度を上昇させる構成であっても良い。この場合の構成を図23に示す。図23は、第4の実施形態の変形例に係るバーンイン装置20のブロック図である。図示するように、上記第4の実施形態に係る構成において検査ボード23を、プローブカード22の上部以外の場所に設置している。本構成によれば、第1の実施形態で説明した(1)乃至(3)の効果及び本実施形態に係る効果(6)と共に、上記第3の実施形態で説明した(5)の効果も併せて得ることが出来る。
[第5の実施形態]
次に、この発明の第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置について説明する。本実施形態は、上記第2の実施形態において、上記第4の実施形態と同様に、検査ボード23に荷重をかけないための構成に関する。本実施形態では、上記第2の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
次に、この発明の第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置について説明する。本実施形態は、上記第2の実施形態において、上記第4の実施形態と同様に、検査ボード23に荷重をかけないための構成に関する。本実施形態では、上記第2の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
図24は、本実施形態に係るバーンイン装置20のブロック図である。図示するように本実施形態に係る構成は、上記第2の実施形態に係る構成において、新たに配線ボード37を設けたものである。配線ボード37には、第2の実施形態における検査ボード23と同様に接触端子36が設けられている。そして、接触端子36とプローブ端子28とが接触されることにより、配線ボード37とプローブ端子28とが電気的に接続される。
他方、検査ボード23には接触端子36は不要であり、接続配線38によって配線ボード37と検査ボード23とが接続される。すなわち配線ボード37は、電気的にはプローブ端子28から読み出された信号を検査ボード23上の検査回路30に伝達する、または検査ボード23上の検査回路30から与えられる信号をプローブ端子28に伝達する役割を有するに過ぎない。
配線ボード37の役割は、プローブカード22を保持する点にある。本実施形態では、検査ボード23は荷重ユニット24によって荷重を印加されずに済む位置に設置される。換言すれば、プローブカード22の上部以外の場所に設置している。よって、プローブカード22を固定するために新たに配線ボード37が設けられる。そして、荷重ユニット24は配線ボード37に対して荷重を加えることで、プローブカード22のプローブ端子28をウェハ1のボール17に接触させる。
その他の構成及び動作は第2の実施形態で説明した通りである。
その他の構成及び動作は第2の実施形態で説明した通りである。
本実施形態に係る構成であると、
以上のように、この発明の第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置であると、上記第1の実施形態で説明した(1)乃至(3)、上記第2の実施形態で説明した(4)、第4の実施形態で説明した(6)の効果の効果に加えて、下記(7)の効果が得られる。
以上のように、この発明の第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置であると、上記第1の実施形態で説明した(1)乃至(3)、上記第2の実施形態で説明した(4)、第4の実施形態で説明した(6)の効果の効果に加えて、下記(7)の効果が得られる。
(7)検査に関する自由度が向上出来る。
本実施形態のように、配線ボード37を新たに用いることで、検査ボード23のサイズは特に問題とならなくなる。すなわち、検査ボード23の配置位置の制限が無くなるため、従来では困難であった大型の検査ボード23を使用することも可能となる。その結果、大規模な検査回路30を検査ボードに23に搭載することも可能となり、検査に関する自由度が向上する。
本実施形態のように、配線ボード37を新たに用いることで、検査ボード23のサイズは特に問題とならなくなる。すなわち、検査ボード23の配置位置の制限が無くなるため、従来では困難であった大型の検査ボード23を使用することも可能となる。その結果、大規模な検査回路30を検査ボードに23に搭載することも可能となり、検査に関する自由度が向上する。
従って、配置に問題が無ければ、上記第1乃至第3の実施形態に係る構成においても、検査ボード23の他に配線ボード37を設けることで、上記(7)の効果を得ることが可能である。
なお、本実施形態は勿論、第3の実施形態の変形例で説明した構成に適用することも可能であり、オーブン26を廃してステージ21によってウェハ1温度を上昇させる構成であっても良い。この場合の構成を図25に示す。図25は、第5の実施形態の変形例に係るバーンイン装置20のブロック図である。図示するように、図24で説明した構成において、オーブン26を廃し、温度制御ユニット27を設けることで、ステージ21がオーブン26の役割を果たす。本構成によれば、上記(1)乃至(7)の効果が得られる。
[第6の実施形態]
次に、この発明の第6の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置について説明する。本実施形態は、上記第1乃至第5の実施形態におけるウェハ1の、ボール17の配置に関するものである。
次に、この発明の第6の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置について説明する。本実施形態は、上記第1乃至第5の実施形態におけるウェハ1の、ボール17の配置に関するものである。
図26は、本実施形態に係るウェハ1の平面図であり、2つのチップ2についてのボール17の配置を示している。図示するようにボール17は2次元状にマトリクス状に配置され、その隣接間隔は等しくd2である。前述の通り、d2=m・d1(mは1以上の自然数)であり、プローブ端子28の間隔d1の整数倍である。ボール17の隣接間隔d2は、各チップ2内においてのみならず、ウェハ1内において均一である。従って、チップ2の端部においては、チップ2の端部から該端部に最近接のボール17までの距離はd2/2である。
図27も本実施形態に係るウェハ1の平面図であり、図26とは別のボール配置を示している。図示するように、各チップ2内におけるボール17の隣接間隔はd2であるが、チップ2の端部から該端部に最近接のボール17までの距離は(n・d2)/2であり(nは2以上の自然数)、チップ2の境界を挟んで隣接するボール17の隣接間隔はn・d2である。
上記図27のボール配置の具体例について図28を用いて説明する。図28はウェハ1の平面図であり、2つのチップ2についてのボール17の配置を示している。図示するように本例であると、チップ2の境界を挟んで隣接するボール17の隣接間隔は2・d2である。従って、チップ2の端部から該端部に最近接のボール17までの距離はd2である。
図28のボール配置を採用したウェハ1のバーンインテスト時における、プローブカード22とウェハ1の断面図を図29に示す。図29は、d1=d2の場合について示している。図示するように、各チップ2内においては、全てのプローブ端子28がボール17に接触する。他方、チップ2の境界部分では、1本のプローブ端子28がボール17に接触しない。
図28のボール配置を採用しつつ、d2=2・d1である場合の、ウェハ1のバーンインテスト時における、プローブカード22とウェハ1の断面図を図30に示す。図示するようにこの場合には、各チップ2内においてはプローブ端子28が1本おきにボール17に接触する。他方、チップ2の境界部分では、3本のプローブ端子28がボール17に接触しない。
図31は、図27とは別のボール配置を示したウェハ1の平面図である。図示するように本例であると、チップ2の境界を挟んで隣接するボール17の隣接間隔は3・d2である。従って、チップ2の端部から該端部に最近接のボール17までの距離は1.5・d2である。
図31のボール配置を採用したウェハ1のバーンインテスト時における、プローブカード22とウェハ1の断面図を図32に示す。図32は、d1=d2の場合について示している。図示するように、各チップ2内においては、全てのプローブ端子28がボール17に接触する。他方、チップ2の境界部分では、2本のプローブ端子28がボール17に接触しない。
図31のボール配置を採用しつつ、d2=2・d1である場合の、ウェハ1のバーンインテスト時における、プローブカード22とウェハ1の断面図を図33に示す。図示するようにこの場合には、各チップ2内においてはプローブ端子28が1本おきにボール17に接触する。他方、チップ2の境界部分では、5本のプローブ端子28がボール17に接触しない。
以上のように、上記第1乃至第5の実施形態において本実施形態に係るウェハ1を用いることにより、第1乃至第5の実施形態で説明した(1)乃至(7)の効果に加えて、下記(8)の効果が得られる。
(8)プローブカードを異なる製品間で共通化し、製造コストを削減出来る。
本実施形態であると、図26に示すようにウェハ1内において全てのボール17の隣接間隔が等しくされる。これにより、図26に示すボール配置を有するウェハ1については、図8、図9、及び図15を用いて説明したプローブカード22を共通に使用することが出来る。
(8)プローブカードを異なる製品間で共通化し、製造コストを削減出来る。
本実施形態であると、図26に示すようにウェハ1内において全てのボール17の隣接間隔が等しくされる。これにより、図26に示すボール配置を有するウェハ1については、図8、図9、及び図15を用いて説明したプローブカード22を共通に使用することが出来る。
また、製品よってはチップサイズが異なったりボール数が異なったりする場合がある。このような場合にも、図27に示すような配置とすることで、プローブカード22を図8、図9、及び図15で説明した構成で共通化することが出来る。
このように、製品毎にプローブカードを用意する必要が無くなるため、システムLSIの製造コストを削減出来る。
このように、製品毎にプローブカードを用意する必要が無くなるため、システムLSIの製造コストを削減出来る。
[第7の実施形態]
次に、この発明の第7の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置について説明する。本実施形態は、上記第1乃至第6の実施形態におけるプローブカードの別の構成に関するものである。本実施形態では、上記第1乃至第6の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
次に、この発明の第7の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置について説明する。本実施形態は、上記第1乃至第6の実施形態におけるプローブカードの別の構成に関するものである。本実施形態では、上記第1乃至第6の実施形態と異なる点についてのみ説明する。
図34は、本実施形態に係るプローブカード22及び検査ボード23の断面図であり、プローブカード22を検査ボード23に固定した際の様子を示している。図示するようにプローブカード22は、プローブカード22を貫通するスルーホール40を有している。そしてその内部に、針状のプローブ端子28がスルーホール40内を可動可能に配置されている。第1、第2の実施形態で説明した通り、プローブ端子28は二次元状に間隔d1で配列されている。
検査ボード23は、上記第2の実施形態と同様に、裏面に接触端子36が設けられている。そしてプローブカード22と検査ボード23とは、スルーホール40と接触端子36とが一致するように固定される。
図35は、上記のプローブカード22、検査ボード23、並びにウェハ1及びステージ21の断面図であり、プローブカード22及び検査ボード23に荷重を加えてウェハ1にプローブ端子28を接触させた際の様子を示している。図示するように、検査ボード23及びプローブカード22に荷重を加えることにより、ボール17に接したプローブ端子28はスルーホール40内に押し込まれ、検査ボード23の接触端子36に接触する。これにより、ボール17はプローブ端子28を介して接触端子36に電気的に接続される。他方、ボール17に接しないプローブ端子28は、スルーホール40内を押し込まれないので接触端子36には接触しない。
なお図35では一部のプローブ端子28がボール17に接する場合について示しているが、勿論、全てのプローブ端子28がボール17に接する場合であっても良い。
図36はプローブカードの別の例を示しており、本実施形態に係るプローブカード22及び検査ボード23の断面図であり、プローブカード22を検査ボード23に固定した際の様子を示している。図示するようにプローブカード22の内部には、プローブカード22を貫通するプローブ端子28が埋め込まれている。プローブ端子28の一端及び他端は、プローブカード22の表面に露出している。図36では、プローブ端子28の一端及び他端の表面はプローブカード表面と同一面にあるが、その一部が突出している場合であっても良い。またプローブ端子28の周囲には、弾性体41が設けられている。弾性体41は、例えば導電ゴム等を使用できるが、弾性のある材料であれば限定されない。なおプローブ端子28は、図34の場合と同様に、二次元状に間隔d1で配列されている。
検査ボード23も、図34の場合と同様に、裏面に接触端子36が設けられている。そしてプローブカード22と検査ボード23とは、プローブ端子28の一端と接触端子36とが一致するように固定される。
図37は、上記のプローブカード22、検査ボード23、並びにウェハ1及びステージ21の断面図であり、プローブカード22及び検査ボード23に荷重を加えてウェハ1にプローブ端子28を接触させた際の様子を示している。図示するように、プローブ端子28の他端はボール17に接触される。この際、検査ボード23及びプローブカード22に荷重を加えることにより、ボール17に接した弾性体41がその弾性により変形する。
なお図37では一部のプローブ端子28がボール17に接する場合について示しているが、勿論、全てのプローブ端子28がボール17に接する場合であっても良い。
以上のように、上記第1乃至第6の実施形態におけるプローブカード22を本実施形態に係る構成のものに置き換えても良い。
以上のように、上記第1乃至第6の実施形態におけるプローブカード22を本実施形態に係る構成のものに置き換えても良い。
上記のように、本実施形態に係るプローブカード22を用いることにより、上記第1乃至第6の実施形態で説明した(1)乃至(8)の効果に加えて、下記(9)の効果を併せて得ることが出来る。
(9)ウェハ1とのコンタクト荷重の調整が容易となる。
図34に示すプローブカード22であると、ボール17に接触したプローブ端子28のみがバーンインテストに使用され、接触しないプローブ端子28には使用されず、検査ボード23における接触端子36にも接しない。従って、ウェハ1とプローブカード22とのクリアランスを十分に取ることが出来、ウェハ1とプローブカード22との荷重調整が容易となる。
(9)ウェハ1とのコンタクト荷重の調整が容易となる。
図34に示すプローブカード22であると、ボール17に接触したプローブ端子28のみがバーンインテストに使用され、接触しないプローブ端子28には使用されず、検査ボード23における接触端子36にも接しない。従って、ウェハ1とプローブカード22とのクリアランスを十分に取ることが出来、ウェハ1とプローブカード22との荷重調整が容易となる。
また図36に示すプローブカード22であっても、プローブ端子28の周囲に弾性体41が設けられているため、プローブカード22とボール17とが接した場合の衝撃を弾性体41が吸収する。従って、ウェハ1とプローブカード22との荷重調整が容易となる。
なお本実施形態では、プローブカード22が検査ボード23に固定される場合について説明したが、プローブカード22は第5の実施形態で説明した配線ボード37に固定される場合であっても良い。
以上のように、この発明の第1乃至第7の実施形態に係る半導体装置の製造方法及びそのテスト装置であると、ボール状の外部接続端子が等間隔で配列されたシステムLSIウェハ1について、ウェハレベルで一括してバーンインテストを行うことが出来る。従って、半導体装置の製造工程を簡略化及び低コスト化出来る。
なお、上記実施形態ではプローブ端子28が針状の形状を有している場合について説明したが、その形状は特に限定されるものでは無い。例えば図38のプローブカード22の断面図に示すように、プローブ端子28が半球状の形状を有していても良い。この場合、例えば導電ゴム等を材料として使用することが出来る。また第1の実施形態におけるプローブカード22と検査ボード23とを接続する引き出し配線31は、図39のように配置することが出来る。図39はプローブカード22の平面図であり、プローブ端子28、34が設けられた面の裏面の平面図である。図示するようにプローブカード22にはスルーホール33が設けられ、このスルーホールはプローブ端子28、34に達する。このスルーホール33内に引き出し配線31が接続される。引き出し配線31はプローブカード22上においては、例えば2方向に分かれて外部に引き出される。これは全ての配線31を同一方向に引き出そうとすると、配線間隔が密になりすぎるからである。勿論、2方向のみならず、例えば図39において第2方向に更に引き出しても良い。このことは、配線ボード37を使用した際の配線ボード37内部の内部配線についても同様である。
また、上記実施形態ではプローブカード22におけるプローブ端子28が隣接間隔d1で等間隔に配置されている場合について説明した。しかしプローブ端子28もボール17と同様に、全面において等間隔である必要はない。例えば、隣接するプローブ端子28の隣接間隔の最小値がd(min)であったとすると、その整数倍でプローブ端子28が配置されていれば良く、このことはプローブ端子28も同様である。更に上記各実施形態における針状のプローブ端子28は、弾性のある導電ゴムを材料に製造されたものであっても良い。
なお、本願発明は上記実施形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。例えば、実施形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。
1…半導体ウェハ、2…半導体チップ、10…半導体基板、11…半導体素子、12…層間絶縁膜、13、15、16…金属配線層、14…封止樹脂、17…ボール、20…バーンイン装置、21…ステージ、22…プローブカード、23…検査ボード、24…荷重ユニット、25…電源ユニット、26…オーブン、27…温度制御ユニット、28、32…プローブ端子、29…パッド、30…検査回路、31、38…配線、33、40…スルーホール、36…接触端子、37…配線ボード、41…弾性体
Claims (5)
- 表面から突出したボール状の外部接続端子を複数有する半導体ウェハをステージ上に戴置するステップと、
前記ステージ上に戴置された前記半導体ウェハに対してプローブカードを近接させ、該プローブカードに備えられた複数のプローブ端子を前記外部接続端子の各々に接触させるステップと、
前記プローブ端子を介して前記半導体ウェハに電圧を印加して、該半導体ウェハのテストを行うステップと
を具備し、前記外部接続端子の全てに対して、個々の前記プローブ端子が接触される
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記プローブ端子及び前記外部接続端子は、第1の間隔または前記第1の間隔の整数倍である第2の間隔で配列され、
前記プローブ端子のうちの一部のみが、前記半導体ウェハに接触される
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体ウェハをステージ上に戴置させた後、前記ステージの温度を上昇させることにより前記半導体ウェハの温度を上昇させるステップを更に備え、
前記テストは、前記ステージにより前記半導体ウェハの温度が上昇された状態において行われる
ことを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。 - 表面から突出したボール状の外部接続端子を複数有する半導体チップのバーンインテストをウェハ状態で行う、半導体装置のテスト装置であって、
半導体ウェハを戴置可能なステージと、
前記ステージに戴置された前記半導体ウェハの前記外部接続端子に接触可能な複数のプローブ端子を備えたプローブカードと、
電圧を発生する電源ユニットと、
前記電源ユニットで発生された前記電圧を、個々の前記プローブ端子に印加する検査ボードと
を具備し、複数の前記プローブ端子は、互いに等間隔で2次元状に配置される
ことを特徴とする半導体装置のテスト装置。 - 前記プローブカードに対して荷重を加えることにより、前記プローブ端子を前記半導体ウェハの外部接続端子に接触させる荷重ユニットを更に備え、
前記荷重ユニットは、前記検査ボードには前記荷重を加えることなく前記プローブカードに前記荷重を加える
ことを特徴とする請求項4記載の半導体装置のテスト装置。
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