JP2008130721A - 発光装置、半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
発光装置、半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008130721A JP2008130721A JP2006312588A JP2006312588A JP2008130721A JP 2008130721 A JP2008130721 A JP 2008130721A JP 2006312588 A JP2006312588 A JP 2006312588A JP 2006312588 A JP2006312588 A JP 2006312588A JP 2008130721 A JP2008130721 A JP 2008130721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- semiconductor
- semiconductor layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】発光装置は、逆四角錐台状の半導体発光素子3、および、半導体発光素子3が挿入される逆四角錐台状のキャビティが形成されたキャビティ基板を備える。半導体発光素子3は、逆四角錐台状の透明基材31、および、透明基材31の基材下面312上に設けられた多層半導体層32を備え、透明基材31の基材上面311が光出射面となっている。発光装置では、多層半導体層32の一方にのみ透明基材31が設けられた半導体発光素子3において、素子下面302および4つの素子側面303に、発光層322からの光を反射する第1反射層および第2反射層となるp電極層34およびn電極層35が設けられる。これにより、半導体発光素子3および発光装置の高輝度化および小型化を実現することができる。
【選択図】図6
Description
2 キャビティ基板
3,3a〜3g 半導体発光素子
20 導電性金属ペースト
21 キャビティ
22 p基板電極
23 n基板電極
24 絶縁凸部
31 透明基材
32 多層半導体層
33 (第1)絶縁層
33a 第2絶縁層
34 p電極層
35 n電極層
37 透明電極層
39 突起電極
211 開口
212 内底面
213 内側面
214 溝部
301 素子上面
302 素子下面
303 素子側面
311 基材上面
312 基材下面
313 基材側面
321 n型半導体層
322 発光層
323 p型半導体層
324 側面
801 溝部
802 突起部
803 保持部材
831 透明基材
833 絶縁層
834 p電極層
835 n電極層
837 透明電極層
8321 n型半導体層
8322 発光層
8323 p型半導体層
S11〜S16,S21〜S27 ステップ
Claims (23)
- 発光装置であって、
矩形状の光出射面である素子上面、前記素子上面に平行かつ前記素子上面よりも小さい矩形状の素子下面、および、4つの素子側面を有する逆四角錐台状の半導体発光素子と、
矩形状の開口、前記開口よりも小さい矩形状の内底面、および、4つの内側面を有する逆四角錐台状のキャビティが形成されており、前記半導体発光素子が、前記素子下面および前記4つの素子側面を前記キャビティの前記内底面および前記4つの内側面に対向させつつ前記キャビティに挿入されるキャビティ基板と、
を備え、
前記半導体発光素子が、
矩形状の基材上面、前記基材上面に平行かつ前記基材上面よりも小さい矩形状の基材下面、および、4つの基材側面を有する逆四角錐台状の光透過性の素子基材と、
前記素子基材の前記基材上面上または前記基材下面上に順に積層される第1半導体層、発光層および第2半導体層を有する多層半導体層と、
前記素子下面に形成されて前記発光層からの光を反射する第1反射層と、
前記4つの素子側面に形成されて前記発光層からの光を反射する第2反射層と、
を備えることを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置であって、
前記多層半導体層が前記素子基材の前記基材下面上に形成されており、
前記第1反射層が、前記第2半導体層の前記素子基材とは反対側の主面に接するとともに前記第2半導体層を前記キャビティの前記内底面に形成された第1基板電極に電気的に接続する経路の少なくとも一部を有し、
前記第2反射層が、前記第1半導体層を前記キャビティの前記4つの内側面のいずれかに形成された第2基板電極に電気的に接続する経路の少なくとも一部を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項2に記載の発光装置であって、
前記第1反射層上に、前記キャビティ基板の前記第1基板電極に接合される突起電極が形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置であって、
前記多層半導体層が前記素子基材の前記基材上面上に形成されており、
前記半導体発光素子が、前記第2半導体層の前記素子基材とは反対側の主面に接するとともに前記第2反射層と電気的に接続される透光性電極層をさらに備え、
前記第2反射層が、前記第2半導体層および前記透光性電極層を前記キャビティの前記4つの内側面のいずれかに形成された第1基板電極に電気的に接続する経路の少なくとも一部を有し、
前記第1反射層および前記第2反射層の少なくとも一方が、前記第1半導体層を前記キャビティの前記内底面および前記4つの内側面のいずれかに形成された第2基板電極に電気的に接続する経路の少なくとも一部を有することを特徴とする発光装置。 - 請求項4に記載の発光装置であって、
前記第1反射層が、前記第1半導体層を前記第2基板電極に電気的に接続する経路の少なくとも一部を有し、
前記第1反射層上に、前記第2基板電極に接合される突起電極が形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項2ないし5のいずれかに記載の発光装置であって、
前記第1半導体層がn型半導体層であり、前記第2半導体層がp型半導体層であることを特徴とする発光装置。 - 請求項2ないし6のいずれかに記載の発光装置であって、
前記多層半導体層の4つの側面全体に接する絶縁層をさらに備えることを特徴とする発光装置。 - 請求項2ないし7のいずれかに記載の発光装置であって、
前記第1基板電極と前記半導体発光素子との間、および、前記第2基板電極と前記半導体発光素子との間に導電性金属ペーストまたはハンダペーストが充填されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項8に記載の発光装置であって、
前記キャビティ基板が、前記キャビティ内において前記第1基板電極を含む領域と前記第2基板電極を含む領域とを隔離するように線状に伸びる絶縁凸部を備えることを特徴とする発光装置。 - 請求項2ないし9のいずれかに記載の発光装置であって、
前記第1基板電極および前記第2基板電極がそれぞれ、前記キャビティの前記4つの内側面のいずれかに形成されており、
前記第2反射層の前記第2基板電極に接合される部位から絶縁された他の部位が、前記キャビティの前記4つの内側面のいずれかにおいて前記第1基板電極に接合されることを特徴とする発光装置。 - 請求項1ないし10のいずれかに記載の発光装置であって、
前記キャビティ基板が、前記キャビティの前記内底面および前記4つの内側面の間の境界に沿って連続的に形成された溝部を備えることを特徴とする発光装置。 - 矩形状の光出射面である素子上面、前記素子上面に平行かつ前記素子上面よりも小さい矩形状の素子下面、および、4つの素子側面を有する逆四角錐台状の半導体発光素子であって、
矩形状の基材上面、前記基材上面に平行かつ前記基材上面よりも小さい矩形状の基材下面、および、4つの基材側面を有する逆四角錐台状の光透過性の素子基材と、
前記素子基材の前記基材下面上に順に積層される第1半導体層、発光層および第2半導体層を有する多層半導体層と、
前記第2半導体層の前記素子基材とは反対側の主面に接するとともに前記発光層からの光を反射する第1反射層と、
前記4つの基材側面および前記多層半導体層の4つの側面に形成されて前記発光層からの光を反射する第2反射層と、
を備え、
前記第1反射層が、前記第2半導体層を外部の電極に電気的に接続する経路の少なくとも一部を有し、
前記第2反射層が、前記第1半導体層を外部の電極に電気的に接続する経路の少なくとも一部を有することを特徴とする半導体発光素子。 - 矩形状の光出射面である素子上面、前記素子上面に平行かつ前記素子上面よりも小さい矩形状の素子下面、および、4つの素子側面を有する逆四角錐台状の半導体発光素子であって、
矩形状の基材上面、前記基材上面に平行かつ前記基材上面よりも小さい矩形状の基材下面、および、4つの基材側面を有する逆四角錐台状の光透過性の素子基材と、
前記素子基材の前記基材上面上に順に積層される第1半導体層、発光層および第2半導体層を有する多層半導体層と、
前記基材下面に形成されて前記発光層からの光を反射する第1反射層と、
前記4つの基材側面および前記多層半導体層の4つの側面に形成されて前記発光層からの光を反射する第2反射層と、
前記第2半導体層の前記素子基材とは反対側の主面に接するとともに前記第2反射層と電気的に接続される透光性電極層と、
を備え、
前記第1反射層および前記第2反射層の少なくとも一方が、前記第1半導体層を外部の電極に電気的に接続する経路の少なくとも一部を有し、
前記第2反射層が、前記第2半導体層および前記透光性電極層を外部の電極に電気的に接続する経路の少なくとも一部を有することを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項12または13に記載の半導体発光素子であって、
前記第1半導体層がn型半導体層であり、前記第2半導体層がp型半導体層であることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項12ないし14のいずれかに記載の半導体発光素子であって、
前記多層半導体層の前記4つの側面全体に接する絶縁層をさらに備えることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項12ないし15のいずれかに記載の半導体発光素子であって、
前記第1反射層および前記第2反射層の面積が、素子下面および4つの素子側面全体の面積の70%以上100%以下であることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項16に記載の半導体発光素子であって、
前記第1反射層および前記第2反射層の面積が、素子下面および4つの素子側面全体の面積と等しく、
前記第1反射層および前記第2反射層の少なくともいずれか一方において、前記第1半導体層を外部の電極に電気的に接続する前記経路と、前記第2半導体層を外部の電極に電気的に接続する前記経路とが絶縁層を介して部分的に重なっていることを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項12ないし17のいずれかに記載の半導体発光素子であって、
前記素子基材の前記基材上面と前記4つの基材側面との間のそれぞれの角度が30°以上60°以下であることを特徴とする半導体発光素子。 - 矩形状の光出射面である素子上面、前記素子上面に平行かつ前記素子上面よりも小さい矩形状の素子下面、および、4つの素子側面を有する逆四角錐台状の半導体発光素子の製造方法であって、
a)平板状の光透過性の素子基材の一方の主面上に、第1半導体層、発光層および第2半導体層を順に積層する工程と、
b)前記第2半導体層側から前記第2半導体層、前記発光層、前記第1半導体層および前記素子基材の一部を切除することにより、断面が略三角形状であって格子状に配列された複数の溝部を形成する工程と、
c)前記複数の溝部に囲まれた四角錐台状の複数の突起部の表面に反射層を形成する工程と、
d)前記素子基材を前記複数の突起部とは反対側から研磨し、前記複数の突起部を互いに分離させて複数の半導体発光素子を得る工程と、
を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項19に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記b)工程と前記c)工程との間に、前記複数の突起部の表面に絶縁層を形成する工程をさらに備え、
前記反射層が、導電性を有し、かつ、
前記第1半導体層および前記素子基材に電気的に接続されるとともに前記第2半導体層から絶縁される部位と、
前記第2半導体層に電気的に接続されるとともに前記第1半導体層および前記素子基材から絶縁される部位と、
を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 矩形状の光出射面である素子上面、前記素子上面に平行かつ前記素子上面よりも小さい矩形状の素子下面、および、4つの素子側面を有する逆四角錐台状の半導体発光素子の製造方法であって、
a)平板状の光透過性の素子基材の一方の主面上に、第1半導体層、発光層および第2半導体層を順に積層する工程と、
b)前記第2半導体層上に透光性電極層を積層する工程と、
c)粘着性を有する保持部材を前記透光性電極層側から貼付する工程と、
d)前記素子基材側から前記素子基材、前記第1半導体層、前記発光層、前記第2半導体素子、前記透光性電極層および前記保持部材の一部を切除することにより、断面が略三角形状であって格子状に配列された複数の溝部を形成する工程と、
e)前記保持部材上において前記複数の溝部に囲まれた四角錐台状の複数の突起部の表面に反射層を形成する工程と、
f)前記複数の突起部を前記保持部材から剥離することにより複数の半導体発光素子を得る工程と、
を備えることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項21に記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記d)工程と前記e)工程との間に、前記複数の突起部の表面に絶縁層を形成する工程をさらに備え、
前記反射層が、導電性を有し、かつ、
前記第1半導体層および前記素子基材に電気的に接続されるとともに前記第2半導体層および前記透光性電極層から絶縁される部位と、
前記第2半導体層および前記透光性電極層に電気的に接続されるとともに前記第1半導体層および前記素子基材から絶縁される部位と、
を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 請求項19ないし22のいずれかに記載の半導体発光素子の製造方法であって、
前記第1半導体層がn型半導体層であり、前記第2半導体層がp型半導体層であることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006312588A JP4655029B2 (ja) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | 発光装置および半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006312588A JP4655029B2 (ja) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | 発光装置および半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008130721A true JP2008130721A (ja) | 2008-06-05 |
JP4655029B2 JP4655029B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=39556273
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006312588A Expired - Fee Related JP4655029B2 (ja) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | 発光装置および半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4655029B2 (ja) |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010087219A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子および発光装置 |
JP2010123717A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
WO2010074287A1 (ja) * | 2008-12-28 | 2010-07-01 | 有限会社Mtec | 発光ダイオード素子及び発光ダイオードモジュール |
JP2010171340A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
WO2011037185A1 (ja) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | 京セラ株式会社 | 実装用基板、発光体、および実装用基板の製造方法 |
JP2011166146A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 分布ブラッグ反射器を有する発光ダイオードチップ及びその製造方法 |
JP2011171743A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子及び発光素子パッケージ |
JPWO2010074288A1 (ja) * | 2008-12-28 | 2012-06-21 | 有限会社Mtec | 高電圧駆動の発光ダイオードモジュール |
JP2013106033A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-30 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
JP5368620B1 (ja) * | 2012-11-22 | 2013-12-18 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2013258233A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスの加工方法 |
JP2013258232A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスの加工方法 |
US9041033B2 (en) | 2012-06-28 | 2015-05-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
JP2015122452A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | サンケン電気株式会社 | 発光装置 |
KR20160124456A (ko) * | 2015-04-20 | 2016-10-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
US9537056B2 (en) | 2010-02-18 | 2017-01-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
KR20170129555A (ko) * | 2016-05-17 | 2017-11-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 모듈 |
JP2019192946A (ja) * | 2013-04-11 | 2019-10-31 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | トップエミッション型半導体発光デバイス |
US11316071B2 (en) | 2019-02-08 | 2022-04-26 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Optical device and method for manufacturing optical device |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102346798B1 (ko) | 2015-02-13 | 2022-01-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5892751U (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-23 | 三洋電機株式会社 | 発光ダイオ−ド素子 |
JPH10341035A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-22 | Hewlett Packard Co <Hp> | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP2002100758A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-04-05 | Seiko Epson Corp | 機能ブロックを含む装置およびその製造方法ならびに光伝送装置 |
JP2004103672A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Toshiba Corp | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
JP2006080124A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Seiko Epson Corp | 発光装置及びその製造方法 |
-
2006
- 2006-11-20 JP JP2006312588A patent/JP4655029B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5892751U (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-23 | 三洋電機株式会社 | 発光ダイオ−ド素子 |
JPH10341035A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-22 | Hewlett Packard Co <Hp> | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
JP2002100758A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-04-05 | Seiko Epson Corp | 機能ブロックを含む装置およびその製造方法ならびに光伝送装置 |
JP2004103672A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Toshiba Corp | 半導体発光素子および半導体発光装置 |
JP2006080124A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-03-23 | Seiko Epson Corp | 発光装置及びその製造方法 |
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010087219A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子および発光装置 |
US8350284B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-01-08 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light emitting element and light emitting device |
JP2010123717A (ja) * | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法 |
JPWO2010074288A1 (ja) * | 2008-12-28 | 2012-06-21 | 有限会社Mtec | 高電圧駆動の発光ダイオードモジュール |
WO2010074287A1 (ja) * | 2008-12-28 | 2010-07-01 | 有限会社Mtec | 発光ダイオード素子及び発光ダイオードモジュール |
JP5588882B2 (ja) * | 2008-12-28 | 2014-09-10 | 有限会社Mtec | 発光ダイオードモジュール |
JP2010171340A (ja) * | 2009-01-26 | 2010-08-05 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 発光装置 |
WO2011037185A1 (ja) * | 2009-09-24 | 2011-03-31 | 京セラ株式会社 | 実装用基板、発光体、および実装用基板の製造方法 |
JPWO2011037185A1 (ja) * | 2009-09-24 | 2013-02-21 | 京セラ株式会社 | 実装用基板、発光体、および実装用基板の製造方法 |
JP2011166146A (ja) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Seoul Opto Devices Co Ltd | 分布ブラッグ反射器を有する発光ダイオードチップ及びその製造方法 |
JP2011171743A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-01 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子及び発光素子パッケージ |
US9537056B2 (en) | 2010-02-18 | 2017-01-03 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device |
JP2013106033A (ja) * | 2011-11-10 | 2013-05-30 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
JP2013258233A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスの加工方法 |
JP2013258232A (ja) * | 2012-06-12 | 2013-12-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 光デバイスの加工方法 |
US9041033B2 (en) | 2012-06-28 | 2015-05-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device |
JP2014107291A (ja) * | 2012-11-22 | 2014-06-09 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
KR101487612B1 (ko) * | 2012-11-22 | 2015-01-29 | 가부시끼가이샤 도시바 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
US9070841B2 (en) | 2012-11-22 | 2015-06-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
EP2736087A3 (en) * | 2012-11-22 | 2016-03-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same |
JP5368620B1 (ja) * | 2012-11-22 | 2013-12-18 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2019192946A (ja) * | 2013-04-11 | 2019-10-31 | ルミレッズ ホールディング ベーフェー | トップエミッション型半導体発光デバイス |
CN111613708A (zh) * | 2013-04-11 | 2020-09-01 | 亮锐控股有限公司 | 顶发射式半导体发光器件 |
JP2015122452A (ja) * | 2013-12-25 | 2015-07-02 | サンケン電気株式会社 | 発光装置 |
KR20160124456A (ko) * | 2015-04-20 | 2016-10-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
KR102441311B1 (ko) | 2015-04-20 | 2022-09-08 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 |
KR20170129555A (ko) * | 2016-05-17 | 2017-11-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 모듈 |
KR102531109B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-05-10 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 및 이를 구비한 조명 모듈 |
US11316071B2 (en) | 2019-02-08 | 2022-04-26 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Optical device and method for manufacturing optical device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4655029B2 (ja) | 2011-03-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4655029B2 (ja) | 発光装置および半導体発光素子の製造方法 | |
TWI613737B (zh) | 發光裝置之製造方法 | |
US8823031B2 (en) | Semiconductor light emitting device including metal reflecting layer | |
US10069040B2 (en) | Light emitting diode and method of fabricating the same | |
US8450764B2 (en) | Semiconductor light-emitting apparatus and method of fabricating the same | |
CN110854251B (zh) | 发光二极管 | |
JP6182050B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
US20050168992A1 (en) | Light emitting apparatus | |
TWI572054B (zh) | 高亮度發光二極體結構與其製造方法 | |
TWI699011B (zh) | 半導體發光裝置 | |
WO2002089221A1 (en) | Light emitting device comprising led chip | |
JP2008091459A (ja) | Led照明装置及びその製造方法 | |
CN103855149A (zh) | 倒装高压发光二极管及其制作方法 | |
KR20160149827A (ko) | 복수의 파장변환부를 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
KR102461968B1 (ko) | 발광 소자 | |
US20140063822A1 (en) | Wiring board, light-emitting device, and method of manufacturing the wiring board | |
TWI583022B (zh) | 發光二極體封裝結構、發光二極體晶粒及其製造方法 | |
JP2006073618A (ja) | 光学素子およびその製造方法 | |
JP2007027539A (ja) | 半導体発光素子およびこれを用いた照明装置 | |
JP6136717B2 (ja) | 発光素子、発光装置及び発光素子の製造方法 | |
TW201203611A (en) | Light emitting device and its manufacturing method | |
JP6551210B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6398541B2 (ja) | リードフレーム及び発光装置 | |
JP2016119464A (ja) | 発光装置 | |
CN116895721A (zh) | 发光元件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090728 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20090817 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100713 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101124 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101207 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |